激光刻印机

激光外差干涉技术在光刻机中的应用 张志平*，杨晓峰 复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心，上海 201203摘要 超精密位移测量系统是光刻机不可或缺的关键分系统之一，而基于激光外差干涉技术的超精密位移测量系统同时具备亚纳米级分辨率、纳米级精度、米级量程和数米每秒的测量速度等优点，是目前唯一能满足光刻机要求的位移测量系统。目前应用于光刻机的超精密位移测量系统主要有双频激光干涉仪和平面光栅测量系统两种，二者均以激光外差干涉技术为基础。本文将分别对这两种测量系统的原理、优缺点以及在光刻机中的典型应用进行阐述。关键词 光刻机；外差干涉；双频激光干涉仪；平面光栅1 引言集成电路产业是国家经济发展的战略性、基础性产业之一，而光刻机则被誉为集成电路产业皇冠上的明珠［1］。作为光刻机三大指标之一的套刻精度，是指芯片当中上下相邻两层电路图形的位置偏差。套刻精度必须小于特征图形的1/3，比如14 nm节点光刻机的套刻精度要求小于5.7 nm。影响套刻精度的重要因素是工件台的定位精度，而工件台定位精度确定的前提则是超精密位移测量反馈，因此超精密位移测量系统是光刻机不可或缺的关键分系统之一［2-4］。随着集成电路特征尺寸的不断减小，对位置测量精度的需求也不断提高；同时，为了满足光刻机产率不断提升的需要，掩模台扫描速度也在不断提高，甚至达到 3 m/s 以上；此外，为了满足大尺寸平板显示领域的需求，光刻机工件台的尺寸和行程越 来越大，最大已达到 1. 8 m×1. 5 m；最后，为了获得工件台和掩模台良好的同步性能，光刻机还要求位置测量系统具备多轴同步测量的功能，采样同步不确定性优于纳秒级别［5-8］。 综上，光刻机要求位置测量系统同时具备亚纳米级分辨率、纳米级精度、米级量程、数米每秒测量速度、闭环反馈以及多轴同步等特性。目前，在精密测量领域能同时满足上述测量要求的，只有外差干涉测量技术。 本文分别介绍外差干涉测量技术原理及其两 种具体结构——双频激光干涉仪和平面光栅测量系统，以及外差干涉技术在光刻机中的典型应用。 2 外差干涉原理 2. 1 拍频现象 外差干涉又称为双频干涉或者交流干涉，是利用“拍频”现象，在单频干涉的基础上发展而来的一 种干涉测量技术。 假设两列波的方程为 x1 = A cos ω1 t ， （1） x2 = A cos ω2 t 。 （2） 叠加后可表示为（3）拍频定义为单位时间内合振动振幅强弱变化 的次数，即 v =| (ω2 - ω1)/2π |=| v 2 - v 1 | 。 （4） 波 x1、x2 以及合成后的波 x 如图 1 所示，其中包 络线的频率即为拍频，也称为外差频率。如果其中一个正弦波的相位发生变化，拍频信号的相位会发生完全相同的变化，即外差拍频信号将完整保留原始信号的相位信息。 图 1. 拍频示意图Fig. 1. Beat frequency diagram对于激光而言，因为频率很高（通常为 1014 Hz 量级），目前的光电探测器无法响应，但可以探测到两束频率相近的激光产生的拍频（几兆到几十兆赫兹）。因此拍频被应用到激光领域，发展成激光外差干涉技术。2. 2 外差干涉技术 由拍频原理可知 ，所谓外差就是将要接收的信号调制在一个已知频率信号上，在接收端再将该调制信号进行解调。由于高频率的激光信号相位变化难以精确测量，但利用外差干涉技术可以用低频拍频信号把高频信号的 相位变化解调出来，将大大降低后续精确鉴相的难度。因此，外差技术最显著的特点就是信号以交流的方式进行传输和处理。 与单频干涉技术相比，外差干涉技术的突出优点是：1）由于被测对象的相位信息是加载在稳定的差频（通常几兆到几十兆赫兹）上，因此光电探测时避过了低频噪声区，提高了光电信号的信噪比。例如在外界干扰下，测量光束光强衰减 50% 时，单频干涉仪很难正常工作，而外差干涉仪在光强衰减 90% 时仍能正常工作 ，因此更适用于工业现场 。 2）外差干涉可以根据差频信号的增减直接判别运动方向，而单频干涉技术则需要复杂的鉴相系统来 判别运动方向。单频干涉技术与外差干涉技术对比如表 1 所示。表 1. 单频干涉技术与外差干涉技术对比Table 1. Comparison between homodyne interferometry and heterodyne interferometry3双频激光干涉仪 3. 1 双频激光干涉仪原理 双频激光干涉仪是在单频激光干涉仪的基础上结合外差干涉技术发展起来的，其原理如图 2 所 示。双频激光器发出两列偏振态正交的具有不同频率的线偏振光，经过偏振分光器后光束被分离。 图 2. 双频激光干涉仪原理图Fig. 2. Schematic diagram of dual frequency laserinterferometer设两束激光的波动方程为 E1 = E R1 cos ( 2πf1 t ) E2 = E R2 cos ( 2πf2 t ) ， （5） 式中：ER1和 ER2为振幅；f1和 f2为频率。 偏振态平行于纸面的频率为 f1 的光束透过干涉仪后，被目标镜反射回干涉仪。当被测目标镜移动时，产生多普勒效应，返回光束的频率变为 f1 ± Δf， Δf 为多普勒偏移量，它包含被测目标镜的位移信息。经过干涉镜后，与频率为 f2 的参考光束会合，会合后光束发生拍频，其光强 IM函数为 （6） 式（6）包含一个直流量和一个交流量，经光电探测器转换为电信号，再进行放大整形后，去除直流量，将交 流量转换为一组频率为 f1 ± Δf- f2的脉冲信号。从双频激光器中输出频率为 f1 - f2 的脉冲信 号，作为后续电路处理的基准信号。测试板卡采用减法器通过对两列信号的相减，得到由于被测目标 镜的位移引起的多普勒频移 Δf。被测目标镜的位移 L 与 Δf的关系可表示为 （7） 式中：λ 为激光的波长；N 为干涉的条纹数。因此， 只要测得条纹数，就可以计算出被测物体的位移。 3. 2 系统误差分析 双频激光干涉仪的系统误差大致由三部分组成：仪器误差、几何误差以及环境误差，如表 2 所示。 三种误差中，仪器误差可控制在 2 nm 以内；几何误 差可以通过测校进行动态补偿，残差可控制在几纳米以内；环境误差的影响最大，通常可达几十纳米到几微米量级，与测量区域的环境参数（温度、压 力、湿度等）有关，与量程几乎成正比，因此大量程测量时，需要对环境参数进行控制。 表 2. 双频激光干涉仪系统误差分解Table 2. System error of dual frequency laser interferometer4 平面光栅测量系统 双频激光干涉仪在大量程测量时，精度容易受 温度、压力、湿度等环境因素影响，研究者们同样基于外差干涉原理研发了平面光栅测量系统，可克服双频激光干涉仪的这一缺点。 4. 1 基于外差干涉的光栅测量原理 众所周知 ，常规的光栅测量是基于叠栅条纹的，具有信号对比度差、精度不高的缺点。基于外差干涉的光栅测量原理如图 3 所示，双频激光器发出频率 f1 和 f2 的线偏振光，垂直入射到被测光栅表面，分别进行+1 级和−1 级衍射，衍射光经过角锥反射镜后再次入射至被测光栅表面进行二次衍射， 然后会合并沿垂直于光栅表面的方向返回。由于被测光栅与光栅干涉仪发生了相对运动，因此，返回的激光频率变成了 f1 ± Δf和 f2 ∓ Δf，其中 Δf为多 普勒频移量，它包含被测目标镜的位移信息。 图 3. 基于外差干涉的光栅测量原理Fig. 3. Principle of grating measurement based on heterodyne interference会合后的光束 f1 ± Δf 和 f2 ∓ Δf 发生拍频，其频率为 ( f1 ± Δf ) - ( f2 ∓ Δf ) = ( f1 - f2 ) ± 2Δf。（8） 式（8）的信号与双频激光器中输出频率为 f1 - f2 的 参考信号相减，得到多普勒频移 Δf。被测目标镜的位移 L 与 Δf的关系可表示为（9） 式中 ：p 为光栅的栅距 ；N 为干涉的条纹数 。 因此，只要测得条纹数 ，就可以计算出被测物体的位移。 上述原理推导是基于一维光栅刻线的，只能测量一维运动。为了获得二维测量，只需将光栅的刻线由一维变成二维（即平面）即可。 4. 2 两种测量系统优缺点对比 由此可知，基于外差干涉的光栅测量原理与双频激光干涉仪几乎完全相同，主要的差别是被测对象由反射镜换成了衍射光栅。两种测量系统的优缺点如表 3 所示。表 3. 双频激光干涉仪与光栅测量系统对比Table 3. Dual frequency laser interferometer versus gratingmeasurement system5外差干涉测量在光刻机中的应用 发展至今，面向 28 nm 及以下技术节点的步进扫描投影式光刻机已成为集成电路制造的主流光刻机。作为光刻机的核心子系统之一的超精密工件台和掩模台，直接影响着光刻机的关键尺寸、套刻精度、产率等指标。而工件台和掩模台要求具有高速、高加速度、大行程、超精密、六自由度（x、y 大 行程平动，z 微小平动，θx、θy、θz微小转动）等运动特点，而实现这些运动特点的前提是超精密位移测量反馈。因此，基于外差干涉技术的超精密位移测量子系统已经成为光刻机不可或缺的组成部分。 4. 光刻机中的多轴双频激光干涉仪［10］Fig. 4. Multi-axis dual frequency laser interferometer in lithography machine[10]图 4 为典型的基于多轴双频激光干涉仪的光刻机工件台系统测量方案［10］，在掩模台和硅片台的侧面布置多个多轴激光干涉仪，对应地在掩模台和硅 片台上安装长反射镜；通过多个激光干涉仪的读数解算出掩模台和硅片台的六自由度位移。 然而，随着测量精度、测量行程、测量速度等运动指标的不断提高，双频激光干涉仪由于测量精度易受环境影响、长反射镜增加运动台质量致使动态性能差等问题难以满足日益提升的测量需求。因 此，同样基于外差干涉技术的平面光栅测量系统成为了另一种选择［8］。 光刻机工件台平面光栅测量技术首先由世界光刻机制造巨头 ASML 公司取得突破。该公司于 2008 年 推 出 的 Twinscan NXT：1950i 浸 没 式 光 刻机，采用了平面光栅测量技术对 2 个工件台的六自 由度位置进行精密测量。如图 5 所示，该方案在主基板的下方布置 8 块大面积高精度平面光 栅（约 400 mm×400 mm），在两个工件台上分别布置 4 个 平面光栅读数头（光栅干涉仪），当工件台相对于平 面光栅运动时，平面光栅读数头即可测出工件台的 运动位移［2，5，9］。图 5. ASML 光刻机的平面光栅测量方案［2，5，9］Fig. 5. Plane grating measurement scheme of ASML lithography machine[2,5,9]相比多轴双频激光干涉仪测量方案，平面光栅测量方案具有以下优点：1）测量光路短（通常小于 20 mm），因此测量重复精度和稳定性对环境变化不 敏感；2）工件台上无需长反射镜，因此质量更轻、动态性能更好。 然而，平面光栅测量方案也有其缺点：1）大面积高精度光栅制造难度太大；2）由式（9）可知，位移 测量结果以栅距 p 为基准，然而受栅距均匀性限制， 测量绝对精度不高。为了获得较好的精度和线性度，往往需要利用双频激光干涉仪进行标定。 面临极端测量需求的挑战 ，Nikon 公 司 在 NSR620D 光刻机中采用了平面光栅和双频激光干涉仪混合测量的技术方案［9］，如图 6 所示。该方案 将平面光栅安装在工件台上表面，而将光栅读数头安装在主基板下表面，同时增加了双频激光干涉仪，结合了平面光栅测量系统和双频激光干涉仪的 优点。在读头与读头切换时采用双频激光干涉仪进行在线校准。 图 6. Nikon光刻机混合测量方案［9］Fig. 6. Hybrid measurement scheme of Nikon lithography machine [9]6激光外差干涉系统的发展趋势 无论是双频激光干涉仪还是平面光栅测量系统，要想获得纳米级测量精度，既需要提高测量系统本身的精度，更需要从使用的角度努力，即“三分 靠做，七分靠用”。 就激光外差干涉测量系统本身而言，误差源主要来自于光学非线性误差。在外差干涉测量系统 中，由于光源及光路传输过程各光学器件性能不理想或装调有偏差，会带来两个频率的光混叠现象， 即原本作为测量信号频率 f1（或 f2）的光中混杂了频 率 f2（或 f1）的光，或原本作为参考信号频率 f2（或 f1） 的光中混杂了频率 f1（或 f2）的光。在信号处理中该混叠的频率信号会产生周期性的光学非线性误差。尽管目前主流的双频激光干涉仪厂家已经将非线性误差控制在 2 nm 以内［10- 12］，但应用于 28 nm 以下光刻机时仍然需要进一步控制该误差。国内外众多学者从非线性误差来源、检测和补偿等角度出发，进行了大量研究并取得了丰硕成果［13- 17］。这些成果有望对非线性误差的动态补偿提供理论支持。 从应用角度，研究热点主要集中在应用拓展、 安装误差及其测校算法、环境参数控制及其补偿方法研究等方面。在应用拓展方面，激光外差干涉技术除了应用于测长之外，还在小角度测量、直线度、平面度、反馈测量等方面取得了应用［18- 20］。在安装误差和环境误差补偿算法方面，主要聚焦于多自由度解耦算法、大气扰动补偿等研究方向［4，21- 27］。 7 总结 阐述了光刻机对位移测量系统大量程、亚纳米 分辨率、纳米精度、高测速及多轴同步的苛刻要求。 概述了激光外差干涉技术原理，指出目前为止，激光外差干涉技术是唯一能满足光刻机上述要求的超精密位移测量技术。并综述了两种基于激光外差干涉技术的测量系统：双频激光干涉仪和平面光栅测量系统。总结了这两种位移测量系统在光刻机中的典型应用，以及激光外差干涉技术的当前研究热点和发展趋势。全文详见：激光外差干涉技术在光刻机中的应用.pdf

通过激光刻蚀去除所需位点外围的大部分材料，再通过FIB切割和抛光得到横截面，两种技术相结合最终实现了超大尺寸样品处理所需的速度和精度。而这种组合方式的最新阶段是采用激光刻蚀和PFIB刻蚀实现协同处理，进一步提高分析通量、效率和灵活性。激光集成到FIB室中 VS 独立的激光刻蚀和PFIB协同处理 效率提高至少2,000倍 激光刻蚀提供的最大铣削速率比镓源FIB快约100,000倍，比PFIB快约2,000倍，同时仍保持针对特定位点的足够铣削精度。将激光刻蚀（初始切削材料）与PFIB（最终切割和抛光）相结合可以将制备大尺寸横截面所需的总时间减少95%，在某些情况下甚至更多。如图1显示了镓源FIB、PFIB和激光刻蚀的光斑大小与材料去除率之间的关系。相邻表格提供了这3种技术在最大铣削和最终抛光束流条件下材料去除率的数值比较。如图1：（左）所示，镓源FIB、PFIB和激光刻蚀占据不同的区域，其特点是光斑尺寸（光束直径）和材料去除率之间的制衡。一般来说，较高的束流或束流强度会更快地去除材料，但精度较低。表格(右)比较了材料在三种技术下最大束流和典型抛光条件下的束流(或激光的离子束等效电流)和材料去除率关系。此外，还显示了镓源FIB与激光刻蚀、PFIB与激光刻蚀的去除率之比。将激光集成到FIB室中后，系统一次只能使用一个功能，而其他功能处于空闲状态。TESCANT提供一种最新方式来实施集成显微镜技术，通过独立的激光刻蚀（microPrep PRO、3D-Micromac AG）和PFIB(TESCAN Solaris X)系统提供并行处理。两个系统都不会因为另一个系统的运行而空闲。激光刻蚀系统可以为多个联用工具准备样品，无论联用是多个FIB 还是各种其他故障分析仪器，最终结果都是增加了分析通量和产率，并降低了每次分析的成本。激光刻蚀系统提供约10微米的铣削精度(束斑尺寸)和约3微米的光束定位精度（以厘米为移动范围），使其快速准确地去除立方毫米的材料。基于电路设计的CAD数据或各种FA工具的2D图像叠加的相关对准技术有助于在两个系统中以高精度找到感兴趣区。● 独立系统中的协同处理优点 ●1, 超短激光脉冲最大限度地减少了激光引起热影响区，从而减少了必须通过PFIB中的最终抛光去除的材料量。2. 单独在激光刻蚀系统中切削材料可避免PFIB仓内污染的风险，其中污染物会干扰仪器本身和分析结果。3. 样品同时可以在各种气体环境中通过激光进行处理，并且可以使用解决方案来允许系统之间的转移，而不会暴露在周围环境中。4. 激光刻蚀工具上的平台提供具有六个自由度的精确自动化运动，使其能够在需要时铣削复杂的图案。5. 在激光刻蚀过程中倾斜样品的能力对于补偿由光束能量的高斯强度分布引起的锥度特别有益。尽管它可以使用FIB抛光消除，但在激光刻蚀操作期间避免它可以大大减少FIB抛光所需的时间。6. 消除锥度对于半导体样品中准确对齐堆叠重复结构的横截面（例如TSV、锡焊球等）工艺至关重要。

孚光精仪在上海，天津同时发布一款新型激光直写式雾无掩模光刻系统。这款无掩模光刻机是一款高精度的激光直写光刻机。这套无掩模光刻机具有无掩模技术的便利，大大提高影印和新产品研发的效率，节省时间，是全球领先的无掩模光刻系统。这款激光直写无掩模光刻机直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上。 激光直写无掩模光刻系统特色尺寸：925x925x1600mm内置计算机控制接口激光光源：375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置 详情浏览：http://www.f-opt.cn/guangkeji.html 激光直写无掩模光刻机参数线性写取速度：500mm/s位移台分辨率：100nm重复精度： 100nm晶圆写取面积：1—6英寸衬底厚度：250微米-10毫米激光点大小：1-100微米准直精度：500nm Email: info@felles.cn 或 felleschina@outlook.com Web: www.felles.cn （激光光学精密仪器官网） www.felles.cc （综合性尖端测试仪器官网） www.f-lab.cn （综合性实验室仪器官网） Tel: 021-51300728, 4006-118-227

2022年4月18日，大族激光科技产业集团股份有限公司召开业绩说明会，参会人员为通过线上交流平台参与公司 2021 年度业绩网上说明会的投资者。说明会上，大族激光针对目前公司光刻机研发进度和分辨率问题进行回复并表示，公司光刻机项目分辨率 3-5μm，主要聚焦在分立器件、LED 等领域的应用，已实现小批量销售。针对大族激光在半导体领域目前的规划，光刻机新的进展，以及下一步在半导体领域是否和华为展开合作等问题，大族激光表示，得益于 Mini-Led 对行业设备需求的带动和公司市场占有率的持续提升，公司半导体及泛半导体行业晶圆加工设备快速增长，实现营业收入 6.69 亿元，同比增长 140.62%。其中，LED 行业晶圆加工设备实现营业收入 4.78 亿元，同比增长 115.46%，保持市场领导地位，Mini-Led 切割、裂片、剥离、修复等设备实现大批量销售，Micro-LED 巨量转移设备正在验证过程中；半导体行业晶圆加工设备实现营业收入 1.91 亿元，同比增长 239.96%，半导体激光开槽、半导体激光解键合、化合物半导体激光切割等产品实现批量销售。公司封测设备业务主体大族封测保持良好发展趋势，营业收入同比增长约 128%。公司光刻机产品主要用于分立器件领域，最新产品接近式光刻机样机已经开发完成。目前，公司在半导体领域暂未和华为展开合作。

1月14日，大族激光在互动平台表示，目前公司在研光刻机项目分辨率为3-5μm，主要聚焦在5G通讯配套分立器件、LED、Mini/Micro-LED新型显示等方面的应用，且光刻机项目已实现小批量销售。值得关注的是，近日，深圳监管局披露了大族激光的子公司大族数控首次公开发行股票并上市辅导备案信息。据披露，大族数控拟首次公开发行股票并在境内证券交易所上市，现已接受中信证券的辅导，并于2020年12月31日在深圳证监局进行了辅导备案。据了解，大族数控是由大族激光组建的全资子公司，是集技术研究、开发、生产和销售为一体的高科技企业。天眼查显示，大族数控注册资本为37800万人民币，于2014年12月30日及2016年3月1日，分别获得了由大族控股和大族激光投资的两轮战略融资。在产品方面，其专业开发和生产具有国内领先水平的HANS系列PCB激光设备、PCB数控钻铣机HANS系列PCB激光设备，以及PCB数控钻铣机是集激光技术、机械学、电子学、计算机学、气动学和光学于一体，是印刷电路板行业的专用设备，适用于印刷电路板的精密钻孔和异形槽、孔、边 框的铣削加工。公司于2006年通过ISO-9001质量认证。

p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员与国家纳米中心刘前研究员合作，在NanoLetters上发表了研究论文，报道了一种他们开发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。 　　 /p p 　　据悉，研究团队设计开发了一种新型三层堆叠薄膜结构。在无机钛膜光刻胶上，采用双激光束交叠技术，通过精确控制能量密度及步长，实现了1/55衍射极限的突破，达到了最小5nm的特征线宽。 /p p 　　此外，研究团队利用这种超分辨的激光直写技术，实现了纳米狭缝电极阵列结构的大规模制备。同时，该团队还利用发展的新技术制备出了纳米狭缝电极为基本结构的多维度可调的电控纳米SERS传感器。 /p p 　　值得一提的是，研究团队所开发的具有完全知识产权的激光直写设备，利用了激光与物质的非线性相互作用来提高加工分辨率，其有别于传统的缩短激光波长或增大数值孔径的技术路径；并打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制，可使用多种受体材料，极大地扩展了激光直写的应用场景。 /p p 　　目前，该工作得到了国家重点研究计划项目、国家自然科学基金、Eu-FP7项目、中国博士后科学基金的支持。 /p

仪器信息网讯 2012年3月27日，“基恩士（KEYENCE）媒体专访会”在金茂北京威斯汀大饭店水厅顺利召开，基恩士国际贸易(上海)有限公司（以下简称：基恩士公司）总经理亀井隆志先生带领公司下属的视觉系统部、R&D部、市场营销部等多个部门销售经理出席会议，同时，仪器信息网等十余家业内专业媒体纷纷参加了会议。 媒体专访会现场 基恩士公司总经理亀井隆志先生 　　专访会伊始，亀井隆志先生致辞到：“基恩士自2001年起进入中国，现在我们在中国已设有11个直销营业点。基恩士公司最大的特点是直销营业模式，从产品选型到售后服务，全部都是由本公司营销人员直接提供技术支持与服务，这样便给客户减少了很多作业时间，而客户对此也给予了我们很高的评价。” 　　“继去年7月和10月的两次媒体发布会，今天是基恩士公司第三次举办媒体发布会。在之前的两次媒体发布会上，当被问及基恩士公司的中国市场策略问题时，我的回答是研究开发出符合中国市场的新产品，并以此为中国制造工程的自动化做出贡献。今天这个承诺终于得以实现，下面有请基恩士公司工作人员为我们详细介绍这些极具纪念意义的产品与服务。” 　　一、首次推出针对中国市场开发的CV-X100系列新品 基恩士公司视觉系统部销售经理樱井成嗣先生 　　樱井成嗣先生表示，针对快速发展的视觉系统市场，3年前我们开始着手研发符合中国市场的视觉系统产品。通过对千余位中国市场客户意见的彻底调查和总结，基恩士成功推出了CV-X100系列智能引导式视觉系统。而据我所知，目前还没有其他品牌针对中国客户的需求专门开发相关产品。我相信，CV-X100系列一经推出将会在中国视觉系统产品市场占据领先地位。 基恩士公司视觉系统部高黎黎女士 　　高黎黎女士介绍到，17年前，基恩士就已开始研发工业化检测用的视觉系统系统，目前已占据40-50%的市场份额，稳居日本视觉系统市场首位。 CV-X100系列智能引导式视觉系统 　　与以往的视觉系统相比，CV-X100系列具有“智能学习功能”，“任何人都能简单使用”，这一点在部分客户的试用期内得到了非常高的评价；CV-X100系列能够将现场积累的“专业调整经验技巧”功能化，可实现“拍摄环境再现导航”；CV-X100系列还可设定最长32位密码，拥有牢不可破的安全性，能够有效保护客户资产；此外，CV-X100系列能够根据用户需求“自动生成专用手册”，并支持多种语言版本。 基恩士客户代表：TSS公司社长田中先生 　　田中先生说到，TSS公司1960年创建于日本，主要业务为连接器用的全自动组装设备，在中国的青岛、上海建有生产工厂，今后将在中国大力推进通用型设备业务。TSS公司与基恩士公司合作已有15年之久，近几年基恩士公司视觉系统产品性能迅速提升，市场占有率大幅增加。从设备制造商的角度去看，基恩士拥有丰富的产品线，TSS可以统一采用基恩士各类产品制作设备；其次，基恩士销售人员技术水准很高，完全达到了技术工程师的水准，应对客户需求非常细致与及时；此外，基恩士采取直销模式，基本上不用担心产品的质量与真假问题，尤其是在视觉系统领域，基恩士公司产品的性能、可信赖性、货期方面是当之无愧的No.1。以后我们希望与基恩士公司继续合作，开发出更适合中国用户的产品。 基恩士CV-X100系列与TSS自动组装设备联合展示 　　二、VK-X100/X200系列形状测量激光显微系统登场 基恩士公司R&D部销售经理朱立峰先生 　　朱立峰先生谈到，传统光学显微镜景深不够，只能观察局部，很多地方会模糊；扫描电镜放大倍率高，但使用时要做导电处理、抽真空，耗时费力，而且需要专业人士操作；而粗糙度仪不适合表面质地较软的产品。鉴于上述问题，基恩士公司整合了光学显微镜、扫描电镜、粗糙度仪的功能，推出了VK-X100/X200形状测量激光显微镜。VK-X100/X200集传统显微镜、扫描电镜、粗糙度仪的功能于一身，简单快速地实现了高分辨率、大范围形状测量，任何人都可以容易上手操作。目前国内很多客户已经采购了这款产品，主要用于半导体，显示器、电子零部件、印刷线路板、打印机、复印机、汽车部件、表面处理、化学品等行业的研发、质量分析工作。 VK-X100/X200形状测量激光显微系统 　　三、潜心打造出4大自动化产品信息资源站点 基恩士公司市场营销部马巍峰先生 　　马巍峰先生介绍到，作为30年来以传感器为主的综合性制造商和供应商，基恩士在新年前期潜心打造了多个自动化产品信息资源站点，当做给自动化行业献上的礼物。2012年3月前，传感器中心、测量仪器中心、条码读取器中心、激光刻印中心4大站点已陆续上线。 　　其中，传感器中心是以传感器为主的自动化入门级百科实例资讯信息站；测量仪器中心汇集了各行各业所需的不同解决方案与应用实例；而将条码读取器、二维玛读取器整合为一体的条码读取器中心可谓是国内首创；激光刻印机中心则可以提供强调模拟刻印功能。通过提供这些详尽的行业应用及专业的技术指南，我们希望能够帮助提升自动化行业技术人员的水平。此外，我们相继还将推出显微镜、静电仪器站点，希望大家能够给予我们意见与建议。 基恩士公司高层接受媒体提问 （右起：樱井成嗣先生、亀井隆志先生、全玉花女士） 　　Instrument：基恩士公司的产品以创造高附加值为目标，请介绍一下贵公司产品的高附加值主要体现在哪几方面? 　　亀井隆志先生：基恩士公司的销售工程师会和客户进行直接接触、沟通，第一时间了解客户的需求，并把客户的声音反馈到产品开发过程中，这种以直销经营模式对客户提供高质量产品与服务的方式，可以体现高附加值的一个方面。此外，基恩士公司的技术创新步伐很快，在客户还没有意识到问题之前，我们已经根据经验抢先一步在产品上进行了改进与优化，我认为这也是高附加值的一种体现。 　　Instrument：基恩士目前正在重点拓展海外市场，中国又是重中之重；那么，请谈谈2012年基恩士公司对中国市场的期望值和期望点? 　　亀井隆志先生：2011年基恩士推出的新品已取得了很好的市场成绩，2012年我们还将会源源不断地推出新产品，期待后续的新品会给公司带来更高的增长。我认为，目前中国市场所有的行业发展都比较好，其中，基恩士公司最为期待的是汽车行业和电子行业，如电子配件市场等。

以&ldquo 回望．前瞻，稳步向前&rdquo 为主题的2011 国际线路板一电子组装展览会于11 月30 日在深圳会展中心隆重开幕，基恩士携VHX 系列数码显微镜、VW 系列高速摄像机、VK 系列形状测量激光显微系统、IM系列精密测量仪器以及MDV 系列激光刻印机亮相展会。 随着中国3C 产品（电脑、通信等）消费的高涨，线路板行业在2010 年获得了显著成绩，但市场竞争的巨大压力以及产品升级，产能提高的问题仍不可小觑。基恩士公司所采取的直销经营方式，对客户需求做出迅速的反映，提供从应用选型到售后技术支持的全方位服务，配以全球范围内的服务网络，保证纳期，使这些问题迎刃而解，可以有力促进行业内产品品质改善、产线升级，提高研发效率，从而不断提高产品市场竞争力，促进行业的长足和持续发展。 展会现场解说： 基恩士展出产品： 工程师现场答疑： 以下为线路板行业内基恩士产品应用的具体案例： 基板锡焊引脚浮起观察 　　VHX‐1000 系列数码显微镜采用全方位观测系统，无需旋转载物台，只要倾斜镜头，便可以在360 度全方向上保持视场大小，获得全方位观测。,无论是锡焊溢出还是裂缝都可一目了然。 高分辨率· 广视野观察 　　VHX‐1000 系列数码显微镜采用全新的图像连接算法，当用户使用手动载物台转换视场时，区域因实时图像连接而扩大。视场最大可以从普通视场（1600 x1200 像素）扩大为 10000 x 10000 像素，而高倍率的清晰度仍可保持｡ 高速拍摄观察基板下落 　 　　VW 系列高速摄像机内置高速模式，可进行最大24000 慧形象差 (coma) /秒的高速拍摄。基板下落时弯曲、回弹的情况清晰可见。 BGA 曲面测量 　　VK 系列形状测量激光显微系统，即使是非常难测的BGA 曲面，也可以获得精确的测量结果。 工件尺寸检测效率化 　IM 系列精密测量仪器,从内径· 圆节距· 角度等日常简单的测量到迄今为止难以测量的图纸上的复杂的测量位置，仅需将测量对象放置在测量区域内，任何人均可简单· 高精度地进行测量, 可一次性对所测量位置全部进行测量。 线路板上二维码刻印 　　MDV 系列激光刻印机具有&ldquo 3‐Axis&rdquo 控制功能，即使是小型线路板，也能完美实现狭小空间上的二维码刻印。 参展产品目录下载： 　　VHX-1000系列数码显微镜 　　VW系列高速摄像机 　　VK系列形状测量激光显微系统 　　IM系列精密测量仪器 　　MDV系列激光刻印机

随着组织工程领域的发展，生物材料界面与细胞的相互作用及物理机制成为研究热点。生物界面的拓扑形貌可以有效调控细胞行为并影响细胞功能。而体内的一些生理过程如胚胎发育、免疫应答和组织更新与重塑等往往涉及多细胞的集体行为。肿瘤的侵袭和转移也与集体细胞的协调运动有关。细胞球作为一种体外三维细胞培养模型，具有强烈的细胞-细胞相互作用，可在细胞生理学、信号通路、基因和蛋白表达以及气体/营养物质梯度等方面更好地模拟体内环境。因此，明确材料表面拓扑结构与细胞球的相互作用对探究体内生理、病理机制具有重要意义。然而，当前同时具有厘米级尺度和微纳米精度的跨尺度微纳拓扑结构尚难以快速制备。 　　近日，中国科学院理化技术研究所仿生智能界面科学中心有机纳米光子学实验室研究员郑美玲团队在跨尺度微纳拓扑结构制备及细胞球浸润性调控方面取得了新进展。该团队提出采用飞秒激光无掩膜投影光刻技术（MOPL）制备大面积兼具高精度的微盘阵列拓扑结构以研究细胞球的浸润性。该研究发现细胞球在多种不同单元直径的微盘阵列拓扑结构上展示出不同的浸润速度。研究通过分析细胞形态、骨架分布和细胞黏附，解析了细胞球浸润速度的变化机制，并发现了细胞球在大尺寸和小尺寸的微盘结构单元上采取不同的浸润模式。该研究揭示了细胞球对跨尺度微纳拓扑结构的响应机制，为探讨组织浸润行为提供了参考。 　　MOPL是一种高效率且能灵活化地制备微纳拓扑结构的技术。考虑到单个细胞的尺寸以及细胞球浸润过程中与大面积拓扑结构的相互作用，该工作利用MOPL技术制备了高度低于1μm，且拓扑单元直径分别为2、5、20和50 μm的大面积（8 mm × 10 mm）微盘阵列结构（图1）。 　　该研究采用超低吸附法制备了大小均一的人肾透明细胞癌细胞的细胞球。进一步，科研人员利用激光扫描共聚焦荧光显微镜对细胞球在微盘阵列拓扑结构上的动态浸润行为进行观察。细胞球在一系列微盘阵列拓扑结构上发生了完全浸润并展现出不同的浸润面积。结合细胞球铺展理论，通过量化不同时间点的细胞球浸润面积，研究发现细胞球的浸润速度在2、5、50和20 μm直径的微盘结构单元上依次减小，且细胞球在直径为20 μm的微盘结构单元上具有较小的细胞-基底黏附能（图2）。 　　进一步地，研究人员利用免疫荧光染色分析了多种不同微盘结构上的细胞形态、肌动蛋白和黏着斑分布，提出了细胞球在直径2μm和5 μm的小尺寸的微盘结构上采取攀爬模式浸润，以及在直径20μm和50 μm的较大尺寸的微盘结构上采取绕行模式浸润（图3）。细胞球的浸润过程表现为一种多细胞的集体协调运动。 　　该研究揭示了细胞球在各向同性微盘阵列拓扑结构表面的浸润机制，深化了对于细胞球与界面拓扑结构相互作用的认知。本工作是飞秒激光面投影纳米光刻技术及应用的拓展。相关研究成果发表在Small上。研究工作得到国家重点研发计划“纳米科技”重点专项、国家自然科学面上基金项目和中科院国际伙伴计划等的支持。

据红星新闻报道，全国人大代表、四川省工商联副主席，四川启阳汽车集团有限公司董事长王麒提交了《关于支持成都科学城加快布局建设天府（国家）实验室的建议》，建言聚焦空天科技、生命科学、先进核能、电子信息等关键领域推动国家实验室集中布局成都科学城，突破一批‘卡脖子’技术问题。王麒 （图源 红星新闻）其中，王麒建议国家发改委、科技部优先在成都科学城布局建设大科学装置、国家级大科学工程。“支持数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置、电磁驱动聚变大科学装置、超高速低真空磁浮交通及动模研究平台、超高通量多功能堆研究设施、跨尺度矢量光场时空调控验证装置布局成都科学城并纳入国家‘十四五’重大科技基础设施建设规划，打造更多抢占制高点的川版‘国之重器’，建设国际一流重大科技基础设施集群。”据了解，成都科学城科技创新项目重点项目“数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置”由中国工程物理研究院第十研究所承担，总投资约41亿元，拟通过“数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置”，建立大功率极紫外光源，通过光刻光源预处理系统及光刻验证系统，验证自由电子激光用于光刻的各种关键物理及工程问题，完成10nm节点光刻演示验证，建立首台千瓦极紫外光刻工程测试样机，为我国掌握大规模极紫外光刻（EUV）生产能力、突破芯片制造“卡脖子”问题提供条件。项目拟于2021年启动建设，2026年底完成验收。目前，极紫外光源是制约我国EUV光刻机的关键部分。而国内各种EUV光源的研究也在逐步进行中。而目前我国EUV光源受制于功率限制，无法应用于工业量产，而工业生产至少需要达到250W功率，ASML实验室已经达到了1kW的EUV光源功率。

中国政府采购网5月13日发布《北京量子信息科学研究院科研仪器设备激光直写光刻机单一来源采购公示》，拟采购的货物为激光直写光刻机2台。北京量子信息科学研究院将以单一来源采购方式从Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 在中国大陆的唯一代理商华格科技（苏州）有限公司进行仪器采购，总预算金额1300万元。公示期限为2022年5月13日至2022年5月20日。采用单一来源采购方式的原因为：计划采购的激光直写光刻机需要可加工的最小结构尺寸达 0.3 μm，可以满足工艺的最低要求，而由于激光直写类设备的原理及工艺限制，0.3 μm 基本上是该类设备可以达到的极限。在全球范围内对比了多种激光直写设备，目前只有 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 的 DWL66+激光直写光刻机可以达到要求。此外，随着芯片工艺的复杂度和芯片面积的不断上升，现有激光直写设备速度较慢的问题逐渐凸显，对流片速度产生了明显的影响。我们计划采购的另一台激光直写光刻机要求在保证最小结构尺寸不大于 0.8 μm 的条件下，曝光速度不小于 800 mm2 /min，并且可以加工 8 英寸晶片，对缩短芯片研发、生产周期具有不可替代的作用。我们在全球范围内对比了多种激光直写设备，目前只有 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 的 VPG200+激光直写光刻机在不大于 0.8 μm 的最小结构尺寸下具有≥800 mm2 /min 的直写速度。华格科技（苏州）有限公司是 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 在中国大陆的唯一代理商。综合以上研究要求，特申请以单一来源形式，通过华格科技（苏州）有限公司采购所需的激光直写光刻机。参与本次单一来源采购论证的专家为：北京大学副教授康宁、北京大学副教授吴孝松、中国科学院物理研究所副研究员屈凡明、中国科学院物理研究所副研究员田野、中国科学院物理研究所副研究员宋小会、北京政法职业学院教授孟德花、北京京棉纺织集团有限公司高级经济师刘放。专家论证意见如下：

基恩士国际贸易（上海）有限公司应邀参加了2011年11月9日-11月11日在上海新国际博览中心举办的中国电子展（CEF）。紧扣此次展会主题&mdash &mdash &ldquo 信息化推动工业化，电子技术促进产业升级&rdquo ,展出了凝聚基恩士高新技术精华的代表性产品：数码显微镜VHX系列、高速摄像机VW系列、形状测量激光显微 系统VK-X系列、精密测量仪器IM系列、激光刻印机MD系列以及激光位移传感器LK-G系列. 中国电子展（CEF）是亚洲电子展览联盟(AEECC)五大成员之一，与日本电子展(CEATEC JAPAN)、韩国电子展(KES)、台湾电子展(Taitronics)、香港电子展(HK Electronics Fair)并称为亚洲五大电子展。共有参展商近2000家，包括4个展馆，设有18个专业展区。基恩士公司精心的展台设计与专业的现场解说相结合，把出展 的每台产品完美而全面的展现在客户眼前，得到了到场客户和媒体的好评，也得到了众多购买商和设备商的深入洽谈要求，收货颇丰。 □ 展会现场 □ 参展产品： 目录下载 数码显微镜VHX系列 目录下载 高速摄像机VW系列 目录下载 形状测量激光显微系统VK-X系列 目录下载 精密测量仪器IM系列 目录下载 激光刻印机MD系列 目录下载 激光位移传感器LK-G系列。

2013年8月20日-22日，基恩士（中国）有限公司出展了在上海新国际博览中心举办的上海国际汽车制造技术与装备及材料展览会(以下简称AMTS展)。AMTS展是一次全面展示汽车制造生产技术领域创新产品及先进理念的盛会，是基恩士扩大与汽车制造行业客户接触面的有利平台。 此次，基恩士出展了包括超景深三维显微系统VHX-2000系列、3D激光显微系统VR系列、图像尺寸测量仪IM系列、安全光栅GLR系列、激光刻印机MDV系列、条码读取器SR750系列等自动化产品，为客户提供从安全生产到品质保障，从条码刻印到追溯管理的全方位解决方案。同时，通过对产品的演示和讲解，吸引了大量客户前来咨询。在场的工程师们耐心解答客户问题，受到了广泛好评。 基恩士展台掠影： 基恩士展台前观看咨询的与会者络绎不绝 基恩士出展产品： VHX-2000系列超景深三维显微系统 VR-3000系列形状轮廓测量显微系统 IM系列图像尺寸测量仪 MDV系列激光刻印机 GLR系列安全光栅 SR750系列紧凑型二维码读取器 基恩士公司简介： 基恩士自1974年成立以来，通过为客户提供工业自动化生产中所必需的传感器等高附加价值的产品，一直为提高客户现场的生产效率和生产品质而不断努力。截止当前，基恩士在全球的客户已达到20万家，涵盖了汽车、半导体、电子和电气设备、通信、机械、化学、药品和食品等多种行业。基恩士继1985年在美国成立了第一家海外现地法人之后，到目前为止已经在40多个国家设立了200个办事处。 士自1974年成立以来，通过为客户提供工业自动化生产中所必需的传感器等高附加价值的产品，一直为提高客户现场的生产效率和生产品质而不断努力。截止当前，基恩士在全球的客户已达到20万家，涵盖了汽车、半导体、电子和电气设备、通信、机械、化学、药品和食品等多种行业。基恩士继1985年在美国成立了第一家海外现地法人之后，到目前为止已经在40多个国家设立了200个办事处。

佳能（Canon）公布了2024年第二季（4-6月）财报，整体营收创同期历史新高，净利润也同比大涨。同时，佳能还上调了2024年全年业绩指引，预估值远优于市场预期，推动佳能26日股价大涨。具体来说，因半导体光刻设备、激光打印机等产品销售增长，加上日元贬值，带动佳能第二季度合并营收较去年同期增长14.4%至11,678亿日元，创历年同期历史新高纪录。合并营业利润也同比大涨28.3%至1,184亿日元，合并净利润也同比大涨37.4%至899亿日元。从各业务板块营收来看，二季度佳能以数字相机为主的图像事业部营收达2,447亿日元，同比增长11.6%，营业利润同比增长19.0%至410亿日圆；产业机器事业部（包含半导体光刻设备、FPD光刻设备和OLED蒸镀设备等）营收大增26.2%至945亿日元，营业利润大增48.2%至179亿日元。从设备销量来看，二季度佳能数字相机销售量较去年同期下滑3%至76万台；半导体微影设备销售量达60台，同比大涨43%。值得一提的是，日本半导体制造装置协会（SEAJ）7月23日公布统计数据指出，2024年6月份日本制半导体（芯片）设备销售额（3个月移动平均值、包含出口）为3,439.90亿日元，较去年同月大增31.8%。连续第6个月呈现增长，创21个月来（2022年9月以来、大增36.1%）最大增幅，月销售额连续第8个月突破3,000亿日元。佳能在新闻稿中表示，因激光打印机、单反相机销售复苏，生成式AI投资旺盛，推升半导体光刻设备预估将持续呈现高速成长。加上受益于日元贬值，因此今年度（2024年1-12月）合并营收目标自原先预估的4.35万亿日元上修至4.6万亿日元，同比增长10.0%，年营收将超越2007年度（4.48万亿日元），创下历史新高纪录。合并营业利润也将由原先预估的4,350亿日元上修至4,650亿日元，同比增长23.9%；合并净利润目标也由3,050亿日元上修至3,350亿日元，同比增长26.6%。对于今年各主要设备的出货量预估方面，佳能预计今年度半导体光刻设备销售量将为244台，将较2023年度（187台）大增30%；预估今年度数字相机全球销售量为290万台，将年增1%（上年度为288万台）。

基恩士国际贸易（上海）有限公司作为自动化工业的推动者之一，应邀于 2011年11月10日&mdash 11月12日参加了由富士康科技集团自动化技委会&冲压&压铸技委会举办的第四届『2011 年富士康华北区（太原）工业自动化&冲压&压铸 联合技术展』。 本届展会以&ldquo 省人化的新思路&rdquo 为主题，参观人员涵盖富士康太原、北京、天津、郑州、廊坊、晋城等厂区，约3000人。参展厂商汇集了包括欧、美、日、新加 坡、国际自动化厂商50家，冲压厂商20家以及压铸厂商8家。成为山西省迄今为止最大的一场自动化设备展会。基恩士产品从基础到高端，此次展出了激光位移 传感器LK系列、数字传感器GT系列、二维码读取器SR系列、安全光栅SL系列、激光刻印机MD-V系列、视觉系统XG系列、图像尺寸测量仪IM系列以及 数码显微镜VH系列等产品，期待用创新思维和全面服务与富士康共同携手推进工业自动化更上一层楼。 基恩士设计者在产品展台设计方面匠心独运，坚持基恩士一贯简洁作风同时充分考虑产品与客户接触的空间，使产品能够全面而完美的呈现在客户面前。成为基恩士 在提高客户满意度方面不断做出努力的佐证。基恩士销售工程师现场演示产品功能、现场解答客户提出的技术问题，赢得到场客户的好评。同场出展的设备商也来到 基恩士展台前咨询技术问题。 ■现场基恩士展会现场展位 ■展出产品 LK系列 激光位移传感器：目录下载 GT系列 数字传感器：目录下载 SR系列 二维码读取器：目录下载 SL系列 安全光栅：目录下载 MD-V系列 激光刻印机：目录下载 XG系列 视觉系统：目录下载 IM系列 图像尺寸测量仪：目录下载 VH系列 数码显微镜：目录下载

近年来，实现微纳尺度下的3D灰度结构在包括微机电（MEMS）、微纳光学及微流控研究领域内备受关注，良好的线性侧壁灰度结构可以很大程度上提高维纳器件的静电力学特性，信号通讯性能及微流通道的混合效率等。相比一些获取灰度结构的传统手段，如超快激光刻蚀工艺、电化学腐蚀或反应离子刻蚀等，灰度直写图形曝光结合干法刻蚀可以更加方便地制作任意图形的3D微纳结构。该方法中，利用微镜矩阵（DMD）开合控制的激光灰度直写曝光表现出更大的操作便捷性、易于设计等特点，不需要特定的灰度色调掩膜版，结合软件的图形化设计可以直观地获得灰度结构[1]。由英国皇家科学院院士，剑桥大学Russell Cowburn教授主导设计研制的小型无掩膜激光直写光刻仪（MicroWriter, Durham Magneto Optics），是一种利用图形化DMD微镜矩阵控制的直写曝光光刻设备。该设备可以在无需曝光掩膜版的条件下，根据用户研究需要，直接在光刻胶样品表面上照射得到含有3D灰度信息的曝光图案，为微流控、MEMS、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。此外，它还具备结构紧凑（70cm × 70cm X×70cm）、高直写速度，高分辨率（XY ~ 0.6 um）的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。目前在国内拥有包括清华大学、北京大学、中国科技大学、南京大学等100余家应用单位，受到广泛的认可和好评。结合MicroWriter的直写曝光原理，通过软件后台控制DMD微镜矩阵的开合时间，或结合样品表面的曝光深度，进而可以实现0 - 255阶像素3D灰度直写。为上述相关研究领域内的3D线性灰度结构应用提供了便捷有效的实验方案。图1 利用MicroWriter在光刻胶样品表面上实现的3D灰度直写曝光结果，其中左上、左下为灰度设计原图，右上、右下为对应灰度曝光结果，右上莲花图案实际曝光面积为380 × 380 um，右下山水画图案实际曝光面积为500 × 500 um 图2 利用MicroWriter实现的3D灰度微透镜矩阵曝光结果，其中SEM形貌可见其优异的平滑侧壁结构 厦门大学萨本栋微纳米研究院的吕苗研究组利用MicroWriter的灰度直写技术在硅基表面实现一系列高质量的3D灰度图形转移[2]，研究人员通过调整激光直写聚焦深度以及优化离子刻蚀工艺，获得具有良好侧壁平滑特征的任意3D灰度结构，其侧壁的表面粗糙度低于3 nm，相较此前报道的其他方式所获得的3D灰度结构，表面平滑性表现出显著的优势。MicroWriter的灰度曝光应用为包括MEMS，微纳光学及微流控等领域的研究提供了优质且便捷的解决方案。图3 利用MicroWriter激光直写在硅基表面实现图形转移过程示意图图4 利用MicroWriter激光直写曝光在硅基表面转移所得的3D灰度结构的实际测量结果与理论设计比较，其中图a中红色散点表示实际图形结构的纵向高度，黑色曲线为图案设计结果；图b中左为设计图形的理论各点高度，右为实际转移结果的SEM形貌结果，其中标准各对应点的实际高度。综上可以看出其表现出优异的一致性图5 利用AFM对抛物面硅基转移结构的测量与分析，可以看到起侧壁的表面平滑度可以小至3 nm以下，表现出优异的侧壁平滑性 利用MicroWriter激光直写曝光技术，不仅可以直接制备任意形状的硅基微纳灰度结构，而且可以将制备的3D结构作为模具、电镀模板或牺牲层来应用在其他材料上，如聚合物、金属或玻璃等。这种直观化的激光直写技术在诸多维纳器件研究领域中表现出显著的应用优势和开发前景。 参考文献：[1] Hybrid 2D-3D optical devices for integrated optics by direct laser writing. Light Sci. Appl. 3, e175 (2014)[2] Fabrication of three-dimensional silicon structure with smooth curved surfaces. J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 15(3), 034503 相关参考：英国皇家科学院院士、剑桥大学教授Russell Cowburn介绍：https://www.phy.cam.ac.uk/directory/cowburnr

光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂（或称光刻胶）的硅片上，通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。光刻技术是借用照相技术、平板印刷技术的基础上发展起来的半导体关键工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。随着技术的发展，光刻技术不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些光刻技术。掩模光刻掩膜光刻由光源发出的光束，经掩膜版在感光材料上成像，具体可分为接近、接触式光刻以及投影光刻。相较于接触式光刻和接近式光刻技术，投影式光刻技术更加先进，通过投影的原理能够在使用相同尺寸掩膜版的情况下获得更小比例的图像，从而实现更精细的成像。目前，投影式光刻在最小线宽、对位精度、产能等核心指标方面能够满足各种不同制程泛半导体产品大规模制造的需要，成为当前 IC 前道制造、IC 后道封装以及 FPD 制造等泛半导体领域的主流光刻技术。根据光源不同，掩模光刻机还可以分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）。为了提供波长更短的光源，极紫外光源（EUV）为业界采用。目前主要采用的办法是将二氧化碳激光照射在锡等靶材上，激发出13.5 nm的光子，作为光刻机光源。目前仅有由荷兰飞利浦公司发展而来的ASML（阿斯麦）一家可提供可供量产用的EUV光刻机。这是目前最先进的光刻技术。X射线光刻X射线因为波长很短，所以几乎没有衍射效应，所以很早就进入了光刻技术研发的视野内，并且在八十年代就有了X射线光刻。九十年代，IBM在美国佛蒙特州建了一条采用同步辐射光源的X射线光刻机为主力的高频IC生产线，美国军方为主要客户。而当年X射线光刻技术，是当时的下一代光刻技术的强有力竞争者。后来随着准分子激光和GaF透镜技术的成熟，深紫外光刻技术延续了下去，在分辨率和经济性上都打败了X射线光刻。X射线光刻就退出了主流光刻技术的竞争。现在用X射线光刻的，主要是LIGA技术，用来制造高深宽比结构的一种技术，可以制造出100:1的深宽比，应用于MEMS技术当中。由于X射线准直性非常好，传统的X射线光刻，是1:1复制的。掩模版使用的是硅梁支撑的低应力氮化硅薄膜，上面有一层图形化的金，作为掩蔽层。曝光方式采用扫描的方式，效率不高。X射线光源最大的优势在于他可以做出高深宽比的图形，但是最大的问题也是由于他的穿透性太强导致了无法用透镜进行放大和缩小，因此图形尺寸和掩模版的尺寸相同，所以X射线光刻过分依赖电子束光刻掩模版的精度，故目前没有大量普及。离子束光刻离子束投影曝光系统的结构和工作原理与光学投影曝光的结构与原理类似，所不同的是曝光粒子是离子、光学系统采用离子光学系统，而掩模版则由可通过和吸收离子的材料制备。离子束曝光掩模版通常采用Si材料制成投射/散射式的二相掩模版技术。离子束投射光学系统一般也采用4：1缩小的投射方式，透镜实际上是一个可对离子进行聚焦作用的多电极静电系统。常见的离子束光刻技术包括聚焦离子束光刻（FIB）和离子投影光刻（IPL）。FIB系统采用液态金属离子源，加热同时伴随着一定的拔出电压获得金属离子束，通过质量选择器来选择离子，通过电子透镜精细聚焦的金属离子，在偏转线圈的作用下，形成扫描光栅。离子束可通过溅射对样品进行表面成像。聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸(与电子束直写光刻技术类似。不需要掩膜板，应用高能粒子朿直写。离子投影曝光( lPL)是将平行的离子束穿过掩膜，将缩小的招膜图形投射到基底上，使用PMMA光刻胶。当具有一定能量的离子撞击靶材表面时两者之间会发生一系列的交互作用,其中包括膨胀、刻蚀、沉积、铣削、注入、背散射和形核反应等。主要用于制作修复掩膜版和对晶直接光刻。但离子束光刻存在离子源制备，掩膜板畸变，衬底工艺损伤，效率低等问题，很难在生产中作为曝光工具应用，目前主要用作VISI中的掩模修补工具和特殊器件的修整。电子束曝光电子束曝光（EBL）始于上世纪60年代，是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术，是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶相互作用，使胶由长（短）链变成断（长）链，实现曝光，相比于光刻机具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。电子束曝光主要有可变矩形电子束曝光系统、电子束投影光刻技术、大规模平行电子束成像三种技术。电子束曝光是电子光学、机械、电子技术、计算机及半导体工艺集成，包含了检测与定位、环境控制、超高真空、计算机控制、系统控制软件、多功能图形发生器、激光定位工件台和电子光学柱8个子系统，其中电子光柱体、图形发生器和激光工件台是关键部件。纳米压印技术纳米压印技术是一种新型的微纳加工技术。该技术通过机械转移的手段，达到了超高的分辨率，有望在未来取代传统光刻技术，成为微电子、材料领域的重要加工手段。纳米压印技术，是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。报道的加工精度已经达到2纳米，超过了传统光刻技术达到的分辨率。这项技术最初由美国普林斯顿大学的Stephen. Y. Chou（周郁）教授在20世纪90年代中期发明。由于纳米压印技术的加工过程不使用可见光或紫外光加工图案，而是使用机械手段进行图案转移，这种方法能达到很高的分辨率。报道的最高分辨率可达2纳米。此外，模板可以反复使用，无疑大大降低了加工成本，也有效缩短了加工时间。因此，纳米压印技术具有超高分辨率、易量产、低成本、一致性高的技术优点，被认为是一种有望代替现有光刻技术的加工手段。热探针扫描技术热扫描探针光刻（t-SPL）是近年来新开发出的一种光刻技术，其与当今的电子束光刻（EBL）相比具有更多的优势：首先，热光刻显改善了二维晶体管的质量，抵消了肖特基势垒，阻碍了金属与二维衬底交界处的电子流动；与电子束光刻（EBL）不同，热光刻技术使芯片设计人员能够轻松地对二维半导体进行成像，之后在需要的地方对电极进行图案化； 此外，热扫描探针光刻（t-SPL）制造系统有望在初期节省成本；最后，通过使用平行热探针，能够轻松地将该热制造方法推广到批量的工业生产当中。成本更低，有望成为当今电子束光刻的替代品。激光直写技术激光直写技术是一种近年来应用广泛的超精密加工技术。激光直写是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光，显影后在抗蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓。激光直写系统的基本工作原理是由计算机控制高精度激光束扫描，在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形，从而把设计图形直接转移到掩模上。激光直写技术主要用于制作平面计算全图、掩模、微透镜、微透镜阵列、Fresnel微透镜、Fresnel波带板、连续位相浮雕的闪耀光学元件等，制作工艺己经逐渐成熟。激光直写技术的发展趋势是从直角坐标写入系统到极坐标写入系统，直至多功能写入系统；从基片小尺寸到大尺寸，从平面写入到球面、柱面以及曲面；从利用光刻胶材料到聚合物以及其他特殊工艺材料；写入元件的特征尺寸从几百微米到亚微米；元件制作时间从几天到几小时甚至几分钟；从制作二值图样到写入连续浮雕轮廓 从光学元件到微电子、集成电路、集成光学器件等；从发达的国家到发展中国家，并己经应用到空间光学、光通讯、光学显示等领域，为DOE和微电子、微光学、微机械器件的制作提供了一种新的制作设备。多光子聚合光刻技术双光子聚合是物质在发生双光子吸收后所引发的光聚合过程。双光子吸收是指物质的一个分子同时吸收两个光子的过程，只能在强激光作用下发生，是一种强激光下光与物质相互作用的现象，属于三阶非线性效应的一种。双光子吸收的发生主要在脉冲激光所产生的超强激光的焦点处，光路上其他地方的激光强度不足以产生双光子吸收，而由于所用光波长较长，能量较低，相应的单光子过程不能发生，因此，双光子过程具有良好的空间选择性。一般利用双光子聚合制造3D打印机，可以实现突破传统光学衍射极限的增材制造。不过，华中科技大学的甘棕松教授发明的超分辨纳米光刻技术利用光刻胶双光子吸收特性，采用双束光进行光刻，一束为飞秒脉冲激光，经过扩束整形进入到物镜，聚焦成一个很小的光斑，光刻胶通过双光子过程吸收该飞秒光的能量，发生光物理化学反应引发光刻胶发生固化；另外一束为连续激光，同样经过扩束整形后，进入到同一个物镜里，聚焦形成一个中心为零的空心状光斑，与飞秒激光光斑的中心空间重合，光刻胶吸收该连续光的能量，发生光物理化学反应，阻止光刻胶发生固化。两束光同时作用，最终只有连续光空心光斑中心部位的地方被固化。甘棕松教授目前已经把空心光斑中心部位最小做到9nm，至此突破光学衍射极限的超分辨光刻技术在常规光刻胶上得以完美实现。光刻机国产化现状虽然各种光刻技术不断涌现，但相比于传统的紫外掩模光刻技术而言，大都在工业量产中都无法完全克服生产效率低、对准精度低、分辨率低等缺点。目前，应用较多的光刻技术主要为EUV、DUV等掩模光刻技术，用于工业量产，也是最受关注的光刻技术。公开资料显示，中国最强的光刻机生产商是上海微电子装备公司（SMEE），主要研发DUV光刻机，目前其最先进的SSA600/20光刻机分辨率可达90nm。上海微电子是国内唯一从事研发、生产以及销售高端光刻机的公司，也是全球第四家生产IC前道光刻机的公司。在2020年，金融局走访调研上海微电子时，上海微电子预计将于2022年交付首台28nm工艺国产沉浸式光刻机，国产光刻机将从此前的90nm制程一举突破到28nm制程。上海微电子在中端先进封装光刻机和LED光刻机领域技术领先，先进封装光刻机国内市场占有率高达80%、全球市场占有率达40%，LED光刻机市场占有率第一。实际上，02专项要求实现半导体设备28nm制程的国产化，目前国望光学的物镜、科益虹源的光源、华卓精科的双工件台、启尔机电的浸液系统等零部件都已实现突破，只差上海微电子光刻机集成。位于北京亦庄的国产验证28nm产线也预计明年投产，届时上海微电子的28nm光刻机有望导入产线，实现28nm光刻设备的国产化替代。此外，国产EUV量产型光刻机目前仍在开发中，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所在2016年验收了原理技术样机，合工大已开发出DPP-EUV光源，但功率较低。电子束光刻目前国内主要由电工所在开发，但相比于国际厂商还存在差距。而纳米压印技术国内的主要厂商为青岛天仁微纳，现已成为纳米压印领域市场占有额超过95%的头部企业，建立了自主知识产权的核心技术与专利壁垒，设备销售遍布国内知名大学科研院所和企业。激光直写光刻设备主要国产厂商包括江苏速影、合肥芯碁等，与国际巨头Heidelberg、矽万等相比，技术差距正逐渐缩小。光刻设备的国产化不仅推动了半导体产业的进步，同时也推动了国产仪器市场的发展。笔者从其他渠道了解到，上海微电子也采购了某国产双频激光干涉仪。由于最早国产的先进前道光刻机由国企上海微电子（SMEE）开启研制，2007年上海微电子大量采用外国关键零部件集成了90 nm干式投影光刻机。后因《瓦森纳协定》的限制，关键部件被国外“卡脖子”而失败。随着国内仪器设备的技术进步，上海微电子通过采购国产零部件集成先进的光刻机，促进了国产仪器市场发展。目前，主流光刻设备厂商包括，ASML、Nikon、Canon、上海微电子、合肥芯碁、Heidelberg、江苏速影、矽万、SUSS、苏大维格、Veeco、光机所、EVG、ABM、苏州源卓、合肥芯硕、长春长光中天、中国电科、大族激光、中山新诺等。更多仪器请查看以下专场【光刻机】【电子束刻蚀】。

2022年9月13日，国务院常务会议决定对部分领域设备更新改造贷款阶段性财政贴息和加大社会服务业信贷支持，政策面向高校、职业院校、医院、中小微企业等九大领域的设备购置和更新改造。贷款总体规模预估为1.7万亿元。2022年9月28日，财政部、发改委、人民银行、审计署、银保监会五部门联合下发《关于加快部分领域设备更新改造贷款财政贴息工作的通知》（财金〔2022〕99号），对2022年12月31日前新增的10个领域设备更新改造贷款贴息2.5个百分点，期限2年，额度2000亿元以上。因此今年第四季度内更新改造设备的贷款主体实际贷款成本不高于0.7%（加上此前中央财政贴息2.5个百分点）。这两大重磅政策提供极低利息的贷款给消费端提前进行设备购置和更新改造，推动我国仪器市场迎来新一波仪器采购大潮。仪器信息网注意到，11月份以来，各大高校发布了众多半导体设备采购意向。仪器信息网特汇总统计了光刻设备相关的采购意向，含激光直写设备和电子束曝光机，总预算约3.5亿元。11月发布的光刻设备相关的采购意向汇总序号项目名称预算金额(万元)采购单位预计采购时间意向原文1TX-深紫外光刻机(DUV)4200华中科技大学Dec-22意向原文2电子束光刻机3000清华大学Dec-22意向原文33D电子束光刻设备2800武汉大学Dec-22意向原文4电子直写设备2500复旦大学Dec-22意向原文5电子直写设备1800复旦大学Dec-22意向原文6TX-电子束曝光（EBL）1800华中科技大学Dec-22意向原文7电子束曝光系统1400浙江大学Dec-22意向原文8集成电路学院电子束曝光机采购1400中山大学Dec-22意向原文9100kV电子束曝光机1300浙江大学Dec-22意向原文10电子束曝光系统1280上海交通大学Dec-22意向原文11100kV电子束曝光机1150浙江大学Dec-22意向原文12电子束扫描直写系统910南开大学Dec-22意向原文13高精度电子束曝光机870北京师范大学Dec-22意向原文14双光子灰度对准光刻机690天津大学Dec-22意向原文15高性能激光直写系统650上海交通大学Dec-22意向原文16TX-高精度无掩膜光刻机500华中科技大学Dec-22意向原文17激光直写光刻系统500山东大学Jan-23意向原文18TX-对准光刻与晶圆键合机490华中科技大学Dec-22意向原文19双光子三维光刻系统480复旦大学Dec-22意向原文20激光直写系统420南开大学Dec-22意向原文21电子束光刻系统400武汉大学Dec-22意向原文22激光直写光刻机400浙江大学Dec-22意向原文23激光直写设备400重庆大学Dec-22意向原文24高分辨掩膜光刻机采购390西南大学Dec-22意向原文25光刻机360吉林大学Dec-22意向原文26电子束曝光系统350大连理工大学Nov-22意向原文27光刻机350清华大学Dec-22意向原文28无掩膜曝光机350清华大学Dec-22意向原文29三维微打印光刻系统340上海交通大学Dec-22意向原文30接触式紫外光刻机320清华大学Dec-22意向原文31无掩膜光刻机320天津大学Dec-22意向原文32集成电路科学与工程学院8英寸高精度光刻机284北京航空航天大学Dec-22意向原文33超高精密微立体光刻加工系统279厦门大学Dec-22意向原文34掩模版对准光刻系统270上海交通大学Dec-22意向原文35光刻机235大连理工大学Nov-22意向原文36大连理工大学面投影微立体光刻技术微尺度3D打印机采购（贷款项目）200大连理工大学Nov-22意向原文37紫外掩膜光刻机系统199大连理工大学Nov-22意向原文38光刻机199清华大学Dec-22意向原文39台式微纳结构高速直写系统180华东师范大学Nov-22意向原文40规模化集成电路无掩膜激光直写系统175北京科技大学Nov-22意向原文41激光直写光刻机系统175大连理工大学Nov-22意向原文42电子束曝光机维保160中国科学院微电子研究所Nov-22意向原文43北京理工大学激光直写设备采购145北京理工大学Dec-22意向原文44高精度无掩模纳米光刻微加工系统145浙江大学Dec-22意向原文45中国科学院大学集成电路学院计算光刻软件采购项目140中国科学院大学Nov-22意向原文 本次采购共含45项相关采购意向，其中16项为电子束曝光机。其中大部分采购定于12月份。采购预算最高的是深紫外DUV光刻机，价值4200万元，其次为电子束曝光机，价值3000万元。通知：免费学习+直播抽奖|第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议即将召开为加速国内半导体材料及器件发展，促进国内半导体材料与器件领域的人员互动交流，推动我国半导体行业的高质量发展。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。为回馈线上参会网的支持，增进会议线上交流互动，会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节，欢迎大家报名参会。同时，只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》（独家首发）一本，报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期，还有部分赞助厂商将抽取幸运观众，邮寄企业周边产品。本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia （内容更新中）或扫描二维码报名

由大连理工大学参与研发的最大加工尺寸达1.8米的世界最大激光3D打印机进入调试阶段，其采用&ldquo 轮廓线扫描&rdquo 的独特技术路线，可以制作大型工业样件及结构复杂的铸造模具。这种基于&ldquo 轮廓失效&rdquo 的激光三维打印方法已获得两项国家发明专利。 　　据介绍，该激光3D打印机只需打印零件每一层的轮廓线，使轮廓线上砂子的覆膜树脂碳化失效，再按照常规方法在180℃加热炉内将打印过的砂子加热固化和后处理剥离，就可以得到原型件或铸模。这种打印方法的加工时间与零件的表面积成正比，大大提升打印效率，打印速度可达到一般3D打印的5&mdash 15倍。

【传感器中心】中文版新登场 FA业界百科大全！ "什么是传感器？" "传感器是怎样工作的？" "怎样才能选到合适的传感器？" 点击登录【传感器中心】， 获得以上及其他问题的答案！ 网站截图： 关于基恩士: 基恩士自创建以来，一直致力于新产品的研发和设计，以创造高附加值为目标，不断创新。每年发布的新产品超过70%都是行业首创。基恩士坚持的直销经营方式，使得基恩士能够更快、更准确的了解和掌握客户在自动化方面的潜在和显在需求，把握市场动向。基恩士自1974年以来一直稳步成长，现已成为开发与制造传感设备的世界领先者，产品范围包括传感器、测量仪器、视觉系统、激光刻印机以及数码显微镜等全面的工业自动化产品线。 欢迎访问基恩士官方网站。

日前，由大连理工大学与大连优利特科技发展有限公司共同研发的最大加工尺寸达1.8米的激光3D打印机在大连进入调试阶段。这是目前世界上最大的激光3D打印机，可以制作大型工业样件及结构复杂的铸造模具。由于其采用了&ldquo 轮廓线扫描&rdquo 的独特技术路线，比其他激光3D打印机加工时间缩短35%，制造成本降低40%。这种基于&ldquo 轮廓失效&rdquo 的激光三维打印方法已获得两项国家发明专利。 　　3D打印是目前全球最热门的技术，它彻底颠覆了传统工业的加工方法，被誉为&ldquo 第三次工业革命&rdquo 的先锋代表。然而，在工业级大型零部件制造方面，3D打印时间长、成型材料贵、大尺寸零件物理变形等问题一直难以解决。大连理工大学教授姚山及其团队历经10多年时间，终于实现了该领域的重大突破。 　　姚山教授告诉记者，一般3D打印都是按照规划好的图形数据，通过&ldquo 点&mdash 线&mdash 面&mdash 体&rdquo 逐步堆积耗材最终获得零件。而他们研制的激光3D打印机只需打印零件每一层的轮廓线，使轮廓线上砂子的覆膜树脂碳化失效，再按照常规方法在180℃加热炉内将打印过的砂子加热固化和后处理剥离，就可以得到原型件或铸模。

2011年12月2日至24日，经历了网络投票及专家评选，2011中国自动化年度评选结果终于揭晓。在此届评选活动中基恩士荣获两大奖项《创新产品奖》和《热点新闻奖》。 《创新产品奖》 专家评语：基恩士(KEYENCE)LV-S系列数字激光传感器增大受光面，使反射光亮度级别达到平衡，可以稳定检测透明物体。区域光点型受反射镜光线量变化的影响较小，它可以阻止因振动与温度变化所引起的光点位移。高频叠加驱动电路可抑制透明物体上光线量的变化。可用于长距离透明物体检测。 《热点新闻奖》 2011年基恩士(KEYENCE)凭借其直销经营模式和优越的技术被美国《福布斯》杂志评为&ldquo 全球最具创新能力企业&rdquo ，位列第17位，在自动化技术和制造商排名第一。通过基恩士的成功经验，直销经营模式在未来将会得到更多企业重视。 关于基恩士 基恩士自创建以来，一直致力于新产品的研发和设计，以创造高附加值为目标，不断创新。每年发布的新产品超过70%都是行业首创。基恩士坚持的直销经营方式，使得基恩士能够更快、更准确的了解和掌握客户在自动化方面的潜在和显在需求，把握市场动向。基恩士自1974年以来一直稳步成长，现已成为开发与制造传感设备的世界领先者，产品范围包括传感器、测量仪器、视觉系统、激光刻印机以及数码显微镜等全面的工业自动化产品线。 欢迎访问基恩士官方网站

对于始终坚持直销的销售模式的基恩士来讲，与客户的面对面沟通是基恩士能够在第一时间更准确更直接地把握客户现状和潜在需求的关键，也是基恩士可持续推出新产品来引领自动化行业的重要信息获得途径。 为了与更多的客户更有效地面对面沟通，基恩士在2011年在全国范围进行了数十场的客户现场小型展会，展出了传感器、安全光栅、测量仪器、静电消除器、视觉系统、PLC、显微镜、高速成像系统、激光打标机等全面的产品线。在客户现场基恩士的销售工程师与客户进行沟通，把握到了客户目前的困扰或需求，从单一的产品应用到复杂的产品组合应用，提出了有效的解决方案。（基恩士产品目录下载索引） 目前在制造行业削减人工成本的基础上能够制造出来更高品质、更高技术含量的产品，整个制造工艺系统的自动化，或规模化是不可避免的环节。但这不是某一类产 品能够解决的，在这一点上拥有全面的多产品线的基恩士就可以给客户提供整套的解决方案。作为自动化产品的厂商，基恩士希望通过这样的方式使客户的制造工艺 和自动化水平处于行业领先状态，这是基恩士最为高兴和自豪的事情。 展会现场： 关于基恩士： 基恩士创立于1974年，自创立以来一直稳步成长，现已成为开发与制造传感设备的世界领先者，产品范围包括自动传 感器、测量仪器、影像系统、激光刻印机以及数码显微镜。基恩士坚持直销经营，为客户提供更丰富的业界知识及更专业的技术方案。现在基恩士公司在世界范围内 约 70 个国家或地区的 100,000 多家客户提供服务，基恩士 这个名称意味着创新与卓越。基恩士被《商业周刊》(Business Week) 评选为&ldquo 1000 家最有价值公司&rdquo 之一、在《新闻周刊》(Newsweek) 的&ldquo 电子行业&rdquo 排名中位列前 50 名、持续入选日本的日经、东京证券交易所以及新闻报纸的年度&ldquo 日本十佳公司&rdquo 。2011年美国著名财经杂志《福布斯》最新发布的&ldquo 全球最具创新能力企业&rdquo 排行榜中，排名第17位 。

2011年7月27日，基恩士公司在北京京伦饭店召开了媒体见面会。本次见面会邀请了弗戈工业媒体、荣格工业传媒、中电网、21IC电子网、慧聪网等自动化行业知名媒体的记者和编辑出席。 在媒体见面会上通过基恩士总经理亀井先生和媒体朋友们的互动，加深了媒体朋友们对基恩士的独特经营理念&mdash &mdash 直销经营模式、快速交货及超强的销售工程师团队的培训体系的了解。 另外，在本次媒体见面会上我们公司还特意安排了由我们技术人员与媒体朋友们的互动的现场产品演示环节，使媒体朋友们展示了基恩士的处于世界领先水平的高附加值的创新产品。 ■基恩士总经理亀井隆志先生与媒体的互动 ■基恩士技术工程师的现场产品演示 ■基恩士展出的产品 ●3轴激光刻印机MD-V9900A系列： ●超景深三维显微系统VHX-1000系列： &ldquo 3-Axis 系统&rdquo 即刚刚推出的三轴同 5400 万像素3CCD的整合了先进的功能和 步激光控制系统！它不仅支持X轴与Y轴 顶尖的成像和测量性能为一体的一体式显微镜。 激光控制，还可进行Z轴激光控制。 ●超小型二维码读取器SR-600系列： ●图像尺寸测量仪IM-6000系列： 同类中最小的二维码读取器，通过先进的 瞬间99 处全部一次性测量，消除因人的 读取灵活性，能够可靠地检测难以读取的 因素而产生的测量误差，无需多余的定位 条码和移动物体上的条码。 夹具，且操作非常简单。 基恩士资料下载网站：http://china.keyence.com/yiqi

2012年3月29日-3月31日，基恩士出展了在昆山国际会展中心举办的的中国国际进出口产品博览会。本次展览会以&ldquo 开放合作、转型升级&rdquo 为主旨，由江苏省政府主办，是中国第一个专门以&ldquo 促进和扩大国外产品进口&rdquo 为宗旨的专业性国际展会。展览面积5万平方米，总展位2080个。 基恩士应邀出展，还是以简洁大方的白色基调出展，在现场的专业工程师的现场产品演示与解说吸引了众多到场客户的驻足垂询。基恩士本次展出了【品质管理强化、自动化在线】相关的两大类产品： 品质管理强化 IM-6500系列 图像尺寸测量仪 产品目录下载 VHX-1000系列 超景深三维显微系统 产品目录下载 自动化在线 SR-650系列 二维码读取器 产品目录下载 GT2系列 接触式传感器 产品目录下载 SL-V 系列 可视化安全光栅 产品目录下载 SZ系列 安全激光扫描仪 产品目录下载 基恩士公司简介： 基恩士（KEYENCE） 自 1974 年以来一直稳步成长，现已成为开发与制造传感设备的世界领先者，产品范围包括自动传感器、测量仪器、影像系统、激光刻印机以及数码显微镜。我们的创新产品 不仅能够满足许多制造与研究行业客户现在的需求，而且还能够满足它们将来的需求。基恩士 名列《商业周刊》（Business Week）的&ldquo 1000 家最有价值公司&rdquo 、在日本的日经、东京证券交易所及新闻报纸的&ldquo 日本十佳公司&rdquo 排行中持续排在索尼与本田汽车等公司之前，2011年美国著名财经杂志《福布斯》最新发布的&ldquo 全球最具创新能力企业&rdquo 排行榜中，排名第17位。基恩士为世界范围内约 70 个国家或地区的 100,000 多家客户提供服。 KEYENCE－基恩士国际贸易（上海）有限公司 网站（http://china.keyence.com/YIQI）

制造高品质的固态硅基量子器件要求高分辨率的图形书写技术，同时要避免对基底材料的损害。来自IBM实验室的Rawlings等人利用SwissLitho公司生产的3D纳米结构高速直写机NanoFrazor，结合其高分辨热探针扫描技术和高效率的激光直写功能，制备出一种室温下基于点接触隧道结的单电子晶体管（SET）。利用扫描探针可以确定佳焦距下的Z向位置，同时确定扫描探针和激光直写的位置补偿，研究人员在兼顾高分辨和高效率书写条件下得到小于100nm的度。利用CMOS工艺兼容几何图形氧化流程，研究人员在N型简并掺杂（＞1020/cm3）的缘硅基底上制备出该SET器件。所研究的三种器件的特性主要由Si纳米晶和嵌入SiO2中的P原子所控制，进而形成量子点（QDs）。量子点上电子尺寸微小且局域性强，保证了SET在室温情况下的稳定运行。温度测量结果显示在100 – 300 K的范围内，电流主要由热激发产生，但在＜100K时，主要以隧道电流为主。在硅基量子点器件的制备过程中，内部精细的功能器件区域一般要求高分辨率书写，但是在外部电相对粗糙的连接处仅需要高效的相对低分辨率刻蚀，这就是所谓的“混合搭配光刻”(mix-and-match lithography)。但是两种不同原理的书写技术结合应用会增加工作量，同时带来图形转移过程的位置偏差和对样品表面的污染。在本工作中，3D纳米结构高速直写机NanoFrazor系统将激光直写技术与高分辨热探针书写技术（XY: 10nm，Z: 1nm）相结合（如图1所示），这样可以利用热探针技术实现高分辨率区域的图形书写，而利用激光直写技术实现低分辨率区域的快速书写（如图2a所示， 蓝色区域为激光直写区域，深绿色区域为热探针书写区域），后实现一次性书写整体图形的高效性，同时避免了不必要流程所导致的表面污染和位置偏差。 图1：a) 热探针和激光透镜的结构示意图。b) 热探针连接在Z向压电传感器和位移台上，平行激光经透镜聚焦在样品表面。通过摄像头收集反射光实现样品成像，利用探针和激光的位置补偿进行表面书写。 图2：单电子器件（SET）的制作工艺流程示意。a) 器件图形示意，粉色区域为制备SET前的预图形书写区域。图形中央30μm×30μm区域中包含利用激光直写区域（蓝色）和利用热探针技术书写区域（深绿色）；b) 位置校准示意；c) 对书写区域进行定位。d) 利用热探针技术进行高分辨率书写（图2a中深绿色区域）；e) 利用激光直写技术进行低分辨率快速书写（图2a中蓝色区域）；f) 利用RIE实现图形向硅层转移；g) 通过热氧化得到器件通道中的点接触通道。 IBM专门研发设计的NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机所采用的针是具有两个电阻加热区域，针上方的加热区域可以加热到1000℃，二处加热区域作为热导率传感器位于侧臂处，其能感知针与样品距离的变化，精度高达0.1nm。因此，在每行直写进程结束后的回扫过程中，并不是通过针起伏反馈形貌信息，而是通过热导率传感器感应形貌变化，从而实现了比AFM快1000余倍的扫描速度，同避免了针的快速磨损消耗。NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机与传统的微纳加工设备，如纳米醮印、激光直写、聚焦离子束刻蚀FIB、电子束诱导沉积、电子束光刻EBL等技术相比，具有高直写精度 (XY: 高可达10nm, Z: 1nm)以及高直写速度（20mm/s 与EBL媲美），具备实时形貌探测的闭环刻写技术以及无需标记拼接与套刻等特技术优势。加上其性价比高，使用和维护成本低，易操作等特点，成为广受关注的纳米加工设备。拓展阅读：Fast turnaround fabrication of silicon point-contact quantum-dot transistors using combined thermal scanning probe lithography and laser writingC. Rawlings, Y. K. Ryu, M. Rüegg, N. Lassaline, etc.DOI: 10.1088/1361-6528/aae3df

基恩士2012年校园招聘圆满结束！此次校园招聘宣讲会开始于2011年10月初，宣讲足迹涉及大连理工大学、北京科技大学、西安交通大学、华中科技大学、同济大学、复旦大学、华南理工大学等全国知名高等院校，所到之处得到了校方和学生的大力支持，宣讲会现场座无虚席，人数最多的一场达到了800余人。 基恩士的完善的管理制度、高薪资、专业的技术培训、公平的晋升环境等，是能够吸引众多人才到场的原因所在。只要有能力、够努力，每位员工都有可能迅速成长为 销售经理，真正做到任人唯贤。在经济急速成长的中国，今后，基恩士的产品是否能够获得客户的信任、受到客户的好评，完全取决于优秀的&ldquo 人才&rdquo 。因此，基恩士期待愿意与我们一起成长的人才。 宣讲会现场： 关于基恩士： 基恩士创立于1974年，自创立以来一直稳步成长，现已成为开发与制造传感设备的世界领先者，产品范围包括自动传感器、测量仪器、影像系统、激光刻印机以及数码显微镜。基恩士坚持直销经营，为客户提供更丰富的业界知识及更专业的技术方案。现在基恩士公司在世界范围内约 70 个国家或地区的 100,000 多家客户提供服务，基恩士 这个名称意味着创新与卓越。基恩士被《商业周刊》(Business Week) 评选为&ldquo 1000 家最有价值公司&rdquo 之一、在《新闻周刊》(Newsweek) 的&ldquo 电子行业&rdquo 排名中位列前 50 名、持续入选日本的日经、东京证券交易所以及新闻报纸的年度&ldquo 日本十佳公司&rdquo 。2011年美国著名财经杂志《福布斯》最新发布的&ldquo 全球最具创新能力企业&rdquo 排行榜中，排名第17位。 了解更多： 基恩士招聘中心 基恩士官方网站

基恩士在《福布斯》最新发布的“全球最具创新能力企业”排行榜位列第17位 近日，《福布斯》评出了“全球最具创新能力企业”，在此排行榜中基恩士(KEYENCE)位列第17位。*创新溢价是投资人基于企业未来创新成果（新产品、服务及市场）预期，而在股价上反映出的高于企业现有价值基础的溢价衡量标准。上榜企业必须拥有100亿美元市值、在研发领域的支出至少达到企业资产的1%，且拥有7年公开数据。http://www.forbes.com/special-features/innovative-companies-list.html基恩士(KEYENCE)独特之处直销经营 基恩士独特的经营理念或者运营模式来说，其实就是直销经营。 从短期来看渠道或者代理商的方式扩展可能会比较快，但基恩士知道有这样的劣势，但还是要坚持直销经营，是因为基恩士始终在心里把客户的满足度放在最至上。因为只有跟客户面对面咨询，了解客户的困难和要求，帮客户选择最适合的产品，这样客户对我们的产品和公司才会最满意。 基恩士在全世界范围内聘请大量销售工程师，可以提供现场演示或测试等服务。通过这种直销经营，我们能够在客户业务的每个环节（从设计与研究阶段到生产线等等）满足其生产需要。这些训练有素的工程师能够帮您解决问题点。他们可以使用测试机在客户的现场提供真实解决方案之外还可以提供潜在的更先进的改善方案。优越的技术 基恩士是创新与供应最前沿、最高质量的自动化与制造技术的世界领先者。我们有很多世界首发，最先端的产品，我们拥有这样的技术开发的能力，这一点正是我们最强的优势。基恩士新产品的销售额持续占总销售额的30%，表明我们在开发新产品与快速响应客户需要方面具备出色的能力。基恩士的世界首创史 1974年 以Lead Electic Co.Ltd 之名成立公司 1975年 开发高精度接近传感器 1983年 开发光纤光dian3c传感器 1986年 开发第一款光电传感器，将激光二极管用作光源, 改名为KENENCE Corporation，源自KEY of sciENCE（科学之钥匙） 1989年 开发超小型条码读取器 1990年 开发带内置监视器的显微镜 1995年 开发世界上最小的影像系统 1997年 开发世界上第一款 数码光纤光电传感器 1997年 开发世界上第一台自动对焦彩色激光显微镜 2000年 开发世界上第一台有数码聚焦功能的显微镜 2002年 开发高清/高精度机器影像系统 2004年 开发业界最快的应用PLC 2005年 开发新一代可以测量三维真实表面的数码显微镜 2006年 开发世界上第一款三维激光刻印机 2007年 开发世界上第一款CMOS激光传感器 开发具备世界最快的实时景 合成与三维分析功能的5400万像素数码显微镜。 2008年 开发业界第一个具备高速放大动态捕获功能的显微镜。 2009年 新开发的显微系统具有世界首创的实时2D/3D图像连接功能。新开发的高速精度图像尺寸测量系统。 2010年 世界首创拥有最高性能和最简捷操作的新概念光纤传感器 点击进入基恩士官方网站

p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 光刻机被业界誉为集成电路产业皇冠上的明珠，研发的技术门槛和资金门槛非常高。也正是因此，能生产高端光刻机的厂商非常少，到最先进的EUV光刻机就只剩下ASML。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 据ASML之前公布资料显示，ASML 是全世界唯一一家使用极紫外EUV光源的光刻机制造商。EUV光源波长只有13.5 nm（接近X射线水平），远大于DUV光刻机的193nm，目前用于台积电最先进的5 nm生产线。相比之下，国内光刻机厂商则显得非常寒酸，处于技术领先的上海微电子装备有限公司已量产的最先进的SSA600/20型号前道光刻机采用了ArF准分子光源，即深紫外DUV光刻机，光刻分辨率只有90 nm。有消息称上海微电子即将于2021年，也就是几个月之后会交付首台国产的分辨率达28 nm的光刻机，目前国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 随着贸易战的愈演愈烈，美国对华为的打压也蔓延到了半导体领域，国内先进光刻机采购遭遇重大阻力。同时由于《瓦森纳协定》的限制，即使突破了技术，能够制造先进光刻机，其核心零部件的进口也可能会受到限制。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 任正非最近也表示，“我们设计的先进芯片，国内的基础工业还造不出来，我们不可能又做产品，又去制造芯片”。面对先进光刻机受制于人的局面国产光刻机的研发牵动着国人的心，启动国产光刻机的研发已刻不容缓。于此同时，国内也不断传来关于光刻机研发的各种消息& #8230 & #8230 /span /p p style=" text-align:center text-indent:29px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " strong span style=" font-size: 15px line-height: 150% font-family: 宋体 " 网传华为自研光刻机 /span /strong strong /strong /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 今年以来，网上各路自媒体传出华为启动自研光刻机的消息，不过这些消息大都是捕风捉影，真实性存疑。其来源主要基于以下几个消息： /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 1、& nbsp 华为申请光刻机专利。据了解，该专利名称是《一种光刻设备和光刻系统》，申请于2016年。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 2、华为大批挖角上海微电子等企业的员工。不过后续相关消息称，华为只是少量挖掘，人员数量并不足以支撑研发。但这也让上海微电子（SMEE）未离职的前道部门工资奖金翻了一倍。根据相关消息，为激励员工，SMEE薪资大调整，前道各部门计划从今年9月开始实行12(基本工资)+2(个人绩效)+6-12(前道产品绩效)薪资结构了。相比于过去年薪12+2能拿到20多万，如果按时完成任务的话，现在加上奖金能拿到40多万。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 3、华为招聘光刻工艺工程师。但从职位描述看，招聘的是研究2.5d tsv方面封装技术的工艺工程师，该技术会使用到光刻设备。华为芯片的封装测试是外包给封测厂进行的，该岗位可能是进行试验室封装技术的研发和经验积累，协助推动在封测厂的量产。目前我国缺少和亟待突破的是先进制程的前道光刻机。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 业内人士表示，华为虽然技术研发能力，公司氛围都很强大，但光刻机技术门槛高，单打独斗很难成功。目前关于华为自研光刻机的消息虽然大都是捕风捉影，但是华为的研发实力也不容小觑，毕竟华为有强烈的需求，而余承东也表示华为将入局半导体设备。 /span /p p style=" text-align:center text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " strong 02 /strong strong span style=" font-family: 宋体 " 专项核心零部件研发进展 /span /strong /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 9月16日，中科院院长白春礼在接受媒体采访时明确表示，中科院已成立光刻机攻关小组，争取在短时间内研制出国产高端光刻机。除此之外，中科院也针对“卡脖子”问题，列入了技术清单，并且均已成立研发小组。实际上中科院以及相关科研机构很早就介入了光刻机研发领域。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 最早国产的先进前道光刻机由国企上海微电子（SMEE）开启研制，2007年上海微电子大量采用外国关键元器件集成了90 nm干式投影光刻机。后因《瓦森纳协定》的限制，关键部件被国外“卡脖子”而失败。上海微电子只能另辟蹊径，转入技术含量较低的后道封装光刻机和平板显示光刻机领域，占领了国内封装光刻机80%的市场。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 面对国外封锁，国内科研机构开始发力，针对光刻机的核心零部件进行攻关。在“十二五”期间，著名的“02专项”即《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》要求重点进行45-22纳米关键制造装备攻关，部分光刻机核心零部件也已实现了验收。国家02专项光刻机项目有多个部门参与，分别负责不同的子项。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " strong span style=" font-family: 宋体 " 双工件台系统完成验收 /span /strong /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 双工件台，即在一台光刻机内有两个承载晶圆的工件台。两个工件台相互独立，但同时运行，一个工件台上的晶圆做曝光时，另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作。当曝光完成之后，两个工件台交换位置和职能，如此循环往复实现光刻机的高产能。该项目由清华大学和北京华卓精科负责 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 2019年4月28日，清华成功研发光刻机双工件台掩模台系统α样机，并召开光刻机双工件台系统样机研发”项目验收会。研究团队历经5年完成了全部研究内容，突破了平面电机、微动台、超精密测量、超精密运动控制、系统动力学分析、先进工程材料制备及应用等若干关键技术，攻克了光刻机工件台系统设计和集成技术，通过多轮样机的迭代研发，最终研制出2套光刻机双工件台掩模台系统α样机，达到了预定的全部技术指标，关键技术指标已达到国际同类光刻机双工件台的技术水平。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 该项目是02专项核心任务光刻机项目群中第一个通过正式验收的项目。项目完成使得我国成为世界少数可以研制光刻机双工件台这一超精密机械与测控技术领域尖端系统的国家之一。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " strong span style=" font-family: 宋体 " “极紫外光刻关键技术研究”通过验收 /span /strong /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 极紫外光刻是一种以13.5nm的EUV光为工作波长的投影光刻技术，目前最先进的芯片就是使用ASML的EUV光刻机制造。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 2016年11月15日，由长春光机所牵头承担的国家科技重大专项02专项——“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利完成验收前现场测试。在长春光机所、成都光电所、上海光机所、中科院微电子所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学等参研单位的共同努力下，历经八年的戮力攻坚，圆满地完成了预定的研究内容与攻关任务，突破了现阶段制约我国极紫外光刻发展的核心光学技术，初步建立了适应于极紫外光刻曝光光学系统研制的加工、检测、镀膜和系统集成平台，为我国光刻技术的可持续发展奠定了坚实的基础。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 2017年6月21日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（现北京国望光学）牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收。突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " strong span style=" font-family: 宋体 " “超分辨光刻装备研制”通过验收 /span /strong /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 利用研制成功的超分辨光刻装备已制备出一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，验证了该装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平。不过需要注意的是，该设备为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性战略领域的跨越式发展提供了制造工具。简单来说，该设备主要应用于器件进行周期性的光刻，但无法应用于集成电路光刻。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " strong span style=" font-family: 宋体 " 其他项目紧锣密鼓进行中 /span /strong /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 除了以上已经完成的02专项子项目，其他的项目也在紧锣密鼓进行中： /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室和浙江启尔机电负责沉浸式光刻机的浸液系统，目前水平排名世界第三，前两名分别为阿斯麦、尼康； /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 中科院光电研究院负责准分子激光光源系统，由北京科益虹源负责产业转化，研究成果国产40W 4kHz ArF光源已经交付，是继美国Cymer公司（已于2013年被阿斯麦收购）、日本Gigaphoton 公司之后的全球第三； /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 物镜曝光系统方面，长春光机所应用光学国家重点实验室和国防科技大学光学精密工程创新团队负责；激光光源照明系统方面，中国科学院上海光学精密机械研究所负责。 /span /p p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " strong span style=" font-family: 宋体 " 其他团队光刻机研究进展 /span /strong /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 据悉，武汉光电院甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新，研发出了双光束高分辨率激光直写光刻机。目前甘棕松团队正在做双光束超分辨率投影式光刻机大型工程机的研发。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 需要注意的是一般投影式光刻机才可以进行有效率的芯片制造，而甘棕松团队的光刻机是直写式光刻机，无法实现大规模量产。一般来说，直写式光刻设备主要用于掩模版制作，如电子束刻蚀设备，其优点是分辨率高，缺点是速度慢，无法用于大规模量产。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " 据业内媒体消息披露，上海微电子将于2021年-2022年交付第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。这意味着我国的先进光刻机已经实现了技术突破，但可以实现更高制程的EUV光刻机仍然任重而道远。 /span /p p style=" text-indent:28px line-height:150%" span style=" font-family: arial, helvetica, sans-serif " “我们从古以来，就有埋头苦干的人，有拼命硬干的人，有为民请命的人，有舍身求法的人，& #8230 & #8230 虽是等于为帝王将相作家谱的所谓& quot 正史& quot ，也往往掩不住他们的光耀，这就是中国的脊梁& #8230 & #8230 ”伴随着国家队入场和科研人员的“负重前行”，相信不久的将来必能不断传出好消息。 /span /p p br/ /p

近日，上海交通大学发布招标公告，采购深紫外步进式光刻机，预算达3300万元。以下为公告详情：上海交通大学电子信息与电气工程学院深紫外步进式光刻机国际招标公开招标公告（重招）项目概况上海交通大学电子信息与电气工程学院深紫外步进式光刻机 招标项目的潜在投标人应在上海市共和新路1301号C座110室获取招标文件，并于2021年03月03日 09点30分（北京时间）前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号：0834-2141SH21A033项目名称：上海交通大学电子信息与电气工程学院深紫外步进式光刻机预算金额：3300.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：3300.0000000 万元（人民币）采购需求：序号货物名称数量简要技术规格交货期交货地点1深紫外步进式光刻机1套曝光光源： 深紫外准分子激光，波长248nm。分辨率：£ 150nm（详见第八章）买方发出发货通知后4个月发货。关境外货物：CIP上海交通大学关境内货物：上海交通大学合同履行期限：买方发出发货通知后4个月本项目( 不接受 )联合体投标。