第十七届中国国际激光、光电子及光电显示产品展览会 China International Lasers, Optoelectronics and Photonics Exhibition 同期举办—— 中国光电周2012第七届北京国际LED产品及应用展览会 第九届中国国际机器视觉展览会暨机器视觉技术及工业应用研讨会 【展会时间】2012年10月16日-18日 【展会地点】北京中国国际展览中心(老馆) 【主办单位】中国国际贸易促进委员会/中国国际展览中心集团公司/中国光学光电子行业协会 [color=#800080][/color]【展会简介】 中国国际光电产业博览会——中国国际激光、光电子及光显示产品展览会是由中华人民共和国国务院正式批准,中国信息产业部和中国贸易促进委员会主办,由中国光学光电子行业协会和中国国际展览中心集团公司共同承办的国际性展览会。首届展览会于1991 年在北京中国国际展览中心召开,展会旨在展示先进光电技术产品,推动中国光电产业的发展,增进中国光电企业与世界企业经济贸易交往,为海外公司了解及进入中国光电市场提供一个平台,促进中国光电产、学、研一体化的发展。 经过十多年的发展,作为中国最具权威的顶级光电产品综合大展,展览会已经吸引了来自40 多个国家,超过25 万名的专业观众,商业人士,企业决策者和36 个海外贸易代表团参加和参观了光电展,大约有来自15 个国家近三百家报纸和电视台记者进行报道,同时,还有来自北美、德国、意大利、法国、俄罗斯、中国科学院的338 位专家组织了100 多场专业研讨会,展会的成交额累计达到235.8 亿人民币。目前,这个展览会已经成为海内外客商寻找商业机会、展示和采购最新光电产品、交流技术的最佳平台,约有85% 的参展商对参展效果非常满意,并表示结果超出他们的预期。 据中国光学光电子行业协会的数据统计,2011 年全国光电产值达到3,100 亿人民币,较2010年增长36%, 其中激光产品产值达到950亿人民币,较2010 年增长45%,预计,到2012年激光产值将达到1200 亿人民币。同时,中国光电产品出口持续增长,其中激光产品,液晶显示器,LED 出口增长率都保持在 23%, 31%,35%。中国业已成为全球重要的光电产品制造,研发,以及投资的核心地,是该行业国际买家采购产品首选的国家。 【展会优势】 权威的机构: 国务院唯一正式批准,中国光学光电子行业协会唯一主办的国际性光电展览会; 悠久的历史: 作为国内最早的光电展,以其卓越的专业性和权威性,赢得了数以十万计的海内外专业观众和买家的青睐,使得展商在交流技术的同时,得到了良好的经济回报; 广阔的市场: 中国光电周暨ILOPE 展览会的举办地点北京作为中国的经济政治的中心,拥有众多的国家机构,大量的各种科研院所,企事业单位,以及工程采购单位,同时它广阔的覆盖面,包括了全国乃至世界,这都将为我们参展企业赢得市场奠定了坚实的基础; 世界的关注: 美国SPIE、日本OITDA、韩国KAPID、台湾PIDA、意大利商会、德国商会、欧盟鼎力支持,海内外150 家权威媒体的报道,近百家网络媒体的宣传; 专业的观众: 启用中国国际展览中心涵盖众多行业的展览会丰富完备的专业观众数据库基础之外,作为ILOPE 的组织者,中国光学光电子行业协会还将组织的大量专业观众,从而确保了展会的观众和买家的质量; 众多的展商: 由于良好的市场反馈,众多的专业观众,广泛的海内外媒体宣传,以及令人满意的服务,数百家海内外企业踊跃参与,纷纷将中国光电周暨ILOPE 作为寻找市场,了解市场,以及拓宽市场的最佳平台; 前沿的论坛: 为了使与会者以及参展商能够更好地了解行业新技术的发展动态,把握技术走向,和市场热点,我们邀请多位资深中科院院士,学者,专家,以及海外协会推荐的新技术领域的佼佼者,举办多场技术讲座,丰富观众的机构专家学者。 【展品范围】 激光材料、激光器及激光应用 激光材料;激光原材料;激光晶体;激光器;半导体激光器;固体激光器;气体激光器;CO2 激光器;光纤激光器;染料激光器;准分子激光器;其他新型激光器; 激光应用;工业应用;医疗应用;科研应用;舞美应用;景观应用;其它应用; 红外材料、技术及其应用 红外材料;红外晶体;红外光学薄膜;红外窗口材料;焦平面材料;其它材料; 红外产品及应用;红外探测器;红外测温仪;红外热像仪;红外通信;红外遥感;红外测距; 光电显示及照明 LED显示;LED显示屏;OLED显示;LED显示器件;LCD显示;液晶显示产品;液晶面板;其他LCD;显示产品;其它显示技术;等离子技术;背投显示技术;VFD;SED;LCOS;CDT; LED发光元件;各种发光二极管;LED模块; LED照明产品;LED照明灯;其它LED;照明产品; 光学元件、仪器、材料 光学元件;各种光学零件;光学镜片;镜头;其它; 光学仪器;分析仪器;测量仪器;工业仪器、设备;显微镜等光学应用; 光学材料;光学玻璃;薄膜材料;抛光粉等原料; 【展会咨询】 联系人:张先生 18801221697 电 话:010-52860183 咨询QQ:261563378 邮 箱:[email]cilopexpo@163.com[/email] 网 址:[color=#800080][url=http://www.p-expo.com/]http://www.p-expo.com[/url] [/color]
第十四届中国国际激光,光电子及光电显示产品展览会北京 中国国际展览中心 2009 年10 月21 日- 23 日www.ilope-expo.com同期举办:第六届中国国际机器视觉展览会 展会回顾:ILOPE 2008 展会共吸引了来自16 个国家和地区的391 家展商,展出面积达到13,000 平方米,其中78 家展商分别来自加拿大、德国、意大利、法国、荷兰、日本、英国、美国、南韩、以色列、俄罗斯、台湾、香港等国家及地区,展示领域涉及激光& 激光应用,光学材料及部件,红外技术及应用,光学仪器,光电显示和光通讯。 观众统计:登记观众总计12,896 人,比上年增加9.5%,其中12,228 人来自中国,668 人来自其他国家和地区。 权威的机构:国务院唯一正式批准,中国光学光电子行业协会唯一主办的国际性光电展览会; 悠久的历史:作为国内最早的光电展,以其卓越的专业性和权威性,赢得了数以十万计的海内外专业观众和买家的青睐,使得展商在交流技术的同时,得到了良好的经济回报; 广阔的市场:中国光电周暨ILOPE 展览会的举办地点北京作为中国的经济政治的中心,拥有众多的国家机构,大量的各种科研院所,企事业单位,以及工程采购单位,同时它广阔的覆盖面,包括了全国乃至世界,这都将为我们参展企业赢得市场奠定了坚实的基础; 世界的关注:美国SPIE、日本OITDA、韩国KAPID、台湾PIDA、意大利商会、德国商会、欧盟鼎力支持,海内外150 家权威媒体的报道,近百家网络媒体的宣传;前沿的论坛:为了使与会者以及参展商能够更好地了解行业新技术的发展动态,把握技术走向,和市场热点,我们邀请多位资深中科院院士,学者,专家,以及海外协会推荐的新技术领域的佼佼者,举办多场技术讲座,丰富观众的机构专家学者。 敬请咨询北京华港展览有限公司方芳小姐 李澍先生电 话:86-10-84600344 / 84600329传 真:86-10-84600325 / 84600755电子邮件:Fangfang@ciec.com.cnlishu@ciec.com.cn网 址:www.ilope-expo.com
[em09506]摘要:过去75年,随着摄影测量等新技术的发展,美国测绘发生了巨大变化,测量师已经从使用全站仪和钢尺进步到使用GPS,从使用对数和三角表格进步到使用膝上型电脑,从使用纸质地图进步到使用在线的数字媒体等。早期,一名测量专业的毕业生就称为优秀的土地测量师,后来,测量师需要注册资格和认可资格,要求测量专业学位或与测量专业相关的学位。概述美国早期的测量师与土地评估师没有什么区别,后来考虑到公共安全问题,开始了测量师的注册工作。各州对获得测量师的注册资格和许可资格,没有统一的规定,对关于测量师从事何种服务也没有统一的意见。早期,由于大多数大地测量由联邦政府或相关机构管理,摄影测量产品没有应用到地界测量和建筑测量等领域,所以早期测量师无须注册资格和许可资格,就可以从事大地控制测量和摄影测量制图工作。随着技术的发展,注册和许可法律等多种因素的影响,早期的测量师就不再具有从事摄影测量、遥感等相关工作的资格。目前,获得测量师许可资格比较严格,一般要有2到4年的工作经验,经过专业知识培训和测量实践,通过笔试和同行测量师的推荐,才能获得测量师许可资格。注册和许可早期,从事私营测量活动的人需要具备注册资格,而为本地、州或联邦机构工作的人无需注册资格,当测量条例中出现测量师的职责和任务时,对测量师提出了注册要求。工程师和测量师考试国家委员会(NCEES)制定了一部示范法律,形成了相应的机制,为注册和许可提供了包括土地地界法律、州的相关规章制度等笔试内容。 随着大地控制测量、摄影测量和地理信息系统的发展,以及它们不断向传统测量领域的渗透,需要在州法律条例下重新定义测量概念,关键是明确土地地界测量的成果,并不只是执行这些新型技术。在新领域中,个人获取测量许可资格比较难,除非他们在地界测量方面有足够的经验,而对那些想获得测量许可资格的人来说,他们必须放弃有利的专业地位,进行土地地界测量的实践工作。
中国光学光电子行业论坛申请友情链接名称:中国光学光电子行业论坛网址:www.coema.org.cn/bbs描述:专业光电技术交流平台我们已经给贵站做好链接,也希望贵站友情链接我们的论坛。信息如上。如果贵站有特殊的连接信息,麻烦斑竹做好链接后给postmaster@coema.org.cn 发个邮件,写贵论坛的基本内容,我们好互换友情链接谢谢!!!!!!coema.org.cn/bbs光电论坛升级成功,欢迎浏览www.coema.org.cn/bbs中国光学光电子行业论坛改版升级,增加了左栏功能,纯文字,博客等功能,欢迎大家浏览主要板块:激光,红外,LED相关,光学加工,镀膜,薄膜,光电显示,液晶,光电材料,光通信,LED用胶水,芯片等中国光学光电子行业论坛(www.coema.org.cn/bbs)是由中国光学光电子行业协会建立的光电行业论坛,按照协会分会设置七个专业板块,激光、液晶、红外、光电器件、光学元件河光学仪器、激光全息、发光二极管显示屏七个板块,以及资料板块,欢迎广大光学光电子行业的企事业单位登陆论坛发表信息,看法,丰富我们的论坛内容,希望中国光学光电子行业论坛能够成长为中国光电子行业的专业论坛。请记住我们的网址:www.coema.org.cn/bbs中国光学光电子行业协会(China Optics and Optoelectronics Manufactures Association 缩写COEMA)经国务院批准成立于1987年初,是全国从事光学光电子科研、生产和教学的企、事业单位自愿组合的,民政部批准法人资格的社会团体,是==部门在光学光电子行业管理上的参谋和助手,由信息产业部归口管理,接受信息产业部的业务指导和民政部的监督管理。,是非盈利性社会团体,是跨地区、跨部门、跨所有制的行业组织。中国光学光电子行业协会拥有注册团体会员1000余个,按专业领域划分的分会有七个:激光分会、红外分会、光学元件和光学仪器分会、光电器件分会、光电二极管显示屏分会、液晶分会和激光全息分会。
美国海洋光学将于2011年10月26日至28日亮相第十六届中国国际激光、光电子及光电显示产品展览会,展示其运用最前沿的光谱技术在光电领域的领先优势。欢迎新老客户、各位观众莅临参观。届时还有4G精美U盘和精美纪念品在观众互动环节发放,敬请关注。展会时间:2011年10月26日—28日展会地址:中国国际展览中心(三元桥)展位号: 1号馆A厅1A-8 展示方案:激光和近红外测量方案;反射测量方案;紫外可见反射、透射测量方案;等离子体解决方案、太阳能模拟器检测方案、LED检测方案等。更多详情,请登录www.oceanopticschina.cnILOPE作为中国最具权威的顶级光电产品综合大展之一,旨在展示先进光电技术产品,推动中国光电产业的发展,增进中国光电企业与世界企业经济贸易交往,为海外公司了解及进入中国光电市场提供一个平台,促进中国光电产、学、研一体化的发展。 关于海洋光学(Ocean Optics):总部位于美国佛罗里达州达尼丁市的海洋光学(www.OceanOpticsChina.cn)是世界领先的光传感和光谱技术解决方案提供商,为您提供测量和研究光与物质相互作用的先进技术。海洋光学在亚洲与欧洲设有分部,自1992年以来,在全球范围内共售出了超过150,000套光谱仪。海洋光学拥有庞大的产品线,包括光谱仪、化学传感器、计量仪器、光纤、薄膜和光学元件等等。海洋光学的产品在医学和生物研究、环境监测、科学教育、娱乐照明及显示等领域应用广泛。
1月10日报道,近日,全息摄影术通常让人想到艺术性的三维图像,但它也能广泛用于多种领域。在最新研究中,一个由荷兰、德国和法国等多国科研人员组成的研究团队,通过激光驱动电子运动,建立了原子全息图。该技术有助于发展超快光电子能谱学,将来这种全息图像能让科学家以更直接的方式研究分子结构。相关论文发表在近日出版的《科学快讯》上。 “我们在实验中证明,将一个电子从分子中电离出来,利用激光场可改变电子相对于分子的方向。”论文合著者、就职于荷兰国家原子和分子物理研究所以及德国马克斯·玻恩研究院的马克·瑞金说。 在实验中,研究人员向一个原子或分子发射一束致密的红外激光,使原子或分子电离释放出一个电子,激光场驱动自由电子在离子周围来回做震荡运动。有时电子会和离子相撞,就在极短时间内爆发出辐射能量。 由于电子运动完全相干,就意味着它总是处于同样的相位,研究人员认为,这样就可以利用全息技术来记录离子和电子的信息。制作全息电子图像的关键是观察到相干波(由电子发出的波,不会影响离子)和信号波(由离子散射的波,可作为描述离子结构的编码信息)之间的干涉。当仪器探测到相干波和信号波之间发生了干涉,电子和离子的编码信息就被储存下来,并可在未来得以再现。研究人员解释说,这样生成的图像就是原子利用自身电子而产生的全息图。 研究人员还通过一种理论模型来模拟这种测量,证明了全息图能存储电子和离子的空间及时间信息。如将来能利用这种全息结构技术开发出一种全新的超快光电子能谱仪,科学家就能直接以阿秒(10-18秒)的时间分辨率测量电子和离子运动,这种功能对于从最基本层面理解化学反应非常有用,尤其是那些用其他方法很难研究的分子。
全息摄影术通常让人想到艺术性的三维图像,但它也能广泛用于多种领域。在最新研究中,一个由荷兰、德国和法国等多国科研人员组成的研究团队,通过激光驱动电子运动,建立了原子全息图。该技术有助于发展超快光电子能谱学,将来这种全息图像能让科学家以更直接的方式研究分子结构。相关论文发表在近日出版的《科学快讯》上。 “我们在实验中证明,将一个电子从分子中电离出来,利用激光场可改变电子相对于分子的方向。”论文合著者、就职于荷兰国家原子和分子物理研究所以及德国马克斯·玻恩研究院的马克·瑞金说。 在实验中,研究人员向一个原子或分子发射一束致密的红外激光,使原子或分子电离释放出一个电子,激光场驱动自由电子在离子周围来回做震荡运动。有时电子会和离子相撞,就在极短时间内爆发出辐射能量。 由于电子运动完全相干,就意味着它总是处于同样的相位,研究人员认为,这样就可以利用全息技术来记录离子和电子的信息。制作全息电子图像的关键是观察到相干波(由电子发出的波,不会影响离子)和信号波(由离子散射的波,可作为描述离子结构的编码信息)之间的干涉。当仪器探测到相干波和信号波之间发生了干涉,电子和离子的编码信息就被储存下来,并可在未来得以再现。研究人员解释说,这样生成的图像就是原子利用自身电子而产生的全息图。 研究人员还通过一种理论模型来模拟这种测量,证明了全息图能存储电子和离子的空间及时间信息。如将来能利用这种全息结构技术开发出一种全新的超快光电子能谱仪,科学家就能直接以阿秒(10-18秒)的时间分辨率测量电子和离子运动,这种功能对于从最基本层面理解化学反应非常有用,尤其是那些用其他方法很难研究的分子。
http://www.physics.fudan.edu.cn/equipment/YuanLi_guangdianPu.htm1. 引言光电子能谱同其他各种表面分析手段一样,首先经物理学家之手开创,并随着它不断完善,在化学、金属学及表面科学领域内得到了广泛的应用[1]。历史上,光电子能谱最初是由瑞典Uppsala大学的K.Siegbahn及其合作者经过约20年的努力而建立起来的。由于它在化学领域的广泛应用,常被称为化学分析用电子能谱(ESCA),但是,因为最初的光源采用了铝、镁等的特性软X射线,此方法逐渐被普遍称为X射线光电子能谱(XPS)。另外,伦敦帝国学院的D.W.Turner等人在1962年创制了使用He I共振线作为真空紫外光源的光电子能谱仪,在分析分子内价电子的状态方面获得了巨大成功,在固体价带的研究中,此方的应用领域正逐步扩大。与X射线光电子能谱相对照,此方法称为紫外光电子能谱(UPS),以示区别。2. 基本原理光电子能谱所用到的基本原理是爱因斯坦的光电效应定律。材料暴露在波长足够短(高光子能量)的电磁波下,可以观察到电子的发射。这是由于材料内电子是被束缚在不同的量子化了的能级上,当用一定波长的光量子照射样品时,原子中的价电子或芯电子吸收一个光子后,从初态作偶极跃迁到高激发态而离开原子[2]。最初,这个现象因为存在可观测得光电流而称为光电效应;现在,比较常用的术语是光电离作用或者光致发射。若样品用单色的、即固定频率的光子照射,这个过程的能量可用Einstein关系式[3]来规定:式中hν为入射光子能量,Ek是被入射光子所击出的电子能量,Eb为该电子的电离能,或称为结合能。光电离作用要求一个确定的最小光子能量,称为临阈光子能量hν0。对固体样品,又常用功函数这个术语,记做φ。对能量hν显著超过临阈光子能量hν0的光子,它具有电离不同电离能(只要Eb<hν)的各种电子的能力。一个光子对一个电子的电离活动是分别进行的。一个光子,也许击出一个束缚很松的电子并将高动能传递给它;而另一个同样能量的光子,也许电离一个束缚的较紧密的电子并产生一个动能较低的光电子。因 图见网页。图1 用Mg KαX射线激发的氖PE谱 此,光电离作用,即使使用固定频率的激发源,也会产生多色的,即多能量的光致发射。因为被电子占有的能级是量子化的,所以光电子有一个动能分布n(E),由一系列分离的能带组成。这个事实,实质上反映了样品的电子结构是“壳层”式的结构。用分析光电子动能的方法,从实验上测定n(E)就是光电子能谱(PES)。将n(E)对E作图,成为光电子能谱图(如图1)。如上图那样简单的光电子谱图,对电子结构的轨道模型提供了最直接的,因而也是最令人信服的证据。严格的讲,光电子能谱应该用电离体系M+的多电子态方法来解释,比用中性体系M的已占单电子态(轨道)为好。3. 系内仪器资源我们系现有英国VG公司ADES 400角分辨电子能谱仪,它是一台大型超真空多功能表面分析设备。多年来,经过侯晓远教授实验室的多次改进,增加了快速进样装置和一台国产小型分子束外延装置[4],使实验者可以在不暴露大气的情况下,对自行生长样品的表面与界面进行分析测试;同时通过改进控制单元与计算机的接口,由原来的手动调节、机械录谱变为由计算机控制扫谱参数并记录扫描结果。图见网页。图2 多功能电子能谱仪与分子束外延装置的联机系统 ADES 400角分辨电子能谱仪系统如图(2)所示。整个系统由分析室(主室)、预处理室(预室)、快速进样室及小型MBE生长束源炉室四部分组成。电子能谱仪的本底真空度优于5×10-8Pa,配备有Ar离子枪可以处理样品,俄歇电子能谱(AES)测量样品表面化学状态,低能电子衍射(LEED)测量样品表面结构,另外该装置还有配备了双阳极X光枪(Al和Mg靶),可以做紫外光电子能谱(UPS)。生长室本底真空度优于3×10-8Pa,生长过程真空度优于3×10-7Pa。生长室中可以同时装5个由循环水冷却的蒸发源,同时还配备了一个可以对样品的表面晶体结构进行原位实时测量的反射式高能电子衍射(RHEED)装置,样品的生长速率可以由晶体振荡器来测量,而且样品架有加热装置,可以用来处理样品或对样品在生长时加温,此外,生长室还安装了可以自动控制的劈形样品生长装置。有关这套劈形样品生长装置的消息介绍可以参考论文[5]。因此这套设备可以用分子束外延的办法生长磁性金属和合金,然后再分析室进行一些表面测量,制备好的样品,用金或银做为保护层覆盖后,再拿出真空室进行结构和磁性测量。 4. 参考文献[1] 染野檀,安盛岩雄,《表面分析》,科学出版社(1983)[2] 王华馥,吴自勤,《固体物理实验方法》,高等教育出版社(1990)[3] A.Einsten, Ann.Phys.,17, 132(1905)[4] 朱国兴,张明,徐敏,《半导体学报》, 14,719(1993)[5] 丁海峰,硕士论文,1998,复旦大学
国产的激光经纬仪J2的那个品牌性价比高一点啊
大家好,目前想做原位测试金属与半导体接触界面光电子能谱变化情况,主要是先在能谱仪沉积室内蒸镀一层金属,测试金属的功函数和真空能级情况,然后再将样品回传到沉积室,继续蒸镀半导体材料(厚度不同),这样再进行表面光电子能谱分析。不过,很多单位没有样品制备室,请问国内有哪些单位有能够进行进行原位沉积、测试的XPS(含UPS)的设备啊?
12V开关电源 X射线光电子能谱分析X射线光电子能谱法(X-ray Photoelectron Spectrom-----XPS)在表面分析领域中是一种崭新的方法。虽然用X射线照射固体材料并测量由此引起的电子动能的分布早在本世纪初就有报道,但当时可达到的分辩率还不足以观测到光电子能谱上的实际光峰。直到1958年,以Siegbahn为首的一个瑞典研究小组首次观测到光峰现象,并发现此方法可以用来研究元素的种类及其化学状态,故而取名“化学分析光电子能谱(Eletron Spectroscopy for Chemical Analysis-ESCA)。目前XPS和ESCA已公认为是同义词而不再加以区别。XPS的主要特点是它能在不太高的真空度下进行表面分析研究,这是其它方法都做不到的。当用电子束激发时,如用AES法,必须使用超高真空,以防止样品上形成碳的沉积物而掩盖被测表面。X射线比较柔和的特性使我们有可能在中等真空程度下对表面观察若干小时而不会影响测试结果。此外,化学位移效应也是XPS法不同于其它方法的另一特点,即采用直观的化学认识即可解释XPS中的化学位移,相比之下,在AES中解释起来就困难的多。1 基本原理用X射线照射固体时,由于光电效应,原子的某一能级的电子被击出物体之外,此电子称为光电子。如果X射线光子的能量为hν,电子在该能级上的结合能为Eb,射出固体后的动能为Ec,则它们之间的关系为: hν=Eb+Ec+Ws 式中Ws为功函数,它表示固体中的束缚电子除克服各别原子核对它的吸引外,还必须克服整个晶体对它的吸引才能逸出样品表面,即电子逸出表面所做的功。上式可另表示为: Eb=hν-Ec-Ws 可见,当入射X射线能量一定后,若测出功函数和电子的动能,即可求出电子的结合能。由于只有表面处的光电子才能从固体中逸出,因而测得的电子结合能必然反应了表面化学成份的情况。这正是光电子能谱仪的基本测试原理。
X射线入射到样品上产生的光电子的能量一般有多大,在真空中能被探测器检测到吗??本人就是怀疑电子探针理论知识中只介绍了二次电子和背散射电子,但却未提及X射线光电子的检测问题,
[align=center][b][font='Times New Roman']X[font=宋体]射线光电子能谱仪[/font][/font][font=宋体]真空系统的[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]维护[/font][/font][/b][/align][b][font='Times New Roman'][font=宋体]摘要:[/font][/font][/b][font='Times New Roman'][font=宋体]作为表面分析领域的必备分析技术,[/font]X[font=宋体]射线光电子能谱主要研究材料表面元素组成、相对含量及化学价态等信息。[/font][font=宋体]基于表面分析技术的特性[/font][/font][font=宋体]以及仪器构造的要求[/font][font='Times New Roman'][font=宋体],[/font]X[font=宋体]射线光电子能谱[/font][/font][font=宋体]需在超高真空条件下运行,通常分析室真空要优于[/font][font='Times New Roman']10[/font][sup][font='Times New Roman']-[/font][/sup][sup][font=宋体][font=Times New Roman]10[/font][/font][/sup][font='Times New Roman']mbar[/font][font=宋体],进样室真空要优于[/font][font='Times New Roman']10[/font][sup][font='Times New Roman']-[/font][/sup][sup][font=宋体][font=Times New Roman]8[/font][/font][/sup][font='Times New Roman']mbar[/font][font=宋体][font=宋体]。[/font][font=宋体]真空系统的有效维护[/font][/font][font='Times New Roman'][font=宋体]对于测试结果的准确性及维持良好的仪器运行状态至关重要[/font][/font][font=宋体]。针对真空系统的日常维护以及具体的报错维修经验作了简单介绍[/font][font='Times New Roman'][font=宋体],[/font][/font][font=宋体]可[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]为其他仪器管理者提供参考[/font][/font][font=宋体]。目前的维护模式[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]在确保仪器处于良好运行状态的前提下,较大程度地提升了仪器使用效率。[/font][/font][b][font='Times New Roman'][font=宋体]关键词:[/font][/font][/b][font='Times New Roman']X[font=宋体]射线光电子能谱、维护、[/font][/font][font=宋体]真空系统、超高真空条件[/font][b][font='Times New Roman'][font=宋体]中图分类号:[/font][/font][font='Times New Roman']O657. 62[/font][font='Times New Roman'] [font=宋体]文献标识码:[/font] [/font][font='Times New Roman']1 [font=宋体]引言 [/font][/font][/b][font='Times New Roman']X[font=宋体]射线光电子能谱([/font][font=Times New Roman]XPS[/font][font=宋体])样品前处理简单,[/font][/font][font=宋体]测试[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]损伤小,表面灵敏度高[/font][/font][sup][font='Times New Roman'][1][/font][/sup][font='Times New Roman'][font=宋体]。[/font][/font][font=宋体][font=Times New Roman]X[/font][/font][font='Times New Roman']PS[font=宋体]除了可以提供元素种类(氢、氦除外)、价态及相对含量等基本信息,还能给出深度分布、微区分布、化学成像、价带结构等方面的信息[/font][/font][sup][font='Times New Roman'][2]- [6][/font][/sup][font='Times New Roman'][font=宋体]。超高真空测试环境的保持,可以减少低能光电子与气体分子相互作用造成的能量损失,使得光电子顺利逃逸出样品表面到达能量探测器,同时也会减少样品表面污染,延长仪器寿命。[/font][/font][font=宋体]真空系统的问题可能出于以下原因:进样室门有污染物、样品本放气量太大、真空部件故障(真空泵真空规)、进样室与分析室之间舱门有污染导致密封差等。本文就仪器管理过程中出现的两点真空异常维护经验作了简单介绍,并总结了真空系统日常维护要点。[/font][b][font=宋体][font=Times New Roman]2[/font][/font][font='Times New Roman'] [/font][font=宋体]真空系统异常原因排查及维护案例[/font][font='Times New Roman'] [/font][font=宋体][font=Times New Roman]2[/font][/font][font='Times New Roman'].1 [/font][font=宋体]分析室真空虚高后报错[/font][/b][font=宋体][font=宋体]分析室真空出现如图[/font][font=Times New Roman]1[/font][font=宋体]所示报错,追溯历史排查原因,报错前一段时间真空度异常升高甚至长时间保持[/font][/font][font='Times New Roman']10[/font][sup][font='Times New Roman']-[/font][/sup][sup][font=宋体][font=Times New Roman]11[/font][/font][/sup][font='Times New Roman']mbar[/font][font=宋体][font=宋体](如图[/font][font=Times New Roman]2[/font][font=宋体]),通过乙醇在分析室各个法兰接口处作初步捡漏(见图[/font][font=Times New Roman]3[/font][font=宋体]),未发现漏气点。综合分析排查情况,报错原因为前期分析室真空规污染不能准确监测分析室真空出现虚高的示数,后期污染过度或达到使用寿命不能监测真空情况,待查看真空规使用日志,确认真空规已达到寿命需要更换。因此再遇到真空示数出现虚高的情况就要做好真空规报错的准备。[/font][/font][align=center][img=,347,431]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/10/202210211630460636_9886_3237657_3.jpg!w347x431.jpg[/img][/align][align=center][font=宋体][font=宋体]图[/font][font=Times New Roman]1[/font][/font][font='Times New Roman'] [/font][font=宋体]分析室真空报错[/font][/align][align=center][img=,348,428]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/10/202210211631042052_7429_3237657_3.jpg!w348x428.jpg[/img][/align][align=center][font=宋体][font=宋体]图[/font][font=Times New Roman]2[/font][/font][font='Times New Roman'] [/font][font=宋体]分析室真空报错报错前状态[/font][/align][align=center][img=,418,274]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/10/202210211631193061_8700_3237657_3.jpg!w418x274.jpg[/img][/align][align=center][font='Times New Roman'][font=宋体]图[/font]3[font=宋体]([/font][font=Times New Roman]a[/font][font=宋体])仪器正面法兰接口检漏点;([/font][font=Times New Roman]b[/font][font=宋体])仪器背面法兰接口检漏点[/font][/font][/align][b][font=宋体][font=Times New Roman]2[/font][/font][font='Times New Roman'].[/font][font=宋体][font=Times New Roman]2[/font][/font][font='Times New Roman'] [/font][font=宋体]分析室真空差,持续抽不上去[/font][/b][font=宋体][font=宋体]分析室真空达不到测试要求,取出样品台后抽真空[/font][font=Times New Roman]72[/font][font=宋体]小时以上仍然维持在[/font][/font][font='Times New Roman']10[/font][sup][font='Times New Roman']-[/font][/sup][sup][font=宋体][font=Times New Roman]7[/font][/font][/sup][font='Times New Roman']mbar[/font][font=宋体][font=宋体]左右没有改善(如图[/font][font=Times New Roman]4[/font][font=宋体]),排查原因:出现异常前进样室进样后分析室真空变[/font][/font][font='Times New Roman']-7[font=宋体],开[/font][font=Times New Roman]V1[/font][font=宋体]阀后变[/font][font=Times New Roman]-8[/font][font=宋体],开一段时间后基本不变稍变差,[/font][/font][font=宋体]由于进样室和分析室是[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]两个分子泵[/font][/font][font=宋体]分别抽真空,[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]同时抽[/font][/font][font=宋体]时可稍[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]变好,[/font][/font][font=宋体]说明[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]分析室有漏气的地方,[/font][/font][font=宋体][font=宋体]但通过乙醇在分析室各个法兰接口处作初步捡漏(见图[/font][font=Times New Roman]3[/font][font=宋体]),未发现漏气点。经请教工程师检查分析:[/font][/font][font='Times New Roman'][font=宋体]中和枪[/font][/font][font=宋体][font=Times New Roman]([/font][/font][font='Times New Roman']FLOOD GUN)[font=宋体]和离子枪[/font][/font][font=宋体][font=Times New Roman]([/font][/font][font='Times New Roman']ION GUN)[font=宋体]的漏阀[/font][font=Times New Roman]V4[/font][font=宋体]和[/font][font=Times New Roman]V27[/font][font=宋体]有杂质或者漏气点使氩气持续进入分析室影响真空[/font][/font][font=宋体][font=宋体](内部气路示意图参考图[/font][font=Times New Roman]4[/font][font=宋体],漏气点实物见图[/font][font=Times New Roman]5[/font][font=宋体])。[/font][/font][font='Times New Roman'][font=宋体]手动[/font][/font][font=宋体]关闭[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]氩气[/font]V9[/font][font=宋体]和[/font][font='Times New Roman'] V6[font=宋体],手动打开[/font][font=Times New Roman]V7[/font][font=宋体]用机械泵抽走管路中的氩气,机械泵抽到[/font][font=Times New Roman]10[/font][/font][sup][font='Times New Roman']-[/font][/sup][sup][font=宋体][font=Times New Roman]2[/font][/font][/sup][font='Times New Roman']mbar[font=宋体]就可以打开[/font][font=Times New Roman]V6[/font][font=宋体],关闭[/font][font=Times New Roman]V7[/font][/font][font=宋体][font=宋体],分析室的真空恢复正常(如图[/font][font=Times New Roman]6[/font][font=宋体])。[/font][/font][align=center][img=,470,368]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/10/202210211631438621_5548_3237657_3.jpg!w470x368.jpg[/img][/align][align=center][font='Times New Roman'][font=宋体]图[/font]4 [font=宋体]真空状态及内部气路示意图[/font][/font][/align][align=center][img=,414,310]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/10/202210211631594218_3161_3237657_3.jpg!w414x310.jpg[/img][/align][align=center][font='Times New Roman'][font=宋体]图[/font]5 [/font][font='Times New Roman']V4[font=宋体]和[/font][font=Times New Roman]V27[/font][font=宋体]阀门连接点[/font][/font][/align][align=center][img=,460,359]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/10/202210211632177259_115_3237657_3.jpg!w460x359.jpg[/img][/align][align=center][font='Times New Roman'][font=宋体]图[/font]6 [font=宋体]真空恢复正常状态[/font][/font][/align][b][font=宋体][font=Times New Roman]3[/font][/font][font='Times New Roman'] [/font][font=宋体]真空系统日常维护要点[/font][font=宋体][font=Times New Roman]3[/font][/font][font='Times New Roman'].1 [font=宋体]保持样品的[/font][/font][font=宋体]“[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]干净[/font][/font][font=宋体]”[/font][/b][font='Times New Roman'][font=宋体]从源头上避免样品释放大量的气体,拒绝接受含有挥发性单质碘[/font]/[font=宋体]硫的样品、[/font][font=Times New Roman]X[/font][font=宋体]射线照射下会分解的样品、制样过程中易潮解的样品;[/font][font=Times New Roman]XPS[/font][font=宋体]对表面极其敏感,样品的储存、转移及制备对于样品表面状态和数据可靠性的影响不可忽视[/font][/font][sup][font='Times New Roman'][[/font][/sup][sup][font=宋体][font=Times New Roman]9[/font][/font][/sup][sup][font='Times New Roman']][/font][/sup][font='Times New Roman'][font=宋体]。因此,送样测试要求及注意事项成为[/font][/font][font=宋体]送样测试者的[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]重点[/font][/font][font=宋体]普及知识[/font][font='Times New Roman'][font=宋体],如所有样品要干燥、密封送样;有特殊性质的样品(光照射下分解、易磁化、易氧化、易吸潮、含有易挥发元素等)需说明并做好特殊处理;粉末均需研磨至没有颗粒感;薄膜样品或块状样品若有正反面要做好标记等,便于相关用户测试前准备好样品,并能尽快得到较为可靠的数据。[/font][/font][b][font=宋体][font=Times New Roman]3[/font][/font][font='Times New Roman'].[/font][font=宋体][font=Times New Roman]2[/font][/font][font='Times New Roman'] [font=宋体]测试前要确保达到允许测试的真空条件[/font][/font][/b][font='Times New Roman'][font=宋体]为了使样品在进样室充分预抽,通常下午或者晚上进样,过夜抽真空,次日转移到分析室测试,若过夜抽真空后依然无法抽至[/font]10[/font][sup][font='Times New Roman']-7[/font][/sup][font='Times New Roman']mbar[font=宋体],应该取消该[/font][/font][font=宋体]样品台上样品的[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]测试。[/font][/font][b][font=宋体][font=Times New Roman]3[/font][/font][font='Times New Roman'].[/font][font=宋体][font=Times New Roman]3[/font][/font][font='Times New Roman'] [/font][font=宋体]减少换样间隔时间[/font][/b][font='Times New Roman'][font=宋体]避免进样室舱门长时间打开,尽量减少换样间隔时间[/font][/font][font=宋体]。[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]还应注意保持进样室门的清洁并定期运行钛升华泵以吸附影响真空的反应气体[/font][/font][sup][font='Times New Roman'][[/font][/sup][sup][font=宋体][font=Times New Roman]8-10[/font][/font][/sup][sup][font='Times New Roman']][/font][/sup][font='Times New Roman'][font=宋体]。[/font][/font][b][font=宋体][font=Times New Roman]4[/font][/font][font='Times New Roman'] [font=宋体]结论[/font][/font][/b][font='Times New Roman'][font=宋体]测试平台自[/font]20[/font][font=宋体][font=Times New Roman]19[/font][/font][font='Times New Roman'][font=宋体]年[/font][/font][font=宋体]开放运行[/font][font='Times New Roman']X[font=宋体]射线光电子能谱仪,样品测试量大,[/font][/font][font=宋体]为了[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]高效完成了测试任务[/font][/font][font=宋体],[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]提升有效资源的优化配置[/font][/font][font=宋体],这就要求管理人员必须特别注意仪器状态的维护,[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]降低仪器故障率,[/font][/font][font=宋体]减少维修时间[/font][font='Times New Roman'][font=宋体]。[/font][/font][font=宋体]本文就仪器管理过程中出现真空异常情况时的维护维修经验作了简单总结,并罗列了真空系统日常维护要点,可供其他仪器管理者参考。[/font][b][font='Times New Roman'][font=宋体]参考文献:[/font][/font][/b][font='Times New Roman'][1] [font=宋体]卢炯平[/font][font=Times New Roman]. X[/font][font=宋体]射线光电子能谱在材料研究中的应用[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]分析测试技术与仪器[/font][font=Times New Roman], 1995, 1(1): 1-12.[/font][/font][font='Times New Roman'][2] [font=宋体]吴正龙[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]刘洁[/font][font=Times New Roman]. [/font][font=宋体]现代[/font][font=Times New Roman]X[/font][font=宋体]光电子能谱[/font][font=Times New Roman](XPS)[/font][font=宋体]分析技术[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]现代仪器[/font][font=Times New Roman], 2006, 12(1): 50-53.[/font][/font][font='Times New Roman'][3] [font=宋体]袁欢欣[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]欧阳健明[/font][font=Times New Roman]. X [/font][font=宋体]射线光电子能谱在配合物研究中的应用及其研究进展[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]光谱学与光谱分析[/font][font=Times New Roman], 2007, 27(2): 395-399.[/font][/font][font='Times New Roman'][4] [font=宋体]贾双珠[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]李长安[/font][font=Times New Roman]. X[/font][font=宋体]射线光电子能谱在新型催化材料表征中的应用[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]分析试验室[/font][font=Times New Roman], 2016, 35(7): 862-868.[/font][/font][font='Times New Roman'][5] [font=宋体]张莉[/font][font=Times New Roman]. [/font][font=宋体]关于环境催化研究中[/font][font=Times New Roman]X[/font][font=宋体]射线光电子能谱的应用研究[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]化工管理[/font][font=Times New Roman], 2018, 36(103): 151-152.[/font][/font][font='Times New Roman'][6] [font=宋体]周逸凡[/font][font=Times New Roman],[/font][font=宋体]杨慕紫[/font][font=Times New Roman],[/font][font=宋体]谢方艳[/font][font=Times New Roman]. X[/font][font=宋体]射线光电子能谱在固态锂离子电池界面研究中的应用[/font][font=Times New Roman][J].[/font][font=宋体]物理学报[/font][font=Times New Roman], 2021, 70(17): 369-387.[/font][/font][font='Times New Roman'][7] [font=宋体]邱丽美[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]刘芬[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]赵良仲[/font][font=Times New Roman]. [/font][font=宋体]样品表面污染对[/font][font=Times New Roman]X[/font][font=宋体]射线光电子能谱定量分析的影响[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]理化检验[/font][font=Times New Roman]([/font][font=宋体]化学分册[/font][font=Times New Roman]), 2007(03): 182-184.[/font][/font][font='Times New Roman'][8] [font=宋体]苗利静[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]江柯敏[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]卢焕明[/font][font=Times New Roman]. X[/font][font=宋体]射线光电子能谱仪的开放使用与管理[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]分析测试技术与仪器[/font][font=Times New Roman], 2017, 23(02): 124-126.[/font][/font][font='Times New Roman'][9] [font=宋体]刘朋[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]诸葛兰剑[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]李洁爱[/font][font=Times New Roman]. X-[/font][font=宋体]光电子能谱仪的管理与维护[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]分析测试技术与仪器[/font][font=Times New Roman], 2018, 24(03): 188-191.[/font][/font][font='Times New Roman'][10] [font=宋体]张国宏[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]熊祖钊[/font][font=Times New Roman], [/font][font=宋体]王飞舟[/font][font=Times New Roman]. X[/font][font=宋体]射线光电子能谱仪的开放使用与维护[/font][font=Times New Roman][J]. [/font][font=宋体]广州化工[/font][font=Times New Roman], 2022, 50(10): 98-99+144.[/font][/font]
有没有农药的光电子能谱集
如今,通信设备的制造厂商,对光电子器件的可靠性要求越来越高,光电子器件和通信设备的制造厂商之间没有专门的、统一的光电子器件可靠性试验很难进行有效的沟通,影响产品可靠性的提高。而电子器件可靠性评估是指对电子器件产品、半成品或模拟样片(各种测试结构图形),通过各种可靠性性试验、加速寿命试验和快速评价技术等,并运用数理统计工具和有关模拟仿真软件来评定其寿命、失效率或可靠性质量等级。下面,雅士林整理了光性的试验方法供给大家参考。[align=center][img=,600,600]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/06/202206291702592424_851_1385_3.jpg!w600x600.jpg[/img][/align] 1、高温贮存:确定光电子器件能否经受高温下的运输和贮存,以保证光电子器件经受高温后能在规定条件下在[b][url=http://www.instrument.com.cn/netshow/C27536.htm]高低温试验箱[/url][/b]正常工作。 试验条件如下: 贮存温度:(85±2)℃或贮存温度; 贮存时间:2000h。 进行试验: A)试验前测试试样的主要光电特性; B)把光电子器件贮存在规定试验条件的高低温试验箱中,在开始计时之前应有足够升温时间,使所有试样处在规定的温度下,温度传感器应位于工作区内温度。 C)在达到规定的试验时间后,把试样从试验环境中移出,放置24h,使之达到标准测试条件,并对试样光电特性进行测试。验完成后,应在48h内完成试样的主要光电特性测试,并进行目检。当有规定时,也可以在试验过程中的某些时刻进行测试。 2、恒定湿热:本试验的目的是测定光电子器件承受高温和高湿的能力,以及高温和高湿对器件的影响程度,保证光电子器件的长期可靠性。试验设备为在加载负荷时能为工作区提供和控制规定的温度、湿度、热容量和空气流量的恒温恒湿试验箱。 试验条件如下: 温度:+85℃; 湿度:85%RH; 保持时间:500h(不加偏置)或1000h(加偏置); 规定的偏置电压或电流(适用时)。 进行试验: a)试验前对光电子器件的主要光电特性进行测试; b)将光电子器件放进恒温恒湿试验箱内,其摆放位置不应妨碍试样四周空气的流动; c)试样在规定条件下连续完成规定的试验时间。 d)试样基材或外包材(如封帽,引线,封套等)腐蚀面积超过5%,或贯穿性腐蚀; e)引线损坏或部分分离;
§7.3 X射线光电子能谱(XPS)X射线光电子能谱是利用波长在X射线范围的高能光子照射被测样品,测量由此引起的光电子能量分布的一种谱学方法。样品在X射线作用下,各种轨道电子都有可能从原子中激发成为光电子,由于各种原子、分子的轨道电子的结合能是一定的,因此可用来测定固体表面的电子结构和表面组分的化学成分。在后一种用途时,一般又称为化学分析光电子能谱法( Electron Spectroscopy for Chemical Analysis,简称 )。与紫外光源相比,X射线的线宽在 以上,因此不能分辨出分子、离子的振动能级。此外, 在实验时样品表面受辐照损伤小,能检测周期表中除 和 以外所有的元素,并具有很高的绝对灵敏度。因此 是目前表面分析中使用最广的谱仪之一。7.3.1 谱图特征 图7.3.1为表面被氧化且有部分碳污染的金属铝的典型的 图谱。其中图(a)是宽能量范围扫描的全谱,主要由一系列尖锐的谱线组成;图(b)则是图(a)低结合能端的放大谱,显示了谱线的精细结构。从图我们可得到如下信息:1.图中除了 和 谱线外, 和 两条谱线的存在表明金属铝的表面已被部分氧化并受有机物的污染。谱图的横坐标是轨道电子结合能。由于X射线能量大,而价带电子对X射线的光电效应截面远小于内层电子,所以 主要研究原子的内层电子结合能。由于内层电子不参与化学反应,保留了原子轨道特征,因此其电子结合能具有特定值。如图所示,每条谱线的位置和相应元素原子内层电子的结合能有一一对应关系,不同元素原子产生了彼此完全分离的电子谱线,所以相邻元素的识别不会发生混淆。这样对样品进行一次宽能量范围的扫描,就可确定样品表面的元素组成。2.从图7.3.1(b)可见,在 和 谱线高结合能一侧都有一个肩峰。如图所标示,主峰分别对应纯金属铝的 和 轨道电子,相邻的肩峰则分别对应于 中铝的 和 轨道电子。这是由于纯铝和 中的铝所处的化学环境不同引起内层轨道电子结合能向高能方向偏移造成的。这种由于化学环境不同而引起内壳层电子结合能位移的现象叫化学位移。研究表明,大多数非金属原子的化学状态和金属的氧化状态在很多情况下是可以区分的,这样,我们就可根据内壳层电子结合能位移大小判断有关元素的化学状态。3.谱图的纵坐标是光电子的强度,通常以单位时间内接收到的光电子数表示。光电子峰的强度与产生该信号的元素含量及电子的平均自由程和样品原子各个能级的光致电离截面等有关。在相同激发源及谱仪接收条件下,充分考虑这些因素后,可以用每个谱峰所属面积的大小作表面元素的定量分析。4.此外,图谱还显示出 的 俄歇谱线、铝的价带谱和等离子激元等伴峰结构。这些伴峰常与样品的电子结构密切相关。在分析 谱图时,特别要注意把伴峰与主峰的化学位移峰区别开来以避免相互混淆,导致错误的结论。 7.3.2 化学位移 化学结构的变化和原子价态的变化都可以引起谱峰有规律的位移。化学位移在 中是一种很有用的信息,通过对化学位移的研究,可以了解原子的状态、可能处于的化学环境以及分子结构等。如纯铝,其 轨道电子结合能为 ,当它被氧化成为正三价的铝离子时,其 轨道电子结合能为 ,增加了 (见图7.3.1)。又例如聚对苯二甲酸乙二酯,此化合物中有三种完全不同的碳:苯环上的碳、羰基中的碳和连接对苯二甲酸单元上的- -基中的碳。每种碳都处于不同的化学环境中,因此呈现不同的化学位移,导致碳的 峰出现在谱线不同的位置上,如图7.3.2所示。从图还可以看出,在这种分子中两种氧原子所处的化学环境不同也反映在氧的 谱中。 化学位移现象可以用原子的静电模型来解释。内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能,另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时,屏蔽作用将减弱,内层电子的结合能增加;反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧化价态增加,或与电负性大的原子结合时,都导致其结合能的增加。由此可从被测原子内层电子结合能变化来了解其价态变化和所处化学环境。 一般说来,对有机物,同样的原子在具有强电负性的置换基团中比在弱电负性基团中可能会呈现出较大的结合能。同样地,在无机化合物中不同电负性基团的置换作用也能引起化学位移的细微变化,而且可用来研究表面物质电子环境的详细情况。对大多数的金属,其氧化时会出现向高结合能方向的化学位移。在氧化状态,化学位移的量级通常是每单位电荷移动 。因此,除了少数金属(如 、 等)由于氧化产生的化学位移太小,不能用来进行化学分析外,在大多数情况下,很容易通过化学位移来确定和识别表面存在的金属氧化物。需指出的是,除了由于原子周围的化学环境的改变引起光电子峰位移外,样品的荷电效应同样会影响谱峰位移,从而影响电子结合能的正确测量。实验时必须注意并设法进行校正。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2005/11/200511240818_10621_1609228_3.gif[/img]
我现在在读量子半导体专业,由于之前的专业和目前的没有联系,所以从头学起。目前遇到关于XPS的分析方面的困扰,因为没什么基础,所以想寻求这方面的书。现求《光电子光谱学》或《x线光电子分光法》等书的下载,请大虾们帮忙,最好是中文版,不过英文版的也可。在此谢过了。
国家质检总局公告 2005年第145号 为进一步贯彻实施《中华人民共和国计量法》、《中华人民共和国行政许可法》,我局组织制定了中华人民共和国依法管理的计量器具目录(型式批准部分),现予以公布,自2006年5月1日起施行。列入中华人民共和国依法管理的计量器国家质检总局公告2005年第145号 为进一步贯彻实施《中华人民共和国计量法》、《中华人民共和国行政许可法》,我局组织制定了“中华人民共和国依法管理的计量器具目录(型式批准部分)”,现予以公布,自2006年5月1日起施行。列入“中华人民共和国依法管理的计量器具目录(型式批准部分)”的项目要办理计量器具许可证、型式批准和进口计量器具检定。实施强制检定的工作计量器具目录按现有规定执行。专用计量器具目录由国务院有关部门计量机构拟定,报我局审核后另行公布。医用超声源、医用激光源、医用辐射源的管理按“关于明确医用超声、激光和辐射源监督管理范围的通知”(技监局量发49号)执行。自即日起,未列入本目录的计量器具,不再办理计量器具许可证、型式批准和进口计量器具检定。 附件:中华人民共和国依法管理的计量器具目录(型式批准部分) 二〇〇五年十月八日 附件:中华人民共和国依法管理的计量器具目录(型式批准部分) 1. 测距仪:光电测距仪、超声波测距仪、手持式激光测距仪;2. 经纬仪:光学经纬仪、电子经纬仪;3. 全站仪:全站型电子速测仪;4. 水准仪:水准仪;5. 测地型GPS接收机:测地型GPS接收机;6. 液位计:液位计;7. 测厚仪:超声波测厚仪、X射线测厚仪、电涡流式测厚仪、磁阻法测厚仪、γ射线厚度计;8. 体温计:测量人体温度的红外温度计(红外耳温计、红外人体表面温度快速筛检仪);9. 辐射温度计:工作用全辐射感温器、工作用辐射温度计、500℃以下工作用辐射温度计;10. 天平:非自动天平;11. 非自动衡器:非自动秤、非自行指示轨道衡、数字指示轨道衡;12. 自动衡器:重力式自动装料衡器、连续累计自动衡器(皮带秤)、非连续累计自动衡器、动态汽车衡(车辆总重计量)、动态称量轨道衡、核子皮带秤;13. 称重传感器:称重传感器;14. 称重显示器:数字称重显示器;15. 加油机:燃油加油机;16. 加气机:液化石油气加气机、压缩天然气加气机;17. 流量计:差压式流量计、速度式流量计、液体容积式流量计、转子流量计、靶式流量变送器、临界流流量计、质量流量计、气体层流流量传感器、气体腰轮流量计、明渠堰槽流量计;
突然想到这个问题,感觉自己好无知阿!一级和二级X射线荧光产生带来很多光电子,想问的问题如标题。谢谢大家啦。
一个关于光电子能谱的资料[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=34389]光电子能谱[/url]
激光粒度仪粒度仪是用物理的方法测试固体颗粒的大小和分布的一种仪器。根据测试原理的不同分为沉降式粒度仪、沉降天平、激光粒度仪、光学颗粒计数器、电阻式颗粒计数器、颗粒图像分析仪等。激光粒度仪是通过激光散射的方法来测量悬浮液,乳液和粉末样品颗粒分布的多用途仪器。具有测试范围宽、测试速度快、结果准确可靠、重复性好、操作简便等突出特点,是集激光技术、计算机技术、光电子技术于一体的新一代粒度测试仪器。激光粒度仪的光学结构· 激光粒度仪的光路由发射、接受和测量窗口等三部分组成。发射部分由光源和光束处理器件组成,主要是为仪器提供单色的平行光作为照明光。接收器是仪器光学结构的关键。测量窗口主要是让被测样品在完全分散的悬浮状态下通过测量区,以便仪器获得样品的粒度信息。激光粒度仪的原理· 激光粒度仪是根据颗粒能使激光产生散射这一物理现象测试粒度分布的。由于激光具有很好的单色性和极强的方向性,所以在没有阻碍的无限空间中激光将会照射到无穷远的地方,并且在传播过程中很少有发散的现象。 米氏散射理论表明,当光束遇到颗粒阻挡时,一部分光将发生散射现象,散射光的传播方向将与主光束的传播方向形成一个夹角θ,θ角的大小与颗粒的大小有关,颗粒越大,产生的散射光的θ角就越小;颗粒越小,产生的散射光的θ角就越大。即小角度(θ)的散射光是有大颗粒引起的;大角度(θ1)的散射光是由小颗粒引起的。进一步研究表明,散射光的强度代表该[font=
X射线光电子能谱 , 很不错的一个ppt 课件,值得一看..大家下载吧,免积分中秋即将到来, 为庆祝中秋,发此帖,祝贺X版面红红火火,人气高高...[color=#DC143C]来到x版面的板油们 中秋快乐,两位版面,中秋快乐[/color][img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=108493]X射线光电子能谱[/url]
[color=black][font='Times New Roman','serif'][size=3][/size][/font][/color][b][color=black][font='Times New Roman','serif'][size=3]XPS[/size][/font][/color][/b][color=black][font='Times New Roman','serif'][size=3][/size][/font][/color][size=3][color=black][font='Times New Roman','serif']X [/font][/color][color=black][font=SimSun]射线光电子能谱学[/font][/color][color=black][font='Times New Roman','serif'] (XPS) [/font][/color][color=black][font=SimSun]通过使用[/font][/color][color=black][font='Times New Roman','serif'] X [/font][/color][color=black][font=SimSun]射线光束照射固体样品的表面并收集从样本表面放射的光电子光谱,来提供表面化学状态信息。通常,[/font][/color][color=black][font='Times New Roman','serif']XPS [/font][/color][color=black][font=SimSun]测量的分析深度小于[/font][/color][color=black][font='Times New Roman','serif'] 10 nm[/font][/color][color=black][font=SimSun],同时取决于逸出光电子的动能。光电子光谱包含可用于识别被检测元素化学状态的结合能信息。[/font][/color][color=black][font='Times New Roman','serif']VersaProbe [/font][/color][color=black][font=SimSun]配备了通过[/font][/color][color=black][font='Times New Roman','serif'] XPS [/font][/color][color=black][font=SimSun]进行表面成分分析、薄膜分析和成像的工具。可选附件可使用价带光谱[/font][/color][color=black][font=SimSun],扫描俄歇电子[/font][/color][/size][color=black][size=2][font=SimSun]光谱[/font][/size][/color][size=3][color=black][font=SimSun],[/font][/color][color=black][font=SimSun]并在真空条件下处理样品或样品表面改性。[/font][/color][color=black][font='Times New Roman','serif'][/font][/color][/size]最近,在调研xps从供应商那里得到了一些资料,现在拿出来与大家分享,不确定哪家公司的仪器更好?大家都来看看!我们老大认为ULVAC-PHI,没有这家公司的客户,来说这家仪器如何?[color=black][font='Times New Roman','serif'][size=3] [/size][/font][/color]
半导体激光器又称激光二极管(LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低,此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域过去常用的其他激光器,已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大,光束的发散角较大(一般在几度到20度之间),所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平,而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展,发挥更大的作用。 在气体激光器中,最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好,光束发散角小,可以连续工作,所以这种激光器的应用领域也很广泛,是应用领域最多的激光器之一,主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大,启动和运行电压高,电源复杂,维修成本高。
2013年09月07日 来源: 科技日报 作者: 李大庆 http://www.stdaily.com/stdaily/pic/attachement/jpg/site2/20130907/011378496864671_change_hzp3951_b.jpg9月4日,中科院工作人员在检查深紫外非线性光学晶体的光透度。新华社记者 马宁摄 科技日报北京9月6日电(记者李大庆)由中国科学院承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”今天在北京通过验收。这个系列科研装备的研制成功,使我国成为世界上唯一一个能够制造实用化深紫外全固态激光器的国家。 经过10多年的努力,中科院的科研人员在深紫外激光非线性光学晶体方面实现突破,在国际上首先生长出大尺寸氟硼铍酸钾晶体,并发现该晶体是第一种可用直接倍频法产生深紫外波段激光的非线性光学晶体。在此基础上,科研人员又发明了棱镜耦合技术(已获中、美、日三国专利),率先发展出直接倍频产生深紫外激光的先进技术,并全面开展新型深紫外激光科研装备的研制和学科应用研究。 2007年,财政部设立专项,对中科院深紫外固态激光源前沿装备研制予以支持。经过5年多的持续攻关,利用大尺寸氟硼铍酸钾晶体和棱镜耦合专利技术,中科院理化技术所、物理所、大连化物所和半导体所的科研人员在世界上首次研制成功8类8台集实用化、精密化于一体的深紫外固态激光源,实现了一系列关键指标的突破。利用这8台深紫外固态激光源,科研人员成功研制出了深紫外激光拉曼光谱仪、深紫外激光光化学反应仪、深紫外激光光发射电子显微镜、深紫外激光光致发光光谱仪、深紫外激光自旋分辨角分辨光电子能谱仪、光子能量可调深紫外激光光电子能谱仪、深紫外激光原位时空分辨隧道电子谱仪、基于飞行时间能量分析器的深紫外激光角分辨光电子能谱仪等8台科学仪器。 据了解,目前这8台仪器已经在石墨烯、高温超导、拓扑绝缘体、宽禁带半导体和催化剂等一系列重大研究领域中获得了重要结果:证实了Pb、O等原子可通过单层石墨烯岛的开放边界进行插层反应,实现石墨烯与衬底之间去耦合;首次发现拓扑绝缘体Bi2Se3的自旋结构和轨道结构是固定在一起;首次观测到Bi2212能量/动量谱与不同激发光子能量关系。相关研究成果已发表在国际顶级科学期刊上。 今天通过验收的包括两个平台——深紫外非线性光学晶体与器件平台和深紫外全固态激光源平台,以及深紫外激光拉曼光谱仪等8台科学仪器。验收委员会的专家认为,这些仪器设备的研制成功及在石墨烯、高温超导、拓扑绝缘体、宽禁带半导体和催化剂等研究中获得的重要成果,“使我国深紫外领域的科学研究水平处于国际领先地位,并在物理、化学、材料、信息等领域开创了一些新的多学科交叉前沿。”“该项目取得的研究成果属于原始创新工作,具有重要意义,并对继续开拓深紫外激光的应用具有十分重要的意义。” 据介绍,深紫外全固态激光源前沿装备研制项目的实施,初步打造了我国“晶体-光源-装备-科研-产业化”的自主创新链。在科技部的支持下,中科院新启动了深紫外仪器设备的产业化开发工作;在财政部的支持下,中科院也启动了深紫外固态激光源前沿装备的二期研制项目。 中科院院长白春礼在验收会上说,科研装备创新能力是衡量一个国家科技创新能力的重要标志。现代科技的进步越来越依靠科学仪器的创新和发展,科研仪器装备的突破,往往催生新的科研领域,产出重大创新成果。迄今为止,至少有1/3的诺贝尔物理和化学奖授予了那些在测试仪器和实验方法方面有重要创新的科学家。所以,我国要实现重大科学突破,不仅要有创新自信,要善于提出原创科学思想和方法,而且要发展出新的试验手段,研制出新的仪器装备。
短波长光电子与Si微电子的集成因其重大的应用价值而被广泛关注,其中硅基ZnO材料与光电子器件研究是目前国际上的一个重要课题;然而Si基高质量ZnO单晶材料的制备、器件结构的设计等问题具有很大的挑战性,这是由于Si表面具有很强的活性,极易形成无定形的氧化物与硅化物,阻碍ZnO的外延生长。另外,由于Si的能带结构与ZnO不匹配,难以获得理想的光电子器件性能。因此如何控制Si衬底表面和ZnO/Si异质界面,并设计出新型器件结构已成为这一研究方向的核心科学问题。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组经过五年多的持续攻关研究,发展了一种低温界面工程技术,并进一步设计和构筑了具有锐利界面的新型n-ZnO/i-MgO/p-Si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功Si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件。 自2004年起梅增霞副研究员和博士生王喜娜、王勇等系统研究了Si(111)-7x7清洁表面上金属Mg薄层的沉积工艺,发现只有在低温下才能抑制Si与Mg原子的界面互扩散而形成Mg(0001)单晶薄膜,进一步研究发现该单晶Mg膜可通过活性氧处理形成岩盐相的MgO(111)超薄膜,从而为两步法外延生长ZnO提供了良好的模板;通过一系列生长参数的优化,利用MBE法最终在2英寸Si晶片上制备出高质量的ZnO单晶薄膜,其结晶性和光电性能等综合指标居国际领先水平;相关论文被应用物理快报的审稿人评为最高级的“EXCELLENT”(APL,90, 151912 (2007)), 评语中指出这是一项杰出的研究工作,论文以确凿的证据展示了一种在Si衬底上制备ZnO单晶薄膜的机理与方法,而且所述利用Mg氧化获得MgO的界面技术可应用到其他硅基异质膜的制备中。这一独创性的低温界面工程技术已申请国际专利一项、国内专利两项(其中一项已获授权(ZL200610064977.5))。这一工作是与清华大学的薛其坤院士、贾金锋教授、北京工业大学的张泽院士以及中科院上海技物所的陆卫研究员课题组合作完成的。 在Si基ZnO单晶薄膜制备工艺获得突破的基础上,杜小龙研究组进一步开展了Si基ZnO光电子器件应用研究。最近,该组的郭阳副研究员和张天冲博士生等与微加工实验室的顾长志研究组合作,设计并制备了一种新型n-ZnO/i-MgO/p-Si双异质结p-i-n可见盲紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性,在±2V时的整流比达到104以上。研究发现ZnO/Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应,器件只对高于ZnO带隙(380nm)的紫外光响应,因而具有可见盲紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比,该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能,紫外光响应强,并可直接在可见光背景下工作,不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应,因而具有结构简单、性能优越等优点。相关器件的制备技术已申请国家发明专利(申 请 号: 200810227958.9),相关研究工作最近已发表在应用物理快报上(APL, 94, 113508 (2009))。 由于ZnO的生长温度较低可以与成熟的Si平面工艺兼容,因此Si基ZnO体系可提供一种将电学、光学以及声学器件进行单片集成的途径,潜在应用价值巨大。物理所独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创新研究开辟了一条新路。该项研究获得中科院知识创新工程课题、国家自然科学基金委项目以及科技部项目等资助。
[size=4][i][u][color=#fe2419][size=5]有奖征集——各类计量器具的使用寿命 [/size][/color][/u][/i]游标卡尺千分尺角度尺水准仪光学经纬仪电子天平拉力计转速表数字万用表数字绝缘电阻表照度计电子秒表光谱分析仪[/size]
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X光电子能谱分析的基本原理 一定能量的X光照射到样品表面,和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。该过程可用下式表示: hn=Ek+Eb+Er (10.3) 式中: hn:X光子的能量; Ek:光电子的能量; Eb:电子的结合能; Er:原子的反冲能量。 其中Er很小,可以忽略。对于固体样品,计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子,而是选用费米能级,由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb,由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ,剩余的能量成为自由电子的动能Ek,式(103)又可表示为: hn=Ek+Eb+Φ (10.4) Eb= hn- Ek-Φ (10.5) 仪器材料的功函数Φ是一个定值,约为4eV,入射X光子能量已知,这样,如果测出电子的动能Ek,便可得到固体样品电子的结合能。各种原子,分子的轨道电子结合能是一定的。因此,通过对样品产生的光子能量的测定,就可以了解样品中元素的组成。元素所处的化学环境不同,其结合能会有微小的差别,这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移,由化学位移的大小可以确定元素所处的状态。例如某元素失去电子成为离子后,其结合能会增加,如果得到电子成为负离子,则结合能会降低。因此,利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。 X光电子能谱法是一种表面分析方法,提供的是样品表面的元素含量与形态,而不是样品整体的成分。其信息深度约为3-5nm。如果利用离子作为剥离手段,利用XPS作为分析方法,则可以实现对样品的深度分析。固体样品中除氢、氦之外的所有元素都可以进行XPS分析。
复合电离源在单光子电离模式下可以产生分子离子信号,易于确定分子量;在光电子电离模式下,70 eV的电子能量下可以产生含有物质结构信息的碎片峰,可以实现物质的结构鉴定。两种电离模式可以实现毫秒级迅速切换。本研究中通过提高光程降低了单光子电离模式下的检测限。单光子电离模式下对苯的检测限为50 μL/m3(4秒累加时间),光电子电离模式下对SO2的检测限为20 mL/m3(4秒累加时间)。利用复合电离源的单光子电离模式分析了烷烃催化脱氢产物,成功地实现了碳链长度为8-12的烷烃,烯烃和二烯烃的在线分析和监测。此外,还利用低能电子的光电子电离模式分析了高压变压器保护气,检测了主要杂质成分,为高压变压器中故障的快速诊断提供依据。