磁光克尔效应系统

μ-Kerr Effect Measurement System磁光克尔效应系统优势1.基于微观局部磁性分析 极向和纵向克尔效应(非同步量测)2.适合敏感分析μm大小磁模式和磁性薄膜 规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect(Polar and Longitudinal Kerr Effect) 主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ2-5μm磁场Max. ±10kOe (1T)可选In-Plane Electromagnet μ-Kerr Effect Measurement and Magnetic Domain Observation System克尔效应测量和磁畴观测系统优势1．微观测量克尔效应和磁畴观测2.适合敏感分析μm大小磁模式和磁性薄膜 规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Polar and Longitudinal Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement and Magnetic Domain Observation光源Diode Laser and Mercury Lamp探测光斑φ2-5μm观察分辨率1μm (Typ.) with x50 objective lens磁场Max. ±10kOe (1T)可选Cryostat and others Polar Kerr Effect Measurement System极向磁光克尔效应系统规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Polar Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±20kOe (2T) Longitudinal Kerr Effect Measurement System纵向磁光克尔效应设备规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect (Longitudinal Kerr Effect)主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±100 Oe (0.01T) Faraday Effect Measurement System法拉第磁光克尔效应设备规格测量的方向Faraday Effect主要功能Faraday Measurement光源Diode Laser探测光斑φ2mm (Typ.)法拉第角范围:45 degree磁场Max. ±10kOe (1T) Perpendicular Magnetic Anisotropy Analysis垂直磁各向异性分析优势1.磁光克尔效应与机动旋转电磁铁磁场应用于角度依赖性分析规格测量的方向Magneto-Optical Kerr Effect主要功能Kerr Loop Measurement光源Diode Laser探测光斑φ1mm (Typ.)磁场Max. ±25kOe (2.5T)磁场旋转范围-10-100 degree

磁光克尔效应测量系统JMTS-816磁光克尔效应测量系统产品概述：磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计，是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应（RotMOKE）是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法，可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制，只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点：测量精度高、测量时间短；非接触式测量，是一种无损测量；测量范围为一个点，可以测量同一样品不同部位的磁化情况；可以产生平滑、稳定的受控磁场，并且磁场平滑过零。应用领域：广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学、磁性薄膜、磁性随机存储器、GMR/TMR等磁学领域。可测试材料：记录磁头，磁性薄膜，特殊磁介质，磁场传感器 磁光克尔效应测量系统产品特点：1测量灵敏度高，稳定性好，噪音低2非接触式测量，是一种无损测量3可以测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜4可以将样品放到真空中原位测量5可以测量同一样品不同部位的磁化情况6纵向、横向和极向克尔效应测试7三百六十度电动旋转样品，可测试样品各向异性8手动左右和上下位移样品，可测试样品表面不同点的克尔效应9样品座有电接口，可加入磁电耦合测试。磁光克尔效应测量系统技术指标:1 样品尺寸：大Φ10mm的圆 2 克尔角分辨率（δ）：0.001度；3椭偏率分辨率（ε）：0.1%；4小光斑（Φ）：10微米；5 大磁场：单维0.26特斯拉；6 样品电动角度步进0.1度，手动位移步进10微米；7噪音：1%。磁光克尔效应测量系统技术参数：1光学平台： 刚性隔震，不锈钢贴面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm阵距，150mm台板厚度，带脚轮。台面平整度0.1/1000mm，平台载荷300Kg，固有频率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。2矢量电磁铁：锦正茂二维矢量电磁铁，每维大磁场0.26T，极面直径30mm，磁场间隙40mm，中心10mm正方体内均匀区1%。3电磁铁电源：锦正茂单相双极性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，稳定性50ppm/h，对应小分辨率0.1Gauss。 4激光器： Newport 632.8nm，2mW，2%稳定度，噪音1% rms（30Hz~10MHz），通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。5起偏/检偏器：格兰-汤普森棱镜，外径25.4mm，通光孔径10mm，消光比5*10^-5，角度范围14~16°，波长范围350~2300nm。6聚焦透镜：K9双凸，设计波长633nm，外径25.4mm，焦距150mm，焦距误差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。7四分之一波片：?25.4mm，波长632.8nm，投射波前畸变λ/8，相位延迟精度λ/100。8光电传感器：15mm2感应面积，0.21A/W响应度，暗电流1nA，对430~900nm波长光敏感，分流电阻200Mohm。9电流放大器：1pA/V大增益，1MHz带宽，大输入±5mA，大输出±5V，增益精度为输出的±0.05% 10高精度电压表：六位半，小分辨率0.1μV，90天准确度达到0.002%，四位半精度下最快2000 readings/second11手动位移和电动旋转样品杆： XYZ三维位移，XY行程25mm，Z行程13mm，转动360度，样品座为直径11mm的圆，上有电接头。12计算机： 联想商用，集成多串口卡。

磁光克尔效应系统-NanoMOKE3英国Durham公司是依托于英国Durham大学的高科技企业。与Durham大学强大的磁光学研究相对应，Durham公司的Russell Cowburn教授（英国剑桥大学卡文迪许实验室主任，英国皇家科学院院士）设计并制造了灵敏度能到10-12emu且间距动态磁畴观测的磁光克尔效应系统——NanoMOKE3。NanoMOKE3是新一代超高灵敏度磁强计和克尔显微镜。在NanoMOKE2巨大成功的基础上，Nano-MOKE3在一套系统中集成了高品质激光磁强计和动态克尔显微镜。对于纵向、横向以及向磁光克尔效应都非常灵敏，使得NanoMOKE3成为研究磁性薄膜以及磁性微结构理想的测量工具。广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学和磁性薄膜等磁学领域。NanoMOKE3具有高的灵敏度和强大的测量功能，同时系统灵巧的设计以及专用的操作软件让复杂的实验过程变得简单，使您能够快速的实现自己珍贵的研究思路、获得可靠实验数据。NanoMOKE3进行了全新的升，增加了超快速的CCD，更加方便您的测试。主要技术指标： 温度范围：4.2-500 K 大磁场： 5000 Oe 推荐样品大小：1-2.5 cm 小克尔转角检出角：0.5 mdeg 小反射率变化率检出量：0.02% 主要特点：1、非常高的灵敏度和稳定性，非常低的噪音，可以探测到低至 10-12 emu 的磁矩。2、高度聚焦的激光，激光束斑达到 2 &mu m，可以轻松进行样品的局部或单个结构的性能检测。3、先进的样品定位技术。光路中集成光学显微镜以观测激光束斑的聚焦点和大小；扫描克尔显微镜可以探测样品的交流磁化率图像以及反射率图像，帮助用户选择样品的精细测量区域。4、灵活开放的系统设计。所有的光学器件都安装在一个标准光学平台上，允许用户对光学器件进行调整，满足自己的科研需要。5、任意的磁场波形控制。可以选配多种电磁体：四磁体、偶磁体以及螺线管磁体，能够轻松地在样品表面产生各种复杂的磁场。6、简单易用的专用操作控制软件 LX Pro。该软件基于微软的 Windows 系统，能够自动完成所有实验以及实验数据的处理。几种不同测试手段对比： 测试手段SQUIDVSMMFMMOKE样品要求液体,粉末,块材,薄膜液体,粉末,块材,薄膜薄膜，表面抛光的块材薄膜，表面抛光的块体测量内容MT，MHMT，MH磁畴图像磁滞回线，磁畴图像，材质分布测试精度非常高较高较高M不可定量，灵敏度高，磁畴形貌不及MFM宏观/微观宏观磁性宏观磁性微观微观磁畴不能不能静态静态/动态磁畴各向异性可以转角测试不能测试不可以可以NanoMOKE3丰富的测试功能：单点loop功能区域mapping功能Rastering磁畴成像功能高速CCD磁畴成像功能反射率成像功能原理变化磁场下对单点快速进行向或纵向克尔信号扫描测量在变化磁场下，对待测区域内各点进行loop测量，然后对loop面积积分进而得出区域各点磁性性质，进而获得磁性分布图在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量在固定磁场下，用快速扫描的激光照在待测区域，通过光学CCD对整个待测区域的所有点的克尔信号测量在进行其他测的同时，获得样品表面的反射光强信号。获得同磁畴形貌同一区域的外观形貌特点不同温度下，直接获得克尔信号随磁场变化的Loop不同温度下，获得区域磁性分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，获得区域磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，快速获取磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量无需时间专门测量，跟其他形貌图形同时获得应用可判断易/难磁化轴，矫顽力，磁学性质获得区域各点的磁性信息、可用于研究各向异性。变温测量区域静态磁畴、动态磁畴的测量。变温变场测量快速观测静态磁畴和动态磁畴与磁畴形貌做对比分析，进行光功率扰动磁畴图像修正，判断克尔信号的噪声等精度利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用CCD转换器利用光电转换器测量，精度非常高部分测试数据：Pattern，磁畴和动态磁畴的观测： ◆ 使用快速的rastering模式来探测样品表面的Pattern ◆ 通过测试Loop功能来检测样品的难/易轴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁畴，利用NanoMOKE3可以观测动态磁畴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁性能，从中我们可以检测样品的mapping各项异性 开放灵活的设计：我公司为客户提供多种拓展选件，预留光源输入窗，可使用其他光源；另外配备了低温和高磁场下的磁光克尔效应测试选件，下图为我公司为客户配备的Montana恒温器。在软件上的接口同样丰富，用户可以轻松的完成与其他实验设备的对接和控制。

磁光克尔效应系统-NanoMOKE3英国Durham公司是依托于英国Durham大学的高科技企业。与Durham大学强大的磁光学研究相对应，Durham公司的Russell Cowburn教授（英国剑桥大学卡文迪许实验室主任，英国皇家科学院院士）设计并制造了灵敏度能到10-12emu且间距动态磁畴观测的磁光克尔效应系统——NanoMOKE3。NanoMOKE3是新一代超高灵敏度磁强计和克尔显微镜。在NanoMOKE2巨大成功的基础上，Nano-MOKE3在一套系统中集成了高品质激光磁强计和动态克尔显微镜。对于纵向、横向以及向磁光克尔效应都非常灵敏，使得NanoMOKE3成为研究磁性薄膜以及磁性微结构理想的测量工具。广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学和磁性薄膜等磁学领域。NanoMOKE3具有高的灵敏度和强大的测量功能，同时系统灵巧的设计以及专用的操作软件让复杂的实验过程变得简单，使您能够快速的实现自己珍贵的研究思路、获得可靠实验数据。NanoMOKE3进行了全新的升，增加了超快速的CCD，更加方便您的测试。主要技术指标： 温度范围：4.2-500 K 大磁场： 5000 Oe 推荐样品大小：1-2.5 cm 小克尔转角检出角：0.5 mdeg 小反射率变化率检出量：0.02% 主要特点：1、非常高的灵敏度和稳定性，非常低的噪音，可以探测到低至 10-12 emu 的磁矩。2、高度聚焦的激光，激光束斑达到 2 μm，可以轻松进行样品的局部或单个结构的性能检测。3、先进的样品定位技术。光路中集成光学显微镜以观测激光束斑的聚焦点和大小；扫描克尔显微镜可以探测样品的交流磁化率图像以及反射率图像，帮助用户选择样品的精细测量区域。4、灵活开放的系统设计。所有的光学器件都安装在一个标准光学平台上，允许用户对光学器件进行调整，满足自己的科研需要。5、任意的磁场波形控制。可以选配多种电磁体：四磁体、偶磁体以及螺线管磁体，能够轻松地在样品表面产生各种复杂的磁场。 6、简单易用的专用操作控制软件 LX Pro。该软件基于微软的 Windows 系统，能够自动完成所有实验以及实验数据的处理。几种不同测试手段对比： 测试手段SQUIDVSMMFMMOKE样品要求液体,粉末,块材,薄膜液体,粉末,块材,薄膜薄膜，表面抛光的块材薄膜，表面抛光的块体测量内容MT，MHMT，MH磁畴图像磁滞回线，磁畴图像，材质分布测试精度非常高较高较高M不可定量，灵敏度高，磁畴形貌不及MFM 宏观/微观宏观磁性宏观磁性微观微观磁畴不能不能静态静态/动态磁畴各向异性可以转角测试不能测试不可以可以NanoMOKE3丰富的测试功能： 单点loop功能区域mapping功能Rastering磁畴成像功能高速CCD磁畴成像功能反射率成像功能原理变化磁场下对单点快速进行向或纵向克尔信号扫描测量在变化磁场下，对待测区域内各点进行loop测量，然后对loop面积积分进而得出区域各点磁性性质，进而获得磁性分布图在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量在固定磁场下，用快速扫描的激光照在待测区域，通过光学CCD对整个待测区域的所有点的克尔信号测量在进行其他测的同时，获得样品表面的反射光强信号。获得同磁畴形貌同一区域的外观形貌特点不同温度下，直接获得克尔信号随磁场变化的Loop不同温度下，获得区域磁性分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，获得区域磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，快速获取磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量无需时间专门测量，跟其他形貌图形同时获得应用可判断易/难磁化轴，矫顽力，磁学性质获得区域各点的磁性信息、可用于研究各向异性。变温测量区域静态磁畴、动态磁畴的测量。变温变场测量快速观测静态磁畴和动态磁畴与磁畴形貌做对比分析，进行光功率扰动磁畴图像修正，判断克尔信号的噪声等精度利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用CCD转换器利用光电转换器测量，精度非常高部分测试数据：Pattern，磁畴和动态磁畴的观测： ◆ 使用快速的rastering模式来探测样品表面的Pattern ◆ 通过测试Loop功能来检测样品的难/易轴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁畴，利用NanoMOKE3可以观测动态磁畴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁性能，从中我们可以检测样品的mapping各项异性 开放灵活的设计：我公司为客户提供多种拓展选件，预留光源输入窗，可使用其他光源；另外配备了低温和高磁场下的磁光克尔效应测试选件，下图为我公司为客户配备的Montana恒温器。在软件上的接口同样丰富，用户可以轻松的完成与其他实验设备的对接和控制。

磁光克尔效应系统-NanoMOKE3英国Durham公司是依托于英国Durham大学的高科技企业。与Durham大学强大的磁光学研究相对应，Durham公司的Russell Cowburn教授（英国剑桥大学卡文迪许实验室主任，英国皇家科学院院士）设计并制造了灵敏度能到10-12emu且间距动态磁畴观测的磁光克尔效应系统——NanoMOKE3。NanoMOKE3是新一代超高灵敏度磁强计和克尔显微镜。在NanoMOKE2巨大成功的基础上，Nano-MOKE3在一套系统中集成了高品质激光磁强计和动态克尔显微镜。对于纵向、横向以及向磁光克尔效应都非常灵敏，使得NanoMOKE3成为研究磁性薄膜以及磁性微结构理想的测量工具。广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学和磁性薄膜等磁学领域。NanoMOKE3具有高的灵敏度和强大的测量功能，同时系统灵巧的设计以及专用的操作软件让复杂的实验过程变得简单，使您能够快速的实现自己珍贵的研究思路、获得可靠实验数据。NanoMOKE3进行了全新的升，增加了超快速的CCD，更加方便您的测试。主要技术指标： 温度范围：4.2-500 K 大磁场： 5000 Oe 推荐样品大小：1-2.5 cm 小克尔转角检出角：0.5 mdeg 小反射率变化率检出量：0.02% 主要特点：1、非常高的灵敏度和稳定性，非常低的噪音，可以探测到低至 10-12 emu 的磁矩。2、高度聚焦的激光，激光束斑达到 2 μm，可以轻松进行样品的局部或单个结构的性能检测。3、先进的样品定位技术。光路中集成光学显微镜以观测激光束斑的聚焦点和大小；扫描克尔显微镜可以探测样品的交流磁化率图像以及反射率图像，帮助用户选择样品的精细测量区域。4、灵活开放的系统设计。所有的光学器件都安装在一个标准光学平台上，允许用户对光学器件进行调整，满足自己的科研需要。5、任意的磁场波形控制。可以选配多种电磁体：四磁体、偶磁体以及螺线管磁体，能够轻松地在样品表面产生各种复杂的磁场。 6、简单易用的专用操作控制软件 LX Pro。该软件基于微软的 Windows 系统，能够自动完成所有实验以及实验数据的处理。几种不同测试手段对比： 测试手段SQUIDVSM MFMMOKE样品要求液体,粉末,块材,薄膜液体,粉末,块材,薄膜薄膜，表面抛光的块材薄膜，表面抛光的块体测量内容MT，MHMT，MH磁畴图像磁滞回线，磁畴图像，材质分布测试精度非常高较高较高M不可定量，灵敏度高，磁畴形貌不及MFM宏观/微观宏观磁性宏观磁性微观微观磁畴不能不能静态静态/动态磁畴各向异性可以转角测试不能测试不可以可以NanoMOKE3丰富的测试功能： 单点loop功能区域mapping功能Rastering磁畴成像功能 高速CCD磁畴成像功能反射率成像功能原理变化磁场下对单点快速进行向或纵向克尔信号扫描测量在变化磁场下，对待测区域内各点进行loop测量，然后对loop面积积分进而得出区域各点磁性性质，进而获得磁性分布图在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量在固定磁场下，用快速扫描的激光照在待测区域，通过光学CCD对整个待测区域的所有点的克尔信号测量 在进行其他测的同时，获得样品表面的反射光强信号。获得同磁畴形貌同一区域的外观形貌特点不同温度下，直接获得克尔信号随磁场变化的Loop不同温度下，获得区域磁性分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，获得区域磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量不同温度下，快速获取磁畴分布信息，可以进行向或纵向克尔效应的测量无需时间专门测量，跟其他形貌图形同时获得 应用可判断易/难磁化轴，矫顽力，磁学性质获得区域各点的磁性信息、可用于研究各向异性。变温测量区域静态磁畴、动态磁畴的测量。变温变场测量快速观测静态磁畴和动态磁畴与磁畴形貌做对比分析，进行光功率扰动磁畴图像修正，判断克尔信号的噪声等精度利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用光电转换器测量，精度非常高利用CCD转换器利用光电转换器测量，精度非常高部分测试数据：Pattern，磁畴和动态磁畴的观测： ◆ 使用快速的rastering模式来探测样品表面的Pattern ◆ 通过测试Loop功能来检测样品的难/易轴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁畴，利用NanoMOKE3可以观测动态磁畴 ◆ 不同的颜色代表不同的磁性能，从中我们可以检测样品的mapping各项异性 开放灵活的设计：我公司为客户提供多种拓展选件，预留光源输入窗，可使用其他光源；另外配备了低温和高磁场下的磁光克尔效应测试选件，下图为我公司为客户配备的Montana恒温器。在软件上的接口同样丰富，用户可以轻松的完成与其他实验设备的对接和控制。

多功能磁光克尔显微成像系统-综合测试平台是利用磁光克尔效应，直接观测磁性材料和器件中的磁化状态的光学显微成像设备。与传统的电学测试相比，磁光克尔显微成像测试能清晰直观了解样品内的磁化状态空间分布和时间演化，适用于磁性材料和自旋电子器件的测试和产品研发。多功能探针台多功能磁光克尔显微成像系统-综合测试平台能够提供面内、垂直磁场及多对直流/高频探针-磁光成像与自旋输运测试完美结合!最大1.4 T垂直磁场,1T面内磁场,4.2 K-835 K变温,可用于硬磁材料成像研究。多功能控制系统1、测试信号控制垂直/面内磁场/电流/微波等多路信号 μS级别同步施加各信号的波形、幅度、频率、相对延时等参数轻松调节2、图像处理实时作差消背底噪声自动纠正震动漂移等3、信号解析电流、磁场测试信号的实时显示基于克尔图像分析，对样品局域(220 nm)或全局做磁滞回线扫描磁场探针台 多功能磁光克尔显微成像系统-综合测试平台面内磁场:最大1T,控制精度1 uT三路垂直磁铁任意切换:磁场1:最大1.4T,控制精度1 uT磁场2:最大30 mT,反应速度50 μs磁场3:最大50 mT,反应速度0.5 us最多可配置4个直流/高频探针，可配置6221/2182仪表,兼容电输运测试，配置输运与次成像同步软件其他功能分析全局或者局部(220 nm)克尔图像,获得磁滞回线磁滞回线的横轴可以为面内、垂直磁场或者电流等任意激励信号可配置变温系统:4.2 K-835K温度可调搭配磁电阻测量等输运测试系统和软件预留各种接口，可根据实验需求自主改装

产品简介当前通用的磁光克尔测试方法主要分为两种，一种是以激光和光电探测为主的MOKE高精度磁滞回线扫描,另一种是将光学成像技术与磁光克尔效应结合,形成高分辨率磁光克尔显微镜。前者具有高精度优势,但不具备空间成像能力和微区定点探测能力 后者则具有高分辨率成像和微区探测能力，但由于采用相机作为信号采集单元，探测精度不如前者。低温强磁场激光克尔显微成像系统-二维铁磁材料表征利器是针对二维铁磁材料磁性弱样品尺寸小、部分样品不导电、矫顽场高、居里温度低等特性开发的一款功能强大的表征系统,低温强磁场激光克尔显微成像系统-二维铁磁材料表征利器磁性探测精度高、能够微区定点测量和光斑位置定位、具备较高磁场和宽温区变温，可以满足大部分维铁磁材料的磁特性表征需求。主要技术指标激光光斑:5 umMOKE测试:可测试面内和垂直磁各向异性样品，克尔转角分辨率优于1mdeg磁场范围：最大1.4T变温范围:5 K-800 K

多功能磁光克尔显微成像系统KMPL-Spin-X是利用磁光克尔效应，直接观测磁性材料和器件中的磁化状态的光学显微成像设备。与传统的电学测试相比，磁光克尔显微成像测试能清晰直观了解样品内的磁化状态空间分布和时间演化，适用于磁性材料和自旋电子器件的测试和产品研发。多功能探针台多功能磁光克尔显微成像系统KMPL-Spin-X能够提供面内、垂直磁场及多对直流/高频探针-磁光成像与自旋输运测试完美结合!最大1.4 T垂直磁场,1T面内磁场,4.2 K-835 K变温,可用于硬磁材料成像研究。多功能控制系统1、测试信号控制垂直/面内磁场/电流/微波等多路信号 μS级别同步施加各信号的波形、幅度、频率、相对延时等参数轻松调节2、图像处理实时作差消背底噪声自动纠正震动漂移等3、信号解析电流、磁场测试信号的实时显示基于克尔图像分析，对样品局域(220 nm)或全局做磁滞回线扫描磁场探针台 多功能磁光克尔显微成像系统KMPL-Spin-X面内磁场:最大1T,控制精度1 uT三路垂直磁铁任意切换:磁场1:最大1.4T,控制精度1 uT磁场2:最大30 mT,反应速度50 μs磁场3:最大50 mT,反应速度0.5 us最多可配置4个直流/高频探针，可配置6221/2182仪表,兼容电输运测试，配置输运与次成像同步软件其他功能分析全局或者局部(220 nm)克尔图像,获得磁滞回线磁滞回线的横轴可以为面内、垂直磁场或者电流等任意激励信号可配置变温系统:4.2 K-835K温度可调搭配磁电阻测量等输运测试系统和软件预留各种接口，可根据实验需求自主改装

高分辨率磁光克尔显微镜产品负责人：姓名：谷工(Givin)电话：（微信同号）邮箱：当一束线偏振光照被磁性介质反射后，反射光的偏振面相对于入射光的偏振面有一个小的角度偏转（克尔旋转角），这一现象被称为磁光克尔效应。该效应与显微成像技术结合组成磁光克尔显微镜，被广泛应用于磁性材料磁性测量，磁畴观察等。 由于该设备可进行无损探测、灵敏度高、在极端环境下原位测量等优点是被越来越多的科研人员采用。为满足日益增长的市场需求昊量光电推出了高性价比的磁光克尔显微镜。其主要原理是：一束面光源经过起偏器，转变为线偏振光，照射到样品上，由于样品内磁畴的存在使样品各个区域内磁化强度和方向不同，因此不同区域对线偏振光，偏振面的改变各不相同。因此当反射光通过检偏器后光斑的强度分布不同，从而得到样品的磁畴结构。为了获得更高的灵敏度，优异的磁畴成像效果等该系统做了以下优化。1）采用高亮度窄带LED光源。尽管理论上磁光克尔效应的对比度可以无限高，但是多个波长偏振像差的组合通常会大大降低偏振的纯度。因此传统的克尔显微镜经常报道磁光克尔对比度几乎观察不到。一个主要的原因就是因为使用宽谱的照明光源。因为磁光效应引起的克尔旋转量与光源波长数量成反比，宽谱光源会产生相同宽谱的线偏振，也就是说，光偏振不是完美的线性，观察到的磁对比度也会降低。因此为了克服由于光源带来的相差，我们经过多组测试，选取了FWHM为50nm的超亮LED光源，可获得很强的对比度，并且拥有较高的使用寿命。2）图像自动校正功能通常为了获得较弱磁性材料的对比度，市面上磁畴观察设备通常会采用图像差分处理来获得较高对比度，即使用拍摄到的图像减去背底图片。该方法通常可以将信号增强10倍以上。但是由于在施加磁场的过程中样品的位置会发生偏移，会大大影响差分处理效果，甚至出现错误。为了消除样品的移动，设备会通过快速像素相位算法确定样品漂移，然后通过压电促动器实时校正位置。同时该帧位移的图像在软件中也会实时修正，校正后的图像位移量不大于0.2个像素（8nm）3）特殊设计的电磁铁通常磁畴观察显微镜中的电磁铁设计是一个具有挑战性的话题，必须要有一些取舍。为了获得较高的分辨率，因此要使用大倍率的物镜，放置在靠近样品的位置。这对电磁铁强加以一个空间限制，并限制了生产磁场的强度。其次，磁铁产生的磁通量会通过物镜，引起法拉第效应，从而降低成像对比度。我们通过革新的磁通量闭合式设计从而巧妙的解决了这两个问题。通过对电磁铁的磁场测量，我们可以发现，磁铁的磁场提高了4倍，但是通过物镜的磁场强度却降低了8倍。产生磁场的均匀性在4mm范围内也达到了0.5%的水平。4）高灵敏度，高分辨率成像相机对于磁光克尔显微镜，样品反射的光通过检偏器，仅仅只有百分之一的入射光达到相机传感器。因此对于磁畴成像系统，相机的灵敏度就体现的尤为重要。因此为了达到成像效果，我们选取了再该波段下量子效率高达78%，并且具有20兆像素的背照式相机。从而获得高分辨率，高信噪比的图像。此外该设备不但可以获得样品磁畴图片，还可以根据样品磁畴图像同时获得样品的磁滞回线分析。产品参数：Light source2200 Lumens ultrabright LED lampCamera6.4 Megapixel @ 60FPS 78% Quantum efficiencyResolution300nmMagnetic Field 1T(Perpendicular)/0.5T(Longitudina)Power Requirement230VAC ± 10%, 13Amp Single PhaseSize / WeightMain System: 60 x 50 x 1500px, 25kgPower Supply Tower: 60 x 60 x 750px, 10kg实例：1)1nm CoFeB磁性薄膜2）4种灰度：垂直磁化磁隧道结多级磁畴（4 shades of grey: Multilevel stripe domains on a perpendicularly magnetized magnetic tunnel junction stack）3）[Pt/Co/Fe/Ir]x2 堆栈手性磁畴（Chiral stripes (and skyrmions)on a [Pt/Co/Fe/Ir]x2 stack）4）Heusler 合金薄膜中的垂直磁化的磁畴反转（Domain reversal in a perpendicularly magnetized Heusler alloy thin film）5）同时施加磁场和电流6）电流诱导的磁畴远动的准实时观测7）CoFeB多层材料退磁过程的实时观测

--研究磁畴快速、有效的最佳方案 品牌：卡尔蔡司型号：Axio scope（偏光） + 电磁附件Axio Imager （偏光）+ 电磁附件制造商：德国卡尔蔡司公司经销商：北京普瑞赛司仪器有限公司产地：德国联系方式：显微镜部分要求： LED照明360°可旋转起偏带λ板检偏，且λ板及检偏均可调变倍器锥光高倍偏光物镜及油镜 特点n 最高配置卡尔蔡司偏光显微镜n 可调节大小并能控制入射光方向的孔径光栅滑尺（如下图）n 可调节的补偿器及偏光器n 外置可旋转、调节电磁场，磁场达800kA/m。n 交流、直流 ，用于研究动态及静态磁化过程n 可X、Y方向移动并可锁死的特殊样品载物台n 稳定高亮度的Colibri LED照明n 专业的磁畴采集分析控制软件 主要应用磁性材料的宏观性能取决于材料磁畴结构和变化方式，对磁畴结构和变化方式的观测是铁磁学、信息科学和磁性材料与器件等学科领域的基础性研究之一。磁畴观测不但可以使我们了解铁磁体内部磁畴分布，更重要的是可以为磁化动力学研究、材料改性、新器件的开发提供理论基础。观察磁性材料自发磁畴结构。蔡司磁畴显微镜就是利用了克尔磁光现象来研究磁畴变化的系统，具体应用如下：研究连续动态加磁场下磁畴结构变化；研究连续动态外加磁场下磁畴壁位移及磁畴壁测量；观察磁性材料在磁化和退磁过程中磁畴的形成、长大或合并，畴内磁矩的转动等；研究不同磁性材料的磁滞回线，如矫顽力的测定，磁饱和强度，剩磁等测定；退磁场能的研究；居里温度的测定，不同温度下磁畴结构的研究；磁致伸缩现象的研究； 蔡司克尔磁光显微镜基本原理克尔磁光效应法磁光效应是指当一束线偏振光穿过磁性材料或在磁性材料表面反射时，透射光或反射光的偏振面相对于入射光的偏振面偏转一定角度的现象。其中对于反射的情况，称为克尔效应；对于透射的情况，称为法拉第效应。优点：（1）材料的磁畴结构几乎没有影响，不受材料性能的限制，可在不同温度下进行测量。（2）有些材料的畴壁较厚，畴与畴壁间的界限不明显，表面散磁场很小，粉纹不易集中。对于这种情况，磁光效应法是一种有效的方法。（3）磁光效应也可以动态追踪磁畴结构在外磁场作用下的变化过程，因此在磁畴观测方面被广泛采用。 显微镜部分要求：LED照明360°可旋转起偏带λ板检偏，且λ板及检偏均可调变倍器锥光高倍偏光物镜及油镜n 电磁附件：（由德国Evico公司提供）大理石底板载物台及支架电磁场及支架电磁场各附件高速CCD软件可调节大小及入射光方向的孔径光阑

晶圆级磁光克尔测量仪利用极向磁光克尔效应(MOKE)，快速全局检测晶圆膜堆的磁性。非接触式测量，避免了传统磁性表征对晶圆的破坏，可应用于图形化前后的样品检测。晶圆级垂直磁光克尔测量仪样品尺寸:最大支持12 英寸及以下晶圆碎片测试:磁场:最大垂直磁场优于2.5T,磁场分辨率1 μT 磁性检测灵敏度:克尔转角检出度优于0.3mdeg(RMS)，适用多层膜堆的磁性表征 样品重复定位精度:优于1um,静态抖动0.25 um。晶圆级面内磁光克尔测量仪样品尺寸:最大支持12 英寸及以下晶圆碎片测试，磁场:最大面内磁场优于1.4T,磁场分辨率1 μT 磁性检测灵敏度:克尔转角检出度优于0.3mdeg(RMS),适用多层膜堆的磁性表征 样品重复定位精度:优于1 um,静态抖动0.25 um 样品360°任意角度旋转。功能及应用场景垂直/面内MRAM磁性存储器、磁传感器膜堆的磁滞回线测量 自动提取磁滞回线信息,，如自由层和钉扎层Hc、Hex、Ms等 可自动进行连续逐点扫描，生成晶圆磁特性分布图 系统预置多点扫描模式:单点、阵列、径向分布,自定义位置列表 系统提供手动加载或全自动操作方式,满足研发/生产需求。

一, 基于激光的GHz声波振动观测系统 MLD-101系列基于激光的观测系统，专门设计用于显示基于电介质/压电的高频设备的表面声波 surface acoustic wave（SAW）和体声波 Bulk Acoustic Wave（BAW），如SAW滤波器（Interdigital Transducer 叉指换能器 IDT）和薄膜体声波谐振器（FBAR）基于激光的GHz声波振动观测系统 MLD-101系列,基于激光的GHz声波振动观测系统 MLD-101系列产品特点适用于不同频率下物理声波传播的分析短时间广域观测通用参数图像 FFT & IFFT 处理观察示例IDTFBAR参数振动检测方法基于Sagnac干涉仪的振动检测(峰值频率灵敏度:5GHz)振动观察法用激光光束探测的台控扫描观测(面外振动)观测光源二极管激光器(波长:650nm典型)，照明LED可用物镜×20、×50、×100 物镜 可观察到的频率500MHz ～ 6GHz (Typ.)驱动信号输入范围*1500MHz～6GHz (-120dBM～＋15dBM) *2Max. 可分析区域25mm × 25mm容许工作量Max. 8英寸晶圆片样品台电动X-Y型载物台主要软件功能基于采样阶段控制的预设区域扫描观测2维 &hArr 3维观察结果指示(in Movie)二维FFT&hArr FFT图象处理基于FFT结果的特定振动共振模式滤波面外轴倾角校正基于预设频率表的连续数据采集构造主体/电气单元/信号发生器/锁相放大器/级驱动器/ PC /软件*1 提供高频探测装置。(手动探测)*2 提供输入信号放大器。二, 用于晶圆的纵向克尔效应量测系统 BH-618SK用于8英寸或12英寸晶圆的硬盘磁头和磁传感器目标映射测量的非接触式评估系统。用于晶圆的纵向克尔效应量测系统 BH-618SK,用于晶圆的纵向克尔效应量测系统 BH-618SK通用参数光源二极管激光器（408nm 或 650nm）测量克尔效应纵向克尔效应激光光斑直径φ2mm磁场面内方向：Max. ±2kOe (±0.2T)晶圆尺寸8 英寸或 12 英寸晶圆测量示例

晶圆级磁光克尔测量仪利用极向磁光克尔效应(MOKE)，快速全局检测晶圆膜堆的磁性。非接触式测量，避免了传统磁性表征对晶圆的破坏，可应用于图形化前后的样品检测。晶圆级垂直磁光克尔测量仪样品尺寸:最大支持12 英寸及以下晶圆碎片测试:磁场:最大垂直磁场优于2.5T,磁场分辨率1 μT 磁性检测灵敏度:克尔转角检出度优于0.3mdeg(RMS)，适用多层膜堆的磁性表征 样品重复定位精度:优于1um,静态抖动0.25 um。晶圆级面内磁光克尔测量仪样品尺寸:最大支持12 英寸及以下晶圆碎片测试，磁场:最大面内磁场优于1.4T,磁场分辨率1 μT 磁性检测灵敏度:克尔转角检出度优于0.3mdeg(RMS),适用多层膜堆的磁性表征 样品重复定位精度:优于1 um,静态抖动0.25 um 样品360°任意角度旋转。功能及应用场景垂直/面内MRAM磁性存储器、磁传感器膜堆的磁滞回线测量 自动提取磁滞回线信息,，如自由层和钉扎层Hc、Hex、Ms等 可自动进行连续逐点扫描，生成晶圆磁特性分布图 系统预置多点扫描模式:单点、阵列、径向分布,自定义位置列表 系统提供手动加载或全自动操作方式,满足研发/生产需求。

一, 克尔环路测量和域观测系统 BH-1071 系列用于动态（实时）磁畴观测和显微克尔环测量的组合系统。克尔环路测量和域观测系统 BH-1071 系列,克尔环路测量和域观测系统 BH-1071 系列通用参数光源二极管激光器（408nm 或 650nm）高亮度白光 LED目标克尔效应极向克尔效应纵向克尔效应空间分辨率φ2μm*带 x50 放大倍率，极地克尔效应可用放大倍率×20、×50*也可提供其他放大倍数。可用磁场平面外方向：Max. ±10kOe (±1T)面内方向：Max. ±10kOe (±1T)数据示例二, 微型克尔环路测量系统 BH-PI920 系列基于二极管激光器的克尔环路测量系统。可进行几微米尺度的显微局部测量。微型克尔环路测量系统 BH-PI920 系列,微型克尔环路测量系统 BH-PI920 系列通用参数光源二极管激光器 (408nm) *可提供其他波长。测量克尔效应极向克尔效应纵向克尔效应激光光斑直径φ2μm *带 x50 放大倍率，极坐标克尔测量可用放大倍率×20、×50 *也可提供其他放大倍数。可用磁场平面外方向：Max. ±20kOe (±2T)面内方向：Max. ±7kOe (±0.7T)测量示例克尔滞后环（带 x50 物镜）

自旋电子学经过数十年的发展，在许多领域都有了卓著的表现。从传感器，到非易失性磁存储，再到新材料的特性研究，自旋电子学不仅是当前科学研究的热点，也被工业界广泛重视。磁畴的直接观测与记录，对于材料的研究有着重要的意义 对磁畴运动过程的剖析，不仅直观的展现了磁性翻转，而且有助于分析物理过程的机理。相较于传统的单点磁滞回线测量仪，磁光克尔综合测试平台，可以追踪平面内数百万点的实时磁性动态信息。结合该测试平台提供的直流探针，高频探针，样品的测试无比便捷。当下自旋电子学或磁学的研究，已经由磁性驱动的翻转，发展到了直流电流驱动、脉冲电流驱动、微波脉冲驱动、光驱动等一系列的激励源作用下的深度研究。磁光克尔显微镜综合测试设备，显微磁畴空间分辨率优于0.5微米，磁光克尔角分辨率优于0.1毫度，支持极向克尔、纵向克尔、横向克尔三种磁光克尔效应测量方式。在追踪平面内数百万点的磁畴动态信息的同时，可搭配探针台实现电学、磁学、光学同步观测。广泛应用于磁学和自旋电子学领域中磁光克尔效应，磁滞回线，磁畴翻转或扩展等观测。智能照明系统● 光源稳定且均匀● 具备极向，纵向和横向测试能力● 高亮度（4倍于市场上产品）多功能显微系统● 线偏振光和圆偏振光● 提高相差畸变矫正● 电动显微聚焦矢量磁场系统 ● 垂直磁场模式可达1.4T @1cm 间隙● 面内磁场可达1.0T @1cm，0.36T @4cm 间隙适配低温恒温器；面内矢量磁场模式可达0.35T● 面垂直磁场和面内磁场可快速切换高端相机● 超动态范围30000：1（十倍提升）● 高量子效率80%（1.2倍提升）● 高速摄像和高分辨率直流 / 交流探针● 与外接电表匹配（6221，2400等）● 配合高频电表● 配合引线键合器件高端光学平台 ●气浮隔振●电子主动反馈隔振

普克尔斯盒(Pockels Cells) 应用:高重复频率激光器Q-switching应用：1 kHz – 1 MHz高重复频率激光器脉冲选择器特性:与BBO普克尔斯盒相比，所需HV电压小两倍可在高负荷强度下连续工作超低压电振铃效应标准产品孔径：3×3，4×4，6×6，8×8EKSMA OPTICS的新型PCK系列KTP普克尔斯盒基于特殊生长的高抗性KTP晶体。与RTP相比，KTP晶体具有非常良好的光学均匀性和高损伤阈值。其卓越的性能可胜任高负荷强度工作，并能在高电压条件下长时间稳定运行。

产品介绍:磁光柯尔效应量测仪 LSMC-750是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计，是研究磁性薄膜、磁性微结构的局部磁特性的理想测量工具。由于样品磁光柯尔效应的磁性信号主要来自于光斑照射的区域，因此磁光柯尔效应测量系统具有良好的局域性，可以实现在微米区域内材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作为“探针”，不会对样品造成损伤，被广泛的应用于磁性纳米技术、磁性薄膜、磁性微结构等磁学领域。磁光柯尔效应量测仪 LSMC-750特点：磁仪创新搭配，减少人力操作及运算时间；温度范围在室温至900 K范围内连续可调；可排除掉光源功率变化的影响，提高系统的量测精度和稳定性。磁光柯尔效应量测仪 LSMC-750参数：磁场强度2T光源LED(90 W)入射光偏振方向P型/S型柯尔效应测量类型L-MOKE/T-MOKE灵敏度0.001°可测样品大小10×10mm物镜×50尺寸47 cm*42 cm*16 cm磁光柯尔效应量测仪 LSMC-750产品系统描述：1.磁场系统 1-1. 电磁铁 ( 气隙小于10mm时，磁场强度可达1.2T ) 1-2. 电源供应器 ( 功率750 Watts ) 1-3. 内建高斯计 ( 量测范围 : 30k 高斯到 1 高斯 )2.光学与影像系统 2-1. 侦测雷射光点大小约2 um 且可侦测局部小区域内的磁滞回线 2-2. 自动成套光学系统，不需繁杂的调校过程，只要放好样品调整焦距，就可以开始使用程式自动量测3. 控制系统 3-1. 内建计算机 (附微软作业系统) 3-2. 内建软件介面，容易操作执行数据量测及分析( 可自动量测磁滞回线，自动找出材料之初始磁化曲线、矫顽场…等参数，亦可自动执行及量测去磁过程。) 3-3. 内建高精度数据量测系统4. 其他 4-1. 液晶显示器 4-2. 键盘及鼠标测试结果：

应用: 高重复频率激光器Q-switching应用：1 kHz – 1 MHz 高重复频率激光器脉冲选择器特性: 与BBO普克尔斯盒相比，所需HV电压小两倍 可在高负荷强度下连续工作超低压电振铃效应标准产品孔径：3×3，4×4，6×6，8×8EKSMA OPTICS的新型PCK系列KTP普克尔斯盒基于特殊生长的高抗性KTP晶体。与RTP相比，KTP晶体具有非常良好的光学均匀性和高损伤阈值。其卓越的性能可胜任高负荷强度工作，并能在高电压条件下长时间稳定运行。

产品名称：EKSMA普克尔斯盒PCK6产品型号：PCK6产品介绍普克尔斯盒是一种用于激光束偏振控制的电光调制器。普克尔斯盒的关键元件是电光晶体，当向其施加高电压时，电光晶体会产生或改变双折射率。电场在材料中引起的双折射或折射率变化被称为电光效应或波克尔效应。电光效应仅在非 对称晶体中观察到。性能特点 与双BBO Pockels盒相比，HV要求小两倍以上 在低频率的高工作循环下工作 与DKDP晶体相比，压电谐振非常低 标准可用孔径：4x4和6x6 mm技术参数产地：立陶宛净孔径：Ø 5.5 mm晶体尺寸（宽x高x长）：6 x 6 x 10 mm晶体数量：2半波电压（@1064 nm）：2.8 kV DC电容：6 pF光传输：98 %对比度：1:500尺寸：Ø 25.4 x 42.2 mm元件：电光晶体产品尺寸产品应用普克尔斯盒的典型应用是激光腔的Q开关、激光腔倾倒、脉冲拾取、光耦合到再生放大器和从再生放大器耦合出的光、连续波激光束斩波。

电光Q开关/普克尔盒姓名：吴工 (Sam)电话：（微信同号）邮箱：G&H是一家晶体生产商，拥有数十年的光电设备设计经验。生产一系列的普克尔盒，适用于从紫外线到红外线的各种波长。平均功率、重复频率和设计配置等因素决定了不同的设备组合。利用专有的晶体生长、制造和抛光技术，G&H在偏硼酸钡(BBO)、碲化镉(CdTe)、磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(KD*P)中制造纵向和横向电极结构的普克尔盒。G&H提供行业标准的QX系列KD*P型，经济型IMPACT系列KD*P型普克尔盒，LightGate系列BBO型普克尔盒，IRX系列CdTe型普克尔盒，以及大口径TX系列KD*P型普克尔盒。 KD * P普克尔盒当外加电压引起电光晶体(如KD*P和BBO)的双折射变化时，普克尔盒会改变通过它的光的偏振状态。当与偏振器一起使用时，这些普克尔盒可以起到光开关或激光q开关的作用。通常情况下，激光腔内会加入q开关以缩短输出脉冲，从而产生峰值强度增强的光束。普克尔盒有两种设计结构 横向和纵向。横向普克尔盒是在电场垂直于光束的情况下工作的。由于光不能通过电极，这些普克尔盒通常使用不透明的金属电极，工作电压依赖于晶体长度。G&H LiNbO3、BBO和CdTe 普克尔盒采用了这种设计。纵向普克尔盒使电场与光束平行。有些设计使用透明的导电氧化铟锡(ITO)面电极、金属栅极、中间有孔的金属电极(让光束通过)，甚至是导电等离子体。另一种方法是将电极置于圆柱形晶体的圆筒上，靠近抛光面。这样就可以将电极从光束路径中移除，而且如果设计合理，也不会降低性能。G&H在其KD*P 普克尔盒的产品中使用了这种方法。(QX, CQX, IMPACT, TX系列普克尔盒)BBO普克尔盒对于高平均功率和高重复率的应用，G&H的LightGate BBO 普克尔盒是KD*P 普克尔盒的替代品。LightGate系列BBO 普克尔盒采用双晶体横向电场几何结构，以极小的驱动电压(4毫米孔径LightGate 4的驱动电压为~2.9 kV 1/ 4波电压，@ 1064 nm)。BBO具有较低的压电响应、良好的热稳定性和较低的吸收能力。由于BBO的压电耦合系数较低，光开关的重复频率可达数百KHZ。LightGate系列BBO 普克尔盒有多种配置，适用于不同的应用领域。这些普克尔盒用于再生放大器、高脉冲重复率微加工激光器和用于材料加工和金属退火的高平均功率激光器。产品应用二氧化碳激光器，激光熔合，材料加工，医疗和美学激光系统，金属退火，微加工，光学开关，petawatt激光器，再生放大器。产品列表普克尔盒驱动系统ProductRise/Fall TimeVoltage OutputRepetition RateApplicationQ-Drive Benchtop KD*P Pockels Cell Driver4-7ns1.5-4.5KV1-4.5KHZLaboratory Q-switchingR200 OEM BBO Pockels Cell Driver4-7ns0-2.5KV0-200KHZ,1MHZ burst modeOEM regenerative amplifiers,Pulse selectionQ -Drive OEM KD*P Pockels Cell Driver4-7ns1.5-4.5KV1-4.5KHZOEM Q-switchingR200 System Rack Mount BBO Pockels Cell Driver4-7ns0-2.5KV0-200KHZ,Lab-based laser system development,Pulse selection ,Regenerative amplifiersQDP-50 OEM Q-Drive for Flash Lamp Pumped Lasers7-10ns1.2-4.0KV0-50KHZFlash-Lamp pumped lasers,OEM Q-switching HVR-Drive BBO Pocels Cell driver10-15ns0-7.5KV0-200KHZOEM regenerative amplifiers,Pulse selectionHVR-System Rack-Mount BBO Pocels Cell driver10-15ns1.0-7.5KV0-200KHZLab-based laser system development,Pulse selection ,Regenerative amplifiers普克尔盒ProductWavelengthVoltage Contrast RatioActive ApertureOptical MaterialChiron 3 BBO Pockels cell0.2-1.65um500:1@1064nm3.25mmBBOCdTe IRX Mid-IR Pockels Cell5-12um500:1@10.6um3-7.4*10mmCdTePockels Cell Alignment for Single Pass Systems200-1650nmN/AN/ABBO,KD*PIMPACT Pockels Cell Datasheet300-1100nm2000:1@1064nm8-13mmKD*PQX1014A Short Path Length Pockels Cell 300-1100nm450:1N/AKD*PQX Series Pockels Cell 300-1200nmvaries9.25-19.5mmKD*PTX Pockels Cell300-1300nmvaries19.5-99mmKD*PLightGate Series BBO Pockels Cell300-1600nm1000:1@1064nm2.6-7mmBBO详细信息请与我们联系！

LINOS 普克尔盒LINOS提供基于KD*P晶体、BBO晶体、RTPC晶体和LN晶体的各类普克尔盒产品，适用用波长范围广，损伤域之高，消光比优良。标准产品如下表所示： Fig.1 Linos 普克尔盒KD*P普克尔盒特性：（1）高氘化率： 98% （2）波前畸变：λ/4 （3）损伤阈值 : 500 MW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns, 1 Hz (下同)(典型值，非保证值)（4）普通型,水浸型 (IM) 或者溶胶型 (SG) 版本可选 可选项：λ/4 波片典型参数表：晶体类型通光孔径( mm )透过率 (%)消光比( 无外加电压 )λ/4 电压(kV)@1064nm电容值( pf ) KD*P? 3.5-? 15不同通光孔径84-99500:1-3000:13.2 4-8BBO普克尔盒特性：（1）带压电衰减器 （2）适合作为高重复率Q开关 （3）波前畸变：λ/4 （4）损伤阈值 300 MW/cm2BBO?2.6、?3.6、?4.6、?5.698 1000:11.8、2.4、3.0、3.6 3.6、4.8、6.0 4/8RTP普克尔盒特性：（1）波前畸变：λ/4 （2） 适合作高重复率Q开关（3）损伤阈值： 600 MW/cm2RTPC?2.6、?3.698200:10.5、1.3、0.653LiNbO3普克尔盒特性：（1）晶体波前畸变：λ/4 （2）损伤阈值： 100 MW/cm2LiNbO37.45 x 7.45、9 x 9、5 x 598、99100:13、4.5、1.9 (+15-10 %) @2 μm- 安装座?紧凑和稳定型设计?可轻松调整俯仰、偏航和旋转?拥有精细螺纹调节?可兼容上至 35 mm的普克尔盒?用于 OEM 的特殊结构也可提供

KD*P普克尔斯盒§ 结构紧致§ 超低吸收§ 超宽透过400 nm to 1100 nm应用:§ Q开关§ 腔倒空普克尔斯盒输出光偏振态随着施加于其电光晶体(如KD*P)电极上的电压变化而变化。将其与偏振器件配合使用，则会非常轻易实现高速的光学开关。这方面的典型应用包括Q开关，激光腔倒空，光学斩波器，以及再生放大器的光耦合。KD*P普克尔斯盒常用于400nm到1100nm范围的电光调Q。当前商用的闪光灯泵浦Nd:YAG激光器和低重复频率的二极管泵浦全固态 Nd:YAG激光器中，大部分都配置了KD*P普克尔斯盒。我们在KD*P电光晶体镀有抗高功率损伤的介质膜，同时我们还对PC12SR和D-Compact系列普克尔斯盒附有AR镀膜的保护窗片，这样在保证性能的基础上，还大大的提高了产品的使用寿命，在各种极端环境中获得了大量成功应用

应用于闪光灯泵纳秒激光器的OEM DKDP普克尔斯盒套件● 坚固的设计● M2 –快速开关● 无需相位延迟片的快速调QEKSMA OPTICS为闪光灯泵浦纳秒激光器定制普克尔斯盒整套方案。通过驱动DQ-0.2-5，普克尔斯盒在高压脉冲关闭，抑制振荡，在低压脉冲时打开，恢复振荡OEM DKDP普克尔斯盒调Q套件包括●低频普克尔斯盒驱动● 高压电源● DKDP普克尔斯盒

迈克尔逊型干涉仪 特性偏振相关耦合比（PDCR）的波动最小带有源混叠的集成平衡型信号探测指示光束输入（660纳米）以辅助对准包含干涉仪电源 迈克尔逊型INT-MST-1300B干涉仪组件设计用于波长范围在1250到1350纳米内，带有平衡探测装置的光学相干层析成像系统中。为了使用更快的扫描激光器，集成探测器的带宽已经增大到高达100MHz。该模块包括用于迈克尔逊干涉仪的光纤耦合网络，输出为参考臂和样品臂。内部所用的耦合器已经进行优化，具有平坦的波长响应和非常低的偏振相关耦合损耗。光纤的长度是与干涉仪的两臂均匹配，误差在0.2毫米以内，同时为了提高系统的坚固性和易用性，还配有FC/APC带角度的光纤适配器。为了抑制数字条纹信号中降低成像质量的混频的产生，集成的高增益的平衡型探测器（带宽100MHz）包含了一个有源的混叠滤波器。 为了支持将INT-MST-1300B对准到光学系统中，在组件中包含了一个660纳米指示激光器的附加输入，和一个专门设计的组合了扫描激光光源（1300纳米）和准直激光器（660纳米）的WDM耦合器。Item #INT-MSI-1300BOpticalInterferometer Wavelength Range1250 - 1350 nmFiber TypeSMF-28e+Input/Output PortFC/APCInsertion Loss*from 1300 nm IN to Sample Armand to Reference Arm Insertion Loss*from 660 nm IN to Probe4.5 dB MaxPath Length Difference0.2 mm MaxElectricalDetector Material/TypeInGaAs/PINTypical Responsivity Max1.0 A/WOutput Bandwidth (3 dB)DC - 100 MHzTransimpedance Gain100 kV/ASaturation Power**35 µ WMaximum Input Power**250 mWElectrical OutputSMADC Offset Power Supply± 12 V, 200 mA(PICO M8 con.)General Size4.72" x 3.15" x 0.827"(120 mm x 80 mm x 21 mm)* 包括输入和输出尾纤的接头损耗，在中心波长处测量。** 使用高阻抗负载，半值为50欧的阻抗，来测量相对输出功率的跨阻抗增益。图1显示了在时域OCT系统中的INT-MSI-1300B的示例装置。中心波长为1300纳米的输入宽带光源，通过一个环形器和宽带50/50熔融耦合器。来自干涉仪样品臂和参考臂的背反射光在50/50熔融耦合器中合束，产生干涉条纹，经过环形器和WDM耦合器后输入到平衡探测器。平衡探测器的输出信号被数据采集装置获取，经过处理后得到重建的OCT图像。图2描述了通过将参考臂的移动反射镜替换为固定式反射镜，IN-MSI-1300B如何集成到频域OCT系统中。图1: 在时域OCT设计中的INT-MSI-1300B的示意图图2: 在示例傅里叶域OCT设计中的INT-MSI-1300B的示意图干涉仪两臂的内部光纤长度匹配在0.2毫米以内，同时50/50熔融耦合器和平衡探测器的输入之间的光程也经过匹配，以获得最佳的噪声抑制（即最大的共模抑制比CMRR）。内部耦合器已经进行了优化，具有平坦的波长响应和非常低的PDCR（偏振相关耦合比），这使得探测信号几乎与输入的偏振变化无关。图3显示了在参考臂端和样品臂端输入功率的百分比。在1300纳米（中心波长）测量的两个端口的功率相等。图 3： INT-MSI-1300B在1300纳米测量的IN端口到样品臂和参考臂端口的耦合效率

应用于高重复频率激光器的BBO普克尔斯盒套件● 坚固的设计● 高达100 kHz的重复频率● 无需外部水冷● 快速高压上升时间EKSMA OPTICS 为高重复频率纳秒激光器和锁模激光器提供完整的BBO普克尔斯盒解决方案。BBO Pockels Cells套件包括:● 高重频普克尔斯盒驱动● 高压电源r● BBO 普克尔斯盒

LINOS 普克尔盒LINOS提供基于KD*P晶体、BBO晶体、RTPC晶体和LN晶体的各类普克尔盒产品，适用用波长范围广，损伤域之高，消光比优良。标准产品如下表所示： Fig.1 Linos 普克尔盒KD*P普克尔盒特性：（1）高氘化率： 98% （2）波前畸变：λ/4 （3）损伤阈值 : 500 MW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns, 1 Hz (下同)(典型值，非保证值)（4）普通型,水浸型 (IM) 或者溶胶型 (SG) 版本可选 可选项：λ/4 波片典型参数表：晶体类型通光孔径( mm )透过率 (%)消光比( 无外加电压 )λ/4 电压(kV)@1064nm电容值( pf ) KD*P? 3.5-? 15不同通光孔径84-99500:1-3000:13.2 4-8BBO普克尔盒特性：（1）带压电衰减器 （2）适合作为高重复率Q开关 （3）波前畸变：λ/4 （4）损伤阈值 300 MW/cm2BBO?2.6、?3.6、?4.6、?5.698 1000:11.8、2.4、3.0、3.6 3.6、4.8、6.0 4/8RTP普克尔盒特性：（1）波前畸变：λ/4 （2） 适合作高重复率Q开关（3）损伤阈值： 600 MW/cm2RTPC?2.6、?3.698200:10.5、1.3、0.653LiNbO3普克尔盒特性：（1）晶体波前畸变：λ/4 （2）损伤阈值： 100 MW/cm2LiNbO37.45 x 7.45、9 x 9、5 x 598、99100:13、4.5、1.9 (+15-10 %) @2 μm- 安装座?紧凑和稳定型设计?可轻松调整俯仰、偏航和旋转?拥有精细螺纹调节?可兼容上至 35 mm的普克尔盒?用于 OEM 的特殊结构也可提供

拓普迈克尔逊干涉仪WMG-1型仪器介绍： WMG-1型迈克尔逊干涉仪是我公司新近研制开发的用于高等院校和科研所验证相关物理光学实验的仪器。该仪器采用平台式铸铁底座，有效地提高了仪器的稳定性。拓普迈克尔逊干涉仪WMG-1型可开设实验：观察点光源非定域干涉观察等倾干涉条纹观察等厚干涉条纹观察白光干涉现象测定光源或滤光片的波长（例：He-Ne激光、钠光）测定钠黄双线波长差测量透明介质薄片折射率测量透明气体折射率拓普迈克尔逊干涉仪WMG-1型规格参数： 动镜移动精度（微调）：0.0004mm 动镜移动精度（粗调）：0.01mm 动镜移动距离（微调）：1mm 动镜移动距离（粗调）：12mm 分束板和补偿板平面度：&le 1/20&lambda 激光输出功率：0.8-1mW 系统成套性： 迈克尔逊干涉仪主机 He-Ne激光器 一维可调升降底座等 可选附件： 低压钠灯 白光源 气室部件（气室、压力表、压气球） 法布里珀罗标准具

一, 热辅助磁记录介质的非接触HAMR/TAMR评估系统 BH-802HM产生磁场±6.5T的热（Thermal）辅助磁记录介质（HAMR或TAMR）非接触评估系统。热辅助磁记录介质的非接触HAMR/TAMR评估系统 BH-802HM,热辅助磁记录介质的非接触HAMR/TAMR评估系统 BH-802HM通用参数光源二极管激光器 (408nm)测量克尔效应极向克尔效应激光光斑直径φ1mm磁场平面外方向：Max. ±65kOe (±6.5T)磁盘大小3.5寸盘测量示例二, 垂直磁各向异性评价系统 BH-R810在固定磁场方向下具有旋转样品架的角度依赖性分析系统。垂直磁各向异性评价系统 BH-R810,垂直磁各向异性评价系统 BH-R810通用参数光源二极管激光器 (408nm)测量克尔效应极向克尔效应激光光斑直径φ1mm磁场Max. ±20kOe (±2T)*适用磁场角：0°～90°样本量10 ×10mm (t1mm)*仅切割样品测量示例

氮吹仪氮气发生器DFCNW-35L型一、 概 述氮吹仪氮气发生器是纯物理的色谱分离技术直接从空气中提取高纯氮气，所产生气体流速稳定，内置耐用型合成碳分子筛，使氮气纯化更彻底，产出的氮气纯度更高。氮发生器操作简单只要一按开关便可以源源不绝的生产出高纯度的氮气，运行稳定可靠，可以24小时无人值守低保养的情况下无故障地运行，它替代了传统的氮气罐。从安全性能方面来考虑氮气发生器以低压状态产生氮气，替代高压瓶或液氮罐。该装置具有设备紧凑、占地面积小、全自动操作、运行可靠、起停车快、运行成本低、常温生产和维修方便等优点，且氮气的纯度和产量可调节，无污染，是一种高效的现场制氮设备。二、主要技术参数2.1 氮气纯度：99-99.999%可选2.2 氮气出口:露点 ≤-55℃2.3 颗粒物：采用敲不破的透明管做外壳含量小于0.01um。2.4 输出压力：0-0.5Mpa。2.5 型号: DFCNW-35L型(见表可选）。2.6 流量：35L/min(0-35L可调、见表可选)。2.7原理：采用先进的色谱分离技术（国外称PSA技术）可以连续产生高纯度的氮气（并不衰减），将空气压缩泵供给的气体导入分子筛，氧气、二氧化碳、水份及其它杂质在通过分子筛除去，只允许氮气通过分子筛并进入蓄气池，在蓄气池里调节合适的压力和流速后就可以直接使用。分子筛采用不锈钢筒双自动再生，分子筛无需进行更换。2.8无邻苯二甲酸酯，无有机蒸气。2.9内置3-4组无油空气压缩机微电脑控制循环工作，有自动排水功能，提高机械性能延长寿命，适用于24小时连续工作运行。2.10设计有内置无油空气压缩泵与外接空气压缩泵转换系统。2.11有自动待机功能,检测到用氮气设备少用气或不用气时会自动停止，用气时自动开启（选配）。2.12氮气发生器故障自动报警，并且自动将氮气源切换到钢瓶的功能，不会造成实验样品中途报废（选配）。2.13氮气产生：开机后就能快速提供高纯度的氮气。2.14操作简单，一键式操作就能自动产气适用于24小时连续工作运行。2.15发生器在正常使用情况下，可无人员看护不做任何操作和维护要求。2.16安装操作简单，无故障情况下一般技术人员即可完成。2.17嗓音要求：小于58dB2.18电源220V±10%，50Hz±5%2.19总功率0.8KW-1.5KW三、配置清单：序号名 称数量厂家备注1氮气分离膜2组德克尔2无油空压机组3组德克尔微电脑控制循环工作3空气净化过滤1组德克尔有自动排水功能4空气精过滤1组德克尔 5不锈刚空气储罐罐1德克尔6冷却系统1德克尔四、外型4.1 箱体式：内置氮气分离单元、无油空气压缩机单元、冷却系统单元、平衡储气罐单元、精密气体过滤单元、等。4.2 接通电源即可使用。 4.3 外型尺寸:约500*550*1200(mm)，底部有带锁活动脚轮；4.4 输出接头：￠8快拧（或定做）4.5机箱尺寸：（见表）五、 使用环境5.1 工作温度0-45℃ 相对湿度：≤85% 。5.2 安装环境: 室内（无基础安装）六、质保：本公司产品1年保修，终身维修。 网址：

普克尔斯盒脉冲选择器套件FP1脉冲选择器 FP1-DKDP单元配置DKDP晶体普克尔斯盒，可按需求选配BBO或KTP普克尔斯盒。FP1脉冲选择器可选择高达1kHz的脉冲，在安装pMaster 4.0发生器时，可应用于最高20 MHz重复频率脉冲序列进行脉冲采集。MP1脉冲选择器MP1-BBO单元配置BBO晶体普克尔斯盒，可按需求选配KTP普克尔斯盒。MP1脉冲选择器可选择高达600kHz的脉冲，在安装pMaster 4.0发生器时，可应用于最高30 MHz重复频率脉冲序列进行脉冲采集。UP1脉冲选择器UP1-BBO单元配置双BBO晶体普克尔斯盒。UP1-KTP单元配置双KTP晶体普克尔斯盒。利用脉冲选择器UP1、数字同步和延迟脉冲发生器- pMaster 4.0H，可以从1 MHz脉冲序列上选择飞秒脉冲。