场发射透射显微镜

场发射透射电子显微镜TH-F120 TH-F120取名源自中华名山“太行”（TH），寓意TH-F120将如太行山一样成为中国透射电镜产业的脊梁。产品特点肖特基场发射电子枪平行束/会聚束自适应切换照明系统对称式极靴、恒功率物镜 （高衬度/高分辨模式可选）高像素CMOS相机四轴高精度样品台全中文软件交互界面产品优势人机分离电镜空间与工作空间分离，减少人为干扰，提升安全性，带来舒适的使用体验高效操作各模块控制高度集成至PC端，全中文软件交互界面一目了然，提升操作效率越级体验将场发射电子枪、高自动化系统等配置120 kV平台，入门即高配丰富拓展预设充足的附件加装接口以及整机升级空间，满足用户使用新需求，有效应对多样的应用场景产品参数 高衬度版高分辨版加速电压10～120 kV10～120 kV信息分辨率0.20 nm0.14 nm点分辨率0.36 nm0.30 nm放大倍率10～1,200,000 x10～1,500,000x主相机像素4096×40964096×4096样品台倾转角-90 °~+90 °-70 °~+70 °支持拓展EDS、STEM、侧插式相机、EELS、插入式冷冻盒

JEM-2800是日本电子透射电子显微镜系列中的一款特殊设计的产品，在兼顾高分辨高稳定性的同时，最求分析效率的最大化和操作的自动化。颠覆传统的电镜外观设计，除了让人耳目一新外，还对设置环境更具抗干扰能力。 主要技术指标： 1. 点分辨率：0.21nm； 2. 晶格分辨率：0.1nm 3. STEM 分辨率：0.16nm； 4. 二次电子分辨率：0.5nm； 5. 能谱：可以安装两个超级能谱 6. 洛伦兹模式：标配

专用扫描透射显微镜HD-2700，配备了与德国CEOS GmbH公司（总经理Max Haider先生）共同开发的球差校正仪，显著提高了扫描透射电子显微镜的性能，更适合高级纳米技术研究。由于球差校正系统校正了限制电子显微镜的性能的球差，使其与标准型号显微镜相比，分辨率提高了1.5倍，同时，探针电流提高了10倍。最近，该显微镜还配备了高分辨率镜头和冷场发射电子枪，进一步提高了图像分辨率和电子束能量分辨率。同时，该型号系列还增加了一款不带球差校正的主机配置，可以以后加配球差校正进行升级。特点 高分辨率扫描透射电子显微镜成像HAADF-STEM图像0.136nm，FFT图像0.105nm（高分辨率镜头（*））HAADF-STEM图像0.144nm（标准镜头）明场扫描透射电子显微镜图像0.204nm（w/o球差校正仪）高速，高灵敏度能谱分析：探针电流× 10倍元素面分布更迅速及时低浓度元素检测操作简化自动图像对中功能从样品制备到观察分析实现无缝连接样品杆与日立聚焦离子束系统兼容配有各种选购件可执行各种评估和分析操作同时获取和显示SE&BF, SE&DF, BF&DF, DF/EDX面分布（*） 和DF/EELS面分布（*）图像。低剂量功能（*）（有效降低样品的损伤和污染）高精度放大校准和测量（*）实时衍射单元（*）（同时观察暗场-扫描透射电子显微镜图像和衍射图案）采用三维微型柱旋转样品杆（360度旋转）（*），具有自动倾斜图像获取功能。ELV-3000即时元素面分布系统（*）（同时获取暗场-扫描透射电子显微镜图像）（*） 选购件技术指标HD-2700球差校正扫描式透射电子显微镜项目描述图像分辨率w/o球差校正仪保证 0.204nm（当放大倍数为4,000,000时）w球差校正仪保证 0.144 nm（当放大倍数为7,000,000时）（标准镜头）保证 0.136nm（HAADF图像）保证0.105 nm（通过FFT）（当放大倍数为7,000,000时）（高分辨率镜头（*））放大倍数100倍 至 10,000,000倍加速电压200 kV, 120 kV （*）成像信号明场扫描透射电子显微镜：相衬图像（TE图像）暗场扫描透射电子显微镜：原子序数衬度图像（Z衬度图像）二次电子图像（SE图像）电子衍射（*）特征X射线分析和面分布（能谱分析）（*）电子能量损失谱分析和面分布（EV3000）（*）电子光学系统电子源肖特基发射电子源冷场致发射器（*）照明透镜系统2-段聚光镜镜头球差校正仪（*）六极镜头设计扫描线圈2-段式电磁感应线圈原子序数衬度收集角控制投影镜设计电磁图像位移± 1 &mu m试片镜台样品移动X/Y轴 = ± 1 mm, Z轴 = ± 0.4 mm样品倾斜单轴-倾斜样品杆：± 30° （标准镜头）, ± 18° （高分辨率镜头（*））真空系统 3个离子泵，1个TMP极限真空10-8 Pa（电子枪）, 10-5 Pa（样品室）图像显示个人电脑／操作系统PC/AT兼容, Windows XP监视器19-inch液晶显示器面板图像帧尺寸640 × 480, 1,280 × 960, 2,560 × 1,920 象素扫描速度快扫，慢扫（0.5至320秒／帧）自动数据显示记录序号，加速电压，下标尺，日期，时间 （*） 选购件

Talos F200i S/TEM 产品描述更高生产率和灵活性 — 支持更多材料科学应用 用于高分辨率成像和分析应用的Thermo Scientific Talos F200i 扫描/透射电子显微镜 (S/TEM) 现可提供对称布置的双100 mm2 Racetrack 检测器“( Dual-X”)，以最大限度提高分析通量。 Thermo ScientificTM TalosTM F200i S/TEM 为 20-200 kV 场发射扫描/透射电子显微镜，专为提高各种材料科学样品和应 用的分析性能和生产率而设计。其标准 X-TWIN 物镜极靴间距——可赋予应用最大限度灵 活性——结合高再现性镜筒设计，可支持高分辨率 2D 和 3D 表征分析、原位动态观察及衍射应用。同时，Talos F200i 还 配备了 4k × 4k Ceta 16M 相机，可在 64 位平台上提供大 视野、高灵敏度快速成像。您可根据自身需求选择最适宜的 EDS 可加装各类的能谱探头，从单 30 mm2 到双 100 mm2 特点与用途关键优势 双 EDS 技术可实现。从单 30 mm2 探头到可实现高通量 (或低剂量)分析的双 100 mm2 探头，可根据您的需求 选择最理想的 EDS 高质量 S/TEM 图像和准确的 EDS。借助创新直观的 Velox 软件用户界面，可通过极其简单的操作方法，获得 高质量 TEM 或 S/TEM 图像。Velox 软件内置的特有的 EDS 吸收校准功能可实现最精确的定量分析 最佳的全方位原位分析功能。加装三维重构或原位分析 样品杆。高速相机、智能软件和我们的大 X-TWIN 物镜间 距可实现 3D 成像和原位数据采集，同时最大限度避免分 辨率和分析能力的损失 提高生产效率。超稳定镜筒，借助 SmartCam 和恒定功率 物镜实现的远程操作，用于快速的模式和高压切换。轻松 快速切换，适用于多用户环境 最具可重复性的数据。所有日常 TEM 合轴(例如，聚焦、 共心高度调节、电子束偏转、聚光镜光阑器对中、电子束 倾斜和旋转中心)自动完成，确保每次开始使用时都具有 最佳的成像条件。实验可反复重现，使您可以更多关注研 究工作本身，而非所用设备 高速大视野成像。4k × 4k Ceta CMOS 相机具有大视野， 能够在整个高压范围实现高灵敏度、高速数码缩放 紧凑型设计。本设备具有更小的尺寸和占地面积，有助于 在更具挑战性的空间内安装，同时降低安装和支持成本 产品参数TEM 线分辨率 ≤0.10 nm TEM 信息分辨率 ≤0.12 nm LACBED 最大会聚角 ≥100 mrad 最大衍射角 24° STEM 分辨率 ≤0.16 nm EDS 侧插式，可伸缩 电子枪类型 场发射枪或高亮度场发 样品操作 Z 轴运动总行程 (标准样品杆) ±0.375 mm 最大 α 倾转角(三维重构样 品杆) (高视野样品杆) ±90° 样品漂移 (标准样品杆) ≤0.5 nm/min

2016年新年伊始，日本电子株式会社（JEOL）即全球同步推出了新款场发射透射电镜JEM-F200。 为了全面整合近年发展起来的透射电镜上的各种功能，JEM-F200进行了全新设计，在保障各种功能达到极限的同时，追求操作的简单化和自动化，为用户提供透射电镜操作的全新体验。具体特点表现为： 1）精炼的全新设计：在提高机械和电气稳定性的同时，凭借对透射电镜的丰富经验，对电镜整体进行了精炼全新设计，力求为用户提供全新感受； 2) 四级聚光镜设计：为了最大程度发挥出STEM功能，JEM-F200进行了全新概念的四级聚光镜设计，亮度和汇聚角可以分别控制； 3）高端扫描系统：在照明系统扫描功能之上又增加了成像系统的扫描功能（选购件）可以获得大范围的STEM-EELS； 4）皮米样品台控制：标配的压电陶瓷控制样品台，可以在原子尺度上获得精准的移动； 5）全自动装样测角台（SPECPORTER）：样品杆的插入拔出只需电钮即可全自动实现，彰显其便利性及安全性； 6）成熟的冷场发射技术：将JEOL应用在球差校正技术上的高端冷场发射技术移植到普通的场发射透射上，可获得更好的高分辨观察、更高效的成分分析和更好的化学结合状态分析； 7）双超级能谱设计：可安装双超级能谱，将普通电镜能谱的分析能力拓展到原子尺度； 8）节能减排：启用省电模式耗电量降低80%。

GeminiSEM 系列产品高对比度、低电压成像的场发射扫描电子显微镜为对任意样品进行高水准的成像和分析而生蔡司GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下，更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像，提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案。GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在较低的加速电压下仍可呈现给您更强的信号和更丰富的细节信息，其创新设计的NanoVP可变压力模式，甚至让您在使用时拥有在高真空模式下工作的感觉；更强的信号，更丰富的细节GeminiSEM 500 为您呈现任意样品表面更强的信号和更丰富的细节信息，尤其在低的加速电压下，在避免样品损伤的同时快速地获取更高清晰度的图像。经优化和增强的Inlens探测器可高效地采集信号，助您快速地获取清晰的图像，并使样品损伤降至更低；在低电压下拥有更高的信噪比和更高的衬度，二次电子图像分辨率1 kV达0.9nm，500 V达1.0 nm，无需样品台减速即可进行高质量的低电压成像，为您呈现任意样品在纳米尺度上更丰富的细节信息；应用样品台减速技术-（Tandem decel），可在1 kV下获得高达0.8nm二次电子图像分辨率；创新设计的可变压力模式-NanoVP技术，让您拥有身处在高真空模式下工作的感觉。洞察产品背后的科技Gemini电子光学系统Gemini 1类型镜筒 -延续创新和发展如今，扫描电子显微镜（SEM）在低电压下的高分辨成像能力，已成为其在各项应用领域中的标准配置。低电压下的高分辨率成像能力，在以下应用领域中扮演着尤为重要的角色：电子束敏感样品不导电样品获取样品极表面的真实形貌信息Gemini的革新电子光学设计，应用高分辨率电子枪模式、Nano-twin lens物镜(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel样品台减速技术（选配），有效提高了在低电压时的信号采集效率和图像衬度。高分辨率电子枪模式：缩小30%的出射电子束能量展宽，有效地降低像差；获得更小的束斑。Nano-twin lens物镜： 优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率； 提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。Tandem decel样品台减速技术，进一步提高对适用样品在低电压甚至极低电压下的分辨率：Tandem decel减速技术将镜筒内减速和样品台偏压减速技术相结合，有效地实现低着陆电压；使用1 kV及以下更低电压时，镜筒内背散射探测器的检测效率获得更好地增强，低电压下的分辨率得到进一步提高。对适用的样品可以加载高达-5 kV的样品台偏压，在低电压下获得更高质量的图片优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率；提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。技术参数：基本规格蔡司 GeminiSEM 500热场发射电子枪，稳定性优于0.2 %/h加速电压0.02 - 30 kV探针电流3 pA - 20 nA（100 nA配置可选）存储分辨率最高达32k × 24k 像素放大倍率50 – 2,000,000标配探测器镜筒内Inlens二次电子探测器样品室内的Everhart Thornley二次电子探测器可选配的项目NanoVP可变压力模式高效VPSE探测器（包含在NanoVP可变压力选件中）局部电荷中和器镜筒内能量选择背散射探测器环形STEM探测器（aSTEM 4）EDS能谱仪EBSD探测器(背散射电子衍射)可订制特殊功能样品台环形背散射电子探测器阴极射线荧光探测器

2020年5月25日日本电子株式会社全球同步发布新款场发射扫描电子显微镜JSM-IT800系列。 JSM-IT800的场发射扫描电镜通用性强，可广泛应用于纳米材料、金属材料、半导体材料、化学化工、医学及生物学领域，可高效观察包括非导体样品及强磁性样品等。 JSM-IT800SHL分辨率可达0.5nm,成像能力强大。浸没式电子枪可提供500nA大电流，EDS和EBSD分析速度极快。 另外JSM-IT800系列还搭载了众多全新研发的电子光学技术，自动化程度极高。详情请咨询捷欧路（北京）科贸有限公司及其各地分公司。

产品描述Thermo Scientific Talos F200S G2 200kV场发射扫描/透射电子显微镜（S/TEM）结合了快速、多通道、高分辨率S/TEM成像和精确的成分分析，实现了动态显微镜的应用。凭借旨在提高吞吐量、精度和易用性的创新功能，Talos非常适合学术、政府和工业研究环境中的高级研究与分析。 特点与用途• 一流的光学性能：恒定功率X-TWIN物镜• 最大化的易用性：针对多用户环境的快速、轻松的操作参数切换• 超稳定平台：恒功率物镜、坚固的系统外壳和远程操作确保最大的稳定性• SmartCam摄像头：数字搜索-取景摄像头为所有应用提供大视场，并允许在正常房间光线下操作• 全集成快速探测器：Ceta 16M像素CMOS摄像头提供大视场和高读取速度（25fps@512×512）• 全遥控操作：自动光圈系统与Ceta相机结合，支持全遥控操作 产品参数Talos F200S G2 S/TEM 总场发射枪束流 150 nA束斑电流 0.6 nA @ 1 nm probe (200 kV)EDS系统 2 SDD无窗设计, 快门保护 能量分辨率 ≤136 eV for Mn-Kα and 10 kcps (output) 快速EDS面分析 像素停留时间降至10μsX-Twin STEM HAADF 分辨率 0.16 nm EDX 立体角 0.45 srad TEM 信息分辨率 0.12 nm最大衍射角度 24 ? 双倾样品杆的最大倾斜角度 ±35° α 倾角 /±30° β 倾角 样品台最大倾斜角度 ±90 ?

[ 产品简介 ]蔡司场发射扫描电子显微镜Gemini系列，具有出色的探测效率，能够轻松实现亚纳米分辨成像，适用于多种材料的高分辨成像与分析。其优异的低电压成像能力与表面细节灵敏度，让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，可获取各类样品在微观世界中清晰、真实的图像。为生命科学研究实验室、工业实验室、成像测试平台、高校或研究机构提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微技术与方案。[ 产品特点 ]&bull 出色的检测效率&bull 优异的低电压分辨率和表面灵敏度&bull 灵活的探测手段获取高分辨的图像&bull 独特的无漏磁镜筒，轻松应对磁性材料表征&bull 丰富的扩展性[ 应用领域 ]&bull 材料科学，如纳米材料表征&bull 工业应用，如失效分析，性能分析&bull 生命科学，如大体积细胞高通量成像&bull 电池领域，如老化分析、电池材料表征&bull 电子半导体领域，如半导体器件失效研究与分析&bull 刑侦、法医学&bull 考古学、文物保护与修复InLens SE探测器磁性FeMn纳米颗粒成像 InLens SE探测器NCM622正极颗粒成像InLens SE 探测器和EsB 探测器同时对包埋在沸石中的银纳米颗粒成像aBSD探测器FinFET结构成像 NanoVP模式下不导电玻璃片上的光刻胶样品成像 小鼠大脑成像

[ 产品简介 ]蔡司新一代场发射扫描电子显微镜Sigma系列，具有高质量的成像和分析能力，将先进的场发射扫描电子显微镜技术与优秀的用户体验完美结合。利用Sigma系列直观的4步工作流程，在更短的时间内获得更多的数据，提高测试与生产效率。可选配多种探测器，以满足半导体、能源等新材料、磁性样品、生物样品、地质样品等不同的应用需求。结合蔡司原位电镜实验平台，可以实现自动智能化的原位实验工作流程，高效率获取高通量、高质量的原位实验数据。领先的EDS几何设计保证了出色的元素分析性能，分析速度高、精度好、结果可靠。高分辨、全分析、多扩展、强智能、广应用，全新Sigma系列是助力于材料研究、生命科学和工业检测等领域的“多面手”。[ 产品特点 ]&bull 独特的Gemini镜筒设计，低电压高分辨，无漏磁&bull 广泛全面的应用场景&bull 丰富灵活的探测手段&bull 智能高效的工作流程&bull 先进可靠的分析系统&bull 强大完善的扩展平台[ 应用领域 ]&bull 材料科学，如纳米材料高分辨成像，高分子聚合物等不导电样品成像，电池材料成分衬度成像，二维材料分析&bull 生命科学，如生物样品超微结构成像，冷冻样品高分辨成像&bull 地质矿物学，如地质样品高分辨成像、成分分析以及原位拉曼联用分析&bull 工业应用，如组件失效分析，工艺诊断&bull 电子半导体行业，如质量控制与分析，6英寸Wafer快速换样，电子束曝光技术（EBL）&bull 钢铁行业，如夹杂物分析，金属材料自动原位成像分析&bull 刑侦、法医学&bull 考古学、文物保护与修复NanoVP lite模式下断裂的聚苯乙烯表面成像氧化铝颗粒高分辨二次电子成像ETSE探测器氧化锌枝晶成像InLens SE探测器氧化锆&氧化铁复合材料成像Sense BSD探测器刺毛苔藓虫超微结构成像aBSD探测器超导合金成像

产品详情日本JEOL场发射透射电子显微镜JEM-F200 以节能环保、减排低碳为理念开发的JEM-F200场发射透射电子显微镜，不仅提高了空间分辨率和分析性能，还采用了新的操作系统可满足多种使用途径，易用性强，外观设计精炼，能为不同层次的用户提供新奇的操作体验。 产品规格：超高分辨极靴高分辨极靴分辨率TEM点分辨率0.19 nm0.23 nmSTEM-HAADF 像0.14 nm @冷场枪0.16 nm @冷场枪0.16 nm @热场枪0.16 nm @热场枪加速电压200 , 80 kV200 , 80 kV主要选配件能谱仪（EDS）、电子能量损失谱仪（EELS）、CCD相机、TEM/STEM断层扫描系统 产品特点： 以节能环保、减排低碳为理念开发的JEM-F200场发射透射电子显微镜，不仅提高了空间分辨率和分析性能，还采用了新的操作系统可满足多种使用途径，易用性强，外观设计精炼，能为不同层次的用户提供新奇的操作体验。 外观设计精炼 精炼的外型，全新的视觉感受。为分析型电镜全新设计的GUI，使操作更加直观方便。JEOL长年积累的丰富经验在设计上得到了充分的体现，与旧机型相比，电镜的机械性和电气稳定性都得到了很大的提高。 四级聚光镜系统 现在的电子显微镜需要支持范围广泛的成像技术--- 从明场/暗场的TEM成像到使用各种检测器的STEM技术。 该设备采用新型四级聚光镜照射光学系统-“Quad-Lens condenser system”，通过分别控制电子束强度和汇聚角，能满足各种研究的需求。 高端扫描系统 JEM-F200可以实现大视野的STEM-EELS分析，该设备在常规的照明系统的电子束扫描功能之上，增加了新的扫描系统-“Advanced Scan System” 即成像系统的电子束扫描功能（选配）。 皮米样品台驱动 JEM-F200 采用能以皮米级步长移动样品台的Pico stage drive（不用压电驱动），能在宽动态范围移动视野-从样品的整个栅网视野移动到原子级图像视野移动都能进行。 SpecPorter（自动插入和拔出样品杆的装置） 插入和拔出样品杆，对电镜初学者来说一直是高难度的操作。 JEM-F200配备的SpecPorter，即使新手也能轻松掌握，将样品杆安装在指定的位置上，只用一个按钮即能安全地插入或拔出。 改进的冷场发射电子枪 JEM-F200能安装高稳定性、高亮度和高能量分辨率的冷场发射电子枪（选配），该枪的利用可以进行EELS化学结合状态分析，高亮度的电子束缩短了分析时间，并且还降低了来自光源的色差，实现了高分辨率的观察。 双能谱（SDD） JEM-F200能同时安装两个大口径、分析灵敏度高的硅漂移检测器（SDD）（选配件）。 凭借更高的灵敏度，EDS分析速度更快，对样品的损伤更小。 环保节能 JEM-F200是第一个标配了ECO模式的透射电子显微镜。ECO模式系统能将能源消耗降低到正常模式时的1/5，可以在装置不运行时，以最小的能耗保持着电镜的最佳条件。该设备具有排程功能，能在指定的时间将电镜从ECO模式恢复到工作状态。

产品简介日立驰名的冷场发射电子源和300 kV加速电压技术共同打造了超高分辨率成像和高灵敏度分析功能。双棱镜全息技术，空间分辨电子能量损失谱以及高精度平行纳米电子束衍射技术开辟了高效，高精度样品分析的新途径。分辨率：0.1 nm（晶体点阵）0.19 nm（点对点）0.13 nm（信息极限）放大倍数：200倍 至 1,500,000倍加速电压：300 kV, 200 kV （*）, 100 kV （*）（*） 选购附件 解决方案 立扫描透射电镜HF3300在原位催化中的应用 应用领域：石油/化工检测项目：热性能检测样品：化工原料 方案优势近年来，在催化领域中，真实的催化反应过程成为广大学者的研究热点。原位扫描透射电镜能够实现实时观察样品的反应过程，监测样品的变化。其中日立的冷场300KV的HF3300型扫描透射电镜配备了独特的真空系统(差分泵) 。气体可以直接通入样品室与样品进行反应，到达样品表面的压力最 高能够达到10Pa；配备的新型冷场枪更加稳定，亮度更强，发射电流更加稳定；宽真空范围二次电子探头的加入，能够实现同时观察样品的明场，暗场及二次电子像，从而实现对催化反应过程全方位的了解。实验设备：HF-3300场发射透射电子显微镜

2016年新年伊始，日本电子株式会社（JEOL）即全球同步推出了新款场发射透射电镜JEM-F200。 为了全面整合近年发展起来的透射电镜上的各种功能，JEM-F200进行了全新设计，在保障各种功能达到极限的同时，追求操作的简单化和自动化，为用户提供透射电镜操作的全新体验。具体特点表现为： 1）精炼的全新设计：在提高机械和电气稳定性的同时，凭借对透射电镜的丰富经验，对电镜整体进行了精炼全新设计，力求为用户提供全新感受； 2) 四级聚光镜设计：为了最大程度发挥出STEM功能，JEM-F200进行了全新概念的四级聚光镜设计，亮度和汇聚角可以分别控制； 3）高端扫描系统：在照明系统扫描功能之上又增加了成像系统的扫描功能（选购件）可以获得大范围的STEM-EELS； 4）皮米样品台控制：标配的压电陶瓷控制样品台，可以在原子尺度上获得精准的移动； 5）全自动装样测角台（SPECPORTER）：样品杆的插入拔出只需电钮即可全自动实现，彰显其便利性及安全性； 6）成熟的冷场发射技术：将JEOL应用在球差校正技术上的高端冷场发射技术移植到普通的场发射透射上，可获得更好的高分辨观察、更高效的成分分析和更好的化学结合状态分析； 7）双超级能谱设计：可安装双超级能谱，将普通电镜能谱的分析能力拓展到原子尺度； 8）节能减排：启用省电模式耗电量降低80%。

低电压扫描透射电子显微镜具备多种成像模式：透射模式（TEM），扫描模式（SEM），透射扫描（STEM）分析模式：电子衍射模式：ED 能量色散光谱模式：EDS电子加速电压：10, 15, 25 kV空间分辨率：1nm采用Schottky场发射电子枪，高亮度和对比度观察生物样品无需染色，且对切片厚度无要求，成像结果对比度高。真空自闭锁技术，更换样品仅需3分钟。无需冷却水和电源，无需专业实验室，操作简单，维护成本极低。其他类应用： 生物研究方向实验室台式透射电子显微镜系统，支持多种成像模式观察生物样品无需染色，简易快速地获得观察结果无需专门隔震防磁使用环境，操作维护简单无需冷却水，无需专业实验室，维护成本低采用电子加速电压，避免了传统电镜的缺点和限制 在大型的透射电子显微镜系统中，电子加速电压一般在80-300 kV左右。在如此高的电压下，对于C，H，O，N等轻元素组成的样品（如高分子和生物样品等），只有经过重元素染色操作才可以得到较好的图像对比度。而LVEM25采用的电子加速电压范围在10-25 kV，较低的加速下，研究者不需要对样品进行染色，即可得到很高的图像对比度。同时在25 kV电压下，LVEM25还避免了低电压对样品厚度的限制要求，只需要研究者按照正常厚度要求制作样品切片即可。操作简单，维护成本极低。 LVEM25虽然和传统TEM一样遵循了相同的电子透镜基本原理，但是在产品结构上却有着显著的不同。这一创新性设计使得LVEM25的设备尺寸大大缩小，真正实现了TEM的“小型化，台式化"。LVEM25对设备安装环境没有任何要求，不需要高功率电源，无需磁屏蔽和减震装修，更不需要冷却水和液氮冷阱等复杂配置，日常维护成本极低。同时LVEM25操作界面简单友好，研究者经过相对简单的培训后即可执行日常操作。 优化的硬件配置，保证运行稳定可靠。 采用肖特基场发射电子枪 LVEM25采用了Schottky场发射电子枪，保证设备连续运行数千小时。同时为样品成像提供了更好的亮度和空间均匀度。 样品和电子枪附近采用离子泵抽真空 LVEM25在样品腔和电子枪附近配备了离子泵来达到超高真空环境，在保证设备运行稳定的同时，有效避免了外部机械振动。 电子透镜组由永磁体组成 LVEM25的电子透镜模块由永磁体构成，从而精简了一般大型电镜中的磁体电源系统，进一步提高了设备运行的稳定性和可靠性，同时大大降低了维护成本。 放大倍率：1,000 - 470,000 加速电压：10, 15, 25 kV分辨率：1 nm 类型：场发射规格：分析系统 加工定制：标准器电子枪：Schottky场发射电子枪 加速电压：5,10,15,25 kV成像模式：TEM、STEM、SEM、EDS和ED TEM分辨率：最高1.0 nm冷却水：不需要 压缩空气：不需要换样时间：最快2分钟 应用：材料、生物体积：小巧 操作维护：简单

JEM-2800是日本电子透射电子显微镜系列中的一款特殊设计的产品，在兼顾高分辨高稳定性的同时，最求分析效率的最大化和操作的自动化。颠覆传统的电镜外观设计，除了让人耳目一新外，还对设置环境更具抗干扰能力。 主要技术指标： 1. 点分辨率：0.21nm； 2. 晶格分辨率：0.1nm 3. STEM 分辨率：0.16nm； 4. 二次电子分辨率：0.5nm； 5. 能谱：可以安装两个超级能谱 6. 洛伦兹模式：标配

JEM-2800是日本电子透射电子显微镜系列中的一款特殊设计的产品，在兼顾高分辨高稳定性的同时，最求分析效率的最大化和操作的自动化。颠覆传统的电镜外观设计，除了让人耳目一新外，还对设置环境更具抗干扰能力。 主要技术指标： 1. 点分辨率：0.21nm； 2. 晶格分辨率：0.1nm 3. STEM 分辨率：0.16nm； 4. 二次电子分辨率：0.5nm； 5. 能谱：可以安装两个超级能谱 6. 洛伦兹模式：标配

最近，该显微镜还配备了高分辨率镜头和冷场发射电子枪，进一步提高了图像分辨率和电子束能量分辨率。同时，该型号系列还增加了一款不带球差校正的主机配置，可以以后加配球差校正进行升级。特色 高分辨率扫描透射电子显微镜成像HAADF-STEM图像0.136 nm，FFT图像0.105 nm(高分辨率镜头*)HAADF-STEM图像0.144 nm(标准镜头)明场扫描透射电子显微镜图像0.204 nm(w/o球差校正仪)高速，高灵敏度能谱分析：探针电流×10倍元素面分布更迅速及时低浓度元素检测操作简化自动图像对中功能从样品制备到观察分析实现无缝连接样品杆与日立聚焦离子束系统兼容配有各种选购件可执行各种评估和分析操作同时获取和显示SE&BF, SE&DF, BF&DF, DF/EDX面分布*和DF/EELS面分布*图像。低剂量功能*(使样品的损伤和污染程度降至最低)高精度放大校准和测量*实时衍射单元*(同时观察暗场-扫描透射电子显微镜图像和衍射图案)采用三维微型柱旋转样品杆(360度旋转)*，具有自动倾斜图像获取功能。ELV-3000即时元素面分布系统*(同时获取暗场-扫描透射电子显微镜图像)* ：选购件 规格HD-2700球差校正扫描式透射电子显微镜项目描述图像分辨率w/o球差校正仪保证 0.204 nm(当放大倍数为4,000,000时)w球差校正仪保证 0.144 nm(当放大倍数为7,000,000时)(标准镜头)保证 0.136 nm(HAADF图像)保证 0.105 nm(通过FFT)(当放大倍数为7,000,000时)(高分辨率镜头*)放大倍数100倍 至 10,000,000倍加速电压200 kV, 120 kV *成像信号明场扫描透射电子显微镜：相衬图像(TE图像)暗场扫描透射电子显微镜：原子序数衬度图像(Z衬度图像)二次电子图像(SE图像)电子衍射*特征X射线分析和面分布(能谱分析)*电子能量损失谱分析和面分布(EV3000)*电子光学系统电子源肖特基发射电子源冷场致发射器*照明透镜系统2-段聚光镜镜头球差校正仪*六极镜头设计扫描线圈2-段式电磁感应线圈原子序数衬度收集角控制投影镜设计电磁图像位移±1 μm试片镜台样品移动X/Y轴 = ±1 mm, Z轴 = ±0.4 mm样品倾斜单轴-倾斜样品杆：±30°(标准镜头), ±18°(高分辨率镜头*)真空系统 3个离子泵，1个TMP极限真空10-8 Pa(电子枪), 10-5 Pa(样品室)图像显示个人电脑／操作系统PC/AT兼容, Windows XP监视器19-inch液晶显示器面板图像帧尺寸640 × 480, 1,280 × 960, 2,560 × 1,920 象素扫描速度快扫，慢扫(0.5至320秒/帧)自动数据显示记录序号，加速电压，下标尺，日期，时间

专用扫描透射显微镜HD-2700，配备了与德国CEOS GmbH公司（总经理Max Haider先生）共同开发的球差校正仪，显著提高了扫描透射电子显微镜的性能，更适合高级纳米技术研究。由于球差校正系统校正了限制电子显微镜的性能的球差，使其与标准型号显微镜相比，分辨率提高了1.5倍，同时，探针电流提高了10倍。最近，该显微镜还配备了高分辨率镜头和冷场发射电子枪，进一步提高了图像分辨率和电子束能量分辨率。同时，该型号系列还增加了一款不带球差校正的主机配置，可以以后加配球差校正进行升级。特点 高分辨率扫描透射电子显微镜成像HAADF-STEM图像0.136nm，FFT图像0.105nm（高分辨率镜头（*））HAADF-STEM图像0.144nm（标准镜头）明场扫描透射电子显微镜图像0.204nm（w/o球差校正仪）高速，高灵敏度能谱分析：探针电流× 10倍元素面分布更迅速及时低浓度元素检测操作简化自动图像对中功能从样品制备到观察分析实现无缝连接样品杆与日立聚焦离子束系统兼容配有各种选购件可执行各种评估和分析操作同时获取和显示SE&BF, SE&DF, BF&DF, DF/EDX面分布（*） 和DF/EELS面分布（*）图像。低剂量功能（*）（有效降低样品的损伤和污染）高精度放大校准和测量（*）实时衍射单元（*）（同时观察暗场-扫描透射电子显微镜图像和衍射图案）采用三维微型柱旋转样品杆（360度旋转）（*），具有自动倾斜图像获取功能。ELV-3000即时元素面分布系统（*）（同时获取暗场-扫描透射电子显微镜图像）（*） 选购件技术指标HD-2700球差校正扫描式透射电子显微镜项目描述图像分辨率w/o球差校正仪保证 0.204nm（当放大倍数为4,000,000时）w球差校正仪保证 0.144 nm（当放大倍数为7,000,000时）（标准镜头）保证 0.136nm（HAADF图像）保证0.105 nm（通过FFT）（当放大倍数为7,000,000时）（高分辨率镜头（*））放大倍数100倍 至 10,000,000倍加速电压200 kV, 120 kV （*）成像信号明场扫描透射电子显微镜：相衬图像（TE图像）暗场扫描透射电子显微镜：原子序数衬度图像（Z衬度图像）二次电子图像（SE图像）电子衍射（*）特征X射线分析和面分布（能谱分析）（*）电子能量损失谱分析和面分布（EV3000）（*）电子光学系统电子源肖特基发射电子源冷场致发射器（*）照明透镜系统2-段聚光镜镜头球差校正仪（*）六极镜头设计扫描线圈2-段式电磁感应线圈原子序数衬度收集角控制投影镜设计电磁图像位移± 1 &mu m试片镜台样品移动X/Y轴 = ± 1 mm, Z轴 = ± 0.4 mm样品倾斜单轴-倾斜样品杆：± 30° （标准镜头）, ± 18° （高分辨率镜头（*））真空系统 3个离子泵，1个TMP极限真空10-8 Pa（电子枪）, 10-5 Pa（样品室）图像显示个人电脑／操作系统PC/AT兼容, Windows XP监视器19-inch液晶显示器面板图像帧尺寸640 × 480, 1,280 × 960, 2,560 × 1,920 象素扫描速度快扫，慢扫（0.5至320秒／帧）自动数据显示记录序号，加速电压，下标尺，日期，时间 （*） 选购件

产品简介专用扫描透射显微镜HD-2700，配备了与德国CEOS GmbH公司（总经理Max Haider先生）共同开发的球差校正仪，显著提高了扫描透射电子显微镜的性能，更适合高级纳米技术研究。由于球差校正系统校正了限制电子显微镜的性能的球差，使其与标准型号显微镜相比，分辨率提高了1.5倍，同时，探针电流提高了10倍。最近，该显微镜还配备了高分辨率镜头和冷场发射电子枪，进一步提高了图像分辨率和电子束能量分辨率。同时，该型号系列还增加了一款不带球差校正的主机配置，可以以后加配球差校正进行升级。特点 高分辨率扫描透射电子显微镜成像HAADF-STEM图像0.136nm，FFT图像0.105nm（高分辨率镜头（*））HAADF-STEM图像0.144nm（标准镜头）明场扫描透射电子显微镜图像0.204nm（w/o球差校正仪）高速，高灵敏度能谱分析：探针电流×10倍元素面分布更迅速及时低浓度元素检测操作简化自动图像对中功能从样品制备到观察分析实现无缝连接样品杆与日立聚焦离子束系统兼容配有各种选购件可执行各种评估和分析操作同时获取和显示SE&BF, SE&DF, BF&DF, DF/EDX面分布（*） 和DF/EELS面分布（*）图像。低剂量功能（*）（使样品的损伤和污染程度降至最低）高精度放大校准和测量（*）实时衍射单元（*）（同时观察暗场-扫描透射电子显微镜图像和衍射图案）采用三维微型柱旋转样品杆（360度旋转）（*），具有自动倾斜图像获取功能。ELV-3000即时元素面分布系统（*）（同时获取暗场-扫描透射电子显微镜图像）（*） 选购件技术指标HD-2700球差校正扫描式透射电子显微镜项目描述图像分辨率w/o球差校正仪保证 0.204nm（当放大倍数为4,000,000时）w球差校正仪保证 0.144 nm（当放大倍数为7,000,000时）（标准镜头）保证 0.136nm（HAADF图像）保证0.105 nm（通过FFT）（当放大倍数为7,000,000时）（高分辨率镜头（*））放大倍数100倍 至 10,000,000倍加速电压200 kV, 120 kV （*）成像信号明场扫描透射电子显微镜：相衬图像（TE图像）暗场扫描透射电子显微镜：原子序数衬度图像（Z衬度图像）二次电子图像（SE图像）电子衍射（*）特征X射线分析和面分布（能谱分析）（*）电子能量损失谱分析和面分布（EV3000）（*）电子光学系统电子源肖特基发射电子源冷场致发射器（*）照明透镜系统2-段聚光镜镜头球差校正仪（*）六极镜头设计扫描线圈2-段式电磁感应线圈原子序数衬度收集角控制投影镜设计电磁图像位移±1 μm试片镜台样品移动X/Y轴 = ±1 mm, Z轴 = ±0.4 mm样品倾斜单轴-倾斜样品杆：±30°（标准镜头）, ±18°（高分辨率镜头（*））真空系统3个离子泵，1个TMP极限真空10-8 Pa（电子枪）, 10-5 Pa（样品室）图像显示个人电脑／操作系统PC/AT兼容, Windows XP监视器19-inch液晶显示器面板图像帧尺寸640 × 480, 1,280 × 960, 2,560 × 1,920 象素扫描速度快扫，慢扫（0.5至320秒／帧）自动数据显示记录序号，加速电压，下标尺，日期，时间 （*） 选购件

LVEM5 台式透射电子显微镜（Bench-top TEM） 详细介绍Delong Instruments 荣誉出品 • 世界唯一的小型台式透射电子显微镜（TEM）• 世界唯一的多用途台式电子显微镜• 透射电镜（TEM）、电子衍射（ED）、扫描电镜（SEM）、扫描透射电镜（STEM）四种成像模式• 分辨率：1.5nm（TEM）；10nm（SEM）• Schottky场发射电子枪：高亮度、高对比度• 观察生物样品无需染色• 体积仅为传统透射电镜1/10，操作维护简单 台式设计：体积小巧，灵活性高，价格低传统透射电子显微镜体积庞大，对放置环境有着严格的要求，并且需要制冷机等外置设备。通常会占据整间实验室。 LVEM5从根本上区别于传统电镜，尺寸较传统电镜缩小了90%，对放置环境无严格要求，无需任何外置冷却设备，可以安装用户所需的任意实验室或办公室桌面，是目前性价比最高的电子显微镜。Schottky场发射电子枪：高亮度/高对比度电子枪类型是决定电镜性能的重要参数。LVEM5采用特殊设计的倒置肖特基（Schottky）场发射电子枪，提供高亮度高相干的电子束。电子枪使用寿命可达2000小时以上。传统TEM多采用100kV以上电子束加速电压，高能电子束不能区分轻材料中相近的密度和原子序数，对于轻元素样品（C、N、O样品，生物样品）难以获得好的对比度，影响图像质量。LVEM5采用5kV低电压设计，低电压电子束对密度和原子序数有很高的灵敏度，对于小到0.005 g/cm3的密度差别仍能得到很好的图像对比度。例如，对20nm碳膜样品，5KV电压下比100KV电压下对比度提高10倍以上。而LVEM5的空间分辨率在低电压下仍能达到1.5nm。 未经染色的老鼠心脏切片在80kV透射电镜下得到的图像，与LVEM5下得到的图像。LVEM5采用5kV低加速电压，图像具有更好的对比度. TEM-STEM-ED-SEM 四种成像模式TEM模式LVEM5是世界上唯一的台式透射电子显微镜，同时也是唯一的低加速电压（5kV）透射电镜。同传统透射电镜（80-200kV）相比，增加了电子束与样品的相互作用，从而提高了图像对比度。 提高了图像对比度。 无需重金属染色即可观察轻元素样品（如生物样品）。 避免染色造成的假象，观察样品真实结构分辨率2nm，放大倍数 5000-202,000x，图像采集：2048 x 2048 添加TEM升级选件，分辨率提升至1.5nm，放大倍数 50万倍 SEM模式扫描电镜（SEM）模式可用于观察任意固体样品。在SEM模式下，LVEM5采用4分割背散射探测器，提供多个观测角度。普通扫描电镜在观察不导电样品时，需要对样品进行喷金、喷碳处理，以增加样品导电性。LVEM5的另一优点在于，无需喷金可直接观测不导电样品。分辨率10nm，放大倍数 640x - 100,000x，图像采集像素：2048 x 2048 STEM模式在扫描透射电子显微（STEM）模式下，电子束被聚焦到很小直径，在样品上进行扫描。可用于观察厚度较厚的样品或染色样品 ED模式电子衍射（ED）可用于确定样品的晶体结构、结晶度、相组成. 操作简单，换样快捷，成本低廉LVEM5直观的用户界面、简便的控制台设计，使用户仅需极少的培训，即可轻松操作。让用户在使用时更加舒适。不同于传统透射电镜每次更换样品后需要几十分钟的抽真空时间，LVEM5更换样品仅需3min，节省大量时间。LVEM5首次购置费用远低于传统电镜，且在一款仪器中集成了透射电镜与扫描电镜功能，真正的物超所值。LVEM5独特的设计优势，在使用中无需冷却水，无需专业实验室，维持成本极低。 应用案例

Delong America Inc. 荣誉出品 LVEM5 低电压台式透射电子显微镜（Bench-top TEM） &bull 小型台式透射电子显微镜（TEM）&bull 多用途台式电子显微镜&bull 透射电镜（TEM）、电子衍射（ED）、扫描电镜（SEM）、扫描透射电镜（STEM）四种成像模式&bull 分辨率：1.5nm（TEM）；10nm（SEM）&bull Schottky场发射电子枪：高亮度、高对比度&bull 观察生物样品无需染色&bull 体积仅为传统透射电镜1/10，操作维护简单台式设计：体积小巧，灵活性高，价格低传统透射电子显微镜体积庞大，对放置环境有着严格的要求，并且需要制冷机等外置设备，通常会占据整间实验室。LVEM5从根本上区别于传统电镜，尺寸较传统电镜缩小了90%，对放置环境无严格要求，无需任何外置冷却设备，可以安装用户所需的任意实验室或办公室桌面，是目前性价比较高的电子显微镜。Schottky场发射电子枪：高亮度/高对比度电子枪类型是决定电镜性能的重要参数。LVEM5采用特殊设计的倒置肖特基（Schottky）场发射电子枪，提供高亮度高相干的电子束。电子枪使用寿命可达2000小时以上。传统TEM多采用100kV以上电子束加速电压，高能电子束不能区分轻材料中相近的密度和原子序数，对于轻元素样品（C、N、O样品，生物样品）难以获得好的对比度，影响图像质量。LVEM5采用5kV低电压设计，低电压电子束对密度和原子序数有很高的灵敏度，对于小到0.005 g/cm3的密度差别仍能得到很好的图像对比度。例如，对20nm碳膜样品，5KV电压下比100KV电压下对比度提高10倍以上。而LVEM5的空间分辨率在低电压下仍能达到2nm。 未经染色的老鼠心脏切片在80kV透射电镜下得到的图像，与LVEM5下得到的图像。 LVEM5采用5kV低加速电压，图像具有更好的对比度TEM-STEM-ED-SEM 四种成像模式TEM模式LVEM5是一款台式透射电子显微镜，同时也是一款低加速电压（5kV）透射电镜。同传统透射电镜（80-200kV）相比，增加了电子束与样品的相互作用，从而：+ 提高了图像对比度+ 无需重金属染色即可观察轻元素样品（如生物样品）+ 避免染色造成的假象，观察样品真实结构分辨率2nm，放大倍数 5000-202,000x，图像采集：2048 x 2048添加TEM升选件，分辨率提升至1.5nm，放大倍数 50万倍SEM模式扫描电镜（SEM）模式可用于观察任意固体样品。在SEM模式下，LVEM5采用4分割背散射探测器，提供多个观测角度。普通扫描电镜在观察不导电样品时，需要对样品进行喷金、喷碳处理，以增加样品导电性。LVEM5的另一优点在于，无需喷金可直接观测不导电样品。分辨率3nm，放大倍数 640x - 1,000,000x，图像采集：2048 x 2048STEM模式在扫描透射电子显微（STEM）模式下，电子束被聚焦到很小直径，在样品上进行扫描。可用于观察厚度较厚的样品或染色样品ED模式电子衍射（ED）可用于确定样品的晶体结构、结晶度、相组成操作简单，换样快捷，成本低廉LVEM5直观的用户界面、简便的控制台设计，使用户仅需很少的培训，即可轻松操作。让用户在使用时更加舒适。不同于传统透射电镜每次更换样品后需要几十分钟的抽真空时间，LVEM5更换样品仅需3min，节省大量时间。LVEM5次购置费用仅为传统电镜的1/3左右，且在一款仪器中集成了透射电镜与扫描电镜功能，真正的物超所值。LVEM5特的设计优势，在使用中无需冷却水，无需专业实验室，维持成本低。部分测试数据 TEM：碳纳米管 ED：ZnO单晶 STEM：聚乙烯单晶 SEM：水凝胶 应用案例材料领域 生物领域用户列表LVEM5在全球范围已拥有麻省理工、加州大学、乔治亚理工、慕尼黑大学、曼彻斯特大学等50多个用户。优异的性能为LVEM5赢得了用户的一片赞誉。

产品描述灵活的探测，4步工作流程，高级的分析性能将高级的分析性能与场发射扫描技术相结合，利用成熟的 Gemini 电子光学元件。多种探测器可选：用于颗粒、表面或者纳米结构成像。Sigma 半自动的4步工作流程节省大量的时间：设置成像与分析步骤，提高效率。用于清晰成像的灵活探测利用先进探测术为您的需求定制 Sigma，表征所有样品。利用 in-lens 双探测器获取形貌和成份信息。利用新一代的二次探测器，获取高达50%的信号图像。在可变压力模式下利用 Sigma 创新的 C2D 和 可变压力探测器，在低真空环境下获取高达85%对比度的锐利的图像。自动化加速工作流程4步工作流程让您控制 Sigma 的所有功能。在多用户环境中，从快速成像和节省培训首先，先对样品进行导航，然后设置成像条件。首先，先对样品进行导航，然后设置成像条件。接下来对样品感兴趣的区域进行优化并自动采集图像。使用工作流程的一步，将结果可视化。高级分析型显微镜将扫描电子显微镜与基本分析相结合：Sigma 的背散射几何探测器大大提升了分析性能，特别是对电子束敏感的样品。在一半的检测束流和两倍的速度条件下获取分析数据。获益于8.5 mm 短的分析工作距离和35°夹角，获取完整且无阴影的分析结果。基于成熟的 Gemini 技术Gemini 镜头的设计结合考虑了电场与磁场对光学性能的影响，并将场对样品的影响降至更低。这使得即使对磁性样品成像也能获得出色的效果。Gemini in-lens 的探测确保了信号探测的效率，通过二次检测(SE)和背散射(BSE)元件同时减少成像时间。Gemini 电子束加速器技术确保了小的探测器尺寸和高的信噪比。用于清晰成像的灵活探测利用新的探测技术表征所有的样品。在高真空模式下利用创新的 ETSE 和 in-lens 探测器获取形貌和高分辨率的信息。在可变压力模式下利用可变压力二次电子和 C2D 探测器获取锐利的图像。利用 aSTEM 探测器生成高分率透射图像。利用 BSD 或者 YAG 探测器进行成份分析。配件SmartEDX为您带来一体化能谱分析解决方案如果单采用SEM成像技术无法全面了解部件或样品，研究人员就需要在SEM中采用能谱仪（EDS）来进行显微分析。通过针对低电压应用而优化的能谱解决方案，您可以获得元素化学成分的空间分布信息。得益于：优化了常规的显微分析应用，并且由于氮化硅窗口优的透过率，可以探测轻元素的低能X射线。工作流程引导的图形用户界面极大地改善了易用性，以及多用户环境中的重复性。完整的服务和系统支持，由蔡司工程师为您的安装、预防性维护及保修提供一站式服务。 拉曼成像与扫描电镜联用系统完全集成化的拉曼成像在您的数据中加入拉曼光谱及成像结果，获得材料更丰富的表征信息。通过扩展蔡司Sigma 300，使其具备共聚焦拉曼成像功能，您能够获得样品的化学指纹信息，从而指认其成分。识别分子和晶体结构信息可进行3D分析，在需要时可关联SEM图像、拉曼面扫描成像和EDS数据。完全集成RISE让您体验由先进的SEM和拉曼系统带来的优势。

原子分辨率300 kV透射电子显微镜在精细加工技术已进入到亚纳米级水平的半导体，先进材料的研发领域，原子分辨率电子显微镜正在成为日益重要的，不可或缺的工具。 特色用户友好型的操作系统和Windows兼容的图形用户界面设计快速的样品分析，1分钟换样，5分钟内升高压至(300 kV)高稳定性，高分辨率透射电子显微镜高稳定性，高分辨率透射电子显微镜点分辨率为0.18 nm，晶格分辨率为0.1 nm稳定可靠的5轴优中心测角台性能优异，可靠性高性能优异，可靠性高得到市场验证的10级加速器电子枪设计阻抗式高压电缆设计高档可选附件高档可选附件通用样品杆，在日立公司的TEM, FIB 和 STEM系统均可使用可为原子分辨率的动态研究提供加热，冷却和气体注入等多种样品杆备注：FPD(平板显示器)上的图像为模拟图像。规格项目说明分辨率0.10nm(晶格分辨率)0.18nm(点分辨率)加速电压300kV、200kV*1、100kV*1放大倍率连续放大模式1,000～1,500,000×选区模式4,000～500,000×低倍模式200～500×电子枪灯丝LaB6(六硼化镧灯丝，直流加热)灯丝交换自动升降式电子枪高压电缆阻抗电缆照射系统透镜四级透镜聚光镜光阑4孔可变探针尺寸微米束模式：0.05 - 0.2 μm(4级)纳米束模式：1 - 10 nm(4级)电子束倾斜±3°成像系统透镜五级透镜聚焦图像摇摆调整利用像散监视器进行正焦补偿聚焦优化物镜光阑4孔可变光阑选区光阑4孔可变光阑电子衍射 选区电子衍射纳米探针电子衍射会聚束电子衍射相机长度250 - 3,000 mm样品室样品台5轴优中心海帕测角台样品尺寸3mmΦ样品位置追踪X/Y = ±1mm, Z = ±0.3 mm通过CPU控制马达驱动样品位置显示自动驱动，自动跟踪样品倾斜α = ±15°, β = ±15°(日立双倾样品台*2)防污染冷阱烘烤功能中温烘烤功能观察室荧光屏主屏：110 mmΦ聚焦屏：30 mmΦ目镜7.5×照相室区域选择整张照相/半张曝光胶片25张(2套胶片盒)图形用户界面 操作系统：Windows XP显示器19英寸显示器功能数据库，测量，图像处理数码CCD 相机*3相机耦合透镜耦合有效像素1,024 × 1,024 像素A/D 分辨率12位真空系统电子枪离子泵：60 L/s镜筒涡轮分子泵：260 L/s观察室/照相室扩散泵：280 L/s前级泵：135 L/min × 3台*1：放大倍率校准为可选项*2：可选件*3：本规格适用于可选的1,024 × 1,024像素的数码CCD相机

原子分辨率300 kV透射电子显微镜在精细加工技术已进入到亚纳米级水平的半导体，先进材料的研发领域，原子分辨率电子显微镜正在成为日益重要的，不可或缺的工具。 特色用户友好型的操作系统和Windows兼容的图形用户界面设计快速的样品分析，1分钟换样，5分钟内升高压至(300 kV)高稳定性，高分辨率透射电子显微镜高稳定性，高分辨率透射电子显微镜点分辨率为0.18 nm，晶格分辨率为0.1 nm稳定可靠的5轴优中心测角台性能优异，可靠性高性能优异，可靠性高得到市场验证的10级加速器电子枪设计阻抗式高压电缆设计高档可选附件高档可选附件通用样品杆，在日立公司的TEM, FIB 和 STEM系统均可使用可为原子分辨率的动态研究提供加热，冷却和气体注入等多种样品杆备注：FPD(平板显示器)上的图像为模拟图像。规格项目说明分辨率0.10nm(晶格分辨率)0.18nm(点分辨率)加速电压300kV、200kV*1、100kV*1放大倍率连续放大模式1,000～1,500,000×选区模式4,000～500,000×低倍模式200～500×电子枪灯丝LaB6(六硼化镧灯丝，直流加热)灯丝交换自动升降式电子枪高压电缆阻抗电缆照射系统透镜四级透镜聚光镜光阑4孔可变探针尺寸微米束模式：0.05 - 0.2 μm(4级)纳米束模式：1 - 10 nm(4级)电子束倾斜±3°成像系统透镜五级透镜聚焦图像摇摆调整利用像散监视器进行正焦补偿聚焦优化物镜光阑4孔可变光阑选区光阑4孔可变光阑电子衍射 选区电子衍射纳米探针电子衍射会聚束电子衍射相机长度250 - 3,000 mm样品室样品台5轴优中心海帕测角台样品尺寸3mmΦ样品位置追踪X/Y = ±1mm, Z = ±0.3 mm通过CPU控制马达驱动样品位置显示自动驱动，自动跟踪样品倾斜α = ±15°, β = ±15°(日立双倾样品台*2)防污染冷阱烘烤功能中温烘烤功能观察室荧光屏主屏：110 mmΦ聚焦屏：30 mmΦ目镜7.5×照相室区域选择整张照相/半张曝光胶片25张(2套胶片盒)图形用户界面 操作系统：Windows XP显示器19英寸显示器功能数据库，测量，图像处理数码CCD 相机*3相机耦合透镜耦合有效像素1,024 × 1,024 像素A/D 分辨率12位真空系统电子枪离子泵：60 L/s镜筒涡轮分子泵：260 L/s观察室/照相室扩散泵：280 L/s前级泵：135 L/min × 3台*1：放大倍率校准为可选项*2：可选件*3：本规格适用于可选的1,024 × 1,024像素的数码CCD相机

小型低电压透射电子显微镜-LVEM25 ●具备多种成像模式：透射模式（TEM），扫描模式（SEM），电子衍射模式（ED）。●电子加速电压：10, 15, 25 kV●空间分辨率：1nm●采用Schottky场发射电子枪，高亮度和对比度●观察生物样品无需染色，且对切片厚度无要求，成像结果对比度高●真空自闭锁技术，更换样品仅需3分钟。●无需冷却水和专用电源，无需专业实验室，操作简单，维护成本低。采用电子加速电压，避免了传统电镜的缺点和限制 在大型的透射电子显微镜系统中，电子加速电压一般在80-300 kV左右。在如此高的电压下，对于C，H，O，N等轻元素组成的样品（如高分子和生物样品等），只有经过重元素染色操作才可以得到较好的图像对比度。而LVEM25采用的电子加速电压范围在10-25 kV，较低的加速下，研究者不需要对样品进行染色，即可得到很高的图像对比度。同时在25 kV电压下，LVEM25还避免了低电压对样品厚度的限制要求，只需要研究者按照正常厚度要求制作样品切片即可。 台式小型化设计，操作简单，维护成本低。 LVEM25虽然和传统TEM一样遵循了相同的电子透镜基本原理，但是在产品结构上却有着显著的不同。这一创新性设计使得LVEM25的设备尺寸大大缩小，真正实现了TEM的“小型化，台式化”。LVEM25对设备安装环境没有任何要求，不需要高功率电源，无需磁屏蔽和减震装修，更不需要冷却水和液氮冷阱等复杂配置，日常维护成本低。同时LVEM25操作界面简单友好，研究者经过相对简单的培训后即可执行日常操作。 优化的硬件配置，保证运行稳定可靠。l 采用肖特基场发射电子枪LVEM25采用了Schottky场发射电子枪，保证设备连续运行数千小时。同时为样品成像提供了更好的亮度和空间均匀度。l 样品和电子枪附近采用离子泵抽真空LVEM25在样品腔和电子枪附近配备了离子泵来达到超高真空环境，在保证设备运行稳定的同时，有效避免了外部机械振动。l 电子透镜组由永磁体组成LVEM25的电子透镜模块由永磁体构成，从而精简了一般大型电镜中的磁体电源系统，进一步提高了设备运行的稳定性和可靠性，同时大大降低了维护成本。 部分测试数据

FAI 微光发射显微镜（EMMI）FAI Photo Emmission MicroscopeFAI 微光发射显微镜用于检测半导体内部缺陷引起的微光发射或微热发射来准确定位半导体器件的失效位置。通过使用不同类型的探测器，或者配置双激光扫描系统（SIFT），以及配合相应的检测软件来实现对半导体元器件或芯片电路的微光、微热、光激励诱导失效测试等各种分析手段。FAI的Crystal Vision微光发射显微镜系统对所配置探测器的数量没有限制，可选择配置从一个到我们提供的所有型号的探测器和SIFT激光扫描头。主要功能CCD探测器：波长探测范围 365nm 至 1190nm；带电子半导体制冷器（TEC）的CCD探测器，可冷却稳定在 -40℃以下，无需使用危险的液氮制冷剂；CCD解析度为1280x1024；像素暗电流0.002 电子/秒；读噪声7 个电子；连续收集信号时间从32毫秒至2小时。InGaAs探测器：波长探测范围 900nm – 1750nm；带电子半导体制冷器（TEC）的InGaAs探测器，可冷却稳定在 -40℃以下，无需使用危险的液氮制冷剂； InGaAs探测器分辨率为320x240，像素点尺寸为30 x 30um，更大的像素点面积可以收集更少的光子，探测灵敏度是普通640x480 InGaAs探测器的4倍；连续收集信号时间从1微秒到60分钟；有效波段范围内量子效率（QE）为 80-85%；灵敏度 NEI 1x1010 ph/cm2/sec；量子效率70 QE 在950-1700nm范围内。 VisGaAs 探测器：波长探测范围 500nm – 1800nm，代表了新技术的VisGaAs 探测器覆盖了可见光-红外光波长检测范围，一个探头就可替代传统的CCD和InGaAs 两个探测器；半导体制冷器（TEC） ，可冷却稳定在 -40℃以下。SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)双波长激光扫描头：双激光源654nm和1428nm；通过激光扫描芯片电路，导致失效位置电阻发生变化，通过检测反馈信号的变化，从而检测到失效位置；SIFT扫描不受物镜视野限制，可以一次扫描完整整个检测区域，无需图像拼接，避免图像扭曲；FAI的恒定电流附加反馈回路的技术，不但提高了检测灵敏度，而且避免了检测时电压过高的风险；恒定焦距的定镜扫描，可以将激光点停留在任意指定位置，用于确认失效点。FMI荧光热成像技术：FAI的微热分析技术，热分辨率是千分之一K(1/1000K)，可以室温操作，无需使用危险的液晶溶液。LC液晶热成像技术：FAI的SLC（稳定液晶）液晶热成像技术的热分辨率为百分之一K (1/100 K)。Moire云纹成像：从硅片背面采用“云纹图像成像”的方式来检测失效位置的微热变化。

FAI 微光发射显微镜（EMMI）FAI Photo Emmission Microscope咨询请点击导航栏 联系方式，直接联系我们。FAI 微光发射显微镜用于检测半导体内部缺陷引起的微光发射或微热发射来准确定位半导体器件的失效位置。通过使用不同类型的探测器，或者配置双激光扫描系统（SIFT），以及配合相应的检测软件来实现对半导体元器件或芯片电路的微光、微热、光激励诱导失效测试等各种分析手段。FAI的Crystal Vision微光发射显微镜系统对所配置探测器的数量没有限制，可选择配置从一个到我们提供的所有型号的探测器和SIFT激光扫描头。主要功能CCD探测器：波长探测范围 365nm 至 1190nm；带电子半导体制冷器（TEC）的CCD探测器，可冷却稳定在 -40℃以下，无需使用危险的液氮制冷剂；CCD解析度为1280x1024；像素暗电流0.002 电子/秒；读噪声7 个电子；连续收集信号时间从32毫秒至2小时。InGaAs探测器：波长探测范围 900nm – 1750nm；带电子半导体制冷器（TEC）的InGaAs探测器，可冷却稳定在 -40℃以下，无需使用危险的液氮制冷剂； InGaAs探测器分辨率为320x240，像素点尺寸为30 x 30um，更大的像素点面积可以收集更少的光子，探测灵敏度是普通640x480 InGaAs探测器的4倍；连续收集信号时间从1微秒到60分钟；有效波段范围内量子效率（QE）为 80-85%；灵敏度 NEI 1x1010 ph/cm2/sec；量子效率70 QE 在950-1700nm范围内。 VisGaAs 探测器：波长探测范围 500nm – 1800nm，代表了新技术的VisGaAs 探测器覆盖了可见光-红外光波长检测范围，一个探头就可替代传统的CCD和InGaAs 两个探测器；半导体制冷器（TEC） ，可冷却稳定在 -40℃以下。SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)双波长激光扫描头：双激光源654nm和1428nm；通过激光扫描芯片电路，导致失效位置电阻发生变化，通过检测反馈信号的变化，从而检测到失效位置；SIFT扫描不受物镜视野限制，可以一次扫描完整整个检测区域，无需图像拼接，避免图像扭曲；FAI的恒定电流附加反馈回路的技术，不但提高了检测灵敏度，而且避免了检测时电压过高的风险；恒定焦距的定镜扫描，可以将激光点停留在任意指定位置，用于确认失效点。FMI荧光热成像技术：FAI的微热分析技术，热分辨率是千分之一K(1/1000K)，可以室温操作，无需使用危险的液晶溶液。LC液晶热成像技术：FAI的SLC（稳定液晶）液晶热成像技术的热分辨率为百分之一K (1/100 K)。Moire云纹成像：从硅片背面采用“云纹图像成像”的方式来检测失效位置的微热变化。

Talos F200i S/TEM 产品描述更高生产率和灵活性 — 支持更多材料科学应用 用于高分辨率成像和分析应用的Thermo Scientific Talos F200i 扫描/透射电子显微镜 (S/TEM) 现可提供对称布置的双100 mm2 Racetrack 检测器“( Dual-X”)，以最大限度提高分析通量。 Thermo ScientificTM TalosTM F200i S/TEM 为 20-200 kV 场发射扫描/透射电子显微镜，专为提高各种材料科学样品和应 用的分析性能和生产率而设计。其标准 X-TWIN 物镜极靴间距——可赋予应用最大限度灵 活性——结合高再现性镜筒设计，可支持高分辨率 2D 和 3D 表征分析、原位动态观察及衍射应用。同时，Talos F200i 还 配备了 4k × 4k Ceta 16M 相机，可在 64 位平台上提供大 视野、高灵敏度快速成像。您可根据自身需求选择最适宜的 EDS 可加装各类的能谱探头，从单 30 mm2 到双 100 mm2 特点与用途关键优势 双 EDS 技术可实现。从单 30 mm2 探头到可实现高通量 (或低剂量)分析的双 100 mm2 探头，可根据您的需求 选择最理想的 EDS 高质量 S/TEM 图像和准确的 EDS。借助创新直观的 Velox 软件用户界面，可通过极其简单的操作方法，获得 高质量 TEM 或 S/TEM 图像。Velox 软件内置的特有的 EDS 吸收校准功能可实现最精确的定量分析 最佳的全方位原位分析功能。加装三维重构或原位分析 样品杆。高速相机、智能软件和我们的大 X-TWIN 物镜间 距可实现 3D 成像和原位数据采集，同时最大限度避免分 辨率和分析能力的损失 提高生产效率。超稳定镜筒，借助 SmartCam 和恒定功率 物镜实现的远程操作，用于快速的模式和高压切换。轻松 快速切换，适用于多用户环境 最具可重复性的数据。所有日常 TEM 合轴(例如，聚焦、 共心高度调节、电子束偏转、聚光镜光阑器对中、电子束 倾斜和旋转中心)自动完成，确保每次开始使用时都具有 最佳的成像条件。实验可反复重现，使您可以更多关注研 究工作本身，而非所用设备 高速大视野成像。4k × 4k Ceta CMOS 相机具有大视野， 能够在整个高压范围实现高灵敏度、高速数码缩放 紧凑型设计。本设备具有更小的尺寸和占地面积，有助于 在更具挑战性的空间内安装，同时降低安装和支持成本 产品参数TEM 线分辨率 ≤0.10 nm TEM 信息分辨率 ≤0.12 nm LACBED 最大会聚角 ≥100 mrad 最大衍射角 24° STEM 分辨率 ≤0.16 nm EDS 侧插式，可伸缩 电子枪类型 场发射枪或高亮度场发 样品操作 Z 轴运动总行程 (标准样品杆) ±0.375 mm 最大 α 倾转角(三维重构样 品杆) (高视野样品杆) ±90° 样品漂移 (标准样品杆) ≤0.5 nm/min

屹东光学YF1801扫描电子显微镜采用热场发射电子枪（Schottky FEG）技术，电子光学镜筒中融入了先进的全镜筒加速技术，确保了低加速电压下电子束优异的成像性能，适用于各类材料（特别是不导电、不耐电子辐照的样品）的高分辨成像。YF1801配备有镜筒内（光轴上）和样品室内（Everhart-Thornley）两款二次电子探测器、背散射电子探测器、扫描透射电子探测器等，能高效收集从样品中激发出的多种电子信号进行成像，可最大程度揭示样品的微观形貌和结构信息。

高效率高分辨率电子显微镜H-9000 300kV透射电子显微镜以其优秀的稳定性、应用性能及可靠性满足近十年来的科研团体的严格要求。新款的300kV透射电子显微镜H-9500继承了这些优点，又采用了一些新技术，实现了计算机控制和数字图像，易于操作。可以获得高质量的原子分辨率图像，是材料研究领域不可或缺的工具。1．易于操作的Windows XP和图形操作界面2．高效快捷的数字化电子显微镜 5分钟内实现300kV 高压下电子束发射(自动模式) 1分钟换样时间3．快慢双模式照相系统4．图片数据库5．稳定可靠的5轴样品台低速或高速样品台6．样品位置记忆追踪功能7．FIB扩展夹具(选件)性能描述分辨率0.10nm(晶格像)0.18nm(点分辨率)加速电压300kV(200kV选件)放大倍数缩放X 1,000- X 1,500,000选区X4,000- X500,000低倍X200- X500电子枪六硼化镧灯丝LaB6照射系统透镜四级透镜光阑4孔成像系统透镜五级透镜物镜光阑4孔选区光阑4孔 样品室 样品台5轴样品尺寸3mm样品位置追踪自动 样品倾转α：±15度β：±15度或更大 镜筒烘烤内置式烘烤系统观察室屏幕尺寸主屏幕：110mm光学倍率X 7.5照相室区域选择全屏或半屏 软件系统控制系统基于Windows图形控制软件标配功能参数显示、测量、图像处理数字相机1，024 X 1，024 pixles视场放大倍数15倍(LCD观测/直接观测)