变温塞效应测试仪

MMR SB100 变温塞贝克热电效应测试仪器 塞贝克热电效应测量系统允许用户可以通过从70 K到400 K温度范围内自动测量塞贝克效应在金属，半导体和其他电子导电样品的热电效应，也可从200K到730K。样品安装很简单，可实现样品的快速更换。该塞贝克系统兼容不同的计算机通过IEEE - 488（GPIA）或RS - 232接口。可编程塞贝克的混合测量系统包括了SB - 100可编程控制器塞贝克的K - 20可编程温度控制器，塞贝克热阶段和配件，计算机（PC），和MMR提供的软件. 塞贝克热电系统包括两个热电偶对。一对是形成了铜路口和已知的塞贝克电动势的参考。另一对是形成了铜路口及材料的塞贝克电动势。该系统采用更复杂的参数测量技术，能更精确，高重复性。 特征工作温度：70K至730K2个16bit A / D转换器分辨率：50nV测试精度：0.1％最小加热器步长：0.1mw自动读取：高达128软件支持所有测量样品长度：“2mm10mm电源输入：110V,60Hz和220V，50Hz

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.设备明细：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选）3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %3-3测试样品：3-3-1样品测试仓：全封闭、带玻璃窗口3-4温 度：3-4-1温度区域：80K ~730K3-4-2温控精度：0.1K3-4-3温控稳定性：± 0.1 K3-5电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm3-6电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms3-7载流子浓度：102~1022cm-33-8迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec3-9输入电流：3-9-1电流范围：0.1 pA~10mA3-9-2电流精度：2%3-10输入电压：3-10-1电压范围：± 2.5V,最小可测到6× 10-6V3-10-2电压分辨率：3× 10-7V3-10-3电压精度：2%

MMR Hall Effect Measurement System controlled continuously variable temperature MMR可控连续变温霍尔效应测试系统1. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数2. 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。3. 磁场强度： 0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择4. 温度区域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K5. 电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm6. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms7. 载流子浓度：102~1022cm-38. 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec 仪器优点：1. 采用van der Pauw法测试 2. 最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 个 3. 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出 4. 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统 5. 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优 6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试7.允许在一定气体环境下测试8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率

Seebeck Measurement System塞贝克效应测试仪Thermoelectric MeasurementsspecificationØ Small Sample SizesØ 2 mm to 10 m lengthØ 1 to 2 mm wide and highØ Specifications:Ø Resolution: 50nVØ Minimum step of power to heater to determine temp difference: 0.1 mWØ Max thermal range measured: +/- 3mVØ Internal standard to ensure error correction in measurementsØ ControllersØ Rack mountableØ GPIB OptionsØ USB ConnectionsØ Software for control and analysis providedØ Can be used with LabView ****

全自动变温霍尔效应测试仪HMS-5000.HMS-5300,HMS-5500产地：韩国Ecopia；型号：HMS-5000，HMS-5300，HMS-5500；主要型号:1/ HMS-5000：温度范围80K-350K；2/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；3/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；产品组成:1、 主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 0.55特斯拉磁体包(型号：AMP55) - 0.55特斯拉永磁体 - 磷铜样品固定板 - 样品固定板嵌入式加热器 - 液氮槽 - 温度传感器 样品变温、固定部分组成 AMP磁体Kit俯视图 - 圆形液氮槽 - 磁体移动马达控制 - 样品固定板 - 圆形液氮槽 - 温度传感器 - 磁体盖 - 嵌入式加热器 - 电缆 - 磁体盖 - 电缆3、 常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板 (选配)4、 变温霍尔效应测量软件HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面 不同温度I-V/I-R曲线 载流子浓度随温度变化曲线 迁移率随温度变化曲线 电阻率随温度变化曲线 霍尔系数随温度变化曲线 电导率随温度变化曲线产品规格：1、 主要实验参数输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.55T；样品测量板：弹簧样品板；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm；温度范围：80K-773K；磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；2、 软件操作环境 XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果 - 体载流子浓度、表面载流子浓度； - 迁移率； - 霍尔系数； - 电阻率、方块电阻； - 磁致电阻； - 电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：复旦大学、中国科技大学、华中科技大学、河南理工大学、河南大学、厦门大学、香港城市大学、香港科技大学、香港理工大学、电子科技大学、河北工业大学、吉林大学、中科院上海微系统所、中科院化学所、中科院沈阳金属所、国家硅材料检测中心、广州有色金属研究院、驰宏锌锗、深圳莱尔德等；

韩国Ecopia 全自动变温霍尔效应测试仪 HMS-5300LTHVariable Temperature Hall Effect Measurement System (80K-573K)产品组成:1、主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 AMP55TR 磁体组磁场强度：0.51T软件控制，自动换向3、 变温样品系统温度范围：80k-573k主要组成部分及技术规格：-马达控制的磁体组件及腔体；-数据传输电缆、温控电缆等；-变温样品板及弹簧夹具；-温控系统、热电偶；-0.51 特斯拉永磁体；-金属复合材质的高温样品板；-全自动温度控制范围：80-573k；-温控精度：0.5 摄氏度；-控温步长：1 摄氏度；-升温时间：约 30 分钟(常温至 300 摄氏度)；-样品尺寸：样品边长控制在 5mm - 20mm 长；4、常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板5、变温霍尔效应测量软件HMS-5300 变温霍尔效应测量仪软件主界面产品规格：1、 仪器主要参数2、 软件操作环境Windows10/ 8 / 7 环境下；3、实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率、霍尔系数；电阻率、电导率；磁致电阻；电阻的纵横比率；载流子浓度、迁移率、电阻率 vs 温度曲线；I-V 曲线，及不同温度下 I-V 曲线的对比图；4、仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；磁体 Kit 尺寸：680×220×110 mm (W×H×D) / 16Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO),AlZnO, FeCdTe, ZnO 等所有半导体薄膜(P 型和 N 型)；

产地：韩国Ecopia；型号：HMS-5000，HMS-5300，HMS-5500；主要型号:1/ HMS-5000：温度范围80K-350K；2/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；3/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；产品组成:1、 主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 0.55特斯拉磁体包(型号：AMP55) - 0.55特斯拉永磁体 - 磷铜样品固定板 - 样品固定板嵌入式加热器 - 液氮槽 - 温度传感器 样品变温、固定部分组成 AMP磁体Kit俯视图 - 圆形液氮槽 - 磁体移动马达控制 - 样品固定板 - 圆形液氮槽 - 温度传感器 - 磁体盖 - 嵌入式加热器 - 电缆 - 磁体盖 - 电缆3、 常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板 (选配)4、 变温霍尔效应测量软件HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面 不同温度I-V/I-R曲线 载流子浓度随温度变化曲线 迁移率随温度变化曲线 电阻率随温度变化曲线 霍尔系数随温度变化曲线 电导率随温度变化曲线产品规格：1、 主要实验参数输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.55T；样品测量板：弹簧样品板；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm；温度范围：80K-773K；磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；2、 软件操作环境 XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果 - 体载流子浓度、表面载流子浓度； - 迁移率； - 霍尔系数； - 电阻率、方块电阻； - 磁致电阻； - 电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：复旦大学、中国科技大学、华中科技大学、河南理工大学、河南大学、厦门大学、香港城市大学、香港科技大学、香港理工大学、电子科技大学、河北工业大学、吉林大学、中科院上海微系统所、中科院化学所、中科院沈阳金属所、国家硅材料检测中心、广州有色金属研究院、驰宏锌锗、深圳莱尔德等；

HMS-7000 光电霍尔效应测试仪相比于传统的变温霍尔效应测试仪，变温光模霍尔效应测试仪可以通过改变照射在样品上的不同波长范围的光源（红、绿、蓝光源），得出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数等半导体电学重要参数随光源强度变化的曲线。 光学模块 通过HMS-7000主机及霍尔效应测试仪软件控制光源及马达自动完成测试，并绘制出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数随光源强度变化的曲线如下：

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

Ecopia为全球霍尔效应测试仪的领导者。针对半导体材料的霍尔效应测试，Ecopia有多个系列、型号的产品推荐给不同要求的霍尔效应仪客户。 HMS-3300 / HMS-3500高温霍尔效应测试仪使用HMS-3000霍尔主机。HMS-3300 / HMS-3500高温霍尔效应仪的变温磁体包使用5500高斯的永磁体组，高温样品板通过温控仪手动控温，温度范围：常温 ~ 300摄氏度 (或500摄氏度)，磁体换向通过磁体组的手动平移实现。 总的来说，HMS-3300 / HMS-3500是一款手动调温的高性价比成熟霍尔效应测试仪。

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件

iSD-300冲击波毁伤效应测试仪 针对战斗部冲击波超压毁伤效应测试需求开发，将ICP恒流源调理、A/D转换器、大容量存储器、可充电锂电池、SOC单元及数据通讯单元等集成一体，可独立工作，直接接驳ICP型冲击波压力传感器，放置于测点附近，自动采集存储冲击波毁伤效应数据；内置GPS定位授时单元和无线通信单元，实现分布式多点无线同步测量及远程无线遥测功能。产品特点 ■ 仪器小巧、坚固、轻便，可独立工作，现场一键设置；■ 采样率最高1MSps，满足冲击波超压测试需求；■ 内置ICP恒流源，可直接接驳IEPE型冲击波压力传感器；■ 采用高精度GPS/北斗授时，支持分布式同步触发测量，多点同步时差μs 级；■ 自带电池供电，可置于测点附近，自动完成数据采集和存贮；■ 内置大容量数据存储器，可记录多次试验数据，16段连续采集，防止误触发；具有数据断电保护功能；■ 充电通信接口，一键下载所有设备数据；■ 可采用无线/有线通信方式，远程监测多个设备状态，设置参数，读取数据；■ 近距离（80米内）可通过WiFi应用控制设备，获取状态，读取数据及结果，远距离（5km内）可通过Lora应用控制设备，获取状态及特征值；■ 配套软件可设置参数，显示超压P-T曲线及测试结果，保存试验数据，生成测试报告等。技术指标型号：iSD-300通道数：1/2通道内置调理单元：ICP恒流源 采样率：最高1MSpsAD分辨率：16Bit量程：±10V直流精度：≤±0.3%内置数据存储空间：16 GB，eMMC续航时间：内置可充电锂电池，电池续航时间不低于4H防护等级：防水防尘等级 IP67尺寸、重量：直径：50mm 高：110mm 重：330g工作温度：-20℃～70℃抗冲击：100g更多详细信息，请咨询：四川拓普测控科技有限公司

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：1T 电磁体3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：25 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所...

美国MMR塞贝克效应系统 热电材料的研究在能量保存和能源替代方面有着重要的作用, 而热电系数是热电材料的主要参数之一. 通过研究不同温度下的热电系数并配合理论模型可得到载流子类型和能带结构信息等. 主要应用于能源效率, 替代能源, 汽车和燃料消耗等研究. 美国MMR塞贝克效应系统主要参数： 待测样品与参考样品增益不匹配度： 0.1%样品长度：2~10mm电压分辨率：50nV最多可重复测量次数: 128 (自动取平均值)温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选） 美国MMR塞贝克效应系统优势： 比较法测量，测量更准确温度连续可调，从低温到高温腔体体积小，可伸入到磁场 可增加霍尔效应测量模块

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

HL9900 霍尔效应测试仪应用程序通过霍尔效应测量，可以确定以下特性:电阻率/电导率流动性散装/单张载体浓度掺杂类型霍尔系数磁阻垂直/水平阻力比特性Van der Pauw, Hall Bar和Bridge测量符合ASTM F-76标准简单的探针系统，方便，快速的样品吞吐量紧凑的工作台设计宽电流范围，包括自动电流装置，以尽量减少样品加热用户自定义电场限制，以避免低温下的冲击电离效应可选的高阻抗缓冲放大器/电流源扩展片电阻率测量到1011 Ω/平方HL9950 -可变温度单元Van der Pauw, Hall Bar和Bridge测量符合ASTM F-76标准简单的探针系统，方便，快速的样品吞吐量紧凑的工作台设计宽电流范围，包括自动电流装置，以尽量减少样品加热用户自定义电场限制，以避免低温下的冲击电离效应可选的高阻抗缓冲放大器/电流源扩展片电阻率测量到1011 Ω/平方

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所、华南理工、天合光能...

台湾EMT7065霍尔效应仪 霍尔效应仪可以测量Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。EMT7065霍尔效应仪运用先进的Keithley电子仪表，和我们在极端的条件下能够很好的整合一整套系统，我们的霍尔效应仪温度范围可以达到4K-1000K，磁场可以升级到9T。可以结合许多极端环境平台： 从4K到1000K温度不改变样品架制冷机温度可达到1000K宽泛的测量范围无需跟换腔体进行操作坚固设计并安装在冷却器的上端，换样品时不会接触到。许多标准的安装配置可用-可定制适合你的冷端或者样品架安装配置可以使用许多不同的封闭式和开放式循环制冷机提供高温系统以及温度控制器

FTTD-5000B型变温铁电测试仪是一款扩展灵活的变温铁电测试系统，也是一款可替代德国aixACCT公司生产的TF Analyzer 2000铁电分析仪的国产铁电材料性能测试设备，可广泛地应用于如各种铁电/压电/热释电薄膜、厚膜、体材料和电子陶瓷、铁电传感器/执行器/存储器等领域的研究。一、产品主要性能：1、本测试系统由主控器、高压放大器、变温综合测试平台（配铁电测试盒）或高低温探针台（配高压探针）、计算机及系统软件部分组成。2、主控器集成了可编程波形发生器、内置驱动电压、电荷积分器、可编程放大器、模数转换器、通讯总线等功能，3、主控器提供扩展外置高压放大器接口，可扩展±5 kV或±10 kV的高压放大器。4、系统软件包括可视化数据采集和管理功能，测试时，无需改变测试样品的连接，即可实现滞回，脉冲，漏电，IV等性能测试。5、本测试系统铁电性能测试采用基于虚地模式的测量方法，与传统的Sawyer- Tower模式相比，此电路取消了外接电容，可减小寄生元件的影响。6、此电路的测试精度仅取决于积分器积分电容的精度，减少了对测试的影响环节，容易定标和校准，并且能实现较高的测量准确度。 二、铁电参数测试主要性能指标：1、 外接5 kV高压放大器（可扩展至10 kV）（国产、进口均适用）；2、. 动态电滞回线测试频率范围0.01 Hz ～ 5 kHz；3、 最大电荷解析度：10 mC（可扩展）；4、 疲劳测试频率300 kHz（振幅10 Vpp，负载电容1 nF）；5、 漏电流测量范围 1 pA ～ 20 mA（可扩展），分辨率0.1 pA；6、 配有高压击穿保护模块；7、温度范围：-160℃～260℃。本测试系统铁电性能测试采用基于虚地模式的测量方法，与传统的Sawyer- Tower模式相比，此电路取消了外接电容，可减小寄生元件的影响。此电路的测试精度仅取决于积分器积分电容的精度，减少了对测试的影响环节，容易定标和校准，并且能实现较高的测量准确度。变温铁电测试系统采用模块化设计，不同的模块对应不同的电特性测量。测量功能如下，可按需选择：动态电滞回线DHM静态电滞回线SHMI-V特性脉冲PUND疲劳Fatigue电击穿强度BDM 漏电流LM电流-偏压保持力RM印迹印痕IM变温测试THM可选的模块：POM 模块实现极化测量功能CVM模块实现小信号电容测试，获得C-V曲线PZM模块实现压电特性测试DPM模块测试介电性能RTM模块测试电阻/电阻率性能CCDM模块实现电容充放电测试。

一．用途浪涌测试满足测试标准 IEC 60601-1:2005 (Issue 3) Figure 10 (IEC 60601-1 Figure 50 旧版本)； 满足标准 60601-1:2005 Figure 11 IEC 60601-2-34 Issue 2(可选) IEC60601-2-34Issue 3(包含) IEC 60601-2-49 EC-13 EC-53 和新标准要求 IEC 60601-2-25:2011 和 IEC60601-2-27:2011（含修正 1）。除颤效应防护测试 (共模， 差模)和节能测试。 所有这些测试都使用相同的 5000V 信号源，但输出波形不同。 DFT60包含各种测试所需的不同电路。二．特点和性能规格1、剩余电压自动测量：解决外接示波器测试过程中被干扰导致数据错误的问题2、自动切换导联和输出参数不用频繁去人工切换导联和输出参数，全部软件自动和选择，极大提高了测试效率和安全性。3、充电电压 ： 0 - 5500 V ±1%4、主电容 ： 32 uF ±5%电感 ： 500uH 和 25 mH ±5%5、内阻：10Ω，11Ω 根据标准自动切换或者设置。6、主电阻 ： 100 Ω， 50 Ω and 400 Ω ±1% 无感7、内部信号：5vPP±5%；20vPP±5% 10Hz±1%8、电压控制：数字设置9、极性控制 ： 正极和负极， 数字设置10、电压显示 ：7寸液晶触摸屏11、电压表分辨率 ：1V12、电压表精确度 ： ±1%13、占空比 ： 脉冲间隔 20s，±1%100电阻档， 可达 70脉冲14、脉冲间隔 12s，+1%/-5% 100 电阻档， 连续运行15、线性电压 ：120V AC，50/60Hz *可选不同的线性电压16、能量测试：- 仅工作时 ： 25mH 电感 (符合节能测试要求)- 显示分辨率值 ：1焦耳- 重复性 ： ± 2 焦耳，（脉冲之间）三．工作条件1）工作温度： 15-28 º C，相对湿度范围 ： 0-90% 不凝结2）电源电压: 单相 220V ±10%，220V+/-10%，50-60 Hz

高低温快速温变试验箱 容积408L 皓天鑫升降温测试仪制冷系统及压缩机：为了保证试验箱降温速率和低温度的要求，本试验箱采用一套泰康全封闭压缩机所组成的二元复叠式风冷制冷系统。复叠式制冷系统包含一个高温制冷循环和一个低温制冷循环，其连接容器为蒸发冷凝器，蒸发冷凝器是也到能量传递的作用，将工作室内热能通过两级制冷系统传递出去，实现隆温的目的。制冷系统的设计应用能量调节技术，一种行之有效的处理方式既能保证在制冷机组正常运行的情况下又能对制冷系统的能耗及制冷量进行有效的调节，使制冷系统的运行费用和故障率下降到较为经济的状态。制冷剂：采用DUPONT公司R404（高温循环）、R23（低温循环）辅助件：膨胀阀（丹麦丹佛斯），电磁阀（意大利CASTEL）；过滤器（美国爱高）；油离器（台湾冠压）等制冷配件均采用进口件高低温快速温变试验箱 容积408L 皓天鑫升降温测试仪箱体结构：箱体采用数控机床加工成型，造型美观大方，并采用无反作用把手，操作简便。箱体内胆采用进口高级不锈钢（SUS304）镜面板，箱体外胆采用A3钢板喷塑，增加了外观质感和洁净度。补水箱置于控制箱体右下部，并有缺水自动保护，更便利操作者补充水源。大型观测视窗附照明灯保持箱内明亮，且利用发热体内嵌式钢化玻璃，随时清晰的观测箱内状况。加湿系统管路与控制线路板分开，可避免因加湿管路漏水发生故障，提高安全性。水路系统管路电路系统则采用门式开启，方便维护和检修。门与箱体之间采用双层耐高温之高张性密封条以确保测试区的密闭。引线孔（机器左侧）可外接测试电源线或信号线使用（直径50mm或100mm）。（孔径或孔数须增加定货时说明）。规格：型号:TEC-408P-F工作室尺寸：600*800*850MM温度范围：-40~150℃重量：365KG高低温快速温变试验箱 容积408L 皓天鑫升降温测试仪 用途：适用于航空航天产品、信息电子仪器仪表、材料、电工、电子产品、各种电子元气件在高低温或湿热环境下、检验其各性能项指标.快速温变测试仪 皓天快速升降温试验箱 底部采用高品质可固定式PU活动轮。 高低温快速温变试验箱 容积408L 皓天鑫升降温测试仪性能指标温度范围A:-20℃～150℃ B:-40℃～150℃ C:-60℃～130℃ D:-80℃～150℃湿度范围30～98％RH波动/均匀度±0.5℃/±2℃湿度偏差＋2、-3％RH升温时间每分钟升降温平均5℃～15℃（可调）降温时间每分钟升降温平均5℃～15℃（可调）控制系统控制器进口可编程触摸式液晶中文对话式显示.微电脑集成控制器精度范围设定精度：温度0.1℃、湿度1％RH，指示精度：温度0.1℃、湿度1％RH传感器铂金电阻 PT100Ω/MV加热系统全独立系统，镍铬合金电加热式加热器加湿系统外置隔离式，全不锈钢浅表面蒸发式加湿器 图文介绍：

YY/T0573.2-2018注射器活塞推力测试仪 活塞推力试验仪GB9706.27-2015 注射器活塞推力测试仪适用于该机配置其他辅具，还可以测试针与针座的连接力、针头护帽的拔出力、活塞与推杆的配合性、另外，该设备还可以应用于胶塞穿刺力、安瓿瓶折断力、塑料血袋加压排空等方面的测试。用于抽吸或排出水的力学测试仪，同时记录施加的力和注射器的芯杆的运动说明—调整注射器50%公称容最位置上的刻度线的水位；注射针［1.2 mm（18G）X约 10 cm 长度］输液管路.2 mm（外径）X1 m聚乙烯管技术特点：1.采用高精度传感器，与专业测控软件，测试精度高，可测试范围广，操作简单。2.采用高精度、全数字调速系统及精密减速机，驱动精密丝杠副进行试验，实现试验速度的大范围调节，试验过程噪音低、运行平稳3.液晶显示器实时显示。显示界面可显示试验方法选择界面、试验参数选择界面、试验操作及结果显示界面界面，方便快捷4、具有过流、过压等保护装置。5、标配微型打印机，可随时打印结果。满足标准：YBB00112004、GB15811、ISO7886、GB15810-2019一次性使用无菌注射器。GB 15810-2019 一次性使用无菌注射器ISO7886-1：2017 一次性使用无菌注射器YBB00152004-2015 YBB00162004-2015 YBB00112004-2015， GB 15810-2019 GB 15810-2019 YY/T0573.2-2018测试仪技术参数：1.量程范围：0-500N （300N 1000N 2000N 可选）2.分辨率：0.01N3.准确度±0.1N 4.速度：1-500mm/min 可任意设定5.误差：±0.1 mm/S6. .主 机 尺 寸： 540*280*1250mm7电源：AC 220V±22V, 50Hz 8.重 量： 约55Kg

便携式塞曼效应汞分析仪产品介绍： 便携式塞曼效应汞分析仪采用高频塞背景校正技术（ZAAS-HFM），基于原子蒸气对254nm共振发射线吸收的原理，进行汞分析检测。 便携式塞曼效应汞分析仪可配备不同模块，实现固、液、气多种样品检测，适用于分析/监测大气、水、土壤、烟道气、应急泄露事故、有害废物、生物材料、职业环境检测等。相关检测方法符合国际标准方法：美国EPA METHODsw-846 ，EPA 1631方法，欧盟标准EN 1483,13806，EU15852,国家标准GB 7468-87，EPA Method 7473燃烧热解法，EPA Method 30B吸附管法，美国ASTM D7622-10标准。 产品简介： • RA-915M分析仪用于监测室内外环境空气和天然气中的汞含量• 该分析仪可用于解决环境问题，石油矿田勘探，工程工艺控制，职业健康安全及科学研究等领域中中的汞检测分析• RA-915M可通过添加模块化分析附件，使分析仪可以方便地测定烟道气、饮用水、天然水和废水、土壤、食品、饲料、生物样品、石油及其加工产品中的汞含量产品特点： • 操作简单，全自动化，自行校准• 通用型设计，满足实验室内的常规检测和野外的动态检测• 检出限低，抗干扰力强• 实时检测大气和天然气• 固体，液体直接进样（需附件），无需前处理，无需金丝富集，无需试剂及压缩气体• 多样化友好界面，可通过自带操作面板使用，也可连接电脑使用• 宽泛检测范围，可达四个数量级• 配备内置存储器，储存可长达122小时的数据• 内置电池满足8小时的连续检测需求 应用领域： • 生态调查 对环境空气和大气中汞含量的监控 对居住地及工作地环境中的汞的监测 汞排放源和污染区域的生态调查• 脱汞方法监测 连续监测模式，可在移动状态下连续监测室内外汞含量 实时监测各种方法或试剂的脱汞过程 脱汞方法和过程的质量保证• 地质和地球化学调查 自然界汞循环的研究 矿藏勘探

胶塞穿刺力测试仪穿刺力测试仪是一种专门用于测试各种材料的穿刺强度的仪器，其在医疗药品、制药方面有着广泛的应用。在医疗药品领域，穿刺力测试仪常被用于测试药品瓶的胶塞、注射针针尖、针灸针等材料的穿刺力强度。这些材料需要具备一定的穿刺强度，以确保它们在使用过程中的安全性和可靠性。穿刺力测试仪主要由测试头、传感器、数据采集系统和控制系统组成。测试时，将待测样品放在测试头上，通过控制系统调整穿刺力度和速度，传感器感知穿刺力值并将其转化为电信号；数据采集系统对电信号进行分析和处理，得出穿刺力值。控制系统可以对测试过程进行精确控制，以确保测试结果的准确性和可靠性。穿刺力测试仪在制药方面也有着广泛的应用。在药品生产过程中，需要对原材料、半成品和成品进行物理性能的检测。其中，穿刺力测试是关键的测试项目之一，它可以有效地检测材料的物理性能和安全性能。例如，对于注射剂药品，需要对注射针的针尖进行穿刺力测试，以确保其在使用过程中的安全性和可靠性；对于包装材料，需要对输液瓶的胶塞进行穿刺力测试，以避免包装材料受到污染。穿刺力测试仪是一种非常重要的测试仪器，在医疗药品、制药方面有着广泛的应用价值。通过测试材料的穿刺力强度，可以有效地检测材料的安全性能和物理性能，为产品的质量和安全性提供保障。 技术参数测量范围 0-300N （其他量程可定制）测量误差 ±1%测量速度 1-500m/min无极调速速度误差 ±2%误差外形尺寸 310mm×400mm×560mm (长宽高)重量 26Kg环境要求环境温度 15℃-50℃相对湿度 ≤80%，无凝露 工作电源 220V 50Hz 标 准GB/T10004、YBB00322004-2015、YBB00102005-2015、YBB00342002-2015、YBB00112005-2015、YBB00242004-2015 配 置标准配置：穿刺仪主机、微型打印机、穿刺力夹具选购件：测试软件、通讯线缆 胶塞穿刺力测试仪此为广告

塞贝克效应测量系统SB1000数字塞贝克效应控制器在设计时考虑到用户和易用性，使用低温系统(液氮低温恒温器)或瞬态信号技术的热级系统，集成到真空环境中，为80 K - 700 K宽温度范围内的塞贝克系数测量提供了可靠的平台。以上翻译结果来自有道神经网络翻译（YNMT） 通用场景应用程序热电动势测量温度依赖导电样本提供的信息大部分航空公司的标志,电荷传导机制与合适的理论模型,材料的能带结构的信息。的知识塞贝克系数是一个关键因素优化热电材料和找到正确的应用程序。灵敏度高,结构变化使热电动势测量一个优秀的技术结构研究阶段条件对给定材料的电荷传输性质。特性高精度的塞贝克系数测量高信噪比和快速数据采集差分测量算法宽温度范围(80 K - 700 K)统计数据分析实时热电压瞬态测量用户友好的、自动测量设置典型变量温度塞贝克效应测量系统(SMS)一个典型变量温度塞贝克效应测量系统包括:DC600可编程温度控制器和SB1000塞贝克效应测量控制器液氮低温恒温器和集成放大电路到真空环境中聚酰亚胺薄膜(80 K - 400 K)或陶瓷(200 K - 700 K)样品安装阶段真空泵和真空配件用两个探针或四个探针测量技术测量电导率的四个焊接针Dell Optiplex 3000 Tower desktop com

一、产品介绍注射液用卤化丁基橡胶塞是医药品材料中的重要组成部分，橡胶塞材质的均一性以及硬度、厚度直接影响注射器在提取药品的效果。药典YBB00042005-2015，YBB00332004针对注射液用卤化丁基橡胶塞制作标准提出规定。上海保圣橡胶塞穿刺测定仪，根据药典YBB00042005-2015，YBB00332004标准提出的要求，设计专用夹具，通过固定注射瓶与注射器，控制注射器移动，测定注射器穿透橡胶塞的力度，从而分析注射剂胶塞的穿刺强度。为注射器胶塞实际使用效果提供物性数据指导。二、结构特点1.自带数据库，不少于300种。 2.性价比高，仪器功能、应用和进口仪器相同，而价格是进口仪器的三分之一。 3.多种探头和配件可以和进口仪器通用。 4.可以使用标准砝码进行校正。 5.软件带有控制键，无需用手接触仪器，只需点击鼠标可以进行仪器操作 三、规格参数● 测试结果显示精度：0.01g；● 位移精度：0.01mm；● 测试臂移动距离：350mm；● 检测速度：0.1~20 mm/s；● 速度解析度：0. 1mm/s，精度优于1%；● 数据采集率：不低于500组/秒，每组4个通道同时读取；● 通过对力-距离和阻力-的测量和分析，实现肉的电导率特性表征；● 高清精密触摸显示屏，无需外联电脑，轻点屏幕即可完成各项测试；● 底部步进电机设计，位移精确稳定，无共振，无噪音；● 内置运算软件，测试结果直接显示,可通过USB接口或连接打印机。 石油体膨颗粒强度测定 体膨颗粒堵水强度测定 预交联体调驱强度测定 调剖剂堵水强度测定 体膨颗粒膨胀能力测定 石油堵漏剂堵漏强度测定 石油调剖强度测定 国产质构仪好，上海质构仪厂家，国内质构仪厂家，教学用质构仪，保圣质构仪，国内使用多的质构仪，便宜的质构仪，性价比好的质构仪，便宜的凝胶强度测试仪，畅销的质构仪。国产质构仪，质构仪厂家，质构仪代理商，TA质构仪，SMS质构仪，美国质构仪，物性测试仪，凝胶强度测试仪，鱼糜弹性测试，肌肉嫩度仪，保圣质构仪，国产好的质构仪，国产信得过的质构仪，国内销量好的质构仪，国产质构仪好，上海物性测试仪厂家，粘度仪，硬度计，药品硬度仪 药品强度 药片刚性 药片包衣黏性 药片物性 药片质构 胶囊破裂强度 胶囊拉伸强度 胶囊物理性质 质构仪国产质构仪 鱼糜弹性测定仪 肌肉嫩度仪 凝胶强度测定仪 医药材料黏性测定 生物黏附性 材料均一度 薄膜拉伸强度 胶体黏性 材料抗击压强度 医药材料黏性测定 生物黏附性 国产质构仪 质构仪 鱼糜弹性测定仪 肌肉嫩度仪 凝胶强度测定仪