氙等离子源双束系统

对于质谱来说，质量分辨率、质量精度，尤其是灵敏度方面的性能与离子化方式紧密相关。没有任何离子源能满足所有应用的需求。无论是极性和非极性的化合物的分析，还是小分子和大分子化合物的分析都需要不同的离子化技术。 目前，布鲁克所开发的多种离子源，尤其是针对于 LC/MS 系统，可以满足不同应用的多样化需求。布鲁克为用户提供多种选择的离子源，每一个都有不同的特点，这些离子源各具特色，其中某些源为布鲁克公司所特有。

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

TESCAN SOLARIS X 是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束 FIB-SEM 系统，配置新颖的 TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及最新款的 iFIB+TM 离子镜筒，它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率，非常适合于材料、生命及半导体领域分析表征中最具挑战性的大体积三维样品的分析工作。 TESCAN SOLARIS X 配置的 TriglavTM 超高分辨率电子镜筒，同时使用了全新的 TriLensTM 三透镜系统以及高效的 TriSETM 和 TriBETM 探测器系统，能够提供卓越的表面灵敏度和衬度图像，实现对电子束高敏材料或不导电材料纳米特征的观察。TESCAN SOLARIS X 是半导体和材料表征中最具挑战性的物理失效分析应用的平台，具有极高的精度和极高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析保证最佳条件。同时，它还提供非凡的 FIB 功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 TESCAN SOLARIS X Xe Plasma FIB-SEM 主要优势：1. 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；2. 新一代 Triglav™ UHR SEM 镜筒具有极佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能；3. 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；4. 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现极大面积的截面加工；5. 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；6. 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；7. 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；8. 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并最大限度地减少维护成本；9. 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；10. 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现最大的吞吐量和易用性。突出特点* 极高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。 图（左）：SiAlON - 石墨烯样品的三维重构图像，使用 In-Beam f-BSE 探测器逐层成像，该样品的 FIB-SEM 层析成像由 1339 层组成，重构的尺寸为 22×22.3×66.9 μm。 图（右）：使用 Xe 等离子体 FIB 从 DRAM 65 nm节点上制备出的 80 nm 厚度的 TEM 样品，STEM-BF 高倍图像。 * 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现极大面积的截面加工新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中最大的视场（FoV）。在30 keV 下最大视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的最佳解决方案。图：OLED 显示屏，横截面长度为 1086 μm，视野范围 1.26 mm * 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。* 充分利用电子和离子束功能，实现应用最大化快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS™ 具有所有这些品质，TESCAN SOLARIS X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。* 轻松实现 FIB 精确调节，并保证 FIB 最佳性能新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择最佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。* 最小的表面损伤和无 Ga 离子注入样品制备，以保持样品的特性与 Ga 离子相比，Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小，因此带来的非晶化损伤也更小，这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外，Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。* 强大的检测系统由 TriSE™ 和 TriBE™ 组成的多探测器系统，可收集不同角度的 SE 和 BSE 信号，以获得样品的最大信息。 * 改进和扩展成像功能，获得有意义的衬度新一代 Triglav™ 镜筒内探测器系统经过优化，信号检测效率提高了三倍。此外，增加的能量过滤功能，可以对轴向 BSE 信号过滤采集。通过选择性地收集低能量轴向 BSE，实现用不同的衬度来增强表面灵敏度。* 超高速三维微分析镜筒内探测器系统可实现快速图像采集，结合 Xe 等离子体 FIB 的高溅射速率，可实现 3D 微量分析的超快速数据采集。EDS 和 EBSD 数据可以在 FIB-SEM 断层扫描期间同时获得。使用专用软件进行后处理，可以获得 3D 重建，实现整个焊球、TSV、金属合金等样品的独特微观结构，成分和晶体学信息。* 提供微分析的最佳工作条件新一代 Triglav™ 还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率。这有利于快速实现 EDS，WDS 和 EBSD 等分析技术。* 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。* 不牺牲空间分辨率，而实现快速微分析Triglav™ SEM 镜筒结合新型肖特基 FE 枪，可实现高达 400 nA 的电子束流，并实现束流快速调整。In-Flight Beam Tracing™ 功能可以实现束流和束斑优化，满足微区分析的最佳条件。* 大尺寸晶圆分析得益于最佳的 60° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8”晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。* 轻松实现以往复杂操作新的 TESCAN Essence™ 软件平台是一个优秀的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以最好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence™ 还提供先进的 DrawBeam™ 矢量扫描发生器，用于快速精确的 FIB 加工和电子束光刻。 * TESCAN SOLARIS X 是 S9000X 的升级机型。关于TESCANTESCAN 发源于全球最大的电镜制造基地-捷克 Brno，是电子显微镜及聚焦离子束系统领域全球知名的跨国公司，有超过 60 年的电子显微镜研发和制造历史，是扫描电子显微镜与拉曼光谱仪联用技术、聚焦离子束与飞行时间质谱仪联用技术以及氙等离子聚焦离子束技术的开拓者和技术领导者。

美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括： 2.75' ' 、4.5' ' 、6' ' 。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子，有助于生长高质量的薄膜，也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制，以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项，能够实现自动操作，允许用户保存数据，编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN，氧化铝，石英

TESCAN AMBER X 是完美结合了分析型等离子 FIB 和超高分辨（UHR）扫描电镜的综合分析平台，能够很好的应对传统的 Ga 离子 FIB-SEM 难以完成的困难挑战。TESCAN AMBER X 配置了氙（Xe）等离子 FIB 镜筒和 BrightBeam™ 电子镜筒，能够同时提供高效率、大面积样品刻蚀，以及无漏磁超高分辨成像，适用于各类传统或新型材料的二维成像以及大尺度的 3D 结构表征。拥有 AMBER X 不仅能够满足您现阶段对材料探索的需求，也为您将来的研究工作做好充分的准备。AMBER X 等离子 FIB 不但能轻松应对常规的样品研磨和抛光工作，而且能快速制备出宽度可达1 毫米的截面。氙等离子束对样品的损伤最小，且不会导致注入引起的污染和非晶化。氙是一种惰性元素，所以可以实现对铝等材料进行无污染的样品制备和加工，不用担心传统镓离子 FIB 加工时由于镓离子污染或注入可能导致的微观结构和/或机械性能改变。镜筒内 SE 和 BSE 探测器经过优化，可以在 FIB-SEM 重合点位置获得高质量的图像。TESCAN AMBER X 更有利于安装各类附件的几何设计为样品的综合分析提供了前所未有的潜力，而且还能够进行多模态的 FIB-SEM 层析成像。TESCAN Essence™ 是一款支持用户可根据需求自定义界面的模块化软件。因此，TESCAN AMBER X 可以轻松的从一个多用户、多用途的工作平台转变为用于高效率、大面积 FIB 样品加工的专用工具。主要特点：● 高效率、大面积样品刻蚀，最大宽度可达1毫米的截面。 ● 无镓离子污染的样品加工。 ● 无漏磁的场发射扫描电镜，实现超高分辨成像和显微分析。● 镜筒内二次电子和镜筒内背散射电子探测器。 ● 束斑优化，可确保高效率、多模态 FIB-SEM 断层扫描的效果。● 超大的视野范围，便于样品导航。 ● 可轻松操作的模块化电镜控制软件 Essence™ 。

溅射离子枪主要用途:溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)电流密度120μA/cm2 at 100mm working distance离子束发散角Ion energy dependant (typically 15°)工作距离100 mm (typically)等离子体杯Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)气体进气口径CF-16 (1.33“OD)气体流速1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)工作真空度10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.激发模式微波放电等离子体 (无灯丝)安装口径CF-35 (2.75“OD)枪直径34mm (真空端)泄露阀需要气体质量流量计第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源原子源主要用途：制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.氢原子清洗，氢原子辅助MBE.制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 掺杂， e.g. ZnSe离子源用途:离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.原位刻蚀， e.g. Chlorine 技术参数：真空兼容性：完全UHV兼容可烘烤：200°C微波功率：最大250W，2.45GHz磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤安装：NW63CF（4.5“OD）真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）等离子杯：氧化铝孔径：氧化铝或氮化硼气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）冷却：全水冷（包括磁控管）电源：微波炉电网供电**仅限离子源和混合源19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz主要特点：无灯丝适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。无微波调谐出厂设置，只需打开和关闭等离子。用户可配置提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。简单烘烤制备新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。Al2O3等离子区氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm

射频感应耦合 等离子源 电离层环境模拟器| 介绍低温氩气源（LTA）是一种紧凑的一种等离子设备，设计用于在发射之前进行空间等离子体物理研究或对空间硬件进行测试。它可以人为地模拟较高的电离层条件，这意味着它可以以非常低的电子温度（0.5 eV），低离子能量（比等离子推进器低两个数量级）和相对较高的电子密度产生等离子流。 （?10 11 m -3）。该流的速度也与在轨道上遇到的离子流（?8 km / s）相似。| 应用电离层模拟研究ThrustMe的离子源和等离子体诊断工具可帮助研究人员在地面上进行电离层研究。LTA可以模拟类似于高层大气中的粒子环境，从而为研究人员提供了进行实验的机会，而这种实验对于使用ThrustMe的等离子体诊断技术发送到太空或校准自己的探头和传感器而言过于昂贵。测试您的太空硬件再现高空电离环境可以使卫星集成商和子系统制造商在发射前测试其太空硬件。在系统级别，ThrustMe的LTA可用于研究卫星的充电并预测飞行过程中可能出现的任何问题。在子系统级别，在地面上重现电离层可以为天线制造商提供机会来研究其天线在不同高度或不同太阳活动水平下的信号传播。太空环境测量ThrustMe的MD-1探针是前所未有的小.绝.对电子密度探针。它很小的3x50mm尺寸几乎可以安装在任何小型卫星上。将此探针用于高层大气和太空天气研究目的。

RBD 仪器提供各种溅射离子枪，用于样品清洁和深度剖析。无论何种应用，RBD 都能以最低的价格提供最高的性能。溅射速率标准也可从RBD获得。IG2 2kV backfill 离子源RBD的低成本溅射离子源封装IG2是在UHV条件下溅射清洗样品的理想解决方案。IG2离子源套件由 04-165 型 2 kV 回填离子源和 32-165 型离子源控制组成。这些装置可分别与 PHI 04-161 和 04-162 离子源以及 PHI 20-045 对照互换。 3kV离子源RBD提供3 kV离子源溅射，包括电子放电源、电源和电缆。3 kV 离子源设计工作电压低至 100 eV，提供 10 mm 的大光斑尺寸，与所有惰性气体兼容，不需要差分泵抽气。该套件包括离子源、电子控制单元、采样电流计、电缆、操作手册和备用灯丝组件。 高性能离子源和控制器1401 型离子枪非常适合用于表面化学实验，例如使用俄歇和 XPS 进行样品制备和深度剖析。它可以与大多数惰性气体一起使用。1402 型离子枪在非常低的光束能量下具有高光束电流。 它也可以在远光灯能量（高达 3 keV）下运行，以提供额外的深度剖析和样品清洁能力1407 型离子枪在电子冲击电离离子枪中具有双等离子体性能。通过光学柱中的可变孔径，可以获得广泛的光束电流和光斑尺寸。在5 keV的光束能量下，光束电流可以从2 uA调节到直径为20 um的光斑，从20 uA调节到直径为100 um的光斑。

伯东公司是美国考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc（KRI) 中国总代理. KRI 考夫曼公司是由离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美国创立. KRI 考夫曼离子源历经 40 年改良及发展, 受到各领域的肯定. KRI 离子源离子枪系列产品融合一系列等离子技术,提供了独一无二的操作与运行方式。KRI 离子源主要分为以下几类：无栅式端部霍尔离子源 eh eH 系列离子源离子枪可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。有栅极射频感应耦合等离子体离子源 RFICP RFICP 系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被精确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。有栅极离子源 KDC KDC 系列离子源离子枪是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。电源与控制器 我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。电子源与离子源离子枪中和器 这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料，以便控制离子源与等离子源的产量。PTIBEAMTM 离子透镜 我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的，或是中凹的，它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚集产生了离子束，离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。KRI 考夫曼离子源 EH1010F , EH1020F …系列广泛用于镀膜之前处理 (ISSP) 及离子辅助镀膜 (IBAD)且有助于提高光学成膜之沉淀速率, 附着度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼离子源 整体设计低耗材, 安装简易, 维护简单广泛应用在生产企业和科研单位KRI 考夫曼离子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被广泛应用于 AR, IR, 分光镜, 光学蒸镀镀膜制程, 多层膜光学镀膜制程, 低温度膜制, PVD 制程, 材料分析等等… KRI 考夫曼离子源 EH1020F 蒸镀制程设备应用 伯东公司主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管) 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI Kaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 400 特性• 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 限度地减少停机时间 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统• 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号eH 400 / eH 400 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300 V VDC - 离子源直径~ 4 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-3005A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度3.0' - 直径3.7' - 加工材料金属 电介质 半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离6-30” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:• 离子辅助镀膜 IAD• 预清洁 Load lock preclean• In-situ preclean• Low-energy etching• III-V Semiconductors• Polymer Substrates 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267 M: +886-939-653-958上海伯东版权所有, 翻拷必究！

Nimbus 双柱纳喷质谱离子源，由美国 Phoenix S&T 公司于2012年3月推出，作为灵敏、长效、和通量的 nanoLC-MS 自动纳喷源系统，不需要外连计算机或软件控制，依靠电喷雾自动校正和优化调谐功能，使样品分析更快、更高效、更经济。Nimbus 通过与串联质谱或高分辨质谱联用，利用 eFrit 长效纳喷喷针、蝶式纳升柱加热及控温套、和洗脱/分析双柱切换配置，实现 nanoLC-MS 的高灵敏度、持久、稳定和双倍以上通量的进样分析，充分发挥多级质谱所拥有的快速扫描、高分辨率、高质量精度的潜能并结合现代质谱的快速扫描、快速正、负离子切换、高灵敏度 MRM 多反应离子检测、高灵敏度全扫描等功能，实现蛋白质、脂质、抗体、药物及代谢物、疾病标记物等高灵敏度筛选和鉴定。Nimbus 已经在欧美多个顶尖生命科学实验室安装使用，这些实验室包括美国华盛顿大学医学院、Fred Hutchinson 癌症研究中心、ICGEB 国际遗传工程和生物技术中心、洛克菲勒大学、宾州大学医学院、约翰霍普金斯医学院、芝加哥大学医学院、德州大学西南医学院、普度大学、辉瑞制药、北卡大学、费城儿童医院蛋白质核心平台，等等。应用范围包括疾病标记物发现与验证、代谢组学、脂质组学、蛋白质组学，等等。创新点介绍：a)电喷雾运行长效持久，自动调谐及优化纳喷信号，不需要外连计算机或软件控制b)独特的临床样品的双运行模式：双柱切换或单柱三次重复c)内置计算机控制一根柱子离线上样、脱盐及管路洗涤，另一柱子在线喷雾与分析，双倍提高样品分析通量d)独立的双柱电喷雾开/关控制，避免信号交叉污染e)专利的活跃喷雾控制功能，以鞘流氮气持续吹扫和清洁喷针f)无堵塞 eFrit 喷针、及一体化长寿纳升柱-喷针，4 -10 倍于传统喷针（如商业化的 New Objective 喷针）寿命g)纳升及微升柱温加热及控温盒，增加峰高及保留时间重现性，减少峰扩散及拖尾， 降低柱后压，降低噪音h)与 Thermo 及 SCIEX 液质联用质谱仪兼容。设备主要用途：Nimbus 作为灵敏、长效、和通量的 nanoLC-MS 自动纳喷源系统，不需要外连计算机或软件控制，具有电喷雾自动校正和优化调谐功能。通过与串联质谱或高分辨质谱联用，利用 eFrit 长效纳喷喷针、蝶式纳升柱加热及控温套、和洗脱/分析双柱切换配置，实现 nanoLC-MS 的高灵敏度、持久、稳定和双倍以上通量的进样分析，充分发挥多级质谱所拥有的快速扫描、高分辨率、高质量精度的潜能并结合现代质谱的快速扫描、快速正、负离子切换、高灵敏度MRM多反应离子检测、高灵敏度全扫描等功能，实现蛋白质、脂质、抗体、药物及代谢物、疾病标记物等高灵敏度筛选和鉴定。

价格货期电议KRI 考夫曼离子源典型应用 IBF 离子束抛光工艺 离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件. 上海伯东美国 KRI 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 IBF Optical coating 及晶体硅片离子束抛光机 IBF Clrystalline )工艺.考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东是美国 KRI 考夫曼离子源中国总代理.KRI 离子源离子束抛光实际案例一:1. 基材: 100 mm 光学镜片2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ).离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图KRI 离子源离子束抛光实际案例二:1. 基材: 300 mm 晶体硅片2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 )离子束抛光前平坦度影像呈现图离子束抛光后平坦度影像呈现图 KRI 离子源实际安装案例一: KDC 10 使用于光学镀膜离子束抛光机KRI 离子源实际安装案例二: KDC 40 使用于晶体硅片离子束抛光机上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号:型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160电压DC magnetic confinement - 阴极灯丝11222- 阳极电压0-100V DC电子束电子束- 栅极专用,自对准- 栅极直径1 cm4 cm7.5 cm12 cm16 cm 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 3000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的离子源.尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”放电电压 / 电流: 50-300V / 20A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性&bull 水冷 - 加速冷却&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时,限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数型号eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE供电DC magnetic confinement - 电压50-250V VDC - 离子源直径~ 7 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-25020A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属 电介质 半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD表面改性, 激活 SM直接沉积 DD若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 T: +86-21-5046-3511 ext 107 F: +86-21-5046-1490 M: +86 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究！

S9000X Xe Plasma FIB-SEM S9000X Xe Plasma FIB-SEM TESCAN S9000X是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束FIB-SEM系统，配置新颖的TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及zui新款的iFIB+TM离子镜筒，它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率，足以应对半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析工作，实现大体积三维样品特性分析。TESCAN S9000X 是半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析应用的平台，具有ji高的精度和ji高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析保证zui佳条件。同时，它还提供非凡的 FIB 功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 S9000X Xe Plasma FIB-SEM主要优势：&bull 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；&bull 新一代 Triglav&trade UHR SEM 镜筒具有ji佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能；&bull 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；&bull 新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工；&bull 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；&bull 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；&bull 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；&bull 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并zui大限度地减少维护成本；&bull 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；&bull 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现zui大的吞吐量和易用性。概述：突出特点 &bull ji高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。&bull 新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中zui大的视场（FoV）。 在30 keV 下zui大视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的zui佳解决方案。 &bull 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。 &bull 充分利用电子和离子束功能，实现应用zui大化快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS&trade 具有所有这些品质，S9000X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。 &bull 轻松实现 FIB 精确调节，并保证 FIB zui佳性能新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择zui佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。 &bull zui小的表面损伤和无Ga离子注入样品制备，以保持样品的特性与 Ga 离子相比，Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小，因此带来的非晶化损伤也更小，这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外，Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。 &bull 强大的检测系统由 TriSE&trade 和 TriBE&trade 组成的多探测器系统，可收集不同角度的 SE 和 BSE 信号，以获得样品的zui大信息。 &bull 改进和扩展成像功能，获得有意义的衬度新一代 Triglav&trade 镜筒内探测器系统经过优化，信号检测效率提高了三倍。此外，增加的能量过滤功能，可以对轴向 BSE 信号过滤采集。通过选择性地收集低能量轴向 BSE，实现用不同的衬度来增强表面灵敏度。 &bull 超高速三维微分析镜筒内探测器系统可实现快速图像采集，结合 Xe 等离子体 FIB 的高溅射速率，可实现 3D 微量分析的超快速数据采集。EDS 和 EBSD 数据可以在 FIB-SEM 断层扫描期间同时获得。使用专用软件进行后处理，可以获得 3D 重建，实现整个焊球、TSV、金属合金等样品的独特微观结构，成分和晶体学信息。 &bull 提供微分析的zui佳工作条件新一代 Triglav&trade 还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率。这有利于快速实现 EDS，WDS 和 EBSD 等分析技术。 &bull 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。 &bull 不牺牲空间分辨率，而实现快速微分析Triglav&trade SEM 镜筒结合新型肖特基 FE 枪，可实现高达 400 nA 的电子束流，并实现束流快速调整。In-Flight Beam Tracing&trade 功能可以实现束流和束斑优化，满足微区分析的zui佳条件。 &bull 大尺寸晶圆分析得益于zui佳的 60° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8”晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。 &bull 轻松实现以往复杂操作新的 TESCAN Essence&trade 软件平台是一个优xiu的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以zui好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence&trade 还提供先进的DrawBeam&trade 矢量扫描发生器，用于快速精确的FIB加工和电子束光刻。 亚科电子（山东）设备咨询电话：

价格货期电议KRI 考夫曼离子源 KDC 100上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：型号KDC 100供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝2 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径12 cm中和器灯丝 电源控制KSC 1212配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 - 安装移动或快速法兰 - 高度9.25' - 直径7.6' - 离子束聚焦 平行 散设 -加工材料金属 电介质 半导体 -工艺气体惰性 活性 混合 -安装距离8-36” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域： 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

新一代高精度低温铯离子源FIB系统运用曾获诺贝尔奖的激光冷却技术，zeroK Nanotech公司于2020年推出了基于低温铯离子源（Cs+ LoTIS）的新一代高性能聚焦离子束系统——FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）和相应的离子源升配件——FIB：RETRO。zeroK Nanotech公司采用的低温技术可以减少离子束中的随机运动，从而使FIB：ZERO中的离子束斑与传统离子源产生的束斑相比具有更高的亮度，更小的尺寸和更低的能量散失。同时，还可以产生更多的二次离子，获得更清晰的成像。一系列测试表明，新一代的FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）与传统的液态金属镓离子源(Ga+ LMIS) FIB 系统相比拥有更高的微纳加工精度，更清晰的成像对比度和景深。其加工速度与传统FIB基本一致，在低离子束流能量条件下有着更优异的表现。与氦（He+），氖（Ne+）离子源FIB相比，FIB: ZERO拥有高一个数量的加工速度和对样品更少的加工损伤。应用领域◎ 纳米精细加工◎ 芯片线路修改和失效分析◎ 微纳机电器件制备◎ 材料微损伤磨削加工◎ 微损伤透射电镜制样设备特点更高的亮度：低温Cs+离子使FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）与传统FIB (Ga+ LMIS)相比具有更高的亮度，配合其全新的高对比度大景深成像系统，对样品的观察范围更大、更清晰。更小的离子束斑尺寸：FIB: ZERO（Cs+ LoTIS）系统小分辨率可达2 nm，提供了比传统的FIB (Ga+ LMIS)更高的加工精度。更小的能量散失：可达10 nA以上的离子束电流，保证了低能量离子束条件下的优 秀表现。设备型号FIB:ZERO聚焦离子束采用Cs+低温离子源（LoTIS）的聚焦离子束 FIB：ZERO系统以较低的束能量提供较小的聚焦点尺寸，并提供多种束电流。它是当今基于Ga+，He+或Ne+的FIB的下一代替代产品。FIB:ZERO是采用新型高性能Cs+离子源的聚焦离子束系统。与 Ga+系统相比，即使在较低的光束能量下，它也可以提供更好的分辨率。与He+或Ne+系统相比，它的铣削速率高一个数量，并且减少了样品损伤。FIB:ZERO还可提供可更高的对比和更高的二次离子产率。FIB:ZERO应用领域：◎ 高分辨率溅射◎ 二次电子或离子成像◎ 气体驱动的沉积和去除◎ 电路编辑 FIB:ZERO主要参数◎ Cs+离子束在10 keV下具有2 nm分辨率◎ 1 pA至10+ nA束电流◎ 2 keV至18 keV的束能量◎ 兼容大多数附件动态SIMS与同类产品相比，采用Cs+低温离子源（LoTIS） 的SIMS：ZERO聚焦电子束SIMS平台，可向同一个点提供100倍的电流，从而能够以更高的分辨率分析更大的样本。 SIMS：ZERO产品特点：◎ 具有纳米分辨率的Cs +离子束◎ 10+ nA束电流（Cs +）◎ 功能齐全的FIB系统◎ 高分辨率的SIMS SIMS：ZERO技术优势：◎ 无需薄片即可获得类似EDX的光谱◎ 收集SIMS数据的速度提高100倍◎ 控制SIMS的纳米加工过程测试数据微纳加工对比加工均匀性对比左图为用FIB (Ga+ LMIS)系统从硅基底上去除150nm厚金膜的结果，右侧为ZeroK nanotech的FIB: ZERO （Cs+ LoTIS）在相同时间内去除金膜的结果。 加工精度对比左侧图为Ga+离子源FIB加工结果, 右侧图为ZeroK Nanotech FIB: ZERO在相同时间内加工的结果。加工速度对比在10 kV下 Cs+离子束磨削速度比30kV下的Ga+离子束慢15%，比10kV下的Ne+离子束的磨削速度高90%。 加工损伤范围对比SRIM（The Stop and Range of Ions in Matter）模拟离子束在加工硅的过程中对材料的影响范围，图从左至右分别为Ne+10KV, Ga+30KV, Cs+10KV。从图可以看出，Cs+离子源对被加工材料的损伤范围小。成像效果对比景深成像对比左图为Ga+离子源FIB系统对120μm高的样品成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。成像对比度比较左图为Ga+离子源FIB对GaAs/AlGaAs/GaAs层状结构的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。成像清晰度比较左图为Ga+离子源FIB系统对芯片横截面的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一截面的成像结果。发表文章1. Steele, A. V., A. Schwarzkopf, J. J. McClelland and B. Knuffman (2017). "High-brightness Cs focused ion beam from a cold-atomic-beam ion source." Nano Futures 1: 015005.2. Knuffman, B., A. V. Steele and J. J. Mcclelland (2013). "Cold atomic beam ion source for focused ion beam applications." Journal of Applied Physics 114(4): 191.用户单位TU Kaiserslautern

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 1000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体 KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 最大限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便 无需水冷&bull 等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:型号eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离10-36” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:&bull 离子辅助镀膜 IAD&bull 预清洗 Load lock preclean&bull 预清洗 In-situ preclean&bull Direct Deposition&bull Surface Modification&bull Low-energy etching&bull III-V Semiconductors&bull Polymer Substrates 若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请联络上海伯东: 叶女士 上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 2000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性&bull 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 最大限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数型号eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体 * 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域&bull 离子辅助镀膜 IAD&bull 预清洗 Load lock preclean&bull 预清洗 In-situ preclean&bull Direct Deposition&bull Surface Modification&bull Low-energy etching&bull III-V Semiconductors&bull Polymer Substrates1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请联络上海伯东上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 160上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列离子能量最强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,最大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数型号KDC 160供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝2 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径16 cm中和器灯丝电源控制KSC 1212配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 - 安装移动或快速法兰 - 高度9.92' - 直径9.1' - 离子束聚焦 平行 散设 -加工材料金属 电介质 半导体 -工艺气体惰性 活性 混合 -安装距离8-45” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 160 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

仪器简介：典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀高性价比IG2溅射离子枪套件是低成本离子束蚀刻和溅射清洁样品的完美解决方案，用于表面分析、清洁STM尖端、一般真空科学和纳米技术应用。如果您只想清洁样品或 STM 吸头的表面，为什么要支付超出您需要的费用？这种操作简单且可靠的溅射离子枪和控制构成了当今市场上价格最低的封装！IG2 还可以使用惰性气体（如氩气和氧气）运行。操作理论IG2离子源产生高能惰性气体离子束，用于溅射蚀刻固体表面。该源需要使用惰性气体（如氩气）的静压为 5x10-5 torr（有关兼容气体列表，请参见数据表）。离子在离子源的双丝电离室内由电子撞击产生，然后以高达2 kV的能量聚焦在目标上。通过使用离轴灯丝几何形状，离子束的杂质含量最小化。聚焦透镜允许在给定的工作压力和源到样品距离下获得高离子电流密度。双钨丝组件允许在第根灯丝打开时继续运行。在推荐的工作条件下，灯丝组件的预期寿命在正常使用下为数年。灯丝组件在现场很容易更换。32-165 型 2 kV 离子源控制器提供操作 04-165 2 kV IG2型离子源所需的所有必要电压和电流。光束电压可以手动、远程或使用内置定时器激活。此外，阳极（离子）和灯丝电流以及光束和聚焦电压可以在外部进行监控，以确保溅射条件的准确再现。

9000X Xe Plasma FIB-SEM TESCAN S9000X是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束FIB-SEM系统，配置新颖的TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及zui新款的iFIB+TM离子镜筒，它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率，足以应对半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析工作，实现大体积三维样品特性分析。TESCAN S9000X 是半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析应用的平台，具有ji高的精度和ji高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析保证zui佳条件。同时，它还提供非凡的 FIB 功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 S9000X Xe Plasma FIB-SEM主要优势：• 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；• 新一代 Triglav™ UHR SEM 镜筒具有ji佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能；• 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；• 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工；• 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；• 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；• 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；• 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并zui大限度地减少维护成本；• 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；• 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现zui大的吞吐量和易用性。概述：突出特点 • ji高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。• 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中zui大的视场（FoV）。 在30 keV 下zui大视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的zui佳解决方案。 • 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。 • 充分利用电子和离子束功能，实现应用zui大化快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS™ 具有所有这些品质，S9000X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。 • 轻松实现 FIB 精确调节，并保证 FIB zui佳性能新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择zui佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。 • zui小的表面损伤和无Ga离子注入样品制备，以保持样品的特性与 Ga 离子相比，Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小，因此带来的非晶化损伤也更小，这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外，Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。 • 强大的检测系统由 TriSE™ 和 TriBE™ 组成的多探测器系统，可收集不同角度的 SE 和 BSE 信号，以获得样品的zui大信息。 • 改进和扩展成像功能，获得有意义的衬度新一代 Triglav™ 镜筒内探测器系统经过优化，信号检测效率提高了三倍。此外，增加的能量过滤功能，可以对轴向 BSE 信号过滤采集。通过选择性地收集低能量轴向 BSE，实现用不同的衬度来增强表面灵敏度。 • 超高速三维微分析镜筒内探测器系统可实现快速图像采集，结合 Xe 等离子体 FIB 的高溅射速率，可实现 3D 微量分析的超快速数据采集。EDS 和 EBSD 数据可以在 FIB-SEM 断层扫描期间同时获得。使用专用软件进行后处理，可以获得 3D 重建，实现整个焊球、TSV、金属合金等样品的独特微观结构，成分和晶体学信息。 • 提供微分析的zui佳工作条件新一代 Triglav™ 还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率。这有利于快速实现 EDS，WDS 和 EBSD 等分析技术。 • 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。 • 不牺牲空间分辨率，而实现快速微分析Triglav™ SEM 镜筒结合新型肖特基 FE 枪，可实现高达 400 nA 的电子束流，并实现束流快速调整。In-Flight Beam Tracing™ 功能可以实现束流和束斑优化，满足微区分析的zui佳条件。 • 大尺寸晶圆分析得益于zui佳的 60° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8”晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。 • 轻松实现以往复杂操作新的 TESCAN Essence™ 软件平台是一个优xiu的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以zui好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence™ 还提供先进的DrawBeam™ 矢量扫描发生器，用于快速精确的FIB加工和电子束光刻。 设备咨询电话：（微信同号）；QQ：；邮箱：欢迎您的来电咨询！

KRi 射频离子源 RFICP 220上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:阳极电感耦合等离子体2kW & 2 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 1000mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2, 其他流量5-50 sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极22cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000, MHC 1000高度30 cm直径41 cm锁紧安装法兰10”CFKRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下上海伯东: 罗女士

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因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 140上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:阳极电感耦合等离子体1kW & 1.8 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 500mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-40sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极14cm Φ栅极材质钼, 石墨离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度25.1 cm直径24.6 cm锁紧安装法兰12”CFKRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

KRI 射频离子源 RFICP 140上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:阳极电感耦合等离子体1kW & 1.8 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 500mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-40sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极14cm Φ栅极材质钼, 石墨离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度25.1 cm直径24.6 cm锁紧安装法兰12”CFKRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源已历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。伯东版权所有, 翻拷必究!

离子源，应用于FEI（赛默飞）的聚焦离子束设备。液态镓离子源 寿命大于1000小时 发射电流 2.0uA821 6845 离子源168 821 7150 离子源171 两种离子源适用机型不同需要根据客户使用机器的具体型号来配置，大束科技自主研发离子源发射电流2.0uA，使用寿命大于1000小时。大束科技成立于2018年，是一家以自主技术驱动的电子显微镜核心配件研发制造商及配套服务商。 目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场，此外，还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务，以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源（电子显微镜灯丝）、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。大束科技致力于成为电子显微镜行业上游配件的研发制造供应商；未来将在满足本土市场的同时，进军国际高端电子显微镜市场。

电镜腔等离子清洁仪（远程等离子清洁仪）美国PIE出品的EM-KLEEN型远程等离子清洁仪，广泛用于SEM扫描电镜,FIB聚焦离子束双束电镜,TEM透射电镜,XPS_X射线光电子能谱分析仪,ALD原子层沉积系统,CD-SEM, EBR, EBI, EUVL和其它高真空系统，可同时清洁真空腔室和样品！污染物对电子显微镜SEM/TEM和其它高真空系统产生的影响润滑剂、真空脂、泵油样品中的高分子聚合物，或未经处理的空气都会把碳氢污染物引到真空系统中。低蒸汽压下高分子重污染物会凝聚在样品表面和腔室壁上，而使用普通气体吹扫方法很难把碳氢污染物清除。电子和高能光子(EUV, X-ray)能够分解存在于真空系统中或样品上的碳氢污染物。碳氢化合物的分解产物沉积在被观测的样品表面或电子光学部件上。这种碳氢污染沉积会降低EUV的镜面反射率，降低SEM图像对比度和分辨率，造成错误的表面分析结果，沉积在光阑或其它电子组件的不导电碳氢污染物甚至会造成电子束位置或聚焦缓慢漂移。在ALD系统中，样品表面的碳氢污染物还会降低薄膜的界面匹配质量。远程等离子清洁的原理远程等离子源需安装在要被清洁的真空腔室上，控制器向远程离子源提供射频能量。射频电磁场能激发等离子体，分解输入气体而产生氧或氢的活性基，活性基会扩散到下游的真空腔室，并与其中的污染物发生化学反应，反应产物能轻易地被抽走。远程等离子清洗机可同时清洁真空系统和样品。技术特点：快速清洁被污染的SEM样品。2-60秒氢等离子体清洁ALD样品。不需减速或关闭涡轮分子泵低等离子偏压设计减少离子溅射和颗粒生成。结合自有专利多级气体过滤技术，SEMI-KLEEN能够满足用户最苛刻的颗粒污染清除要求可选蓝宝石管腔体和耐腐蚀性气体的流量控制器，以便支持CF4, NF3, NH3, HF, H2S等应用特有的等离子强度传感器可实时监测等离子状态，用户对等离子状态一目了然基于压力传感回馈控制的自动电子流量控制器，无需手动调节针阀直观的触摸屏操作，可定义60条清洗程序方案拥有智能安全操作模式和专家控制模式；SmartScheduleTM定时装置，通过检测样品装载次数或时间间隔来定时清洁系统低电磁干扰设计，安静的待机模式一. 特有功能1. 优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。最低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度更快，更均匀，对电子枪和分子泵更安全；2. 即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；3. 带气压计的自动气体流量控制；4. 实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；5. 自动射频匹配实时保证最优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；6. 专利保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；7. 带LCD触摸屏的直观操作界面；8. 微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；9. 支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；10. 微电脑控制器可记录所有信息状态，便于系统维护。二. 技术指标1. 等离子源真空接口：NW/KF40 法兰 提供转接法兰；2. 标配等离子强度传感器；3. 等离子源最低点火起辉气压：0.1毫托；4. 等离子源最高工作气压：1.0 托；5. 漏气率：0.005sccm；6. 射频输出：0~100瓦，连续可调节；7. 具有射频自动匹配功能8. 电源和功率：220V, 50Hz,

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 考夫曼离子源 KDC 40上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数型号KDC 40供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝1 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam&trade - 栅极专用, 自对准 -栅极直径4 cm中和器灯丝电源控制KSC 1202配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 - 架构移动或快速法兰 - 高度6.75' - 直径3.5' - 离子束集中平行散设 -加工材料金属电介质半导体 -工艺气体惰性活性混合 -安装距离6-18” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜(光学镀膜)IBAD表面改性, 激活 SM离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

产品介绍： DBDI-100是一款无需样品前处理、可在大气压敞开环境下使极性、弱极性及非极性分子离子化的质谱离子源。产品可以与各大主流质谱厂家的液质质谱仪联用，实现气体、液体和固体等样品直接进样分析，适用于食品安全、药物分析、环境监测、临床诊断、公共安全和化学研究等领域的原位、实时、快速检测。介质阻挡放电离子源技术原理: 采用介质阻挡放电离子化技术，通过交流高压激发绝缘介质管内的氦气等惰性气体，形成稳定喷射的等离子体束，再利用潘宁电离等机理实现样品离子化。技术参数:1）载气：氦气，4.7级以上（99.997%）；氩气，4.8级以上（99.998%）；氮气，4.8级以上（99.998%）；2）载气速度：0.2-5.0L/min，待机状态不耗载气；3）离子化区域温度：25-250℃；4）质量范围：通常为15-3000amu；5）检测下限：与LTQ质谱联用，固态样品通常为0.5-50pg，液态样品通常为0.1-10ppb；