美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商,具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统,以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室,可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI 或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物,SiGe4’’SM-6Si,Ge,金属4’’或6’’S-8Si,Ge,介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体,氮化物,氧化物,铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室,III-V或II-VI 或其他化合物半导体,铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V,II-VI,II-氧化物,III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体,氮化物,氧化物,铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计,主要包括装载室模块,预备或分析室模块,主生长室模块。可配10个源,线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离,互不影响。Model 35-6 AlGaAs(或其他半导体材料)研究和生产型设备,样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。可配普通束流源,裂解源,RF源,电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4' ' 衬底MBE平台,用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括:26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源,或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术,并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。
留言咨询