射线光硅漂移探测器

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射线光硅漂移探测器相关的仪器

  • XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率!采用电冷技术 无需液氮!图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头,前置放大器(前放)和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境,而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路,这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右,并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装,并利用不透光和不透气(真空封装适用)的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能,它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性:1. 高计数率:500,000 CPS(每秒计数, counts per second);2. 能量分辨率:125eV(半高全宽,FWHM,对应峰值为5.9keV的情况);3. 高峰本比:20,000:1“(ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)” ;4. 面积25mm2,厚度500µ m;5. 内置多层准直器;6. 不需要液氮制冷。应用范围:1. X射线荧光分析;2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪;3. OEM和其他专业应用;4. 生产工艺流程反馈控制;5. 高校和科研院所实验室研究;产品参数:本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用: 1. 超高能量分辨率:125eV(对应峰值为5.9keV的情况); 2. 峰化时间(Peaking time):11.2µ s; 3. 计数率:100,000 CPS; 4. 峰本比:,20,000:1;II. 快速峰化应用: 1. 能量分辨率:155eV(对应峰值为5.9keV的情况); 2. 峰化时间(Peaking time):0.8µ s; 3. 计数率:500,000 CPS;III. 手持设备应用: 1. 能量分辨率:150eV(对应峰值为5.9keV的情况); 2. 峰化时间(Peaking time):3.2µ s; 3. 探测器探头温度保持在250K(-24oC) 4. 计数率:200,000 CPS;XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器(SDD)是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器,它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小,性能优越且价格便宜等特点,是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择;而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率,可以满足各种参数需求;另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳,方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似,但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下,硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多,则所需成型时间变短,电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同(较高)的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上,探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500μm准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs峰化时间)峰本比(Peak to Background)20,000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5μm)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性(温飘)20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年,因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储:干燥条件下存放十年以上仓储/物流需求:-20到+50 oC,10%到90%湿度(无冷凝器)TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 02Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V,电流15mA,噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V,电流25μA;输入需要非常稳定:0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V,最大电流350mA,噪声峰峰值小于100mV;注意:XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV(不同探测器可能略有不同)前置放大器极性正脉冲信号输出(最大负载为1k欧姆)前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度(单位:开尔文)可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器(SDD)也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头,前置放大器,DP5数字脉冲处理和多道分析模块,以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项:1. 硅漂移探测器需要负高压,而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压,而前方输出为负脉冲正好相反;2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块,则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时,因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时,因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量,绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号,进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围,降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内,这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点:提高峰本比(P/B);消除边界效应;消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作,而真空环境应用有如下两种方案: 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部: a. 为保证XR-100SDD的正常工作,需避免器件过热,并做好输入的1W功率的良好导热;即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔,根据具体真空室位形设计散热,将器件热量传导到真空室壁上; b. 在CF(Conflat Flange)刀口法兰上利用可选的真空馈通端子(如9DVF型,九接口)连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外:需利用可选的真空探测器延长组件(如EXV9型加长管,长9英寸)和标准CF刀口法兰窗口(通过O圈密封)配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用(定制法兰,4个SDD探测器)其他系统说明及性能曲线图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线(SDD配套DP5使用) 该图也表示了最大输出计数率曲线(黑色虚线)。而系统工作参数在该曲线右边区域时,尽管输入计数率很高,但输出计数率仍会小于最大值,具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线(输出效率) 由于SDD探测器具有更小的电容,在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6μs或更小的成形时间,这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗(及保护膜)的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定(0.3mil/8μm或0.5mil/12.5μm),而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定:500μm。传输效率文件:包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件,仅提供基本信息,不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器(Super SDD)和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:图13. SS316型不锈钢图14. PVC样品(RoHS/WEEE标准)图15. CaCl2溶液(800ppm Ca, 1200 ppm Cl)图16. 含有少量KCl的原油(1100ppm)中的S元素图17. 汽车催化剂图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪(XRF)系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括:1. XR-100SDD型硅漂移探测器;2. PX5型数字脉冲处理器,多道分析器及电源;3. Mini-X型USB控制X射线管;4. XRF-FP定量分析软件;5. MP1型XRF系统安装平台。
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  • XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率!采用电冷技术 无需液氮!图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头,前置放大器(前放)和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境,而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路,这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右,并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装,并利用不透光和不透气(真空封装适用)的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能,它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性:1. 高计数率:500,000 CPS(每秒计数, counts per second);2. 能量分辨率:125eV(半高全宽,FWHM,对应峰值为5.9keV的情况);3. 高峰本比:20,000:1&ldquo (ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)&rdquo ;4. 面积25mm2,厚度500µ m;5. 内置多层准直器;6. 不需要液氮制冷。应用范围:1. X射线荧光分析;2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪;3. OEM和其他专业应用;4. 生产工艺流程反馈控制;5. 高校和科研院所实验室研究;产品参数:本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用: 1. 超高能量分辨率:125eV(对应峰值为5.9keV的情况); 2. 峰化时间(Peaking time):11.2µ s; 3. 计数率:100,000 CPS; 4. 峰本比:,20,000:1;II. 快速峰化应用: 1. 能量分辨率:155eV(对应峰值为5.9keV的情况); 2. 峰化时间(Peaking time):0.8µ s; 3. 计数率:500,000 CPS;III. 手持设备应用: 1. 能量分辨率:150eV(对应峰值为5.9keV的情况); 2. 峰化时间(Peaking time):3.2µ s; 3. 探测器探头温度保持在250K(-24oC) 4. 计数率:200,000 CPS;XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器(SDD)是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器,它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小,性能优越且价格便宜等特点,是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择;而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率,可以满足各种参数需求;另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳,方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似,但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下,硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多,则所需成型时间变短,电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同(较高)的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上,探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500&mu m准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2&mu s峰化时间)峰本比(Peak to Background)20,000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5&mu m)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性(温飘)20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年,因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储:干燥条件下存放十年以上仓储/物流需求:-20到+50 oC,10%到90%湿度(无冷凝器)TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 02Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V,电流15mA,噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V,电流25&mu A;输入需要非常稳定:0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V,最大电流350mA,噪声峰峰值小于100mV;注意:XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV(不同探测器可能略有不同)前置放大器极性正脉冲信号输出(最大负载为1k欧姆)前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度(单位:开尔文)可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器(SDD)也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头,前置放大器,DP5数字脉冲处理和多道分析模块,以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项:1. 硅漂移探测器需要负高压,而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压,而前方输出为负脉冲正好相反;2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块,则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时,因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时,因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量,绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号,进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围,降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内,这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点:提高峰本比(P/B);消除边界效应;消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作,而真空环境应用有如下两种方案: 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部: a. 为保证XR-100SDD的正常工作,需避免器件过热,并做好输入的1W功率的良好导热;即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔,根据具体真空室位形设计散热,将器件热量传导到真空室壁上; b. 在CF(Conflat Flange)刀口法兰上利用可选的真空馈通端子(如9DVF型,九接口)连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外:需利用可选的真空探测器延长组件(如EXV9型加长管,长9英寸)和标准CF刀口法兰窗口(通过O圈密封)配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用(定制法兰,4个SDD探测器)其他系统说明及性能曲线图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线(SDD配套DP5使用) 该图也表示了最大输出计数率曲线(黑色虚线)。而系统工作参数在该曲线右边区域时,尽管输入计数率很高,但输出计数率仍会小于最大值,具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线(输出效率) 由于SDD探测器具有更小的电容,在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6&mu s或更小的成形时间,这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗(及保护膜)的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定(0.3mil/8&mu m或0.5mil/12.5&mu m),而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定:500&mu m。传输效率文件:包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件,仅提供基本信息,不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器(Super SDD)和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:图13. SS316型不锈钢图14. PVC样品(RoHS/WEEE标准)图15. CaCl2溶液(800ppm Ca, 1200 ppm Cl)图16. 含有少量KCl的原油(1100ppm)中的S元素图17. 汽车催化剂图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪(XRF)系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括:1. XR-100SDD型硅漂移探测器;2. PX5型数字脉冲处理器,多道分析器及电源;3. Mini-X型USB控制X射线管;4. XRF-FP定量分析软件;5. MP1型XRF系统安装平台。 更多信息请关注AMPTEK英文官方网站:。
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  • 下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率(FWHM,[eV])峰化时间(微秒)125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1(样品为316型不锈钢-NIST 3155) 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16±0.28Cr18.4518.32±0.80Mn1.630.0±0.55Fe64.5165.89±1.64Co0.10.00±0.40Ni12.1812.56±0.47Cu0.170.19±0.02Mo2.382.34±0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率(ICR)情况下测量锰(Mn)样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2(样品为焊锡)
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射线光硅漂移探测器相关的资讯

  • 赛默飞发布新型UltraDry硅漂移(电制冷)探测器
    -- 为NORAN System 7微区分析系统提供最优的探测器尺寸、分析速度和分辨率中国上海,2012年8月10日 &mdash &mdash 7月30日,科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技(以下简称:赛默飞)在2012显微镜学和微区分析大会上发布新型赛默飞UltraDry硅漂移(电制冷)X射线探测器。该探测器为同类最优,为金属和矿物、先进材料和半导体等行业应用提供更快速、准确的(微区)X射线分析。它进一步提升了广受赞誉的赛默飞NORAN System 7 X射线微区分析系统的性能。赛默飞副总裁兼分子光谱和微区分析产品总经理John Sos指出:&ldquo 我们的UltraDry硅漂移(电制冷)探测器在超高的采集速率下具有优异的分辨率,这在当今的纳米技术和先进材料应用分析中是至关重要的!我们对该探测器的卓越改进使我们NORAN System 7系统整体能以最快的速度获得最多的数据。加之使用我们独有的高级数据处理工具 &mdash &mdash COMPASS软件和直接倒相软件,用户可以满怀信心地将其EDS分析结果提升至全新的水平。&rdquo UltraDry硅漂移(电制冷)探测器性能的提升是其设计和技术工艺改进的直接成果。该探测器提升了能量分辨率的界限,在Mn-K&alpha 的能谱谱峰分辨率高达123eV。采用尺寸较小先进的场效应晶体管(FET)与晶体一体化的卓越设计在最大程度上减小了导致电噪声的分布电容。UltraDry探测器能够高效地操控脉冲堆积处理,使其在高速处理中具有最佳的分辨率和最小的死时间比率。无需外部附属设备或液氮制冷。新型的UltraDry探测器提供宽范围的晶体有效面积选择(10mm2,30mm2,60mm2 和100mm2),并具有先进的窗口工艺技术和独一无二的可分析至元素铍的轻元素完整的分析算法。其他关键特征包括:&bull 旨在使样品至探测器距离最小化和探测器立体角最大化的用户定制设计&bull 独有的旨在创造最大工作距离范围的垂直开槽的准直器&bull 操作环境温度至35° CNORAN System 7是非常适用于金属和采矿、先进材料、学术研究、半导体和微电子、失效分析、缺陷审查等材料电子显微微区应用分析的卓越平台!欲了解更多有关NORAN System 7和UltraDry(电制冷)探测器的信息,请访问网站www.thermoscientific.com。关于赛默飞世尔科技赛默飞世尔科技(纽约证交所代码: TMO)是科学服务领域的世界领导者。我们的使命是帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。公司年销售额120亿美元,员工约39,000人。主要客户类型包括:医药和生物技术公司、医院和临床诊断实验室、大学、科研院所和政府机构,以及环境与过程控制行业。借助于Thermo Scientific、Fisher Scientific和Unity&trade Lab Services三个首要品牌,我们将创新技术、便捷采购方案和实验室运营管理的整体解决方案相结合,为客户、股东和员工创造价值。我们的产品和服务帮助客户解决在分析领域所遇到的复杂问题与挑战,促进医疗诊断发展、提高实验室生产力。欲了解更多信息,请浏览公司网站:www.thermofisher.com关于赛默飞中国赛默飞世尔科技进入中国发展已有30年,在中国的总部设于上海,并在北京、广州、香港、成都、沈阳等地设立了分公司,目前已有超过1900名员工、6家生产工厂、5个应用开发中心、2个客户体验中心以及1个技术中心,成为中国分析科学领域最大的外资企业。赛默飞的产品主要包括分析仪器、实验室设备、试剂、耗材和软件等,提供实验室综合解决方案,为各行各业的客户服务。为了满足中国市场的需求,目前国内已有6家工厂运营,苏州在建的大规模工厂2012年也将投产。赛默飞在北京和上海共设立了5个应用开发中心,将世界级的前沿技术和产品带给国内客户,并提供应用开发与培训等多项服务;位于上海的中国技术中心结合国内市场的需求和国外先进技术,研发适合中国的技术和产品;遍布全国的维修服务网点和特别成立的维修服务中心,旨在提高售后服务的质量和效率。我们致力于帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。欲了解更多信息,请登录www.thermofisher.cn
  • 牛津仪器推出硅漂移探测器新产品X-Max Extreme
    p  牛津仪器推出了硅漂移探测器新产品X-Max Extreme,该探测器在场发射电镜及聚焦离子束扫描电镜应用中,能够获取突破性的超高分辨率。这款独特的探测器第一次使得能谱仪能够在非常低的加速电压下(1kV 到3kV之间)采集数据,并且在非常短的工作距离进行元素分析。/pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201508/insimg/b9960d21-eaf9-42f8-a404-d13bf995d3d4.jpg" title="555.jpg"//pp  近年来,超高分辨率的场发射扫描电镜在更小的纳米结构、界面和表面观察中展示了令人激动的分析功能。然而,在非常短的工作距离、非常低的加速电压、和非常小的束流条件下,传统的硅漂移探测器很难进行元素表征。新的X-Max Extreme改变了这一切。X-Max Extreme为有效探测面积为100mmsup2/sup的无窗型能谱仪,它能够在较短的工作距离下采集数据。利用X-Max Extreme,能够同时进行成像和EDS分析,而且能谱分辨率接近扫描电镜的分辨率。/pp  X射线业务部门经理Simon Burgess表示:“X-Max提供超出传统微米或纳米分析的解决方案。例如,X-Max Extreme的灵敏度允许用户表征表面污染物和几个原子层厚的样品的成分组成及分布。对于轻元素,包括锂,它也能够提供一流的检测。”/ppbr//p
  • 跨向理想X射线探测器的一小步-高分辨、非晶硒X射线探测器及其应用
    “对于相干衍射成像(CDI),微米级像素的非晶硒CMOS探测器将专门解决大体积晶体材料中纳米级晶格畸变在能量高于50 keV的高分辨率成像。目前可用的像素相对较大的(〜55μm像素),基于medipix3芯片光子计数、像素化、直接探测技术无法轻易支持高能布拉格条纹的分辨率,从而使衍射数据不适用于小晶体的3D重建。” 美国阿贡国家实验室先进物理光子源探测器物理小组负责人Antonino Miceli博士讲到。相干X射线衍射成像作为新兴的高分辨显微成像方法,CDI方法摆脱了由成像元件所带来的对成像分辨率的限制,其成像分辨率理论上仅受限于X射线的波长。利用第三代同步辐射光源或X射线自由电子激光,可实现样品高空间分辨率、高衬度、原位、定量的二维或三维成像,该技术在材料学、生物学及物理学等领域中具有重要的应用前景。作为一种无透镜高分辨、无损成像技术,CDI对探测器提出了较高的要求:需要探测器有单光子灵敏度、高的探测效率和高的动态范围。目前基于软X射线的相干衍射成像研究工作开展得比较多,在这种情况下科研工作者通常选用是的基于全帧芯片的软X射线直接探测相机。将CDI技术拓展到硬X射线领域(50keV)以获得更高成像分辨率是目前很多科研工作者正在尝试的,同时也对探测器和同步辐射光源提出了更好的要求。如上文提到,KAimaging公司开发了一款非晶硒、高分辨X射线探测器(BrillianSe)很好的解决的这一问题。下面我们来重点看一下BrillianSe的几个主要参数1. 高探测效率 如上图,间接探测器需要通过闪烁体将X射线转为可见光, 只有部分可见光会被光电二极管阵列,CCD或CMOS芯片接收,造成了有效信号的丢失。而BrillianSe选用了具有较高原子序数的Se作为传感器材料,可以将大部分入射的X射线直接转为光电子,并被后端电路处理。在硬X射线探测效率远高于间接探测方式。BrillianSe在60KV (2mm filtration)的探测效率为:36% at 10 cycles/mm22% at 45 cycles/mm10% at 64 cycles/mm非晶硒吸收效率(K-edge=12.26 KeV)BrillianSe在60KV with 2 mm Al filtration的探测效率,之前报到15 μm GADOX 9 μm pixel 间接探测器QE 为13%。Larsson et al., Scientific Reports 6, 20162. 高空间分辨BrillianSe的像素尺寸为8 µm x8 µm,在60KeV的点扩散为1.1 倍像素。如下是在美国ANL APS 1-BM光束线测试实验室布局使用JIMA RT RC-05测试卡,在21keV光束下测试3. 高动态范围75dB由于采用了100微米厚的非晶硒作为传感器材料。它具有较大满井为877,000 e-非晶硒材料,不同入射光子能量光子产生一个电子空穴对所需要电离能BrillianSe主要应用:高能(50KeV)布拉格相干衍射成像低密度相衬成像同步辐射微纳CT表型基因组学领域要求X射线显微CT等成像工具具有更好的可视化能力。此外需要更高的空间分辨率,活体成像的关键挑战在于限制受试者接收到的电离辐射,由于诱导的生物学效应,辐射剂量显着地限制了长期研究。可用于X射线吸收成像衬度低的物体,如生物组织的相衬X射线显微断层照相术也存在类似的挑战。此外,增加成像系统的剂量效率将可以使用低亮度X射线源,从而减少了对在同步辐射光源的依赖。在不损害生物系统的情况下,在常规实验室环境中一台低成本、紧凑型的活体成像设备,对于加速生物工程研究至关重要。同时对X射线探测器提出了更高的要求。KAimaging公司基于独家开发的、专利的高空间分辨率非晶硒(a-Se)探测器技术,开发了一套桌面高效率、高分辨的微米CT系统(inCiTe™ )。可以从inCiTe™ 中受益的应用:• 无损检测• 增材制造• 电子工业• 农学• 地质学• 临床医学• 标本射线照相 基于相衬成像技术获得优异的相位衬度相衬成像是吸收对比(常规)X射线成像的补充。 使用常规X射线成像技术,X射线吸收弱的材料自然会导致较低的图像对比度。 在这种情况下,X射线相位变化具有更高的灵敏度。因为 inCiTe™ micro-CT可以将物体引起的相位变化转为为探测器的强度变化,所以它可以直接获取自由空间传播X射线束相位衬度。 同轴法相衬X射线成像可将X射线吸收较弱的特征的可检测性提高几个数量级。 下图展示了相衬可以更好地显示甜椒种子细节特征不含相衬信息 含相衬信息 低密度材料具有更好的成像质量钛植入样品图像显示了整形外科的钛植入物,可用于不同的应用,即检查骨-植入物的界面。 注意,相衬改善了骨骼结构的可视化。不含相衬信息 含相衬信息 生物样品inCiTe™ 显微CT可实现软组织高衬度呈现电子样品凯夫拉Kevlar复合材料样品我们使用探测器在几秒钟内快速获取了凯夫拉复合材料的相衬图像。可以清楚看到单根纤维形态(左图)和纤维分层情况(右图)。凯夫拉尔复合物3维透视图 KA Imaging KA Imaging源自滑铁卢大学,成立于2015年。作为一家专门开发x射线成像技术和系统的公司,KA Imaging以创新为导向,致力于利用其先进的X射线技术为医疗、兽医学和无损检测工业市场提供最佳解决方案。公司拥有独家开发并自有专利的高空间高分辨率非晶硒(a-Se)X射线探测器BrillianSeTM,并基于此推出了商业化X射线桌面相衬微米CT inCiTe™ 。我们有幸在此宣布,经过双方密切的交流与探讨,众星已与KA Imaging落实并达成了合作协议。众星联恒将作为KA Imaging在中国地区的独家代理,全面负责BrillianSe™ 及inCiTe™ 在中国市场的产品售前咨询,销售以及售后业务。KA Imaging将对众星联恒提供全面、深度的技术培训和支持,以便更好地服务于中国客户。众星联恒及我们来自全球高科技领域的合作伙伴们将继续为中国广大科研用户及工业用户带来更多创新技术及前沿资讯!

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  • 硅漂移探测器咨询

    请问各位,国内现在有研发生产硅漂移探测器(SDD)的厂家吗?能介绍几个吗?还有,国内有没有研发生产Si-pin探测器的厂家啊?谢谢各位

  • X射线探测器和X射线光管求导购

    新手一枚,想做利用能散型X射线荧光光谱分析矿物中Al、Si含量大致范围,领导让买XRF探测器和X光管,让我选产品。看文献大家都用的是国外的,像Varian、COMET、牛津的光管,还有AmpTek、Moxtek的探测器。但是不知道实际价位和性能如何,实在不会选了。请问各位大神能不能给说明一下详细情况(价位、性价比)?我该怎么选?还有没有国内的比较好的品牌?另外多通道脉冲幅度分析器是不是都和XRF探测器集成在一起了?单买的话有什么合适的品牌?还有是不是探测器现在都是配有相应分析软件的啊?从来没接触过光学相关技术,实在头疼,小女子在此谢过各位了,拜托拜托~

  • 硅漂移探测器的镀层厚度测量仪故障求助

    求助大神,我们这一台菲希尔的XDV-µ 镀层厚度测量仪,买了不到一年就开始经常打不开高压,代理商总是说脏灰尘要清洁。刚出保一个月又打不了高压,工作人员清洁和转动了下快门马达??然后能上高压了。但光谱不正常,像条形图。供应商说探测器被搞坏了;他们说吹口气都会坏;[color=#cc0000]硅漂移探测器[/color]这么脆?

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  • 硅漂移探测器
    这款硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专业为XRF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计,提供窗口材料的选择,从铍(8μm)到薄型聚合物(用于轻型X射线透射),并提供10mm2至60mm2的传感器有源区域。 此外,所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到优化。 具体配置给每个客户,SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓越和稳定的性能,以产生快速X射线图。硅漂移探测器规格SDD探测器典型特征传感器区域窗口选项分辨率eV(Mn K / C)10mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤123-13330mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤126-13360mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤126-133100mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤128-133
  • X射线探测器 X射线探测器
    X射线探测器是一种位置灵敏性的探测器 (Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射仪探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术,而不是基于传统微光子技术,它不需要维护,不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology,这种技术的探测器噪音较大,而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题,法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器,使用钢合金替代原有材料,使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末,固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计,具有110度,120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造,代替了传统的机械扫描装置。这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末,固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计,具有110度,120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造,代替了传统的机械扫描装置。
  • X射线探测器
    X射线探测器是一种位置灵敏性探测器 (Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术,而不是基于传统微光子技术,它不需要维护,不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology,这种技术的探测器噪音较大,而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题,法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器,使用钢合金替代原有材料,使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末,固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计,具有110度,120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造,代替了传统的机械扫描装置。这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末,固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计,具有110度,120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造,代替了传统的机械扫描装置。http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/psddector.html
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