全自动磁控溅射系统

日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000采用了电磁管电极，能够最大限度地减轻对样品的损坏，并在样品表面涂覆一层均匀粒子。适用于高分辨率的扫描式电子显微镜。日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000的最大样品直径：60 mm日立高新磁控溅射器（Hitachi Ion Sputter )MC1000的最大样品高度：20 mm 特点：采用LCD触摸屏，可以更加简便地设定加工条件可处理较厚或较大的样品(选配件)记忆功能可存储常用加工条件规格：

磁控溅射技术NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000（A）带有14”立方形铝质腔体，3个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70或250l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统应用： 晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射技术NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-4000（A）带有14”立方形不锈钢腔体，4个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，350 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢腔体260l/s或350l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统选配项：RF、DC溅射热蒸镀能力RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-4000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000（A）带有14”立方形铝质腔体，3个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70或250l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射技术NSC-4000（M）磁控溅射系统概述： NANO-MASTER杰出的溅射系统可构建成多腔体和多蒸发源的配置，在介质上溅射金属和介质材料，最大可支持200mm的衬底。系统可以配置DC直流、RF射频和Pulse DC脉冲直流等电源来进行序列溅射或共溅射。 系统使用涡轮分子泵组，工艺腔极限真空可达5 x 10-7Torr。可以通过调节靶基距，实现所需要的均匀度和沉积速率的调节。旋转样品台可提供薄膜最优的均匀性。 自动膜厚监控仪可提供以目标膜厚为工艺终点条件的全自动工艺控制，达到目标膜厚时系统将自动停止工艺。样品台最高可加热到800度，并可提供射频偏压。 NSC-4000（M）磁控溅射系统产品特点：电抛光14"立方体或21"x21"x22"不锈钢优化蒸镀腔体680 l/sec 涡轮分子泵，串接机械泵或干泵4x 15CC pocket电子枪电子束源和基片遮板 6KW开关电源，杰出的消弧性能自动Pocket索引以及可编程的扫描控制器膜厚监测，可设置目标膜厚作为工艺终点条件旋转样品台，提供高均匀性带观察视窗的腔门，便于放片/取片PC全自动控制，具有高度的可重复性Labview软件的计算机全自动工艺控制控多级密码保护的授权访问设计EMO保护以及完全的安全联锁NSC-4000（M）磁控溅射系统选配项： 基板支持加热(最高可达800°C)或冷却支持旋转GLAD斜角入射沉积腔体尺寸可定制1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料倾斜磁控枪射频偏压样品台离子源用于基片预清洗离子辅助溅射增加RF电源和DC电源用于共溅射增加热蒸发源和电子束蒸发源增加MFC用于反应溅射自动上下片其它包含冷泵等的各种真空泵选配NSC-4000（M）磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学涂覆和ITO涂覆保护涂层带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂层微电子图案OLED应用中的TCO透明导电薄膜** 硬涂层

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.用户评价：TRP-450高真空镀膜机其设备质量过关，功能齐全，性能稳定，自动化程度高，抽气速平稳，电源稳定可靠，气路流畅密闭，镀膜质量平整光滑，均匀致密，结合力强，且系统操控智能，便捷，可满足科研实验与生产制造的需求，是一款优秀的磁控溅射镀膜系统。——北京石墨烯技术研究院有限公司 李老师4.真空室：真空室结构:圆筒形开门 真空室尺寸:φ450x400mm 限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸，可以向上溅射或向下溅射。 样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1米×1.8米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEMnanoEM是Moorfield Nanotechnology推出的一款高精度的磁控溅射喷金仪。该系统可配备SEM样品托、TEM网、普通样品等多种专用样品台，满足各种高精度的喷金或电生长需求。除了溅射金属电外，nanoEM还具有大的拓展空间，虽然作为台式设备，nanoEM配备了输出功率可达300W的溅射源，系统还可选择样品台旋转、样品倾斜、自动压强控制等多种功能。丰富的选件和配置可以满足学术研究的多种样品生长需求，可升成为一台多功能的磁控溅射薄膜制备系统。该设备作为灵活的高精度金属溅射仪备受各大实验室的青睐。主要特点：◎ 能够达到学术研究的多功能喷金仪◎ SEM托、TEM网、普通样品多种专用样品台可选◎ 可安装两个2英寸溅射源◎ 通用的溅射靶材◎ 本底真空5×10-7 mbar◎ 流量计控制生长气氛◎ 可调式DC溅射源，输出功率可达300W◎ 全自动，引导式触屏控制◎ 完备的安全性设计◎ 易于维护◎ 兼容超净室◎ 稳定的性能表现系统选件：◎ 腔体视窗◎ 真空泵型号可选◎ 气压全自动控制系统◎ 溅射源挡板◎ 等离子体辉光电◎ 样品台旋转与倾斜◎ 晶振膜厚监测系统

磁控溅射系统：NSC-4000独立式磁控溅射系统，可支持共溅射等能力的扩展NSC-3500紧凑型独立式热蒸镀，可以支持金属材料的DC溅射，介质材料的RF溅射，以及脉冲DC溅射等应用。NSC-3000可支持最多4个靶的DC溅射或RF溅射NSC-1000单金靶靶材的台式溅射系统，不但可用于电镜制备，也可以用于常规的金属溅射特点：** 优化的14”立方电抛光不锈钢腔体10”圆柱形不锈钢腔体** 可以支持大尺寸基片或者批处理（腔体和靶枪均升级）** 涡轮分子泵组可达到5×10-7Torr的极限真空** 根据不同的靶尺寸可配套单个或多个靶枪** 可支持序列溅射或共溅射** 靶基距可调节** 1”-6”平面磁控管可选** 溅射源和基板挡板** 带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC** 带手动挡板的3英寸观察视窗** 晶振膜厚监控仪** 基片旋转功能** 全自动计算机控制，菜单驱动** LabVIEW友好用户界面** EMO和安全互锁选配：** 基板支持加热(最高可达800°C)或冷却** 支持旋转GLAD斜角入射沉积** 腔体尺寸可定制** 1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料** 倾斜磁控枪** 射频偏压样品台** 离子源用于基片预清洗** 离子辅助溅射** 增加RF电源和DC电源用于共溅射** 增加热蒸发源和电子束蒸发源** 形成梯度的组合溅射** 对基片无轰击的等离子辅助反应溅射涂覆** 增加MFC用于反应溅射** 单片自动上下片，以及Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片溅射以及批处理溅射** 其它包含冷泵等的各种真空泵选配应用：** 光学涂覆和ITO涂覆** 硬涂层** 保护涂层** 微电子图案** 形成梯度的组合溅射** 对基片无轰击的等离子辅助反应溅射涂覆** OLED应用中的TCO透明导电薄膜

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

磁控溅射技术GSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。GSC-1000带有10"派热克钟罩腔体，2个2"的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能选配项：Thickness Monitor 膜厚监测应 用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

1.产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业先的软件控制系统，用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺：真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套，φ2英寸； 四工位转靶1套；样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。高可以到达800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.产品优势：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。该系统可用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料科研工作。3.产品工艺：真空室结构:梨形上升盖真空室尺寸:φ550×350mm限真空度:≤6.6E-6Pa（经烘烤除气后）沉积源:永磁靶5套，φ2英寸配有多个靶位，例如 5 个 2 英寸磁控溅射靶接样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述MS450多靶磁控溅射镀膜系统由沈阳科友仪器等制造商生产，是一款集高真空、多靶材、磁控溅射技术于一体的镀膜设备。该系统能够在所需基材上沉积多种类型的涂层，包括耐磨损涂层、自润滑涂层、抗腐蚀涂层、抗高温氧化涂层、透明导电涂层等，广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验及生产型企业期探索性实验及开发新产品等。2.产品组成MS450多靶磁控溅射镀膜系统主要由以下几个部分组成：真空室：提供高真空环境，确保镀膜过程中的气体分子干扰小化。溅射靶枪：内置多种靶材，如金属、陶瓷等，通过磁控溅射技术将靶材原子溅射到基材表面。溅射电源：提供稳定的电源供应，支持直流(DC)、中频(MF)、射频(RF)等多种溅射模式。加热样品台：用于加热基材，提高镀膜质量和附着力。流量控制系统：精确控制工艺气体的流量和压强，确保镀膜过程的稳定性和可控性。真空获得系统：包括真空泵等组件，用于将真空室抽至高真空状态。真空测量系统：实时监测真空室内的气体压力等参数。气路系统：用于向真空室内通入工艺气体，如氩气等。PLC+触摸屏自动控制系统：实现设备的自动化控制和操作，提高工作效率和镀膜质量。3.工作原理MS450多靶磁控溅射镀膜系统的工作原理基于磁控溅射技术。在镀膜过程中，电子在电场的作用下飞向基片，并与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子。Ar正离子在电场的作用下加速飞向阴靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。溅射出的靶原子或分子在基片表面沉积成膜。同时，二次电子在电场和磁场的作用下产生E×B漂移，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，电离出更多的Ar正离子来轰击靶材，从而实现高的沉积速率。4.技术特点多靶材选择：支持多种靶材的溅射镀膜，满足不同材料的镀膜需求。高真空环境：提供高真空环境，确保镀膜过程的稳定性和镀膜质量。高精度控制：通过PLC+触摸屏自动控制系统实现设备的精确控制和操作。高沉积速率：利用磁控溅射技术实现高的沉积速率和均匀的膜层质量。广泛适用性：适用于金属、陶瓷、玻璃等多种基材的镀膜处理。5.应用域MS450多靶磁控溅射镀膜系统广泛应用于以下域：材料科学：用于开发纳米单层、多层及复合膜层等新型材料。电子工程：制备金属膜、合金膜、半导体膜等电子材料，应用于太阳能电池、OLED等域。工业生产：在汽车零部件、航空航天器件等域制备耐磨损、抗腐蚀等高性能涂层。综上所述，MS450多靶磁控溅射镀膜系统以其先进的技术特点和广泛的应用域，在材料科学和工业生产中发挥着重要作用。

GVC-1000 全自动离子溅射仪主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC系列为您提供优质的样品制备，轻松助您取得更好地材料研究样品， 获得高质量的显微镜观测效果。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)性能参数1、离子溅射仪工作原理：磁控溅射2、可选靶材：金，铂，金钯合金，铅，银，铜，铬，锑等3、真空室：φ128×100高硅硼玻璃4、全自动操作，简单易用，非常适用钨灯丝、台式扫描电镜等（1）溅射电流自动调整——设定溅射电流后，系统自动调节真空度，从而达到设定的溅射电流，调整时间＜5s，波动范围＜±5%；（2）无需按“实验”键调整溅射电流、无需操作“进气阀”。（3）溅射时间自动记忆——同类样品一次设定即可；（4）参数改变自动调整——溅射过程中可以随时调整溅射电流和溅射时长，系统自动计算叠加，无需终止溅射过程；（5）工作完成自动放气；（6）样品台高度调节1秒完成；（7）溅射过程可以利用曲线显示，清晰直观。（8）极限真空：小于1Pa5、软硬件互锁，防误操作，安全可靠（1）真空度高于100Pa，启动真空保护，无法溅射；（2）溅射电流高于50mA，停止溅射过程；（3）真空泵工作时，系统无法进行放气操作；6、镀层均匀，导电性良好。

1. 产品介绍磁控溅射镀膜机Sputter2. 应用领域巨磁电阻（GMR）、组合材料科学（CMS）、半导体、超导体、纳米级器件、光子学、光伏（PV）、OLED（发光二极管）、有机薄膜。3. 技术参数最大样品尺寸：8英寸溅射源：强磁靶、永磁靶，数量根据用户定制电源：直流电源、射频电压真空系统：超高真空 样品台加热：最高至1100℃控制系统：全自动控制 进样室：根据用户需求定制 4. 企业简介深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

产品介绍磁控溅射系统MS-400是一款多功能多靶磁控溅射系统,具有超高真空，单原子层沉积精度,设备维护简单的特点。磁控溅射系统MS-400标配6个2inch共焦超高真空阴极,满足实验室或企业实验室中工艺研究的需求，维护简单,运行稳定。晶圆尺寸4inch向下兼容镀膜均匀性士2%极限真空5x10-9mbar(金属密封)温控RT-1000°C沉积精度0.1nm可选共焦溅射、低温泵、垂直溅射、自动传输、反应溅射、膜厚仪、工艺菜单等

高真空磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。距离可调整基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 角度可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。控制系统采用计算机＋PLC两级控制系统安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×10^5Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

磁控溅射技术NSC-3000（M）磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000带有12”派热克钟罩腔体，2个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。 NSC-3000（M）磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70，250或500 l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能NSC-3000（M）磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗预真空锁以及自动晶圆片上/下载片 NSC-3000（M）磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

磁控溅射技术NSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-1000带有10”派热克钟罩腔体，2个2”的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。由于NSC-1000的空间有限，我们不能在NSC-1000系统上提供更多的电源和磁控管。我们可以提供我们的NSC-1000系统，用于SEM应用，也可以用于溅射金属到最大6”的晶圆片。NSC-1000磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能NSC-1000磁控溅射系统选配项：Thickness Monitor 膜厚监测NSC-1000磁控溅射系统应用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

1.产品概述：高真空磁控溅射粉末颗粒表面薄膜沉积系统可以在粉末颗粒状样品表面镀制金属膜、磁性膜、绝缘膜等，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：可广泛应用于大院校、科研院所的粉末样品表面镀制薄膜材料的科研项目。3.真空室结构:圆筒形侧开门，通常采用不锈钢材质制造，具备良好的密封性能真空室尺寸:Ф450x550mm限真空度:≤8.0E-5Pa沉积源:永磁靶2套，φ3英寸样品尺寸，温度:小型粉末颗粒状样品占地面积（长x宽x高）:约1米x1.8米x2米电控描述:全自动设备电控系统和控制系统：采用计算机控制，具有液晶显示屏、鼠标键盘操作界面，支持自动控制和手动控制两种方式，操作简便，并可实现真空系统及工艺过程的全自动化操作。

产品介绍磁控溅射系统MS-300具有超高真空、单原子层沉积精度的特点，可以灵活选择阴极向上或向下溅射。磁控溅射系统MS-300标配3个2英寸超高真空阴极。满足实验室中科学研究的需求,维护简单,运行稳定。晶圆尺寸4inch向下兼容镀膜均匀性士2%极限真空5x10-8mbar(金属密封)温控RT-800°C沉积精度0.1nm可选低温泵、自动传输、反应溅射、膜厚仪、工艺菜单、等离子体分析仪等

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

Angstrom Sciences HiPIMS – Magnetron Sputtering HiPIMS – 磁控溅射Angstrom Sciences HiPIMS – Magnetron Sputtering HiPIMS – 磁控溅射Angstrom Science 为其圆形和线性磁控管产品线开发了解决方案，允许磁场离散变化（通过可互换的磁铁组用于内部安装阴极）或连续变化（通过外部安装阴极上的磁铁组高度调整）。 HIPIMS 磁控管用于在涂层沉积和具有高微结构密度的薄膜沉积之前对基材进行预处理。

GVC-2000手套箱专用磁控溅射仪（手套箱专用离子溅射仪）自动化程序控制，一键式操作，让镀膜更加高效。该设备采用触摸控制，外置泵组设计，采用平面磁控溅射靶设计，从而使试样在热效应最小的条件下得到最有效的溅射效果，常用于锂电池电极防氧化研究中。一、手套箱专用离子溅射仪技术参数1、输入电压：AC220V±10%，50Hz2、工作电压：DC2400V3、最大功率（主机与机械泵）：500W4、工作原理：磁控溅射5、工作环境：温度 5～40℃，湿度60%6、存储环境：温度-10~60℃，湿度80%7、真空泵：两级直联旋片式真空泵 1L/s8、整机尺寸（长×宽×高）：424×271×255（mm）9、重量（主机）：11 kg10、真空腔：φ128×130mm11、样品杯：φ90×1 / φ25×4 / φ15×612、工作气体：Air / Ar13、保护功能：过流、真空双保护14、可选靶材：金、铂、银、铜、铝、铅等常用金属二、手套箱专用离子溅射仪主要特点1、可用于纯氩、纯氮环境，使样品免受氧气、水蒸气或其他污染。2、助力新型电池研究3、提供全套解决方案及交钥匙服务。

SSP1000桌面型磁控溅射系统是一种台式紧凑系统，能够以低成本实现高沉积性能。 其独特的设计允许改变沉积方向（向上，侧向和向下），因此可以在一个简单的装置内进行三个方向的实验。 由于配备了RF电源，不仅可以溅射金属靶，而且可以溅射诸如Al2O3或SiO2等陶瓷靶材。这种系统设计紧凑，成本低，可用于各种实验。-多样性- 由于采用立方体设计，通过简单变化即可选择溅射方向。 也可以使用磁性靶材（可选）。 标配1路工艺气体，可配置2路工艺气体。-性能- 在基板中φ100mm的区域内，膜厚度的偏差在±5％之内。 使用标准RF电源提供的脉冲模式，也可以溅射陶瓷类靶材。 在沉积期间，基底支架可旋转或静止。-易于使用- 紧凑的台式设备，易于安装。 腔室内安装有一个观察口。 配备阴极保护板以防止在预关闭期间基板的污染。 与阴极保护板一起工作的溅射计时器用于厚度控制。

Kurt J. Lesker Company LAB Line UHV 溅射平台专为磁控溅射沉积应用而设计。为满足 UHV 溅射工艺需求而定制的腔室设计、具有高级编程、负载锁定功能的行业最佳软件控制系统以及用于优化薄膜性能的众多功能是这种创新设计提供的一些优势。® LAB Line 系列与以下技术兼容：TORUS 磁控溅射（多达 12 个光源）® 可根据要求提供定制配置KJLC创新的eKLipse&trade 软件允许用户友好的配方创建以及图形用户界面，该界面对于新的PVD用户来说是直观的，而对于经验丰富的专业人士来说则是高级的。有关此直观、可靠的软件包的更多信息，请参阅“软件”选项卡。应用：R&D 溅射沉积微电子学（金属、金属氧化物、电介质）数据存储（磁性薄膜）磁性隧道结超导材料约瑟夫森交界处光学薄膜和光子学LAB Line 是 Kurt J. Lesker 的 UHV 磁控溅射平台。只有 KJLC 提供 Mag-Keeper 溅射源，该溅射源在阴极体中具有零 O 形圈和磁耦合靶材，可轻松更换靶材。我们的冷却井设计可在高达 200 瓦/英寸的功率密度下运行2.该阴极设计用于溅射厚达 0.375 英寸的目标。如果没有压紧夹或暗空间屏蔽，这种阴极能够运行低至 1mTorr（取决于材料）。圆顶百叶窗设计消除了标准翻转或摆动百叶窗所需的额外交叉污染屏蔽需求。单击以了解有关溅射速率和均匀性的更多信息。LAB Line 专为实现最佳均匀性而设计，并允许。左边的图表显示了按沉积类型和衬底晶圆直径划分的平均预期均匀性。使用轮廓仪或光谱反射仪进行厚度测量。实际可实现的均匀性将取决于系统和过程参数的最终配置。

仪器特点：腔体材料：不锈钢，铝，或者Bell Jar；分子泵：70，250，500 l/sec； 一级泵：机械泵或干泵；13.5MHz, 300-600W射频电源；1KW直流电源；QCM在线厚度测量，厚度分辨率0.1nm；带有观察窗的门，方便样品取放；Labview软件，PC控制；多重密码保护；全安全互锁设计； 选配功能：向上，向下，侧向溅射；射频，直流、脉冲直流溅射；共溅射，反应溅射；组合溅射；射频、直流偏置(1000V)；基底加热：不高于700摄氏度；厚度监控；基底射频等离子清洗；Load-Lock，以及自动样品取放； 不同型号选择：NSC系列，立式磁控溅射系统；NSC系列，立式紧凑磁控溅射系统；NSC系列，台式磁控溅射系统；双腔体系统，NSR系列，磁控溅射+反应离子刻蚀(RIE)；双腔体系统，NSP系列，磁控溅射+PECVD；双腔体系统，NST系列，磁控溅射+热蒸发；

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，特别适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。是替代钟罩式磁控溅射的理想选择。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。