平衡放大光电探测器

美国Discovery Semiconductors公司全线产品 量青光电专业代理 Discovery Semiconductors, Inc.是一家制造超快 InGaAs 光电探测器，射频过光纤接收器，平衡光接收器，和一些定制产品的行业领导者。产品应用范围从模拟射频连接到超快数字通信。1993年，并凭借使用在40和Discovery的仪器和系统包含Lab Buddy和光学相干接收机系统。

碲镉汞(MCT)中红外光电探测器，带放大，带TECMCT-12-4TE放大探测器是一种热电冷却光电导HgCdTe(碲镉汞，MCT)探测器。这种材料对2.0到12 μm的中红外光谱波段光波敏感。半导体制冷片(TEC)采用一个热敏电阻反馈电路对探测器元件的温度控制在-30 °C，从而将热变化对输出信号的影响最小化。为了获得最佳效果，我们推荐将输出电缆(不附带)与一个50欧姆的终端连接。由于探测器是AC偶合的，因此它需要一个脉冲或斩波输入信号。 交流耦合探测器不会看到未斩波的直流信号，因为它们对只对强度变化而不是强度的绝对值敏感。产品特点 ● 可探测的中红外光波波段为2.0 - 12 μm● 低通滤波器带宽高达160 kHz● 高频截止频率：10MHZ● 内置半导体制冷片提高灵敏度 ● 1 mm x 1 mm的热电冷却探测元件● SM1(1.035英寸-40)内螺纹● 附带符合当地区域使用的电源适配器 产品应用● 中红外气体分析● 中红外激光探测技术参数响应光谱调制线性度测试（采用MCT-12-4TE 中红外MCT探测器测试）封装及尺寸安装举例咨询电话：021-64149583、021-56461550、021-65061775公司邮箱：info@microphotons.com公司网址：http://www.ideal-photonics.com公司地址：上海市杨浦区黄兴路2077号蓝天大厦21F

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时，可以测量激光器的频率响应。 EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源 将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。 材质硅 Silicon带宽(Hz)30 kHz-１.2 GHz 技术参数特征内置跨阻放大器占地面积小 外墙插电电源带宽高达 10 GHz选项探测器材质活动区提供光纤耦合或自由空间选项 应用监测高重复率、外部调制的连续激光器查看1 mW 的激光功率ET-2030A - 2 GHz 硅放大光电探测器零件号（型号）120-10013-0001(ET-2030A) a探测器材质硅上升时间/下降时间500 ps/500 ps转换增益830 nm 时为 450 V/W电源24 伏直流电带宽30 kHz 至 1.2 GHz有效面积直径400 微米接受角（1/2角）10 °噪声等效功率b60 pW/√Hz 在 830 nm最大线性额定值1.3V 峰值安装（螺纹孔）8-32 或 M4输出连接器BNCSPECIFICATIONSPart No.(Model)型号120-10013-0001(ET-2030A)a120-10036-0001(ET-3000A)a120-10060-0001(ET-3500A)a120-10064-0001(ET-3500AF)a120-10073-0001(ET-4000A)a 120-10077-0001(ET-4000AF)a120-10115-0001(ET-5000A)a120-10116-0001(ET-5000AF)aDetector Material探测器材料Silicon InGaAsInGaAsInGaAsGaAsGaAsInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time上升/下降时间500 ps/500 ps400 ps/400 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps 35 ps/35 ps35 ps/35 psConversion Gain转换增益450 V/Wat 830 nm900 V/Wat 1300 nm2250 V/Wat 1310 nm1620 V/Wat 1310 nm1340 V/Wat 850 nm970 V/Wat 850 nm3250 V/Wat 2000 nm2350 V/Wat 2000 nmPower Supply 电源24 VDC24 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDCBandwidth带宽 30 kHz to 1.2 GHz30 kHz to 1.5 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHzActive AreaDiameter有效面积直径400 μm100 μm32 μm32 μm60 μm

激光甲烷探测器是德国进口的高精度甲烷浓度探测仪器，它采用全球领先的调谐二极管激光吸收光谱技术（TDLAS），能够在60米远的距离高精度探测甲 烷浓度,瓦斯浓度和甲醇浓度，探测灵敏度高达1ppm,探测速度高达0.1秒。激光甲烷探测器特点可探测60米外的甲烷瓦斯甲醇浓度，超级安全，非常适合危险区域作业超级紧凑，超轻设计，装入口袋即可携带操作方便，手持式操作，如同使用大哥大超级易用，一键即可获得结果是最快最安全的高精度瓦斯浓度探测器激光甲烷探测器参数尺寸：70x179x42毫米重量：600克探测气体：甲烷,瓦斯，CH4技术原理：可调谐二极管激光吸收光谱技术TDLAS探测距离：高达60米测量范围：1-50000ppm.m测量精度：+/-10%@100ppm.m测量速度： 约0.1秒报警声响：72-76dB电池：可充电NIMH电池充电时间：4小时电池续航：充满后工作6小时工作环境温度：-17到50摄氏度工作环境湿度：30-90%RH

光电探测器雪崩二极管 提供Si, InGaAs类型雪崩二极管（APD）及其模块。 SAE系列雪崩二极管 SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管，在400~1000nm范围具有高灵敏度，相当快的响应速度，峰值响应位于650nm，适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。 特点： 高量子效率 低噪声，高速度 高增益，M100 500um探测靶面 平缓的增益曲线 宽温工作范围 雪崩光电二极管 系列8 – 高速/高增益 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8180典型值：0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13 系列9 – 近红外增强响应 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值：1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13 阵列AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值：1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135- 系列10 – 1064nm 增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm，50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值：3.5典型值：1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98注：Vop – 工作电压 系列11 – 蓝光增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm，50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值：0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14 系列12 – 红光增强/高速型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值：0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1 IAG系列雪崩二极管 IAG系列雪崩二极管，是非常经济适用的InGaAs APD，在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm，特别适合人眼安全的激光测距，自由空间光通讯，OTDR及高分辨OCT。 特点： 80,200或350um探测面可选 带宽可达2.5GHz 1000nm~1600nm量子效率大于70% 低暗电流&噪声 TO-46或陶瓷封装 UPD系列超快光电探测器（参造Alpha） 光电倍增管 光电倍增管（Photomultiplier Tube, PMT）是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件，是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器，广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。Specifications Spectral Response 185 to 900 nm Photocathode Material Multialkali Effective Area of PMT 8 x 24 mm Supply Voltage 1250 V dc Cathode Sensitivity Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) Luminous Radiant 400 nm 25.4 % typ.250 μA/lm typ. 74 mA/W typ. Anode Sensitivity LuminousRadiant at 400 nm 2500 A/lm typ. 7.4 x 105 A/W typ. Gain 1 x 105 typ. Anode Dark Current (After 30minute Storage in the darkness) 3 nA PIN光电二极管 PIN光电二极管覆盖紫外到中红外，响应波长150nm~2.6μm，光敏面包括InGaAs，GaP，Si，Ge，以及四象限和双波段光电二极管。 产品特性： 光谱范围覆盖150nm~2.6μm 高响应度，最高达100ps 大面积光敏面达到?10mm 提供FC/PC接口类型 InGaAs筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器，采用自主设计生产的PD芯片，并且针对不同应用领域做了优化设计，使器件更加适用客户的应用条件。产品特点响应度高 暗电流小 响应速度快 低背向反射低互调失真稳定性、可靠性好 InGaAs PIN 光电探测器型号：PDS443-C-C特点：◆ 平面半导体设计及介质钝化◆ 3管脚同轴流线型外形设计，透镜管帽封装◆ 优越的噪声特性和光电性能◆ 气密封装、100%电老化◆ 应用于CATV模拟接收、光纤通信系统、光功率检测等。 注意事项：a 请在ESD防护下使用，避免在加电和加光时安装或拆卸器件；b 引线应尽可能短。四象限光电二极管 型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50 型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V（nA）(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100 位置敏感探测器 采用DUO侧向技术，连续的模拟信号输出，正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。 特点： 应用： 超线性输出 光束对准 超高精度 位置感应 宽动态范围 角度测量 高重复性 表面轮廓 DUO侧向结构 高度测量 瞄准、导向系统 运动分析 位敏光电二极管 型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5 频敏光电二极管 型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V（nA）Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值：1.0典型值：0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15 单子计数器 该系列单光子计数模块应用广泛，包括：共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点：量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。 Type Spectral range Dark count rate Efficiency Active dia. Timing resolution Dead time COUNT Series COUNT-500C 400-1100nm 500Counts/s 15% for 405nm70% for 670nm50% for 810nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250C 250Counts/s COUNT-100C 100Counts/s COUNT-50C 50Counts/s COUNT-20C 20Counts/s COUNT-10C 10Counts/s COUNT-blue Series COUNT-500B 350-1000nm 500Counts/s 55% for 405nm70% for 532nm55% for 670nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250B 250Counts/s COUNT-100B 100Counts/s COUNT-50B 50Counts/s COUNT-20B 20Counts/s COUNT-10B 10Counts/s Options Fiber FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. COUNT-PSU Power supply for single photo counting. DSN 102 Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM.

热释电红外探测器Micro-Hybrid热释电探测器是功能强大的热红外探测器，具有出色的长期稳定性。这些传感器检测燃烧材料（如木材，油或塑料）的典型光谱辐射。 NDIR气体分析代表了热释电传感器的另一个应用领域。 红外辐射会影响传感器的活动区域。 由于热释电效应，温度的有效变化在电极上产生电荷载流子。 与大多数竞争者的LiTaO3芯片不同，Micro-Hybrid的热释电探测器使用基于MEMS技术的敏感元件。 热释电元件由安装在通过DRIE背蚀工艺制造的改良Si基膜上的〜1μm厚的PZT薄膜组成。 前电极是光学透明的，允许红外辐射被有源区域吸收。 该区域具有从1 - 25μm的宽广吸收范围。优点：Ø基于MEMS的PZT膜Ø宽广的光谱灵敏度1 - 25μmØ高调制频率200HzØ低颤噪效应指的是膜质量轻Ø非常低的温度依赖性Ø低热漂移Ø不需要冷却应用：Ø红外火焰检测实时火灾和火焰检测 - 生命和健康安全应用针对健康和生命安全以及所有工业过程应用层面上的首要需求。 红外火焰探测器在所有工业建筑物，仓库等的火灾探测是不可或缺的安全要求。 对于安全的建筑防火，红外火焰探测器保证在危险情况下立即作出及时响应，防止火灾造成损害。优点：Ø室内火灾探测Ø即使在烟雾缭绕的房间和远距离也能快速而可靠的测量Ø检测不同的火焰特征，如热量，气体（CO2，CO）或闪烁频率红外火焰检测的应用领域红外火焰探测器的功能火焰引起烟雾，烟雾，蒸汽，热量和光辐射。 可检测产生的气体一氧化碳和二氧化碳以及火焰闪烁频率。Micro-Hybrid 热释电传感器具有长时间稳定性，可提供四种芯片尺寸和两种功能模式型号特征PS1x3C2高敏感度PS1x1C2广角大视野PS1x1C8广角大视野PS1x4V1电压模式ØNDIR气体测量Micro-Hybrid提供NDIR气体分析的完整产品系列。 即使是恶劣的环境也不会阻碍我们的客户升级自己的应用。优点：快速，可重复，长期稳定地测定各种红外活性气体的浓度高精度和高分辨率的限制在低漂移下的使用寿命长，无化学反应高温能力（190°C）测量稳定性高，即使在恶劣的环境下NDIR气体分析方案确保和监测过程稳定性的气体浓度的测量，在涉及气体的所有工业过程中是至关重要的。 气体浓度的准确和可再现的检测是应用的重要组成部分，特别是在医疗和环境技术中。 此外，NDIR（非分散红外）气体分析可以在私人或工业领域进行宽带或高度选择性的有害物质检测，例如监测和检测爆炸性气体和污染物。它是测量这种气体浓度的光学分析工具。 关于与红外活性气体的光学相互作用，NDIR分析是一个快速而有效的过程。NDIR气体测量的应用领域：根据不同的功能原理和我们的元件组合，我们会结合适合您的测量任务对应气体传感器解决方案。 您可以从我们的产品查找器中订购单个产品样品或直接联系我们的NDIR气体分析专家。气体传感器CO2 气体传感器甲烷气体传感器耐190°C高温耐190°C高温红外光源JSIR 350-4JSIR 350-5JSIR 450高频率高辐射强度超高频率的手持设备"超高的辐射强度热电堆探测器TS 80TS 200高温应用高灵敏度手持设备热释电探测器电流模式电压模式极高的灵敏度极高的频率电压模式低频率我们的热释电探测器有电流和电压模式（Pyropile® ）。 电流模式探测器仅提供双极性电源（±2.2 ...±8 VDC）。控制模式电压模式电流模式电流模式感应面积1.15 x 1.150.8 x 0.80.7 x 0.325灵敏度 (V/W)950175,000125,000探测率2.09 x 10^82.2 x 10^81.7 x 10^8佳频率0.2 ... 32 … 55 取决于配置3 … 25通道数1 - 41 - 24通过不同的传感器帽来修改视野帽光圈FOV滤波片位置H2863,7mm104,6°外置H2171,5mm34,7°外置M0013,7mm76,2°内置M0011,5mm21,5°内置Pyropile - 电压模式下的热释电传感器这种高性能热释电探测器可提供多达4个通道。活性材料被分成九个较小的像素，串联连接。 因此，Pyropile® 检测器在低噪音水平下可以产生接近10倍的信号输出。 参考芯片薄膜的质量小，该探测器的特点是极低的颤噪效应，低热漂移和热噪声。 如果测量速度相当的测量任务需要更高的灵敏度，则Pyropile® 代替热电堆探测器。特征高信噪比检测灵敏度高达2.1 x 10 8 cm x Hz 1/2 / W灵敏度高达950 V / W输出：电压信号

匠心艺术之作70mm2 FAST SDD Amptek最新研发了一款TO-8封装的70mm2 FAST SDD探测器。它的封装和Amptek其他所有探测器封装一样。这样使得70mm2 FAST SDD成为非常方便的替代品。在同样性能下，计数率是25mm2SDD探测器的3倍。特性 l 70mm2有效面积准直到50mm2l 123ev FWHM @5.9keVl 计数率2,000,000cpsl 高峰背比-26000:1l 前置放大器上升时间60nsl 窗口：Be(0.5mil) 12.5um或C2(Si3N4)l 抗辐射l 探头晶体厚度500uml TO-8封装l 制冷ΔT 85Kl 内置多层准直器 应用l 超快台式和手持XRF光谱仪l SEM中EDS系统的样品扫描或测绘样品l 在线过程控制l X射线分拣机l OEM FASTSDD-70规格参数 通用探头类型硅漂移探头（SDD）探头大小70mm2准直到50mm2硅晶体厚度500um5.9keV处55Fe能量分辨率峰化时间4us时，分辨率为123-135eV峰背比20000:1（5.9keV与1keV计数比）探头窗口Be:0.5mil(12.5um)或C2（Si3N4）准直器内部多层准直器电荷灵敏前置放大器CMOS增益稳定性20ppm/℃外壳尺寸XR-100FastSDD-703.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm)重量XR-100FastSDD-704.4盎司（125g）总功率XR-100FastSDD-702W质保期1年使用寿命取决于实际使用情况，一般5-10年仓储和物流长期存放：干燥环境下10年以上仓储和物流：-40℃到+85℃，10%到90%湿度，无凝结工作条件-35℃到+80℃TUV 认证认证编号：CU 72101153 01检测于：UL61010-1:2009 R10.08 CAN/CSA-C22.2 61010-1-04+GI1输入前放电源 XR-100FastSDD-70 OEM 配置±8V@15mA，峰值噪声不超过50mV。 PA210/PA230或X-123：±5V探头电源 XR-100FastSDD-70-100到-180V@25uA，非常稳定，变化0.1%制冷电源电流电压 最大450mA最大3.5V，峰值噪声100mV注： XR-100FastSDD-70包含它自身的温度控制器输出前放灵敏度 极性输出上升时间反馈 典型的3.6mV/keV（不同的探头灵敏度不同）正输出信号（最大1KΩ负载）60ns复位型温度监控灵敏度根据配置不同而变化当使用PX5，DP5，或X-123时，直接通过软件读取开尔文温度 FastSDD-70 探头可用于Amptek所有的配置中

高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪 声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。 具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等 特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品型号 BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B 光谱响应400-1100nm材质硅 Silicon带宽(Hz)100 MHz 技术参数产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑 内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测 技术参数产品型号BPD-Si-100M-BBPD-Si-200M-BBPD-Si-350M-BBPD-Si-500M-BBPD-Si-1G-B单位探测器型号Si波长400~1100400~1100400~1100400~1100 400~1100nm带宽100M 200M350M500M1GHz探测器响应度0.55@850nm0.55@850nm0.55@850nm 0.55@850nm0.55@850nmA/W跨阻增益 30K30K30K30K30KV/A饱和输入光功率250250250250250μW NEP12121213 13pW/Sqrt(Hz)共模抑制比2525252525dB输出阻抗505050 5050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACACAC供电电压5551212V供电电流 0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC（自由空间可选）FC/APC（自由空间可选）FC/APC（自由空间可选）FC/APC（自由空间可选）FC/APC（自由空间可选）射频输出SMASMASMASMA SMA外形尺寸62*47*2562*47*2562*47*2562*47*2562*47*25mm 下载

光电探测器组件MPGD4217Y型探测器组件主要特点：1.峰值波长1550nm2.单电源工作3.低功耗4.标准TO-8金属封装5.质量等级：M16.标准号：Q/UH20428-2004应用1.激光测距2.激光雷达3.激光引信最大额定值参数符号最大额定值单位正电源Vcc+5.5V工作温度范围Tamb-55-+85℃存储温度范围Tstg-55-+125℃功耗P260mW推荐工作条件参数符号最大额定值单位正电源Vcc+5V光电特性Vcc=+5V，λ＝850nm参数测试条件数值单位响应度1~5μW，RL=50?≥1×104V/W输出噪声RL=50?≤6mV动态范围RL=50?≥20dB上升时间1~5μW，RL=50?≤8 ns输出阻抗1~5μW≤50?最小可探测光功率RL=50?≤500nW 外形尺寸及引脚定义管脚定义管脚符号功能1NC空2NC空3VR偏置电压4Vout信号输出5NC空6GND外壳地7NC空8VCC电源电压9NC空10NC空11NC空12GND地

液氮制冷红外探测器具有灵敏度高、空间分辨率好、动态范围大、抗干扰能力强以及能在恶劣气候下昼夜工作等特点。液氮制冷红外探测器经过制冷，设备可以缩短响应时间，提高探测灵敏度。液氮制冷红外探测器的信号带宽最高可以达到50MHz ，波长响应范围2～14μm，光敏面积典型值为1×1mm2，也可以按照需求进行定制，窗片材质可选ZnSe或CaF2，可以应对不同波长和使用环境的需求，如有特殊需求欢迎来电咨询。液氮制冷红外探测器各种杜瓦设计可供选择，提供楔形窗以消除干涉的影响。 液氮制冷红外探测器的优点：? 液氮制冷的制冷方式可以达到更低的温度，更稳定，极大地降低了热噪声；? 响应波长范围广，对2~14μm的中红外光谱波段光波敏感；? 高性价比，我们可以提供高速频率带宽定制服务。液氮制冷红外探测器工作原理：液氮制冷红外探测器参数指标：响应波长范围2～14μm峰值响应度典型值100~100000V/W光敏面积典型值1×1mm2（定制可选）信号带宽最高50MHz输出阻抗20~100ΩD*(cmHz1/2W-1)≥2.0E+10，最高≥1.0E+11窗片材质ZnSe或CaF2供电电压±5VDC（探测器模块）；220VAC（电源模块） 各种杜瓦设计可供选择，提供楔形窗以消除干涉的影响。

仪器简介： 人眼的光谱响应随着光强的变化而改变。人眼有两种特殊的光谱响应，根据进入人眼的光亮度对其进行定义。第一种光谱响应发生在通常白天照明环境下（photopic），即光强高于0.1Lux。第二种光谱响应发生在低光条件下(scotopic)，即光强介于0.0001-0.001Lux之间。光强小于0.0001Lux的光强很难被人眼发觉。人眼从明视响应到暗视响应的偏移叫做PurkinjeShift。对用于固化工业的闪光灯而言，该探测器是理想的测试工具。 闪光灯的峰值强度远高于连续光源。PMA2135探测器捕获峰值强度并每五秒钟在PMA2100上显示。除了峰值强度，PMA2135积分并保存一个单脉冲剂量。辐射峰值强度以mW/cm2或W/cm2显示。全刻度由客户在订货时指定。剂量全刻度为mJ/cm2或J/cm2。光电探测器有0.474平方英寸的有效面积。聚四氟乙烯半球明视探测器具有极好的余弦响应，这就可以实现对点或长光源的精确测量。技术参数：光谱响应遵循CIE 明视光谱发光效率曲线(400-700nm) Figure 1 （适光效率和探测器响应）角响应5% for angles 范围由用户指定 - W/cm2 or mW/cm2 J/cm2 or mJ/cm2显示分辨率Range/104 mW/cm2 or W/cm2 Range/104 mJ/cm2 or J/cm2操作环境15 to 140 °F (-10 to +60 °C) no precipitation电缆3ft.直径1.6" (40.6 mm)高度1.8" (45.8 mm)重量10 oz. (284 grams)主要特点：捕获峰值辐照度以及有效能量辐射单位显示卓越的长期稳定性余弦修正NIST 可溯源校准

总览40MHz 三通道光电探测器 Low Noise Photodetector40MHz InGaAs 三通道光电探测器 800-1700nm,40MHz InGaAs 三通道光电探测器 800-1700nm产品特点低噪声；高带宽；高增益；结构紧凑；产品应用分布式光纤传感 (ψ-OTDR/ C-OTDR , DAS/DVS , BOTDA/ BOTDR )激光测风雷达光学相干层析 光谱测量/ ns 级光脉冲探测 其他科研应用通用参数产品型号PD-40M-3-A 单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽40MHz探测器响应度0.95@1550nmA/W跨阻增益20KV/A饱和输入光功率210uWNEP5pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50Ω输出耦合方式DC供电电压5V供电电流0.5(max)A光学输入FC/APC射频输出SMA外形尺寸80*80*25mm备注三路光口输入，三路射频电压输出使用说明1. 该模块供电电压为 5V，供电电流Max. 值为 0.7A.2. Input 为光输入接口；RF 为射频输出接口.3. 接入输入端前请确保端面清洁防止脏污对测量结果造成影响.测试结果 外形尺寸（单位：mm）公司简介筱晓(上海)光子技术有限公司是一家被上海市评为高新技术企业和拥有上海市专精特新企业称号的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m² 的办公区域，建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。主要经营激光器/光源半导体激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器）气体激光器（HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器）光纤激光器（连续激光器、超短脉冲激光器）光学元件光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件激光分析设备高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪，激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等光纤处理设备光纤拉锥机、裸光纤研磨机 。

新型激光地雷探测器配件使用LIBS技术,大大提高排雷的速度和准确度,是全球领先的激光地雷探测仪，新型激光地雷探测器配件是专业为扫雷,排雷等工作地雷的探测而研发，是欧洲防务系统中明显产品。激光地雷探测器实物图地雷的探测与排查依然是现代社会的一个难题。多数情况下，人们对地雷的排查和探测依靠简单的排查戳探杆（Mine searching prodder），排雷人员通过寻找其前面的土壤电阻异常来排查地雷。这种方法当然可以百分之百寻找到地雷，但是，这种办法存在极高频率的错误报警问题，导致排雷速度非常缓慢。 一种防步兵地雷为了减少传统排雷方式中的极高的误报警问题，我们提供了一种新型的高科技激光地雷探测仪。这种激光地雷探测器是在一种激光诱导击穿光谱传感器前加上光纤传感 器，可以与传统的排雷方法一起使用。遇到隐藏在地面下的不明物体时，排雷人员可以使用这种新型的激光地雷探测器向不明物体表面发出激光束，激光地雷探测仪 通过分析不明物表面反射的光谱信息就可以分辨出是地雷还是铁块，从而大大提高排雷的速度和准确度。中国领先的进口精密光谱仪器旗舰型服务商--孚光精仪！

线型光束感烟探测器滤光片减光片 减光片： 减光值为0.9db和10db。 检查方法： 确认线型光束感烟火灾探测器与火灾报警控制器连接并接通电源，处于正常监视状态。将减光值为0.9dB的滤光片置于线型光束感烟火灾探测器的光路中并尽可能靠近接收器，观察火灾报警控制器的显示状态和线型光束感烟火灾探测器的报警确认灯状态。如果30s内发出火灾报警信号，记录其响应阈值小于1.0dB，结束试验。 如果30s内未发出火灾报警信号，继续试验，将减光值为10dB的滤光片置于线型光束感烟火灾探测器的光路中并尽可能靠近接收器，观察火灾报警控制器的显示状态和线型光束感烟火灾探测器的报警确认灯状态。如果30s内未发出火灾报警信号，记录其响应阈值大于10.0dB。 判断标准： 探测器的响应阈值应不小于1.0db，不大于10db. 规格 单位 厂价 25mL 支 1200.00 50mL 支 1600.00 100mL 支 2000.00

这款硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专业为XRF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计，提供窗口材料的选择，从铍（8μm）到薄型聚合物（用于轻型X射线透射），并提供10mm2至60mm2的传感器有源区域。 此外，所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到优化。 具体配置给每个客户，SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓越和稳定的性能，以产生快速X射线图。硅漂移探测器规格 SDD探测器典型特征 传感器区域 窗口选项 分辨率eV（Mn K / C） 10mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤123-133 30mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 60mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤126-133 100mm2 光元件（AP3.3）或8μmBe ≤128-133

PDAM20A6B4G-InGaAS光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 光谱响应320-1100nm带宽(Hz)200 kHz 通用参数产品特点：低噪声，小于±lmV过冲小，过冲电压小于2.5%增益稳定：增益误差小于1%暗偏置电压输出噪声：小于ImV (rms) 应用领域：• 显示面板检测• LED照明频闪分析• 玩具灯闪烁频率及功率测量• 气体分析 参数PN#PDAM005B-SiPDAM36A5B6G-SIPDAM20A6B4G-InGaAs电器特性输入电压±9VDC, 60mA±9VDG 100mA±9VDC. 100mA探头Silicon PINSilicon PINInGaAs PIN感光面2.65mm * 2.65mm3.6mm * 3.6mmDiameters@2 mm波长400 nm - 1100 nm320 nm - 1100 nm800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm)峰值响应0.62A/W @850nm0.6 A/W @960nm0.9 A/W@1550nm43.6mV/uW @850nm1 mV/nW @960nm9mV/uW@1550nm饱和光功率113pW@ 850nm (Hi-Z)6uW @960nm (Hi-Z)660 uW@1550nm (Hi-Z)带宽DC • -5MHzDC - 200kHzDC - 5MHz NEP7.2 pW/4HZ1/22.2 pW/HZ1/264.5 pW/HZ1/2输出噪声（RMS）700 uV1 mV ?typ1.3 mV .typ暗电流偏置（MAX）±5 mV±1 mV±5 mV上升沿/下降沿（10%—90%）65 ns1.7 us68ns输出电压Hi-Z0- SV (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)500 0 • 2.5V (50ohm)0 • 25V (50ohm)0 • 25V (50ohm)增益倍数Hi-Z67.5 kV/A1.68 MV/A10 kV/A50Q33.8 kV/A0.84 MV/A5kV/A增益精度（typ）±1%±1%±1%其他参数拨动开关拨动开关拨动开关输出接口BNCBNCBNC尺寸53*50*50mm53*50*50mm53*50*50mm重量 150g150g150g操作温度10-50deg10-50deg10-50deg存储温度?25°C - 70°C-25°C - 70°C-25°C - 70°C 光谱灵敏度

超快光电探测器：UPD系列现在有42种特别的光电二极管型号！ ALPHALAS GmbH已发布超快光电二极管的新型号，该产品将产品范围扩展到更快的上升时间以及从紫外到红外的更宽波长范围。新增功能：在800至2600 nm波长范围内，超快光电探测器的HF性能大大提高（新闻稿，PDF）光电二极管的功能光电二极管的应用• 高速运行• 上升时间：从15 ps开始• 带宽：高达25 GHz• 光谱范围：170-2600 nm（紫外线到红外线）• 紧凑式设计• 电池或外接电源• 自由空间光束模型，或带有FC / PC插座或带有SM光纤的尾纤• 脉冲形式测量• 脉冲持续时间测量• 同步• 模式跳动监控• 外差测量介绍UPD系列超快光电二极管UPD系列超快光电探测器适合测量DC至25 GHz的光波形。各种型号的上升时间短至15 ps，并且覆盖170至2600 nm的光谱范围。所有光电二极管均封装在紧凑的实心铝制外壳中，并可用电池或外部电源偏置。硅类光电探测器的紫外线扩展版是覆盖170至1100 nm光谱范围的商业产品。另一类特别的对紫外线敏感的InGaAs光电探测器可用于探测350至1700 nm范围内的激光脉冲，因此具有较宽的光谱范围和较快的市售速度。阻抗匹配和微波技术可确保对脉冲形式进行测量，而不会产生振铃或伪影。客户可以自由使用50Ω端接电阻来实现高速操作，也可以自由使用高阻抗负载来获取大信号。这保证了针对各种应用的较大灵活性。结合我们的BBA系列宽带高增益放大器，高速光电检测器是昂贵的雪崩光电二极管的有利替代品。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究不可或缺的工具。新的光电探测器型号可用：上升时间更快和波长范围更广UPD-15-IR2-FC：超快InGaAs PIN光电探测器，上升时间 25 GHz，光谱范围800-1700 nm，光纤耦合输入，带FC / APC连接器UPD-35-IR2-P：UPD-35-IR2-D：超快速InGaAs PIN光电探测器，上升时间 10 GHz，光谱范围800-1700 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-35-UVIR-P：UPD-35-UVIR-D：超快速InGaAs PIN光电探测器，上升时间 10 GHz，光谱范围350-1700 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-50-SP：UPD-50-SD，UPD-50-UD，UPD-50-UP：超快速Si PIN光电探测器，上升时间50 ps，下降时间50 ps，带宽 7 GHz，光谱范围170-1100 nm或320-1100 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-100-IR1-P：超快Ge光电探测器，上升时间UPD-3N-IR2-P：快速InGaAs光电探测器，红外范围扩展到2.1 µm，上升时间150 psUPD-5N-IR2-P：快速InGaAs光电探测器，扩展的红外范围高达2.6 µm，上升时间为200 ps超快光电二极管（UPD系列）光电探测器型号上升时间（ps）带宽（GHz）光谱范围（nm）量子效率@峰值敏感区域（直径µm/ mm2）等效噪音功率（W /√Hz）暗电流（nA）材料光学输入/窗口类型射频输出连接器UPD-15-IR2-FC 25800 - 170075%Fiber, 9 µm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-30-VSG-P 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished,glassSMAUPD-35-IR2-P 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished,glassSMAUPD-35-IR2-D 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-35-IR2-FR 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-35-IR2-FC 10800 - 170080%Fiber, 9 µm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-35-UVIR-P 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-35-UVIR-D 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-40-VSI-P 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished,glassSMAUPD-40-IR2-P 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished,glassSMAUPD-40-IR2-D 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-40-IR2-FR 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-40-IR2-FC 8.5800 - 170080%Fiber, 9 µm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-40-UVIR-P 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-40-UVIR-D 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-50-SP 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished,glassSMAUPD-50-SD 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse,quartzSMAUPD-50-UP 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2SMAUPD-50-UD 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-P 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished,glassSMAUPD-70-IR2-D 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-FR 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-70-IR2-FC 5.0800 - 170080%Fiber, 9 µm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-100-IR1-P 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished,glassSMAUPD-200-SP 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished,glassBNCUPD-200-SD 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse,quartzBNCUPD-200-UP 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2BNCUPD-200-UD 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-300-SP 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-50-SP 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished,glassSMAUPD-50-SD 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse,quartzSMAUPD-50-UP 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2SMAUPD-50-UD 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-P 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished,glassSMAUPD-70-IR2-D 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-FR 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-70-IR2-FC 5.0800 - 170080%Fiber, 9 µm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-100-IR1-P 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished,glassSMAUPD-200-SP 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished,glassBNCUPD-200-SD 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse,quartzBNCUPD-200-UP 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2BNCUPD-200-UD 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-300-SP 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-300-SD 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse,quartzBNCUPD-300-UP 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si4)Polished,MgF2BNCUPD-300-UD 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-500-SP 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-500-SD 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse,quartzBNCUPD-500-UP 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si4)Polished,MgF2BNCUPD-500-UD 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-3N-IR2-P6) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished,glassBNCUPD-5N-IR2-P6) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished,glassBNCUPD-2M-IR2-P 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished,glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC3) 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished,glassBNC注意：1）漫射窗降低了定位精度要求，并以降低的灵敏度为代价将损伤阈值提高了大约2倍。 三到五。仅推荐用于高峰值功率激光器。2）该模型的输出为负。 所有其他型号默认情况下都具有正输出，但如果需要，也可以订购负输出。3）带TEC冷却模块，非标准外壳。4）具有增强的蓝/紫外线敏感性的改性材料。5）与可选的滤光片支架不兼容。6）大大提高了性能。UPD系列光电探测器的电源相关产品• 低噪声电源，输入：230 V AC（欧洲标准）PS-UPD-12-EU：输出：12 V DC• 低噪声电源，输入：100-240 V AC（通用）PS-UPD-6-WW：输出：6 V DCPS-UPD-9-WW：输出：9 V DCPS-UPD-12-WW：输出：12 V DC• BAT-UPD-6V：偏置电池，6 V• 宽带放大器BBA系列（幅度增益：×10，×100或可变×1÷100）• BNC 50Ω终端负载• SMA（公头）到BNC（母头）适配器• SMA转SMA适配器• 衰减滤光片适配器

这款标准闪烁探测器采用YAG:Ce闪烁体,YAP:Ce晶体,LuAG:Ce晶体,BGO晶体, CaF:Eu晶体,CsI:Tl闪烁晶体制作而成，百分之百欧洲进口，具有全球一流的闪烁转换效率，是电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV成像或探测的理想闪烁探测器。标准的闪烁体探测器是圆形薄片，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的闪烁探测器,闪烁体探测器, 闪烁晶体，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。 这些闪烁体探测器和闪烁晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测。闪烁探测器我们提供的闪烁探测器,闪烁体探测器,闪烁晶体由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce闪烁晶体材料构成。目前提供如下三种选择：*标准的闪烁晶体：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。*带衬底闪烁体探测器：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm.*独立薄YAG:Ce闪烁探测器: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下：YAG:Ce闪烁晶体：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大直径是10mm YAP:C闪烁体探测器：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm.这种独立使用的闪烁探测器非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护闪烁晶体，或者提供陶瓷或钢铁外壳保护的闪烁体探测器。Standard detectors usually have the shape of cylindrical plates. Typically, diameters range from 2 mm up to 50 mm and thickness from 0.1 to 5 mm. A variety of other shapes and sizes, including prisms, spheres and thin plates can be made. An optional (one) face, both faces, or all surfaces can be polished. A thin aluminum, carbon or ITO (Indium Tin Oxide) entrance window can be made as an optional extra. An optional Zr layers can be applied on the entrance window for EUV radiation. Also see Optional extras.These detectors are intended to be used for the detection of electrons, X-ray, gamma, UV and EUV radiation.

这款BSE探测器,BSE detector 是欧洲进口的全球领先的背散射电子探测器，它采用全球最佳的闪烁体晶体探测器和光电倍增管,精密真空机械以及高精度电路，以卓越的性能满足背散射电子探测应用。BSE探测器特点采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁体和光电倍增管，提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比无限的探测器寿命电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统BSE探测器，背散射电子探测器性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm , 内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。灵敏度高达1pA电子束

Golay探测器Golay探测器Golay Cell是zui高效的检测设备之一。它在室温下具有出色的灵敏度，在很宽的波长范围内具有平坦的光学响应。Golay探测器由内部制造并单独校准，现货供应。交付包括探测器头和电源单元。滤光片的底座可以作为选件提供。各种太赫兹光学元件，如低通滤光片，聚乙烯偏振片以及来自HRFZ-Si和TPX的窗口，透镜和分束器，可作为THz应用的有用补充。为了将Golay单元的模拟信号转换成数字信号，我们可以提供硬件-软件复合体。它用于检测，处理和分析光声检测器信号。该综合体包括一个专门的软件和一个电子单元，通过USB接口连接Golay探测器和个人计算机。TYDEX生产3种Golay探测器：1.带HDPE窗口的Golay探测器GC-1P2.带TPX窗口的Golay探测器GC-1T3.带钻石窗口的Golay探测器GC-1D1.带HDPE窗口的Golay探测器GC-1P应用：监测和控制MIR和THz辐射。技术规格：入口锥体直径，mm：11.0入口直径，mm：6.0入口窗材料：High-Density Polyethylene (HDPE)zui佳工作波长范围，μm：15 ÷ 8000推荐的检测功率，W，zui高可达：1 x 10-5zui佳调制频率，Hz：15 ± 5噪声等效功率@ 20Hz：典型的，W / Hz1 / 2zui小值，W / Hz1 / 21.4 x 10-100.8 x 10-10光学响应度@ 20Hz：典型的，V / Wzui大，V / W1 x 1051.5 x 105反应速度：典型的，MSzui低，毫秒3025在入口锥孔处的探测率（D *）：典型的，cm x Hz1 / 2 / Wzui大，厘米7.0 x 10911.0 x 109环境操作压力范围，毫米汞柱760 ÷ 10-3操作和存储温度范围，°C5 ÷ 40湿度，％45 ÷ 80振动avoid vibrations at 1÷ 100 Hz额定电压，VAC100/115 ± 10%,220/230 ± 10%线频率，Hz50 ÷ 60外形尺寸，长x宽x高，毫米3126 x 45 x 87重量，千克0.82.带TPX窗口的Golay Cell GC-1T由于聚乙烯窗口交换到TPX，GC-1T探测器具有更宽的工作波长范围，可扩展到可见光/紫外线。它们可以被认为是金刚石窗片模型的良好替代品，因为TPX在THz中的透射率高于金刚石，并且肯定比后者便宜。所以GC-1T型号只比GC-1P探测器稍贵。应用：监测和控制UV-NIR和THz辐射。技术规格：入口锥体直径，mm：11.0入口直径，mm：入口直径，mm：入口窗材料：Polymethylpentene (TPX)工作波长范围，μm：0.3 ÷ 6.5 & 13 ÷ 8000推荐的检测功率，W，zui高可达：1 x 10-5zui佳调制频率，Hz：15噪声等效功率@ 20Hz：典型的，W / Hz1 / 2zui小值，W / Hz1 / 21.4 x 10-100.8 x 10-10光学响应度@ 20Hz：典型的，V / Wzui大，V / W1 x 1051.5 x 105nse率：典型的，MSzui低，MS反应速度：典型的，MSzui低，毫秒在入口锥孔处的探测率（D *）：典型的，cm x Hz1 / 2 / Wzui大，厘米7.0 x 10911.0 x 109环境操作压力范围，毫米汞柱760 ÷ 10-3操作和存储温度范围，°C5 ÷ 40湿度，％no special requirements振动avoid vibrations at 1 ÷ 100 Hz额定电压，VAC100/115 ± 10%,220/230 ± 10%线频率，Hz50 ÷ 60外形尺寸，长x宽x高，毫米3126 x 45 x 87重量，千克0.83.带金刚石窗口的Golay Cell GC-1D由于聚乙烯窗片替代金刚石窗片，GC-1D检测器具有更宽的工作波长范围，可扩展到可见光。当有人不仅需要太赫兹和可见光范围还需要MIR时，通常使用聚乙烯窗片。GC-1D型号比GC-1T型号探测器贵一点。应用：监测和控制VIS-THz辐射。技术规格：入口锥体直径，mm：11.0入口直径，mm：6.0入口窗材料：Diamond工作波长范围，μm：0.4 ÷ 8000推荐的检测功率，W，zui高可达：1 x 10-5zui佳调制频率，Hz：15 ± 5噪声等效功率@ 20Hz：典型的，W / Hz1 / 2zui小值，W / Hz1 / 21.4 x 10-100.8 x 10-10光学响应度@ 20Hz：典型的，V / Wzui大，V / W1 x 1051.5 x 105反应速度：典型的，MSzui低，毫秒3025在入口锥孔处的探测率（D *）：典型的，cm x Hz1 / 2 / Wzui大，厘米7.0 x 10911.0 x 109环境操作压力范围，毫米汞柱760 ÷ 10-3操作和存储温度范围，°C5 ÷ 40湿度，％no special requirements振动avoid vibrations at 1 ÷ 100 Hz额定电压，VAC100/115 ± 10%,220/230 ± 10%线频率，Hz50 ÷ 60外形尺寸，长x宽x高，毫米3126 x 45 x 87重量，千克0.8

这种电镜探测器是欧洲设计制造的专业为电子显微镜而配套的闪烁体探测器，可与多种光导器件配合使用，组成电子显微镜探测器。我们已经为电子显微镜设计了许多电镜探测器，包括二次电子探测器（SE detector），背散射电子探测器(BSE detector) ，透射电子显微镜探测器,TEM探测器和ADF探测器.WE develops and produces many types of detectors used in electron microscopy and can optimize detection unit design with the use of various light guide shapes and scintillator types. we designs complete units including the associated electronics and mechanical parts. All products pass strict quality testing. Scintillation Detectorsproduces many types of detectors for use in electron microscopy. These detectors exhibit long operating lives and very good luminescence efficiency. Our product line includes: Standard detectors: SE, BSE, TEM, Dark Field (ADF) Special detectors: In Lens, Segmented, Detection Array, Cathodoluminescent (CL) Custom designed detectors: other special detectors can be developed in cooperation with the customer

粒子探测器配件是全球领先的粒子追踪探测器和粒子追迹探测器，它基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像。 粒子探测器配件数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像，非常适合粒子追踪和辐射监测，单光子计数等应用，能够识别3-5keV的辐射粒子或光子。不仅可以识别当个粒子，并且可以区分不同的粒子。 单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。 能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 粒子探测器配件特点 高对比度 高动态范围 无噪音 实时监测 256x256像素单光子计数阵列 传感器面积14.1x14.1mm^2 单个像素55um超大面积 天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱。

SiLi探测器是专业为X射线分析和探测而设计的一种电子制冷的硅锂探测器，不需要液氮制冷，因此可随时便携到现场使用，SiLi探测器非常适合各种X射线荧光分析仪，X射线光谱仪和X射线衍射仪等使用。 SiLi探测器产品特色： 不需要液氮冷却　　　　 高能量分辨率 超薄铍窗　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启　 长期持续工作能力 轻质紧凑设计，方便携带 硅锂探测器组成 SiLi探测器 气体连线 SiLi探测器参数 能量范围：1-60KeV 探测单元面积：20mm2 (可根据用户要求提供60mm^2面积的探测单元面积） 能量分辨率：能量为5.9keV时的分辨率： ■ 16μs的成峰时间：138keV ■ 1μs的成峰时间：268keV ■ 记数率为105cps，成峰时间1μs：275keV 峰值/背景比：4000 制冷时间：3小时 工作模式：连续工作 环境温度：-5～38摄氏度 探测单元尺寸重量：80x135x150mm, 1.8kg 压缩器尺寸重量：140x160x300mm, 7.5kg 功耗：60W 电源要求：200V AC, 50Hz http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/sili.html

保偏分光探测器特征：高消光比低插入损耗高可靠性分光比可选(1%,2%,5%,10%等)小尺寸应用： EDFA产品的监控WDM通道监控光通讯网络监控光路保护监控仪器仪表及设备光路探测光电特性(T = 25℃)：参数规格：参数：数值工作波长(nm)1550, 1064带宽(nm)±40点击率 (%)1%5%Tap Ratio (mA/W)8 40插入损耗(dB)≤0.35≤0.6消光比(dB)≥20回波损耗(dB)≥45光纤类型熊猫型工作温度 (℃)0 ~ +70储存温度(℃)-40 ~ +85功率负荷 (mW)300封装尺寸(mm)Ф5.5 × L26封装尺寸： 订单信息：PMTPM波长耦合尾纤光纤类型长度连接器 106413101550 1%=1/995%=5/9510%=10/90S=Specify250=250um bare fiber900=900um loose tube5=PandaFiber0.8=0.8mS=Specify00=noneFC,SC,LC,MU, ST/UPC,APC

太赫兹发生器/探测器筱晓光子供应太赫兹发生器/探测器，基于高效的光电晶体：DAST、OH1、DSTMS，太赫兹频谱优化波段范围：0.3-20THz。该系列太赫兹晶体具有如下特点：光电效率高、响应速度快、光学整流、非线性差频、1200-1600nm光谱优化，广泛应用于：太赫兹发生器、太赫兹探测器、光电调制器、光参量发生器。SpecificationsAperture 2, 3, 4 or 5mm, others upon requestDamage Threshold150GW/cm2@150fs pulse lengthPhoton Conversion Efficiency2×10^-4/MW-peak-power

这款混合像元探测器是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。 这款混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。 致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积 产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

这款单光子计数探测器是使用Medipix2技术和Timepix技术的单光子探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。 这款单光子技术探测器，单光子探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。 致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积 单光子探测器产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

这款致电离辐射探测器是欧洲进口的致电离粒子探测器，它具有超高灵敏度，广泛用于电离辐射探测，根据不同应用可用作中子探测器,伽马射线探测器或X射线探测器。这种致电离辐射探测器已经在粒子物理，核物理，环境检测，化学等诸多领域成功应用。电离辐射探测器由YAP:Ce, YAG:Ce, BGO or NaI(Tl)闪烁体单晶，光电倍增管，放大器和驱动电路组成，我们根据用户要求灵活设计这些探测器。请联系我们We design, and manucfacture a large variet of scintillation detectors which are used for the detection and spectroscopy of ionizing particles, neutrons, gamma-ray and x-rays.The detection&spectroscopy units are designed specifically to the customers’ requirements.These units find use in geology, medicine, particle physics, environmental applications as well as in many other areas. Typically used scintillation materials include YAP:Ce, YAG:Ce, BGO or NaI(Tl) Fully customized spectroscopy units consist of an appropriate photodetector and the necessary electronics such as preamplifiers, amplifiers, voltage dividers or voltage sources, either integrated within the detection unit or as external units.All scintillation detectors are magnetically shielded and mechanically protected by a metal housing. Housing size and materials are also selected in line with customer requirements.

LN2探测器是美国进口的高性能固态能量色散X射线能谱仪探测器。 SiLi探测器可用于所有应用，也可用于特殊的多元件设计。低能量响应LN2探测器提供优异的轻元素X射线响应。 低能x射线在硅中不会渗透很远，因此大多数事件发生得非常接近晶体的前接触，其中电荷的分数容易损失。 这可能导致峰值变宽，拖尾甚至能量转换。 ILN2探测器特殊前接触技术对于最小化这些影响至关重要，从而获得了卓越的光谱性能，直到铍K X射线。最终，在光谱低能量端的X射线检测器的效率取决于入口窗口的选择。 IXRF提供全面的检测器窗口，以适应所有应用。高能量响应诸如X射线荧光（XRF）的应用通常在宽范围的能量下需要良好的光谱响应。 IXRF系统的Si（Li）晶体可根据应用使用不同的有源厚度。 在更高的X射线能量下，更深的晶体更有效。 IXRF的Si（Li）晶体即使在高能量下也保持了优异的背景峰值和低尾部性能。 SiLi探测器的典型规格 有效面积（mm2） 10 30 50 80 分辨率[MnKa]（eV） 127 133 139 148 峰值：背景 20000：1 20000：1 15000：1 10000：1

1+2火灾探测器火焰试验器AH-ZH28 火焰试验数量：＞800只；枪杆长度：1－2.5米（可根据需要加长）；连接杆长度：0.5米；光谱：红外线、紫外线及可见光；气源：丁烷气体。充电时间：8小时；红外线波长大于等于850nm，紫外线波长小于等于280nm。检测杆高度不小于2.5ｍ