R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表,能指示阻值高达10°日的漏电阻,温度针0℃-40℃,小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果,甲醇、99.5%,干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针,针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差,硅片几何形状,表面粘污等会影响测试结果,R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.,见式(3).试剂优级纯,纯水,25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃,具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上,试样放置的时间应足够长,到达热平衡时,试样温度为23 ℃±1℃.接通电流,令其任一方向为正向,调节电流大小见表1测量范围电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□电 阻:1×10-5~2×105 Ω ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径:A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm, 方测试台直接测试方式180mm×180mm, 长(高)度:测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.
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