电子束刻蚀系统

请联系：张先生一、设备简介纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统（EBL）又称电子束直写（EBD）或电子束曝光系统。 日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机具有电子束稳定，电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点，赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。二、设备特点CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。三、设备参数型号CABL-UH（130kV）系列CABL-AP（50kV）系列电子发射枪／加速电压范围TFE（ZrO／W）／25～130kVTFE（ZrO／W）／5～50kV加速电压130 kV，110 kV，90 kV50kV，30kV电子束直径1.6nm2.0nm (研发) /3.0nm (量产) 最小线宽＜10nm＜10/20nm扫描方式矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)高级光刻功能场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻写场的尺寸30μm² ，60μm² ，120μm² ，300μm² ，600μm² , 1000μm² 30μm² - 1000μm² （50kV) (研发) 30μm² - 1500μm² （50kV) (量产)加工晶圆尺寸4/6/8寸，其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装4/6/8寸CAD软件专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)操作系统WindowsWindows

电子束光刻系统 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm 产品介绍产品介绍纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技 术制作中是zui好的方法之一。为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 系列zui小线宽可达8nm，zui小束斑直径2nm，套刻 精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)电子束直写系统 、 电子束曝光系统纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。 技术参数：1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

1.产品概述：eLINE Plus -专为多种原位纳米加工技术的最宽带宽应用而设计，超越了经典的电子束光刻(EBL)。2.产品优势：世界上专业EBL系统中最小的波束尺寸（ 1.6 nm）EBL抗蚀剂的线宽小于5nm使用电子束诱导沉积（EBID）技术演示了亚7纳米线新的eLINE Plus被设计为最通用的多重技术纳米光刻系统，用于所有科学学科的广泛应用ELINEPlus公司的先进光刻基础设施使超高分辨率和大面积纳米制造成为可能，并统一了电子束光刻、纳米工程和超高分辨率成像的世界。专业和无损的EBL：保证优越的系统规格和世界上最小的光束尺寸与全球应用支持基础设施相结合，使eLINE Plus成为努力有效地建立纳米制造新前沿的学术机构的理想解决方案。3. 产品参数：最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架拼接精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma套刻精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma束电流稳定性＜0.2%/h 束位置稳定性＜120nm/8h

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。 采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。 Stitching accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ) Overlay accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ)Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。 主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。 电子束光刻 最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm 超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：最高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力 光束直径：1.6nm①最小线宽：7 nm（在130kV时）加速电压：130 kV，110 kV或90 kV载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）我的特色?Vacc：最大130kV（25-130kV，5kV步进）?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸?无放电电子枪?光束直径： 1.6nm?细线能力：7nm?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像?使用双热控制器实现超稳定的写入能力I规格电子发射器/加速电压TFE（ZrO / W）Z25?130kV最小光束直径/最小线宽1.6nm / 7.0nm扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）高级光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，像素数240,000x 240，OO点© 矢量扫描（标准）10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）最小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（标准）0.0012nm@600pmZfield（可选）尺寸为4、6、8英寸的工件（其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装）■拼接业纭苏• 50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ重叠精度50nm（3o）@ 600pmZCAD软件专用CAD（标准），GDS n转换（可选），DXF转换（可选）操作系统Windows

电子束光刻系统，EBL电子束光刻系统100KV 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm

电子束光刻系统，EBL电子束光刻系统200KV 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm

电子束光刻系统，EBL电子束光刻系统50KV 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm

电子束光刻系统，EBL电子束光刻系统150KV 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm

广泛使用的eLINE系统是大学和研究中心寻求通过单一多功能电子束光刻(EBL)系统访问纳米制造应用宽带的最佳系统。eLINE 的先进光刻基础设施支持超高分辨率电子束光刻和大面积纳米加工。此外，eLINE 的多功能性结合了电子束光刻，纳米工程，超高分辨率和大面积SEM成像的世界，包括用于计量和过程控制的专用功能。 eLINE 提供以下智能构建基块和概念:&bull 先进的30 kV TFE电子光柱技术&bull 创新独特的无针迹书写策略&bull 晶圆级自动计量和过程控制的专用功能&bull 激光干涉仪平台&bull 多探测器概念&bull 多端口真空室&bull 开放和可升级的平台概念&bull Raith NanoSuite：全面集成所有模块的全面软件界面

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点 1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

电子束束闸用于开关扫描电镜电子束（打开和关闭电子束），这种功能主要需要用于电子束光刻，有时EDX、CL或EBIC也需要使用。许多SEM都有一个内置的电子束开关，通过用扫描线圈使电子束关闭。虽然这种方法适用于某些应用，但它通常在数毫秒内完成开关，如果需要更快的关闭速度，应该安装一个单独的电场型束闸。DEBEN PCD型电子束闸适配与场发射扫描、钨灯丝扫描和六硼化镧扫描电镜，为其提供高速关闭电镜束，脉冲开关电子束以及其他形式的电子束控制。n 电子束光刻n 阴极荧光n EBIC/电压对比n EDXn 电子声学显微镜 n 集成法拉第杯n 50nS开关频率n 电动插入n 5V TTL输入n RS-232遥控 n 1MHz最大频率n 可用于JEOL和Hitachi SEMs束闸安装与电镜镜筒PCD端口（物镜光栏对面）30kV电压下具有50ns的开关速度。集成一个法拉第杯在束闸前端，具备测量电子束束流强度的能力。如果您需要一个更加精确的电流数据，束闸的尾部具有一个BNC接口，允许外接皮安表读取。束闸极板由钴金涂层的磷青铜制成，以确保在插入板时不影响扫描电镜的正常运行。极板可以伸到电子束光路中使用，在不使用时缩回。极板的长度和间距是一个开关效率最佳的设计，可适用的电镜电压范围1kV~30kV。

EBPG 是一种超高性能电子束光刻系统。100kv写入模式和5 nm以下的高分辨率光刻，涵盖了各种纳米制造设备中直接写入纳米光刻、工业研发和批量生产的广泛前沿应用。新系统集稳定性，保真度和精度于一体，确保最佳的高分辨率光刻结果的所有性能参数之间的完美交互。技术参数&bull 肖特基热场发射电子枪&bull 加速电压：50 kV，100 kV&bull 发生器扫描频率：50 MHz，可选配至125 MHz&bull 主场分辨率：20 bit&bull 工作台运动范围：210 mm x 210 mm&bull 工作台最高运动速度：25 mm/s&bull 激光干涉仪分辨率：0.15 nm&bull 束流范围: 50 pA-350 nA&bull 最小线宽：≤ 8 nm&bull 曝光剂量调节范围：32 bit（2^32级）&bull 自动寻找50 个对准标记时间：≤90 s

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点：电子枪ZrO/W热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm□ 小/大写场大小小 100 μm大（选项）3000 μm扫描频率大 400 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 束流调整功能&bull 曝光文件功能 &bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 10 nm标准写场大小5000 μm□小/大写场大小小 1000 μm□ 大 5000 μm□扫描频率大 400 MHz发射间距小 1.0nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 射束调整功能&bull 曝光文件功能&bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米别的精细结构，因此在纳米科技域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有高的制造精度，能够满足微纳加工域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm小/大写场大小小 100 μm 大（选项）3000 μm扫描频率大 100 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm搬送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms束流调整功能曝光文件功能图案数据转换功能帐户管理功能Python脚本

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。电子束光刻最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm

仪器简介：全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；电子束蒸发系统：1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System5.离子电镀系统Ion Plating System6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System技术参数：1.电子束源&电源 单个或者可自由切换换电子束源： --蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4, 6) --坩埚容量：7 ~ 40 cc (最大可达200 cc) --标准：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) --最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积 --偏转角度：180o, 270o --输出功率：6, 10, 15, 20 kW --支持两个或者三个电子束源在一个系统上 --可连续或者同时沉积两种或三种材料 --高速率沉积 2.薄膜沉积控制： IC-5 ( or XTC, XTM) 和计算机控制 --沉积过程参数可控 --石英晶体振荡传感器 --光学检测系统用于光学多层薄膜沉积：测量波长范围350-2000 nm，分辨率1 nm --薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制 --薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制 --支持大面积沉积 --支持在线电子束蒸发沉积 --基底尺寸：20~100英寸 --薄膜均匀性 ±1.0 to 5.0 % 3.真空腔体： --圆柱形腔体 --直径：φ500 ~ 1,500 mm --高度：800 ~ 1500 mm --方形腔体 --根据客户的需求定制 4.真空泵和测量装置： --低真空：干泵和convectron真空规 --高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规 --超高真空：双级涡轮分子泵，离子泵和离子规 5.控制系统PLC和 触摸屏计算机： --硬件: PLC, 触摸屏计算机 --包括模拟和数字输入/输出卡 --显示器: LCD --自动和手动程序控制 --程序控制：加载，编辑和保存 --程序激活控制： --泵抽真空，蒸发沉积，加热， 旋转等 --膜厚度检测和控制多层薄膜沉积 --系统状态，数据加载等 --问题解答和联动状态扩展功能：1、质量流量控制器：反应和等离子体辅助惰性气体控制 2、离子源和控制器：等离子体辅助沉积 3、射频电源：基底预先处理 4、温度控制器：基底加热 5、热蒸发器：1 or 2 boat 6、蒸镀源cell：1 or 2 for doping 7、冷却器：系统冷却

●该设备为电阻、电子束或电阻电子束复合镀膜系统，同时兼容IBE等离子刻蚀和在线辅助镀膜，过流部件均采用SUS304制造，真空系统后置，标准配置分子泵系统，标配工业级人机界面和西门子PLC系统，手动和自动模式自由切换，能够满足工业客户小批量生产和科研院所客户科研实验的需求。该系列设备不提供全手动操作控制系统。形式：箱式一体机，立式前开门，蒸发室和抽气室为整体焊接式，一体机系统。●真空系统：极限真空5X10-4Pa，主泵为复合分子泵。●真空测量：配三路数字复合真空计，均采用安全防爆金属测量规。●工件架系统：客户需求定制，配置可扩展4英寸、3英寸、2英寸基片的专用互换工装，转速3～30rpm变频可调，工件盘为球形和行星工件盘可选，行星工件盘成本较高。●烘烤系统：不锈钢铠装加热器匹配数字功率控制器和PID控制模块，烘烤温度300℃，温控精度1℃，过冲不超过2℃。●电子束蒸发源：E型电子束蒸发源系统(E型)1套，主体有屏蔽罩，单枪、单电源、单扫描，配置独立高压控制柜。●坩埚：坩埚1套，电动转位和点动转位，配置无氧铜坩埚和石墨坩埚各一套。●电阻蒸发源：2套电阻蒸发源。（选配）●膜厚测试系统：配瑞士inficon石英膜厚在线测量系统， RS-232 和 USB兼容，匹配水冷膜厚探头。●离子源辅助沉积系统：一套（选配离子源或高压离子轰击系统）●控制系统：成熟可靠的真空镀膜控制系统，工业级10英寸触摸屏和西门子PLC，能够实现抽真空、工转烘烤、自动充气、自动镀膜、自动冷却放气等镀膜生产流程；支持半自动和手动等镀膜操作方式。水、电、气路有故障自动报警和保护系统，采用声光报警。●说明：根据用户要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备完美匹配。

德国Raith Voyager 新一代电子束光刻系统高速且价格合理的电子束光刻机实现精确的曝光效果对于工业界和学术界所有关注速度和高分辨的电子束曝光应用，我们推荐您选择VOYAGERTM这款专业电子束光刻系统。Raith非常重视这款具有吸引力的在使用寿命期间具有高性价比、新开发的、创新的eWRITE体系结构。系统的硬件和软件被一致设计为自动曝光操作，先进的高性能图形发生器和电子光学系统优化设计并协同一致。系统可实现8英寸样品的高速曝光。系统的稳定性是非常关键的指标，可保证大面积均匀曝光。该系统外部采用环境屏蔽罩，即使在稍差的实验室环境下，仍然能确保系统具有非常好的热稳定性，提高系统对外界环境的容忍度。 超高分辨率曝光系统从最初设计到样品制备完成，实现高速样品加工，提高产量智能设计：设备占地面积小，且集成环境屏蔽罩创新的、未来安全型系统架构专业的电子束曝光系统，可实现每小时1cm2的高速曝光，高性价比 eWrite技术Raith新推出的eWrite技术结合了专业电子束光刻的光学系统和创新的图形发生器设计，该技术适用于研发及批量生产的所有工作。 VOYAGER 应用.HSQ胶上制作亚7nm线条 .SU8胶上制作 1x1 cm2 菲涅尔透镜，曝光时间为53分钟，图为菲涅尔透镜中心区域 .PMMA双层胶上制作150nm T型栅结构 .ZEP520胶上制作 1x1 cm2光栅结构，曝光时间小于2小时 高速度模式（40nA束电流下曝光160um大结构）和高分辨模式（0.4nA束电流下曝光10nm细小结构）自动切换 ZEP520胶上制作光子晶体波导结构 VOYAGER 产品详情 主要应用:。高速直写。衍射光学元件。防伪元件。批量加工化合物半导体器件 样品台:。6“ 移动范围。Z方向移动范围大 电子枪技术:。eWrite。电子。50 kV 独特直写模式:。traxx 长线条无写场拼接曝光模式。periodixx周期结构无写场拼接曝光模式

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：zui高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

电子束光刻机（多功能超高精度电子束光刻机P21）依托垄断性专利技术，百及纳米推出国际领先的超高精度大面积写场电子束光刻机 P21 系列。 百及纳米首次开发了新一代电子束光刻机的电子束闭环控制新原理。百及超高精度电子束光刻机 P21 是第一款新一代电子束光刻机的代表，在著名电子束光刻机制造商德国 Raith 公司的成熟机型上 升级而成。该系列主要包括 P21-2，P21-4 和 P21-6 三个型号，区别主要在于样品尺寸（2，4，6 英寸晶圆）及扩展使用功能。P21 不仅完整地保留了原电子束光刻机的整体功能，且集多项国际领先的关 键指标于一身，包括： &bull 国际上首次开发的新颖电子束闭环控制系统，能够实现电子束的原位检测与校正 &bull 国际领先的写场拼接精度≤2 nm &bull 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的空间漂移，将其位置稳定性提高到≤10 nm/h； 有利于通过提高电子束光刻时间实现大尺寸图形的曝光需求。 百及纳米的 P21 系列以常规电子束光刻机为载体，通过独家专利技术对其进行功能及性能指标的大幅提升。P21 光刻机组件均为德国原装制造，以高品质、高性能满足客户的科研高端需求，实现新 一代超高精度电子束光刻功能。

仪器简介：Neocera公司的使命是为研究新型先进薄膜材料和器件的科学家和工程师提供服务。我们通过以下手段来实现此目标： l 发展在材料科学和器件工程方面的基础竞争力 l 在薄膜制造方面，提供最先进的脉冲电子束镀膜（PED）和脉冲激光镀膜（PLD）设备 l 提供卓越的技术支持 l 参与共同的研究与开发 Neocera公司是一家PED 和PLD设备的增值供应商。在PED 和PLD科学和技术的前沿方面，我们提供最先进的解决方案；我们的设备和实际经验将帮助解决你们的问题。 另外，Neocera公司参与政府部门和工业客户的前沿的研究与开发；作为材料科学家，我们了解你们的需要。技术参数：一、 PED-120系统的技术指标 l PEBS-20脉冲电子源和电源 l 真空腔：直径12" Ø 额定基压：1x10-6 Torr l 基片加热器，直径2"，带控温器 Ø 氧气可达大气压力 Ø 最高温度：950 ° C Ø 温度均匀性：± 5 ° C Ø 温度稳定性：± 1 ° C Ø 基片加热器档板 l 靶盒，手动控制 Ø 可放置6个1"的靶或3个2"的靶 Ø 靶与法兰的距离：4" l 气路 Ø 质量流量计控制进入真空腔的流量，量程100sccm Ø 控制采用单通道设置/数值显示 l 真空泵系统 Ø 260 l/s 带冷阱的涡轮分子泵，高真空泵 Ø 4 m3/hr无油机械泵 Ø 8"闸板阀，手动控制 Ø 排气/出气阀，用于氧气的安全操作 l 真空计，显示读数 Ø 冷阴极型 Ø 对流型 l 系统框架 Ø 占地面积：22&rdquo W x 34&rdquo D Ø 空间： 30&rdquo W x 34&rdquo D Ø 总高度： 54"-58" Ø 标准19"电子元件安装架 Ø 脚轮和水平调节器 l 电源 Ø 110-240 VAC/50 Hz, 20 A，单相 二、PEBS-20脉冲电子源系统的技术指标 组成： l PEBS-20脉冲电子源 l 电源 l 电子控制系统 l 预装软件的控制计算机 技术指标： 电压：115-230 VAC, 50/60 Hz, 单相 氧气压力：5-20 mTorr 电子能量：8-20 kV 单次脉冲能量：0.1 &ndash 0.8 J 脉冲能量偏差（Max）：± 10% 能量转换效率：25-30% 脉冲持续时间：~100 ns 脉冲重复速率（Max）：15 Hz 电子束斑面积（Min）：6 x 10-2 cm2 电子束斑面积偏差（Max）：± 20% 脉冲能量密度（Max）：1.3 x 108 W/ cm2 Z轴移动距离：50 mm XY轴移动距离：± 20 mm 工作寿命：107 次脉冲 PEBS源的工作温度（Max）：85 ° C主要特点：脉冲电子束沉积（PED）的特点 与CW技术相比，例如传统的电子束蒸发，脉冲系统的主要特点是可以在靶材表面上 产生最高达108W/cm2的高能量密度。因此，靶材的热动力学特性比如熔点和比热等 在蒸发过程中就变得不重要了。这一点对复杂的、多组分材料特别具有优势。与脉 冲激光沉积（PLD）相比，脉冲电子束沉积（PED）技术提供了独一无二的平台，在 一系列具有重要技术价值的基片上沉积复杂材料的薄膜，其独特的优点在于扩展了 材料的范围和应用。这种方法在大批量生产中可以大规模应用且成本低廉。

德国Raith Voyager 新一代电子束光刻系统高速且价格合理的电子束光刻机实现精确的曝光效果对于工业界和学术界所有关注速度和高分辨的电子束曝光应用，我们推荐您选择VOYAGERTM这款专业电子束光刻系统。Raith非常重视这款具有吸引力的在使用寿命期间具有高性价比、新开发的、创新的eWRITE体系结构。系统的硬件和软件被一致设计为自动曝光操作，先进的高性能图形发生器和电子光学系统优化设计并协同一致。系统可实现8英寸样品的高速曝光。系统的稳定性是非常关键的指标，可保证大面积均匀曝光。该系统外部采用环境屏蔽罩，即使在稍差的实验室环境下，仍然能确保系统具有非常好的热稳定性，提高系统对外界环境的容忍度。 超高分辨率曝光系统从最初设计到样品制备完成，实现高速样品加工，提高产量智能设计：设备占地面积小，且集成环境屏蔽罩创新的、未来安全型系统架构专业的电子束曝光系统，可实现每小时1cm2的高速曝光，高性价比 eWrite技术Raith新推出的eWrite技术结合了专业电子束光刻的光学系统和创新的图形发生器设计，该技术适用于研发及批量生产的所有工作。 VOYAGER 应用.HSQ胶上制作亚7nm线条 .SU8胶上制作 1x1 cm2 菲涅尔透镜，曝光时间为53分钟，图为菲涅尔透镜中心区域 .PMMA双层胶上制作150nm T型栅结构 .ZEP520胶上制作 1x1 cm2光栅结构，曝光时间小于2小时 高速度模式（40nA束电流下曝光160um大结构）和高分辨模式（0.4nA束电流下曝光10nm细小结构）自动切换 ZEP520胶上制作光子晶体波导结构 VOYAGER 产品详情 主要应用:。高速直写。衍射光学元件。防伪元件。批量加工化合物半导体器件 样品台:。6“ 移动范围。Z方向移动范围大 电子枪技术:。eWrite。电子。50 kV 独特直写模式:。traxx 长线条无写场拼接曝光模式。periodixx周期结构无写场拼接曝光模式

特点：• 用于高灵敏度电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~265nm & 290nm~330nm• 化学放大胶，高灵敏度• 良好的耐干法刻蚀能力

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 超高分辨率的电子束光刻技术参数：加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

NANO-MASTER电子束蒸镀系统 NEE-4000NANO-MASTER那诺-马斯特NEE-4000型E-Beam电子束蒸发系统,有两种不同的构造可供选择。第一种为垂直紧连的双腔架构，其中主腔体是14英寸的立方体，其内有样品台，底部二级腔体则用于安置电子束源。这种构造可在两个腔体之间装有门阀互锁，可实现主腔体放取片过程保持电子束源和坩埚的真空状态。若需实现自动上下片，通过在主腔体左边增加带真空阀门的进样室即可。这样，主腔体可以持续保持10-7托范围的低压，装片后几分钟内就可进行蒸镀。NANO-MASTER那诺-马斯特的E-Beam电子束蒸镀系统的第二种构造为一个独立大腔体，基板上安装电子束蒸镀腔、磁控枪和热蒸镀。该构造可涂覆多种尺寸的晶圆，过程中使用行星运动的样品台。 NANO-MASTER公司的E-Beam电子束蒸镀系统可通过样片掩膜实现组合蒸镀，并可通过电脑控制单个电子束蒸镀的蒸镀速率。系统可支持共蒸镀功能。能够升级支持自动上下片，以及手动或自动翻转样片实现双面镀膜。该系列的E-Beam电子束蒸镀系统，也可以跟磁控溅射和热蒸镀系统等集成，另外也可以跟NANO-MASTER那诺-马斯特的其它怎空系统实现双系统的组合。特点：** 电抛光14"立方体或21"x21"x22"不锈钢优化蒸镀腔体** 680 l/sec 涡轮分子泵，串接机械泵或干泵** 4x 15CC pocket电子枪** 电子束源和基片遮板** 6KW开关电源，杰出的消弧性能** 自动Pocket索引以及可编程的扫描控制器** 膜厚监测，可设置目标膜厚作为工艺终点条件** 旋转样品台，提供高均匀性** 带观察视窗的腔门，便于放片/取片** PC全自动控制，具有高度的可重复性** Labview软件的计算机全自动工艺控制控** 多级密码保护的授权访问设计** EMO保护以及完全的安全联锁选配：** 基片加热(最高可到800℃)或冷却** 带旋转的倾斜沉积** 行星式基片夹具** 基片RF/DC偏压** 基片清洗的离子源以及离子辅助蒸镀** 附加物理沉积源（热蒸镀，磁控溅射）** 用于反应蒸镀的MFC** 不同的泵组选择，可升级分子泵为冷泵，前级泵为干泵** 进样室和自动上下片/可支持单片和25片片匣应用：** 剥离** 光学涂覆** 铜铟镓硒(CIGS)** 约瑟夫森连接** OLED** 其它的金属和介质材料的电子束蒸镀

Raith 电子束光刻机 EBPG Plus 超高性能电子束光刻系统1.系统适用于2"及以下的样片，采用热场发射电子枪，加速电压为20V~30kV。可实现高分辨电子束曝光，最小验收线宽≤8nm。2.系统中集成了高精度的激光干涉工作台，运动行程为50 x 50 x 25mm，XY方向定位精度2nm，可以实现精确的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。3.系统兼具了高精度成像度量的功能，其成像效果和市面上中高端的热场电镜类似，放大倍数为20x ~1,000,000x。 4.另外，除了标准配置, 客户还可以增加一些选配件，如选配背散射探测器、能谱仪等，进行材料分析；选配工作台旋转倾斜模块，实现不同角度的材料成像等。如果选择相应的选配件，请增加相应的价格。3D SEM image mosaics stitched over large areas and in 3D with CAD shape extractionThe CHIPSCANNER combines high-resolution electron optics, multiple high-efficiency electron detectors, and ultra-precise Laser Interferometer Stage technology with unique software to deliver homogenous large-area image mosaics for each layer with minimum stitching errors and stable brightness/contrast values and CAD shape extraction. With features such as&bull Active focus control using laser height sensing&bull Highest position and beam accuracy and stability, and&bull A wide range of selectable electron detectors,the CHIPSCANNER produces the most accurate large-area, high-resolution image mosaics directly acquired by an SEM instrument. Since the absolute position of each pixel, even over cm² , is ultimately known to the accuracy provided by the laser interferometer stage and ultra-precise image calibrations, these images can be precisely stacked (3D-stitched).Various high-speed detectors, flexible working distance, parallel detector stream handling and a high-speed scan generator allow precise and flexible image acquisition that is also high throughput.Large-area, ultra-high-resolution 3D SEM imaging applications in chip reverse engineering, materials science, and life sciences (e.g. connectomics) require surfaces of up to cm² areas to be scanned with nm resolution and excellent layer to layer accuracy (‘3D stitching’) for layout and schematic extraction or 3D modeling. While traditional SEM instruments are inherently limited by small, uncalibrated fields of view (FOVs) and imprecise sample positioning, the CHIPSCANNER addresses these challenges by combining the resolution and flexibility of an SEM instrument with the accuracy, stability, and automation of an electron beam lithography (EBL) instrument – a core area of expertise at Raith. High-resolution, large-area image mosaics are created by capturing sequential SEM images and stitching them together for further analysis, while the laser interferometer stage and field-of-view calibration reduce overlap to an absolute minimum and thus reduce required computing. A true large-area 3D SEM!

电子束蒸发技术NEE-4000（M）电子束蒸发系统概述：NANO-MASTER NEE-4000电子束蒸发系统为双腔体的配置，其中样品台位于主腔体内，二级腔体则用于安置电子束源。这种在两个腔体之间带有门阀的配置可以作为预真空锁，使得电子束源腔体保持真空的情况下，实现基片通过主腔体放入基片到样平台(或夹具)上或从中取出。在需要自动装/卸载基片时，他可以通过第三方的预真空锁来实现，这可以设置于立方体的左侧。通过PC计算机控制，系统可以提供多电子束源的共蒸发能力，以及对组分或组分梯度进行编程的能力。NEE-4000（M）电子束蒸发系统特点：顺序蒸发或共蒸发双电子束源多凹槽电子枪可编程电子束扫描10KW开关电源涡轮分子泵，极限真空5x10-7Torr手动上下载片，带预真空锁材料和衬垫更换非常方便晶振式膜厚监测仪通过LabView软件实现PC计算机控制菜单驱动，四级访问密码保护完全的安全联锁NEE-4000（M）电子束蒸发系统Features：Sequential or Co-Evaporation Dual E-Beam Source Multi-Pocket E-Gun Programmable Beam Scan10 KW Switching Power Supply Turbomolecular Pump, 10-7Torr Manual Load/Unload w/Load Lock Easy Material and Liner ChangeCrystal Thickness Monitor PC Controlled with LabVIEW Recipe Driven, Password Protected Fully Safety Interlocked

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：最高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力 光束直径：1.6nm①最小线宽：7 nm（在130kV时）加速电压：130 kV，110 kV或90 kV载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）