变温霍尔效应测试仪

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变温霍尔效应测试仪相关的厂商

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    霍尔斯(HOLVES)是一家创新的生命科学公司。自2010年创立至今,聚焦于合成生物学、生物制药、创新生物医疗等新兴领域,研发和生产了多款新型发酵罐、生物反应器、超滤系统、喷雾干燥机等设备,满足从实验到工业生产等各个需求环节。霍尔斯(HOLVES)致力于打造智能自动化系统,赋能生物研究和产业放大领域发展。 发展历程: 2010年创立霍尔斯(HOLVES)品牌,成立北京霍尔斯生物科技有限公司。2012年与美国NBS合作代理生物反应器,与德国GEA合作代理喷雾干燥机,积极学习国外先进的理念和经验。2016年自主研发的首台喷雾干燥机问世,获得市场一致好评,标志着霍尔斯(HOLVES)正式开启自主品牌道路。2017年投入全新现代化工厂基地,成立安徽霍尔斯工程技术有限公司。2020年推出全新设计的Cla系列发酵罐,Eu系列生物反应器,Su系列不锈钢发酵罐,公司和产品双双步入新征程。2021年重磅推出HPB系列平行生物反应器,助力新一代生物智造平台。
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  • 山东霍尔德电子科技有限公司是cod检测仪、氨氮检测仪、总磷总氮检测仪、生物毒性检测仪、测油仪、BOD检测仪、水质在线监测设备等生产研发销售集于一体的原厂厂家。公司主营业务是研发、生产和销售应用于水质检测、农业生态、食品快检、植物生理、气象环境、智能物联等仪器设备,在多重相关领域构建起完整的产品体系,将光电技术与物联网和云服务结合,为用户提供更加广泛的应用和深度服务,为农业、林业、科研、畜牧、气象、水利、食药、环境等相关领域提供综合解决方案。公司与全国各大高校和科研院所建立了长久的合作关系,引进先进的高科技成果,研发了众多高性价比高科技产品,广泛应用于各个行业,得到了客户的认可和青睐。
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  • 北京飞凯曼科技有限公司为多家国内外高科技仪器厂家在中国地区代理商。飞凯曼科技公司一贯秉承『诚信』、『品质』、『服务』、『创新』的企业文化,为广大中国用户提供最先进的仪器、设备,最周到的技术、服务和完美的整体解决方案。在科技日新月异、国力飞速发展的中国,光电技术、材料科学、光电子科学与技术、半导体等等领域,都需要与欧美发达国家完全接轨的仪器设备平台来实现。飞凯曼科技公司有幸成长在这个科技创造未来的年代,我们愿意化为一座桥梁,见证中国科技水平的提升,与中国科技共同飞速成长。主要产品: 1.飞秒激光元件飞秒激光反射镜、飞秒激光透视镜、飞秒激光棱镜、飞秒偏振光学器件、飞秒非线性激光晶体2.非线性光学和激光晶体BBO晶体, LBO晶体, KTP晶体, KDP晶体, DKDP晶体, LiIO3晶体, LiNbO3晶体, MgO:LiNbO3晶体, AGS晶体 (AgGaS2晶体), AGSe晶体 (AgGaSe2晶体), ZGP (ZnGeP2) 晶体, GaSe晶体, CdSe晶体等。Nd:YAG晶体, Nd:YVO4晶体, Nd:KGW晶体, Nd:YLF晶体, Yb:KGW晶体, Yb:KYW晶体, Yb:YAG晶体, Ti:Sapphire晶体, Dy3+:PbGa2S4晶体等晶体恒温炉、晶体温控炉等3.普克尔斯盒及驱动KTP普克尔斯盒、DKDP普克尔斯盒、BBO普克尔斯盒、高重复频率普克尔斯盒驱动和高压电源、低重复频率普克尔斯盒驱动和高压电源、普克尔斯盒支架等4. Nd:YAG激光器元件Nd:YAG激光反射镜、Nd:YAG激光棱镜、Nd:YAG激光窗口、Nd:YAG激光偏振片、Nd:YAG激光晶体等5.激光器和激光器模块连续半导体激光器、连续DPSS激光器、调Q DPSS激光器、超快光纤激光器等6.光学元器件光学材料、光学镀膜、介质镜、金属镜、激光器窗口、棱镜、光学滤光片、光学柱面镜、偏振镜、紫外和红外光学元件7.光学整形系统高斯光转平顶光光束整形系统、扩束镜、F-Theta镜(聚焦镜)、望远镜、可调激光衰减器、可变光圈、精密空间滤光片、束流捕捉器8.光学精密位移机构防震桌、光学支架、光学导轨、固定座、光学固定、光学定位、传输和定位台、自动定位和控制器等9.半导体激光器高功率半导体激光器、波长稳定的半导体激光器、单频半导体激光器、光纤耦合半导体激光器、光纤激光器、波长可调谐单频激光器10.铒玻璃掺铒磷酸盐激光玻璃、铒玻璃、铒镱共掺激光玻璃、1550nm激光器、人眼安全激光器11. DPSSL激光谐振腔设计软件和数据库12. F-P扫描干涉仪13.应力测试仪日本UNIOPT公司应力双折射测量系统、光弹性模量测试系统、应力测试系统、磁光克尔效应(MOKE)测试仪、薄膜残余应力测试仪。应力双折射测试仪、应力测试仪、应力分析仪、偏振相机14.精密划片机日本APCO公司手动精密划片机、自动精密划片机。日本NDS公司半自动自动划片机、贴膜机、UV解胶机、清洗机、晶圆划片(切割)刀、电畴划片刀、陶瓷划片刀、金属烧结划片刀、树脂划片刀等15.材料表征仪器霍尔效应测试仪、变温霍尔效应测试仪、低温霍尔效应测试仪、塞贝克效应测试仪、低温探针台、变温探针台、椭偏仪联系电话:010-57034898,15313084898 邮箱地址:info@pcm-bj.com
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变温霍尔效应测试仪相关的仪器

  • 变温霍尔效应测试仪 400-860-5168转3181
    台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外,它也可应用于LED磊晶层的质量判定,也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成,此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统,Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能,成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格, 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA,如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测,即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表,电压量测能力可达nV等级,上限可达300V,极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方,磁铁组之极性更换也很灵活容易,独特之液氮容器设计,可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式,测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线,藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中,就可以完成所有的设定,实验结果由软件自动计算得到,并在同一张画面中显示出来,省却画面切换的麻烦,结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具,特殊设计之弹簧探针,其强度加强可改善探针与接触点之电气接触,提高量测之可靠度。技术参数磁场强度:0.53T 温度测试范围:77K-423K,77K-623K可选, 温度准确度+/-0.5度;输出电流:1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸:5-15mm,厚度1mm样品夹具:Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦); 测量材料:所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH):400*360*200 mm仪器重量:15kg
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  • 变温霍尔效应测试仪 400-860-5168转1545
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  • 1.设备名称: 霍尔效应测试仪2.功能描述: 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.设备明细: 3-1 测试范围: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 3-2 磁场: 3-2-1 磁场强度: 0.5T 电磁体 (0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选) 3-2-2 磁场类型: 电磁体 3-2-3 磁场均匀性: 磁场不均匀性<± 1 % 3-3 测试样品: 3-3-1 样品测试仓: 全封闭、带玻璃窗口 3-4 温 度: 3-4-1 温度区域: 80K ~730K 3-4-2 温控精度: 0.1K 3-4-3 温控稳定性: ± 0.1 K 3-5 电阻率范围: 10-6~1013 Ohm*cm 3-6 电阻范围: 10 m Ohms~ 10G Ohms 3-7 载流子浓度: 102~1022cm-3 3-8 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec 3-9 输入电流: 3-9-1 电流范围: 0.1 pA~10mA 3-9-2 电流精度: 2% 3-10 输入电压: 3-10-1 电压范围: ± 2.5V,最小可测到6× 10-6V 3-10-2 电压分辨率: 3× 10-7V 3-10-3 电压精度: 2%
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变温霍尔效应测试仪相关的资讯

  • 霍尔德新品|真空密封性测试仪操作简便
    霍尔德上市新品啦!2023年12月28日上市了一款密封性测试仪【真空密封性测试仪←点击此处可直接转到产品界面,咨询更方便】密封试验是检测产品泄漏状况的有效检测。在产品包装过程中,由于各种难以预测的因素,封合环节可能会出现疏漏,如漏封、压穿,甚至因材料本身存在的微小瑕疵,如裂缝、微孔,这些都可能形成内外互通的小孔。这样的情况,无疑会对包装内的产品造成潜在威胁,特别是对于食品、医药、日化等对密封性要求极高的产品,其质量的保障更依赖于密封性的完好。真空密封性测试仪专业适用于产品的密封试验,通过试验可以有效地比较和评价软包装件的密封工艺及密封性能,是食品、塑料软包装、湿巾、制药、日化等行业理想的检测仪器。 产品特征 1.具备保压试验模式与梯度试验模式,满足不同材料测试需求; 2.系统采用微电脑控制,抽压、保压、补压、计时、反吹、打印全自动化操作; 3.设备搭配7寸彩色触摸屏,实时显示压力波动曲线,自带微型打印机,支持数据预置、断电记忆,确保测试数据的准确性; 4.试验结果自动统计打印及存储; 5.具备三级权限管理功能,支持历史数据快速查看; 6.采用优质气动元件,性能经久耐用、稳定可靠技术参数 真 空 度 0~-90kPa 分辨率0.01KPA 保压时间0-999999S 精度 0.5级打印机热敏打印机(标配) 针式打印机(选配)真空室尺寸 Φ270mm×210 mm (H) (标配) Φ360mm×585 mm (H) (另购) Φ460mm×330 mm (H) (另购) 气源压力 0.7MPa (气源用户自备)或厂家配备空气压缩机(选配)气源接口 Φ6mm 聚氨酯管 电源 220 V/50Hz 外型尺寸 290mm(L)×380mm(B)×195mm(H) 主机净重 15kg
  • 半导体情报,科学家首次在量子霍尔绝缘体中发现奇异的非线性霍尔效应!
    【科学背景】近年来,尽管量子霍尔效应的线性响应特性得到了广泛研究,但高阶非线性响应仍然是一个未被充分探索的领域。特别是在二维材料如石墨烯中,量子霍尔态的非线性响应尚未被深入研究。量子霍尔态不仅具有绝缘体体和导电手性边缘态的特征,而且在不同的量子霍尔态下,可能会表现出复杂的非线性行为,这些行为对于理解边缘态的电子-电子相互作用具有重要意义。为了解决这一问题,为了解决这一问题,复旦大学何攀, 沈健,日本九州大学Hiroki Isobe,新加坡国立大学Gavin Kok Wai Koon,Junxiong Hu,日本理化研究所新兴物质科学中心Naoto Nagaosa等教授合作发现,在石墨烯的显著量子霍尔态下,存在明确的第三阶霍尔平台。这一平台在广泛的温度、磁场和电流范围内保持稳定,并且在不同几何形状和堆叠配置的石墨烯中均可观察到。第三阶霍尔效应的高度对环境条件不敏感,但与器件特性相关。此外,第三阶非线性响应的极性受磁场方向和载流子类型的影响。作者的研究揭示了量子霍尔态的非线性响应是如何依赖于器件特性的,并提出了一个新的视角来理解边缘态的性质。【科学亮点】(1)实验首次观察到石墨烯中量子霍尔态的第三阶霍尔效应,获得了第三阶霍尔效应的清晰平台。该平台在显著的量子霍尔态(\( \nu = \pm 2 \))中展现出,且在广泛的温度、磁场和电流范围内保持稳定。(2)实验通过测量不同几何形状和堆叠配置的石墨烯器件,发现第三阶霍尔效应的平坦值与环境条件无关,但与器件特性相关。具体结果包括:&bull 第三阶霍尔效应的电压平台高度与探针电流的立方成正比,而第三阶纵向电压保持为零。&bull 该效应在磁场变化(至约5T)和温度变化(至约60K)下保持稳健。&bull 第三阶非线性响应的极性依赖于磁场方向及载流子类型(电子或空穴),并且其值在反转磁场方向时会改变符号。&bull 非线性霍尔平台的稳健性提供了关于边缘态的新见解,并可能违背量子霍尔电阻的精确量化。【科学图文】图1:在经典和量子域中,线性霍尔效应和非线性霍尔效应示意图。图2:在量子霍尔态quantum Hall states,QHSs内,三阶非线性霍尔平台的观测结果。图3:在量子霍尔态QHSs内,三阶霍尔效应的立方电流依赖性。图4:磁场和温度,对量子霍尔态QHS三阶非线性响应的影。【科学启迪】本文的研究为量子霍尔效应(QHE)中的非线性响应提供了新的视角,揭示了量子霍尔态(QHSs)中第三阶霍尔效应的显著平台。这一发现不仅扩展了作者对量子霍尔现象的理解,也对探索二维材料中的非线性电输运提供了新的途径。首先,实验首次在单层石墨烯中观察到稳定的第三阶霍尔效应平台,表明在量子霍尔态下,电子之间的相互作用可能导致非线性现象的出现。这种非线性响应在不同环境条件(如磁场和温度)下保持稳定,且在多种几何形状和堆叠配置的石墨烯器件中均能观察到。这表明该效应具有较强的普适性和稳健性。其次,研究发现第三阶霍尔效应的电压平台与探针电流立方成正比,而其幅度对环境条件变化表现出较强的稳健性。这一特性挑战了量子霍尔电阻的精确量化,提示作者在量子霍尔态的研究中需要考虑更高阶的非线性效应。这种非线性响应的发现不仅提供了关于边缘态性质的新见解,还可能揭示出与传统线性量子霍尔效应不同的物理机制。此外,本文的研究结果对未来探索量子霍尔系统的高阶响应具有重要启示。其他填充因子的量子霍尔态中的非线性响应,以及在其他量子霍尔系统中的应用,仍需进一步研究。这一发现为理解电子-电子相互作用、边缘态带曲率等物理现象提供了新的方法,也可能为研究分数量子霍尔效应的非线性响应开辟新的方向。原文详情:He, P., Isobe, H., Koon, G.K.W. et al. Third-order nonlinear Hall effect in a quantum Hall system. Nat. Nanotechnol. (2024). https://doi.org/10.1038/s41565-024-01730-1
  • 非互易霍尔效应:Pt器件的频率混合新突破!
    【研究背景】非相互作用电荷传输是一种重要的物理现象,因其在探索量子对称性及在量子计算、通信等领域的潜在应用而受到广泛关注。与传统的电流-电压(I–V)关系线性行为不同,非相互作用传输在纵向方向上的表现为电阻与电流方向相关,导致电阻中存在微小的非相互作用成分。然而,纵向非相互作用传输的电阻通常仅占欧姆电阻的一小部分,使得在直流传输测量中观察这种现象相对困难。因此,许多非相互作用现象的研究主要集中在交流传输测量上。近年来,针对非中心对称极性材料的研究,美国 宾夕法尼亚州立大学Lujin Min,Zhiqiang Mao等团队科学家们提出了一种新型的横向非相互作用电流现象——非相互作用霍尔效应(NRHE)。该效应的出现是由于在施加电流的情况下,极性材料中的几何不对称散射引起的,这与现有的低温现象不同。本研究小组通过聚焦离子束沉积的铂(Pt)在硅基底上制备了微米尺度的霍尔器件,成功观察到了这种横向非相互作用霍尔效应。在实验中,团队设计和制备的聚焦离子束沉积铂微米霍尔器件展示了显著的二次电流-电压特性以及发散的非相互作用性。具体来说,该现象源于聚焦离子束沉积结构内纹理铂纳米颗粒的几何不对称散射。此外,研究表明,这种在聚焦离子束沉积铂电极中产生的非相互作用霍尔效应能够通过霍尔电流注入传播至相邻的导体(如金(Au)和铌磷(NbP)),进一步推动了宽带频率混合及无线微波检测的应用。【表征解读】本文通过多种先进的表征手段揭示了FIBD-Pt器件的非线性霍尔效应(NRHE)及其在宽频段电子频率混合中的应用。首先,通过X射线衍射(XRD)和能量色散X射线光谱(EDX),确认了所合成的NbP单晶具有预期的晶体结构和成分。这些表征手段为后续的NRHE特性研究奠定了基础。在NbP晶体的表面,通过扫描电子显微镜(SEM)和焦点离子束(FIB)技术,成功制造了纳米尺度的电极与微结构,进一步揭示了FIBD-Pt器件的电学性能及其非线性效应。针对NRHE现象,本文采用了低温电子输运测量技术,通过量子设计物理性能测试系统(PPMS)对FIBD-Pt器件进行了电学运输特性测量。通过霍尔电压的响应,确定了FIBD-Pt在室温下展现出强烈的非线性霍尔效应。进一步的研究表明,该现象的产生源于与外加电场相关的非线性相互作用,这为电子频率混合的实现提供了理论支持。通过锁相放大器(SR860)与高精度电流源(Keithley 6221/6220),本文还对该现象的频率混合特性进行了定量研究,证明了FIBD-Pt在125Hz与37Hz频率信号的作用下,能有效生成多达21个不同的频率峰值,涵盖了从基频到多次谐波生成的频率范围。此外,结合微波频率测量,本文还进一步验证了FIBD-Pt器件的无线检测功能。使用Keysight MXG矢量信号发生器与Agilent CXA信号分析仪,本文对FIBD-Pt器件的无线检测能力进行了实验,发现该器件能够灵敏地响应微波频率信号,这为其在无线通讯与传感器技术中的应用提供了可能。通过这些微观表征手段,本文不仅揭示了FIBD-Pt器件在非线性霍尔效应下的宽频段频率混合特性,还发现了其在高频无线检测中的潜力。总之,经过一系列表征手段的深入分析,本文揭示了FIBD-Pt器件在非线性霍尔效应和频率混合中的重要物理机制,为新型电子功能材料的制备提供了宝贵的理论依据与实践指导。通过这些研究,推动了高性能传感器和无线通信设备的发展,尤其是在低功耗、宽频段的电子器件领域中的应用潜力,具有广泛的科学意义与技术前景。【图文速递】图1: 聚焦离子束沉积focused-ion-beam-deposited,FIBD-铂Pt中的非互易霍尔效应non-reciprocal Hall effect,NRHE。图2: 非互易霍尔效应NRHE转移到NbP。图3: 从铂Pt转移的NbP中的较大非线性反常霍尔效应。图4: 聚焦离子束FIB-铂Pt中,非互易霍尔效应NRHE的可能机制,以及通过聚焦离子束FIB扫描方向操纵非互易性霍尔电压的极性。图5: 通过非互易霍尔效应NRHE的宽带混频。【科学启迪】FIBD-Pt材料展示了优异的室温非线性霍尔响应特性,这不仅符合实际应用的要求,还拓展了其在频率混合等新型功能方面的应用。通过将两种不同频率的交流电压施加到NRHE器件上,研究人员观察到了宽频段的电子频率混合效应,包括二次谐波生成、和频生成、差频生成及多波混合组件。这一现象的出现验证了NRHE在无线电频率探测和信号处理中的潜力。此外,研究还表明,通过对材料的优化和合理设计,NRHE能够扩展至吉赫兹范围,显示了其在高频应用中的巨大前景。该研究不仅为电子器件的设计提供了新的思路,也为无线传感器、信号处理及其他高频技术的实现开辟了新的方向。这些发现对未来的科技创新具有重要的推动作用。原文详情:Min, L., Zhang, Y., Xie, Z. et al. Colossal room-temperature non-reciprocal Hall effect. Nat. Mater. (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-02015-7

变温霍尔效应测试仪相关的方案

  • Attocube mK纳米位移台在分数量子霍尔效应区的非线性光学中的应用
    设计光学光子之间的强相互作用是量子科学的一项重要挑战。来自瑞士苏黎世联邦理工学院(Institute of Quantum Electronics, ETH Zü rich, Zü rich,)的研究团队报告了在光学腔中嵌入一个二维电子系统的时间分辨四波混频实验,证明当电子初始处于分数量子霍尔态时,化激元间的相互作用会显著增强。此外,激子-电子相互作用导致化子-化激元的生成,还对增强系统非线性光学响应发挥重要作用。该研究有助于促进强相互作用光子系统的实现。值得指出的是,该实验在温度低于100mK的环境下进行,使用了德国attocube公司的低温mK环境适用纳米精度位移台(Quantum Design中国子公司国内代理)来实现物镜的移动和聚焦。
  • 上海伯东 KRI 霍尔离子源应用于黑膜镀制
    上海伯东美国 KRI 霍尔离子源辅助沉积镀制增透吸收膜, 可以获得非常好的单质 SI 材料可见波段的吸收常数, 离子源辅助沉积过程稳定, 膜层致密性高, HR 膜更加得心应手, 加以合理工艺匹配, 可获得高信耐性、工艺性能良好的黑膜和 HR 膜. 使用离子源辅助的电子束蒸发来在不加热基板上进行蒸发, 可得到附着力良好, 遮盖力强, 材料可均匀融化, 工艺性能良好, 能很好地粘附于多种基底类型, 并表现出良好的环境稳定性的黑膜. 美国进口 KRI 霍尔离子源辅助镀制, 可达到行业顶级水准的效果.
  • 美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用
    上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射系统, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 辅助镀膜的工艺.

变温霍尔效应测试仪相关的资料

变温霍尔效应测试仪相关的试剂

变温霍尔效应测试仪相关的论坛

  • 霍尔效应测试仪 ITO 薄膜测试案例

    样品: ITO 氧化铟锡, 标记为 ITO1, ITO2, ITO3样品薄膜厚度: 60 - 100 nm样品尺寸: 10 * 10 mm实验内容: 载流子浓度, 类型, 霍尔迁移率, 方块电阻 实验仪器: 上海伯东英国 NanoMagnetics ezHEMS [url=http://www.hakuto-vacuum.cn/product-list.php?sid=131][color=#0000ff]霍尔效应测试仪[/color][/url]测试温度和磁场温度: 300K RT 1 Tesla[color=#ff0000]* 在测试开始前, 仪器均经过标准样品校验. 所有样品根据 ASTM 标准.[/color][b][color=#000000]样品 ITO1 测试结果:[/color][color=#000000]I-V 测量结果[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-nano.jpg[/img][/color][/b][color=#000000][b]VdP 测量结果[/b][/color][color=#000000] 测量头类型: RT Head 磁场: 9677G 厚度: 80nm[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-vdp.jpg[/img][/color][b]部分测试结论:[/b]1. 得到的电阻值彼此相容.2. 所有的IV 曲线都是线性的3. 所有样本都是欧姆的,统一的,均匀的.4. Van der Pauw 测试为了保证准确性, 测试了2次, 测试结果是相同的. ...[color=#ff0000]* 鉴于信息保密, 更详细的霍尔效应测试案例欢迎联络上海伯东[/color]

  • 我科学家首次发现量子反常霍尔效应

    美妙之处或可加速推进信息技术进步的进程 新华社北京3月15日电 (记者李江涛)由清华大学薛其坤院士领衔,清华大学、中科院物理所和斯坦福大学研究人员联合组成的团队在量子反常霍尔效应研究中取得重大突破,他们从实验中首次观测到量子反常霍尔效应,这是我国科学家从实验中独立观测到的一个重要物理现象,也是物理学领域基础研究的一项重要科学发现。 该成果于北京时间3月15日凌晨在美国《科学》杂志在线发表。 据介绍,美国科学家霍尔分别于1879年和1880年发现霍尔效应和反常霍尔效应。在一个通有电流的导体中,如果施加一个垂直于电流方向的磁场,由于洛伦兹力的作用,电子的运动轨迹将产生偏转,从而在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压,这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应。而在磁性材料中不加外磁场也可以观测到霍尔效应,这种零磁场中的霍尔效应就是反常霍尔效应。反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的,因此是一类新的重要物理效应。 量子霍尔效应之所以如此重要,一方面是由于它们体现了二维电子系统在低温强磁场的极端条件下的奇妙量子行为,另一方面这些效应可能在未来电子器件中发挥特殊的作用,可用于制备低能耗的高速电子器件。 例如,如果把量子霍尔效应引入计算机芯片,将会克服电脑的发热和能量耗散问题。然而由于量子霍尔效应的产生需要非常强的磁场,因此至今为止它还没有特别大的实用价值,因为要产生所需的磁场不但价格昂贵,而且其体积庞大(衣柜大小),也不适合于个人电脑和便携式计算机。 据了解,量子反常霍尔效应的美妙之处是不需要任何外加磁场,因此,这项研究成果将会推动新一代的低能耗晶体管和电子学器件的发展,可能加速推进信息技术进步的进程。

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  • Hal-12 霍尔转速传感器
    概述: Hal-12霍尔转速传感器,是一种采用霍尔原理的的转速传感器。它的感应对象为磁钢。当被测体上嵌入磁钢,随着被测物体 转动时,传感器输出与旋转频率相关的脉冲信号,达到测速或位移检测的发讯目的。 由于安装使用方便,通用性好,已被 广泛应用于各种领域。 技术参数: 1.发讯频率:0~10kHz 2.供电电源:12~25V(DC) 3.负载电阻:&ge 1.0k&Omega 4.检测距离:1~4mm (磁钢) 5.磁钢尺寸:8× 5 6.输出信号:矩形波 幅值:近电源电压 7.环境条件:温度:-20° C~80° C 相对湿度:&le 85% 8.安装螺纹:M12× 1 输出线 棕色:接电源+12V;蓝色:接电源地0V;黑色:接信号
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