高能直流磁控溅射仪

一、项目基本情况项目编号：0705-2240 02012003项目名称：上海期智研究院磁控溅射仪采购预算金额：300.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：300.0000000 万元（人民币）采购需求：包件号项目数量简要技术规格备注1磁控溅射仪1套配置304L不锈钢超高真空不锈钢反应腔体，预留RHEED、RGA等接口，后续可按需升级。沉积腔室可升级集成9个2英寸超高真空溅射靶枪。预算：人民币300万元。 合同履行期限：交货期：收到预付款后8到10个月内。本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：（1） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；（2） 投标人应为投标产品的制造商或其合法代理商，代理商投标应提供投标产品的制造商针对本项目的唯一授权；（3） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部认可的机电产品招标投标电子交易平台（以下简称机电产品交易平台，网址为：http://www.chinabidding.com）上完成有效注册；（4） 本项目不允许联合体投标；（5） 本项目不允许分包和转包（代理商中标后提供由其投标文件中承诺的投标产品制造商生产的产品不视为转包）。 3.本项目的特定资格要求：（1） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；（2） 投标人应为投标产品的制造商或其合法代理商，代理商投标应提供投标产品的制造商针对本项目的唯一授权；（3） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部认可的机电产品招标投标电子交易平台（以下简称机电产品交易平台，网址为：http://www.chinabidding.com）上完成有效注册；（4） 本项目不允许联合体投标；（5） 本项目不允许分包和转包（代理商中标后提供由其投标文件中承诺的投标产品制造商生产的产品不视为转包）。三、获取招标文件时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午8:30至11:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：上海国际招标有限公司电子采购平台方式：电子发售售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2022年08月31日 09点30分（北京时间）开标时间：2022年08月31日 09点30分（北京时间）地点：上海国际招标有限公司电子采购平台五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜供应商首次注册应按要求提供《供应商注册专用授权函和承诺书》（可从供应商注册页面下载）和营业执照等扫描件，供应商应当提前准备，尽早办理，以免影响领购招标文件。已注册的潜在投标人可从网站采购公告栏的相应公告或者网站上方“SITC电子采购平台”中进入在线领购招标文件流程。若公告要求提供其他领购资料的，潜在投标人应当上传相关资料的原件扫描件，否则招标代理有权拒绝向其出售招标文件。无需提供领购资料的项目，潜在投标人提交领购申请并支付费用到账后即可下载电子招标文件。项目经理会将纸质招标文件快递给潜在投标人，电子发票将发至投标人登记的邮箱。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：上海期智研究院     地址：上海市徐汇区云锦路701号40-41层        联系方式：徐瑞；021-54652653      2.采购代理机构信息名 称：上海国际招标有限公司            地 址：中国上海延安西路358号美丽园大厦14楼            联系方式：胡羡聪、刘洲烨；86-21-32173682            3.项目联系方式项目联系人：胡羡聪、刘洲烨电 话：  86-21-32173682

自从2020年Quantum Design中国子公司将英国Moorfield nanotechnology公司生产的台式高精度薄膜制备与加工系统引进国内市场以来受到了国内科研工作者的广泛关注。Moorfield Nanotechnology推出的台式设备体积小巧但性能可以和大型设备相媲美，并且自动化程度高、操作简单、性能可靠、配置灵活。设备所具有的这些优点正是现代实验所需要的。Moorfield Nanotechnology长期收集用户的需求并对产品线进行不断的优化丰富，以满足各种个性化的实验需求。近年来，越来越多的前沿研究中需要用到多种薄膜制备手段，而传统的设备往往只有一种薄膜制备功能，制备一个样品就需要先后在不同的设备中进行操作，并且容易对样品的性质造成破坏。针对这样的需求，Moorfield Nanotechnology公司全新推出了台式高精度溅射与热蒸发系统——nanoPVD ST15A。该系统可以集成金属/绝缘体溅射、金属热蒸发、有机物蒸发功能，在同一台设备中可以实现多种制备手段的组合，将薄膜制备带入了新的高度。系统通过7英寸触摸屏控制，自动化程度高，各种制备方式可以自由切换，甚至可以同时进行。用户可以通过灵活的制备手段在在同一台设备中制备不同的薄膜或者是复合薄膜。nanoPVD ST15A外观图设备技术特点☛ 台式设备配置灵活☛ 磁控溅射、热蒸发、有机物蒸发☛ 三种制备手段可灵活组合☛ 可制备金属、有机物、电介质薄膜☛ 多达3个流量计控制过程气体☛ 高精度自动气压控制选件☛ 全自动触屏操作系统☛ 基片大至4英寸☛ 可选基片加热☛ 本底真空☛ 可选晶振膜厚标定功能☛ 定义保存多个制备程序☛ 全面的安全性设计☛ 超净间兼容☛ 稳定的性能左：nanoPVD ST15A 双蒸发源与磁控溅射组合，右：系统的样品台与挡板背景介绍Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立25年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。Moorfield公司近十年来与曼彻斯特大学诺奖技术团队紧密合作，推出的台式高精度薄膜制备与加工系列产品由于其体积小巧、性能优异、易于操作更是受到很多科研单位的赞誉。这些设备已经进入了欧洲多所科研院所的实验室，诸如曼彻斯特大学、剑桥大学、帝国理工学院、诺森比亚大学、巴斯大学、埃克塞特大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学、西班牙光子科学研究所、英国国家物理实验室等单位都是Moorfield Nanotechnology的用户和长期合作者。诸多的用户与合作者让产品的性能和设计理念得到了高速发展，并迈入全球化的进程。Quantum Design中国子公司与Moorfield Nanotechnology正式合作，作为中国的代理和战略合作伙伴，为中国用户提供高性能的设备与优质的服务。除了台式设备之外我们还提供多种大型设备和定制服务。目前国内已有包括清华大学、西湖大学、大连理工大学、广东工业大学、中科院等多个单位采购了不同型号的Moorfield高性能薄膜制备与加工设备。产品链接1、台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD

一、项目基本情况项目编号：0664-2260SUMEC787D项目名称：东南大学微纳系统国际创新中心磁控溅射镀膜仪采购预算金额：260.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：260.0000000 万元（人民币）采购需求：东南大学微纳系统国际创新中心采购磁控溅射镀膜仪 一套本项目接受进口产品。合同履行期限：合同签约后12个月到货安装调试合格。本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：本项目若符合扶持福利企业、促进残疾人就业、支持中小微企业、支持监狱和戒毒企业等政策， 将落实相关政策。3.本项目的特定资格要求：（1）供应商必须是所投产品的制造商或代理商，若投标人不是投标产品制造商的，投标人必须具有下列授权文件之一（本条只适用于进口产品）：a.供应商必须提供制造商出具的授权函正本； b.制造商的国内全资子公司出具的授权函正本； c.制造商对授权的区域代理商出具的授权函复印件及该区域代理商出具的授权函正本； d.投标人取得的产品代理证书复印件(正本备查)。4.拒绝下述供应商参加本次采购活动：（1）供应商单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动。（2）凡为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的采购活动。（3）供应商被“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、“中国政府采购网"(www.ccgp.gov.cn)列入失信被执行人、税收违法黑名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。三、获取招标文件时间：2023年01月05日 至 2023年01月11日，每天上午9:00至11:00，下午14:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：线上方式：在线获取售价：￥600.0 元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2023年01月29日 09点30分（北京时间）开标时间：2023年01月29日 09点30分（北京时间）地点：南京市长江路198号苏美达大厦辅楼303会议室,五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜申请人的资格要求：1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定：（1）具有独立承担民事责任的能力（提供法人或者其他组织的营业执照，自然人的身份证明）；（2）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供参加本次政府采购活动前半年内（至少一个月）的会计报表或者上一年度的财务审计报告，成立不足一年的提供开标前六个月内的银行资信证明原件。）；（3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力（根据项目需求提供履行合同所必需的设备和专业技术能力的证明材料）； （4）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录（提供参加本次政府采购活动前半年内（至少一个月）依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料）；（5）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（提供参加本次政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明）（格式见后附件）。（6）法律、行政法规规定的其他条件。2、凭以下材料获取：（1）获取采购文件材料：1、营业执照【复印件加盖公章，扫描件】2、介绍信或者法定代表人授权书【原件加盖公章，扫描件，开具日期不得早于公告日期】3、委托代理人身份证【复印件加盖公章，扫描件】4、采购文件获取登记表word版【详见招标公告附件】（2）凡有意参加本次采购活动的供应商必须提供第（1）条规定证件登记并获取，不按规定获取的视为获取失败。3、我司提供了在线获取采购文件服务，操作流程如下：（1）、用微信关注我司公众号“苏美达达天下”。（2）、进入公众号-“在线服务”-“在线购标”。（3）、输入本项目的项目编号，举例：0664-2260SUMEC787D，点击查询。添加您所要获取的采购文件到购物车，输入投标单位名称、领购人信息以及发票信息，提交订单并确认微信支付，支付完成后将报名材料扫描件和登记表word版一并发至采购代理机构联系人：焦立阳，邮箱：jiaoly_work@163.com 即可，我们将会把采购文件电子版发送到领购人的邮箱。注意事项：（1）确保领购人邮箱真实准确无误，电子版采购文件将发送到此邮箱。（2）目前标书费发票支持开标现场领取或者顺丰到付。（3）“苏美达达天下”付款平台填写的投标单位名称必须与开票信息一致。如不一致投标人自行承担后果。请认真填写领购人信息及发票信息。（4）非采购代理机构或平台公司原因，发票一经开具不予退换。4、疫情防控期间注意事项（本项目采取在线流程）：在线流程：因疫情原因，本项目进行线上开标，请供应商尽量提前准备投标文件，以便及时送达代理机构指定的地点。供应商按照不见面开标通知（附件1）的要求参加开标会议。如因投标文件未及时送至代理机构造成的后果由供应商自负。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名称：东南大学地址：南京市玄武区四牌楼2号联系方式：技术咨询：微纳系统国际创新中心：贺老师 电话：025-83792632 分机号8806； 实验室与设备管理处：刘加彬 电话：025-83792693。2.采购代理机构信息名称：苏美达国际技术贸易有限公司地址：南京市长江路198号苏美达大厦联系方式：项目联系人：杨 扬、焦立阳 电话：025-84532455、025-845324523.项目联系方式项目联系人：杨 扬、焦立阳电话：025-84532455、025-84532452

项目编号：N5101012023000011项目名称：红外光谱仪、磁控溅射镀膜机、X-射线衍射仪采购项目采购方式：公开招标预算金额：2,400,000.00元采购需求：详见采购需求附件合同履行期限：采购包1：自合同签订生效后起10日内采购包2：自合同签订生效后起10日内采购包3：自合同签订生效后起10日内本项目是否接受联合体投标：采购包1：不接受联合体投标采购包2：不接受联合体投标采购包3：不接受联合体投标8a69c98f85909e000185957d38207018.docx

据广州南沙发布消息，6月28日，广州市南沙区在明珠湾大桥桥面举办重大项目集中签约动工竣工（投产）暨明珠湾大桥通车活动。76个项目于当天集中签约、动工竣工（投产），涵盖新能源汽车、芯片等先进制造产业。在当天的签约仪式上，10个重点项目分两批进行现场签约，总投资额160亿元，达产产值796亿元，其中包括湾区半导体高端设备智造基地。据介绍，湾区半导体高端设备智造基地是先导集团拟在南沙投资建现代化的半导体设备产业园，项目建成后拥有生产各类镀膜沉积设备、磁控溅射设备、离子蚀刻设备及交钥匙工程的综合生产能力。先导集团目前已掌握核心专利和工艺技术，项目产品将拥有100%自主产权，满足半导体产业链国产化替代的需求。广州南沙发布消息指出，目前，南沙正积极促进第三代半导体与新能源汽车产业的融合创新，成立第三代半导体创新中心，形成以晶科电子、芯粤能、爱思威为代表，以联晶智能、芯聚能为龙头的从晶圆生产到芯片设计、封装及应用的第三代半导体全产业链，为将来三千亿级新能源汽车产业集群发展提供“芯”能量。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 28px " 薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，传统的薄膜沉积工艺主要有物理气相沉积（ /span span style=" text-indent: 28px " PVD /span span style=" text-indent: 28px " ）、化学气相沉积（ /span span style=" text-indent: 28px " CVD /span span style=" text-indent: 28px " ）等气相沉积工艺。物理气相沉积 /span span style=" text-indent: 28px " (Physical Vapour Deposition /span span style=" text-indent: 28px " ， /span span style=" text-indent: 28px " PVD) /span span style=" text-indent: 28px " 技术是在真空条件下，采用物理方法，将材料源 /span span style=" text-indent: 28px " —— /span span style=" text-indent: 28px " 固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 /span /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 仪器信息网近期特对一年内的 span PVD /span 设备的中标讯息整理分析，供广大仪器用户参考。 span style=" color: rgb(127, 127, 127) font-size: 14px " （注：本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台，不完全统计分析仅供读者参考。） /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 240px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/a2ad4457-7ade-41a5-b0c8-6b0bfc0f3001.jpg" title=" 1.png" alt=" 1.png" width=" 400" height=" 240" border=" 0" vspace=" 0" / & nbsp & nbsp /span /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 各月中标量占比 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " span 2019 /span 年 span 10 /span 月至 span 2020 /span 年 span 9 /span 月，根据统计数据， span PVD /span 设备的总中标为 span 218 /span 台，涉及金额上亿元。 span 2019 /span 年 span 10 /span 月至 span 12 /span 月，平均中标量约 span 25 /span 台每月。 span 2020 /span 上半年，由于疫情影响， span 1 /span 月至 span 4 /span 月中标市场持续低迷，平均中标量约 span 5 /span 台每月，其中二月份无成交量。随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进， span PVD /span 设备中标市场活力回升，从二月份到七月份中标量不断增长，其中 span 7 /span 月 span PVD /span 中标量达 span 27 /span 台。第三季度的 span PVD /span 设备采购基本恢复正常，平均中标量约 span 24 /span 台每月。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 252px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/98f0aae5-cd0b-4c37-a638-6e07e56be8b6.jpg" title=" 2.png" alt=" 2.png" width=" 400" height=" 252" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 采购单位性质分布 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 从 span PVD /span 设备的招标采购单位来看，高校是采购的主力军，采购量占比高达 span 68% /span ，而企业和科研院所的采购量分别占比 span 12% /span 和 span 19% /span 。值得注意的是，企业和科研院所采购设备的单价较高，集中于高端设备，高校采购低端设备比例略高。企业方面的采购单位主要为电子产业，高校方面的采购单位以大学为主。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 265px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/16cf7cf8-1078-4811-92cb-06cb57740068.jpg" title=" 3.png" alt=" 3.png" width=" 400" height=" 265" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 招标单位地区分布 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 本次盘点，招标单位地区分布共涉及 span 25 /span 个省份、自治区及直辖市。广东、北京、浙江、江苏和湖北为 span PVD /span 设备采购排名前 span 5 /span 的地区，其中广东的采购量最大，达 span 32 /span 台。在这些地区中，上海、浙江和江苏的 span PVD /span 设备采购以高校为主力，北京以科研院所和高校采购为主力，只有湖北以企业采购为主。这主要是因为湖北武汉聚集了国内一批半导体企业，如武汉天马微电子有限公司和湖北长江新型显示产业创新中心有限公司，致力于打造“中国光谷”。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 233px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/35dfbb36-d83c-4bcf-894d-3a587cdd8da8.jpg" title=" 4.png" alt=" 4.png" width=" 400" height=" 233" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 不同类型 span PVD /span 设备占比 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " span PVD /span 设备种类繁多，包含了磁控溅射、蒸发镀膜、真空镀膜等类型。根据搜集到的中标数据可知，磁控溅射占据了中标 span PVD /span 设备的主流、高达 span 72% /span 的 span PVD /span 设备采购为磁控溅射。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪 span 70 /span 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。 /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 本次 span PVD /span 设备中标盘点，涉及品牌有泰科诺、 span Kurt J. Lesker /span 、创世威纳、 span Moorfield /span 、 span Leica /span 、合肥科晶、 span VEECO Instruments Inc. /span 、 span Teer Coatings Ltd. /span 、 span QUORUM /span 、 span style=" font-size:15px" Syskey /span span style=" font-size:15px" 、 span Applied Materials ,lnc. /span 、 span ULVACInc /span 、株式会社昭和真空 /span 等。 /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有： /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/08db5967-4529-4f60-88a7-518f97a384c8.jpg" title=" 5.jpg" alt=" 5.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/sh102205/C242800.htm" span style=" font-size:15px" span 三靶射频磁控溅射镀膜仪 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 这是一款小型台式 span 3 /span 靶等离子溅射仪 span ( /span 射频磁控型 span ) /span ，配有三个 span 1 /span 英寸的磁控等离子溅射头和射频（ span RF /span ）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。这款 span 1 /span 英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度。 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/c7c1521d-c5b9-4668-b178-66ac2ce7cd98.jpg" title=" 6.jpg" alt=" 6.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/sh101374/C191053.htm" span style=" font-size:15px" span 双靶磁控溅射仪 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" & nbsp /span span style=" font-size: 15px " 双靶磁控溅射仪是沈阳科晶自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。 /span span style=" font-size: 15px " VTC-600-2HD /span span style=" font-size: 15px " 双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪，一个弱磁靶用于非导电材料的溅射镀膜，一个强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。 /span /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2ed2b9b6-bb58-4779-ab5e-aa97cdaaaa2b.jpg" title=" 7.jpg" alt=" 7.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104149/C283599.htm" span style=" font-size:15px" span 科特莱思科热阻蒸发镀膜系统 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 这款仪器由预真空进样室（可选）前开门蒸发腔体、冷凝泵和干泵、多个热阻蒸发源或 span OLED /span 低温蒸发源、 span 6” /span 基片、基片旋转、基片偏压（可选）、离子源清洗基片（可选）、基片加热 span 1000 /span 度 span ( /span 可选 span ) /span 等部分构成。晶振沉积速率及膜厚控制可选择系统手动或自动控制等方式，能够沉积金属、半导体和绝缘材料，还可沉积多层膜及合金薄膜。 /span span style=" font-size: 15px " & nbsp /span /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 点击此处进入 /span span a href=" https://www.instrument.com.cn/list/sort/241.shtml" span style=" font-size:15px" span 【 span 半导体行业专用仪器 span 】 /span /span /span /span /a /span span style=" font-size:15px" 专场，获取更多产品信息。 /span /p p style=" text-indent: 29px text-align: center " span style=" font-size:15px" 更多资讯请扫描下方二维码，关注【材料说】 /span /p p style=" text-indent: 28px text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2a630f7c-a2f9-4376-bd8c-911592840aa9.jpg" title=" 材料说.jpg" alt=" 材料说.jpg" / /p

7月4日，天津市发展和改革委员会发布了《关于天津工业大学一流学科群平台和高能级研发创新平台设备更新项目可行性研究报告的批复》。经委托天津国际工程咨询集团有限公司组织专家评审，原则同意该项目可行性研究报告，项目建设主体为天津工业大学，项目代码：2405-120000-89-03-702469。该项目位于天津市西青区宾水西道399号天津工业大学现址内。主要建设内容及规模：主要购置设备280台（套），主要为非织造智能工厂平台模拟系统等；替换原有老旧设备279台（套），主要为复合纺丝机、真空镀膜机、半导体及光学薄膜制备系统等设备（购置设备清单详见附件）。总投资金额为41587万元，通过申请中央资金和学校自筹等多种渠道解决。附件天津工业大学一流学科群平台和高能级研发创新平台设备更新项目设备清单表序号仪器设备名称数量（台/套）1柔性薄膜制备系统12天然木质素染料提取浓缩干燥专用设备13连续长丝3D成型系统14计算机基础教学与创新实验平台15图形图像实训系统设备16人工智能计算平台17人工智能实训与创新平台18纳米纤维智造平台19CAD/CAM数字化智能教学实训系统110户外功能性服装智能缝制系统111多通道超声波细胞粉碎机系统112超大隔距双针床经编机113柔性电极印刷系统114软包电池产线系统115生理参数模拟人台系统116呼吸综合模拟系统117纺织服装数智化实验教学系统118双面无缝成形针织小样机119染料-助剂-纤维界面作用与影响实验教学套装120转移印花与数码印花实验教学套装121熔喷纳微纤维水刺复合实验线122溶液喷射/微射流纳微纤维实验机123非织造成网固网系统124立式熔喷机125针织经纬编衬纱编织机126多功能全成型电脑横机127静电可调针织钩编系统128数字化小样纺纱精梳系统129环锭纺细纱自动接头机130单面高速提花无缝针织内衣机131双面全成形经编机132红外摄像机133紫外-可见-近红外分光光度计134多功能生物3D打印机135高真空电阻蒸发镀膜机136多结构复合纤维熔融纺丝实验线137动态纸页成型器138非织造智能工厂平台模拟系统139功能性纳米颗粒修饰改性微纳米纤维的制备体系140材料微纳米结构激光加工设备141超薄切片机142复合材料老化机组143纺织装备系列仿真软件144高精度视线交互系统145纺织关键工况物理模拟系统146数字工程师培训考核平台247二维材料制备系统148高真空多靶磁控溅射系统149HVPE沉积机台150服务器151电输运与磁致伸缩测量系统152布里奇曼定向凝固炉153高真空单辊旋淬及喷铸与电弧熔炼及吸铸系统154雾化气相外延沉积机台155物理气相沉积机台156晶圆表面修整抛光机157晶圆键合机158晶圆清洗湿法刻蚀机159虚拟仪器项目式实践与机器视觉平台160信号与系统综合实验平台161数据通信实验平台262软件无线电创新平台163光纤通信技术综合实验系统164大载重多功能无人机与四轴消防无人机系统165多旋翼搜救与测绘无人机群166多用途垂直起降固定翼无人机467大负载长续航物流运输无人机468智能双轴机械手缆控无人潜航器169无人机应急指挥调度平台170机载通信装备171无人系统教学仿真系统172共直流母线变频电源173电机结构虚拟化开发平台174高性能电机控制系统快速原型开发平台175现代电机系统教学实验平台176DSP教学实验平台177超声金属电极键合机178高频变压器179功率半导体器件互连烧结机180综合展示系列设备181多功能五合一绣花机182SLA系列光固化打印机183视觉成像系统184服装数字化教学系统185服装智能制造教学系统186服装综合性教学系统187微机原理实验平台188电路实验平台189电工学电子技术实验平台190电工学电工技术实验平台191实验教学数字化平台192电工电子多功能实训平台193电子类竞赛综合实训平台194数控车铣实验平台195纺织智能制造成品码垛实训平台196数字化设计与制造实训教学平台197非遗工艺创新-非金属激光加工系统198多材料金属3D成型机199激光钣焊成型系统1100数控加工智能制造生产线1101机器人创新实训平台1102传统机械加工实训平台1103精密铸造实训平台1104智能制造产线孪生教学系统1105虚拟现实元宇宙教学系统1106面向实验室安全监测的智能巡检机器人1107陶瓷粉末快速成型机1108高温连续碳纤维3D成型设备1109全彩树脂3D成型机1110高分子材料烧结快速成型机111110激光器超大SLA3D成型机1112金属激光加工系统1113教学（外语）视听设备及数据存储设备1114数字经贸融合创新教学平台1115数智化企业仿真创新教学平台1116金融科技智能融合创新教学平台1117交互式教学平台12118外语教学系统7119数字人系统8120工作站软件3121桌面工厂（设计版）4122化工原理及专业实验平台1123化工过程实训平台1124人工智能数学大模型平台11256寸半自动光刻机2126光刻预制处理实验平台1127高性能工作站11281940nm光纤激光器1129多工位有机无机蒸发镀膜系统11301910nm光纤激光器1131拉曼光纤激光器2132通用人工智能大模型训练设备4133手眼耳脑具身智能机器人集群系统1134人工智能专业课程实践平台1135医学大数据处理平台1136医工融合新工科创新育人平台1137高性能超精密航空航天金属构件复合加工平台1138高精度空天集群博弈位姿定位系统1139航空发动机燃烧室流场重构-燃烧诊断系统1140GPU服务器2141三维扫描建模系统1142惯性三维运动捕捉系统1143AIoT实验实训系统5144智能网联车实验平台1145深度学习开发平台1146智能复合机器人2147面向工业智能应用的算力租户科研服务平台1148高性能AI算力云资源管理平台1149生物制药实践教学平台1150药物制剂与新释药技术教学平台1151核心路由器2152核心交换机5153智能空间管理系统1154视觉管理设备4155视觉借还设备1156智慧管理服务平台1157AI学科馆员与咨询设备1158复合材料高压成型系统1159智能缝合系统11603D多层织物织造系统1161高性能碳纤维超薄织物织造系统1162复合材料连续纤维3D打印设备1163复合材料特种热压机1164碳碳复合材料制备系统1165磁控溅射镀膜系统（Magnetronsputteringdepositionsystem）1166飞秒激光器（Femtosecondlaser）1167台式超速离心机1168氮化物分子束外延生长系统1169紫外激光晶圆划片机1170科研通风设备1171能量转换设备8172能量转换设备20173电驱动离心式冷热高效交换机组2174大型双曲线横流自然通风水冷冷却器5175一体化高效节能冷温水传递系统18176冷冻水式高效组合空气换热处理设备机组1合计280

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

反射高能电子衍射仪（Reflection High-Energy Electron Diffraction）是观察晶体生长最重要的实时 监测工具。它可以通过非常小的掠射角将能量为10～30KeV的单能电子掠射到晶体表面，通过衍射斑 点获得薄膜厚度，组分以及晶体生长机制等重要信息。因此反射高能电子衍射仪已成为MBE系统中 监测薄膜表面形貌的一种标准化技术。 　　R-DEC公司生产的反射式高能电子衍射仪，以便于操作者使用的人性化设计，稳定性和耐久性以 及拥有高亮度的衍射斑点等特长得到日本国内及海外各研究机构的一致好评和认可。 特长 ◆可远程控制调节电压，束流强度，聚焦位置以及光束偏转 ◆带有安全闭锁装置 ◆镍铁高导磁合金磁屏蔽罩 ◆拥有高亮度衍射斑点 ◆电子枪内表面经特殊处理，能实现极低放气率 ◆经久耐用，稳定可靠 ◆符合欧盟RoHS指令 　　低电流反射高能电子衍射仪（Low Emission Reflection High-Energy Electron Diffraction）是利用微通道板技 术，大幅减少对样品损伤的同时，并且保证明亮反射电子衍射图像的新一代低电流反射高能电子衍射仪。可以用于有机薄膜材料等结晶结构的分析研究。 特长 ◆大幅度减少电子束对样品的损伤 （相当于普通RHEED的1/500-1/2800） ◆带有安全闭锁装置 ◆搭载高亮度微通道板荧光屏 ◆可搭载差动抽气系统 ◆kSA400 RHEED分析系统兼容 ◆符合欧盟RoHS指令

HEPS最后一台二极磁铁就位。中国科学院高能物理研究所供图中国科学报讯（记者倪思洁）12月11日，国家重大科技基础设施项目高能同步辐射光源（HEPS）加速器储存环最后一台磁铁就位，标志着HEPS储存环主体设备安装闭环。HEPS储存环为超低发射度电子环形加速器，束流轨道周长约1360.4米，是世界上第三大光源加速器、国内第一大加速器，环内面积约合20余个足球场大小，用于储存高能高品质电子束，同时产生同步辐射光。今年2月初，储存环启动隧道设备安装，安装团队历经10个月完成全环288个预准直单元、240台弯转二极磁铁、288个基座等主体设备安装，实现主体设备安装闭环。HEPS工程总指挥潘卫民指出，作为我国首台第四代同步辐射装置的核心组成部分，储存环是HEPS规模最大、研制精度最高、难度成分最多的部分，由48个改进型混合7弯铁消色散（7BA）磁聚焦结构周期组成，每个周期长度约28米，包含37台磁铁和支架等主体硬件设备，其中，超高梯度四极磁铁、电源数字控制器和高精度电流传感器、高稳定性磁铁支撑等设备均达到国际先进水平。HEPS总工艺师林国平说，为了保证精度和效率，各系统设备完成加工测试后，在实验室完成预准直单元组装，实现预准直单元支架上磁铁的就位精度优于30微米后，方可运往储存环隧道进行安装。根据单元磁铁数不同，各预准直单元重约1.7吨至8.5吨，面对设备重、隧道设备密集、不能影响预准直精度等难点，安装团队提前设计定制专用吊臂车和工装，组织工艺安装实验，优化运输方案，检查设备接口、安装与操作空间，最终确认批量安装方案，为高效推进储存环隧道安装奠定基础。HEPS是国家发展改革委批复立项、由中国科学院高能物理研究所承担建设的国家重大科技基础设施，是北京怀柔科学城的核心装置。HEPS建成后，将成为我国首台高能量同步辐射光源，也是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，可以发射比太阳亮1万亿倍的光，有助于更深层次地解析物质微观结构和演化机制，为提升我国国家发展战略与前沿基础科学技术领域的原始创新能力提供高科技研究平台。HEPS自2019年6月启动建设以来，已完成直线加速器、增强器出束，储存环磁铁、机械、电源、预准直系统率先完成全部研制任务，真空、束控、注入引出、高频、低温等设备和光束线站批量加工测试工作正在紧张推进中，预计将于2024年发射第一束光。原标题：高能同步辐射光源储存环主体设备安装闭环

作者：朱汉斌 张玮 来源：中国科学报11月12日，由中国科学院高能物理研究所（以下简称高能所）与中山大学共建的高能非弹性中子散射谱仪（以下简称高能非弹谱仪）在中国散裂中子源园区揭牌。这是中国散裂中子源首台非弹性散射类型谱仪，也是国内首台中高能非弹性中子散射谱仪，填补了我国百meV以上中高能非弹性中子散射的空白。记者获悉，高能非弹谱仪是中国散裂中子源建设的八台合作谱仪之一。自2019年9月开始，建设团队攻克了一系列关键技术，克服了疫情等重重困难，最终于今年1月12日成功产出第一束中子，标志着谱仪设备研制与安装的成功，开始进入调试阶段。非弹性中子散射谱仪既可获得散射中子的空间分布信息，同时也可获取散射中子的能量变化，可以在动量与能量空间测量物质微观结构的动力学行为，是研究材料元激发（如晶格、自旋动力学）最直接的工具。中国散裂中子源根据元激发的能量尺度和能量分辨的需求，规划了三台直接几何非弹性中子散射谱仪。“此次揭牌标志着双方合作取得又一代表性成果。”中国科学院院士、高能所所长王贻芳在致辞时表示，高能所和中山大学有悠久的合作历史和良好的合作基础，高能所在粤的三个重大设施的建设都有中山大学的贡献，双方于2017年底签署了《战略合作协议》，高能非弹谱仪的建设是协议重点内容之一。中国科学院院士、中山大学校长高松致辞时表示，中山大学和高能所将以高能非弹谱仪建设合作为契机，在科学研究、人才培养等方面继续深入合作，共同为粤港澳大湾区建设和国家科学技术发展做出更大贡献。同时期待高能非弹谱仪开放运行后，坚持面向世界科技前沿和国家战略需求，主动服务粤港澳大湾区，积极推动我国中子科学与技术发展。“高能非弹谱仪将为高温超导物理机制、量子磁性作用机制、热电材料输运性质、电池中离子扩散机制、以及生物材料活性等前沿基础研究工作提供晶格热振动、自旋波、晶体场等关键微观结构动力学信息，从而为相关材料的性能提高与新材料开发提供重要的基础支撑。”高能非弹谱仪首席科学家、中国散裂中子源学术委员会主任童欣表示。据介绍，本次建成的高能非弹谱仪的入射中子能量为10-1500 meV，最佳能量分辨率3%，提供1.5-800K高低温环境和7T磁场环境，利用费米斩波器和带宽斩波器协同工作，可实现多波长模式和单波长模式的快速切换。

图为高能直接几何非弹性中子散射飞行时间谱仪。（中山大学供图）中山大学与散裂中子源科学中心合作建设的高能直接几何非弹性中子散射飞行时间谱仪（以下简称“高能非弹谱仪”）于11月12日揭牌，预计明年正式投入使用。这是我国首台非弹性中子散射飞行时间谱仪，填补了我国高能非弹性中子散射领域的空白，主要性能指标达到国际先进水平。中子散射谱仪是一种能深入研究材料内部结构和运动等性质的测量仪器。用特定速度的中子轰击样品，能够在了解材料微观结构和关联强度的基础上反映其特性，为物理、化学、材料、力学和交叉学科研究提供有力支撑。中山大学物理学院中子科学与技术中心主任、教授王猛介绍，高能非弹谱仪正式投入使用后，团队可以利用中子谱仪观察镍氧化物的磁激发谱，获取磁性、自旋动力学等数据，助力高温超导的机理研究。2021年和2022年，高能非弹谱仪共获批专项博士研究生指标15名，面向谱仪的学科发展设置，采取双导师制，由中山大学物理学院的教授和散裂中子源的导师共同指导。高能非弹谱仪将为中子谱仪研究领域培养青年人才提供平台。中国科学院院士、中山大学校长高松表示，谱仪开放运行后，将坚持面向世界科技前沿和国家战略需求，主动服务粤港澳大湾区，积极推动我国中子科学与技术发展。

近年来，随着量子材料研究的兴起对薄膜制备方法的需求更加的多样化，而传统的薄膜制备设备往往只有一种薄膜制备功能，制备一个样品就需要先后在不同的设备中进行操作，并且容易对样品的性质造成破坏，也需要更多的科研经费投入。英国Moorfield Nanotechnology公司立足于多种成熟的薄膜制备设备，并长期收集用户的需求并对产品线进行不断的优化丰富，以满足各种个性化的实验需求。针对目前日趋多样化的需求，Moorfield Nanotechnology公司全新推出了台式高精度溅射与热蒸发系统——nanoPVD ST15A。该系统可以集成金属/绝缘体溅射、金属热蒸发、有机物蒸发功能，在同一台设备中可以实现多种制备手段的组合，将薄膜制备带入了新的高度。有别于传统台式系统仅用于制备电极等简单用途，nanoPVD ST15A系统是真正的学术研究级设备，可以制备多种高质量的薄膜样品。体统通过7英寸触摸屏控制，自动化程度高，各种制备方式可以自由切换。用户可以通过灵活的制备手段在在同一台设备中制备不同的薄膜或者是复合薄膜。nanoPVD ST15A外观图设备技术特点☛ 台式设备配置灵活☛ 磁控溅射、热蒸发、有机物蒸发☛ 三种制备手段可灵活组合☛ 可制备金属、有机物、电介质薄膜☛ 多达3个流量计控制过程气体☛ 高精度自动气压控制选件☛ 全自动触屏操作系统☛ 基片大至4英寸☛ 可选基片加热☛ 本底真空左：nanoPVD ST15A 双蒸发源与磁控溅射组合，右：系统的样品台与挡板 背景介绍Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立25年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。Moorfield公司近十年来与曼彻斯特大学诺奖技术团队紧密合作，推出的台式高精度薄膜制备与加工系列产品由于其体积小巧、性能优异、易于操作更是受到很多科研单位的赞誉。这些设备已经进入了欧洲多所科研院所的实验室，诸如曼彻斯特大学、剑桥大学、帝国理工学院、诺森比亚大学、巴斯大学、埃克塞特大学、伦敦玛丽女王大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学、西班牙光子科学研究所、英国国家物理实验室等单位都是Moorfield Nanotechnology的用户和长期合作者。诸多的用户与合作者让产品的性能和设计理念得到了高速发展，并迈入全球化的进程。Quantum Design中国子公司与Moorfield Nanotechnology正式合作，作为中国的代理和战略合作伙伴，为中国用户提供高性能的设备与优质的服务。除了台式设备之外我们还提供多种大型设备和定制服务。目前国内已有包括清华大学、西湖大学、大连理工大学、广东工业大学、中科院等多个单位采购了不同型号的Moorfield高性能薄膜制备与加工设备。

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这里是北京雁栖湖畔的怀柔科学城。群山环绕中，一个圆环状的大科学装置静静矗立其间。它是被公众亲切地称为“放大镜”的高能同步辐射光源（High Energy Photon Source，简称HEPS）。提起光源，你的脑海中会浮现出灯泡的画面吧，于是把HEPS想象成一个“大型灯泡”。其实不然。这里的“高能”可不是“前方高能”里的那个“高能”，而是指物理学中探索微观世界物质探针所具有的高能量。据HEPS工程总指挥潘卫民研究员介绍，从高空俯瞰，HEPS整体建筑形似一个放大镜，设计寓意为“探索微观世界的利器”。“通俗地讲，你可以把HEPS视为一个具有超精密、超快、超穿透能力的巨型X光机。”潘卫民说。作为国家“十三五”重大科技基础设施，HEPS由加速器、光束线站及配套设施等组成，总建筑面积约12.5万平方米。周长约1.5千米的主体环形建筑，如同放大镜的镜框，里面安装有储存环加速器、光学元件、衍射仪等科学仪器。其中的储存环里，分布着2400多块磁铁及各类高精尖设备。“同步辐射是指接近光速的带电粒子在做曲线运动时沿切线方向发出的电磁辐射，也叫作同步光。为了研究材料内部结构与变化的过程，科研人员需要借助强力的科研装置进行探测解析。”中科院高能物理研究所副所长、HEPS工程常务副总指挥董宇辉研究员说，作为研究物质内部结构的平台，HEPS能对物质内部进行多维度扫描，“HEPS运行的首要目标，就是提供高能、高亮度的硬X射线。”产生X射线的常见方式有两种：一是用加速后的电子轰击金属靶，产生X射线；二是在同步辐射装置中，当电子以接近光速的速度“飞行”时，会在磁场作用下发生曲线运动，沿着弯转轨道切线方向发射连续的电磁辐射。“这就像下雨时，我们快速转动雨伞，沿着雨伞边缘的切线方向会飞出一簇簇水珠。”董宇辉说，与常规X射线相比，同步辐射光源产生的同步辐射光频谱更宽、亮度更高、相干性和准直性更好。同步辐射光源根据加速器中电子的能量，可以分为低、中、高三种，各有侧重。董宇辉介绍，HEPS侧重于对微观结构及演变的多维度、实时、原位表征，可用于航空发动机单晶叶片等工程材料结构的多维度表征和1微米量级蛋白质分子结构演变表征等。“作为探测物质结构的探针，X射线的光源亮度是最为关键的指标——更高的亮度能将物质内部的微观结构‘看’得更清楚。因此，获得更高亮度的X射线源一直是科学家孜孜以求的目标。”多年来，我国持续发展同步辐射光源，有力支撑了国内基础科学的发展。但我国目前所拥有的同步辐射装置均处于中、低能区，能区地域分布、光谱亮度等还满足不了经济发展和国家战略需求。建设更高亮度的第四代高能同步辐射光源，成为潘卫民、董宇辉等我国当代“追光人”的一大愿望。2008年，HEPS科研团队就开始对我国建设HEPS的必要性和可行性进行论证。此后经过近十年攻关，科研人员成功完成关键技术攻关和样机研制任务，具备了建设先进高能同步辐射光源的能力。2019年6月，HEPS开工启动，建设周期6.5年，预计将于2025年12月底竣工。建成后，它将在材料科学、化学工程、能源环境、生物医学、航空航天等众多领域大显身手。2021年6月28日，HEPS首套科研设备——电子枪（直线加速器端头，即加速电子产生的源头）安装完成，标志着HEPS工程正式进入设备安装阶段。目前，HEPS各建筑单体已陆续交付设备安装。可以预见，3年后，全球“最亮”的光源将照亮微观世界物质的结构奥秘。（光明日报记者 张亚雄）HEPS效果图（人视图）HEPS效果图（白天）HEPS存储环周期单元mockup模型（HEPS-TF项目支持）

8月18日，湖北省发展和改革委员会发布了《关于三峡大学人才创新培养重点实验室重大科研设备购置项目可行性研究报告的批复》。该项目估算总投资29451.92万元，主要用于重大教学科研仪器设备购置，资金来源为除申请中央投资外，其余由学校自筹解决。项目的建设内容为淘汰教学科研设备共计128台(套)，其中分析测试中心设备15台(套)、材料与化工学院设备21台(套)、水利与环境学院设备17台(套)、土木与建筑学院设备19台(套)、机械与动力学院设备5台(套)、电气与新能源学院设备17台(套)、创新创业学院设备13台(套)、理学院设备4台(套)、计算机与信息学院设备2台(套)、生物与制药学院设备15台(套)；更新购置教学科研设备共计74台(套)，其中分析测试中心设备13台(套)、材料与化工学院设备8台(套)、水利与环境学院设备17台(套)、土木与建筑学院设备10台(套)、机械与动力学院设备4台(套)、电气与新能源学院设备12台(套)、创新创业学院设备2台(套)、理学院设备4台(套)、计算机与信息学院设备2台(套)、生物与制药学院设备2台(套)。（文末附仪器设备清单）全文详情如下：一、建设地址宜昌市大学路8号三峡大学生物制药与材料化工教学实验中心楼、机械楼、实验室大楼、水科学与工程楼、水电楼、地学楼、土木与建筑学院结构与材料试验大楼、电气科学楼、仿真楼、理科楼、计算机与信息学院大楼、工程训练中心、东苑试验场结构大厅、水文物理过程实验室等。二、建设内容淘汰教学科研设备共计128台(套)，其中分析测试中心设备15台(套)、材料与化工学院设备21台(套)、水利与环境学院设备17台(套)、土木与建筑学院设备19台(套)、机械与动力学院设备5台(套)、电气与新能源学院设备17台(套)、创新创业学院设备13台(套)、理学院设备4台(套)、计算机与信息学院设备2台(套)、生物与制药学院设备15台(套)；更新购置教学科研设备共计74台(套)，其中分析测试中心设备13台(套)、材料与化工学院设备8台(套)、水利与环境学院设备17台(套)、土木与建筑学院设备10台(套)、机械与动力学院设备4台(套)、电气与新能源学院设备12台(套)、创新创业学院设备2台(套)、理学院设备4台(套)、计算机与信息学院设备2台(套)、生物与制药学院设备2台(套)。三、投资估算及资金来源项目估算总投资29451.92万元，主要用于重大教学科研仪器设备购置，资金来源为除申请中央投资外，其余由学校自筹解决。请项目单位接此批复后，抓紧完备相关手续，严格按照批复确定的建设内容、投资估算以及国家投资管理相关要求，确保项目依法依规建设，争取早日建成发挥政府投资效益。附重大科研仪器设备清单表项目名称：三峡大学人才创新培养重点实验室重大科研设备购置项目序号设备(仪器)名称单位数量单价(万元)总价(万元)一分析测试中心1313222.001综合物理性能测试系统台(套)1580.00580.002液质联用高分辨质谱仪台(套)1420.00420.003气相色谱质谱联用仪台(套)1130.00130.004场发射扫描电子显微镜台(套)1420.00420.005力学性能综合测试系统台(套)1916.00916.006流式细胞仪台(套)1280.00280.007电子探针显微分析仪台(套)1605.00605.008单晶衍射仪台(套)1400.00400.009双球差校正场发射透射电子显微镜台(套)13030.003030.0010飞行时间质谱仪台(套)1404.00404.0011聚焦离子/电子双束电镜台(套)1835.00835.0012圆二色谱仪台(套)1202.00202.0013冷冻透射电子显微镜台(套)15000.005000.00二材料与化工学院82094.551小型高能直流磁控溅射仪PVD台(套)1150.50150.502多站重量法气体蒸气吸附仪台(套)1100.00100.003化工工艺智能制造教学集成装备台(套)1331.70331.704连续流反应器及在光学监测装置台(套)1202.45202.455超快光谱综合测试系统台(套)1696.00696.006多组分吸附穿透曲线分析仪台(套)1105.00105.007表界面分子结构表征系统台(套)1389.90389.908钙钛矿电池狭缝镀膜机系统台(套)1119.00119.00三水利与环境学院174876.761液态水和水汽同位素分析仪台(套)1185.00185.002可逆式水轮发电机组台(套)1210.00210.003微液滴反应质谱仪台(套)1112.00112.004高真空原位红外测定仪台(套)1195.16195.165热重质谱联用系统台(套)1101.00101.006水下超声波标记定位系统台(套)1300.00300.007全自动监测测量无人系统台(套)1440.00440.008鲸豚类扡曳阵探测系统台(套)1260.00260.009水生态立体实验系统台(套)11560.001560.0010全自动间断化学分析仪台(套)1110.80110.8011背负式移动三维激光扫描系统台(套)1155.00155.0012无人机激光雷达系统台(套)1150.80150.8013膜进样质谱仪台(套)1150.00150.0014水质净化装置台(套)1195.00195.0015风光水储荷多能物联数字化平台台(套)1410.00410.0016风光一体化系统台(套)1240.00240.0017提水泵站台(套)1102.00102.00四土木与建筑学院103171.671特殊土资源化利用综合测试系统台(套)1325.80325.802极端深地环境多场耦合岩石真三轴试验系统台(套)1499.95499.9533D微米或纳米计算机断层扫描和数字射线成像系统台(套)1805.00805.004核磁共振地下水探测仪台(套)1111.10111.105地基合成孔径雷达台(套)1136.35136.356三维激光扫描仪台(套)1135.00135.00732通道声发射系统台(套)1146.45146.458反力墙系统台(套)1355.52355.529不排水高速动态环剪实验系统台(套)1464.60464.6010动静万能试验机台(套)1191.90191.90五机械与动力学院4891.101比饱和磁化强度测定仪台(套)1129.00129.002高精摩擦磨损试验机台(套)1212.10212.103离子束刻蚀系统台(套)1400.00400.004激光选区熔化SLM金属3D打印机台(套)1150.00150.00六电气与新能源学院121562.501智慧能源装备及运行大数据仿真系统台(套)1250.00250.002实时数字仿真平台台(套)1121.20121.203电力系统分析综合程序台(套)1113.10113.104电力系统分析软件工具台(套)1106.05106.055电力系统全数字实时仿真装置台(套)1131.30131.306阻抗分析平台台(套)1108.07108.077自动化机电建模系统台(套)1100.50100.508新能源机组参数辨识平台台(套)1118.17118.179智能中压馈线自动化子系统台(套)1104.03104.0310电能路由器分布式源荷柔性互济系统台(套)1109.08109.0811多通道数据同步采集系统台(套)1109.10109.10

作者：倪思洁 来源：中国科学报11月17日，国家重大科技基础设施高能同步辐射光源（HEPS）增强器成功实现电子束升能加速。现场测试专家认为，增强器各项关键指标全部优于设计指标，总体性能达到同类装置国际先进水平。增强器成功升能加速，表明增强器已为给储存环提供高质量电子束、增强器多模式运行等做好充分准备。这是HEPS加速器建设的又一重要里程碑。作为HEPS第二个出束的加速器，增强器全环周长约为454米，由四个超周期对称结构组成。“HEPS增强器是储存环的满能量注入器，有注入、升能、回注、累积和引出等工作阶段，主要负责将电子束流从500兆电子伏特加速到6000兆电子伏特，为储存环提供高品质的电子束。”HEPS调束负责人焦毅说。HEPS工程总指挥潘卫民表示，增强器涉及磁铁、电源、真空、注入引出、高频、束测等多个系统，安装过程中，各系统密切配合，紧密衔接，为增强器系统联调、束流调试打下了良好的基础。据悉，去年10月18日，增强器的磁铁隧道安装完成。今年1月13日，增强器全线真空连接完成，实现全线贯通；7月25日，增强器正式启动束流调试工作。经过多轮联合调试和无束流运行后，8月9日增强器束流能量达到6000兆电子伏特；11月17日，增强器束流能量达到6000兆电子伏特，电荷量达到5纳库以上。HEPS是由国家发展改革委批复立项，中国科学院、北京市共建怀柔科学城的核心装置，中国科学院高能物理研究所承担建设，自2019年6月启动建设，建设周期6.5年。2025年建成后，它将是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，也将是中国第一台高能量同步辐射光源，将和我国现有的光源形成能区互补，面向航空航天、能源环境、生命医药等领域用户开放。测试验收会由HEPS工程指挥部组织，詹文龙、陈森玉、王贻芳、陈和生、封东来、夏佳文、赵红卫、邓建军等院士及专家出席。2023年1月13日，增强器全线贯通。中国科学院高能物理研究所供图

中国新建于北京怀柔科学城的大科学装置——高能同步辐射光源(HEPS)28日正式安装首台科研设备电子枪，为其提供技术研发与测试支撑能力的先进光源技术研发与测试平台(PAPS)，当天也在科学城同步转入试运行。　　高能同步辐射光源由中国科学院高能物理研究所(中科院高能所)承担建设，是中国“十三五”重大科技基础设施项目之一，建成后将成为中国第一台高能量同步辐射光源、世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，为基础科学和工程科学等领域原创性、突破性创新研究提供重要支撑平台。　　中科院高能所表示，高能同步辐射光源首台科研设备安装标志着该工程正式进入设备安装阶段，首台安装的加速器设备电子枪，位于高能同步辐射光源直线加速器端头，是加速电子产生的源头，采用全国产技术，自主设计、国内加工。　　电子枪由枪体、陶瓷桶、防晕环、阴栅组件四大部件构成，其中阴栅组件是电子枪的关键“卡脖子”部件。中科院高能所提前布局，通过多年技术攻关，克服诸多困难，解决了阴极发射以及微米级栅网编制、变形和焊接等难题，基本实现了阴栅组件的国产化。　　高能同步辐射光源也是中科院、北京市共建的怀柔科学城核心装置，由国家发展改革委立项支持并于2019年6月开工建设，建设周期6.5年。截至2021年6月底，其建安工程约完成总工程量的70%，磁铁、电源等设备完成样机试制，进入批量加工阶段，束流位置测量电子学、像素阵列探测器研制取得阶段性进展。预计2022年初，各建筑单体全部交付使用，高能同步辐射光源将全面转入设备安装阶段。　　当日，作为第一个通过工艺验收、转入试运行的北京市首批交叉研究平台项目，先进光源技术研发与测试平台同步启动试运行，其超导高频及低温、精密磁铁测量、X射线光学检测等设备开机运转。这既为高能同步辐射光源建设测试和技术研发提供更好支撑，也将为后续其他平台验收起到很好带头作用，标志着北京怀柔综合性国家科学中心已由建设为主转向建设与运行并重的关键阶段。　　先进光源技术研发与测试平台由北京市发展改革委立项支持，项目位于高能同步辐射光源对面。该项目创新采取中科院高能所、怀柔科学城公司“双主体”建设模式，开展前瞻性和系统性的研究，解决高能同步辐射光源建设所需的超导高频及低温、精密磁铁测量、探测器技术研发测试、X射线光学检测等一系列关键技术，为先进光源建设、运行及后续发展提供有力的技术支撑。　　先进光源技术研发与测试平台于2017年5月启动建设，建设周期4年，本月中旬已顺利通过工艺测试验收，高质量实现项目建设目标。目前，先进光源技术研发与测试平台已取得多项成果，尤其是在1.3G赫兹(Hz)9腔室超导腔研制方面达到国际领先水平。　　据了解，高能同步辐射光源、先进光源技术研发与测试平台等所在的北京怀柔科学城，当前正全力推进科学设施建设运行，不断推动综合性国家科学中心建设取得新突破，“十三五”时期布局的29个科学设施平台已全部开工，科技创新的集聚效应和溢出效应正持续显现。

仪器是科学创新的重要基础和条件，科学发现不仅仅需要理论创新，还需要依靠仪器进行实验观察和检测。中科院宁波材料所，作为新材料及相关领域的重要研究基地和技术提供者，至2021年12月底，共承担了各类科研项目5300多项，累计发表论文7200多篇，累计申请专利近5200件，授权专利近2700件，这一系列成果的取得离不开仪器的支持。为进一步开展科研，中科院宁波材料所于近日公布了一批仪器类政府采购意向，采购项目涉及高温凝胶色谱、扫描探针显微镜、核酸质谱分析系统、Micro-CT、核磁共振波谱仪、3D金属打印机等，预算金额相加达1.02亿元，预计采购时间为2022年6-11月。中科院宁波材料所2022年6-11月政府采购意向汇总表序号采购项目预算金额（万元）预计采购日期项目详情1超高真空多靶磁控溅射系统1996月详情链接2高温凝胶色谱1806月详情链接3真空压力浸渍炉一台2156月详情链接4高频矢量网络分析仪2506月详情链接5扫描探针显微镜SPM/AFM1796月详情链接6氧氮氢分析仪1106月详情链接7全电动磁场成型压机1996月详情链接8微束定点离子刻蚀修复系统3646月详情链接9涵道测试大功率直流电源86.36月详情链接10地面综合测试直流电源526月详情链接11涵道风扇测力试验台906月详情链接12三轴转台836月详情链接13无人机测控系统4006月详情链接14AVDIM管理软件656月详情链接15地面综合测试设备3506月详情链接16混合动力综合能源试车台及管理系统60011月详情链接17发动机15011月详情链接18发电机10011月详情链接19电池20011月详情链接20综合控制器10011月详情链接21飞控系统12011月详情链接22组合导航系统6011月详情链接23海水电解10 kW设备20010月详情链接24Power-to-X(P2X)-高通量测试分析系统15010月详情链接25千克级装填量固定床催化加氢装置20010月详情链接26小面积燃料电池评价系统17510月详情链接27全尺寸燃料电池评价系统19210月详情链接28热熔挤压机18510月详情链接29核酸质谱分析系统37010月详情链接30超灵敏蛋白组学检测系统26010月详情链接31Micro-CT32010月详情链接32600MHz（低温）核磁共振波谱仪99010月详情链接33等温滴定微量热仪11510月详情链接34自动化飞秒瞬态吸收光谱仪44610月详情链接35双通道型台式三维原子层沉积系统23410月详情链接36X射线吸收精细结构谱仪36810月详情链接37岱山液态聚碳硅烷工程化装置35010月详情链接38无液氦综合物性测量系统50010月详情链接39互联磁控溅射系统22010月详情链接40X射线机29810月详情链接41中型3D金属打印机40010月详情链接42100L聚酯反应系统10310月详情链接

“高能同步辐射光源的基础设施建设今年会全部完成，同时，设备的部件生产已经完成相当大一部分，正在逐步安装，争取年底完成注入器安装，并开始调试。”两会期间，全国人大代表、中国科学院院士、中科院高能物理所所长王贻芳说道。同步辐射光源被誉为“超级显微镜”，可以利用X射线看清物质内部的结构，是前沿基础科学、工程材料和装备制造等战略高技术不可或缺的手段。“正在建设的高能同步辐射光源由注入器、储存环和光束线站等部分组成。”王贻芳说，可以更清楚地“看到”材料的内部结构，这对材料科学、生命科学、物理、化学、环境、地质等各个学科的发展具有重要作用。那么，与中、低能区的同步辐射光源相比，高能同步辐射光源有什么优势？对此，王贻芳解释道，高能同步辐射光源的能量高，能够“看清”厚重的样品；同时，它的亮度比第三代光源高出两个数量级（百倍）及以上，能够看到很小的样品，看样品所用的时间也比较短。更重要的是，高能同步辐射光源将建设数十条光束线和相应的实验站，可以满足不同用户的需求。“从光束线指标看，它超过了国内所有的同步辐射光源；从设计角度看，它是目前世界上设计指标最高的光源，没有之一。”王贻芳充满自信地说。高能同步辐射光源于2019年6月在北京怀柔科学城开工建设，建设周期6.5年，预计2025年开始试运行。建成后，高能同步辐射光源将成为中国第一台高能量同步辐射光源，也是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，与美国先进光子源、欧洲同步辐射装置、日本SPring-8、德国的PETRA-III一起，构成世界五大高能同步辐射光源。“它将满足国家战略和工业核心创新能力等相关研究对高能量、高亮度X射线的迫切需求，为基础科学和工程科学等领域原创性、突破性创新研究提供重要支撑。”王贻芳强调。“高能同步辐射光源是一个工具、平台，它的目标是可以满足国内相关领域用户的需求。”王贻芳说，根据科学目标，它可以对物质的微观结构进行多维度、实时探测，解析物质结构及其变化的周期和过程，探究材料性能和使用过程中失效的关键因素，解决高温合金材料的制造、加工、服役和修复等环节中一系列复杂问题，还可以解析微米量级的蛋白质晶体结构，解释重要蛋白的功能，推动新药发明等等。王贻芳透露，高能同步辐射光源的设计寿命为30年，建成后还会不断升级改造，预期工作寿命可达50年甚至更长。

6月5日，国家重大科技基础设施高能同步辐射光源（HEPS）直线加速器通过了工程指挥部组织的工艺验收。 HEPS直线加速器是电子的源头和一级加速器，建设团队提前规划，认真组织，基本按计划完成了建设任务。HEPS工程总指挥潘卫民说，为了更好的优化直线加速器束流参数，提高增强器和储存环建设和调束的效率，更好地完成HEPS装置建设任务，工程指挥部加强过程管理，组织直线加速器专项工艺测试和验收。 HEPS直线加速器工艺测试于今年5月18日完成，测试由工程指挥部组织，测试组由来自清华大学、北京大学、中国原子能研究院、中国科学技术大学、中科院上海高等研究院等单位的相关专家组成，经现场讨论和测试，宏脉冲电荷量达到7.29nC，束流能量稳定性为0.014%，形成详细的测试大纲和测试报告。 工艺验收组由詹文龙、陈森玉、陈和生、夏佳文、赵红卫、赵振堂、邓建军、封东来、唐传祥、刘克新、王东、何源等加速器领域的院士及专家构成，验收组听取了HEPS直线加速器负责人李京祎关于直线加速器设计、设备研制、安装、调束等建设情况的汇报，工艺测试组组长陈怀璧工艺测试情况的汇报。经过认真讨论和评议，验收组一致认可工艺测试结果，各项指标全部达到或优于批复的验收指标，总体性能达到同类设备国际先进水平，同意HEPS直线加速器通过工艺验收。 验收组专家认为，HEPS直线加速器团队高质量地完成了建设任务，通过自主创新和集成创新，取得了自主开发上层调束软件平台和面向物理的调束软件、自主研制阴栅组件和基于绝缘栅双极晶体管的大功率固态调制器、内水冷、弧形腔和对称式功率耦合器的高梯度加速结构等系列成果，保证了直线加速器高能量稳定性，提高了加速效率。 工程指挥部成员和相关负责人参加会议。 5月18日工艺测试现场6月5日工艺验收现场6月5日工艺验收现场直线加速器隧道

【科学背景】随着软电子学和可拉伸设备领域的迅速发展，高性能电子器件在实现柔性和可拉伸性方面取得了显著进展。这些技术的推动不仅革新了传统电子学和光电子学，还在生物电子学和能源设备等多个研究领域展示了巨大潜力。然而，现有的制造技术面临着诸多挑战，例如有毒化学品的使用安全问题、昂贵的设备要求、转移过程中薄膜损伤的风险以及高温处理对设备可用性的限制。转移印刷技术允许将在刚性基板上制造的高质量材料转移到柔性或可拉伸的目标基板上。这种方法极大地推动了柔性电子器件的发展，使得可以制造出具有超薄、轻量、机械可变形性和高性能的设备，包括皮肤可穿戴设备、植入式医疗设备以及各种三维形状或可变形的电子器件。然而，传统的转移印刷过程存在一些严重问题。主要问题包括对薄膜材料可能造成化学损伤的湿法蚀刻步骤，以及在微图案化薄膜情况下可能导致的薄膜机械断裂。此外，许多方法虽然被提出来解决这些问题，但仍然面临着实际应用中的限制，如设备复杂性、成本高昂和操作复杂性。为解决上述问题，韩国浦项基础科学研究所Dae-Hyeong Kim & Sangkyu Lee以及釜山大学Ji Hoon Kim等教授携手提出了一种创新的干式转移印刷策略，基于应力控制的方法。他们通过直流磁控溅射技术，在沉积金属双层薄膜时精确控制应力的生成和分布。随后，通过施加机械弯曲变形，额外的拉伸应力被引入到薄膜中，使得薄膜能够可靠地从母基板上释放。这一过程中，薄膜的应变能释放速率被精确控制，超过了薄膜与基板之间的界面韧性，从而有效实现了薄膜的无损干式转移。【科学亮点】（1）实验首次提出了一种无损伤干式转移印刷策略，基于应力控制的金属双层薄膜沉积技术。通过直流磁控溅射技术，在沉积过程中控制金属双层薄膜的应力分布，从而实现了高质量薄膜的制备和转移。（2）实验通过调节溅射参数和施加机械弯曲，成功控制了薄膜内部的应力分布，使得薄膜在施加外向弯曲变形后能够可靠地从母基板上剥离。这一过程中，通过增加总应力，成功实现了薄膜与基板之间的可靠分离，避免了传统湿法蚀刻过程中可能导致的化学损伤和薄膜损伤问题。（3）实验结果表明，这种干式转移印刷策略不仅可以将金属薄膜成功转移至柔性或可拉伸的基板上，还可以应用于高温处理的氧化物薄膜。这为制造二维柔性电子器件和三维多功能体系结构（如流量传感器、离子浓度传感器、温度传感器和薄膜电池）提供了有效的方法和技术支持。【科学图文】图1：基于应力工程，无损伤干式转印的概念。图2. 铂Pt薄膜的应力工程。图3. 各种2D Pt薄膜的转移及其向3D结构的转换。图 4. 具有2D/3D混合结构的集成传感器阵列演示。图 5. 具有转移LiCoO2薄膜的柔性薄膜电池TFB制造。【科学结论】以上文章展示了一种基于应力工程的创新干式转移印刷技术，为制备高质量薄膜提供了重要价值。通过精确调控直流磁控溅射参数，实现了双层结构中的应力水平和梯度的控制，进而在转移印刷过程中应用外向弯曲变形，使得薄膜能够有效剥离而不损伤。这一方法不仅成功地解决了传统湿法蚀刻可能引起的化学损伤和机械损伤问题，还克服了高温处理条件下的挑战，为柔性和可拉伸基板上的高性能电子器件制造提供了新的技术途径。科学启迪的关键在于通过物理机制的精细控制，如应力管理和能量释放率的优化，实现了薄膜与基板之间可靠的分离，从而推动了转移印刷技术的进步。此外，这种技术的应用前景广泛，不仅限于二维柔性/可拉伸设备，还包括复杂的三维多功能体系结构，涵盖了电子学、光电子学、生物电子学和能源收集等多个领域。因此，该研究不仅为实现新型电子器件的制造提供了实用性解决方案，还为未来柔性电子技术的发展奠定了坚实的基础。原文详情：Shin, Y., Hong, S., Hur, Y.C. et al. Damage-free dry transfer method using stress engineering for high-performance flexible two- and three-dimensional electronics. Nat. Mater. (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01931-y

作者：倪思洁 来源：中国科学报3月14日，“十三五”国家重大科技基础设施高能同步辐射光源（HEPS）直线加速器成功加速第一束电子束，实现满能量出束，标志着HEPS进入科研设备安装与调束并行的阶段。 直线加速器的第一束电子束流能量达到0.5吉电子伏特（GeV）、末端每束团电荷量多于1.5×1010个电子。HEPS工程总指挥潘卫民表示，直线加速器成功满能量出束，拉开了HEPS加速器调束的序幕。HEPS工程常务副总指挥董宇辉介绍，HEPS主要包括加速器、光束线和实验站三个部分。其中，加速器由直线加速器、增强器和储存环三台独立的加速器，以及连接彼此间的三条输运线组成。HEPS的工作原理可以概括为“加速电子，产生光”。HPES加速的带电粒子为电子。电子枪产生的高品质电子束，经过直线加速器加速到0.5GeV，然后进入增强器，在增强器再被加速到6GeV。最后，达到6GeV的电子束团从增强器环里引出，注入专门为电子发光准备的储存环中。“直线加速器是电子的源头和第一级加速器，相当于火箭的点火装置。”HEPS工程加速器部副主任李京祎告诉《中国科学报》，直线加速器是一台常温直线加速器，长约49米，由端头的电子枪、聚束单元、加速结构、微波功率源等设备构成。他介绍，2021年6月，直线加速器的首台科研设备——电子枪安装完成；2022年3月，直线加速器启动科研设备批量安装；2023年3月，获得辐射安全许可证，直线加速器启动调束。HEPS直线加速器。中国科学院高能物理研究所供图“接下来，我们将在此基础上进行直线加速器的参数优化和性能提升，以优化直线加速器性能指标，并为后续增强器、储存环的建设和调束打好基础。”李京祎说。目前，HEPS增强器已完成安装、正在进行设备调试，储存环隧道设备启动安装，光束线站前端区也已经启动试安装。HEPS是中科院、北京市共建怀柔科学城的核心装置，由国家发展改革委批复立项，中科院高能所承担建设，自2019年6月启动建设，建设周期6.5年。建成后，HEPS将是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，也将是中国第一台高能量同步辐射光源，和我国现有的光源形成能区互补。HEPS首批将建设14条光束线和相应的实验站，可提供纳米空间分辨、皮秒时间分辨、毫电子伏能量分辨的同步光，通过对微观结构多维度、实时、原位表征，解析物质结构生成及其演化的全周期全过程。HEPS鸟瞰图。中国科学院高能物理研究所供图

近日，中国科学院高能物理研究所高场超导磁体团队研制的全国产超导二极实验磁体，在新一轮性能测试实验中取得重要进展，该磁体在4.2K下两个孔径内实现超过12特斯拉（T，Tesla）磁场强度，达到超导线材临界性能的85%以上。该磁体从结构设计，超导材料、电缆及磁体的制备，到相关的装备与测试平台，均基于国内自主技术路线，并实现了完全国产化。目前，加速器超导磁体的最高场强记录为欧洲核子研究中心（CERN）保持的16T无孔径二极实验磁体，以及美国费米实验室（Fermilab）于2020年创造的14T单孔径二极实验磁体。12T双孔径的性能指标，居于国际前列，且该磁体是迄今国际上唯一一个采用不同超导材料组合线圈结构达到12T二极场强的磁体，也是加速器高场超导磁体自主核心技术发展的关键进展。CERN大型强子对撞机高亮度升级（HL-LHC）原项目负责人、意大利米兰大学物理系教授Lucio Rossi等对该工作给予积极评价。高场超导磁体提供的强磁场可以实现高能量带电粒子束流的轨迹及尺寸控制，是基础物理研究、先进核聚变能源技术以及高能量粒子加速器建设的核心需求。欧美未来十年高能物理发展战略中均把高场超导磁体技术列为优先发展的关键核心技术之一；国内外正在开展的热核聚变实验堆计划也依赖高场超导磁体技术。同时，性能大幅提升的下一代高场超导磁体技术，有望在高精度医疗、低损耗电力及交通系统等民生领域得到广泛的应用，助推我国国民健康的发展、碳中和目标的实现以及相关高科技产业群的形成。研究工作得到中科院战略性先导科技专项（B类）“下一代高场超导磁体关键科学与技术”、国家重点研发计划“变革性技术关键科学问题”重点专项的支持。自主路线超导二极磁体场强达到12特斯拉

北极星成像（NSI）美国西海岸设备及检测服务中心正式搬迁至加州亚里索维耶荷市（Aliso Viejo）以满足日益增长的全球高能X射线工业CT检测服务美国北极星成像（North Star Imaging）荣幸地宣布将其位于美国西海岸的X射线设备和检测服务中心搬迁至位于加利福尼亚州亚里索维耶荷市（Aliso Viejo）拥有更大区域的检测服务地址。该新办公地点和实验室将为NSI的北美X射线业务提供更大的扩展空间，同时顺应更多的客户要求，其更大的仓储区域可放置更多的X射线扫描部件。相信随着X射线检测服务业务的持续增长，更多的创新科技将会在这广阔的区域开发和引入。“我们知道，由于新冠疫情（COVID-19），今年对于每个人来说都是非常艰难的一年。NSI美国检测服务业务经理David Nokk表示： “作为一家企业，我们对这一举动非常兴奋，这意味着NSI的母公司ITW（伊利诺伊工具制品公司）对我们在西海岸的业务增长充满信心。”NSI西海岸办公室位于加州亚里索维耶荷市（Aliso Viejo），现拥有X3000™ ，X5000™ 和一台450kV的X5000型X射线检测系统。这意味着NSI美国西海岸实验室已具有扫描从小到几微米到大到50加仑水桶般物品的检测能力，且可以最快的速度进行单次或多次的批量扫描。NSI美国西海岸业务发展经理Kevin Bresnahan说： “现在我们的团队可以进行2D，3D和4D扫描。很快，我们还将拥有一台高能X射线系统，这将成为北美航空航天和国防企业的重要资产投入。我们将在今年推出此新系统，我非常高兴NSI美国西海岸的客户将率先体验它的强大功能与能力。”“我们非常高兴高能量X射线系统正式加入NSI产品系列中，以更好地为我们的客户提供服务，进一步增强提供安全，可靠产品的行业能力。是我们的客户不断推动着NSI的进步，我们的目标是为需要对关键项目进行最具挑战性检测的世界一流企业提供优质的服务。感谢NSI的所有客户和朋友使之成为可能。” 北极星成像总经理Seth Taylor说道。北极星成像美国西海岸办公室。地址：25 Journey Street, Aliso Viejo, California. USA.关于美国北极星成像公司（North Star Imaging）美国北极星成像公司（NSI）是全球知名的工业2D数字成像（DR）和3D计算机断层扫描（CT）X射线设备的制造商。工业X射线扫描通常用于研发，失效分析，质量控制，内部尺寸测量和高速3D扫描等。X射线扫描使用户可以更清楚地查看和检测零件的内外部结构而不破坏它。 NSI的efX® CT集成了全球最强大的CT重建和可视化软件，包括用于校准，测量，实时密度切片和表面提取的模块。NSI在其位于美国明尼苏达州，加利福尼亚州，马萨诸塞州和法国，英国，中国的6个全球公司提供X射线检测服务，24/7技术支持和NDT无损检测基础和高级培训课程。 NSI已通过ISO 9001：2015认证。如欲了解更多请关注NSI官方微信：NSIChina

一、纳米颗粒膜制备日前，由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成，可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜，很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入，不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向，需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下，纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸，颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下，Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布（厂家测试数据）不同颗粒密度样品（厂家测试数据）纳米颗粒制备技术特点：▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调；▪ 多可达3重金属，可共沉积，可制备纯/合金颗粒；▪ 材料范围广泛，包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性（类似于反应溅射）▪ 的纳米颗粒层厚度控制，从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向：▪ 生命科学和纳米医学： 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向：电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究：光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化：燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器：生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而，人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物，想要消除铅对环境的影响，而迄今为止，这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的，如果将它们结合起来，就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期，牛津大学的光电与光伏器件研究组的HenrySnaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙，可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合，使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比，无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题，由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长，因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统，通过真空蒸发三种不同的前驱体，研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性，使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后，XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后，表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统，可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点：▪ 蒸发设备：热蒸发（金属）、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射：直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性：可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备：二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制：触屏编程式全自动控制

温度是自然科学领域中非常重要的一个物理量，在现代物理实验尤其是凝聚态物理实验中，通过改变温度研究材料的物理相变特性已经成为了一种非常常规和必要的手段。随着测量技术的不断发展，越来越多的低温测量设备和测量手段变得触手可及。通常，在温度低于1K以下并不断接近于零度的过程中，电子-声子散射作用逐渐被抑制，从而能够观察到更多被掩盖的量子态，这对于探索材料的本征物理特性具有重大意义，同时也拓展了材料研究新的领域，例如非常规超导体重费米子材料、自旋液体材料等引发的对BCS超导理论、强关联电子复杂行为、量子阻挫行为的深入探讨。然而目前传统的mK温度下的测量手段仍然非常有限，mK温度的测量对系统的稳定性要求较高，微弱的扰动都可能导致温度的剧烈波动，使得电学输运的研究手段成为了长久以来“仅有”的选择。人们也似乎很难将常规需要在探测线圈中移动样品才能进行的磁学测量手段与mK限低温联系起来。近年来Quantum Design公司在低温测量领域的开发仍在不断延伸，成功推出了基于MPMS3磁学测量系统的低温氦三直流磁学测量组件iHelium3和基于PPMS综合物性测量系统稀释制冷机的ACDR交流磁化率组件，成功实现了mK温度区间的直流磁学和交流磁学的测量功能，是继mK电学、热学测量功能后补全的又一块拼图。在此限低温下对磁性的研究将有助于科研工作者对超导材料的抗磁特性、临界电流、中间态能隙以及自旋玻璃材料量子阻挫特性等进行深入的研究。精彩案例 1. 低温下重费米子材料NdV2Al20的超导特性研究 2016年日本富山大学並木孝洋教授课题组在0.5-2.5K范围对重费米子材料NdV2Al20在低温的超导特性进行了细致研究，除了采用常规的电学测量外，也使用MPMS系统的iHelium3选件对NdV2Al20材料在[001][101][111]三个方向的0.01T和0.1T背景场下的MT曲线进行了测试，并通过该数据对材料的Tc相变点进行了判定。MPMS3 iHelium3选件测量NdV2Al20材料在[001][101][111]三个方向的MT直流磁化率曲线@0.01T&0.1TJ. Phys. Soc. Jpn. 85, 073706 (2016) 2. 低温下Al6Re铝铼合金超导体相关性质研究 2019年复旦大学封东来、李世燕教授课题组对Al6Re铝铼合金一类超导体在超导转变温度附近的交直流磁化率分别通过MPMS3的iHelium3组件和DynaCool的ACDR稀释制冷机交流磁化率组件进行了测量。对该材料在不同稳态背景磁场下的抗磁特性进行了分析，并通过M-H曲线通过磁场抑制超过临界值Hc瞬间失超的特性进一步确认了其一类超导材料的身份。随后又结合BCS理论对50mK-1K的交流磁化率数据的磁滞特性进行了细致分析。MPMS3 iHelium3测量到的Al6Re在mK温区的直流磁化率曲线MT、MH(@0.4K) DynaCool系统ACDR选件测量的Al6Re在mK温区的交流磁化率曲线PHYSICAL REVIEW B 99, 144519 (2019)

应用电子显微镜高分辨本领和高放大倍率，对物体组织形貌和结构特征进行分析和研究的近代材料物理测试方法。但样品的制作直接影响着结果的准确性，所以制作满足要求的样品就成了整个试验的重点。现将一些常见电镜制样方法简介如下。透射电镜（TEM）TEM放大倍数可达近百万，可以看到在光学显微镜下无法看清的0.1~0.2nm的细微结构。它的样品制备工作量非常大，约占全部测试工作的半数以上或90%以上，是十分关键的。图 透射电镜样品台常用样品台分为两种：顶入式样品台和侧插式样品台顶入式样品台要求样品室空间大，一次可放入多个（常见为6个）样品网，样品网盛载杯呈环状排列，使用时可以依靠机械手装置进行依次交换。优点：每观察完多个样品后，才在更换样品时破坏一次样品室的真空，比较方便、省时间。缺点：但是需要的空间过大，使样品远离下方物镜，不宜减小物镜焦距而影响电镜分辨力。侧插式样品台样品台制成杆状，样品网载放在前端，只能盛放1～2个铜网。优点：样品台体积较小且占用空间较少，可布置于物镜内上部，利于提高电镜分辨率。缺点：不可能一次投入多个样品网中，每换一个样品都要打破一次样品室内真空，稍有不方便。支撑网的选择：支撑网有多种材质如Cu、Ni、Be、尼龙等，选择时要与待分析样品的成分分开。图 筛网尺寸制备原则• 简单• 不破坏样品表面• 获得尽量大的可观测薄区主要制备方法• 支持膜法：• 复型法：• 超薄切片法：• 薄膜试样（电解双喷减薄，离子减薄，FIB等）1. 支持膜法适用范围：纳米颗粒（防止样品从铜网缝隙中漏出）支持膜种类：• 微栅膜• FIB微栅膜• 纯碳微栅膜• 多孔碳膜• Quantifoil规则多孔膜• C-flat纯碳多孔支持膜等图 筛网尺寸制备过程：• 制备支持膜：在铜网上覆盖一层有机膜后喷碳• 选择分散剂：根据样品性质选择，常用无水乙醇• 分散：使用超声波或搅拌将粉末分散成悬浮液液滴上支持膜（两种方法）：（a）滴样：用镊子将覆盖支持膜的铜网夹住，并用滴管向支持膜上滴入数滴悬浮液，使其保持夹持状态直至干燥为止（推荐）（b）捞取：用镊子夹持载网浸入溶液捞取液滴（缺点：双面挂样制备关键和注意事项：• 样品粉末能否在支持膜上均匀分布• 确保实验过程中未带入污染物2.复型法基本原理：利用电子束透明膜（碳、塑料、氧化物薄膜）复制材料表面或者断口形态的间接试样制备方法。适用范围：在电镜中易起变化的样品和难以制成薄膜的试样。样品要求：非晶态、分子尺寸小、导电性、导热性良好，耐轰击，有足够的强度和刚度。复型法分类：塑料一级复型、碳一级复型、塑料-碳二级复型、萃取复型。（1）塑料一级复型样品上滴特定溶液，溶液在样表面展平，多余的用滤纸吸掉，溶剂蒸发后样品表面留下一层100nm左右的塑料薄膜。图 塑料一级复型（2）碳一级复型利用真空镀膜装置将碳膜蒸镀于试样表面，将试样置于真空镀膜装置内，将试样置于所配的分离液内经电解或者化学分离得到分离碳膜便可应用于分析。图 碳一级复型（3）萃取复型图 萃取复型（4）塑料-碳二级复型通俗地说，塑料的一级复型中又制造出碳复型即为二级复型。分辨率相当于塑料的一级复型，对试样无损害，耐电子束辐照，复型带重金属投影。图 碳二级复型3. 超薄切片法适用范围：生物组织、较软的无机材料等。1.取材 2.固定 3.漂洗 4.乙醇或丙酮系列脱水 5.渗透 6.包埋 7.聚合 8.修块 9.切片 10.捞片染色 11.电镜观察注意事项：• 迅速：最短时间内取样,投入固定液• 体积小：所取样品体积不超过1mm3• 轻：轻轻操作，使用锋利器械，避免拉、锯、压• 准确：所取部位有代表性• 低温：在0～4℃内操作4.离子剪薄法适用范围：用于非金属材料或非均匀金属制备过程：• 预处理：按预定取向切割成薄片，机械抛光减薄到几十μm，把边长/直径切割至3mm。• 装入离子轰击装置：• 抛光：获得平坦而宽大的薄区。图 离子剪薄法5.电解双喷减薄法适用范围：只能制备金属试样，首选大块金属。样品准备：• 磨抛厚度均匀，避免穿孔偏• 样品保证清洁• 多准备一些试样，试合适的条件制备步骤：• 样品接正极、电解液接负极，电解液从两侧喷向样品• 样品穿孔后，自动停机• 获得中间薄，边缘厚，呈面窝状的TEM薄膜样品电解液选择：根据样品；不损伤仪器优点：条件易控制，快速，重复性好，成功率较高。图 电解双喷减薄法原理图6. 聚焦离子束法（FIB）适用范围：适用于半导体器件的高精度切割与线路修复。原理：采用从液态金属镓中提取离子束，并通过调节束流强度对指定区域进行快速精细处理。方法：铣削阶梯法，削薄法（H-bar）铣削阶梯法：• 预处理：铣削出两个反向的阶梯槽，中间留出极薄的TEM试样• 标记：刻蚀出定位标记• 定位：用离子束扫描定位标记，确定铣削区域• 铣削：自动或手动完成铣削加工图 铣削阶梯法制备的样品TEM照片削薄法（H-bar）：• 使用机械切割和研磨等方法将试样做到50-100μm厚• 使用FIB沉积一层Pt保护层• 使用FIB铣削掉两侧的材料图 削薄法工作示意图扫描电镜（SEM）扫描电镜样品制备比透射电镜样品制备简单，无需包埋和切片。样品要求：样品须为固体；达到无毒、无放射性、无污染、无磁性、无水分、组分稳定。制备原则：• 表面受到污染的试样，要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗，然后烘干；• 新断开的断口或断面，一般不需要进行处理，以免破坏断口或表面的结构状态；• 要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干；• 磁性样品预先去磁；• 试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。常用方法：块状样品块状导电材料：无需制样，用导电胶把试样粘结在样品座上，直接观察。块状非导电（或导电性能差）材料：先使用镀膜法处理样品，以避免电荷累积，影响图像质量。图 块状样品制备示意图粉末样品直接分散法：• 双面胶粘于铜片表面，借助棉球使被测样品颗粒直接撒布于其上，并用洗耳球对样品进行轻吹以去除粘附的、没有被牢固地固定的粒子。• 将装有颗粒的玻璃片翻起，对着已准备好的试样台用小镊子或者玻璃棒轻敲，使细颗粒能够均匀地落入试样台上。超声分散法：将少量颗粒放入烧杯内，加乙醇适量，超声震荡5分钟，然后用滴管加入铜片内，使其自然干燥。镀膜法真空镀膜真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）就是将蒸发容器内需要成膜的原材料在真空室内进行加热，将蒸发容器内的原子或分子气化并从表面逸出，一种形成蒸气流并将其射入固体（称为衬底或基片）的表面以冷凝成固态薄膜的工艺。离子溅射镀膜原理：离子溅射镀膜在局部真空溅射室内辉光放电生成正向气体离子；在阴极（靶）与阳极（试样）之间电压加速时，荷正电离子轰击阴极表面并原子化阴极表面材料；生成的中性原子，向四面八方飞溅，射落在样品表面，从而在样品表面生成了均匀的薄膜。特点：• 对任何待镀材料来说，溅射都是可能的，只要它能够制成靶材即可（适用于难蒸发材料和不容易获得高纯度化合物的相应薄膜材料的制备）；• 溅射所获得的薄膜和基片结合较好；• 消耗贵金属少，每次仅约几毫克；• 溅射工艺具有良好的可重复性，膜厚可控，同时能在大范围基片表面得到厚度均一的膜。• 溅射方法：直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。1．直流溅射图 直流溅射沉积装置示意图已经很少使用了，由于沉积速率过低~0.1μm/min、基片加热、靶材导电、直流电压和气压都必须很高。优点：装置简单，容易控制，支模重复性好。缺点：工作气压高（10-2Torr）,高真空泵不起作用；沉积速率低，基片升温高，只能用金属靶（绝缘靶导致正离子累积）2．射频溅射图 射频溅射工作示意图射频频率：13.56MHz特点：• 电子作振荡运动，延长了路径，不再需要高压。• 射频溅射可制备绝缘介质薄膜• 射频溅射的负偏压作用，使之类似直流溅射。3．磁控溅射原理：用磁场使电子移动方向发生变化，电子移动轨迹被束缚与拉长，工作气体中电子电离几率增加，电子能量得到高效利用。由此使得正离子轰击靶材产生的靶材溅射变得更高效，可以在更低气压下溅射，而被正交电磁场捆绑的电子则会被束缚于靶材周围，仅能在它们能量消耗殆尽后沉积下来的基片中溅射。图 磁控溅射原理示意图特点：低温，高速，有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。缺点：• 靶材利用率低（10%-30%），靶表面不均匀溅射；• 反应性磁控溅射中的电弧问题；• 薄膜不够均匀• 溅射装置比较复杂反应溅射溅射气体添加氮气、氧气、烷类等少量反应气体，反应气体和靶材原子共同沉积于衬底上，对于某些不容易发现块材而制造靶材的物质，或者溅射时薄膜成分易偏离靶材原成分，均可用此法进行。反应气体：O2，N2，NH3，CH4，H2S等镀膜操作将制备完成的样品台放置在样品托上，放入离子溅射仪，加盖，旋紧螺丝并开启电源抽真空。当真空趋于稳定时，在5 X10-1mmHg左右，按下“启动”键，用调节针阀把电流调节到6~8mA,开始镀金，镀金1分钟后即自动停止镀金，关好电源、打开顶盖螺丝、放掉气体、取下试样即成。图 Cressington 108Auto高性能离子溅射仪冷冻电镜制样冷冻电镜是扫描电镜超低温冷冻制样传输技术（Cryo-SEM）可以实现液体，半液体和电子束敏感样品的直接观测，例如生物和高分子材料。样品经超低温冷冻，断裂和镀膜制样（喷金/喷碳）后可由冷冻传输系统置于电镜中的冷台上（温度可至-185°C）观察。适用范围：塑料，橡胶及高分子材料，组织化学，细胞化学等样品制备要求：能够保持本身的结构，又能抗脱水和电子辐射方法：（a）通过快速冷冻使含水样品中的水处于玻璃态，也就是在亲水的支持膜上将含水样品包埋在一层较样品略高的薄冰内。图 液氮冷冻（b）采用喷雾冷冻装置（spray-freezing equipment），结合基质混合冷冻技术（spray-freezing），可在极短时间内将两种溶液（如受体和配体）混合（ms量级），然后快速冷冻。图 喷雾冷冻装置金相制样金相分析是材料研究领域中非常重要的一个环节，也是材料内部组织研究的一种主要方法。利用定量金相学原理通过对二维金相试样磨面或者薄膜进行金相显微组织测量与计算，确定合金组织在三维空间中的形态，进而建立合金成分，组织与性能之间定量关系。制样过程：样品切割、镶嵌样品、机械制样、检验样品样品切割方法：金相最适合的切割方法是湿式切割轮切割法。优点：所造成的损伤与所用的时间相比是最小的切割片的选择：主要依据材料的硬度和韧性进行选择。图 砂轮片的选择• 陶瓷和烧结碳化物：金刚石切割片• 钢铁材料：氧化铝（Al2O3）切割片和CBN切割片• 有色金属：碳化硅（SiC）切割片镶嵌样品金相样品镶嵌技术（以下简称镶样）是将试样尺寸小或形状不规则造成研磨抛光痛苦时镶嵌或夹持，以便于试样抛磨，提高工作效率和实验精度的一种工艺方法。镶样一般分为冷镶和热镶。冷镶应用：对于温度和压力极为敏感材料、和微裂纹试样要进行冷镶，会使试样组织不发生改变。图 冷镶示意图冷镶材料：一般包括环氧树脂、丙烯酸树脂、聚脂树脂。• 环氧树脂：收缩率低，固化时间长；边缘保护好，用于真空浸渍，适用于多孔性材料；• 丙烯酸树脂：黄或白，固化时间较短，适合批量大、形状不规整样品镶样；对于含裂纹或者孔隙的试件渗透性更好；尤其是对印刷电路板的封装；• 聚酯树脂：黄色、透明、固化时间较长；适用于大批量无孔隙的试样制样，适用期长；真空浸渍：多孔材料（如陶瓷或热喷涂层）需真空浸渍。树脂能增强这些脆弱材料并能尽量减少制备缺陷（例如抽出，开裂或未开孔等）。只有环氧树脂由于其低粘度、低蒸汽压的性质，才能在真空浸渍中使用。荧光染料和环氧树脂可以被混合以方便地发现荧光灯中所有被充填的孔隙。图 冷镶制样 图片来源：司特尔公司热镶应用：适用于低温及压力不大的情况下不发生变形的样品。图 热镶示意图镶材料：目前，通常多用塑料做镶嵌材料。镶嵌材料包括热凝性塑料（如胶木粉），热塑性塑料（如聚氯乙烯），冷凝性塑料（环氧树脂加固化剂）和医用牙托粉与牙托水。胶木粉不透光、色泽多样、且较坚硬、样品不易倒角、但抗强酸、强碱耐腐蚀性较差。聚氯乙烯呈半透明或透明状，抗酸碱耐腐蚀性能良好，但柔软。热镶试样图片来源：司特尔公司机械制样机械制样可分两种操作：研磨和抛光1.研磨研磨的终极目标就是要得到损伤最小的平表面。这些小损伤会在后续抛光中短时间内被去除。研磨分为粗磨和细磨两个过程。• 粗磨粗磨过程就是把全部试样表面变成一个类似的面，用比较粗的固定研磨颗粒就能快速磨去材料。• 精磨 精磨会使样品有些微变形，但这些变形在抛光过程中就会消除掉。2.抛光抛光就像研磨，还得除去前道工序造成的伤害。它可以分为金刚石抛光与氧化物抛光两大工序。• 金刚石抛光唯有把金刚石当作研磨料来抛光才有可能在最快的时间内得到最佳研磨平面。其原因是金刚石非常坚硬，几乎能切割所有的物质和相态。• 氧化物抛光 对于特别软、韧性的样品，须采用氧化物抛光法。抛光在抛光布上完成。金刚石抛光时还须用到润滑剂。研磨和抛光设备检验样品打磨后的检测部位变的发亮，在观察组织的时候需要先将试样的检测部位腐蚀掉，做好之后使用酒精冲淋，使用吹风机吹扫。

滨州创元设备机械制造有限公司全权代理的日本著名高科技研究设备生产厂家R-DEC公司的新型反射高能电子衍射仪（绑定美国专用高级解析软件k400-FW）近期在西安的陕西师范大学投标中中标.近日将签定技术协议和外贸易合同. 该仪器主要用于实时监控MBE等制膜装置中成膜过程中结晶状态.对研制新材料具有极其重要价值.虽然该公司在世界范围内已经有三百多台业绩,但是在中国则鲜为人知.尤其是同时绑定美国专用高级解析软件k400-FW的导入方式在中国尚属首例.相信陕西师范大学使用这套绑定美国专用高级解析软件的新型RHEED将获得世界最高水准的RHEED像,相信它将帮助国家千人计划获得者刘生忠博士/教授在中国仍然得以使用世界一流设备继续从事世界最高水平的研究.预计这种绑定美国专用高级解析软件的新型RHEED将越来越受到中国用户的青睐.

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 近日，中国科学院高能物理研究所研制的国内首台超导扭摆磁铁在合肥通过专家组测试验收。至此，高能同步辐射光源验证装置（HEPS-TF）插入件系统的研究工作顺利完成，同时标志着HEPS-TF工程完成全部工艺和设备研制任务。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " HEPS-TF插入件系统的研究内容主要包括低温永磁波荡器（CPMU）样机、超导扭摆磁铁（SCW）及其磁场测量系统的研制。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " CPMU是备受推崇的先进波荡器，它将是高能同步辐射光源（HEPS）的主流插入件类型之一。该种波荡器集成复杂、精密度高，目前世界研制成功的仅有十几台。高能所研制的CPMU创造了国内周期长度最短的纪录，仅为13.5mm，低温下的峰值磁场达到0.96T。CPMU的研制技术跨度大，集成了磁铁、机械、控制、低温、真空、磁测等多个子系统。研究团队众志成城，克服了重重困难，在真空密封的狭小空间内实现了高稳定度、高精度、高重复性的磁场测量，于7月25日在北京通过了测试验收，为HEPS的CPMU量产积累了宝贵的经验。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " SCW是插入件技术重要的发展方向之一。HEPS-TF插入件系统超导3W1扭摆磁铁研究的目标除了掌握超导插入件的关键技术之外，还希望将研制成功的SCW安装到北京同步辐射装置上，替代现有的永磁3W1扭摆磁铁。超导3W1扭摆磁铁包括32个主线圈和4个校正线圈，在68mm超大磁极气隙的条件下，实现2.6T的峰值磁场，其技术指标达到了国际先进水平。超导3W1扭摆磁铁涉及磁铁物理、机械真空、低温、电源、控制、失超保护、磁场测量等多个技术领域，研制难度极大。来自7个专业组的40多人组成了一支年轻的研究团队，他们在攻关中锐意进取，凝聚集体智慧，克服了由于研究基础薄弱、研制周期短带来的一系列难题。最终测试结果表明超导3W1扭摆磁铁的各项指标均达到验收要求，磁场的一次积分、二次积分等关键参数远优于验收指标。超导3W1扭摆磁铁是我国自行研制成功的第一台超导插入件磁铁，填补了国内在该技术领域的空白。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " CPMU和SCW的研制成功，标志着高能所掌握了两种先进插入件的关键技术和核心工艺，实现了重要的技术跨越。 br/ /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/e53fb35a-789e-4091-8be3-94e8e546eeb4.jpg" title=" 1.jpg" alt=" 1.jpg" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: center " 低温波永磁荡器正在进行低温磁场性能测试 br/ /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/88214317-715e-40b4-b4ed-03ef8569c3be.jpg" title=" 2.jpg" alt=" 2.jpg" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: center " 低温永磁波荡器主真空室内部 br/ /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/7696f313-af50-42c8-a736-bfb5ebb7011f.jpg" title=" 3.jpg" alt=" 3.jpg" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: center " 超导3W1扭摆磁铁低温水平测试 br/ /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/032f917e-2aa7-4a37-941d-3ba300bc2ce0.jpg" title=" 4.jpg" alt=" 4.jpg" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: center " 超导3W1扭摆磁铁测试专家组在测试现场 /p