等离子体半导体

电感耦合等离子体质谱仪 (简称ICP-MS），是20世纪80年代发展起来的一种新的微量（10-6）、痕量（10-9）和超痕量（10-12）元素分析技术。可测定元素周期表中大部分元素，极低的检出限、极宽的动态线性范围、谱线简单、干扰少、精密度高、分析速度快、可提供同位素分析。本产品ICP-MS2000 是天瑞自主研发，国内首台产业化电感耦合等离子体质谱仪，仪器各项性能均达国家标准，能够满足用户应用需求，性价比高；该产品主要应用于环境、食品、半导体、医药及生理分析、核工业领域等。ICP-MS2000具有卓越的仪器性能，高效的分析效果。仪器日常运行消耗器材均自主研发，性价比高。同时我们提供优质售后服务，10分钟响应、48小时内上门服务、客服中心随时跟踪服务、保证服务质量。产品性能优势及特点进样系统：敞开式进样系统结构，使用外部安装的雾化器，自我定位，无需调整。炬位调整系统：计算机全面控制x、y、z三维炬管精确位置，所有调整参数存入分析方法内。先进等离子体屏蔽技术：极大地提高仪器的灵敏度，改善低质量数元素的检出限，达到ppt水平活动阀门：计算机控制阀门，保护仪器真空，便于在真空系统工作时拆装和清洗采样锥和截取锥。离子透镜系统：配有高效率六极杆离子导向系统，在全质量范围内获得佳的离子传输效率，全自动的离子聚焦调谐过程，真空室内的透镜使用非对称安装，方便拆装定位。检测器：ETP双模式检测器，分成两部分分列打拿极电子倍增器，无需数/模切换。新型真空腔体结构：腔体内无任何导线连接，各个组件采用不对称安装和插入式安装。断电保护系统：在意外停电发生时，安全自行关机，而不损坏仪器系统。软件：提供自动控制仪器及其附件的能力，软件囊括了多种分析方法，包括特殊的同位素比值测定及同位素稀释法。核心应用领域1、环境领域：饮用水、海水、环境水资源食品、卫生防疫、商检等。2、半导体领域：高纯金属，高纯试剂，Si 晶片的超痕量杂质，光刻胶等。3、医药及生理分析领域：头发、全血、血清、尿样、生物组织等医药研究，特别是全血铅的测定。4、核工业领域：核燃料的放射性同位素的分析，初级冷却水的污染分析等。5、其他领域：如化工，石化、地质等。通用配置技术参数质量数量范围：2~255 amu测量范围：&ge 108灵敏度： Be&ge 2× 106 ； In&ge 35× 106 ； U&ge 30× 106 单位（cps/mg/L）检出限： Be&le 10；In &le 2；U&le 2 单位（ng/L）分辨率：0.6~0.8 amu信噪比：&ge 50× 106背景噪音：&le 2 cps（全质量范围）质量轴稳定性：&le 0.05 amu/24 h稳定性RSD： 短期&le 3%；长期&le 4%氧化物离子：CeO+/Ce+&le 3%双价离子：69Ba2+/138Ba+ &le 3%同位素比：（107Ag/109Ag）&le 0.3%丰度灵敏度：&le 1× 10-6低质量端；&le 5× 10-7高质量端

电感耦合等离子体质谱仪 (简称ICP-MS），是20世纪80年代发展起来的一种新的微量（10-6）、痕量（10-9）和超痕量（10-12）元素分析技术。ICP-MS可测定元素周期表中大部分元素，且具有极低的检出限、极宽的动态线性范围、谱线简单、干扰少、精密度高、分析速度快等性能优势。ICP-MS2000系列是天瑞自主研发产品，目前有ICP-MS2000B、ICP-MS2000E两款型号。ICP-MS2000系列仪器各项性能均优于国家规范，完全满足不同行业用户应用需求，性价比高；目前该产品主要应用于环境、食品、半导体、医药及生理分析、核工业领域等。ICP-MS2000系列具有卓越的仪器性能，高效的分析效果。仪器日常运行消耗器材均自主研发，性价比高。同时我们提供优质售后服务，10分钟响应、48小时内上门服务、客服中心随时跟踪服务、保证服务质量。1.ICP-MS 2000B性能特点稳健的固态电源保证仪器可运行多种模式（如常规模式、冷等离子体模式），并且在同一方法中允许运行多种模式，节约大量分析时间及方便研究。先进的等离子体屏蔽技术，极大提高仪器的灵敏度，改善低质量元素的检出限。保证冷等离子体模式等应用，无需使用碰撞/反应气，即可使K、Na、Ca、Mg、Fe等易电离元素检出限低至ng.L-1。2.ICP-MS 2000E性能特点变频等离子体，采用推挽互补技术消除传统等离子体中存在的电势差，消除等离子体二次放电现象，并产生较低、较窄的离子能量扩散，极大提高仪器灵敏度。稳健的变频电源系统保证仪器可运行多种模式（如常规模式、碰撞反应模式、冷等离子体模式），并且在同一方法中允许运行多种模式，节约大量分析时间及方便研究。配置六极杆碰撞反应池，采用（H2+He）混合气既可以KED模式消除ArCl、CaCl对As的干扰；同时在无需切换气体等繁琐操作的情况下即可消除Ar、ArH、ArO等对K、Ca、Fe的干扰。配置250位全自动进样器，以太通信进口，定位精度小于500μm。ICP-2000系列电感耦合等离子体质谱仪同样均具有以下优异的性能及特点：等离子体位置XYZ三维由计算机控制全自动精确调节，调节幅度精确至步进0.1mm；炬管为一体式石英同心炬管，避免拆卸式矩管的繁琐操作以及可能由此导致的损坏；敞开式进样系统结构，插入式安装，自我定位，维护方便；高稳定性和精密度的带撞击球玻璃雾化室，雾化室标配半导体制冷，对雾化室制冷控温范围为-20℃-20℃，制冷迅速可在三分钟内由室温降至2℃，以适应不同基体的控温要求；接口室由采样锥、截取锥两部分组成。标准配置包含采样锥（锥孔1.1mm），和具有优秀耐盐性能的截取锥（锥孔0.75mm）；另可根据用户实际需求选配高灵敏度截取锥；独特的活动接口门结构，无需泄真空即可装卸采样锥和截取锥，维护方便；配置高效率六极杆离子导向系统，在全质量范围内获得佳的离子传输效率；由计算机控制全自动离子聚焦调谐过程。真空室内的透镜采用非对称安装，方便拆装定位；离子透镜包括提取透镜和偏转透镜，采用二次离轴设计，避免中性粒子和电子进入质量分析器，降低背景；离子透镜、六级杆和四级杆均为免拆洗维护设计，极大地减少维护工作量；使用进口、超长的纯钼四级杆，为仪器提供极佳的灵敏度及分辨率；长寿命ETP双模式检测器，分成两部分分列打拿极电子倍增器，由计算机控制自动进行数/模切换；友好的人机交互界面，符合国人使用习惯的全中文软件。提供自动控制仪器及其附件的能力，完美适应Windows 2000/XP/vista/win7(32位或64位)专业操作系统；全自动分析功能（启动关闭仪器，炬位调整，等离子体参数，离子透镜参数，检测器参数等）。

等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后，真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

1. 产品概述RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电材料的加工。3. 设备特点龙卷风线圈电，它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺，通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制，电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。

1. 产品概述RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电材料等难蚀材料的加工。3. 设备特点龙卷风线圈电，它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺，通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制，电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。

1. 产品概述RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。3. 设备特点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统，排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测，干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计，TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

等离子表面处理技术可以和多种不同的后续加工工艺相配合，其中最为典型的后续加工包括印刷，粘接，涂装。等离子技术几乎适用各种领域的工业应用，能为不同材料或者复合材料提供后续的粘接，涂装，印刷前处理，使两种不同材料有效而又可靠的结合在一起。包装行业：专业针对UV OPP PP PET金银卡 磨光，覆膜纸盒或纸箱上胶前的表面处理，经等离子处理后，可增加糊盒的牢固性，摆脱开胶烦恼。并可减少胶水使用量，有效降低成本。印刷及喷码行业：塑料 玻璃 金属 复合材料等表面丝印，移印前等离子预处理，可提高材料表面对油墨的吸附力，渗透力。IC卡 标签，日化用品容器。电线喷码前等离子预处理，提高油墨吸附力。塑料行业：塑料与塑料，橡胶，金属，玻璃等粘结前预处理，可提高表面的粘结性能。手机电脑玩具等塑料外壳喷漆前预处理，提高油漆的附着力，防止掉漆。日用品及家电行业：日用主家电产品在生产过程中的涂装，粘接等工艺，使用等离子预处理提高材料表面的加工性能，提高粘接和涂装的品质，别外等离子清洗作用使溶剂清洗不再需要，即环保又节省了大量的清洗干燥时间。汽车行业： １、EPDM胶条在喷涂润滑涂层或植绒胶水以前的预处理工艺，借助等离子技术，胶条的预处理过程变得更加稳定高效，而且没有磨损。２、汽车车灯粘接，刹车片，雨刮，引擎控制器盖，汽车仪表，汽车保险杠等等都可使用等离子表面处理，清洁，活化部件的表面，增强表面的粘结力，吸附力。３、汽车部件喷漆前的表面活化，使用等离子处理，水性涂装体系都可以做到无需底漆。４、电子行业：电子元器件加工的等离子预处理，PCB的清洗，去静电，LED支架，晶圆，IC等的清洁或是粘结等作用。５、其它行业：化纤 纺织，航天航空，卷材涂装等等。电子行业：半导体材料光刻胶清洗：光学材料镀膜，加硬前清洗。LCD玻璃印刷，贴合，封装前清洗，LED点银胶，引线键合，封胶前清洗，可提升产品质量。PCB电路板孔化，除渣，绑定处理，可提升镀铜结合力和焊接成功率。 橡胶塑料行业：提高材料粘接强度以及印刷油墨，涂层，镀层附着力。纤维纺织行业：生产电池用无纺布隔膜，水处理用中空纤维及各种天然纤维，合成纤维经等离子处理可改善和提高其渗透性，亲水性，印染性等多种功能。精密仪器，机械及电器制造：继电器触点氧化层去除，精密零件表面油污，助焊剂等有机物清洗。电子点火器线圈骨架灌封环氧树脂前处理提高其粘接性及结合力。生物医用材料：聚笨乙稀酶标板经等离子接枝处理，引入醛基，氨基，环氧基等活性官能团，可把酶牢牢地固定在载体上面，提高酶的固定；细胞培养皿，经等离子处理后，大大提高了贴壁培养细胞的能力。 生物传感器的电极碳膜经过等离子活化，提高了酶和抗体固定的稳定性，实现电极重复使用。血液过滤器的内壁和滤芯都需要等离子体的抗血凝处理，以提高其过滤能力和使用寿命。

1. 产品概述高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。3. 设备特点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统。排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电升降机构。晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计。TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。

1. 产品概述高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。3. 设备特点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统，排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电升降机构，晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计，TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理 　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成 在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等） 未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

1. 产品概述高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的用系统，可以在小的洁净室空间内安装。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。3. 设备特点 新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统，排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测,干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计,TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物 　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。 用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理 可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件 通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知 金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

微波等离子体去胶机VP-Q10等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积10升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，应用领域 接合技术 小批量生产加工 医疗和牙科技术 实验室的研发设备 原型和样品模型制造 生产流程的开发和优化 微生物、微流体以及食品生产 优势 可替换模块功率密度非常高 压电直接放电控制 小体积紧凑型便捷 气体分子的激发是高效而安全的 注重产品的可用性以及界面友好性 潜在用途精细清洁 杀菌消毒和祛除异味提高材料表面润湿性各种基础材料表面的活化加工处理 优化黏合、喷漆、印刷以及涂层处理工艺 塑料、玻璃、陶瓷、金属、半导体、天然纤维以及复合材料的表面加工处理技术参数供电电源：110-240伏 / 50-60 赫兹交流电功耗：18 瓦重量：110 克产品组成：手持式设备带电源线，集成风扇音量：45 分贝等离子体温度：不超过 50 摄氏度加工处理速度：5 平方厘米/秒加工处理距离：2 – 10 毫米加工处理宽度：5 – 29 毫米过程控制：秒表、定时器、节拍器

有多少种不同的等离子工艺：真空等离子技术： 　　等离子体在封闭的真空中活生生，与常压条件下相比，每个单位体积中的微粒数较少，这样就增加了粒子自由程长度，并相对减少了碰撞过程，因此，等离子体能量削弱的倾向减弱，可以空间内更广泛的传播，要制造真空腔体，需要使用功能强大的气泵。高压等离子技术：　　高压等离子体由特殊的气体放电管产生，这种等高子体对于表面处理来说并不重要。 电晕处理技术：　　电晕处理是一种使用高电压的物理工艺，主要用于薄膜处理，电晕预处理的缺点是，表面活动能力相对较低，而且处理之后的表面效果有时不够均匀，薄膜的反面也会被处理，有时这是工艺要求需要避免的，而且，经由电晕处理得到的表面张力无法维持长时间的稳定性，经过处理的产品往往只能存放在限的时间。常压等离子处理技术：　　常压等离子是在大气压条件下产生的，也就是说，不需要使用真空腔体，采用直喷或旋转喷枪，首次实现在大气压条件下将非常有效，更重要的是安全无电势的等离子直接集成到制造工艺之中，常压等离子处理技术的成本低，性能好，因而作为真空等离子和电晕工艺的工艺替代和工艺提升，获得了广泛的应用。常压等离子技术的一大优势，在于其在线集成能力，作为一项工艺准则，这种技术能够顺利集成到现有的生产系统中。

是一种用于产生等离子体的装置，通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺，以及半导体刻蚀和薄膜设备的预处理反应和清洗等。与传统等离子体源不同的是，RPS通常不直接接触要处理的表面，而是在一定距离之外产生等离子体，并将等离子体输送到目标表面，因此被称为“远程等离子体源”。应用特征采用新的固态微波源技术【非磁控管微波源】。具有很高的频率、功率稳定性，使用寿命长。自主开发的微波匹配器，能实现在不同气体条件下，快速进行微波源与等离子体的阻抗匹配。等离子体发生器材质可选，适用于多种气体。体积小、集成度高、便于更换。低颗粒污染 独特的等离子反应腔设计，适用于多种气体的电离与阻抗匹配。系统运行时，气体压力适应范围宽。气体电离率高、电离速度快。

8英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备1. 产品概述Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）是一款先进的薄膜沉积设备，旨在满足半导体制造和相关领域对于高质量薄膜沉积的需求。该设备采用了平行电容板电场放电技术，有效地产生等离子体，这种等离子体环境使得各种薄膜材料的沉积过程更加高效和精准。在操作温度方面，Shale® A系列设备能够在400°C及以下的条件下，实现较为致密且均匀性极佳的薄膜沉积。这一特性使其成为沉积多种材料的理想选择，包括氧化硅、TEOS（四乙氧基硅烷）、BPSG（掺铝的硅玻璃），以及氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳和非晶碳化硅等多种高性能薄膜材料。此外，Shale® A系列设备在设计和制造过程中，充分考虑了国际市场的标准，采用了符合SEMI（美国半导体设备与材料国际协会）标准的通用零部件，确保设备在全球范围内的兼容性和可用性。同时，该设备经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证其能够在实际生产中保持优异的性能表现，从而为用户提供了一个可信赖的沉积解决方案。这使得Shale® A系列PECVD设备不仅适用于高技术要求的半导体行业，还能够确保在各种应用场景中的稳定运行。2. 系统特性可提供基于硅烷（SiH4）体系的薄膜沉积方案，还可选正硅酸乙酯（TEOS）体系的沉积方案可提供双频设备，使氮化硅（SiNx）的应力可调，范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa可提供n/p型掺杂，满足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等掺杂氧化硅工艺的需求8/6英寸兼容

PE-75等离子体清洗机作用于材料表面，使表面分子的化学键发生重组，形成新的表面特性，对某些有特殊用途的材料，在超清洗过程中等离子体表面处理仪的辉光放电不但加强了这些材料的粘附性、相容性和浸润性，并可消毒和杀菌。广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、生命科学、高分子科学、生物医学、微观流体学等领域。* 清洗晶体、天然晶体和宝石；* 清洗半导体元件、印刷线路板；* 清洗生物芯片、微流控芯片；* 清洗沉积凝胶的基片；* 高分子材料表面修饰；* 牙科材料、人造移植物、医疗器械的消毒和杀菌；* 改善粘接光学元件、光纤、生物医学材料、宇航材料等所用胶水的粘和力。 等离子体表面处理仪技术参数：设备型号：PE-75腔体尺寸：圆柱形腔体，内径10.75英寸（273mm）x深度10英寸（254mm）；腔体材质：T-6铝合金一体成型；腔体容积：13.8升；射频电源：13.56MHz；0~150W自动调节；工作压力范围：1-2000 mT；气体流量控制：0-25cc/min带精密针阀；皮拉尼真空计： 0-1Torr；选配：1、400W，50KHz；2、100W,13.56 MHz；（自动匹配网络） 3、300W,13.56 MHz；（自动匹配网络） 4、Venus PC控制功能，可以通过MFC控制气体；

泽攸科技 等离子体修饰系统，利用卓聚自创的三温区管式炉，通过氧气辅助化学气相沉积技术，在蓝宝石衬底上外延生长了大尺寸、高质量的单层二硫化钼薄膜。在生长过程中引入氧气，不仅能够有效的阻止三氧化钼源中毒，降低形核密度，而且还能减小硫空位密度，从而实现了大尺寸单晶单层二硫化钼的生长。利用等离子体修饰系统，在自限生长的前提下，目前已实现了两英寸晶圆级高质量单层二硫化钼的外延生长（百分百覆盖度，成膜均匀），并通过改进转移设备，实现了晶圆级薄膜的零污染且衬底无损转移。单层二硫化钼薄膜均匀覆盖在整个蓝宝石衬底上，而且没有缝隙，没有重叠层。 薄膜由晶粒尺寸为 1 微米，相对取向为 60 o的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 o晶界。等离子体修饰系统产品优势1. 有效避免固态源中毒；2.成膜均匀性好；3.成膜面积大；4.快速、生长速度可控。 图：两英寸单层二硫化钼的取向外延生长以上就是东莞市卓聚科技有限公司提供的等离子体修饰系统的介绍，了解更多直接咨询：原文： 随着微电子、纳米科技和人工智能等领域的进一步发展，精密定位不仅在实验室用途广泛，工业界的应用也越来越多。该团队在以往研究基础上，发展出一系列具有自主知识产权的超精密定位产品，填补了国产空白。一个火柴盒大小、外壳包覆金属的小方块，通过电压控制能够实现纳米级别的精密位移，可以用于对精密度要求超.高的科学实验、精密制造和半导体工业等领域。日前，在松山湖材料实验室高.端科研设备产业化团队的实验室内，团队负责人许智展示了该团队拥有核心技术的压电驱动纳米位移台。安徽泽攸科技有限公司为您提供压电旋转纳米位移台RF-5950A的参数、价格、型号、原理等信息，压电旋转纳米位移台RF-5950A产地为安徽、品牌为泽攸科技，型号为旋转纳米位移台，价格为面议，更多相关信息可来电咨询，公司客服电话7*24小时为您服务

低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。SI500SI 500 CSI 500 RIESI 500-300 ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20&thinsp °C到300&thinsp °C联系我们 想获取更多信息，请点击此处。

FOR SURFACE MODIFICATION - CLEANING - ACTIVATION - ETCHING - DEPOSITION表面改性（亲水性和赤水性），等离子清洁，等离子活化，刻蚀以及反应离子刻蚀，等离子沉积等应用 GlowResearch是美国著名的真空系统解决方案供应商，其旗下的OptiGlow和AutoGlow全自动多功能等离子表面处理系统应用于小型生产及研发实验室的使用和发展历史已经超过了20年，随着研发提升及软硬件更新，现在的系统不但拥有使用的高稳定性和高效率外，其集成化设计和友好操作界面使得用户上手操作及参数调整都非常简易。其全球客户群已经超过了3000多套，遍布欧美各大著名的微纳米加工实验室及化学生物实验室，著名包括莱斯大学，麻省理工学院，哈佛大学，尤利希中心，法国生物化学与生物分子研究中心，法国应用光学研究所，德国生物技术研究所，德国航空航天研究所，德国马普所，英国国家工程实验室等等。射频等离子体是最广泛使用和通用性好的等离子体技术，它应用于医疗和半导体的宽广领域内。在通用工业/医疗行业，需要清洁、涂覆或化学改性的材料表面被浸入到射频等离子体的能量环境中，除了射频等离子体的强烈的化学作用外，其定向效应也起到了一个重要的作用。携带动量的粒子到达材料表面后可以物理地去除更加化学惰性的表面沉淀物（如金属氧化物和其它无机物沉淀）以及交联聚合物以锁定等离子体的处理。AutoGlow—高纯度石英样品室和石英样品托，3个气体流量质量控制器，150mm基底尺寸，13.56 MHz射频激发等离子体可变功率从10到300W，全自动协调校准，压力可读，氮气清洗，CE认证标识。电容耦合的，只需按一个按钮便可全自动操作整个处理流程。使用在等离子清洁，键合前处理包括活化胺化产生官能团, 刻蚀薄膜，去除有机物，光刻胶灰化等。桌面紧凑式设计，最低可在10W功率运行。 AutoGlow 200—可以处理200mm基底（8寸晶圆），和反应离子刻蚀RIE(可选ICP电感耦合等离子体源）和等离子体处理。3个气体流量质量控制器–氧气，氩气或氟化气体（CF4或SF6）, 13.56 MHz射频激发等离子体可变功率从10到600W，全自动协调校准，，压力可读，氮气清洗，CE认证标识，高品质铝样品室。使用在等离子清洁，键合前处理包括活化胺化产生官能团, 刻蚀薄膜，去除有机物，光刻胶灰化等。桌面紧凑式设计，最低可在10W功率运行。具有观察窗用来监控OES发射光谱和处理终点检测。 Rice University has an AutoGlow in the Halas Research Lab. The system is used for removal of polymer resists for applications in plasmonics and nanophotonics and prepare samples for surface-enhanced molecular spectroscopy. Harvard University’s AutoGlow system in the Gordon McKay lab. The system is used for organic removal, surface modification and serves the needs of several researchers working on DNA research and human genome sequencing. Pictured is the AutoGlow at the Microsystems Technology Lab at MIT. This AutoGlow is used for Photoresist removal, cleaning and surface modification. This lab does research in MEMS, BioMEMS, Nanotechnology and Photonics. 全自动控制系统可以使用户轻松进行操作处理样品, 一旦系统检测真空达到预设真空值后, 便自动开启并控制气体流量进入, 这个过程不需要任何其他操作因素. 系统也可配置两路或三路气源和同时使用不同比例的混合气源（比例可以任意调整）然后通过一个额外的阀门来自动调整任意比例两种不同混合气源.系统特别设计用于等离子体表面处理包括光刻胶灰化, 有机物去除, 清洗, 活化, 改性, 沉积和刻蚀, 具有功能多, 易操作性强, 全自动化无需调试, 可靠性高, 低成本等优点, 广泛应用于半导体制造, 微电子加工, 生命科学制造和前处理等. 可适用多种工艺气体, 如氩气Ar, 氧气, 空气及氟化合物如CF4或SF6, 通过两个气体质量流量控制气体以及特殊阀门控制任意气体混合比例. 除了结构紧凑和集成度高外, 出色的射频激发等离子体配合出色的工艺控制, 失效保护系统和数据采集系统使其很容易使用在实验室和生产环境中。 湿法刻蚀的缺点在于各向同性横向侧面刻蚀和垂直刻蚀是一致的速度。干法刻蚀的目的在于制作一个各向异性刻蚀-意味着刻蚀是定向的。一个各向异性刻蚀性能对于一个好的微纳图形转移是至关重要的。反应离子刻蚀RIE就是这种标准的干法刻蚀方式。RIE典型的反应气体是O2 和 CF4. 功能一：Plasma Cleaning等离子清洗： 应用于： - 金属表面超精细清洗 - 塑料与弹性体表面处理 - 一般玻璃表面陶瓷表面处理和清洗 - 去除样品表面氧化物和碳污染物 功能二：Plasma Surface Activation等离子表面活化功能三：Plasma Coating 等离子镀膜功能四：Plasma Surface Etching 等离子表面刻蚀-POM、PTFE、PEP、PFA -PTFE部件 -构建硅基结构 -光刻胶灰化

ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪产品介绍： ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪是公司经多年技术积累而开发的电感耦合等离子体发射光谱仪，用于测定各种物质（可溶解于盐酸、硝酸、氢氟酸等）中的微量、痕量金属元素或非金属元素的含量，自动化程度高、操作简便、稳定可靠。 ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪广泛应用于稀土、地质、冶金、化工、环保、临床医药、石油制品、半导体、食品、生物样品、刑事科学、农业研究等各个领域。工作环境：内容 适应范围贮存运输温度 15℃-25℃贮存运输相对湿度 ≤70％大气压 86-106 kPa电源适应能力 220±10v 50-60MHz工作湿度 ≤70％工作温度 15℃-30℃ 技术指标：固态电源技术指标电路类型：电感反馈式自激振荡电路，同轴电缆输出，匹配调谐，功率反馈闭环自动控制工作频率：27.12MHz±0.05%频率稳定性：＜0.1%输出功率：800W—1200W输出功率稳定性：＜0.3%电磁场泄漏辐射强度：距机箱30cm处电场强度E：＜2V/m 进样系统技术指标输出工作线圈内径25mm矩管，三同心型，外径20mm的石英矩管同轴型喷雾器外径6mm双筒形雾室外径34mm 氩气流量计规格和载气压力表规格1.等离子气流量计（100-1000）L/h (1.6-16L/min)2.辅助气流量计（10-100）L/h (0.16-1.66L/min)3.载气流量计（10-100）L/h (0.16-1.66L/min)4.载气稳压阀（0-0.4MPa）5.冷却循环水：水温20-25℃ 流量5L/min 水压0.1MPa 单色器技术指标光路：Czerny-Turner焦距：1000mm光栅规格：离子刻蚀全息光栅，刻线密度3600线/mm(可选用刻线密度2400线/mm)线色散率倒数：0.26nm/mm分辨率：≤0.007nm(3600刻线）. ≤0.015nm(2400刻线）扫描波长范围：3600线/mm扫描波长范围：190—500nm 2400线/mm扫描波长范围：190—800nm步进电机驱动最小步距:0.0006 nm出射狭缝：12μm入射狭缝：10μm 光电转换器技术指标光电倍增管规格：R293或R298光电倍增管负高压：0-1000V稳定性＜0.05% 整机技术指标：扫描波长范围：195nm～500nm（3600L/mm光栅）195nm～800nm（2400L/mm 光栅）重复性：（即短期稳定度）相对标准偏差RSD≤1.5％稳定性：相对标准偏差RSD≤2％

多功能TEM样品杆清洁仪等离子体表面处理仪(SEM及TEM样品/样品杆清洁专用等离子清洁仪)PIE Scientific专注研发先进的实验室用等离子仪器，用于SEM/TEM样品清洁、光刻胶蚀刻、等离子体增强沉积、表面处理与活化。我们的宗旨是：将半导体和核工程研究中开发的等离子技术集成到经济实用的实验室用等离子仪器。专为去除SEM & TEM样品的碳氢污染而设计。特有的双清洗模式（immersion和downstream）能够处理各种不同的样品，从严重污染的电子光学孔径光阑到各种脆弱易损样品，如石墨烯、碳纳米管、类金刚石碳膜以及多孔碳支持膜铜网上的TEM样品。石英样品托板上的孔洞可以安装标准SEM样品托。特别设计的适配器可以清洁不同厂家的TEM样品杆。 可用于煤的灰化。特点：1. 系统具有双等离子源。浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻。远程式等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化2. 13.56MHz高频射频发生器3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作4. 标配75W版本，可选150W版本5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入6. 可选与FEI、JEOL、HITACHI等TEM样品杆配套的专用适配器7. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)除了多功能TEM样品杆清洁仪等离子体表面处理仪之外，PIE还提供Tergeo、Tergeo Plus、Tergeo Pro等一系列台式等离子清洁刻蚀灰化仪。

产品详情德Sentec电感耦合等离子体ICP干法刻机SI 500 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 型号：SI500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C型号：SI500C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C型号：SI500-RIE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS型号：SI500-300 ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片

1. 产品概述该ICPCVD工艺模块专门设计用于在相对较低的生长温度下生产高质量的薄膜，其核心技术是采用高密度远程等离子体来实现。这种设计不仅使得薄膜的成核和生长过程更加可控，还有效地提高了薄膜的物理和化学性能。通过高密度等离子体的使用，利用源自等离子体中的活性物质和离子，能够促进化学反应的发生，使得薄膜在较低的温度环境中仍能实现优质的沉积。这意味着在沉积过程中，能够有效地避免基板因过高温度而出现的热损伤，从而保护基材的结构与性能，确保最终产品的可靠性和稳定性。此外，该工艺模块为材料的多样性和应用广度提供了可能，适用于多种类型的薄膜沉积，包括但不限于硅基材料、氮化物、氧化物等。这使其在半导体、光电及微机电系统 (MEMS) 等行业中具有广泛的应用前景。2. 特色参数更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺高质量薄膜电的适用温度范围宽兼容200mm以下所有尺寸的晶圆快速更换不同尺寸晶圆购置成本低且易于维护紧密的设计，布局灵活电阻丝加热电，高温度可达400°C或1200°C实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺

电弧等离子体沉积系统日本ADVANCE RIKO公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。主要应用领域制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电催化剂，制氢催化剂）用热电材料靶材制备热电效应薄膜技术原理在触发电上加载高电压后，电容中的电荷充到阴（靶材）上。真空中的阳和阴（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体。通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。适用性APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 产品特点1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱系统参数1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm 产品对比测试数据■ 利用APD制备氧化铁纳米颗粒图1 三种不同碳基支撑物表面获得的氧化铁颗粒的HAADF-STEM图像及粒径分布统计图表1 铁负载量、纳米颗粒粒径与电弧脉冲次数的关系引用资料：Yumi Ida, et al. A useful preparation of ultrasmall iron oxide particles by using arc plasma deposition. RSC Adv., 2020, 10, 41523.■ 利用APD制备Fe-Co纳米颗粒APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱发表文章20211. Kamal Prasad Sharma, Aliza Khaniya Sharma, Toru Asaka, Takahiro Maruyama. Transmissible Plasma-Evolved Suspended Graphene for TEM Observation Window. ACS Appl. Nano Mater. 2021, XXXX, XXX, XXX-XXX.2. Ai Misaki, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama. Effect of growth temperature and ethanol flow rate on synthesis of single-walled carbon nanotube by alcohol catalytic chemical vapor deposition using Ir catalyst in hot-wall reactor. Jpn. J. Appl. Phys., 2021, 60, 015003. 2020 1. Yumi Ida, Atsushi Okazawa, Kazutaka Sonobe, Hisanori Muramatsu, Tetsuya Kambe, Takane Imaoka, Wang-Jae Chun, Makoto Tanabe, Kimihisa Yamamoto. A useful preparation of ultrasmall iron oxide particles by using arc plasma deposition. RSC Adv., 2020, 10, 41523.2. K Miyazawa, T Nagai, K Kimoto, M Yoshitake, Y. Tanaka. HRTEM-EELS cross-sectional characterization of HOPG substrate with platinum nanoparticles deposited using a coaxial arc plasma gun. Diam. Relat. Mater., 2020, 101, 107623.3. Xiao Zhao, Yutaka Hamamura, Yusuke Yoshida, Takuma Kaneko, Takao Gunji, Shinobu Takao, Kotaro Higashi, Tomoya Uruga, Yasuhiro Iwasawa. Plasma-Devised Pt/C Model Electrodes for Understanding the Doubly Beneficial Roles of a Nanoneedle-Carbon Morphology and Strong Pt-Carbon Interface in the Oxygen Reduction Reaction. ACS Appl. Energy Mater. 2020, 3, 6, 5542–5551.4. Naoto Todoroki, Shuntaro Takahashi, Kotaro Kawaguchi, Yusuke Fugane, Toshimasa Wadayama, Dry synthesis of single-nanometer-scale Ptsingle bondSi fine particles for electrocatalysis. J. Electroanal. Chem., 2020, 876, 114492.5. Hiroshi Yoshida, Yusuke Kuzuhara, Tomoyo Koide, Junya Ohyama, Masato Machida. Pt-modified nanometric Rh overlayer as an efficient three-way catalyst under lean conditions. Catal. Today, (On line, in press).6. Takahiro Maruyama, Takuya Okada, Kamal Prasad Sharma, Tomoko Suzuki, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Yoko Iizumi, Toshiya Okazaki, Sumi Iijima. Vertically aligned growth of small-diameter single-walled carbon nanotubes by alcohol catalytic chemical vapor deposition with Ir catalyst. Appl. Surf. Sci., 2020, 509, 145340.7. Teppei Ikehara, Zhiyun Noda, Junko Matsuda, Masamichi Nishihara, Akari Hayashi, Kazunari Sasaki. Porous Metal Support for Gas Diffusion Electrode of PEFCs. ECS Trans., 2020, 98, 573.8. D. Kawachino, M. Yasutake, Z. Noda, J. Matsuda, S. M. Lyth, A. Hayashi, K. Sasaki. Surface-Modified Titanium Fibers as Durable Carbon-Free Platinum Catalyst Supports for Polymer Electrolyte Fuel Cells. J. Electrochem. Soc., 2020, 167, 104513.9. Masahiro Yasutake, Daiki Kawachino, Zhiyun Noda, Junko Matsuda, Stephen M. Lyth, Kohei Ito, Akari Hayashi, Kazunari Sasaki. Catalyst-Integrated Gas Diffusion Electrodes for Polymer Electrolyte Membrane Water Electrolysis: Porous Titanium Sheets with Nanostructured TiO2 Surfaces Decorated with Ir Electrocatalysts. J. Electrochem. Soc., 2020, 167, 124523.用户单位北海道大学日本产业技术综合研究所东北大学（Tohoku University）韩国科学技术研究院九州大学京都大学大阪大学山梨大学东京理科大学东京工业大学

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。主要技术参数QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）腔体双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出等离子体 Plasma最大3kW RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制）高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定