硅光电二极管探测器

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

总览Photop&trade 系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops&trade 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的，既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置，也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器，在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件，利用不同的运算放大器，替换光电探测器，修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光电二极管放大器混合器 200-1100nm,光电二极管放大器混合器 200-1100nm型号参数应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大.光电二极管参数TA = 23°C时的典型电光参数型号有效面积响应度(A/W)电容(pF)暗电流(nA)分流电阻(MΩ )噪音等效功率(W/√Hz)反向电压温度范围(°C)封装形式面积(mm2) 尺寸(mm) 254nm 970nm 0V -10V -10V-10mV0V254nm-10V970nmV工作储存最小值典型值最小值典型值典型值典型值典型值 最大值典型值典型值典型值 最大值350-1100nm光谱范围UDT-455 5.1 2.54 f --- 0.60 0.65 85 15 0.25 3 --- 1.4 e -14 30**0 ~+ 70-30 ~+ 100 30 / TO-5OSI-515#UDT-020D164.57 f330600.5101.9 e -1431 / TO-8UDT-555D10011.3 f15003002253.9 e -1432/ Special200-1100nm光谱范围UDT-455 UV5.12.54 f 0.10 0.14 ---300 ---1009.2 e -14 --- 5**30 / TO-5OSI -020 UV164.57 f1000501.3 e -1331 / TO-8UDT-055 UV507.98 f2500202.1 e -1332/ SpecialUDT-555 UV 100 11.3 f 4500 10 2.9 e -13 32/ SpecialUDT-555UV /LN** TA = 23°C时，运算放大器的电光参数型号电源电压静态电源电流(mA)输入补偿电压 温度系数输入补偿电压输入偏置电流增益带宽乘积转换速度开环增益，DC输入噪声电压输入噪声电流 100 Hz 1k Hz 1 k Hz ± 15 VmVµ V / °CpAMHzV / µ sV /mVnV/ √HzfA/√Hz 最小值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值 典型值 典型值 典型值UDT-455 --- ±15 ±18 2.8 5.0 0.5 3 4 30 ±80 ±400 3.0 5.4 5 9 50 200 20 15 10UDT-455UVUDT-020DOSI-020UV---±15±181.820.030.120.3510.520---5.1---20100020005.85.10.8OSI-515*---±15±186.57.21310---±15±40232612514036.3---1210UDT-555UV/LN---±15±182.53.50.10.5±2±5±0.8±2---21250117781580.5UDT-055UV --- ±15 ±22 2.7 4.0 0.4 1 3 10 ±40 ±200 3.5 5.7 7.5 11 75 220 20 15 10UDT-555DUDT-555UV 机械图纸请参考第61至73页。* * LN–系列设备应在0V偏压下使用。*非冷凝温度和储存范围，非冷凝环境。# OSI-515取代UDT-455HS UDT-455，UDT-555D, 555UV, 055UVOSI-515:引脚1和5不兼容(无需调偏)。UDT-020D，OSI-020UVUDT-555UV/LN输出电压与光强度成正比，由下列公式得出:频率响应(光电二极管/放大器组合)光电二极管/放大器组合的频率响应由光电探测器、前置放大器以及反馈电阻(RF)和反馈电容(CF)的特性决定。对于已知增益(RF)，检波器/前置放大器组合的3dB频率响应如下所示:然而，所需的频率响应受到运算放大器增益带宽乘积(GBP)的限制。为了获得稳定的输出，必须选择RF和CF值，使检波器/前置放大器组合的3dB频率响应小于运算放大器的最大频率，即f3dB≤fmax。最后，下面给出了一个计算频率响应的例子。对于增益为108，工作频率为100 Hz，增益带宽乘积(GBP)为5 MHz的运算放大器:对于CF = 15.9 pF，CJ = 15 pF和CA = 7 pF，fmax约为14.5 kHz。因此，由于f3dB≤fmax，电路稳定。 有关具体应用的进一步阅读，请参考目录中的APPLICATION NOTES INDEX。注:阴影框代表Photop&trade 组件及其连接件。 光电二极管维护和操作说明避免直射光线由于硅光电二极管的光谱响应包括可见光区域，因此必须避免光电二极管暴露于高环境光水平下，尤其是钨源或日光。在OSI光电公司的运输过程中，您的光电二极管包装在不透明的填充容器中，以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 避免剧烈的物理冲击如果跌落或剧烈震动，光电二极管可能会损坏。焊线较为脆弱，当检测器掉落或受到剧烈的物理撞击时，可能会与光电二极管的焊盘分离。 用光学级布/纸巾清洁窗户OSI光电二极管上的大多数窗口材料是硅或石英。应使用异丙醇和软垫(光学级)清洁它们。 观察储存温度和湿度水平光电二极管暴露在高或极低的存储温度下会影响硅光电二极管的后续性能。存储温度指南在本目录的光电二极管性能规格中有相关介绍。请保持非冷凝环境，以保证光电二极管最佳性能和寿命。 遵守防静电措施光电二极管，尤其是集成电路器件(如Photops)被认为是静电敏感的。光电二极管采用防静电包装运输。在拆封和使用这些产品时，应遵守防静电注意事项。 不要将光电二极管暴露在刺激性的化学环境中如果暴露在氯乙烯、稀释剂、丙酮或三氯乙烯中，光电二极管封装和/或操作可能会受到影响。 小心安装本目录中的大多数光电二极管都配有电线或引脚，用于安装在电路板或插座上。遵守以下规定的焊接温度和条件:烙铁: 焊接30 W或更低 , 烙铁尖端的温度为300℃或更低。浸焊:镀浴温度:260±5℃ ,浸泡时间:5秒以内。 ,焊接时间:3秒以内。汽相焊接:请勿使用回流焊:请勿使用 请特别注意塑料包装中的光电二极管。透明塑料包装比黑色塑料包装对环境压力更敏感。在高湿度下存放器件可能会在焊接时出现问题。由于焊接过程中的快速加热会对焊线产生应力，并可能导致焊线与焊盘分离，因此建议将塑料封装中的器件在85℃下烘烤24小时。光电二极管上的引线不应形成。如果您的应用需要修改引线间距，请在形成产品引线之前联系OSI光电子应用程序部门。产品保修可能无效。1.参数定义:A =芯片顶部到玻璃顶部的距离。a =光电二极管正极。B =玻璃顶部到外壳底部的距离。c =光电二极管负极(注:负极通常用于金属包装产品，除非另有说明)。W =窗口直径。视场(见下文定义)。 2.尺寸单位为英寸(1英寸= 25.4mm)。3.除非另有规定，引脚直径为0.018±0.002"。4.公差(除非另有说明)常规: 0.XX ±0.01" 0.XXX ±0.005"芯片中心: ±0.010"尺寸“A”: ±0.015" 5.Windows操作系统所有“UV”增强产品都配有石英玻璃窗口，0.027±0.002"厚度。所有“XUV”产品都配有可移动窗户。所有“DLS”PSD产品都配有抗反射涂层玻璃窗。所有“FIL”光导和光伏产品都是环氧树脂填充的，而不是玻璃窗。 机械规格单位都是英寸。插脚引线是仰视图。

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。