各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照：http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/
请教各位HPLC高手有关光电二极管阵列检测器的原理.
要做一个紫外检测仪器，光源为LED单色光源，光电二极管做检测用，请问有了解发光二极管和光电二极管的吗？型号太多，不知道怎么选择。如发光二极管的参数有：功率，发光强度，波段，正向电压。。。选择多大功率是根据什么？？光电二极管的参数：工作电压，光接受尺寸，暗电流，响应时间。。。。依据什么来选择合适的参数呢？？貌似这些属于光电行业，实在不懂特来求助，急急急。
每周一贴谈设计——光电二极管阵列检测器二极管阵列检测器有多种名称，可表示为PDA（photo-diode array）、PDAD（photo-diode array detector）或（Diode array detector，DAD），是液相色谱最有发展、最好的检测器。其主要工作原理如下：复色光通过样品池被组分选择性吸收后再进入单色器，照射在二极管阵列装置上，使每个纳米波长的光强度转变为相应的电信号强度，即获得组分的吸收光谱，从而获得特定组分的结构信息，有助于未知组分或复杂组分的结构确定。至于每个厂家如何实现，接下来进入主题。首先讲Waters。Waters推出的光电二极管检测器光路如下图所示：http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/05/201305142225_440058_2352217_3.jpg氘灯产生的光首先被M1向流通池反射聚焦（M1为一个椭圆形镜面）。在M1和流通池之间有一个分光镜（Beam Splitter）将一部分光反射到参比二极管上，另一部分光路不变。经过流通池后再经M2反射聚焦，经过狭缝和光闸，到达光栅，经全息光栅衍射后被光电二极管阵列（512根，190nm-800nm波长范围）检测。接下来是AGILENT G1315的光路：http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/05/201305142225_440059_2352217_3.png首先钨灯产生的光经耦合透镜聚焦，经过氘灯上一个预留的孔（故此氘灯有别于G1314上使用的）与氘灯的光轴重合。重合后的光经过一片透镜和一组消色差透镜后，再经过一片透镜，流通池，光谱透镜，和狭缝到达光栅，经全息光栅衍射后由光电二极管阵列（1024根，190nm-950nm波长范围）检测。看完这两种设计以后，我能感受到的第一个感觉是AGILENT用了好多的透镜啊！我们可以来看看各个透镜的用处。首先耦合透镜，这是一个聚焦的透镜，作用是将可见光聚焦到氘灯的光轴上。然后是一组消色差透镜。消色差透镜的作用其实是用于修正不同波长的光经透镜聚焦后导致的色差。光谱透镜就是为了将经流通池的光聚焦以增强光能量。还有一些平面透镜，这些大多仅仅是用于隔开各个腔室的。而Waters设计中只有两枚反射镜（球面、聚焦）和一枚分光镜。第二点是参比。可以看到Waters的设计中参比是有一个独立的参比二极管进行能量采集并反馈调节氘灯电压以控制灯状态的。至于数据中的参比，Waters的解释是“参比光谱是在打开光闸的情况下，在曝光时间指定的间隔期间内测量灯强度和流动相吸光度”，“为得到最佳结果，参比光谱应代表初始流动相”。AGILENT光路中并没有什么独立的参比二极管，而其数据中的参比则来自于参比波长带宽内的平均吸收。第三点是可见光区。其实氘灯本身在可见光区就有能量，只是比较低。至于能否使用，个人认为只要在应用中灵敏度、噪音、漂移等达到要求即可。同时Waters放弃钨灯也让其可以使用这种不同于AGILENT的光路设计。第四点是二极管数量。这么说吧，512根二极管，平均1.2nm每根的分辨率是足够的用的。而1024根二极管，我只能说AGILENT相应配套硬件配置不够，没有发挥其优势。最简单的例子是AGILENT在任意时间提取的光谱图是非常有问题的（不详细分析了，也可能部分与其数据算法有关）。第五点是波长准确性。由于氘灯的发射光谱有特征谱线（656.1nm和486.0nm，此两处较尖锐），故广泛用于紫外检测器中，以便于波长校准。之前有版友讨论说为什么氙气灯不用于紫外检测器，我想，主要就是这个原因吧。其实所谓的校准，真正目的是确定某根二极管对应的波长。然后计算第x根二极管采集的是哪些波长吸光度的平均值。AGILENT中提供了一个验证方法，即氧化钬测试，以验证计算结果与真实结果是否相符。Waters的验证方法则是将本次校准值与上次相比较，并没有额外引入其他的标准谱线。[/si
近晶参加了某仪器公司的培训,在比较不同公司粒度仪性能的时候,有一项是检测器的比较,某公司说其所用的检测器雪崩式光电二极管比光电倍增管的放大倍数更大,但从我现在的了解和原理上说,还应是光电倍增管的放大倍数要大,哪位帮我解释和比较一下.谢谢!
现在光电二极管阵列检测器应用越来越普及，特此分享 《WATERS 2998 光电二极管阵列检测器 操作员指南》
哪位仁兄有：多通道分光光度计（即光电二极管陈列分光光度计）的使用请指教！
[em0903]价格便宜质量好的能开票的探测器FC封装光电二极管带参数回复 海特光电有限责任公司 马铭 2009
韩国新科光电二极管阵列(PDA)紫外分光光度计怎么样？
大家好，我想问一下大家什么是共阴极的激光二极管啊？就是说他的驱动电流和探测器共用一个阴极吗？
看到网上及论坛内不少说这两种是一样的，也有说是不一样的http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20071107/1050063/硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。特点：当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流. 用途：1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等. 2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等. 3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器，如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器；紫蓝硅光电池具有光电倍增管，光电管无法比拟的宽光谱响应，它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠，电路设计简单灵活，是光电管的更新换代产品。目前也有可以使用到190-1100nm的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。 网上硅光电池是发电的硅光电二极管只要是用光来控制电流 本身几乎不发电另外光电二管管与硅光电二极管有什么区别？
[b][b]求问HPLC光电二极管阵列检测器条件可以用到紫外检测器吗（我们实验室的HPLC）配置的是紫外检测器？[/b][/b]
紫外线传感器又称UV传感器， UV固化机是能够发出可利用的强紫外线的一种机械设备。它已被广泛应用于印刷、电子、建材、机械等行业。UV固化机的种类和样式因其所光固的产品不同而有所不同，但其最终的目的是一致的，就是用来固化UV油漆或UV油墨等。UV固化装置由光源系统、通风系统、控制系统、传送系统和箱体等五个部分组成。[img=,613,306]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/06/201906220925431398_768_3332482_3.jpg!w613x306.jpg[/img]UV固化在英文中称UVCuring 或 UV Coating，UV固化是光化学反应，即液态的UV照射可固化材料经印刷或涂布到承印物或工件表面，经UV光线照射实现硬化的过程，UV固化与传统的干燥过程相似，但原理不同，传统的干燥一般借助于涂敷材料中溶剂的挥发而形成硬化，而UV固化交联则无溶剂挥发。UV光源系统的不同，也决定了监测其光源强度的紫外线传感器使用具有一定的差异，目前市面上常见的UV固化机中大部分使用的是UV汞灯，在喷涂行业，印刷行业，鞋业方面，木业方面，PCB、LCD行业（金属卤素灯管）工艺品上光等领域都有UV固化的身影。使用此类光源时，会产生大量的热量。会导致灯管附近的温度偏高，温度一般可达到100℃左右，目前紫外线传感器的基材大致分为GaN，SiC和GaP。GaN基材的传感器耐温不能超过85℃，GaP基材的耐温范围大约在125℃以内。SiC材质的传感器耐温值可以达到170℃。高功率发光二极管没有红外线发出。被照射的产品表面温升5°C以下,而传统汞灯方式的紫外线固化机一般都会使被照射的产品表面升高60－90°C，使产品的定位发生位移，造成产品不良。UV-LED固化方式最适宜塑料基材、透镜粘接及电子产品、光纤光缆等热敏感、高精度的粘接工艺要求。采用大功率LED芯片和特殊的光学设计，是紫外光达到高精度、高强度照射；紫外光输出达到8600mW/m2的照射强度。采用最新的光学技术和制造工艺，实现了比传统汞灯照射方式更加优化的高强度输出与均匀性，几乎是传统汞灯方式照射光度的2倍，使UV粘合剂更快固化，缩短了生产时间，大幅度提高了生产效率。针对一般的温度（80℃以下），只要是对应波段的传感器均能满足大部分的需求，一般传感器或者内置放大的电流的传感器能承受的温度范围均在85℃内。在温度范围内工作，传感器主要需要考虑的因素就是传感器能承受的最大辐射强度。一般来说GaN系列材质的传感器能够承受的最大辐射强度大约为100mw/cm2，建议传感器在没有安装衰减器时，紫外线的辐射强度不要超过50mw/cm2，高强度的辐射强度会大大降低紫外线的寿命，但是SiC材质的传感器能很好的承受高强度辐射。检测范围为190-570nm（445nm峰值响应）的GaP材质的紫外线传感器的检测范围可以从420uw/cm2到4.3W/cm2，由于内部集成有放大电路，故使用温度范围是-25~85℃。[img=,394,291]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/06/201906220925560512_2079_3332482_3.jpg!w394x291.jpg[/img]针对365nm，385nm，405nm等波段的紫外线传感器，目前市面上质量比较好的主要有工采网从国外进口的紫外光电二极管 - SG01D-5LENS，SiC具有独特的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的上佳使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C(338°F)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低， 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。紫外光电二极管 SG01D-5LENS 参数：[img=,690,365]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/06/201906220926064442_3394_3332482_3.jpg!w690x365.jpg[/img]
二极管检测器有优势 光电二极管阵列检测器（以下简称二极管检测器）也是紫外检测器的一种，一般也能实现紫外-可见光的检测功能。现在市场上主要还是以紫外检测器为主，二极管检测器还处于青年期，它的应用还不够多。 二极管检测器的一些特点铸就它势必会有很大的发展空间，在分析应用中会占有一席天地。 下面就介绍下二极管检测器相比紫外检测器的一些主要特点和发展前途。 二极管检测器是由一系列光电二极管以不同的组合排列而成，一般有256个的，512个的，1024个的，现在市场上最多的也是1024个的。它采用的是单波长、多波长和全波长检测，功能很多，大家经常采用的是全波长检测。它可实现三维色谱图，实现多波长检测和多通道检测。对于单个物质具有多个可实现的检测波长和某些同分异构体类或检测波长非常接近的物质时，选择最佳的检测波长和实现分离度不好也能非常准确的检测出来就显得非常的有优势。更有优势的是它可在一张色谱图上通过选择不同的波长实现不同的检测结果。比如下面这个样品，实现混合物完全分离非常难，基本分离也是比较难的，如果采用二极管检测器检测，那就容易的多了。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410181833_518953_2498430_3.pnghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410181837_518957_2498430_3.png 二极管检测器发展到现在发展的还不是很成熟，和紫外检测器相比还有一些劣势，比如造价较高，结构较复杂，灵敏度不够高等。 二极管检测器的这些劣势可能是它结构较复杂，造价较高而没被各大厂家重视而没发展起来。随着基础工业、高新工业的发展，我想这些问题会越来越不是问题，最近几年这种检测器的市场占有率就明显多了起来。 希望国内外的各大厂家都能重视二极管检测器的发展，把它的造价减下去，灵敏度搞上来，把它的优势发展的淋漓尽致。另外这种检测器到1024个二极管时，二极管数量越多，性能越强大。那么我们是不是能把二极管的数量再往上增加些呢，比如2048个、4096个等等。 期望二极管检测器能快速发展，能被市场广泛认可。
紫外线传感器又称UV传感器， UV固化机是能够发出可利用的强紫外线的一种机械设备。它已被广泛应用于印刷、电子、建材、机械等行业。UV固化机的种类和样式因其所光固的产品不同而有所不同，但其最终的目的是一致的，就是用来固化UV油漆或UV油墨等。UV固化装置由光源系统、通风系统、控制系统、传送系统和箱体等五个部分组成。[img=,613,306]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/06/201906220923425977_2623_3332482_3.jpg!w613x306.jpg[/img]UV固化在英文中称UVCuring 或 UV Coating，UV固化是光化学反应，即液态的UV照射可固化材料经印刷或涂布到承印物或工件表面，经UV光线照射实现硬化的过程，UV固化与传统的干燥过程相似，但原理不同，传统的干燥一般借助于涂敷材料中溶剂的挥发而形成硬化，而UV固化交联则无溶剂挥发。UV光源系统的不同，也决定了监测其光源强度的紫外线传感器使用具有一定的差异，目前市面上常见的UV固化机中大部分使用的是UV汞灯，在喷涂行业，印刷行业，鞋业方面，木业方面，PCB、LCD行业（金属卤素灯管）工艺品上光等领域都有UV固化的身影。使用此类光源时，会产生大量的热量。会导致灯管附近的温度偏高，温度一般可达到100℃左右，目前紫外线传感器的基材大致分为GaN，SiC和GaP。GaN基材的传感器耐温不能超过85℃，GaP基材的耐温范围大约在125℃以内。SiC材质的传感器耐温值可以达到170℃。高功率发光二极管没有红外线发出。被照射的产品表面温升5°C以下,而传统汞灯方式的紫外线固化机一般都会使被照射的产品表面升高60－90°C，使产品的定位发生位移，造成产品不良。UV-LED固化方式最适宜塑料基材、透镜粘接及电子产品、光纤光缆等热敏感、高精度的粘接工艺要求。采用大功率LED芯片和特殊的光学设计，是紫外光达到高精度、高强度照射；紫外光输出达到8600mW/m2的照射强度。采用最新的光学技术和制造工艺，实现了比传统汞灯照射方式更加优化的高强度输出与均匀性，几乎是传统汞灯方式照射光度的2倍，使UV粘合剂更快固化，缩短了生产时间，大幅度提高了生产效率。针对一般的温度（80℃以下），只要是对应波段的传感器均能满足大部分的需求，一般传感器或者内置放大的电流的传感器能承受的温度范围均在85℃内。在温度范围内工作，传感器主要需要考虑的因素就是传感器能承受的最大辐射强度。一般来说GaN系列材质的传感器能够承受的最大辐射强度大约为100mw/cm2，建议传感器在没有安装衰减器时，紫外线的辐射强度不要超过50mw/cm2，高强度的辐射强度会大大降低紫外线的寿命，但是SiC材质的传感器能很好的承受高强度辐射。检测范围为190-570nm（445nm峰值响应）的GaP材质的紫外线传感器的检测范围可以从420uw/cm2到4.3W/cm2，由于内部集成有放大电路，故使用温度范围是-25~85℃。[img=,394,291]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/06/201906220923569282_8779_3332482_3.jpg!w394x291.jpg[/img]针对365nm，385nm，405nm等波段的紫外线传感器，目前市面上质量比较好的主要有工采网从国外进口的紫外光电二极管 - SG01D-5LENS，SiC具有独特的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的上佳使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C(338°F)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低， 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。紫外光电二极管 SG01D-5LENS 参数：[img=,690,365]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/06/201906220924091402_1665_3332482_3.jpg!w690x365.jpg[/img]
A diode array is a bank of many diodes. Each of these diodes cause electricity to flow in one direction. In the case of diodes which are sensitive to light, these diodes are termed photo diodes, hence the detector is a photodiode array detector (PDA). In HPLC Diode array detector (DAD) is a colloquial term for a PDA, it does not specify the parameter which causes the electricity to flow. The WaveQuest uses a different type of technology, which involves dynamic Absorbance detection technology, hence the term dynamic Absorbance detector (DAD). I am sorry, but the details of that technology are company confidential. 二极管是一种允许电流单向流动的设备。二极管阵列是一组二极管，每个二极管都只允许电子单向流动。有些二极管对光非常敏感，所有称为光电二极管photodiode，因此这种检测器称为光电二极管阵列检测器Photodiode array detector，PDA.液相色谱的Diode Array Detector（DAD）是PDA的口语化的表达方式，这种表达方式没有指明是什么因素导致电子的单向流动。
二极管阵列检测器参数解读二极管阵列检测器 即光电二级阵列管检测器又称光电二极管列阵检测器或光电二极管矩阵检测器，表示为PDA（photo-diode array）、PDAD（photo-diode array detector）或（Diode array detector，DAD）是20世纪80年代出现的一种光学多通道检测器。在晶体硅上紧密排列一系列光电二极管，每一个二极管相当于一个单色器的出口狭缝，二极管越多分辨率越高，一般是一个二极管对应接受光谱上一个纳米谱带宽的单色光。此外，还有的商家称之为多通道快速紫外-可见光检测器（multichannel rapid scanning UV-VIS detector），三维检测器（three dimensional detector）等。光电二极管阵列检测器目前已在高效液相色谱分析中大量使用，一般认为是液相色谱最有发展、最好的检测器。工作原理结构图：http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/03/201303051617_428518_1608710_3.jpg◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆列举部分仪器的个别参数，供参考：波长范围：190 nm ~ 950 nm； 光源：氘灯和钨灯； 二极管数量：1024个或512个光电二极管阵列； 波长准确度：± 1nm (D2峰)；光谱分辨率：1.2nm (固定)噪音：10 X 10-6AU ，254nm漂移：1X10-3 AU/hr ，254nm狭缝带宽：1-16 nm 可调； 采集速率：80HZ； 流通池：标准：体积15.5μL，光程10mm，压力1000psi；半微量：体积6μL，光程5mm，压力1000psi；微量：体积2μL，光程2mm，压力1000psi．〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓分割线〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓请您来解析：1、你觉得哪些参数是这个仪器的心脏？2、光源有些厂家的检测器只有氘灯，而有些是两个灯，为什么？3、二极管数量会影响仪器性能么？4、采集速率、狭缝带宽、波长准确度这几个参数是否能显示仪器竞争优势？5、你的流通池都是什么规格的？6、仪器检定的时候都测哪几个参数？如何测？7、你对厂家的检测器噪声和漂移两个参数是如何理解和认识的？8、你的色谱工作站对检测器的控制和操作是否快捷方便？有哪些优势和缺点？比如峰纯度测试、匹配、数据的提取等等欢迎大家参与讨论，说说自己的认识或者提出自己的疑问！！！
我知道：紫外-可见光（UV-VIS）检测器 原理： 基于Lambert-Beer定律，即被测组分对紫外光或可见光具有吸收，且吸收强度与组分浓度成正比。很多有机分子都具紫外或可见光吸收基团，有较强的紫外或可见光吸收能力，因此UV-VIS检测器既有较高的灵敏度，也有很广泛的应用范围。由于UV-VIS对环境温度、流速、流动相组成等的变化不是很敏感，所以还能用于梯度淋洗。一般的液相色谱仪都配置有UV-VIS检测器。用UV-VIS检测时，为了得到高的灵敏度，常选择被测物质能产生最大吸收的波长作检测波长，但为了选择性或其它目的也可适当牺牲灵敏度而选择吸收稍弱的波长，另外，应尽可能选择在检测波长下没有背景吸收的流动相。 二极管阵列检测器（diode-array detector, DAD）： 以光电二极管阵列（或CCD阵列，硅靶摄像管等）作为检测元件的UV-VIS检测器.它可构成多通道并行工作，同时检测由光栅分光，再入射到阵列式接受器上的全部波长的信号，然后，对二极管阵列快速扫描采集数据，得到的是时间、光强度和波长的三维谱图。与普通UV-VIS检测器不同的是，普通UV-VIS检测器是先用单色器分光，只让特定波长的光进入流动池。而二极管阵列UV-VIS检测器是先让所有波长的光都通过流动池，然后通过一系列分光技术，使所有波长的光在接受器上被检测。二极管阵列检测器可以获得全波长的样品信息，而且可以根据吸收光谱辅助定性。但相对来说，专门的紫外检测器灵敏度能高一些。二极管阵列检测器是检测的全波长，但是我做的产品需要打印特定波长下的谱图。现在我只会一个一个在离线下改波长。但我听说lc solution是可以在一开始做样前改方法的，不知道怎么弄，希望前辈能指点！谢谢！
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns(纳秒)以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V），通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2．检测方法 1）测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。 2）常规检测方法 在业余条件下，利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，IF=5A，IFSM=50A，VRM=700V。将万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项： 1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见：[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url]（MIDIQI.COM） [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]
[b]一种新型高效液相色谱二极管阵列检测器[/b][i]范安定，张云海，林从敬等；[/i]摘 要：研制了一种全封闭光学系统的高效液相色谱二极管阵列检测器。这种全封闭结构可以同时提高灵敏度、光谱分辨率和线性范围，对萘的最小检测量在230nm下可达1×10-10g，且线性范围比为5×104。该检测器所采集的连续波长吸光度数据可以形成形象直观的三维谱图，以几种芳香类化合物为研究对象，验证了该系统的各项性能。关键词：高效液相色谱 二极管阵列检测器 全封闭光学系统80年代二极管阵列检测器(DAD)的发明开创了液相色谱的新纪元，该检测器在一次分析过程中记录了所有的光谱信息，可提供最佳波长的确定、峰纯度检验和色谱峰鉴定。随着液相色谱技术的成熟，检测器的设计与应用正转向定性分析，尽管普通的紫外可变波长检测器在定量上具有灵敏度高和线性好的优点，新一代的检测器更要能提供对色谱峰进行鉴定和跟踪的定性信息。目前国内尚无商品化的仪器。基于这一趋势，我们对80年代研制的2030型DAD检测器的光学系统在技术上进行了重大改进和突破，研制了一种新型的全封闭光学系统的DAD检测器。以几种芳香类化合物为研究对象，验证了该系统的各项性能，证实了该系统性能优良。1 检测器结构与性能对比1.1 检测器结构该系统的结构由光学、电路及软件部分组成。光学部分由光源、聚光透镜、流动池、全息凹面光栅及光导纤维组成，它将光源产生的混合光经表面色散分成连续波长的平行光照射到二极管阵列上，光学部分采用全封闭的结构 电路部分接收光电二极管阵列产生的电流信号，并对所收到的电流信号进行电压转换、放大、滤波、AD转换和产生中断触发、进行数据采集，同时对光电二极管阵列进行反控 软件部分分为数据采集、数据处理、图形处理及仪器维护四个模块，数据采集模块包括数字滤波、数据读取与存储和实时显示，数据处理模块完成谱图显示、峰纯度检测、最佳波长选择及光谱、色谱处理，图形处理模块实现等高线及三维图的处理，仪器维护模块实现仪器的状态判断与维护。
我之前在《每周一贴谈设计——光电二极管阵列检测器》中犹豫是否要提到这个问题，就是“DAD到底能不能真的得到3D扫描图”。今天看到网友的这个帖子，豁然开朗。我在原帖4楼提供了链接，大家可以点进去看看，希望大家可以讨论一下这个技术细节。
【参数解读】解析液相色谱二极管阵列检测器技术指标http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20130305/4601686/工作原理结构图：http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/01/201701191656_646650_1608710_3.jpg◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆列举部分仪器的个别参数，供参考：波长范围：190 nm ~ 950 nm； 光源：氘灯和钨灯； 二极管数量：1024个或512个光电二极管阵列； 波长准确度：± 1nm (D2峰)；光谱分辨率：1.2nm (固定)噪音：10 X 10-6AU ，254nm漂移：1X10-3 AU/hr ，254nm狭缝带宽：1-16 nm 可调； 采集速率：80HZ； 流通池：标准：体积15.5μL，光程10mm，压力1000psi；半微量：体积6μL，光程5mm，压力1000psi；微量：体积2μL，光程2mm，压力1000psi．〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓分割线〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓〓http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/04/201304181710_436034_1608710_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2013/04/201304181711_436036_1608710_3.jpg欢迎大家继续补充！！！
在众多工业中，好多电子仪器仪表中，原先模拟电路已经淘汰，都采用了电子线路，众多电子元器中，二极管、三极管等十分广泛使用。比如说，智能数字显示表、智能氧化锆氧分析仪等，都采用数字线路。下边简要说明下，二极管的结构。晶体二极管的管芯是一个PN结，在管芯两侧的半导体上分别引出电极引线，其正极由P区引出，负极由N区引出，用管壳封装后就制成二极管。常用的晶体二极管是用硅或诸等半导体材料制成的，目前我过已系列化生产的硅二极管有2CP、2CZ、2CK等系列。二极管分为点接触型和面接触型。
最近实验室要向安捷伦购买一台1260的液相,带二极管阵列检测器,销售人员向我们提供了一个选择Agilent 1260 Infinity二极管阵列检测器(G4212B)和Agilent 1260 Infinity二极管阵列检测器(G1315D)请问G4212B和G1315D有什么区别吗？哪个更好用点？我们实验室主要检测食品的。希望各位大虾们多多指教！
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件(MB95F128)。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层，使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区，就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭，于是电导增加，增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘，它们都联结到一个共同的n型层上。当光二极管阵列表面被电子束扫描时，每个p型柱就连接着被充电到电子束的电位，起一个充电电容器的作用。当光子打到n型表面以后形成空穴，空穴向p区移动并使沿入射辐射光路上的几个电容器放电。然后当电子束再次扫到它们时，又使这些电容器充电。这一充电电流随后被放大作为信号。光二极管阵列可以制成光学多道分析器。
电子基础知识简介——晶体二极管知识全解 普通晶体二极管的基础知识 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。一、二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。普通二极管实物图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212230001_414505_1841897_3.jpg大功率二极管实物图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212230002_414506_1841897_3.jpg可参考一个PPT课件，有一点电子基础的话，可能更好理解一些。
阵列二极管检测器一般用于什么呀？
[align=left][font=宋体][font=宋体]基础半导体器材范畴的高产能生产专家[/font][font=宋体]Nexperia今日宣布扩展其超低电容ESD维护二极管产品组合。该系列器材旨在维护轿车信息娱乐使用的USB、HDMI、高速视频链路和以太网等接口的高速数据线路。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]此次新增器材包含[/font][font=宋体]PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均选用DFN1006BD-2封装，可在轿车生产线中经过侧边爬锡进行光学检测。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q还供给紧凑型DFN1006-2封装选项。为改善电气功能和信号完整性，同时支持轿车规划中的小型化需求，所有版别均选用无引脚封装。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]静电放电[/font][font=宋体](ESD)二极管经过耗散静电放电的高能量来维护要害电子体系和子体系。这能够维护重要的SOC（体系芯片）和其他器材在ESD事件期间免遭损坏。向高速数据线路添加其他器材会导致下降传输数据的信号完整性。因此，恰当选择既能维护体系且不阻碍信号传输的器材，对于现代高速轿车体系至关重要。Nexperia长期占据商场主导地位，对于供给超卓ESD维护解决方案拥有深厚的专业知识。Nexperia归纳考虑了规划工程师和轿车体系的需求，在该产品组合中经过超低器材结电容（典型值低至0.28 pF）和更高的截止电压(18-32 V)完成了超卓的信号完整性，可放置在更靠近连接器的位置。为了提高规划灵活性，这些二极管供给带或不带侧边爬锡的选项，其中侧边爬锡有助于完成自动光学检测(AOI)。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]这些器材契合[/font][font=宋体]AEC-Q101车规级标准，兼具超深度回弹特性和0.8 Ω低动态电阻特性，可提升高速数据接口中的体系级稳健性和钳位功能。[/font][/font][/align]
中国电力电子产业网讯：凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出可为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案的高压理想二极管控制器LTC4359，拥有适合汽车、航空电子及太阳能应用的重要特性。LTC4359在4V至80V的宽电源电压范围内工作，可承受 -40V至100V的输入电压而不会受损。工作电流为很低的150μA，停机控制输入使LTC4359能进入低电流停机模式，仅吸取13μA电流。此外，LTC4359保证工作在-40℃至125℃的环境温度范围。这些特性使LTC4359能在严苛的汽车环境中保护负载，例如在负载突降、冷车发动、双电池助推起动、以及电池反接等情况。当与高压浪涌抑制器LT4363结合使用时，LTC4359提供了可靠的前端保护，以免因过压、过流和电池反向连接而导致损坏。另外，该器件的低工作电流还可惠及太阳能系统，在此类系统中，LTC4359可用于提供一条负责隔离太阳能板与负载的低损耗通路。 LTC4359控制一个外部N沟道MOSFET，以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这可以提供一个较低损耗的通路，而且在大功率应用中，这可以提供一种效率更高的解决方案，并通过降低对散热的需求，节省了宝贵的电路板空间。此外，还提供对背对背MOSFET的控制，以在停机时防止电流从输入流向输出。LTC4359控制MOSFET两端的正向压降，以确保平滑地提供电流而不出现震荡，甚至在轻负载时也是如此。如果电源出现故障或短路，那么1μs的快速断开时间可最大限度地减小反向瞬态电流。 LTC4359还可在那些将多个电源并联以提供冗余的应用中使用。在N+1冗余系统中，增设了一个额外的电源以在其中一个电源出现故障的情况下保护系统。将电源“或”连接在一起可在发生输入故障或严重短路时与电源总线实现断接。此外，LTC4359还可与一个储能电容一起使用，以在失去输入电源之后保持一段时间的供电。这可实现系统持续运作，而不会由于输入电源的短暂中断而导致复位或重启。 LTC4359隶属于一个理想二极管控制器系列，该系列包括单通道高电压理想二极管控制器LTC4357、正二极管“或”控制器LTC4355、负二极管“或”控制器LTC4354、以及0V至 18V的单个理想二极管控制器LTC4352。该理想二极管控制器产品库为凌力尔特丰富齐全的浪涌抑制器和热插拔(Hot Swap) 控制器产品线提供了补充，例如高电压热插拔控制器 LTC4260，其具有一个用于提供大量系统监测功能的内部ADC。 LTC4359规格在商用、工业和汽车温度范围内工作，采用2mm x 3mm 6引线DFN和8引线MSOP封装。该器件已开始供货，千片批购价为每片2.10美元起。演示电路板和免费样品可在线或通过凌力尔特当地销售办事处获得。 高压理想二极管控制器可承受反向电压 性能概要：LTC4359 ●取代电源肖特基二极管 ●宽工作电压范围：4V至80V ●反向输入保护至-40V ●13μA 的低停机电流 ●150μA 的低工作电流 ●平滑切换并无振荡 ●在 -40℃至125℃的工作温度范围 ●8引线 MSOP 和 2mm x 3mm 6 引线 DFN 封装
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