全自动离子束清洗系统

高性能与高灵活性兼备“Ethos”采用日立高新的核心技术--全球领先的高亮度冷场发射电子枪及新研发的电磁复合透镜，不但可以在低加速电压下实现高分辨观察，还可以在FIB加工时实现实时观察。SEM镜筒内标配3个探测器，可同时观察到二次电子信号的形貌像以及背散射电子信号的成分衬度像；可非常方便的帮助FIB找寻到纳米尺度的目标物，对其观察以及加工分析。 另外，全新设计的超大样品仓设置了多个附件接口，可安装EDS*1和EBSD*2等各种分析仪器。而且NX5000标配超大防振样品台，可全面加工并观察最大直径为150mm的样品。 因此，它不仅可以用于半导体器件的检测，而且还可以用于从生物到钢铁磁性材料等各种样品的综合分析。*1Energy Dispersive x-ray Spectrometer（能谱仪（EDS））*2Electron Backscatter Diffraction（电子背散射衍射（EBSD）） 核心理念1. 搭载两种透镜模式的高性能SEM镜筒HR模式下可实现高分辨观察（半内透镜）FF模式下可实现高精度加工终点检测（Timesharing Mode）2. 高通量加工可通过高电流密度FIB实现快速加工（最大束流100nA）用户可根据自身需求设定加工步骤3. Micro Sampling System*3运用ACE技术（加工位置调整）抑制Curtaining效应控制离子束的入射角度，制备厚度均匀的薄膜样品4. 实现低损伤加工的Triple Beam System*3采用低加速（Ar/Xe）离子束，实现低损伤加工去除镓污染5. 样品仓与样品台适用于各种样品分析多接口样品仓（大小接口）超大防振样品台（150 mm□）*3选配

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

Ion Beam离子束清洗NIE-3500 (AC)全自动离子束清洗系统产品概述：该系统为全自动上下载片，并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统产品特点：低成本带预真空锁，自动上下载片离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀 NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统Features：Low CostAuto Load/Unload with Load LockIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

IBE离子束刻蚀NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为全自动上下载片，并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品特点：低成本带预真空锁，自动上下载片离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀 NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀Features：Low CostAuto Load/Unload with Load LockIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

Ion Beam离子束清洗NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3000 (C) 离子束清洗系统产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀 NIE-3000 (C) 离子束清洗系统 Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3000 (C) 离子束清洗系统 Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

Ion Beam离子束清洗NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品概述：该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500 (MC)离子束清洗系统产品应用：表面清洗表面处理离子铣带活性气体的离子束刻蚀光栅刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀 NIE-3500 (MC)离子束清洗系统Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500 (MC)离子束清洗系统Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

IBE离子束刻蚀系统NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品特点：14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板离子束中和器氩气MFC6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机步进电机控制晶圆片倾斜自动上下载晶圆片典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀 Features：14.5" SS Cube ion beam chamber16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shuttersIon Beam neutralizerAr MFCChilled water cooled 6” substrate platenWafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motorWafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational sealManual wafer load/unloadTypical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si+/-3% etch uniformity over 6“ area5x 10-6 Torr 20 minutes 2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pumpMagnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidationPC Controlled with LabVIEW SoftwareRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked

NIE-4000 离子束刻蚀系统 NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。 NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持在50°C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片。 工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。 系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，防止使用者越权使用，含：。 操作者权限：运行程序。工艺师权限：添加/编辑和删除程序。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支持 1到 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺。 系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到10-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量。 对标准晶圆可支持单片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控。 若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处理 典型应用： 。 三族和四族光学元件。激光光栅。高深宽比的光子晶体刻蚀。在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀。 微流体传感器电极及测热式微流体传感器 设备特点：。 24”x60”x10”长方或 14.5”立方型不锈钢离子束腔体。24”Wx10”H 或 8”测开门，带 2 个 2”观察视窗。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)。 倒装磁控无栅无灯丝准直 60cm 线性离子源(离子枪)，1500-2500V，并且高达 1000mA，无需中和器。。 离子源均匀性可达+/-2.5%，操作压力1mTorr。与带栅极离子源相比更可靠，更低维护，更少污染。。 离子枪电源：4KV 电源。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蚀应用。 反应性气体通过靶枪的长度方向引入，均匀分布。冷却水冷却（背氦冷却可选）。 步进电机控制离子枪扫描或样品台旋转/倾斜。 手动或自动(自动仅对标准晶圆)上下载晶圆片。 配套 1200L/Sec 涡轮分子泵，串接 2021C2 机械泵，带 Fomblin 泵油。 极限真空可达 7×10-7 Torr。下游压力通过 PC 对分子泵涡轮速度的控制自动调节。SiN4 磁控溅射保护被刻蚀金属表面以防氧化(选配)。 基于 LabVIEW 软件的计算机全自动工艺控制。菜单驱动，密码保护，完全的安全联锁。紧凑型设计，占地面积仅 26”Dx66”W,节省空间 系统可选：。光谱终点探测器。氦气背部冷却。更大尺寸的电镀方形腔体。 自动装载/卸载。 低温泵组。 附加反应气体质量流量控制器。 格状射频电感耦合等离子体。 用于钝化层沉积的溅射源

三离子束切割仪 Leica EM TIC 3X 几乎任何材质样品都可获得高质量截面，在没有任何变形或损伤的情况下揭开样品内部最真实结构信息，在使用徕卡EM TIC3X之前，这类工作从未变得如此之简单。徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪适宜处理软/硬复合、带有孔缝结构、热敏感性、脆性及非均质样品，获得样品截面，从而进行扫描电子显微镜（SEM），微区分析（EDS，WDS，Auger，EBSD）及原子力显微镜或扫描探针显微镜(AFM，SPM)检测。三离子束（分别独立控制），冷冻样品台及多样品台，确保离子束对样品处理高效，切割区域宽且深，从而获得高质量截面切割结果。三离子束技术三离子束部件垂直于样品侧表面，因此在进行离子束轰击时样品（固定在样品托上）不需要做摆动运动以减少投影/遮挡效应，这又保证有效的热传导，减少样品在处理过程中受热变形。技术三离子束汇聚于挡板边缘的中点，形成一个100°轰击扇面，切向暴露于挡板上方的样品（样品上端高出挡板约20-100μm），直到轰击到达样品内部目标区域。新型设计的离子枪可产生的离子束研磨速率达到150μm/h (Si10 kV，3.0 mA，50μm切割高度)。徕卡独特的三离子束系统，可获得优异的高质量切割截面，并且速率高，切割面宽且深，这可大大节约工作时间。通过这一独特技术可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4×1mmLeica EM TIC 3X - 设计和操作方面的创新性特点高通量，提高成本收益??可获得高质量切割截面，区域尺寸可达4×1mm??多样品台设计可一次运行容纳三个样品??离子研磨速率高，Si材料300μm/h，50μm切割高度，可满足实验室高通量要求??可容 纳 最 大 样 品 尺 寸 为50×50×10mm??可使用的样品载台多种多样简单易用，高精度??可简易准确地完成将样品安装到载台上以及调节与挡板相对位置的校准工作??通过触摸屏进行简单操控，不需要特别的操作技巧??样品处理过程可实时监控，可以通过体视镜或HD-TV摄像头观察?? LED照明，便于观察样品和位置校准??内置式，解耦合设计的真空泵系统，提供一个无振动的观察视野??可在制备好的平整的切割截面上可再进行衬度增强作用，即离子束刻蚀处理。??通过USB即可进行参数和程序的上传或下载??几乎适用于任何材质样品??使用冷冻样品台，挡板和样品温度可降至–150°C多种多样的样品载台几乎适合于各式尺寸样品，并适合于广泛用途。如用一个样品托，就可以完成前机械预制备（徕卡EM TXP）至离子束切割（徕卡EM TIC 3X），以及SEM镜检，然后再放入样品存储盒中以备后续检测。衬度增强在离子束切割之后，无需取下样品，用同样的样品载台还可对样品进行衬度 增强作用，可以强化样品内不同相之前的拓扑结构（如晶界）高精度现在，样品中越来越小的细节结构正逐步受到人们的关注。而通过切割获得截面，如获得很小的TSVia孔结构，已经变得轻而易举。所有样品台都设计达到±2μm的样品位置校准精度。不仅样品台的控制精度可以实现如此精确的目标定位校准工作，观察系统也可观察最小约3μm大小的样品细节，以便进行精确的目标定位。为帮助定位时更好地观察样品，4分割LED环形光源或LED同轴照明提供很大帮助，帮助使用者从体视镜或HD-TV摄像头中获得清晰的图像。由于将真空泵内置于仪器内部，因此不需要再单独腾出一个空间。得益于真空泵的解耦合设计，在样品制备过程中，观察视野不会受到真空泵产生的振动干扰。

IBE离子束刻蚀NIE-3000IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3000IBE离子束刻蚀产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3000IBE离子束刻蚀产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀 NIE-3000IBE离子束刻蚀 Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3000IBE离子束刻蚀 Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

IBE离子束刻蚀NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品应用：表面清洗表面处理离子铣带活性气体的离子束刻蚀光栅刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀 NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀Features：Low CostIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

聚焦离子束（Xe）扫描电镜 FERA 世界第yi个完全集成式Xe等离子源聚焦离子束扫描电子显微镜----FERA3，提供了超高离子束束流（zui高束流为2μA），其溅射速度比Ga离子源高50多倍。对于目前浪费时间或不可能进行的需要刻蚀的材料，FERA3型仪器是一个不错的选择。 新一代的聚焦离子束扫描电子显微镜为用户提供了zui新的技术优势，例如：改进的高性能电子设备使图像采集得速度更快，带有静态和动态图像扭曲补偿技术的超高速扫描系统，内置的编程软件等。 FERA3的设计适应各种各样的SEM应用与当今研究和产业的需求，其高分辨率、高电流和强大的软件使TESCAN FIB-SEM成为优xiu的分析工具。现代电子光路 独特的三透镜大视野观察（Wide Field Optics™ ）设计提供了许多工作与显示模式，体现了TESCAN特有可优化电子束光阑的中间镜设计 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ），可模拟和优化电子束 全自动的电子光路设置与合轴 成像速度快 使用3维电子束技术可获取实时立体图像 三维导航高性能离子光路 高性能的等离子i-FIB设备使切片和材料的刻蚀既快又精que维修简单现在保持电镜处在优xiu的状态很简单，只需要很短的停机时间。每个细节设计得很仔细，使得仪器的效率zui大化，操作zui简化。自动操作电镜除了可以自动化设置外，还可进行聚焦、调节对比度/亮度等自动操作。除此之外，电镜还有样品台自动导航与自动分析 程序，能明显减少操作员的操作时间。通过内置脚本语言（Python）可进入软件的大多数功能，包括显微镜控制、样品台控制、图像采集、处理与分析等。通过脚本语言用户还可以自定义自动操作程序。用户界面友好的软件与软件工具 用户界面友好的操作系统基于Windows™ 平台，多用户和多语言操作界面 同时的FIB/SEM成像，易于操作 实时图像支持多窗口模式，可自定义实时图像参数 图像处理，报告生成，在线与离线图像处理 项目管理软件 内置的自动诊断（自检） TCP/IP远程控制，网络操作与远程进入/诊断 免费升级软件FERA3 GMFERA3 GM是一款由计算机完全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简单的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。FERA3 XMFERA3 XM是一款由计算机全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简易的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。

聚焦离子束（Xe）扫描电镜 FERA 世界第yi个完全集成式Xe等离子源聚焦离子束扫描电子显微镜----FERA3，提供了超高离子束束流（zui高束流为2μA），其溅射速度比Ga离子源高50多倍。对于目前浪费时间或不可能进行的需要刻蚀的材料，FERA3型仪器是一个不错的选择。 新一代的聚焦离子束扫描电子显微镜为用户提供了zui新的技术优势，例如：改进的高性能电子设备使图像采集得速度更快，带有静态和动态图像扭曲补偿技术的超高速扫描系统，内置的编程软件等。 FERA3的设计适应各种各样的SEM应用与当今研究和产业的需求，其高分辨率、高电流和强大的软件使TESCAN FIB-SEM成为优xiu的分析工具。现代电子光路 独特的三透镜大视野观察（Wide Field Optics™ ）设计提供了许多工作与显示模式，体现了TESCAN特有可优化电子束光阑的中间镜设计 结合了完善的电子光学设计软件的实时电子束追踪（In-Flight Beam Tracing™ ），可模拟和优化电子束 全自动的电子光路设置与合轴 成像速度快 使用3维电子束技术可获取实时立体图像 三维导航高性能离子光路 高性能的等离子i-FIB设备使切片和材料的刻蚀既快又精que维修简单现在保持电镜处在优xiu的状态很简单，只需要很短的停机时间。每个细节设计得很仔细，使得仪器的效率zui大化，操作zui简化。自动操作电镜除了可以自动化设置外，还可进行聚焦、调节对比度/亮度等自动操作。除此之外，电镜还有样品台自动导航与自动分析 程序，能明显减少操作员的操作时间。通过内置脚本语言（Python）可进入软件的大多数功能，包括显微镜控制、样品台控制、图像采集、处理与分析等。通过脚本语言用户还可以自定义自动操作程序。用户界面友好的软件与软件工具 用户界面友好的操作系统基于Windows™ 平台，多用户和多语言操作界面 同时的FIB/SEM成像，易于操作 实时图像支持多窗口模式，可自定义实时图像参数 图像处理，报告生成，在线与离线图像处理 项目管理软件 内置的自动诊断（自检） TCP/IP远程控制，网络操作与远程进入/诊断 免费升级软件FERA3 GMFERA3 GM是一款由计算机完全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简单的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。FERA3 XMFERA3 XM是一款由计算机全控制的Xe等离子聚焦离子束（i-FIB）场发射扫描电子显微镜，可选配气体注入系统 (GIS)，可在高真空和低真空模式下工作，其具有突出的光学性能、清晰的数字化图像、成熟和用户界面友好的SEM/FIB/GIS操作软件等特点。基于Windows™ 平台的操作软件提供了简易的电镜操作和图像采集，可以保存标准文件格式的图片，可以对图像进行管理、处理和测量，实现了电镜的自动设置和许多其它自动操作。

产品详情Nano-master 离子束刻蚀溅射镀膜一体机 NOC-4000 NANO-MASTER 的 NOC 系列光学镀膜系统提供最先进的原子级清洗、抛光以及光学镀膜技术。 光学样片放置于一个腔体种进行原子级清洗和抛光处理，之后自动传送到第二个腔体中进行光学镀膜，这个过程无需间断真空。系统也可以独立使用其中的一个腔体，每一个都可以实现各自的自动上/下载片功能。 紧凑型设计，占地面积仅为 46”x44”，不锈钢立柜。 工艺过程通过触摸屏 PC 和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，含： 。操作者权限：运行程序。 工艺师权限：添加/编辑和删除程序。 工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 真空系统包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到 5 x10-7Torr。涡轮分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳的真空传导率，基本可以达到 15 分钟可达到工艺真空，8 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。 在第一个腔体中通过离子束可达到原子级的清洗，离子源安装在腔体顶部，离子源配套 2KV，300mA 的电源。样品台配套 4”或 6”基片夹具、水冷，并可对着离子束流实现+900C 到-900C 旋转。系统配套气动遮板，使得工艺运行前稳定离子束流。 根据应用需要可以升级离子源，以支持更大尺寸晶圆片的处理。 第二个腔体可以根据应用需要配套 ALD、PECVD、磁控、电子束蒸镀、热蒸镀等镀膜。 膜厚监控仪校准后可实现原位膜厚测量，可以工艺时间或工艺膜厚为工艺终点条件，系统支持设定目标膜厚，当达到设定的目标膜厚时全自动结束工艺。水冷保护晶振夹具，膜厚和沉积速率以及晶振寿命可显示，可存储高达 100 个膜厚数据。 系统的两个腔体均配套单片的 Auto L/UL，可实现自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock腔体带独立真空系统和真空计，通过 PC 全自动监控。两个腔体之间可以互相传送样片。整个过程计算机全自动控制。 应用：。光学镀膜。 Sputterint 溅射。IBAD 离子束辅助沉积。离子束刻蚀清洗。 离子束辅助反应性刻蚀。 红外镀膜。表面处理 设备特点：。RF 射频偏压样品台。 膜厚原位监测。 极限真空 5 x 10-7Torr。 最佳的真空传导率设计，具有快速真空能力。 PC 全自动控制，超高的精度及可重复性。 高质量薄层。原子级的超净表面。 原子级清洗和抛光。 LabView 软件的 PC 控制系统。 自动上/下载片。 两个腔体可以分别独立使用并实现自动上下载片。 两腔体之间自动传送，双向传送支持。 菜单驱动，密码保护。 安全互锁。 占地面积 46”D x 44”W 系统可选：。 向下/向上溅射。共溅射。DC, RF 以及脉冲电源。离子束辅助沉积。 电子束源。热蒸镀。等离子源。 ALD 沉积或 PECVD 沉积

1.产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业先的软件控制系统，用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺：真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套，φ2英寸； 四工位转靶1套；样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。高可以到达800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

产品名称：离子束刻蚀系统品牌：Elionix型号：EIS-200关键词标签：离子束蚀刻，干法蚀刻，离子束轰击，离子束减薄简短描述：（40字）：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。一、简介EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术（ECR）的小型离子束蚀刻系统，特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄，清洗、镀膜等。EIS-200原理：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速到达样品表面，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。EIS-200具有以下优点：? 方向性好，各向异性，陡直度高，侧向刻蚀少? 分辨率高? 不受刻蚀材料限制，可对石英等材料进行蚀刻? 可控制蚀刻Taper角? 可以设定多样的实验条件二、主要功能l 主要应用纳米级图案刻蚀高深宽比蚀刻表面清洁离子减薄l 技术能力离子枪ECR型离子枪离子化气体Ar、Xe等、惰性离子气体N2、O2、CF4等、活性离子气体加速电压100V～3000V 连续可变（高加速电压可选) (输出电流20mA MAX)离子束流密度Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時）O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時）离子束有效直径Φ20mm（FWHM35mm)离子束稳定度±3％/2H大样品尺寸Φ4英寸三、应用纳米级图案刻蚀、高深宽比蚀刻、表面清洁、离子减薄等? SiO2 on Si substrate? Diamond Substrate（金刚石）? Quartz (Mask)? Oriented PET film

IBE离子束刻蚀系统NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述： NANO-MASTER的离子束刻蚀系统具有很强的适应性，可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。用于离子束系统（或称离子铣系统）的样片夹具可以支持±90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。 NANO-MASTER技术已经展示了可以把基片文库保持在50°C以内的能力。通过倾斜和旋转，可以刻蚀出带斜坡的槽，并且改善了对侧壁轮廓和径向均匀度的控制。 不同的选配项可以用于不同的网格配置以及中和器。溅射选配项可以支持对新刻蚀金属表面的涂覆，以防氧化。此外，还可以选配单晶圆自动上下片功能。 NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC 直流离子源1cm-16cm 6”基片的刻蚀均匀度±1.2% 能够控制基片温度在50°C以内 26”x44”占地面积的不锈钢柜体，非常适用于百级超净间 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动 LabVIEW友好用户界面 EMO和安全互锁NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品选配：光谱终点监测系统背氦冷却21”立方的电抛光不锈钢腔体 自动上下片1200L/Sec涡轮分子泵冷泵配置增加MFC用于反应气体实现RIBE栅格式RFICP离子源中空阴极或灯丝中和器溅射源用于钝化层沉积NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品应用： III-V族光学元件激光光栅高深宽比的光子晶体刻蚀SiO2，Si和金属的深槽刻蚀

一、产品概述：聚焦离子束系统（FIB）是一种高精度的材料加工和分析工具，利用聚焦的离子束对样品进行雕刻、切割和表征。FIB技术广泛应用于半导体制造、材料科学和纳米技术领域，能够实现对微小结构的精确操作和分析。二、设备用途/原理：设备用途FIB系统主要用于纳米级材料的加工与表征，包括样品的切割、沉积、刻蚀以及缺陷分析。它在半导体行业中用于制造和修复微电子器件，也可用于材料的微观结构分析和三维成像，帮助研究人员深入理解材料的特性和行为。工作原理FIB的工作原理是通过加速的离子束（通常是铟离子）轰击样品表面，导致材料的原子被击出或沉积。离子束的聚焦能力使其能够精确控制加工区域的大小和深度。通过调节离子束的能量和曝光时间，研究人员可以实现高精度的材料去除或添加。同时，FIB系统通常配备有扫描电子显微镜（SEM），可以在加工过程中实时观察样品，提供高分辨率的图像和分析数据。此结合使得FIB成为一项强大的材料研究和加工工具。

Heron系列全自动化等离子表面处理系统应用于小型生产以及研发实验室使用。Heron 80是一款独立式等离子系统，专为表面清洁，改性，活化和蚀刻而设计。它可以在不同的材料上运行，如金属，塑料，陶瓷，纸张等。用户友好的图形界面与高效的射频系统相结合，使Heron 80成为小型生产或研发环境的简单通用解决方案。系统的技术描述Heron 80是一款大尺寸独立等离子系统，专为表面清洁，改装和激活而设计。 它可以在不同的材料上运行，如金属，塑料，陶瓷，纸张等。 下面描述的特性使Heron 80成为小型生产或研发环境的简单通用解决方案。主机由不锈钢制成，带有可拆卸的后面板和侧面板，便于维护或故障排除。 外部装饰是“轻刷”。它也可以安装在带有“穿墙”配置的洁净室中。Heron 80的控制系统基于配备触摸屏HMI操作面板的先进PLC。 由于用户友好的图形界面，可以直接操作系统组件或让PLC根据用户可编辑的配方执行过程。 PLC具有快速扫描时间，可连续测量所有系统参数，以确保均匀可靠的过程。 无法避免的手动处理是装载/卸载样品的步骤。 Heron 80是等离子体反应器[1]电容耦合并且包括圆柱形处理室，其内部具有几个同心笼电极。 他的处理室由铝制成。 由于表面上形成了天然的氧化铝，铝可以在许多工艺气体（包括氟化蚀刻气体）的存在下使用，这一特性使这些反应器适用于大多数反应等离子体环境（即蚀刻，灰化...）。 没有焊接可确保更好的密封，从而防止过程中的外部污染产品特点?成本低?触摸屏显示提供实时的所有主要信息，出色的过程控制和快速分析?能够处理多达十种不同的可编辑配方?一致结果的一致性?数据记录功能，频率0.5 Hz，用于过程的历史条件?出色的过程控制和长期可靠性和稳定性?使用的主要品牌组件，如真空计和质量流量控制器（MKS仪器）?射频功率可在1W至600W范围内调节技术规格尺寸 宽 x 长 x 高 700 x 600 x 1750 mm净重 130 Kg （不含真空泵）净空 右，左，前 - 600mm，后 - 254mm

1 产品概述: 离子束刻蚀设备是一种高精度的材料加工设备，它利用经过电场加速的高能离子束对样品表面进行物理轰击，从而实现材料的精细刻蚀。这种设备广泛应用于物理学、工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术等多个领域，成为现代微纳米加工技术中的重要工具。2 设备用途：材料加工：离子束刻蚀设备可以对多种材料进行精细加工，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。通过控制离子束的能量、束流密度和刻蚀时间等参数，可以精确控制刻蚀深度和形貌，实现微米甚至纳米量级的加工精度。微结构制作：该设备具有制作微结构图形的能力，如光栅、微透镜阵列等。在光学、电子学等领域中，这些微结构对于提高器件性能具有关键作用。样品表面处理：离子束刻蚀还可以用于清洗材料表面有机物、氧化物等污染物，提升材料表面的亲水性、粘接力和附着力。这对于提高样品的质量和分析精度具有重要意义。3 设备特点 高精度：离子束刻蚀设备能够实现高精度的材料加工和微结构制作。通过精确控制离子束的参数，可以实现微米甚至纳米量级的加工精度。 多材料适应性：该设备可以处理多种材料，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。这种广泛的材料适应性使得离子束刻蚀设备在多个领域中得到广泛应用。 高灵活性：离子束刻蚀设备通常配备有先进的控制系统和样品台，可以实现多种加工模式和工艺参数的灵活调整。这为用户提供了更多的选择和便利。 高稳定性：设备在长时间运行过程中能够保持较高的稳定性和可靠性。这有助于确保加工质量和生产效率的稳定。 4 技术参数和特点：离子枪ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压300 ~ 2000 V 连续可变离子流密度Ar: 0.16 ~ 0.20 mA/cm2 以上 (700V加速时）离子束有效直径Φ 108 mm气体导入机构自动流量制御6系統大试样尺寸Φ 6英寸晶片

Plasma Cleaner等离子清洗/去胶机NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机概述：NANO-MASTER 等离子清洗和灰化系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机产品特点紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持8个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机Features：Stand Alone SystemAuto wafer Load/Unload with load lockStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 8 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机Applications: Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

RIBE反应离子束刻蚀系统NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀产品特点：14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板离子束中和器氩气MFC6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机步进电机控制晶圆片倾斜自动/手动上下载晶圆片典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁 NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀 Features：14.5" SS Cube ion beam chamber16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shuttersIon Beam neutralizerAr MFCChilled water cooled 6” substrate platenWafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motorWafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational sealManual/Auto wafer load/unloadTypical Etch Rates: 200 ?/min Cu, 500 ?/min Si+/-3% etch uniformity over 6“ area5x 10-6 Torr 20 minutes 2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pumpMagnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidationPC Controlled with LabVIEW SoftwareRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked

Plasma Cleaner等离子清洗/去胶机NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机概述：NANO-MASTER 等离子清洗和灰化系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机产品特点紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持5个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机Features： Stand Alone SystemAuto wafer Load/Unload with load lockStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 5 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机Applications: Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

1 产品概述: 离子束刻蚀设备是一种高精度的材料加工设备，它利用经过电场加速的高能离子束对样品表面进行物理轰击，从而实现材料的精细刻蚀。这种设备广泛应用于物理学、工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术等多个领域，成为现代微纳米加工技术中的重要工具。2 设备用途：材料加工：离子束刻蚀设备可以对多种材料进行精细加工，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。通过控制离子束的能量、束流密度和刻蚀时间等参数，可以精确控制刻蚀深度和形貌，实现微米甚至纳米量级的加工精度。微结构制作：该设备具有制作微结构图形的能力，如光栅、微透镜阵列等。在光学、电子学等领域中，这些微结构对于提高器件性能具有关键作用。样品表面处理：离子束刻蚀还可以用于清洗材料表面有机物、氧化物等污染物，提升材料表面的亲水性、粘接力和附着力。这对于提高样品的质量和分析精度具有重要意义。3 设备特点 高精度：离子束刻蚀设备能够实现高精度的材料加工和微结构制作。通过精确控制离子束的参数，可以实现微米甚至纳米量级的加工精度。 多材料适应性：该设备可以处理多种材料，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。这种广泛的材料适应性使得离子束刻蚀设备在多个领域中得到广泛应用。 高灵活性：离子束刻蚀设备通常配备有先进的控制系统和样品台，可以实现多种加工模式和工艺参数的灵活调整。这为用户提供了更多的选择和便利。 高稳定性：设备在长时间运行过程中能够保持较高的稳定性和可靠性。这有助于确保加工质量和生产效率的稳定。 4 技术参数和特点：离子枪ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体 N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压100 ~ 3000 V 连续可变离子流密度Ar: 1.5 mA/cm2 以上 (2kV加速时）O2: 2.0 mA/cm2 以上 (2kV加速时）离子束有效直径Φ 20 mm (FWHM 35 mm)离子流稳定性±5 ％ / 2 H大试样尺寸Φ 4英寸

兆声清洗技术SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统应用：湿法刻蚀带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统的特点： 机械手全自动上下载片支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统选配项：多系统集成掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

全自动离子刻蚀机 MEL 3100伯东公司日本原装进口全自动离子刻蚀机 MEL 3100, 蚀刻速率 10(nm/min), 均匀性 ≤±5%, 全自动化系统减少人工操作, 保证产品高稳定性和高质量. 有效减少因人工操作带来的损失！全自动离子刻蚀机 MEL 3100 特性 全自动化系统 清洁: 钛用于经常暴露于离子束的零件, 以产生低粒子. 晶圆输送盒采用高效空气过滤器.占地面积小, 方便维护10.4英寸触摸屏 配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术规格.型号MEL 3100样品数量尺寸3”φ-6”φ,1片晶圆输送盒1个, 25 片晶圆极限真空8x10-5 Pa均匀性≤±5%蚀刻速率10(nm/min) @SiO2Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士

材质可靠、清洗高效? 全自动酸逆流清洗系统UV900 型由于在使用过程中涉及到具有高度腐蚀性的硝酸，内腔结构采用聚四氟乙烯（Polytetra fluoroethylene，简写为PTFE）材质, 蒸汽喷管和超纯水喷淋管路采用PFA（PFA 塑料为少量全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物）材质，确保了机器的耐腐蚀性? 内腔结构：清洗内腔75L，最大可提供55 个清洗位，单次可以清洗55 根微波消解罐? 硝酸蒸汽清洗方式：不断将超纯的亚沸硝酸蒸汽送入器皿内表面。利用聚四氟乙烯加热板加热硝酸生成亚沸蒸气，通过蒸汽导管吹入器皿内部，利用高温高纯硝酸蒸汽清洗器皿，硝酸蒸气与离子反应冷凝回流，冷凝后的硝酸和硝酸盐液体流入废液池中等待下一步中和处理? 加热系统控温准确（可以在程序中设置），确保整个清洗过程是在“亚沸”状态下进行，保证酸蒸汽的足够纯度和蒸汽生成量? 建议酸消耗量：一次清洗消耗100ml 硝酸（分析纯，用量可以在系统中调节），加热功率1000W超纯水喷淋、干燥? 采用有机材料喷淋水泵最高提供240L/min 喷淋速度，将超纯水向器皿内部和外部喷淋，每次消耗8L 超纯水，可以多次喷淋? HEPA 烘干方式：由于ICP-MS 的检出限极低，烘干的空气经过HEPA 过滤，送入器皿内部和内腔，风量为最高为55m3/h? 采用实时负压排风，排风管道装有碱性物质吸收过滤，减少对环境的污染安全保障? UV 900 型全自动酸逆流清洗系统提供硝酸蒸气过滤、硝酸废液中和、硝酸液体加热具有温度保护、烘干气体加热过温保护等功能。简便易用、智能灵活? Thermo AMASWS intelligent washing 软件全程自动控制，无需人工参与? 采用9 寸液晶全彩色触摸屏输入模式，微电脑控制系统，内置10 个标准清洗程序，实时显示运行温度曲线、时间、运行状态等信息? 仪器具备自动添加硝酸、排废酸功能? 在排放废酸前进行碱液补偿，在线PH 计检测补偿中和效果? 在整个酸清洗过程中，机器采用实时负压排风，排风管道装有碱性颗粒吸收过滤，减少对环境的污染? UV 900 型提供灵活的清洗方案：所有部件及程序参数的完美结合可获得理想的清洗结果硝酸添加? 仪器在程序启动后，自动泵入硝酸到加热板，进行高效酸气生成硝酸类和硝酸盐类废液中和? 在超纯水喷淋后，废酸被冲入中和池，机器将在在线PH计检测下进行碱业中和超洁净、无残留60-90min 酸蒸汽可以确保微波消解罐内残留降至PPT 级别以下或ICP-MS 未检出，让无机分析工作者实现对微波消解罐的超洁净清洗。一键完成、清洗效率高Thermo AMASWS intelligent washing 软件一键启动程序，直观9 寸全彩色触摸屏，提供10 个清洗程序选择最高效的硝酸蒸汽持续逆流结合8L 超纯水喷淋可在1 小时内完成。极限清洗高效的硝酸亚沸气体生成器，持续逆流采用防腐蚀隔离测温计术，更精准。通过微电脑控制温度确保亚沸酸气生成。环境和人类健康排放废气进行过滤，排放废液进行在线中和全程负压排风，确保无酸味泄露，让实验科研人员远离传统酸缸浸泡。

1. 产品概述Ganister&trade A离子束沉积设备，是针对低温、高致密、高均匀性薄膜沉积工艺所开发的专用产品，在硬盘磁头、硬磁偏置层、布拉格反射镜等器件的制备中有着重要的应用。该设备采用溅射成膜，靶材选择范围广。而其采用的四槽旋转靶材基座，更可处理多达四种靶材。选配的辅助离子源，可以实现原位预清洗、优化膜层致密性等功能。此外，Ganister&trade A的辅助离子源也可进行离子束刻蚀，一个腔室内兼备两种工艺，显著提高了该设备的功能。2. 系统特性在低温、超低压工艺模式下，形成高致密优质膜层双离子源结构（溅射+辅助离子源），辅助源用于清洗与辅助溅射可高精度控制沉积过程，并能保障批次间的膜层重复性实时光控设备，用来监控、分析、调整膜层光谱选配：可在一个腔室内同时实现IBD和离子束刻蚀（IBE）功能适用于8英寸晶圆

多重离子束组织质谱成像系统-MIBIscope System多重离子束成像平台（MIBI）技术 1、颠覆性的多重组织成像平台，提供可操作的信息多重离子束组织质谱成像仪器应用于高精度空间蛋白质组学，基于多重离子束成像(MIBI)技术，MIBIscope系统可以在单次扫描中可视化40+蛋白标记物，并提供组织样本微环境的相关信息. 2、高精度空间蛋白质组学的标准 3、强劲的性能，可重复的结果，操作方便• 遵循标准的病理工作流程• 光学和SED图像引导ROI选项• 有限的实用需求和利用率• 大于104动态范围• 操作简单 不需要特别的专业知识 4、技术参数：获取时间：低分辨率 (1 μm)：9-35分钟高分辨率 (500 nm)：17-68分钟超高分辨率(350 nm)：35-139分钟用的生物标志物通道：40ROI区域：400x400 – 800x800 μm2抗体检测下限：1 (113In) - 16 (166Er)动态范围：5 log文件类型：TIFF链接：

1. 产品概述Lorem® A 系列常规 IBS 设备，由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来刻蚀任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于特殊图案的刻蚀，也适用于侧壁清洗等工艺。2. 系统特性Lorem® A系列可选8/6/4英寸电极，适用于不同尺寸的晶圆如配置标准口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到 3%；还可配置大口径离子源，刻蚀均匀性（1 σ）达到 2%样品台可偏转（tilt），偏转范围：-90°到+80°，实现离子束倾斜入射工艺过程中，样品台可自转提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式