色敏二极管特性试验仪

1260 Infinity II 二极管阵列检测器 WR 可实现多波长和全谱检测，采样速率高达 120 Hz。采用双灯设计，支持 190-950 nm 的宽波长范围，并有 15 个分析型、制备型和 SFC 流通池可供选择，从而保证最高的灵活性。即使在高数据采集速率下，1260 Infinity II DAD WR 也能对痕量化合物进行精确的鉴定、定量和峰纯度分析。特性：120 Hz 的全谱数据采集速率可提高分离度，能在痕量水平下实现快速、高灵敏度的峰纯度分析和谱图确认双灯设计能够在 190-950 nm 的波长范围内进行分析，提供最高的灵敏度二极管阵列设计可同时采集多达八种化合物特征波长，提高了灵敏度和选择性快速优化灵敏度、线性和光谱分辨率 — 可编程狭缝 (1-16 nm) 提供了最佳的入射光条件利用参比波长消除背景干扰最大程度减小短期噪音 ( ±7 µ AU ASTM)：低噪音前端电子元件和特殊的流通池设计提供了最低的检测限15 个分析型、制备型和 SFC 流通池，提供最高的灵活性和兼容性，最大程度保护您的投资

主要应用：-5G及其以上传输系统不断增长的高速及大容量需求对光电二极管提出了更高的要求. 铟镓砷 (InGaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管和硅(Si)光电二极管，锗(Ge)光电二极管....-光电二极管（光敏二极管），有机光电二极管,光电三极管（光敏三极管），光敏器件......-光谱响应测试-DIV测试，电容测试-光电二极管（ Photodiode）灵敏度角度特性测试.

理想真空二极管综合实验装置，YMP-6109 简介YMP-6109型实验装置通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管的阴极材料，阳极做成与阴极共轴的金属圆环，把阴极发射端限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。为了避免阴极的冷端效应（两端温度较低）和电场不均匀等边缘效应，在阳极两端各加装一个保护（补偿）电极，它们与阳极同电位但与阳极绝缘。当钨丝通电发光发热后，金属内部部分热电子获得大于逸出功的能量，从金属表面逃逸形成热电子发射电流。根据金属中电子能量遵从费米-狄拉克量子统计分布规律，获得热电子发射电流公式，从而计算逸出功（WorkFunction）。YMP-6109是在YMP-6108装置的基础上增加了一个电源和一个螺线管线圈，从而升级为理想真空二极管综合实验装置。实验内容在金属逸出功测定的基础上增加：电子在径向电场和轴向磁场中的运动、费米-狄拉克分布的研究和理想真空二极管的伏安特性。特点理想真空二极管透明直观阳极电流测量准确稳定，阳极电压输出高效精准螺线管线圈可以方便地置于理想真空管的亚克力罩上可升级为数字化实验实验内容金属电子逸出功的测定电子在径向电场和轴向磁场中的运动。（磁控法测量电子荷质比）费米-狄拉克分布的研究理想真空二极管的伏安特性PN结特性和玻尔兹曼常数实验，YMP-6107简介YMP-6107型实验装置包含一个微电流源来用作PN结的正向电流，通过改变PN结正向电流来获得PN结两端的正向压降，这样就得到PN结的伏安特性曲线数据。本实验还配备一套控温装置，用来测量不同温度下的PN结的伏安特性曲线，研究PN结正向电压、电流和温度之间的关系，通过计算得到玻尔兹曼常数k、灵敏度S和硅材料的禁带宽度。特点温控系统利用半导体制冷片进行加热及制冷，可以快速升温和降温。采用微电流恒流源作为正向电流源，解决了微电流测量不稳定的问题，准确测量玻尔兹曼常数。采用开放式的加热装置，具有很好的拓展性可升级为数字化实验实验内容在室温下，测绘PN 结正向电压随正向电流的变化曲线，求得玻尔兹曼常数；在不同温度下，测绘PN 结正向电压随正向电流的变化曲线，求得玻尔兹曼常数；恒定正向电流条件下，测绘PN 结正向压降随温度的变化曲线，计算结电压随温度变化的灵敏度。计算在0K时半导体（硅）材料的禁带宽度。

InGaAs光电二极管 Fermionics公司于1991年在加利福尼亚成立，它是一家生产InGaAs光电二极管的独立生产商，产品主要是用于光学通信、测试仪器、传感和医学设备应用。高速InGaAs光电二极管（FD50~FD300）描述：1.探测速度非常快、电容低、暗电流低；2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用；3.所有的器件使用平面钝化技术制造；4.光灵敏表面镀有宽带增透膜；5.光灵敏区域直径：50、80、100、150和300微米；6.存储温度：-40~100℃；工作温度：-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管（FD500~FD5000W）描述：1.大面积光电二极管用于红外仪器和探测、中速通信系统；2.在波长范围800到1700纳米响应良好；3.分流电阻对低光信号灵敏度高；4.所有器件使用平面钝化技术制造；5.光灵敏表面镀有宽带增透膜；6.光灵敏区域直径：500、1000、1500、2000、3000和5000微米。杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：网址： /邮箱：

总览Agiltron制造先进的硒化铅（PbSe）探测器，用于室温操作以及增强灵敏度的热电冷却操作。这些设备可以用于集成的光滤波器、预放大器或多路复用放大器。硒化铅PbSe光电二极管 2-5um,硒化铅PbSe光电二极管 2-5um通用参数产品特点：新型自动化学加工（ACP）以较低的成本产生更高的产量在极duan条件下，可靠性高保质期长密封包装各种尺寸都可供选择 PbSe探测器的典型室温电特性。光敏面大小（mm)电阻(MΩ )时间常数(µ sec)D*BB(500K, 1KHz, 1)(cm&bull Hz&half &bull W–1)D*(cm&bull Hz&half &bull W–1)响应度(PK, 1KHz)(V/W)1.0X1.00.2 - 5.053X1082X1097500 机械特性：探测器通常在0.020英寸-0.030英寸厚度的石英衬底上制造。可以与光学冷凝器元件、热电（TE）冷却器和处理电子设备集成，所有这些都装在一个微型包装中。老化特性所有的库存探测器至少要经历四周的老化期。PbSe探测器的光谱响应PbSe的典型室温响应在2 - 5μm的光谱区域工作，时间常数小于5 μsec。TE冷却可在1到5微米区域增加D*。标准PbSe探测器的典型光谱响应如下图所示订购型号信息：环境探测器PBAD-探测器材料类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器环境探测器1=Lead Selenide (PbSe)3=High Performance Lead Selenide (HP-PbSe)00=Flat Plate 01=Packaged0=special 1=TO-185=TO-57=TO-378=TO-89=TO-390=Special 1=1x1mm 2=2x2mm 3=3x3mm 4=4x4mm 5=5x5mm6=6x6mm0=Special 1=Spectral Filter 2=Quartz 3=Sapphire 4=Germanium 5=Silicon0=No1=Yes00=No Themistor TH=Thermistor TC=Thermistor Calibrated 制冷型探测器PBCD-探测器材料T.E.制冷类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器TE制冷型光电探测器1=Lead00=Special0=special0=Special0=Special0=No00=No ThemistorSelenide(PbSe)01=1 stage5=TO-51=1x1mm1=Spectral Filter1=YesTH=Thermistor3=High02=2 stage7=TO-372=2x2mm2=QuartzTC=ThermistorPerformance03=3 stage8=TO-83=3x3mm3=SapphireCalibratedLead Selenide9=TO-394=4x4mm4=Germanium(HP-PbSe)5=5x5mm5=Silicon6=6x6mm

光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管－紫外波长Zoom超短波长范围（150至550纳米）快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL＝50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管－可见光波长ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管－近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有最大的有效面积。请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表

激光二极管 激光二极管，简称LD（LaserDiode），也叫激光二极管器件，是一种可以产生激光的半导体器件。激光二极管是利用外加电流激发半导体中载流子的辐射复合作用，产生的光具有单色性、方向性和相干性等特点。 激光二极管具有多种封装形式，广泛应用于通信、医疗、制造工艺等领域。 我们的激光二极管产品具有如下优势： 波长选择多（覆盖445-1850nm波段） 封装多样式（各种自由空间光封装、光纤耦合式封装） 标准产品齐全 提供定制服务 激光二极管的功率、波长选择型号多样：激光二极管产品选型方法：我们还提供定制服务，如有定制需求，欢迎联系！关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。

高功率光纤耦合激光二极管 光纤耦合输出型激光二极管（Fiber out laser diode，FOLD）不仅具备直接输出型激光二极管（direct diode laser ，DDL）的特性，它的外观紧凑而轻巧；使之非常适用于三维加工。产品实例：产品图像产品型号产品名称 L10718-0011-4A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0011-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0031-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0031-8A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0041-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0041-8A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-4A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-8A高功率光纤耦合激光二极管详细参数 特性 高品质材料处理更少飞溅和均匀辐照 简易方便免维护和电流-功率的高线性 环保高电光转化效率和无空转 尺寸小，重量轻使用耦合光纤输出，可加工极小的面积应用 激光金属焊接 钎焊 切割（金属，塑料等） 激光塑料淬火 激光焊接 退火L10718系列光纤(A11612产品单)

仪器简介：美国SRS公司最新推出的LDC501激光二极管控制器，为您提供优良的各种新能指标，而且性价比很高。技术参数：Laser Diode Controller &bull 500mA low-noise current source &bull Ultra-low drift (10ppm/°C) &bull 1.1μA current noise &bull CC & CP mode dynamic switching &bull GPIB, RS-232 and Ethernet TEC Controller &bull 36W output power &bull Ultra-high stability (0.0005 °C/°C) &bull Thermistor, RTD and IC sensors &bull Auto-tuning of loop parameters &bull CC & CP mode dynamic switching LD控制器  500mA低噪声电流源  低飘移（10ppm/°C）  宽频带调制  GPIB,RS232和以太网 TEC控制器  高稳定度（0.0005℃/℃）  36W输出功率  数字PID、自动调整功能  热敏电阻，RTD和IC温度传感器主要特点：LDC501激光二极管控制器提供一个高达500毫安低噪声电流源和一个36 W高精密温度控制器，与标准计算机接口。主要用来测试和控制激光二极管，并对其有保护、确定稳定工作等特性。 其中激光器电流源能提供非常稳定的电流输出,同时还采取了很多措施保护激光器如：软启动,内部锁定, 短路切断，激光限流设置，过温保护，开流检测等。 而它的温度控制器可以工作在恒流状态和PID反馈控制，通过PID控制可以精确控制激光器的温度，确保激光器的稳定工作。

可集成到Instrument Systems测量系统中的光电二极管，用于快速测量辐射功率PD 100 光电二极管是一款紧凑型检测器，可以轻松集成到带有Instrument Systems积分球的测量系统中，用于测量光通量或辐射功率，特别适合生产线上的快速测量需求。将Instrument Systems的三开口积分球连接上 CAS 系列光谱仪，即可同时对待测物（DUT）进行光谱测量。通过对比待测设备的光谱与光电二极管的校准曲线，PD 100 能提供更准确的辐射功率或光通量测量值。适用于 450 nm 至 1650 nm 的光谱范围PD 100 光电二极管有两种型号，一种配备硅（Si）探测器，另一种配备铟镓砷（InGaAs）探测器。硅探测器型号的测量范围为450至1100 nm，适用于具有硫酸钡涂层的积分球 (如 ISP 75B 和 ISP 100B).配备InGaAs探测器的型号则专为900至1650 nm的光谱范围测量设计，通常安装在有PTFE涂层的积分球上。在测量波长超过1100 nm的待测物时，PTFE积分球的表现更出色，因为其反射率的波动较小，且一致性更高。PD 100 – 产品特长测量范围广，400-1100 nm（硅）或900-1700 nm（InGaAs）脉冲DUT的测量上升/衰减时间短可结合Instrument Systems的先进三开口积分球可追溯的校准，用于绝对测量和使用.dll或SpecWin Pro（从4.0开始）的LIV测量 高度精确且可追溯的测量结果如同所有Instrument Systems的测量仪器，PD 100光电二极管的灵敏度已校准并可以追溯到PTB或NIST。校准曲线存储在光电二极管内，使用SpecWin Pro软件或PD.dll与光源的光谱对比，可以推算出精确的绝对辐射功率（或光通量）。这个过程实现了高度精确且可追溯的测量结果。PD 100光电二极管在获得ISO 17025认证的Instrument Systems测试实验室中进行校准，并且可以追溯到国家标准（例如PTB或NIST）。每个光电二极管都附带有关光谱灵敏度的个体测试报告。快速测量VCSEL或LED德国IS PD 100 光电二极管 是光谱辐射计（CAS系列）和积分球（ISP系列）测量系统的理想补充检测器。其快速响应时间能够精确测量脉冲光源，例如用于测量VCSEL的LIV曲线。如果使用具有高采样率的快速数字万用表（例如Keithley 7510，1 ms/sec），还可以可视化光学波形。技术数据型号PD100-SB-0001 orPD100-SB-0002PD100-IP-0001 orPD100-IP-0002 *探测器材料Silicon (Si)IndiumGalliumArsenide (InGaAs)光谱范围400 - 1100 nm900 - 1700 nm最高灵敏度的波长960 nm1550 nm上升/下降时间40 µ s (typ.)5 µ s (typ.)典型放大倍数 (ISP 100上)240 V/W (@940nm) or28 V/W (@940nm)2700 V/W (@1380nm) or12.5 V/W (@1380nm)* PD100-IP-0002 without calibration

光电二极管模块 新势力光电供应光电二极管模块，简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器，特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板（集成放大电路）雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10TO8S10k65带电路板（集成放大电路和温度补偿功能）雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板（集成放大电路）位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2QP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+6010PIN-photodiode HV sourceVery small footprint相关商品 雪崩二极管(APD) 位敏探测器(PSD) 四象限探测器(QP) 波长敏感探测器(WS)

Thorlabs TO封装激光二极管， L375P70MLD光学仪器特性法布里-珀罗(FP)、分布反馈(DFB)、体全息光栅(VHG)、二极管泵浦固态(DPSS)激光二极管、量子级联(QCL)激光二极管和垂直腔面发射(VCSEL)激光二极管输出功率从0.2 mW到3 W中心波长范围从375 nm到4.60 µ m使用我们的激光二极管引脚代号方便选择兼容安装座兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器TO封装激光二极管可选标准的Ø 3.8 mm、Ø 5.6 mm或Ø 9 mm TO封装，也可选TO-46或Ø 9.5 mm封装。我们把引脚配置分为标准A、B、C、D、E、F、G和H引脚代号(见下面图示)。引脚代号便于用户确定兼容安装座。我们有些裸露的二极管可以根据客户要求改成密封TO封装，请联系我们获取详情。中心波长注意点虽然对每个激光二极管都列出了中心波长，但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差，所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐，从而改变激光波长。激光模式和线宽我们提供具有不同输出特性(功率、波长、光束尺寸、形状等等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单横模("单模"或SM)，少部分设计用于高功率多横模("多模"或MM)工作。我们波长稳定的VHG激光二极管(下方出售)具有ji佳的单模性能。有些单模激光二极管可在一定条件限制下维持单纵mo 特性工作。如果要求更好的边模抑制比(SMSR)性能，请考虑DFB激光器、DBR激光器或外腔激光器。Thorlabs的单频激光器在下表中以绿色突显；特别是我们的VHG稳定型、DFB、DBR和外腔激光器，具有非常窄的线宽(VHG稳定型和DFB激光器≤20 MHz，DBR和外腔激光器 100 kHz)。请通过激光二极管教程了解激光二极管的空间模式和线宽以及其它概述信息。激光二极管对静电冲击非常敏感。在操作时请采取适当的预防措施。激光二极管对光学反馈也很敏感，这在特定应用中可能会引起激光二极管输出功率的显著波动。如需解决这个问题，请查看我们的光隔离器。联系我们可以帮助您选择激光二极管，并与您讨论操作中可能出现的问题。

总览NTT Electronics Corporation的NLK1U5ＥAAA是一款1670至1690 nmUL(+)波段范围内可选、输出功率（CW)为10 mW的14引脚蝶形封装激光二极管。内置TEC和热敏电阻。有关NLK1U5ＥAAA的更多详细信息，请详见技术参数表。 1680nm　DFB激光二极管（NEL),1680nm　DFB激光二极管（NEL) 通用参数产品特点：窄线宽高输出功率出色的波长和功率稳定性14引脚蝶形封装产品应用：近红外气体分析可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）光纤传感器 技术参数：电/光学特性(Tsub=25℃)参数符号条件最小典型最大单位正向电压VFIF=30mA1.21.6V阈值电流I(TH)CW1520　mA光纤输出功率feCW,IF=100mA10mW峰值波长lpCW,fe=10mW16701690nm光谱线宽DnCW,fe=10mW2MHz边模抑制比SMSCW,fe=10mW35dB监控电流(PD)IR(E)CW,fe=10mW0.1mA暗电流(PD)Ir(0)CW,VDR=5V100nA跟踪误差ERIR(E)=constant-0.5+0.5dB冷却DTPEfe=10mW,Tcase=70deg45deg.Peltier 电流IPETcase=-5 to 70deg.1APeltier 电压VPETcase=-5 to 70deg.2V热敏电阻RTsub=25deg.10kW隔离度IsTsub=25deg.30dBDT=| Tcase-Tsub | 绝对最大值参数(Tsub=25℃)参数符号数值单位激光二极管反向电压VR2.0V激光二极管正向电流IF225mA工作机身温度Tcase-5 to 70deg.存储温度Tstg-40 to 85deg.PD反向电压VDR10VPD正向电流IDF10mAPeltier 电流IP1.4A 1680nm DFB激光二极管（NEL),1680nm DFB激光二极管（NEL)

激光二极管光电特性测试分析系统 / 半导体芯片测试系统短脉冲大电流测试系统-LIV100LIV系列是专门用于激光二极管光电特性测量的系统，测试样品无论封装的还是裸芯片形式，均可在极短的时间内完成全部LIV测量。LIV测试对象：LIV100是用于激光二极管（chip, bar以及submount）光电特性分析的短脉冲测试系统。主要特点：l 上升时间：50ns (F-version)；500ns (L-version)；1μs (XL-version)l 最大电流：250mA-600A，最大电流阶跃数：4000l 只适用于脉冲测量l USB接口控制，同步光谱测量l 处理能力：1s/每器件（典型）LIV100提供三种不同测试速度和脉冲长度的版本：l LIV100-Fxxx（短脉冲版）：上升时间50ns，脉冲宽度范围150ns-10μs。l LIV100-Lxxx（长脉冲版）：上升时间500ns，脉冲宽度范围2μs-100μs。l LIV100-XLxxx（超长脉冲版）：上升时间1μs，脉冲宽度范围5μs-2000μs。 应用领域应用范围包括激光二极管半封装或封装前后的特性分析，来料检测以及OEM。软件支持一键生成测试样品完整的PDF数据表。LIV100的短脉冲性能可以确保测试样品可以在忽略热负荷的情况下进行测量。运行原理LIV100系统通过USB接口控制，实现自动测量。从控制计算机上传一个命令集，执行开始命令后，LIVs会按自动按照测量序列执行测量。快速的数据采集提供了高测量效率。附件：l 积分球l 光谱仪l 带状（针状）连接器l 真空卡盘l TEC和TEC驱动器 注意：标准型LIV100不具备CW测量模式。如有需要，可以按要求定制具备CW测量的LIV100如果需要CW和脉冲两种测量模式，请考虑LIV120系列，脉冲宽度： 1001μs-CW。 脉冲/QCW/CW测试系统LIV120LIV120是一款功能强大的用于实验室以及OEM应用的激光二极管测试系统。适用于脉冲/QCW/CW测量以及老化测试，测量周期通常少于1秒。主要特点：l 最大电流：250mA-1200Al 最大电流阶跃数：4000l USB接口控制，同步光谱测量l 波长范围：250-1100nm 400-1650nml 测量光功率，电压，电流，监测电流等 运行原理命令集上传到LIV120后，LIV120按命令集驱动测试样品，并进行数据采集和存储。便捷/强大的处理软件：LIV120有CW和脉冲两种工作模式： CW-LIV模式 脉冲burst模式 CW-burst模式 脉冲LIV模式 LIV120可以运行所谓 “软脉冲”模式。也就是脉冲模式下，如果用户设置最小电流值，电流脉冲就不会掉落至零。请注意非常清晰的方形电流脉冲。 电流输出（min=0） 电流输出（min ≠0） 激光二极管驱动器LDD100 LDD100是一款强大的激光二极管驱动器，适用于实验室以及OEM。例如：激光二极管LIV测试以及老化测试。特点：最大200A电流，50ns-3s脉宽，25ns上升/下降时间（无过冲）。LDD100采用数字可编程模拟平台对电流进行灵活精确控制。USB接口直接控制，可实现自动测量。所有参数可以通过图形化软件或集成键盘和LCD输入显示。支持带状线定制服务 LDD100-F40（40A脉冲）输出脉冲波形 欲了解产品详细信息，请联系公司销售人员。

总览NTT Electronics Corporation的NLK1U5FAAA是一种波长为1625至1670 nm、输出功率（CW)为15 mW、阈值电流为15至20 mA的１４引脚蝶形封装激光二极管。有关NLK1U5FAAA的更多详细信息，请详见技术参数表。 1653.74nm DFB激光二极管（NEL),1653.74nm DFB激光二极管（NEL) 通用参数产品特点：窄线宽高输出功率出色的波长和功率稳定性14引脚蝶形封装产品应用：近红外气体分析可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）光纤传感器 技术参数：电/光学特性(Tsub=deg.C) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 正向电压 VF IF=30mA 1.2 1.6 V阈值电流I(TH)CW1520mA光纤输出功率feCW,IF=130mA1525mW峰值波长lpCW,fe=15mW16251655nm光谱线宽DnCW,fe=15mW2MHz边模抑制比SMSCW,fe=15mW35dB监控电流(PD)IR(E)CW,fe=15mW0.1mA暗电流(PD)Ir(0)CW,VDR=5V100nA跟踪误差ERIR(E)=constant-0.5+0.5dB冷却DTPEfe=15mW,Tcase=70deg45deg.Peltier 电流IPETcase=-5 to 70deg.1APeltier电压VPETcase=-5 to 70deg.2V热敏电阻RTsub=25deg.10kW隔离度IsTsub=25deg.30dBD T=| Tcase-Tsub | 绝对最大值参数(Tsub=25deg.C)参数符号数值单位激光二极管反向电压VR2.0V激光二极管正向电流IF225mA操作机身温度Tcase-5 to 70deg.存储温度Tstg-40 to 85deg.PD反向电压VDR10VPD正向电流IDF10mAPeltier 电流IP1.4A 1653.74nm DFB激光二极管（NEL),1653.74nm DFB激光二极管（NEL)

带干涉滤光片，适合单色光（254nm）探测的硅光电二极管S12742-254的窗口使用干涉滤光片，只对单色光灵敏。其光谱响应宽度极窄，只有10nm（FWHM），可以屏蔽杂散光，精确地进行光度计测。其典型峰值波长为254nm，也可以接受客户定制，改变其峰值波长，比如340nm、560nm、650nm等。产品特性-带干涉滤光片的硅光电二极管-单色光（254nm）探测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围252 to 256 nm光敏度 (典型值)0.018 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)254 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22&ring C，除非另有规定，请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度（见注2）-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为Ω ,𝛽 = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM² +PORM）F）BW）&half ，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟（仅限引线）260°C室温反向电流平均值，连续运行200µ A峰值（1s持续时间，非重复）1mA室温正向电流平均值，连续运行IF550mAmA峰值（1s持续时间，非重复）60mW

美国Intense二极管激光器1200series天津瑞利光电科技有限公司经销Intense二极管激光器。 产品详情：系列1200二极管激光器高功率连续波可见二极管激光器的系列1200是当今可见二极管激光器的新技术。 这些广域多模激光器提供了高的亮度，好的可靠性，良好的量子效率和低热阻。 在某些波长下，可提供±3nm的紧密公差。 这些激光器可提供多种开放式，窗口式和光纤封装，包括C支架，9MM，带TE冷却器的TO3以及带TE冷却器和快速轴准直器的HHL，可轻松集成到系统中。参数：-输出功率（W）：0.25-光源尺寸（µ m）：100-典型波长（nm）：635-工作电流（A）：0.55-工作电压（V）：2.3-光谱宽度（nm）：1 1-波长公差（nm）：±3-门限电流（A）：0.3-斜率效率（W / A）：1 1-串联电阻（Ω）：0.4-光束发散度（deg. FWHM）：40x10-外壳温度（C）：15-典型包装：9mm-外壳温度（℃）：T03-外壳温度（℃）：HHL品牌介绍：Intense正在改变二极管激光器解决不断发展的光电需求，从高密度可单独寻址的激光器阵列到高功率产品。 我们QWI技术和大批量制造工艺可制造出具有好的功率、亮度和可靠性的二极管激光产品。多年来积累了丰富的设计开发经验，可以为客户提供高品质的产品及服务，满足客户需求。天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

可见光激光二极管 L404P400M特性输出功率：1 mW - 3000 mW可选中心波长：404 nm - 690 nm可选各种封装：TO封装和TO尾纤兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器本页介绍了Thorlabs的中心波长404 nm到690 nm的激光二极管。激光二极管先按照波长，再按照功率排序。下面各表中列出了基本规格，帮助您快速缩小搜索范围。点击表格Info一栏中的蓝色信息图标可弹出一个窗口，它包含了该二极管的详细规格以及机械制图。中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长，但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差，所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐，从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏，说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。对于其中很多型号，点击下面的"Choose Item"后会弹出一个列表，包括每个库存产品的主波长、输出功率和工作电流。点击序列号旁的红色文件按钮可打开一个PDF文件，它包含了该序列号产品的L-I-V和光谱特性曲线。封装和安装座我们的激光二极管以不同封装提供，包括标准的?3.8 mm、?5.6 mm和?9 mm的TO封装，以及带尾纤的TO封装二极管和非标准的?9.5 mm和TO-46封装。我们将TO封装的二极管引脚配置分成标准的A、B、C、D、E、F、G和H型引脚代码(见下图)。这个引脚代码使用户能很容易确定兼容的安装座。空间模式和线宽我们有不同输出特性(功率，波长，光束直径，形状等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单一空间模式("单模")，少部分是为高功率多空间模式("多模")操作设计的。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)特性，需要考虑如DFB激光器、DBR激光器或外腔激光器的其他设备。更多详细信息以及光电二极管的信息请查看激光二极管教程。我们提供具有不同输出特性(功率、波长、光束尺寸、形状等等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单空间模式("单模"或SM)，少部分设计用于高功率多空间模式("多模"或MM)工作。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)性能，请考虑DFB激光器、DBR激光器或外腔激光器等。请通过激光二极管教程了解激光二极管的空间模式和线宽以及其它概述信息。激光二极管对静电冲击非常敏感。在操作时请采取适当的预防措施；请看我们的防静电冲击配件。激光二极管对光学反馈也很敏感，这在特定应用中可能会引起激光二极管输出功率的显著波动。对于所有的尾纤激光二极管，在连接到其它光纤或从其它光纤断开连接时，都要先关闭激光器，尤其是功率大于10 mW时。我们建议每次使用前清洁光纤接头，避免灰尘或任何其它污染物沉积在接头表面。光纤端面中心的激光强度可能非常高，如果有污染物存在很有可能会烧坏光纤端面。虽然发货前我们清洁了尾纤激光二极管的接头且盖上保护帽，但我们无法保证它们拆开包装后一直没有任何污染物。

Cutting Edge Optronics（简称CEO）是Northrop Grumman公司的一个子部门，是世界上未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器的主要供应商。基于CEO二极管激光器的产品已经成为工业标准，并应用在多种商业、工业和军事应用中。CEO公司的主要产品包括：未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器。 未安装二极管靶条、已封装激光二极管CEO高功率激光二极管产品线可选多种（传导冷却型和水冷型）热沉设计，每个激光耙条的CW输出功率超过100W，QCW输过300W。CEO具有10年以上经验，封装类型超过200种，其生产的激光二极管广泛用于工业、军事和航空应用中。CEO波长范围从790nm到1550nm，其中包括808nm、885nm和940nm，且能为特殊的泵浦应用提供定制设计，可以根据客户应用要求提供标准产品或者设计完整的封装。产品特点• 可选两种工作模式：CW和QCW• 总输出功率可达20kW• 可选配准直：快轴或慢轴• 多种封装方式其它特点? 多种组装• 激光二极管耙条• 激光二极管子模块• 已封装激光二极管? 标准波长范围• 780nm – 815nm• 875nm – 890nm• 935nm – 945nm• 965nm – 975nm? 冷却方法• 传导冷却• 水冷• 微通道冷却 芯片和耙条CEO具备提供大批量激光二极管耙条的实力，不管是客户需求每年1000耙条还是数万耙条，CEO都有相应的产能来满足要求。这些耙条的特点是CEO的专利外延结构设计，有多种波长可供选择，标准波长（nm）包括：790-820、872-890、930-950、970-990（其它波长可定制）? CW输出功率可达：100W/bar ? QCW输出功率可达：300W/bar激光二极管芯片（子模块）可选Silver或者Golden Bullet封装技术，两者都使用长寿命激光二极管耙条且可选CW或QCW工作模式。有多种波长可供选择，标准波长（nm）包括：790-820、872-890、930-950、970-990（其它波长可定制）。? CW输出功率可达：100W/bar? QCW输出功率可达：300W/bar 散热类型：传导冷却型 HDS阵列功率密度达到了25 W/cm2。这种高密度堆栈（HDS）阵列是在尽可能小的面积上要求极大二极管密度的轻小型应用的理想选择。这些阵列可选多种波长，也可以封装在几乎所有的CEO激光二极管阵列平台上，包括G、Cs和Derringer封装。? QCW工作? 耙条数：5-20? 总输出功率：0.5 - 6kWG型封装分为G1、G2和G3封装。G1可使用多达8个QCW耙条，该配置可以提供高达2.4kW峰值输出功率；G2可使用最多22个QCW耙条，该配置可以提供高达6.6kW峰值输出功率；G3可使用多达26个QCW耙条，该配置可以提供高达7.8kW峰值输出功率。另外，G型封装也可选CW配置，连续光输出功率可达40W。? CW和QCW工作? 耙条数：1-26? QCW功率：0.1kW到7kW以上密闭封装能够防尘和湿气，可以防止性能退化，设计用于多种环境条件下。QCW输出功率可达2.4kW，而CW功率可达40W，这种密闭封装是激光照明和激光测距应用的理想选择。该封装带有10kΩ热敏电阻，用户可以监测器件的温度变化，可根据要求提供其它监测电路。? CW和QCW工作? 耙条数：1-8? CW功率可达40W，QCW可达2.4kWCs封装是激光器工业的一种标准，经常在大型激光系统中用作搭建模块，或者在实验室环境中用作独立单元。如果选择QCW配置可使用多达8个耙条，总峰值功率可高达2.4kW。也可选择单耙条40W CW版本。? CW和QCW工作? 耙条数：1-8? CW功率可达40W，QCW可达2.4kWA型封装分为A、AA、AAA和AAAA四种，是一种紧凑的传导冷却型激光二极管阵列，可选脉冲配置或连续波配置，脉冲功率Max.可达9.6kW，连续波功率可达160W。? CW和QCW工作? 耙条数：1-32? CW功率可达160W，QCW可达9.6kW 散热类型：水冷型E2封装是一种紧凑的水冷激光二极管阵列，可选CW或QCW配置。对于CW工作输出功率可达40W，对于QCW配置E2封装可用多达15个激光二极管耙条，总峰值功率可达4.5kW。? CW或QCW工作? 耙条数：1-15? CW功率可达40W，QCW功率可达4.5kDerringer封装的特点是使用了专利水冷设计，该阵列非常适合固态激光晶体的侧向泵浦。Derringer按照发光的输出长度分为三种，分别是125px、100px和75px，它们都可以选择QCW和CW配置。Shooter 5的CW和QCW功率分别可达200W和12kW；Shooter 4功率分别可达160W和9.6kW；Shooter 3功率分别可达120W和7.2kW。? CW或QCW工作? 耙条数可达40? CW功率可达200W，QCW功率可达12kWShooter封装是一种坚固的二极管阵列，非常适合工业应用。这种阵列的特点是高电流电气连接和电螺柱，它们能够确保阵列在高平均电流下工作。Shooter封装分为6 shooter、8 shooter、10 shooter和12 shooter四种，它们都能配置以CW或QCW模式工作。? CW或QCW工作? 耙条数可达96? CW功率可达480W，QCW功率可达29kW 散热类型：微通道冷却型微通道冷却型（MCS）封装安装耙条数分为三种，分别是1耙条、3耙条和6耙条版本，它们都可以选择CW或QCW配置，使用先进的冷却技术确保较佳的散热效果，因此可以比其它阵列类型有更高的输出功率。 ? CW或QCW工作? 耙条数：1-6? CW功率范围60-600W

DT-670系列硅二极管温度传感器在更宽的温度范围内可提更高的精度。DT-670系列传感器符合标准电压-温度响应曲线，因此该系列可互换，且对于许多应用不需要单独标定。SD封装中的DT-670传感器有四个误差等级，其中三个适用于1.4 K至500 K温度范围内的通用低温应用，另一个可为30 K至室温的应用提供卓越的精度。DT-670传感器也有第七个公差带，B和E，只能作为裸芯片使用。对于需要更高精度的应用，DT-670-SD二极管可在整个1.4 K至500 K温度范围内进行标定。DT-670-SD√ 1.4 K-500 K温度范围内具有超高精度√ 30 K-500 K温度范围内极小误差√ 坚固可靠的SD封装设计，可承受重复热循环并尽可能地减少传感器自发热√ 符合标准曲线DT-670温度响应曲线√ 多种封装选项DT-670E-BR√ 温度范围1.4 K-500 K√ 裸装传感器是尺寸极小、热响应时间超快的二极管传感器√ 无磁传感器DT-621-HR√ 温度范围：1.4K-325K*√ 无磁封装√ 用于表面安装的裸露平面基板* 标定的低到1.4K，未标定的(曲线DT-670)低到20KDT-670E-BR极小尺寸+超快热响应DT-670E-BR裸片传感器提供了硅二极管产品中更小的物理尺寸和更快的热响应时间。这对尺寸和热响应时间至关重要的应用来说是一个重要的优势，包括用于蜂窝通信的焦平面阵列和高温超导滤波器。 DT-621-HR微型硅二极管DT-621传感器组件在其有效范围内显示出精确、单调的温度响应。传感器芯片与环氧圆顶直接接触，导致20 K温度下测试电压升，并阻止全量程曲线DT-670一致性。所以对于低于20 K的使用，需要标定。二极管测温二极管测温是基于在恒定电流（通常为10 µ A）下偏置的p-n结中正向电压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大，在0.1V和6V之间，因此二极管易于使用，仪器操作也很简单。 Lake Shore SD封装：业界极坚固、多功能的封装SD封装直接将传感器与蓝宝石底座安装、气密密封和焊接Kovar导线，是业内极其坚固耐用、用途广泛的低温温度传感器，具有极佳的样品与芯片连接性能。该设计使导线上的热量可以绕过芯片，因此可以在 500 K 温度下工作数千小时（取决于型号），并且与大多数超高真空应用兼容。它可以铟焊到样品上，而不会改变传感器的标定。如果需要，也可提供不带Kovar引线的 SD 封装。DT-670温度传感器温度特性 典型的DT-670电压特性 典型的DT-670灵敏度特性DT-670误差带曲线

量子电子元件Thorlabs的量子电子部门Covega在磷化铟和铌酸锂技术研发上处于世界领先地位。通过此次收购，Thorlabs非常荣幸地增加了一条光功率放大器（BOA）、半导体光放大器（SOA），超辐射发光二极管（SLD）、法布里－珀罗激光器（FPL），以及电信封装的电光调制器产品线。此外，Thorlabs现在提供两种新的激光二极管/TEC控制器：一种用于14管脚的蝶形封装，另一种用于双列直插式（DIL）封装。增益芯片 光学放大器 超辐射发光二极管 TQE Fabry-Perot激光器 单频率激光器 光学调制器 增益芯片通过收购Covega，Thorlabs 量子电子学部门的产品线中增加了一个单角面增益芯片产品线（SAF）。这些芯片有安装在Submount、热沉或附件上的多种选择。半蝶式增益芯片 SAF增益芯片，&lambda c = 1220纳米 SAF增益芯片，&lambda c = 1320纳米 SAF增益芯片，&lambda c = 1450纳米 SAF增益芯片，&lambda = 1550或者1590纳米 SAF增益芯片，&lambda c = 1650纳米 光学放大器Thorlabs Quantum Electronics（TQE）在InP和铌酸锂技术研发上处于世界领先地位。Thorlabs很高兴能够提供光学放大器产品线，其中包括半导体光学放大器（SOA）、增压光学放大器（BOA）和我们的战略合作伙伴Picoluz研发的稀土掺杂光纤放大器。在输入光偏振态未知或者波动的应用中必需使用偏振无关型放大器（例如SOA）。对于偏振态已知的应用，偏振相关型BOA比相应的SOA产品具有更高的增益、噪声、带宽和饱和功率。台式光学放大器 高速光学快门/开关 锥形放大器 铥掺杂光纤放大器 1050纳米增强型光放大器 O带光学放大器 C带光学放大器 L带光学放大器 超辐射发光二极管（SLD）Thorlabs提供有中心波长在1280、1310、1325或1550纳米的宽带发射的超辐射发光二极管。对于要求特殊带宽、波长和功率的应用，我们提供了精心挑选的SLDs。这些SLDs都单独标注了特性，方便用户选择最适合其应用的SLD。台式超辐射发光光源 可扩展的宽带SLD光源 带宽100n纳米 带宽100纳米 Fabry-Perot激光器TQE提供多种安装在子安装座、TO头和大面积激光器上的Fabry-Perot激光芯片。O波段法布里激光器 C波段法布里激光器 L和U波段法布里-珀罗激光器 1.94-2微米法布里-珀罗激光器 宽发射域激光器 高功率单频激光器 Related Products 概述规格图Documents & Drawings Feedback Tag Cloud 特性可定制1550纳米到1620纳米中心波长（相关细节请联系技术支持）中心波长公差：± 0.5纳米包含性能数据和个体工作参数集成的隔离器可以最小化有害的反馈1.5米的单模或保偏光纤，带有FC/APC接头 应用种子激光器激光通信计量非线性倍频用于LIDAR/远程传感系统的激光光源 接下来，Thorlabs将扩展单频激光器产品，以涵盖那些中心输出波长为1064、1310和2000纳米的激光器。 这些单频激光器的光谱特性可以和DFB激光器相提并论，但它们具有更窄的线宽和更高的输出功率。该单频、外控半导体激光器应用了专利的稳频技术，为紧凑的14引脚蝶形封装。这些激光器能兼容任何标准的14引脚激光器二极管安装座，包括Thorlabs的LM14S214引脚蝶形安装座。该单频激光器包含一个集成的热电制冷器、热敏电阻和隔离器，输出尾纤为单模或保偏输出光纤。关于电流和温度控制，SFL系列能兼标准激光二极管驱动器和温度控制器，包括ITC4001和LDC1300B，LDC1300B包含14引脚的蝶形激光二极管安装座。请注意：与DFB激光器不同，SFL系列不是无条件的单频。SFL系列激光器设计能够在一些工作电流和温度范围内提供高功率、单频工作，而在其他一些电流和温度组合条件下表现出多模的工作特性。为了帮助用户选择合适工作条件的激光器，我们随每个激光器提供了一份数据表，其中包含了特定激光器的工作特性和单频区域。 SFL1550S/SFL1550PSFL1620S/SFL1620P MinTypicalMaxMinTypicalMaxWavelength (nm)1549.515501550.51619.516201620.5Power (mW)2540-2540-Linewidth (kHz)-50100-50100电光调制器Thorlabs有自由空间振幅和相位调制器以及基于光纤的强度和相位调制器。自由空间电光调制器 相位和强度调制器 模拟调制器 相位调制器

货号：186299800描述：2998二极管阵列检测器(蓝色)

总览InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm,铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm技术参数产品特性截止波长： 2.6μm低成本感光面积： φ3 mm低噪声高灵敏度高可靠性高速响应产品应用光功率计气体分析湿度计近红外光度法详细参数感光面积φ3mm像元个数1封装Metal封装类型TO-5制冷方式Non-cooled光谱响应范围0.9 to 2.6 μm峰值灵敏度波长(典型值)2.3 μm灵敏度 (典型值)1.3 A/W暗电流 (最大值)100000 nA截至频率（典型值）0.8MHz结电容(典型值)4000 pF噪声等效功率 (典型值)3×10-12 W/Hz1/2测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.光谱响应外形尺寸（单位：mm）

总览UV255-01-BL是一种深紫外发光二极管，其峰值发射波长为250nm至260nm。LED被密封在一个金属玻璃焊接的封装中。它融合了先进的半导体材料、芯片设计和具有先进光学特性的坚固封装。UV255-01-BL是为光学传感、医疗和分析仪器而设计的，用于深紫外光谱范围内的化学和生物分析。255nm 紫外二极管 0.5mW,255nm 紫外二极管 0.5mW通用参数产品特点:● 紫外线LED● 坚固的金属玻璃包装● 窄角图● 无铅产品● 符合RoHS产品应用● 传感器● 荧光光谱● 化学和生物分析参数参数符号最小值典型值最大值单位备注入射波长λ250255260nmTO温度TTO-1055℃芯片温度TOP2055℃阈值电流ITH0.5mA输出功率Popt0.10.30.5mW阈值电压UTH5V激光电压UOP67V驱动电流I2530mA光束发散度θ7°满1/e2带宽光谱带宽Δν1115nm功耗Pd180mw热敏电阻(Tj-Tcase)[1]50℃/w备注：● 储存温度 -40 … 125°C ● TO工作温度 -40 … 85°C● 正向激光电流 30mA ● 焊接温度* 190°光谱图LIV 相对功率 vs. 驱动电流曲线驱动电流与波长的关系曲线产品规格材料信息PIN#引脚定义1、镀金pin脚P1Anode(+)2、TO39头部P2Cathode(-)3、金色端帽P3Case4、半球透镜注意:[1] 尺寸单位 mm/[in][2] 不成比例[3] 尺寸仅供参考[4] 我们有不通知改变尺寸的权利典型发散角度图

Thorlabs近红外激光二极管 LP705-SF15特性法布里-珀罗(FP)、分布反馈(DFB)和体全息光栅(VHG)稳定型、光纤布拉格光栅(FBG)稳定型分布式布拉格反射体(DBR)激光二极管和垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出功率高达2 W中心波长从705 nm至2000 nm提供多种封装：TO、TO尾纤、蝶形、C-Mount和COS(Chip on submount)通过我们的LD引脚可便捷地选择兼容的安装座兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器提供OEM解决方案中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长，但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差，所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐，从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏，说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。对于其中很多型号，点击下面的"Choose Item"后会弹出一个列表，包括每个库存产品的主波长、输出功率和工作电流。点击序列号旁的红色文件按钮可打开一个PDF文件，它包含了该序列号产品的L-I-V和光谱特性曲线。如果下方没有提供相关序列号产品的信息，客户也可以联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com来基于测试波长选择一种激光二极管。封装和安装座我们的激光二极管以不同封装提供，包括标准的?5.6 mm和?9 mm的TO封装，以及带尾纤的TO封装二极管、COS和C-Mount。我们将TO封装的二极管引脚配置分成标准的A、B、C、D、E、F、G和H型引脚代码(见下图)。这个引脚代码使用户能很容易确定兼容的安装座。Thorlabs的产品线对TO封装的二极管支持最广泛，其次是蝶形封装激光器。COS和C-Mount激光器更适合OEM应用。我们的一些二极管以开放式端头封装提供，它们可根据要求转换成密封的TO封装空间模式和线宽我们提供具有不同输出特性(功率、波长、光束尺寸、形状等等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单空间模式("单模"或SM)，少部分设计用于高功率多空间模式("多模"或MM)工作。一些单模激光二激管能够以有限的单纵模工作(请见下面的表格了解更多信息)。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)性能，请考虑如DFB激光器、VHG稳定性激光器、DBR激光器或外腔激光器等。Thorlabs也提供极窄线宽的单频激光器(VHG稳定型和DFB激光器线宽≤20 MHz，DBR和ECL激光器线宽小于100 kHz)，这些产品在表格中以绿色背景高亮显示。请通过激光二极管教程了解激光二极管的空间模式和线宽以及其它概述信息。激光二极管对静电冲击非常敏感。在操作时请采取适当的预防措施(请看我们的防静电冲击配件)。激光二极管对光学反馈也很敏感，这在特定应用中可能会引起激光二极管输出功率的显著波动。如需解决这个问题，请查看我们的光隔离器。对于所有的尾纤激光二极管，在连接到其它光纤或从其它光纤断开连接时，都要先关闭激光器，尤其是功率大于10 mW时。我们建议每次使用前清洁光纤接头，避免灰尘或任何其它污染物沉积在接头表面。光纤端面中心的激光强度可能非常高，如果有污染物存在很有可能会烧坏光纤端面。虽然发货前我们清洁了尾纤激光二极管的接头且盖上保护帽，但我们无法保证它们拆开包装后一直没有任何污染物。

适用于紫外到红外的35象元硅光电二极管阵列 S4111-35Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管，主要用于低光量探测，比如分光光度测量等。其具有从紫外到近红外的宽光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出，该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小，保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗。产品特性-大感光面积 - 低串扰- 低暗电流- 红外灵敏度增强详细参数元素大小(每1列)4.4 × 0.9 mm像元个数35封装Ceramic封装类型40pin-DIP冷却方式Non-cooled反向电压(最大值)15 V光谱响应范围190 to 1100 nm峰值灵敏度波长(典型值)960 nm光敏度 (典型值)0.58 A/W暗电流 (最大值)10 pA上升时间 (典型值.)1.2 μs结电容(典型值)550 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise notedper one element, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Rise time: VR=0 V, Terminal capacitance: VR=0 V光谱响应外形尺寸（单位：mm）

一,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）技术参数产品特点● 小光敏面大光敏面可选 (100µ m to 25mm)● 800nm to 1800nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)引脚定义产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器产品规格探测材料Ge响应波长800 - 1800 nm峰值波长1550 nm (Typ.)响应度0.85 A/W (Typ.)光敏面直径78.5 mm2 (Ø 10mm)上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)500 ns / 500 ns (Typ.)NEP, Typical (1550 nm)4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)暗电流 (5 V)60 µ A (Max.)电容(10 V) 电容(0 V)1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)分流电阻4000 Ohm (Typ.)封装形式TO-9最大额定值最大击穿打压10 V操作温度-55 to 60 °C存储温度-55 to 60 °C备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明 2、NEP指Ding在光伏模式下光谱响应曲线：二,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长产品特点● 10mm超大光敏面● 900nm to 1700nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● —正照平面型芯片结构 ● 光敏面积大、低暗电流产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器通用参数技术参数特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—900～1700nm光敏面直径φ—10mm响应度 ReVR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw0.85——A/WVR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw0.95——响应时间tSVR=5V,RL=50Ω,f=2KHz—820μs总电容CVR=5V,f=1KHz—310nF暗电流IDVR=5V,φe=0—25100nA分流阻抗RshVR=10mV10——MΩ光谱响应曲线封装及尺寸极限值参数名称符号额定值单位工作温度TC-40～+85℃贮存温度TSTG-55～+125℃正向电流IF10mA反向电流IR5mA焊接温度（时间）St260℃（10s）-

激光二极管 深紫外激光二极管：波长范围 250nm-355nm输出功率范围：1mW至100mW效率高，高达20%坚固紧凑的设计数字、即时开/关、2ns 上升时间灵活的配光和传输使用寿命长，可靠性高易于集成到便携式系统中ISO9001：2008 和 NSF AS9100 认证应用包括紫外线固化、光疗、消毒、水净化、荧光光谱、生物分析和检测、传感器和监视器。自由空间激光二极管：法布里佩罗 （FP） 激光器或光纤布拉格光栅 （FBG） 波长稳定激光器连续波或脉冲操作单模或 PM 光纤尾纤14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管。内置监控光电二极管的Mini-DIL封装光纤耦合单模激光二极管：光纤耦合法布里佩罗 （FP） 半导体激光管具有光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 的光纤耦合波长稳定激光二极管连续波或脉冲操作波长范围 405-1550nm14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管。同轴和微型DIL封装，内置监控光电二极管单模光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器高功率泵浦半导体激光管:单频激光二极管、光纤布拉格光栅激光二极管、光纤布拉格光栅、DFB激光二极管、分布式反馈激光二极管、波长稳定激光二极管、光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 波长稳定的激光二极管连续波或脉冲操作14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管单模光纤尾纤保偏 （PM） 光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器固定波长激光二极管， 光纤光栅半导体激光管， 单纵模半导体激光管， 单纵模激光二极管， 光纤光栅半导体激光管 1060 nm， 光纤光栅半导体激光管 1300 nm， 光纤光栅半导体激光管 1480 nm， 窄带宽光源， 光纤光栅半导体激光管 1550 nm， 光纤光栅半导体激光管模块， 967nm， 976nm， 980nm， 1064nm， 1061nm， 1062nm， 1080nm、1420nm、1450nm、1480nm、1280nm、1490nm、1510nm宽带光源：光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 波长稳定的激光二极管连续波或脉冲操作14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管单模或多模光纤尾纤可选的保偏 （PM） 光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器InGaAs PIN 光电二极管：12GHz光纤耦合微波光电二极管接收器，QPDW-40。超快光接收机QPDF-50。具有单模或多模光纤尾纤的快速光电二极管，QPDF-70。通用光纤耦合光电二极管，QPDF-200激光二极管控制器和支架：提供多种用户友好的控制器套件，用于在连续和脉冲模式下操作激光二极管、超发光二极管、LED 和半导体光放大器。每套设备都包括激光驱动器、温度控制器、激光二极管支架、交流适配器、电缆，并可作为一个完整的交钥匙系统使用。我们还提供单独的 14 针 DIL 安装座、14 针蝶形安装座和 TO 罐头安装座。智能人性化设计连续波和脉冲操作（在某些型号中）精确稳定的温度控制包括激光二极管安装包括 110-240V 交流适配器半导体光放大器：行波，MQW设计连续波或脉冲操作单模输入/输出芯片到光纤耦合损耗低内置热敏电阻和TEC密封蝴蝶封装可选 FC/APC 连接器激光二极管的外延晶圆：由 Aixtron MOCVD 种植波长是可选的用于单模和多模半导体激光管的外延晶圆AlGaAs/GaAs量子阱（QW）有效区晶圆表面均匀性高客户设计的外延晶圆作为选项更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。