水平侧向溅射沉积系统

侧向溅射1. 技术规格衬底温度：100℃；在4英寸衬底上沉积厚度300nm时片内厚度不均匀性(不包括5mm边) ±5%。2. 产品配置：2.1 主真空室：主真空室的内壁材料为电子级抛光，与溅射材料无任何反应；前开或者侧开式真空室；有必要的连接法兰包括泵、溅射源、气体入口、挡板、阀门、预真空室， 10cm直径的观察窗，并带有挡板。2.2预真空室：将基片从预真空室传送到主真空室的装置；安装基片的门有O型垫圈密封。2.3泵与阀门：主真空室配备20cm（8英寸）的冷泵， CTI带自动再生功能的；预真空室用分子泵，与主真空室通过阀门连接；主真空室的本底真空应该好于5×10-8τ；预真空室的本底真空好于1×10-6τ。主真空室和预真空室共用一个干泵。主真空室应配有电离压力真空计，用于低压显示， 100mτ电容压力计显示压力，热偶或其它量表用于高压显示；预真空室配有电离压力真空计，热偶或其它量表用于高压显示；所有的量表能输出和显示。2.4溅射源：具有2个射频溅射源，1个射频清洗电源，2个直流溅射电源，可自动切换至任意靶位；具有4个溅射靶位以共聚焦的方式安装，3英寸磁控靶、进气口和挡板构成；挡板用电动控制；溅射源之间有屏蔽保护，以防止靶材之间互相污染。在4英寸晶圆上溅射厚度的均匀性好于±5%（除了5mm的边缘）。2.5基片控制：系统适用于直径100mm（4英寸）及以下基片，含碎片和4英寸衬底托盘；系统可以通过简单有效的方法将基片从预真空室传送到主真空室；基片架可以用电机控制旋转，转速在0～40rpm内可精确调节；基片水冷，在连续溅射沉积金属 300nm后，基片的温度不能超过100℃；基片可以在-80°到80°范围内倾斜，控制精度优于0.5°。2.6工艺气体控制：系统能够提供3路工艺气体到溅射腔室；每路气体管线有阀门和流量计控制；系统提供电子方式控制气体的混合和系统的工艺压力；在溅射过程中系统的工艺压力可以控制在2mτ到20mτ。2.7计算机控制系统：能够控制所有的功能，具有良好的用户操作界面具有程序自动控制工艺的功能。

Kurt J. Lesker Company® NANO 36&trade 是我们优化的入门级沉积系统。我们的腔室设计特别适合手套箱集成。NANO 36 具有更高的功能和更小的占地面积，提供了实惠的价格点，同时保持了您期望从 KJLC 获得的质量。NANO 36 与以下沉积技术兼容：热蒸发（最多四个 2 英寸船组件）。Torus® 磁控溅射源（最多三个 2“ 或 3” 源）。1cc 或 10cc LTE 有机沉积源（最多四个）。两个热源和两个 LTE 源的组合。可根据要求提供定制配置。NANO 36 提供 Pfeiffer 260 L/s 涡轮分子泵和 KJLC RV206 油封粗泵作为标准组件，并可选择 Edwards nXDS6i - 3.6 cfm （6.2 m）3/hr） 涡旋粗抽泵。NANO 36 的基本压力规格为 9 x 10-7托。Nano 36 提供单一和多种技术沉积选项（仅限热 + LTE），包括热蒸发和磁控溅射 （Torus）。只有 KJLC 提供 Mag-Keeper 溅射源，该溅射源在阴极体中具有零 O 形圈和磁耦合靶材，可轻松更换靶材。（通过手套箱改变目标时的游戏规则改变者！我们的冷却井设计可在 200 瓦/.in2 ≥功率密度下运行。该阴极设计用于在 3 英寸阴极上溅射高达 0.375 英寸厚的目标，在 2 英寸阴极上溅射高达 0.250 英寸厚的目标。高强度设计能够溅射高达 0.125 英寸厚的 Fe 靶材和 3 英寸阴极，或 0.0625 英寸厚的 Fe 靶材和 2 英寸的 Mag-Keepers。如果没有压紧夹或暗空间屏蔽，这种阴极能够运行≤低至 1mTorr。圆顶百叶窗设计消除了标准翻转或摆动百叶窗所需的额外交叉污染屏蔽需求。

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。可通过直流溅射及射频溅射方式镀膜，能制备各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜等。可溅射材料广泛，包括各种金属、合物薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜等。溅射模式多样，例如直流溅射、反应溅射、斜靶共溅射等。采用计算机控制，具有液晶显示屏、鼠标键盘操作，windows 会话界面，操作简便，并支持自动控制和手动控制两种方式，可实现真空系统及工艺过程的全自动化操作。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目3.真空室真空室结构:六边形侧开门真空室尺寸:φ350x370mm 限真空度:≤6.0E-4Pa 沉积源:永磁靶1套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃ 占地面积（长x宽x高）:约1米x1米x1.9米 电控描述:手动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.用户评价：TRP-450高真空镀膜机其设备质量过关，功能齐全，性能稳定，自动化程度高，抽气速平稳，电源稳定可靠，气路流畅密闭，镀膜质量平整光滑，均匀致密，结合力强，且系统操控智能，便捷，可满足科研实验与生产制造的需求，是一款优秀的磁控溅射镀膜系统。——北京石墨烯技术研究院有限公司 李老师4.真空室：真空室结构:圆筒形开门 真空室尺寸:φ450x400mm 限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸，可以向上溅射或向下溅射。 样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1米×1.8米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。例如可用于制备各种功能性薄膜，如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；适用于微电子域；在光学域，可用于制备增透膜、低辐射玻璃和透明导电玻璃等；在机械加工行业中，可沉积表面功能膜、超硬膜、自润滑薄膜等，以提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能；还可应用于高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜等的研究。3.真空室：真空室结构:长方形侧开门真空室尺寸:1100X700X350mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶尺寸：450X80mm、向上溅射，每个真空室配2个靶位样品尺寸，温度:300X400mm；高温度300度占地面积（长x宽x高）:约6米×3米×2米（设计待定）电控描述:全自动 工艺:设计待定

1.产品概述：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。2.设备用途：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大院校、科研院所进行薄膜材料的科研。3.产品优点：可对化学成分复杂的复合物材料进行全等同镀膜，易于保证镀膜后化学计量比的稳定。反应迅速，生长快，通常一小时可获得一定厚度的薄膜。定向性强、薄膜分辨率高，能实现微区沉积。生长过程中可原位引入多种气体，对提高薄膜质量有重要意义。容易制备多层膜和异质膜，通过简单的换靶即可实现4.真空室结构:球形结构真空室尺寸:Ф300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:Φ30mm,每次可装4块靶材，可实现公转换靶位；每块靶材可自转，转速5～60转/分；样品尺寸，温度:1英寸，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.产品优势：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。该系统可用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料科研工作。3.产品工艺：真空室结构:梨形上升盖真空室尺寸:φ550×350mm限真空度:≤6.6E-6Pa（经烘烤除气后）沉积源:永磁靶5套，φ2英寸配有多个靶位，例如 5 个 2 英寸磁控溅射靶接样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业先的软件控制系统，用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺：真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套，φ2英寸； 四工位转靶1套；样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。高可以到达800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

英国Vac Coat是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者, 尤其是Vac Coat可以将多种PVD工艺集成为一体进行多工艺复合镀膜, 如DST多靶磁控溅射系列, PLD脉冲激光沉积系列, DTT多源热蒸发沉积系列以及多工艺一体化系列已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

PRO Line PVD 75多功能溅射、电子束和热蒸发沉积平台Kurt J. Lesker Company PRO Line PVD 75 是基于主力 PVD 75 平台的下一代薄膜沉积系统。PVD 75 在全球拥有 400 多台设备，是一款久经考验、坚固耐用且用途广泛的设计。PRO Line PVD 75 建立在原始设计的成功基础上，改进了系统基础压力和抽空时间。技术的腔室设计、具有高级编程功能的行业最佳软件控制系统、自动基板加载以及用于优化薄膜性能的众多功能是这种创新的设计提供的一些关键优势。® 规格室箱形304L不锈钢腔体内部尺寸：15.25“ 宽 x 16.50” 深 x 24“ 高（387.4mm x 419.1mm x 609.6mm）铝，O 形圈密封，铰链，前检修门沉积技术热蒸发最多四艘 4 英寸的单艘船，或六艘 2 英寸的船组件TORUS 磁控溅射源多达 6 个 2 英寸或 3 英寸光源多达 4 个 4 英寸信号源电子束蒸发源4 口袋 8cc8 口袋 12cc6 口袋 20ccLTE10 有机沉积源最多两个 10cc 源沉积方向热蒸发向上TORUS 磁控溅射源向上、向下或侧溅射电子束蒸发向上LTE有机沉积向上底物操作旋转、加热、冷却、偏置、负载锁定兼容电源DC、PDC、RF、MF 和 HIPIMS 电源

产品详情DENTON 磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台： DENTON 真空使创新成为可能，并已超过50年。全球成千上万的薄膜沉积工具安装,包括一个大型的、在全球范围内安装的精密光学沉积系统——工程师和研究人员依靠DENTON 的薄膜创新驱动更高的吞吐量,更好的收益和低拥有成本(首席运营官),受益于综合服务和支持,和一个专门的研发项目,提供可行的技术。探索者提供了薄膜工业中最广泛的配置和沉积模式:电子束蒸发、电阻蒸发、溅射、离子镀和离子辅助沉积。DENTON 薄膜沉积平台• R & D• 批量生产• 在线生产• 蒸发• 溅射• PE-CVD DENTON 的区别你们的过程就是我们的过程。我们与您合作设计一个系统，以解决您的确切薄膜涂装工艺的需要。当我们给你运送工具时，它已经准备好生产了。• 我们的系统规模可以满足您的生产需求• 我们永远相信客户• 全球支持网络 在DENTON，我们关心你的成功• 工厂验收测试• 个性化培训• 远程、实时支持• CE / UL / CSA兼容系统 能溅射电、磁、复合材料。柔性阴极，调整到冲击角也可用。 强大的控制系统可在半手动模式或全自动模式与一个推动自动化，以减少系统停机时间。 Processpro升级提供:1.所有登顿真空产品的一致性控制。2.标准软件使其易于支持和避免昂贵的定制费用。3.源代码为您的程序，以便您可以自定义您的程序。4.网络功能使资源管理器网络上支持实时、远程支持和升级的节点。 灵活的室大小可容纳多达10英寸的衬底。 多个泵配置多种扩散、低温和涡轮泵配置可用于满足您的预算和工艺。后方或底部安装的泵提供方便的访问服务，根据您的工作场所的需要。典型的应用PE-CVD• 材料研究• 小批处理系统• 3 d对象• 覆盖各种材料 溅射• 材料研究• 产品质量控制和质量保证• 半导体失效分析• CD掌握• 纳米技术• 化合物半导体• oled 蒸发• 材料研究• 离子辅助沉积(IAD)• 医疗设备• 电信• CD掌握• 发射• 保护涂层选项：

1.产品概述：高真空磁控溅射粉末颗粒表面薄膜沉积系统可以在粉末颗粒状样品表面镀制金属膜、磁性膜、绝缘膜等，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：可广泛应用于大院校、科研院所的粉末样品表面镀制薄膜材料的科研项目。3.真空室结构:圆筒形侧开门，通常采用不锈钢材质制造，具备良好的密封性能真空室尺寸:Ф450x550mm限真空度:≤8.0E-5Pa沉积源:永磁靶2套，φ3英寸样品尺寸，温度:小型粉末颗粒状样品占地面积（长x宽x高）:约1米x1.8米x2米电控描述:全自动设备电控系统和控制系统：采用计算机控制，具有液晶显示屏、鼠标键盘操作界面，支持自动控制和手动控制两种方式，操作简便，并可实现真空系统及工艺过程的全自动化操作。

SSP1000桌面型磁控溅射系统是一种台式紧凑系统，能够以低成本实现高沉积性能。 其独特的设计允许改变沉积方向（向上，侧向和向下），因此可以在一个简单的装置内进行三个方向的实验。 由于配备了RF电源，不仅可以溅射金属靶，而且可以溅射诸如Al2O3或SiO2等陶瓷靶材。这种系统设计紧凑，成本低，可用于各种实验。-多样性- 由于采用立方体设计，通过简单变化即可选择溅射方向。 也可以使用磁性靶材（可选）。 标配1路工艺气体，可配置2路工艺气体。-性能- 在基板中φ100mm的区域内，膜厚度的偏差在±5％之内。 使用标准RF电源提供的脉冲模式，也可以溅射陶瓷类靶材。 在沉积期间，基底支架可旋转或静止。-易于使用- 紧凑的台式设备，易于安装。 腔室内安装有一个观察口。 配备阴极保护板以防止在预关闭期间基板的污染。 与阴极保护板一起工作的溅射计时器用于厚度控制。

Kurt J. Lesker Company PRO Line PVD 200 是一种模块化、功能齐全的薄膜沉积系统，可实现 8 英寸晶圆转移、多达 8 个溅射阴极和 eKLipse 高级控制软件。PVD 系列在全球拥有 500 多台设备，是一种成熟、坚固且多功能的设计，由 PVD 75 和 200 平台组成。PRO Line PVD 200 建立在原始设计的成功基础上，改进了系统基础压力和抽空时间。技术的腔室设计、具有高级编程功能的行业最佳软件控制系统、自动基板加载以及用于优化薄膜性能的众多功能是这种创新的设计提供的一些关键优势。® PRO Line PVD 200 与以下技术兼容：热蒸发（最多六艘 4 英寸的独立船）TORUS 磁控溅射源（最多 8 个 2“ 或 3” 源）® 电子束蒸发源（4口袋8cc，8口袋12cc，6口袋20cc）LTE10 有机沉积源（最多两个）上述技术的组合也可用。可根据要求提供定制配置KJLC的软件允许用户友好的配方创建，以及一个可靠、不间断的处理模块，无论计算机用户界面的状态如何，都可以完成过程。有关此直观、可靠的软件包的更多信息，请参阅“软件”选项卡。PRO Line PVD 200 在其工艺室中提供四种类型的高真空泵，一个 Pfeiffer 790 L/s 涡轮分子泵（标准），以及可选的 1250L/s Pfeiffer 涡轮分子泵、Brooks CTI-8F 1500 L/s 或 3000 L/s 低温泵。普发涡轮分子泵是实现整体成本效益高质量泵送的不错选择，尤其适用于溅射应用。Brook CTI 低温泵可用于需要尽可能低的真空度的应用，特别是热蒸发和电子束应用。右图显示了配备的 PRO Line PVD 200 工艺室按泵类型划分的平均预期泵送性能，该工艺室清洁干燥，安装了 （5） TORUS 3“ Mag-keeper 源和 3 英尺长的 1.5 英寸金属柔性波纹管粗加工管线。

1. 产品概述eVictor Al PVD 铝物理气相沉积系统，先进的磁控溅射系统，有效提高薄膜均匀性及靶材利用率。2. 设备用途/原理eVictor Al PVD 铝物理气相沉积系统，先进的磁控溅射系统，有效提高薄膜均匀性及靶材利用率，加热基座和高温静电卡盘设计，具备良好的温度均匀性，全新双腔传输平台，可配置性强，多可支持 10 个工艺模块，优质的 Whisker 解决方案，降低产品缺陷，大产能，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 8、12 英寸，适用材料 高温铝、氮化钽、氮化钛。适用工艺 热铝、铝焊盘、铝线，适用域 新兴应用。

一、高真空互联物理气相薄膜沉积系统概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；二、PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动：1、 关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、 系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、 系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、 靶基距具有腔外手动调节功能；5、 系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、 控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、 可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能；8、 节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；；9、 可用于标准镀膜产品小批量生产。 三、互联系统技术描述 真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积、电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:φ400x400x400mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃样品台：拥有可旋转或者可移动的样品台，以便均匀的沉积薄膜。占地面积（长x宽x高）:约1.8米×1.7米×2米电控描述:全自动采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发温度、沉积时间等。工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。2.设备用途：脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它独特的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用景。3.真空室结构:球形开门真空室尺寸:φ450mm限真空度:≤6.67E-6Pa沉积源:φ2英寸靶材，4个样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米电控描述:全自动

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

1. 产品概述Polaris系列 12英寸通用物理气相沉积系统，磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率。2. 设备用途/原理Polaris系列 12英寸通用物理气相沉积系统，磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率，灵活的腔室配置，针对先进封装域优化、稳定的传输系统，兼容玻璃片、翘曲片、键合片等多种类型基片传输，稳定并且低的Rc表现，良好的颗粒和应力控制能力，优化的工艺流程带来大产能表现，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 12英寸，适用材料 铜、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨化钛、金、铝等，适用工艺 电、先进封装中的UBM/RDL，适用域 新兴应用、先进封装。

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备特点：本设备是一个镀膜平台，可把磁控靶拆下换电子枪成为电子束镀膜系统、或换蒸发源作为热蒸发系统、或换上离子枪作为离子束镀膜系统等。设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:φ500x500x500mm限真空度:≤3.0E-5Pa沉积源:永磁靶4套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.7米×2米电控描述:全自动工艺:具备计算机化的工艺自动化功能。片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室结构:圆筒形上升盖尺寸例如φ450×350mm，采用不锈钢材料制造，可进行内烘烤，接口处采用金属垫圈或氟橡胶圈密封。真空室尺寸:φ450×350mm限真空度:≤6.0E-5Pa包括分子泵和机械泵，通过超高真空闸板阀主抽，并设有旁路抽气 沉积源:永磁靶3套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.5米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。建议选用公Research系列磁控溅射平台。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为分体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源 ：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。

化学气相沉积 LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。LPCVD设备结构及特点：1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。2、设备为水平管卧式结构由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。LPCVD设备主要技术指标 类型参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片 不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品生产型LPCVD设备设备功能该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可提供相关镀膜工艺。设备结构及特点设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。设备主要技术指标 类型参数 成膜类型Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样软件控制界面 关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

仪器简介：PLD是将脉冲激光透过合成石英窗导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料。我们PLD系统拥有最好的性能价比,具有以下优异的性能:主真空室腔体直径18英寸，本底真空可达高真空：9X10E-9 Torr（要用Load-lock）。主真空室抽气系统前级泵采用无油干泵★基片加热温度最高可达1000℃。基片台可360度旋转（转速1-20rpm可调）。★基片与靶之间方位采用靶在下方，基片在上方，均水平放置。基片与靶间距沿Z轴（即垂直地面方向）可调。 8个装1英寸靶的坩埚（或靶盘），各坩埚之间要求相互隔离，不互相污染。★激光器：Coherent 公司COMPexPro 201：Wavelength: 248 nm (KrF)；Pulse Energy：700mJ；Max. Rep. Rate ：10 Hz；Energy stability (one sigma) : 1%； Average Power: 5W；Pulse Duration: 25 ns；Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm；Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.★ Dual Load Lock System, 两次装样-送样系统，高效保证传片精准设备及光学台可联接在一起，始终保持腔体和激光束位置稳定。支撑腿带可调节的转轮，方便在地面整体（包括腔体系统和激光器）同时移动与固定。感谢上海交通大学 使用此研究级高性能的PLD系统（购买5套）， 望我们高性能价格比的PLD为广大科研人员提供帮助！！具体配置:一， 超高真空腔体二， 分子泵三， 激光扫描系统四， 衬底加热铂金片，最高可达1200度五，基板加热构造设计六， 基板加热电源七， Rheed八， Rheed软件九， 多靶位 ，标准配置6个1英寸靶十，Load-Lock样品传输腔体技术参数：一， 靶。数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制。二， 基板。采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差3%，加热时基板可旋转，工作环境最大压力是300mtorr。三， 基板加热电源。四， 超高真空成膜室腔体。不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-7 pa。五， 样品传输室。不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-5 pa。六， 排气系统。分子泵和干式机械泵，进口知名品牌。七， 阀门。采用超高真空挡板阀。八， 真空检测。真空计采用进口产品九， 气路两套。采用气体流量计（MFC）。十， 薄膜成长监控系统。采用扫描型Rheed（可差分抽气）。十一， 监控软件系统。基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换。十二， 各种电流导入及测温端子。十三， 其它各种构造各种超高真空位移台，磁力传输杆，超高真空法兰，超高真空密封垫圈，超高真空用波纹管等。另外我公司注重发展和销售大面积的PLD 系统和电子束蒸发器和溅射沉积。目前，公司提供以下物理气相沉积系统和元件产品：? 大面积脉冲激光沉积系统? 脉冲激光沉积元件包括靶材操纵器和智能窗? 电子束蒸发系统? 磁控和/或离子束溅射系统? 组合沉积系统? 定制的基底加热器产品具有如下基本特点：1. 系统可根据客户的特殊要求设计，操作简单方便。可使用大尺寸靶材生长大面积薄膜，基底的尺寸直径可从50mm 到200mm2. 电抛光腔体，主腔呈方形，其前部是铰链门，方便更换基底和靶材3. 双轴磁性耦合旋转靶材操纵器，可手动或计算机控制选定靶材。磁力杆传送基底到基底旋转器上，可手动或电动降低旋转器，实现简单快速地更换4. 主腔室预留备用的腔口，如用于观察靶材和基底，安装原子吸收或发射光谱仪、原位椭偏仪、离子枪或磁控溅射源、残留气体分析器和离子探针或其他的元件等等5. 系统使用程序化的成像链(Optical Train) ，包括聚焦透镜、反射镜台、动力反射镜支撑架和智能视窗等，无需频繁地校准光学组件。在激光通过大直径靶材时可使其光栅扫描化（rastering），以获得均匀性的薄膜。智能视窗不仅可精确监视沉积过程中的靶材激光注入量（OTLF），而且可长时间保持激光束光路的清洁6. 系统使用特有的黑体基底加热设计，高温下（950°C）可与银胶兼容使用 根据PLD 客户的不同需求，提供以下型号：1．NANO PLD2．PLD 30003．PLD 50004．PLD 80005．PLD T100其中NANO PLD 系统简单、紧凑，具有多种功能，非常适合小型的研发实验室，大面积 PLD 系统包括PLD 3000，PLD5000，PLD8000 非常适合于大的公共机构，政府实验室和国防机构的研发和试制生产。PLD T100 系统也就是高温超导带涂层系统非常适合于生产高温超导带和线缆，目前已有两套系统卖到日本知名的国际超导产业技术研究中心超导工学研究所（SRL-ISTEC），而且在高温超导线缆中获得了记录电流密度，创高温超导线材创新记录。 大面积PLD 的每个系统的具体一些参数如下：系统最大基底尺寸靶材数目靶材尺寸最大基底温度温度的均匀性靶材和基底之间的最大距离Nano-PLD2 inches (50 mm)32 inch (75mm)850°C/950°C±4°C100mmPLD30003 inches (75mm)34 inch (100 mm)850°C/950°C±3°C127mmPLD50005 inches(125mm)36 inch (150mm)850°C/950°C±4°C152mmPLD80008 inches(200mm)312 inch(300mm)750°C/800°C±7°C203mm这些型号的设备适用于以下的客户群：1) 高温超导研发-----合成新的高温超导材料或者微调高温超导材料2) 高温超导工业研发-----高温超导线缆和带沉积，移动通信的微波过滤器，电力分配网的错误电流限制器，超导磁能存储器(SMES)，超导量子干涉磁量仪元素制作，超导电子配件，磁共振成像应用，磁悬浮如火车3) 铁电材料和设备-----使用大面积的PLD 研发4) 电-光和光学材料-----电镀铬材料，电-光材料如PLZT, BST 等5) 电介材料---如AlN 薄膜6) 硬质薄膜----如TiCxN(1-x) 薄膜7) 透明导电氧化物 (TCO) 沉积8) 测辐射热敏元素生产商----用于热跟踪的热探测，热成像，热度量衡等9) 制备新材料特别是功能陶瓷10) 制备纳米粒子11) 基质辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)聚合物薄膜12) 制备用于MRAMs 和录音磁头上GMR 的铁磁材料等

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

产品简介激光 MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，用户提供了类似于 MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。正确的设计是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因数RHEED 通常在高真空（10 -6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD 采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持 RHEED 电子枪的工作压力，同时保持 500 mTorr 的 PLD 工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 激光 MBE 系统可以添加客户定制系统，比如超高真空激光衬底加热器，用于集成原位分析系统（XPS/ARPERS 等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS 系统。我们会根据客户需求提供优质的脉冲激光沉积方案和专业的技术服务。产品特点独立的MAPLE PLD系统有机和聚合物薄膜的沉积在同一室的附加沉积源(可选): 脉冲电子沉积(PED)，射频/直流溅射和直流离子源Load-lockable衬底阶段与XPS分析系统集成，直接将晶片从PLD系统转移到分析系统技术参数1.PLD腔尺寸:12 " /18 "直径(Pioneer 120-Advanced/ Pioneer 180型号)2.衬底尺寸:1厘米× 1厘米(激光加热器) 直径2”(辐射加热器)3.衬底加热:1000 ℃(激光加热器)；850℃(辐射加热器)4. 目标旋转：直径 6 x 1 "或3 x 2 "5.工业气体:氧气和氮气100 SCCM的mfc6. 软件:Windows 7/Labview 20137. RHEED电子枪与软件:a.射柱电压：30keV；b.运行压力:500 mTorr/氧；c. RHEED屏幕/快门。d. CCD摄像机和数据采集软件

该ALD拥有达到或超过市场上其他品牌的功能，同时易于使用和维护 - 成本远低于当今市场上的价格腔室温度：室温到325°C±1°C 前躯体温度从室温到 150 °C ± 2 °C（带加热夹套）市场上最小的占地面积（2.5 平方英尺），台式 安装和洁净室兼容简单的系统维护和最低的实用程序和 市场上的前体使用流线型腔室设计和小腔室体积快速循环能力（高达 1.2nm/min Al2O3）和高 曝光，提供深度渗透处理全硬件和软硬件联锁，即使操作安全 在多用户环境中AT410 ALD 系统提供用于 TEM 和 SEM 样品制备的溅射替代方案用于电子显微镜的样品通常受益于薄膜的添加。它通常是导电材料，例如Pt，Pd或Au。这些导电层有助于抑制电荷，减少局部光束加热引起的热损伤，并改善二次电子信号。传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不能通过PVD提供，因为需要涂层的特征无法进入现场生长线。研究人员将受益于ALD生长的导电薄膜，因为已经开发出针对小样品导电金属生长进行了优化的系统（与台式溅射的价格点相同） AT410 ALD 系统为保形导电薄膜提供了用于 3D 样品制备的解决方案，同时还提供目前使用溅射/蒸发生长的传统 2D 镀膜。AT 410 不仅突破了界限，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有这些都在台式配置中，价格相当。 沉积材料标配沉积材料菜单开发中设备具备沉积能力的材料氧化物 (AxOy)Al, Si, Ti, Zn, Zr, HfV, Y, Ru, In, Sn, PtLi, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd元素 (A)Ru, Pd, Pt, Ni, CoRh, Os, IrFe, Cu, Mo氮化物 (AxNy)Zr, Hf, WTi, TaCu, Ga, Nb, Mo, In硫化物 (AxSy)Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W其它化合物AZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, HfYSZ (yttria stabilized sirconia) ITOMany others

Kurt J. Lesker Company Mini SPECTROS&trade 是基于主力SPECTROS平台的下一代薄膜沉积系统。SPECTROS平台在全球拥有100多台设备，是一种成熟、坚固和多功能的设计。Mini SPECTROS建立在原始设计的成功基础上，改进了系统基础压力和抽空时间。技术的腔室设计、具有高级编程功能的行业最佳软件控制系统、实时配方线程操作以及用于优化薄膜性能的众多功能，这些都是这种创新的设计提供的一些关键优势。® Mini SPECTROS&trade 与以下技术兼容：1cc 或 10cc LTE 信号源（除热源外，最多 4 个信号源）4 英寸热源（除 LTE 源外，最多 4 个源）TORUS 磁控溅射源（最多 6 个 2“ 或 3” 离子源）® 电子束蒸发源（4口袋8cc，8口袋12cc，6口袋20cc）上述技术的组合也可用。可根据要求提供定制配置TORUS离子源在典型的溅射压力（ 20 mTorr）下运行，并利用硅晶圆进行沉积。氧化硅® 2目标运行射频功率，膜厚 =500&angst 。铝目标使用直流电源运行，膜厚 =1500&angst 。Ni Target 使用高强度 TORUS 和直流电源运行，膜厚 =1500&angst 。® KJLC 电子束沉积运行利用 Si 晶圆进行沉积。Ti蒸发材料，膜厚=1500&angst 。所有薄膜均在正确校准的轮廓仪、反射仪或椭圆仪（如果适用）上进行测量。测量点从基板的中心开始，然后每 0.5 英寸（12.7 毫米）径向外径向外，标称值（右侧参考图）。均匀性计算公式为：（（最大 - 最小）/（2 x 平均值）） x 100%，带 0.2 英寸 （5mm） 边缘排除

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延 超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。