四电弧高温单晶生长炉

电弧燃烧炉常用工具和配件南京联创系列电弧燃烧炉常用工具和配件有：坩埚钳：用于夹取坩埚；小榔头：用于敲出燃烧完成后的样品；加料斗：用于称取样品和临时存放称好的样品；铜电极：引弧用铜电极，燃烧样品后要清理，电极太短时必须更换；石英管：通氧气和绝缘电极用，燃烧样品后要清理，太短时必须更换；硅胶圈：大硅胶圈用于坩埚和炉体的密封，小硅胶圈用于炉体接头和炉体的密封，变形老化时需要更换。仪器出厂时配件包里均有配备。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

*产品名称*品牌*产品规格*产品价格 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎9MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎6MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3Mpe 1L/瓶2200 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1Mpe 1L/瓶 2200 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4Mpe 1L/瓶 2200 Bio DIAMANT系列水基环保抛光液遵循欧洲严格的REACH标准，做到零有机物排放（VOC-Free）和生物友好，非常适合制样实验室使用，无需特殊的排放处理程序。M型单晶金刚石抛光液，精准的粒径分布，高效的抛光能力，轻松的色彩识别配套，可以配合全品类抛光织物使用，是制样实验室最适用的产品品种。 M型单晶高效型金刚石磨料悬浮液规格颜色粒度原料：单晶高效型金刚石磨料悬浮液9MMe型红色悬浮液9μm适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛6MMe型黄色悬浮液6μm 适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛3MMe型绿色悬浮液3μm适合需要完美保边和保存夹杂物的制样要求，达成优秀的平整表面的初抛1MMe型蓝色悬浮液1μm适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的最终抛光0.25MMe型灰色悬浮液0.25μm适用于中硬度的最终抛光 P型多晶金刚石抛光液，优质的多晶结构配合高密度织物可以快速提高抛光效率，提升制样表面平整度，推荐配合高密度强支撑高平整度抛光布使用。P型单晶高效型金刚石磨料悬浮液原料：多晶快速分散型金刚石磨料适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为1％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为1％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为20％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为20％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为13％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为11％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为10％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为11％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为10％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为12％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为12％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为13％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。