太阳能电池硅片测厚仪

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PFA花篮花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。英特格6英寸晶圆盒晶圆运输盒（ entegris PFA carrier）6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。晶圆容量：25片型号:A194-60MB

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材料：PFA或四氟品牌：南京滨正红型号：NJ-ZH尺寸：2、3、4、5、6寸等用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花篮、太阳能硅片花篮_太阳能硅片承载器、光伏电池片花篮、光伏硅片花篮，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片. 目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮聚四氟花篮

多功能翘曲度测量仪配件是孚光精仪公司进口的全球领先的翘曲度检测仪器，一套翘曲度测试仪器可以测量：热沉,晶圆(wafer),太阳能电池和硅片翘曲度,应力以及表面形貌。多功能翘曲度测量仪配件是特别为半导体晶圆（wafer)和太阳能电池（solar cell)的翘曲度（warp) 和弯曲度(bow)以及表面形貌(topography)的测量而设计，可以测量晶圆翘曲度（wafer warpage) 和晶圆表面形貌, 晶圆应力,硅片张力,太阳能电池量子效率，既适合科研单位使用，也适合工业客户大产品、高效率的晶圆翘曲度和表面形貌的检测的需要。 我们还根据不同晶圆类型提供如下两种硅片翘曲度测量仪： 1. 非反射型：适合晶圆表面覆盖晶圆保护膜/胶带（wafer tape)，图案化晶圆 /图样化晶圆（patterned wafer)，粗糙的晶圆的应用； 2. 高反射型： 适合晶圆表面光滑 / 镜反射的应用。 多功能翘曲度测量仪配件特点： × 适合不同尺寸的晶圆检测，从0.5’‘到12' ' 的直径； * 标准检测能力为： 每小时可检测2000个晶圆或更多太阳能电池； × 同时测量多个晶圆或太阳能电池； × 测量镀膜后的晶圆或solar cell * 分析太阳能电池或晶圆应力和张力； * 对晶圆表面进行图像分析； * 测量图案化晶圆或非图案化的晶圆； * 具有太阳能电池的量子效率测量选项供选择 多功能翘曲度测量仪配件参数： × 翘曲度测量范围：1-20微米； * 重复精度： 百分之0.5 （1 sigma) * 给出结果：曲率半径,晶圆弯曲高度，翘曲度，测量日期和时间； * RMS粗糙度mapping: 0.5-20A （可选项）； * 光源：根据用户的应用而配备不同光源； * 探测器：高分辨率探测器阵列并配备亚像素软件；

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激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。

目标应用： 半导体薄膜（光刻胶） 玻璃减反膜测量 蓝宝石薄膜（光刻胶） ITO薄膜 太阳能薄膜玻璃 各种衬底上的各种膜厚 卷对卷柔性涂布 颜色测量 车灯镀膜厚度 其他需要测量膜厚的场合 阳极氧化厚度产品型号A3-SR-100 产品尺寸 W270*D217*（H90+H140）测试支架（配手动150X150毫米测量平台和硅片托盘）测试方式可见光,反射 波长范围380-1050纳米光源钨卤素灯(寿命10000小时) 光路和传感器光纤式(FILBER )+进口光谱仪 入射角0 度 (垂直入射) (0 DEGREE) 参考光样品硅片光斑大小LIGHT SPOTAbout 1 mm（标配，可以根据用户要求配置）样品大小SAMPLE SIZE150mm,配150X150毫米行程的工作台和6英寸硅片托盘 膜厚测量性能指标（THICKNESS SPECIFICATION）：产品型号A3-SR-100厚度测量 1Thickness15 nm - 100 um 折射率 1（厚度要求）N 100nm and up准确性 2 Accuracy 2 nm 或0. 5%精度 3precision0.1 nm1表内为典型数值, 实际上材料和待测结构也会影响性能2 使用硅片上的二氧化硅测量，实际上材料和待测结构也会影响性能3 使用硅片上的二氧化硅（500纳米）测量30次得出的1阶标准均方差,每次测量小于1秒.

TT30超声波测厚仪 TT30超声波测厚仪 超声波测厚仪TT300 超声波测厚仪TT300（智能标准型,TT300超声波测厚仪是智能标准型超声波测厚仪超声波测厚仪TT300采用超声波测量原理，TT300超声波测厚仪适用于能使超声波以一恒定速度在其内部传播,TT300超声波测厚仪并能从其背面得到反射的各种材料厚度的测量。TT300超声波测厚仪可对各种板材和各种加工零件作精确测量，另一重要方面是可以对生产设备中各种管道和压力容器进行监测，监测它们在使用过程中受腐蚀后的减薄程度。可广泛应用于石油、化工、冶金、造船、航空、航天等各个领域。超声波测厚仪TT300基本原理　　超声波测量厚度的原理与光波测量原理相似，探头发射的超声波脉冲到达被测物体并在物体中传播，到达材料分界面时被反射回探头，通过精确测量超声波在材料中传播的时间来确定被测材料的厚度。 超声波测厚仪TT300性能指标　　测量范围： 0.75mm～300.0mm 　　显示分辨率：0.1/0.01mm（可选）　　测量精度：± （1%H+0.1）mm H为被测物实际厚度 　　管材测量下限（钢）：&Phi 15mm× 2.0mm 　　最小厚度值捕捉模式：可选择显示当前厚度值或最小厚度值　　数据输出：RS232接口，可与TA220S微型打印机或PC连接　　数据存储：可存储500个测量值和五个声速值　　报警功能：可设置限界，对限界外的测量值能自动蜂鸣报警　　使用环境温度：不超过60℃ 　　电源：二节AA型1.5V碱性电池　　工作时间：可达100小时　　外形尺寸：152mm× 74 mm× 35 mm 　　重量：370g

表面形貌仪配件又称为光学形貌仪或三维形貌仪，它除了用于测量物件的表面形貌或表面轮廓外，具有测量晶圆翘曲度的功能,非常适合晶圆,太阳能电池和玻璃面板的翘曲度测量，应变测量以及表面形貌测量。 三维形貌仪主要配件应用 用于太阳能电池测量 用于半导体晶圆测量 用于镀膜玻璃的平整度（Flatness)测量 用于机械部件的计量 用于塑料,金属和其他复合型材料工件的测量 表面形貌仪配件特色 *除了表面形貌的测量，还可以测量张量和应力（简单）； *可测量晶圆的尺寸为0.5' ' 到12' ' , 最高可达45x45cm的尺寸，对于小于0.5' ' 的晶圆或样品，可配备微距镜头。 *测量晶圆或其他样品的表面形貌,粗糙度和翘曲度； *克服常见干涉仪在粗糙表面（油漆）表现不足的问题； *非接触式测量

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

MINITEST600-N 涂镀层测厚仪 一、 MiniTest 600涂层测厚仪产品名录 MiniTest 600 系列涂层测厚仪产品主要包括两种小类型：MiniTest 600B和MiniTest 600，每种小类都可分为F型、N型、FN型三种，因此600系列测厚仪共有6种机型供选择。600B型与600型的最大区别就是600B是基本型，没有统计功能。 涂层测厚仪MiniTest600型号选择 MiniTest 600BF3(铁基体基本型，无统计功能和接口) MiniTest 600BN2(非铁基体基本型，无统计功能和接口) MMiniTest 600BFN2(两用基本型，无统计功能和接口) MiniTest 600F3(铁基体统计型) MiniTest 600N2(非铁基体统计型) MiniTest 600FN3(两用统计型) 二、 MiniTest 600涂层测厚仪的测量原理及应用 F型测头是根据磁感应原理设计的，主要测量钢铁基体上的非磁性涂镀层。例如：铝、铬、铜、锌、涂料、橡胶等，也适用于合金和硬质钢。 N型测头是根据电涡流原理设计的，主要测量非铁磁性金属和奥氏体不锈钢上的涂层。例如：铝、铜、铸锌件上的涂料、阳极氧化膜、陶瓷等。 FN型测头是同时利用磁感应原理和电涡流原理设计的，一个测头就可完成F型和N型两种测头所能完成的测量。 三、 MiniTest 600涂层测厚仪的测量中的相关注意事项 测量前一定要在表面曲率半径、基体材料、厚度、测量面积都与被测样本相同的无涂层的底材上较零，才可以保证测量的精确性； 每次测量之间间隔几秒钟以保证读数的准确性； 喷砂、喷丸表面上的涂层也可以测量，但要严格按照说明书的校准步骤进行校准； 不要用力拽或折测头线，以免线断； 严禁测量表面有酸、碱溶液或潮湿的产品，以免损坏测头； 测量时测头轴线一定要垂直于被测工作表面； 每次测量应有大于3秒的时间间隔。 四、 MiniTest 600涂层测厚仪的技术参数 测量范围 F型 0-3000um N型 0-2000um FN型（两用型） 0-3000um（F），0-2000um（N） 允许误差 ± 2um或± 2-4％读数 最小曲率半径 5mm（凸）、25mm（凹） 最小测量面积 &Phi 20mm 最小基体厚度 0.5mm（F型）、50um（N型） 测量单位 Um-mils可选 显示 4位LED数字显示 校准方式 标准校准、一点校准、二点校准、基础校准（华丰公司内） 统计数据 平均值、标准偏差、读数个数、最大值、最小值 接口 RS-232（不适合B型） 电源 2节5号碱性电池 仪器尺寸 64mmX115mmX25mm 测头尺寸 &Phi 15mmX62mm 五、 MiniTest 600涂层测厚仪的标准配置 主机和指定型号的测头一体； 5号碱性电池两节； 零板和厚度标准箔； 中英德文操作手册各一本； 六、 MiniTest 600涂层测厚仪的可选配置 便携箱； 橡胶套； 打印机MiniPrint 4100； RS-232数据接口电缆； 精密支架 数码显示器背光照明。 七、MiniTest 600涂层测厚仪的符合标准 DIN 50981，50982； ASTM B499，E367，D1186，B530，G12 BS5411 DIN EN ISO 2178，2361 八、 MiniTest 600涂层测厚仪的关于校准 标准校准：适合平整光滑的表面和大致的测量。 一点校准：置零，不用标准箔。用于允许误差不超过4％的场合。 两点校准：置零，用一片标准箔。用于误差范围在2-4％之间的测量 特殊的基础校准：此校准只能在华丰公司进行。 九、 MiniTest 600涂层测厚仪的一般维修 如果出现E03、E04、E05则一般要换探头系统+PCB板； 如果主板不上电，在排除电池原因后一般要更换主板或更换键盘； 测值不稳定，可认为探头系统频率不稳定，一般要更换探头系统； 在显示系统不能正常显示时，可更换显示系统； 更换电缆时，一定要保证电缆长度不小于1m；

铁基/非铁基涂层测厚仪CM-8822 一、应用概述 用磁性传感器测量钢、铁等铁磁质金属基体上的非铁磁性涂层、镀层，例如：漆、粉末、塑料、橡胶、合成材料、磷化层、铬、锌、铅、铝、锡、镉、瓷、珐琅、氧化层等。用涡流传感器测量铜、铝、锌、锡等基体上的珐琅、橡胶、油漆、塑料层等。广泛用于制造业、金属加工业、化工业、商检等检测领域。 二、功能参数 1、功能：测量导磁物体上的非导磁涂层和非磁性金属基体上的非导电覆盖层的厚度 2、测量范围：0-1000um/0-40mil (标准量程) 3、曲面不小于:F: 凸1.5mm/ 凹 25mm N: 凸 3mm/ 凹 50mm 4、分辨率：0.1/1 5、测量面积不小于：6mm 6、基底不小于：0.3mm 7、自动关机 8、使用环境：温度：0-40℃ 湿度：10-90%RH 9、准确度：±(1～3%n)或±2um 10、电源：4节5号电池 11、电池电压指示：低电压提示 12、外形尺寸：161×69×32mm 13、重量：210g（不含电池） 14、可选附件:可定制量程(大量程传感器）可选:0-200um to 18000um 铁基/非铁基涂层测厚仪CM-8822

短脉冲激光器——Short-pulse laser通过对晶体形状、散热和光腔设计的优化组合, 使得INNOSLAB激光器对比其它激光器类型拥有非常多的优点和其它激光器类型不具备的独特性能.- 短脉宽和高峰值功率 – 产生的极其微小的热区域, 更适于高精度加工- 近似理论值极限的高光束质量 - 更适合微加工- 高功率和功率可提升 - 更高的生产效率- 结构紧凑和性能稳定可靠 – 低运行成本- 高效率- 低能耗，利于环保- 输出光斑分布的高灵活性- 绿色加工和最大的能源效率 INNOSLAB短脉冲和超短脉冲激光器标准产品包括以下各种电光调Q的INNOSLAB激光器，使用不同的激活介质, 具有不同的脉冲能量、输出功率和波长:- 光束质量: M2 2- 脉冲能量可达到 60mJ- 脉宽可达到 4ns以下- 峰值功率可达到 7MW- 脉冲重复频率可到 150 kHz- 平均功率可达 600W- 波长 1064、 532、 355、266nm INNOSLAB激光器和放大器的一个与众不同的杰出特性在于其光束形状可量身定制: 从圆形高斯模式到一维线状平顶以及两维方形平顶等等。HD-系列 短脉冲激光器——HD-Series short-pulse laserHD-系列是具备高功率和高脉冲能量电光调Q的INNOSLAB激光器.技术参数：- 光束质量: M2 2- 脉冲能量达 60mJ- 脉宽可小于 4ns- 峰值功率达 7 MW- 重复频率可达 150kHz- 平均功率达 600W- 波长 1064、 532、 355、266nm主要应用:- 光伏领域，如薄膜太阳能电池和晶硅太阳能电池导电层和绝缘层的烧蚀- 显示领域，如导电层的织构化，硅片的有序横向晶化- 科研领域，如作为染料激光器、OPO以及Ti:宝石激光器的泵浦，粒子成像测速 综述:

多晶硅花篮 一、产品介绍 花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。可做：2、4、6、8寸