使用单颗粒ICP-MS在反应模式下分析SiO2纳米颗粒
使用ICP-MS测量硅(Si)富有挑战性。等离子体中形成的14N2+和12C16O+ 多原子离子,与丰度最高的Si同位素(28Si 92 %丰度)的m/z相同。因此,当多原子离子未被去除时(标准模式下),m/z 28处的背景等效浓度非常高。它抑制了低水平Si的测定,让SiO2纳米颗粒的检测变得更加困难。此外,Si的电离势相对较高,其电离也更具挑战性,导致其强度低于其它易电离的元素,如Na。然而,如果能提高信背比(S/B),就有可能检测到更小的SiO2纳米颗粒。在之前的应用报告中,2我们介绍过100 nm SiO2纳米颗粒标准品可以使用SP-ICP-MS进行分析,且无需去除干扰(标准模式下)。然而,如果能在反应模式下去除干扰,预期能精准测量更小的SiO2纳米颗粒。本工作将讨论在反应模式下,通过SP-ICP-MS检测、测量和表征SiO2纳米颗粒的能力。