铟镓砷红外图像传感器

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

铟镓砷红外图像传感器 适用于近红外波段的图像传感器。具有内置读出电路，便于使用。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！部分产品：产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸像素间距总像素个数制冷线/帧速率光谱响应范围 G11620-512DA铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷1830 lines/s950 to 1700 nm G10768-1024D铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.1 mm25 x 100 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s900 to 1700 nm G10768-1024DB铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s39000 lines/s G11135-512DE铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm512非制冷8760 lines/s0.95 to 1.7 nm G9201-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9202-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm25 x 250 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9203-256D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm12.8 x 0.5 mm50 μm256非制冷1910 lines/s900 to 1700 nm G9203-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9204-512D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷970 lines/s900 to 1700 nm G9204-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm

红外图像传感器 InGaAs红外图像传感器是一种用来探测红外光谱的半导体探测器。这种探测器被广泛的应用在谷物色选机和光谱测量仪器中。 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息、下载文件！ 产品列表产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸像素间距总像素个数制冷线/帧速率光谱响应范围 G11620-512DA铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷1830 lines/s950 to 1700 nm G10768-1024D铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.1 mm25 x 100 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s900 to 1700 nm G10768-1024DB铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s39000 lines/s G11135-512DE铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm512非制冷8760 lines/s0.95 to 1.7 nm G9201-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9202-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm25 x 250 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9203-256D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm12.8 x 0.5 mm50 μm256非制冷1910 lines/s900 to 1700 nm G9203-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9204-512D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷970 lines/s900 to 1700 nm G9204-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸像素间距总像素个数制冷线/帧速率光谱响应范围 G9205-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1910 lines/s900 to 1850 nm G9206-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2050 nm G9207-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2250 nm G9208-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2550 nm G9211-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256一级TE制冷1940 lines/s900 to 1670 nm G9212-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm25 x 250 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9213-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm50 μm256一级TE制冷1940 lines/s900 to 1670 nm G9214-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9494-256D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.05 mm50 x 50 μm50 μm256非制冷7200 lines/s900 to 1700 nm G9494-512D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm512非制冷3750 lines/s900 to 1700 nm G11097-0606S铟镓砷面阵图像传感器3.2×3.2 mm50 x 50 μm50 μm4096一级TE制冷1031 frames/s950 to 1670 nm G11097-0707S铟镓砷面阵图像传感器6.4×6.4 mm50 x 50 μm50 μm16384一级TE制冷279 frames/s950 to 1700 nm 应用领域 微弱光分析 荧光探测 光子计数器 PET DNA测序 环境分析仪器 高能物理

滨松图像传感器 滨松公司研发生产了一系列高灵敏度、宽动态范围的图像传感器，是精密测量和工业测量的理想选择。为了帮助您选择最佳的器件，我公司提供一系列的产品，其光谱范围涵盖了高达2.6um的长波长近红外（NIR）到可见光、紫外、真空紫外（VUV）和短波长X射线。CCD图像传感器 CCD图像传感器的噪声极低，因此可以获得高信噪比的图像信号。滨松公司的CCD图像传感器使用FFT—CCD，达到了100%填充因数，零损失收集光线，是高精密光度测量的理想选择。我们共有两种类型的产品，前照式和高量子效率背照式。两种类型都有各种像素尺…CMOS图像传感器 CMOS线性图像传感器在一款芯片中集成了时序电路和信号处理放大器，可在单电源、简单输入脉冲的情况下工作，因此外部电路可以简化。NMOS图像传感器 这些器件具有出色的输出线性度，是需要紫外高灵敏度的高精度光度计测的理想选择。铟镓砷红外图像传感器 适用于近红外波段的图像传感器。具有内置读出电路，便于使用。光电二极管阵列（带放大器） 光电二极管阵列的模块配置中有放大器，所以可以很容易地安装在满足您应用要求的传感器长度内。X射线探测器 X射线探测器由CCD或者光电二极管阵列光学耦合在闪烁体上组成。距离图像传感器

红外探测器 探测灵敏度在高于1μm波长的探测器。认真选择材料组合，可以实现多种类型，涵盖宽光谱范围。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！热电堆探测器 为了满足多种应用的需求，我们的产品涵盖了单象元型、多象元型以及线阵、面阵型等多种类型。硫化铅光导探测器 硫化铅光导探测器是一种光谱响应范围在1到3.2 um波段的红外探测器。这种探测器可以在室温下应用于多种领域，比如辐射热度计和火焰监控器硒化铅光导探测器 硒化铅光导探测器光导探测器是一种光谱范围在1.5到5.2 um的红外探测器。这种探测器在室温下具有高灵敏度和高速响应特性。我公司还提供制冷类型，具有更高的信噪比，广泛应用于分析仪器、辐射热计和其他精密光度测定产品中。砷化铟光伏探测器 砷化铟光伏探测器是一种高速、低噪声的红外探测器，可以探测波长达约3.5 um的红外光。铟砷锑光伏探测器 铟砷锑光伏探测器使用了我公司独特的晶体生长技术，在 5 um波段具有高灵敏度。锑化铟光导探测器 热电制冷锑化铟光导探测器能够高灵敏、高速探测6 um左右的红外光。锑化铟光伏探测器 锑化铟光伏探测器是一种高度、低噪声红外探测器，在 3 um和5 um大气窗口波段具有高灵敏度。它可以在以峰值灵敏度和高速响应探测 5 um波段红外光。有两种制冷类型：液氮金属杜瓦型制冷和无需液氮的斯特林制冷型。碲镉汞光导探测器 碲镉汞光导探测器是一种在红外光照射下电阻变小的传感器，光谱范围分散在2到22 um之间。碲镉汞光伏探测器 碲镉汞光伏探测器在红外光找射线会产生光电流。宽光谱（双色）探测器 这种探测器将两种不同光传感器结合使用，沿着统一光轴，一个传感器安装在另一个传感器上方。该种探测器光谱范围宽，为两个光传感器所涵盖的光谱范围。光子牵引探测器 由于其在10.6um波段的灵敏性，光子牵引探测器是探测CO2激光的理想选择。铟镓砷探测器 铟镓砷光电二极管在宽光谱范围上都具有灵敏度，可制成图像传感器、线阵面阵以及光电二极管—放大器组合器件等。

一 ,OASA光学音频传感器模组, 远程声波检测,激光麦克风Omnisensing公司新推出的先进光学音频传感器模组(OASA)，型号为OSP-OASA-G100，设计用于远程声波检测，采用一体式封装，将激光器、检测器、PIC(光子集成电路)和透镜集成在一个小封装中。利用我们专有的硬件和固件，OASA可以检测和捕捉距离高达50m的微小振动。其作为远程激光麦克风的基本功能提供了无与伦比的分辨力，在恶劣或嘈杂的环境下，允许用户快速识别所需的捕获信号。它可以作为一个独立的传感器模组，也可以作为现有模块或仪器的附加功能。这种高灵敏度音频信号检测引擎的使用将增强科学、工业和制造业应用的远程测量。定制设计也可用于航空航天、音频声学、汽车、医疗和结构分析。OASA光学音频传感器模组, 远程声波检测,激光麦克风 ,OASA光学音频传感器模组, 远程声波检测,激光麦克风产品特点高灵敏度:由于其光学相干检测的PIC引擎，OASA模组可以检测高达50m的非常小的音频信号。振动测量精度在整个频率范围内保持不变。高分辨率:在可检测音频范围内(150Hz-6KHz)，可检测振动速度约为10nm/s。小尺寸:50mmx30mmx30mm低发射功率: 10mW，低功耗。不受环境干扰。独立组块可以通过以太网联网，也可以通过USB控制低成本可扩展组件，适合大批量生产。提供参考设计和应用支持。产品应用适用于先进远程麦克风设计的音频传感器作为监控系统的一个组成部分，通过远程音频检测增强了安全性。独立传感器模组的关键组件视频监控系统的附加功能技术参数规格参数测量距离(m)5-50激光输出(mW)10激光波长(nm)1310眼睛安全等级一级透镜直径(mm)28最佳距离下的聚焦光束尺寸(mm) 1@5m， 5@50m防眩光干扰(Lux)60000s采样速率(MHz)5声波测量频率范围(kHz)500~5000声波测量范围(mm/s)5000声波测量灵敏度(nm)0.1参考设计硬件功耗(W)6包括透镜的尺寸(mm)50x30x30重量(g)50温度范围(℃)0-50相对湿度35%-85%独立传感器模组的关键组件视频监控系统的附加功能机械:当前参考设计下的机械尺寸二, InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-800×2型应用领域：工业检测、机器视觉、光谱分析、物料分选等 产品特点：2 档增益、高行频、高灵敏、室温工作InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-800×2型,InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-800×2型通用参数应用领域：工业检测机器视觉光谱分析物料分选等 产品特点：2 档增益高行频高灵敏室温工作技术参数特性参数典型值规模800×2光敏面尺寸25um×25um像元中心距25 um光谱响应波段0.9~1.7 um灵敏度1 A/W响应非均匀性≤5%盲元率≤1%动态范围≥60dB帧频2500Hz增益2档工作温度-20~ +60 ℃储存温度-40~+70 c外形尺寸55 mm (L)×33mm (W)×13 mm (H)封装形式内部集成热电制冷器、管壳气密封装典型光谱响应曲线产品结构及尺寸： （单位 mm） 注意事项：（1）产品使用过程中，需要防静电保护，操作人员应戴静电手环。 （2）产品在存贮、运输过程中，应放入防静电的泡沫中，并储存于防静电盒内。（3）针脚插拔不能用力过大，针脚弯折不能沿根部弯折超过 45°，防止弯折造成玻璃珠开裂。（4）产品需在断电后进行插拔操作。三,InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-1024×2 型应用领域：工业检测、机器视觉、光谱分析、物料分选等产品特点：2 档增益、高行频、高灵敏、室温工作InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-1024×2 型, InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-1024×2 型通用参数应用领域：工业检测机器视觉光谱分析物料分选等产品特点：2档增益高行频高灵敏室温工作技术参数特性参数典型值规模1024×2光敏面尺寸20um×20um像元中心距20 um光谱响应波段0.9~1.7 um灵敏度1A/W响应非均匀性≤5%盲元率≤1%动态范围≥60dB帧频2000Hz增益2档工作温度-20~+60 ℃储存温度-40~ +70 ℃外形尺寸55 mm (L)×33 mm (W)×13 mm (H)封装形式内部集成热电制冷器、管壳气密封装四,NIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7umNIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um产品特点：NIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um,NIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um通用参数应用领域：近红外光谱仪产品特点：正照射结构高长宽比光敏面灵敏度高内部集成热电技术参数特性参数典型值规模256×1光敏面尺寸50um×50um像元中心距50 um光谱响应波段0.9~1.7 um峰值探测器率≥1x1012 cmHz1/2/W@5°C 1 .55 um响应非均匀性≤5%盲元率≤0.5%动态范围≥70dB量子效率≥80%工作温度-20~ +60 ℃储存温度-40~+70 c外形尺寸55 mm (L)×30mm (W)×10 mm (H)封装形式内部集成热电制冷器、管壳气密封装典型光谱响应曲线

高性价比可见近红外相机高性价比铟镓砷相机 ARTRAY 提供的线阵/面阵，紫外-可见相机，近红外相机/短波红外相机/铟镓砷相机，8-14微米远红外相机。近红外相机采用铟镓砷（InGaAs）材料，在非制冷条件下，在近红外波段（NIR，SWIR）仍然拥有高灵敏度，量子效率高达80%。光谱探测范围是900-1700nm短波红外波段，并可扩展到400-1700nm和1000-2500nm.产品特点~ 近红外（NIR，SWIR）灵敏度高~ 900-1700nm响应度高，可扩展到400-1700nm和1000-2500nm~ 量子效率高~ 高性能，低价格~ 噪声低产品应用● 激光光斑观测● 机器视觉和通用红外探测● 1550nm光斑观测，近红外光斑检测，光斑拍摄与分析，● 近红外目标识别，荧光成像，荧光材料成像，图像对比增强，夜视成像● 火焰监测，材料缺陷检测，芯片检测，太阳能电池检测● 半导体EL/PL检测，食物，蔬果缺陷检测，粮食分选，塑料分选，透视检测 产品总览列表：详细参数实例：相机规格参数：参数型号MPCAM-990SWIR-TEC传感器类型1.3MP InGaAs Image Sensor接口USB3.0 Bulk Transfer输出位深度12bit帧速率72fps (12bit)快门速度20.3µ sec. ~ 2sec.同步系统Internal Synchronization透镜支架C Mount供电DC5V USB BUS Power功率消耗Under Approx.11W环境条件操作温度湿度: 10~40°C / 10~80%（Non-condensing存储温度湿度: 0~60°C /10~95%（Non-condensing）外形尺寸71.6(W)x61.5(H)x78.0(D)mm※Lens, Tripod and cables not included重量About 440g传感器规格参数：传感器类型SONY IMX990-AABA-C实际像素阵列1296(H) × 1032(V)有效像素阵列1280(H) × 1024(V)像素间距5[μm] × 5[μm] 图像大小6.4[mm] × 5.12[mm](Diagonal length: 8.2[mm], 1/2”)光谱范围400nm~1700nm快门模式Global Shutter信噪比51dB (for reference only)A/D分辨率A/D12bit更多详情，请与我们联系！！

宽波段近红外相机SWIR短波红外铟镓砷相机产品负责人：姓名：陈工(Jack)电话：（微信同号）邮箱：400-1700nm宽波段InGaAs红外相机ARTCAM-990SWIR：我司提供的近红外相机/短波红外相机/铟镓砷相机，采用铟镓砷（InGaAs）材料，提供制冷版本相机。在近红外波段（NIR，SWIR）拥有高灵敏度，130万高分辨率，量子效率高达90%。光谱探测范围是400-1700nm短波红外波段，满足您不同的成像需求！宽波段近红外相机SWIR短波红外铟镓砷相机R特点：近红外（VIS，NIR，SWIR）灵敏度高，130万像素，可制冷！宽波段近红外相机SWIR短波红外铟镓砷相机用途：900-1700nm近红外相机用途：激光光斑观测，1550nm光斑观测，近红外光斑检测，光斑拍摄与分析，近红外目标识别，荧光成像，荧光材料成像，图像对比增强，夜视成像，火焰监测，材料缺陷检测，芯片检测，太阳能电池检测，半导体EL/PL检测，食物检测，蔬果缺陷检测，粮食分选，塑料分选，透视检测等。宽波段近红外相机SWIR短波红外铟镓砷相机InGaAs近红外相机ARTCAM-990SWIR量子效率：ARTRAY相机：ARTCAM-131TNIR,ARTCAM-031TNIR,ARTCAM-032TNIR,ARTCAM-009TNIR,ARTCAM-008TNIR,ARTCAM-0016TNIR,ARTCAM-990SWIR,ARTCAM-130XQE-WOM,ARTCAM-092XQE-WOM,ARTCAM-130UV-WOM,ARTCAM-2350SWIR,ARTCAM-2500SWIR

欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！C10633-23是一款在红外波段，尤其是950 nm到1700 nm波段具有高灵敏度的InGaAs相机。该相机支持标准视频输出（CCIR 50Hz），还支持USB2.0接口，用于电脑上进行可控制曝光时间的14位图像采集。它可用于多种红外应用，比如红外反射光复印（艺术品检测）、硅晶片检测、激光束测量、PV评价等等。而且，该相机与C2741-62型相机控制器共用获得额外功能，比如对比度增强等等。特性--950 nm到1700 nm波段灵敏度好-- EIA (60 Hz)或CCIR (50 Hz)标准的320×256像素输出--标准USB 2.0 I/F用于带曝光控制的14位图像采集--尺寸小巧，重量轻，操作简单应用配置规格表产品型号C10633-23光谱范围950 nm到1700 nm*1光学填充因数 99.9 %像素可操作性 99 %成像设备InGaAs 传感器有效像素数320 (H)×256 (V)像素尺寸30 μm × 30 μm有效面积9.60 mm (H) × 7.68 mm (V)读出速度全帧：50 帧/秒曝光时间100 μs 到15 ms（通过USB控制）接口模拟：CCIR；数字：USB2.0A/D转换器14位镜头卡口C卡口电源AC 100 V 到 AC 240 V, 50 Hz/60 Hz功耗低于4 W环境存储温度-10 °C到+ 60 °C环境工作温度0 °C到+ 30 °C（建议温度：＋25 ℃±3）环境工作/存储湿度无凝结下最大70 %*1:该值为典型值*2:暗电流校正数据在＋25 ℃获得光谱响应外形尺寸图~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 欢迎来电咨询： 丰台基地： 雷先生： 丁先生：

CCD图像传感器 CCD图像传感器的噪声极低，因此可以获得高信噪比的图像信号。滨松公司的CCD图像传感器使用FFT—CCD，达到了100%填充因数，零损失收集光线，是高精密光度测量的理想选择。我们共有两种类型的产品，前照式和高量子效率背照式。两种类型都有各种像素尺寸和布局的型号可选择，使您可根据需要获得最佳器件。滨松有CCD传感器70多种可选， 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！可选种类前照式CCD线阵传感器（ 适于分光光度测定） 前照式CCD面阵传感器（ 适于分光光度测定） 背照式CCD线阵传感器（ 适于分光光度测定） 背照式CCD面阵传感器（适合分光光度测定） 前照式CCD面阵传感器（适合科学计量） 背照式CCD面阵传感器（适合科学计量） 背照式TDI-CCD可选标准标准型 高分辨率型 低标准具效应型 红外增强型 大满井容量型 内置电子快门型全耗尽背照式可选像素尺寸12 x 12 μm 14 x 14 μm 24 x 24 μm 48 x 48 μm 14 x 200 μm 14 x 500 μm 14 x 1000 μm可选像素个数水平512像素 水平1024像素 水平2048像素 水平4096像素 水平1536像素部分产品：产品图像产品型号产品名称类型像素尺寸有效像素个数帧速率（典型值）光谱响应范围 S11151-2048前照式CCD线阵传感器标准型14 x 200 μm2048 × 1 pixels200 to 1000 nm S11850-1106背照式CCD面阵传感器低标准具效应型14 x 14 μm2048 x 64 pixels106 frames/s200 to 1100 nm 11851-1106背照式CCD面阵传感器低标准具效应型14 x 14 μm2048 x 64 pixels651 frames/s200 to 1100 nm S11155-2048-01背照式CCD线阵传感器内置电子快门型14 x 500 μm2048 x 1 pixels200 to 1100 nm S11156-2048-01背照式CCD线阵传感器内置电子快门型14 x 1000 μm2048 x 1 pixels200 to 1100 nm S7030-0906背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 58 pixels316.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-0907背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 122 pixels239.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-1006背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm1024 x 58 pixels192.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-1007背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm1024 x 122 pixels160.0 frames/s200 to 1100 nm S7031-0906S背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 58 pixels316.0 frames/s200 to 1100 nm

用于便携式分析仪器的近红外图像传感器 这款紧凑型低成本近红外线阵图像传感器设计用于便携式分析仪器。其消耗电流低于前代产品（DIP 封装产品：G11620 系列）。由于采用带有柔性电路板的紧凑型 LCC 封装，它们适合集成到紧凑的薄型设备中。■特点- 紧凑型（带柔性电路板）- 3.3 V 驱动器 - 低成本- 256 像素（25 × 250 μm/像素）- 有两种转换效率等级可供选择- 内置抗饱和电路- 操作方便（内置时序发生电路）- 高分辨率：像素间距 25 μm

CMOS 线阵图像传感器S11639-01高灵敏度，像素垂直长度较长的受光面S11639-01 是一款高灵敏度 CMOS 线阵图像传感器，使用像素垂直长度较长的受光面 (14 × 200 µm)。其他特点包括在紫外区域中的高灵敏度和对紫外线性的高耐受性。S11639-01 采用 5 V 单电源供电，适用于低成本光谱仪。特点像素尺寸：14 × 200 μm2048 像素 有效光敏区长度：28.672 mm高灵敏度：1300 V/(lx･s)在紫外至近红外区域具有高灵敏度（光谱响应范围：200 至 1000 nm）全像素同步电荷积分可变积分时间功能（电子快门功能）5 V 单电源供电内置时序发生电路允许仅使用起动和时钟脉冲输入即可运行信号数据率：最大 10 MHz详细参数类型高灵敏度型影像尺寸28.672 x 0.200 mm有效像素数2048 x 1 像素像素尺寸14 x 200 μm光谱响应范围200 至 1000 nm行速率（最大值）4672 行/秒制冷非冷却型窗材石英封装LCP测量条件典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，V(CLK) = V(ST) = 5 V，f(CLK) = 10 MHz（除非另有说明） 应用示例 (SD-OCT)SD-OCT来自宽带波长光源的光照射到样品上，干涉光光谱发散，然后被线阵图像传感器检测到。通过对获得的波长信息进行傅里叶变换，获得样品深度方向的图像。线性编码器这款线阵图像传感器具有矩形像素、高行速率和全局快门功能，适用于线性编码器的绝对踪迹读取。 光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

CMOS线性图像传感器在一款芯片中集成了时序电路和信号处理放大器，可在单电源、简单输入脉冲的情况下工作，因此外部电路可以简化。以下为部分产品，更多产品敬请下载综合样本查看：产品图像产品型号产品名称类型感光面积像素尺寸总像素个数线速率（典型值）S11639CMOS线阵图像传感器高灵敏度型28.672 x 0.200 mm14 x 200 μm2048 pixels4672S12706CMOS线阵图像传感器高灵敏度型28.672 x 0.007 mm7 x 7 μm40962387S11106CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.0635 mm63.5 x 63.5 μm12864935S11107CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.127 mm127 x 127 μm64111111S8377-128QCMOS线阵图像传感器标准型6.4 x 0.5 mm50 x 500 μm1283846S8377-256QCMOS线阵图像传感器标准型12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm2561938S8377-512QCMOS线阵图像传感器标准型25.6 x 0.5 mm50 x 500 μm512972S8378-1024QCMOS线阵图像传感器标准型25.6 x 0.5 mm25 x 500 μm1024487S8378-256QCMOS线阵图像传感器标准型6.4 x 0.5 mm25 x 500 μm2561938S8378-512QCMOS线阵图像传感器标准型12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm512972S10123-256QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型6.4 x 0.5 mm25 x 500 μm2561938 line/sS10123-512QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm512972 line/sS10124-1024QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型25.6 x 2.5 mm25.6 x 2.5 mm1024243 line/sS10124-256QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型6.4 x 2.5 mm6.4 x 2.5 mm256969 line/sS10124-512QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型12.8 x 2.5 mm25 x 2500 μm512486 line/sS10227-10CMOS线阵图像传感器塑料封装6.4 x 0.25 mm12.5 x 250 μm5129434 line/sS11106-10CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.0635 mm63.5 x 63.5 μm128 pixels64935 line/sS11107-10CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.127 mm127 x 127 μm64 pixels111111 line/sS11662CMOS面阵图像传感器陶瓷封装4.736 x 3.552 mm7.4 x 7.4 μm680 x 520 pixels

InGaAs 线阵图像传感器G13913-256FG用于便携式分析仪器的近红外图像传感器这款紧凑型低成本近红外线阵图像传感器设计用于便携式分析仪器。其消耗电流低于前代产品（DIP 封装产品：G11620 系列）。由于采用带有柔性电路板的紧凑型 LCC 封装，它们适合集成到紧凑的薄型设备中。特点- 紧凑型（带柔性电路板）- 3.3 V 驱动器- 低成本- 256 像素（25 × 250 μm/像素）- 有两种转换效率等级可供选择- 内置抗饱和电路- 操作方便（内置时序发生电路）- 高分辨率：像素间距 25 μm详细参数 影像尺寸6.4 x 0.25 mm像素尺寸25 x 250 μm像素间距25 μm像素总数256 像素封装陶瓷，带柔性电路板散热非冷却型行速率（最大值）7290 行/秒灵敏度波长范围950 至 1700 nm暗电流（最大值）10 pA测量条件除非另有说明，典型值 Ta = 25°C，Vdd = 3.3 V，INP = Fvref = Vhold = PDN = 2.5V，Vclk = 3.3 V，fop = 1 MHz光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

InGaAs 线阵图像传感器G14237-512WA近红外传感器（0.85 至 1.45 μm）G14237-512WA 是一款 InGaAs 线阵图像传感器，设计用于使用 1064 nm 激光器进行拉曼光谱测量。该产品专为测量拉曼光谱范围而设计，截止波长相比前代产品 (G11508-512SA) 有所减小，以实现低暗电流。该产品由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成，包含电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器由 CMOS 晶体管阵列组成，并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的每个像素。每个像素的信号都在电荷积分模式下读出，在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。采用密封封装，可靠性极佳。可使用外部电压将 CMOS 芯片上的信号处理电路设定为四种转换效率 (CE) 设置之一。特点低噪声，极低暗电流[1/10 or less than that of the previous product (cutoff wavelength: 1.7 μm)]有四种转换效率可供选择 内置抗饱和电路内置 CDS 电路内置热敏电阻操作方便（内置时序发生电路）高分辨率：像素间距 25 μm详细参数影像尺寸12.8 x 0.5 mm像素尺寸25 x 500 μm像素间距25 μm像素总数512 像素封装金属散热两级电子冷却型行速率（最大值）9150 行/秒灵敏度波长范围850 至 1450 nm暗电流（最大值）2 pA测量条件除非另有说明，典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，INP = Vinp = PDN = 4 V，Fref = 1.2V，Vclk = 5V，f = 1 MHz，CE = 16 nV/e- 光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

一, Dynamic Optics 夏克-哈特曼 快速CMOS波前传感器 Dynamic Optics Shack Hartmann 夏克-哈特曼波前传感器使用起来方便灵活快捷。它可以高精度地测量波前畸变。Photon Loop软件可以与任何类型的相机接口，并控制任何类型的变形镜。我们的波前传感器可以在任何光谱范围内进行测量，具有很高的分辨率、精度和帧率。技术参数快速CMOS传感器即插即用的解决方案，具有出色灵敏度这款波前传感器在可见-近红外光谱范围内具有出色的灵敏度、帧率和准确性。它是计量学和可变形镜控制的理想选择。 产品应用精确波前测量快速像差采集闭环自适应光学系统光学元件质量检验关键规格高精度(高达λ/200)快速捕获(最高1 kHz)价格优惠 快速CMOS传感器 描述数据小透镜阵150 um间距，5.2mm焦距(可定制)帧频500fps，100个质心(要求1kHz)传感器尺寸9mm x 7.13mm孔径:9mm触发器外部触发器5V通信USB 3.0变形镜控制控制器比例积分控制器校准影响功能和Hadamard控制闭环和开环编程可通过TCP-IP进行编程与其他变形镜的兼容性Alpao、Adaptica、OKO、BMC、Thorlabs和Dynamic Optics 短波红外（SWIR）光谱范围的理想解决方案这款波前传感器具有出色的灵敏度、帧速率和精度。它是计量和变形镜控制的理想选择。 描述数据小透镜阵150um间距，5.2mm焦距(可定制)帧频600fps(全帧)传感器尺寸640 x 512(15um)沟通USB 3.0或摄像头链接变形镜控制控制器比例积分控制器校准影响功能和Hadamard控制闭环和开环设计可通过TCP-IP进行编程与其他变形镜的兼容性Alpao、Adaptica、OKO、BMC、Thorlabs和Dynamic Optics 二,ISDI 晶圆级CMOS图像传感器ISDI是高性能CMOS图像传感器领域的创新者，提供定制传感器设计和标准产品。产品范围包括专用设计到大批量制造。ISDI成立于2010年，团队由一群在CMOS图像传感器方面拥有丰富知识和经验的半导体设计师组成，他们从科研项目获得了经验。自成立以来，ISDI已从科学传感器的设计师发展为广泛应用的晶圆级成像设备的制造商。数字接口设计可以直接连接到FPGA或ASIC。对于50μm和100μm传感器，开发板可配备相机链、USB或GigEVision连接，用于快速评估传感器性能，这些也可作为成像系统硬件快速原型设计的参考。所有传感器均设计用于X射线环境下的低噪声操作，适用于光纤板（FOP）键合或直接沉积型闪烁体。ISDI 晶圆级CMOS图像传感器,ISDI 晶圆级CMOS图像传感器通用参数CMOS图像传感器: 产品系列多功能、功能丰富的图像传感器，结合了ISDIZhuan利的抗辐射低噪声像素结构。特点:滚动快门曝光可切换高低满井来提高和降低灵敏度芯片上的温度传感器动态可编程感兴趣区域(ROI)有效面积 (h x v) cm分辨率(h x v)最大帧率( fps)数据输出包装尺寸(cm)单芯片ADCRow time ( ROI) µ s低满井Low full well高满井High full well低频焊LFW 高频焊HFWTY-222221.7 x 22.02173 x 220111268 x LVDS27.0 x 21.8 16/14 bit 8.2 360 ke- 3.2 Me- 72.7dB 81.0dBTY-151114.5 x 11.01451 x 110011222 x LVDS14.5 x 13.5TY-141214.0 x 12.01401 x 120011618 x LVDS14.0 x 14.4TY-11077.2 x 11.1721 x 111011212 x LVDS7.2 x 13.5HP-161516.1 x 15.01610 x 15009224 x LVDS16.1 x 17.6 14 bit 7.1 365 ke- 3.0 Me- 70.2dB 73.6dBHP-230123.3 x 0.762331 x 7648044 x LVDS23.5 x 6.1HP-150114.8 x 0.761484 x 7648028 x LVDS15.0 x 6.1IS-313130.9 x 30.73095 x 307366300 x CMOS31.2 x 35.5 14 bit 9.8 410 ke- 2.6 Me- 72.0dB 74.0dBIS-212120.6 x 20.52063 x 204966200 x CMOS20.6 x 25.3IS-151010.3 x 15.31031 x 15366650 x CMOS10.3 x 17.7IS-051010.3 x 5.11031 x 51219850 x CMOS10.3 x 7.4IS-151211.5 x 14.81537 x 198430 (86 @ 2*2 binning)6 x analogue11.5 x 16.3none17 290 ke- 2.8 Me- 70.5dB 74.4dBIS-120711.5 x 6.51537 x 86468 (192 @ 2*2 binning)6 x analogue11.5 x 7.9none17PS-282428.0 x 24.05606 x 48022972 x LVDS28.1 x 28.814 bit14.2 260 ke- 2.0 Me- 69.9dB 73.6dBPS-141214.0 x 12.02802 x 24002918 x LVDS14.1 x 14.414 bit14.2PS-120611.96 x 6.02391 x 12005916 x LVDS12.0 x 8.414 bit14.2PS-06065.4 x 6.01071 x 1200598 x LVDS5.35 x 8.414 bit14.2IS-131313.0 x 13.02600 x 260016 (30 @ 2*1 binning)7 x analogue13.1 x 15.5none24150 ke-2.0 Me-64.4dB75.1dB三, Pulstec PWS-1000 高速波前传感器 400-800nm 光束直径2.0-4.6mmPULSTEC该传感器基于Shack-Hartmann方法，能够实时测量光源和光学像差。它能够测量Zernike多项式项(15/24/36)，赛德尔像差因子和一般波前磨损。它还具有干涉条纹、二维/三维相位图、强度分布和点扩散函数等功能。测试结果(好或不好)可以按给定值测量。Pulstec PWS-1000 高速波前传感器 400-800nm 光束直径2.0-4.6mm,Pulstec PWS-1000 高速波前传感器 400-800nm 光束直径2.0-4.6mm产品特点高速处理，实时测量:图形3Hz，数值10hz。适用于对相干性不敏感的各种光束测量。设计紧凑轻巧，适用于各类设备。采用IEEE1394接口，方便接入电脑。产品应用通过波前测量确定光束质量光学透明元件测试自适应光学波前传感器光学反射组件测试通用参数测量波长400-800nm *1激光束直径2.0-4.6mm精确性1/100λ RMS (3σ) *2可重复性1/5002RMS (3σ) *2数据更新Max. 10Hz外部界面IEEE1394 (6pin)*1 需要获取每个波长的参考值。*2受光束强度分布影响，jue对波前误差测量环境。相关产品参考激光二极管源点源 (Point Source)平行光源波长405±5nm650 ＋5/-0nm780±5nm405±5nm650 ＋5/-0nm780±5nm波长差＜1／50λ RMS偏振圆形标准差激光功率控制自动电源控制 (APC)激光温度控制比例积分控制激光头尺寸179× Φ 44.5mm (L× Φ)253× Φ44.5mm (L× Φ )激光器重量大约 1.0kg大约1.4kg驱动器尺寸152×61.5×167mm (W×H×D)驱动器重量大约1.2kg电源供给AC 100-240V／50-60Hz (30W)NA0.9准直镜波长405nm和655nm焦距2.4mm (@405nm)/ 2.54mm (@655nm)数值孔径(NA)o.9(405nm)/0.7(@655nm)作业距离超过1.0mm重量大约150g玻璃盖板波长405nm655nm基板厚度 0.0875mm0. 1mm0.6mm

CCD 面阵图像传感器S11850-1106更优的标准具特性，恒定元件温度控制S11850-1106/11851-1106 是专为光谱仪设计的背照式 CCD 图像传感器。有两种类型，包括低噪声型 (S11850-1106) 和高速型 (S11851-1106)，具有更优的标准具特性。S11850/11851-1106 具有近乎平坦的光谱响应特性，从紫外到近红外区域具有高量子效率。封装内置了电子制冷器，以在操作期间保持元件温度恒定（约 5°C）。特点-更优的标准具特性-单级电子冷却型（元件温度：约 5°C）-在宽光谱范围内具有高灵敏度和近乎平坦的光谱响应特性 -高 CCD 节点灵敏度：6.5 μV/e--高满阱容量，宽动态范围（具有抗信号干扰功能）-像素尺寸：14 × 14 μm详细参数类型像素合并型/低标准具型影像尺寸28.672 x 0.896 mm有效像素数2048 x 64 像素像素尺寸14 x 14 μm光谱响应范围200 至 1100 nm行速率（典型值）106 行/秒行速率（最大值）200 行/秒暗电流（典型值）50 e-/像素/秒读出噪声（典型值）6 e- rms制冷单级电子冷却窗材抗反射膜蓝宝石封装金属测量条件典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，帧速率：全线 binning，暗电流：MPP 模式光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

CCD 面阵图像传感器S11071-1106更优的标准具特性，高速型S11071-1106 是专为光谱仪设计的背照式 CCD 图像传感器。高速型具有改进的标准具特性。S11071-1106 具有近乎平坦的光谱响应特性，在紫外到近红外区域具有高量子效率。特点更优的标准具特性在宽光谱范围内具有高灵敏度和近乎平坦的光谱响应特性高 CCD 节点灵敏度：8 uV/e-高满阱容量和宽动态范围像素尺寸：14 × 14 μm详细参数 类型像素合并型低标准具型影像尺寸28.672 x 0.896 mm有效像素数2048 x 64 像素像素尺寸14 x 14 μm光谱响应范围200 至 1100 nm行速率（典型值）651 行/秒行速率（最大值）2875 行/秒暗电流（典型值）50 e-/像素/秒读出噪声（典型值）23 e- rms制冷非冷却型封装陶瓷专用驱动电路C11288-01测量条件典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，帧速率：全线 binning光谱灵敏度特性 外形尺寸图（单位：mm）

高灵敏度，垂直长像素光敏区域 S11639-01是一个高灵敏度的CMOS线性图像传感器，其光敏区域由垂直长像素构成（14×200 μm）。其他特点包括紫外区域的高灵敏度和高阻抗。S11639-01由单一5V电源供应操作，所以适用于低耗光谱仪。详细参数图像尺寸28.672 x 0.200 mm有效像素个数2048 x 1 pixels像素尺寸14 x 200 μm光谱响应范围200 to 1000 nm线速率（典型值）4672 line/s制冷Non-cooled窗材料Quartz封装LCP测试条件Typ. Ta=25 ℃, Vdd=5 V, V(CLK)=V(ST)=5 V, f(CLK)=10 MHz, unless otherwise noted总像素个数2048光谱响应范围（最小值）200 nm光谱响应范围（最大值）1000 nm产品特征-像素尺寸：14×200 μm - 有效光敏区域长度：28.672 mm - 高灵敏度：1300 V/(lx*s)，从紫外到近红外区域（光谱响应范围：200-1000 nm） - 所有像素同步电荷积分 多种积分时间（电子快门功能） - 5V单电源供应操作 内置时序产生电路，操作只需要开始和时钟脉冲信号输入 - 视频数据速率：最大10MHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

近红外传感器（0.85至1.45μm）G14237-512WA是一款InGaAs线性图像传感器，为1064 nm激光拉曼光谱测量而设计。 专门用于测量拉曼光谱范围，截止波长相比之前的产品（G11508-512SA）已有所降低，从而降低了暗电流。 该产品由InGaAs光电二极管阵列和由电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和定时发生器组成的CMOS芯片组成。 电荷放大器由CMOS晶体管阵列组成，并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。封装采用气密密封，使产品具有出色的可靠性。 此外，通过使用外部电压可将CMOS芯片上的信号处理电路设为四种转换效率（CE）设置之一。产品特征- 低噪音，极低的暗电流 [为之前产品的1/10或更少（截止波长：1.7μm）]- 有四种转换效率类型可供选择- 内置饱和对抗电路- 内置CDS电路- 内置热敏电阻- 操作简便（内置定时发生器）- 高分辨率：25μm间距详细参数图像尺寸12.8 x 0.5 mm像素尺寸25 x 250 μm像素间距50 μm总像素个数512 pixels封装Metal线性率 (最大值)9150 lines/s冷却方式Two-stage TE-cooled光谱响应范围850 to 1450 nm测试条件unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP=Vinp=PDN=4 V,Fref=1.2V,Vclk=5V,f=1 MHz, CE=16 nV/e-光谱响应外形尺寸（单位：mm）

紫外NMOS图像传感器 这些器件具有出色的输出线性度，是需要紫外高灵敏度的高精度光度计测的理想选择。滨松有NOMS 40多种在售， 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！可选像素：128像素 256像素 512像素 1024像素 2048像素部分产品：产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸总像素个数线速率（典型）光谱响应范围（最小值） S3901-1024QNMOS线阵图像传感器51.2 x 2.5 mm50 x 2500 μm10241950200 nm S3901-128QNMOS线阵图像传感器6.4 x 2.5 mm50 x 2500 μm12815600200 nm S3901-256FNMOS线阵图像传感器12.8 x 2.5 mm50 x 2500 μm2567800360 nm S3901-256QNMOS线阵图像传感器12.8 x 2.5 mm50 x 2500 μm2567800200 nm S3901-512FNMOS线阵图像传感器25.6 x 2.5 mm50 x 2500 μm5123900360 nm S3901-512QNMOS线阵图像传感器25.6 x 2.5 mm50 x 2500 μm5123900200 nm S3902-128QNMOS线阵图像传感器6.4 x 0.5 mm50 x 500 μm12815600200 nm S3902-256QNMOS线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm2567800200 nm S3902-512QNMOS线阵图像传感器25.6 x 0.5 mm50 x 500 μm5123900200 nm S3903-1024QNMOS线阵图像传感器25.6 x 0.5 mm25 x 500 μm10241950200 nm

仪器简介：铟镓砷探测器 工作在0.8um-2.6um的波长范围内，提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性技术参数：铟镓砷探测器工作在0.8um-2.6um的波长范围内，提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性，不同型号对应的截止波长分别为1.9um,2.2um,2.4um,2.6um。主要特点：铟镓砷探测器针对性能要求比较高的应用，我们提供热电制冷模块配合探测器使用，从一级制冷到四级制冷模块都可选择。产品主要应用： 1.气体分析 2.近红外FTIR 3. 近红外荧光光谱 4. 血液分析 5.光通讯 6.光功率测量

适用于便携式分析仪器的近红外图像传感器 该产品为设计用于便携式分析仪器的紧凑、低成本的近红外线阵图像传感器。其耗电量较前序产品更低（DIP封装产品：G11620 系列）。其采用了极为紧凑的LCC封装及柔性线路板，因此十分适合集成入紧凑轻便的设备中。 产品特性● 紧凑（带柔性线路板） ● 3.3 V驱动● 低电流消耗：15mA● 低成本 ● 128像素（25 × 250 μm/pixel） ● 两级转换功率可选 ● 内置抗饱和电路 ● 操作简单（内置时序发生器）详细参数图像尺寸6.4 x 0.25 mm像素尺寸50 x 250 μm像素间距50 μm总像素个数128 pixels封装Metal线性率 (最大值)13600 lines/s冷却方式Non-cooled光谱响应范围950 to 1700 nm测试条件unless otherwise noted，Typ. Ta=25 ℃，Vdd=5 V，INP=Fvref=Vhold=PDN=2.5V，Vclk=3.3 V， fop=1 MHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

适用于便携式分析仪器的近红外图像传感器 该产品为设计用于便携式分析仪器的紧凑、低成本的近红外线阵图像传感器。其耗电量较前序产品更低（DIP封装产品：G11620 系列）。其采用了极为紧凑的LCC封装及柔性线路板，因此十分适合集成入紧凑轻便的设备中。 产品特性● 紧凑（带柔性线路板） ● 3.3 V驱动● 低成本 ● 256像素（25 × 250 μm/pixel） ● 两级转换功率可选 ● 内置抗饱和电路 ● 操作简单（内置时序发生器） ● 高分辨率：25 μm pitch详细参数图像尺寸6.4 x 0.25 mm像素尺寸25 x 250 μm像素间距25 μm总像素个数256 pixels封装Ceramic with flexible board线性率 (最大值)7290 lines/s冷却方式Non-cooled光谱响应范围950 to 1700 nm测试条件unless otherwise noted，Typ. Ta=25 ℃，Vdd=5 V，INP=Fvref=Vhold=PDN=2.5V，Vclk=3.3 V，fop=1 MHz外形尺寸（单位：mm）

快速安装和快速部署可以帮助您加快上市时间。SG-A系统是世界第一个用于CMOS图像传感器测试仪。可以提供最全面的CMOS图像传感器参数表征，如全谱量子效率QE、整体系统增K、时间暗噪声、信噪比、绝对灵敏度阈值、饱和容量、动态范围、DSNU、PRNU、线性误差和主光线角CRA。被测设备可以是多种类型的CMOS图像传感器模块。检验程序符合EMVA 1288标准。因此，SG-A CMOS图像传感器测试仪可以于晶圆级光学检测、工艺参数控制、微透镜设计、微透镜验证。SG-A CMOS图像传感器测试仪的高度准直光束（1°)可以克服传统光学传统（如积分球系统）无法解决的新制造工艺的检测难题。这些工艺包括小像素（ 1 um）、BSI和3D堆叠、微透镜、新的拜耳阵列设计等。特性：无损光学检测。高度准直樑角 / 高准直波束角 0.05 度, 0.1 度, 0.5 度 ,1 度, 3 度 (不同型号)高均勻光束点：≥ 99%。光的不稳定性≤1%。高动态范围测试能力：80dB ~ 140dB（不同型号）。可测试 CMOS 图像传感器参数：量子效率、光谱响应、系统增益、灵敏度、动态范围、暗电流 / 噪声、信噪比、饱和容量、线性误差（LE）、DCNU（暗电流非均勻性）、PRNU（光响应）非均勻性）、CRA（主光线角）。全光谱波長范围：300nm – 1100nm 或 350nm ~ 1000nm（PTC）。波长可扩展至 1700nm 以上。DUT 封裝：CIS 模块，PCB 板级，CIS 摄像头，有 / 无微透镜。SG-A 和 DUT 之间的 “直接” 或 “握手” 通信協议。定制的測试夾具和平台（手动或自动，最多 6 軸）。強大的分析软件 ARGUS。应用：指纹识別（CIS + Lens、CIS + 准直器、TFT-array sensor）CIS 微透镜设計、晶圆级光学检测、CIS DSP 芯片算法开发、Si TFT 传感器面板、Time-of-Flight 相机传感器、Proximity 传感器（量子效率、灵敏度、线性度、SNR 等）、d-ToF 传感器、i-ToF 传感器、多光谱传感器、环境光传感器 (ALS)、显示屏下指纹 (FoD) 传感器。 可针对影像传感器，或影像探测器晶片或模组进行以下参数量测量子效率Quantum efficiency)系统增益Overall system gain)暂能暗杂讯Termporal dark noise)信号杂讯比Signal to noise ratio绝对灵敏度阈值Absolute sensitivity threshold饱和容量Satuation capacity动态范围Dynamic range空间非均匀性（暗像素偏移，亮像素偏移）Spaturation nonuniformity(DSNU,PRNU)线性度误差Linearity error主光线角CRA

热成像红外传感器测温门-CWM2020T快速测温门　　特别说明：为保护客户权益，我公司不在网站上做任何报价，以上价格仅为推广使用，不具备参考价值，具体价格请电询，以报价单为准。联系电话：　　本产品价格的最终解释权归广东华哲科技有限公司所有。HZ-CWM2020T通过式人体温度探测门产品介绍一、产品介绍：体温检测门采用高精度红外测温传感器，感应距离可达 0.5-1 米，具有高精度和高分 辨率，对环境和日光免疫。室温下测量误差±0.5℃，分辨率为 0.02℃。初始温度设定值 为 37.3℃（可调节），检测门工作时显示检测出的人体实际体温，超过 37.3℃即报警， 无人通过时显示场地环境温度。产品特点：传感探头：采用原装进口的热红外成像探头，与市面普通红外线接收器相比，具有高灵敏度、高像素、高分辨率、面阵成像等优势；通过率高：正常缓慢步行通过，面部侧视指示灯，通过率约为40-60人/分钟防止漏检：成品设计符合人体工程学，可确保受检人无法躲避热红外成像探头，有效防止受检人元逃避体温检查。检测精度：检测结果可精确到小数点后数点后两位（一般市场上为小数点后一位）更精确，正常室温下，温度误差±0.3℃.照射角度：本产品采用的热红外成像探头，具有大面积圆锥扇形照射，受检人无需学习，直接通过也不影响检测温度。系统功能:通过人数绿灯提示，高温时报警红灯提示；扩展功能：USB接口，热成像图像，电脑连接与显示，网络连网；极低功耗：节能环保，正常工作下工作功率小于13W；探测高度：探头可以上下移动，适应不同身高，不同年龄段的人群；参数设置：灵敏度，精度，补偿温度等主要参数可根据客户使用场景进行调试；工作模式：①正常通过模式；②缓行侧面模式；③驻足停留模式探测距离：＜50cm基本参数：工作温度：-20℃~40℃ 温度测量范围： -10℃~100℃ 温度测量误差：±0.5℃（室温下） 分辨率：0.02℃工作电压：3.3~5V 工作电流：5mA 工作电源：220V/60HZ 功率：﹤20W 净重：50KG通道尺寸：2000mm（高）×700mm（宽）×500mm（深） 外形尺寸：2270mm（高）×830mm（宽）×500mm（深）应用场所： 火车站、汽车站、地铁站、医院、体育馆、工厂、写字楼、大型活动现场等公共场 所。HZ-CWM2020T温度探测门使用注意事项本产品只适合于室内使用，如确需装在室外，应附设雨棚等防雨防晒设施。探头不得安装在高温、潮湿的环境中。 非专业人员不得擅自拆卸、调节电器控制箱上的元器件。安检门开机后须自检 1 分钟才能达到最jia检测效果。 平稳的安装在平整、无震动的地面上，人通过时避免与门发生碰撞。 六、每台金属探测门附有保修单，在保修期内凭保修单免费维修。 热成像红外传感器测温门-CWM2020T快速测温门热成像红外传感器测温门-CWM2020T快速测温门

CCD 面阵图像传感器S7031-1006S薄型背照式 FFT-CCDS7031-1006S 是一系列 FFT-CCD 图像传感器，专门设计用于科学用途中的微弱测光。通过使用像素合并操作，S7031-1006S 在装置长度的方向上具有长孔径，可以用作线阵图像传感器。因此，S7031-1006S 适合用于分光光度测定。与通过外部电路以数字方式添加信号的传统方法相比，像素合并操作显著提高了信噪比和信号处理速度。S7031-1006S 还具有低噪声和低暗信号的特点（MPP 模式操作）。这样可实现微弱测光和长积分时间，从而实现宽动态范围。特点-单级电子冷却型-像素尺寸：24 × 24 μm-线 binning、像素拼接-在最大灵敏度波长下，量子效率大于 90%-宽光谱响应范围-低读出噪声-宽动态范围-MPP 操作-高紫外灵敏度，稳定性好详细参数 类型像素合并型标准型影像尺寸24.576 x 1.392 mm有效像素数1024 x 58 像素像素尺寸24 x 24 μm光谱响应范围200 至 1100 nm行速率（典型值）213 行/秒行速率（最大值）698 行/秒暗电流（典型值）100 e-/像素/秒读出噪声（典型值）8 e- rms制冷单级电子冷却窗材抗反射膜蓝宝石封装陶瓷专用驱动电路C7041测量条件典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，帧速率：全线 binning，暗电流：MPP 模式光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

面对工厂中的有无、位置、角度、扫码等检测和测量的应用，许多人在搭建视觉系统时常常面临难题，能否减少方案和设备的复杂程度，让选型、架设和配置更加轻松？视觉传感器将给你答案。它可在机身内部实现有无、正反、位置、尺寸、读码等视觉检测和测量，易于成像、调试的结构和独特的Web端配置工具让架设更加方便。视觉传感器小巧机身里蕴含强大功能，是轻量级视觉检测项目德不二之选。功能特性采用嵌入式硬件平台，可进行高速的图像处理植入高精度定位、测量、识别算法，可实现计数、有无、测量、识别等功能 IO 接口丰富，可接入多路输入、 输出信号状态指示灯丰富，可实时查看设备状态，方便调试与维护光源设计巧妙， 确保照明区域亮度均匀支持 RS-232、 TCP、 UDP、 FTP、 PROFINET、 Modbus、 EtherNet/IP 等多种通讯模式视觉传感器具有成本低廉、使用简单的优点，因此它的应用领域十分广泛，那么视觉传感器的应用领域有哪些呢？我们一起来看看。　1、在各类药品包装生产线当中，视觉传感器可以检查各类药品的包装内是不是存在各种破损、缺失药片等情况。　　2、视觉传感器的应用领域还包括了各种普通的包装生产厂，在这类厂商当中视觉传感器可以检查相关的位置有没有贴上符合标准的包装标签等。　　3、视觉传感器的应用还包括各类瓶装厂，而视觉传感器的存在可以帮助大家校验瓶盖的组装是不是达到了正确密封的标准。除此之外，还可以检查瓶内的装灌液位是不是符合标准。不仅如此，还能视觉传感器还能检查瓶子在封盖之前，是否有异物掉到了瓶内。　　4、针对不同的汽车组装厂当中，而视觉传感器在这个领域当中主要是负责检验由机器人进行操作的相关车门边框的胶珠是不是符合标准，有没有保持正确的宽度。视觉传感器在工业中很多领域都起到了至关重要的作用，简单的操作与结构设计，稳定的功能输出，受到了大家的一致好评。

光焱科技SG-A CMOS图像传感器测试仪产品简介：光焱科技SG-A CMOS图像传感器测试仪是商用CMOS图像传感器测试仪，可以提供全面的CMOS图像传感器参数表征。被测设备可以是几种类型的CMOS图像传感器模块。检验程序符合EMVA 1288标准。因此，可用于进行晶圆级光学检测、加工参数控制、微透镜设计、微透镜验证。SG-A CMOS图像传感器测试仪的高度准直光束（1°）可以克服传统光学系统（如积分球系统）无法解决的新制造工艺的检测困难。特色 *无损光学检测。*高度准直梁角 /高准直波束角0.05度 ,0.1度 0.5度 ,1度,93度 (不同型号)*高均匀光束点：≥ 99%。*光的不稳定性≤1%。*高动态范围测试能力：80dB~140dB（不同型号）。*可以测试CMOS图像传感器参数。量子效率、光谱响应、系统增益、灵敏度、动态范围、暗电流/噪声、信噪比、饱和容量、线性误差（LE）、DCNU（暗电流不均匀性）、PRNU（光响应不均匀性）、CRA。*全光谱波长范围:300nm-1100nm或350nm~1000nm（PTC）。*波长可扩展至1700纳米以上。*DUT 封装：CIS 模块，PCB 板级，CIS 摄像头，有/无微透镜。*SG-A和DUT之间的 “直接 “或 “握手 “通信协议。*定制的测试夹具和平台（手动或自动，最多6轴）。*功能完整的分析软件ARGUS。*应用：指纹识别（CIS+镜头，CIS+准直器，TFT阵列传感器）*CIS的微透镜设计，*晶圆级光学检测，CIS DSP芯片算法开发，Si TFT传感器面板，*飞行时间相机传感器，接近传感器（量子效率，灵敏度，线性度，SNR等），*d-ToF传感器，i-ToF传感器，多光谱传感器，*环境光传感器（ALS），指纹显示（FoD）传感器。系统设计规格光焱科技SG-A CMOS图像传感器测试仪的功能很好，因此相关的规格和配件也很齐全。更多细节可再了解。 以下是主要的能力规格: – 全光谱的波长范围：300-1100nm或350-1000nm（PTC）– 波长范围可以扩展到1700 nm或更高– 单一波长源：470nm、530nm、630nm、940nm（±5nm），或自定义– 动态范围：80dB、100dB或140dB– 测试夹具：DUT≤100mm x 100mm x 30mm(高度)[基本型]或定制– 平台：非、手动3轴，或6轴（手动+自动）平台（可定制）应用范围光焱科技SG-A CMOS图像传感器测试仪可用于：*指纹识别（CIS+镜头、CIS+准直器、TFT-阵列传感器)*CIS的微透镜设计，晶圆级光学检查*CIS DSP 芯片的算法开发*Si TFT 传感器面板*飞行时间相机传感器*近距离感应器 (量子效率、灵敏度、线性度、SNR等。)*d-ToF传感器、i-ToF传感器*多光谱传感器*环境光传感器 (ALS)*指纹显示（FoD）传感器

FLIR A315支持GIGE的红外温度传感器（电动调焦）FLIR A315是一款经济实惠的迷你型红外热像仪，可通过PC全面控制。由于符合行业标准，FLIR A315支持National Instruments、Cognex、Matrox、MVtec和Stemmer Imaging等第三方机器视觉软件的即插即用。监控您的关键系统出色的图像质量FLIR A315配备一台320×240像素的微测辐射热计，能够检测出小至50 mK的温差，提高远距离测量的精度。高频率传输FLIR A315能以60 Hz传输带信号、线性温度和辐射测量数据的16位全帧图像。即插即用A315兼容GigE Vision和GenICam协议，当配合IMAQ Vision等软件包使用时能实现即插即用。