紫外掩膜对准曝光系统

一、项目基本情况1.项目编号：ZG-ZWG-2023168/2758-234ZGZB23168项目名称：哈尔滨工程大学X射线/紫外光电子能谱采购项目预算金额：900.000000 万元（人民币）最高限价（如有）：900.000000 万元（人民币）采购需求：X射线/紫外光电子能谱1套合同履行期限：合同签订后12个月内完成所有设备到货，所有设备调试完毕并具备验收条件本项目( 不接受 )联合体投标。2.项目编号：ZG-ZWG-2023066/2758-234ZGZB23066项目名称：哈尔滨工程大学聚焦离子束-电子束曝光系统(FIB-EBL)采购项目预算金额：880.000000 万元（人民币）最高限价（如有）：880.000000 万元（人民币）采购需求：聚焦离子束-电子束曝光系统(FIB-EBL)一套合同履行期限：合同签订后12个月内完成所有设备到货，所有设备调试完毕并具备验收条件本项目( 不接受 )联合体投标。二、获取招标文件时间：2023年11月06日 至 2023年11月13日，每天上午8:30至12:00，下午12:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外）地点：黑龙江中冠项目管理有限公司（中国黑龙江省哈尔滨市道里区友谊西路2982号）；方式：拟参加本项目的潜在投标人，请于2023年11月06日至2023年11月13日，每天上午08时30分至下午16时30分到黑龙江中冠项目管理有限公司（中国黑龙江省哈尔滨市道里区友谊西路2982号）获取采购文件，采购文件不予邮寄；售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和三、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：哈尔滨工程大学　　　　　地址：哈尔滨市南岗区南通大街145号　　　　　　　　联系方式：王老师 0451-82519862　　　　　　2.采购代理机构信息名 称：黑龙江中冠项目管理有限公司　　　　　　　　　　　　地　址：中国黑龙江省哈尔滨市道里区友谊西路2982号　　　　　　　　　　　　联系方式：刘女士 0451-82663366转8008/8006　　　　　　　　　　　　3.项目联系方式项目联系人：刘女士电　话：　　0451-82663366转8008/8006

本报讯 据澳大利亚莫纳什大学网站报道，澳大利亚研究人员正在研制世界最强大的纳米设备之一——电子束曝光系统(EBL)。该系统可标记纳米级的物体，还可在比人发直径小1万倍的粒子上进行书写或者蚀刻。 　　电子束曝光技术可直接刻画精细的图案，是实验室制作微小纳米电子元件的最佳选择。这款耗资数百万美元的曝光系统将在澳大利亚亮相，并有能力以很高的速度和定位精度制出超高分辨率的纳米图形。该系统将被放置在即将完工的墨尔本纳米制造中心(MCN)内，并将于明年3月正式揭幕。 　　MCN的临时负责人阿彼得凯恩博士表示，该设备将帮助科学家和工程师发展下一代微技术，在面积小于10纳米的物体表面上实现文字和符号的书写和蚀刻。此外，这种强大的技术正越来越多地应用于钞票诈骗防伪、微流体设备制造和X射线光学元件的研制中，还可以支持澳大利亚同步加速器的工作。 　　凯恩说：“这对澳大利亚科学家研制最新的纳米仪器十分重要，其具有无限的潜力，目前已被用于油漆、汽车和门窗的净化处理，甚至对泳衣也能进行改进。而MCN与澳大利亚同步加速器相邻，也能吸引更多的国际研究团队的目光。” 　　MCN的目标是成为澳大利亚开放的、多范围的、多学科的微纳米制造中心。该中心将支持环境传感器、医疗诊断设备、微型纳米制动器的研制，以及新型能源和生物等领域的研究和模型绘制。除电子束曝光系统外，MCN中还包含了高分辨率双束型聚焦离子束显微镜、光学和纳米压印光刻仪、深反应离子蚀刻仪和共聚焦显微镜等众多设备。 　　凯恩认为：能够介入这种技术使我们的科学家十分兴奋，它可以确保我们在未来十年内在工程技术前沿领域的众多方面保持领先地位，也将成为科学家在纳米范围内取得更大成就的重要基点。(张巍巍)

p /p p style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 311px height: 212px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202009/uepic/4ca21b5b-64a5-457f-b1d8-824702f6ea76.jpg" title=" tpxw2020-09-29-03.jpg" alt=" tpxw2020-09-29-03.jpg" width=" 311" height=" 212" / /p p style=" text-align: center " 图1. “1.5米扫描干涉场曝光系统”项目验收专家组会议现场 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 324px height: 243px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202009/uepic/60a97bc9-669b-4a03-a6b5-caa2176d22eb.jpg" title=" tpxw2020-09-29-04.jpg" alt=" tpxw2020-09-29-04.jpg" width=" 324" height=" 243" / /p p /p p style=" text-align: center " 图2. 项目负责人巴音贺希格研究员汇报项目完成情况 /p p 　　2020年8月24-25日，国家自然科学基金委员会（以下简称自然科学基金委）信息科学部组织专家对中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承担的国家重大科研仪器设备研制专项（部委推荐）“1.5米扫描干涉场曝光系统”进行了结题验收。验收专家组由光学、仪器、档案和财务等领域的23位专家组成。自然科学基金委党组成员、副主任王承文出席 /p p 　　专家组认为，项目组成功研制了1.5米扫描干涉场曝光系统，取得了一系列技术创新和突破，各项性能指标均达到或超过项目计划书要求，全面完成了项目的研制任务；项目管理文件和技术文档记录全面，内容真实可靠，档案立卷符合规范要求；项目经费使用符合管理办法要求；一致同意项目通过验收。 /p p 　　王承文副主任对项目组取得的成果给予肯定，强调仪器设备在科学研究、技术创新以及科技强国建设中的重要地位，并希望依托单位和项目组进一步做好项目的科技成果转化，使科学仪器设备发挥更大的作用。 /p p br/ /p

项目编号：DUTASZ-2022066项目名称：大连理工大学X射线光电子能谱仪和电子束曝光系统等采购项目预算金额：1337.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：1337.0000000 万元（人民币）采购需求：各包预算金额及最高限价：A包：X射线光电子能谱仪，预算金额：500万元；B包：电子束曝光系统，预算金额：568万元、原子力显微镜，预算金额：269万元；A包：X射线光电子能谱仪1套，用于材料表面结构分析检测，实现样品表面的元素组成及化学键状态的定性和定量分析；B包：电子束曝光系统1套、原子力显微镜1套 用于材料表面微观结构分析，满足对纳米级光刻加工技术的需求等3套教学与科研用仪器，改善实验室教学与科研条件，完善实验课程内容，提升科研实验水平及能力，具体要求详见招标文件。本项目“A包：X射线光电子能谱仪，B包：电子束曝光系统、原子力显微镜”可提供进口产品。进口产品是指通过中国海关报关验放进入中国境内且产自关境外的产品。注：A包、B包兼投不兼中，投标人只能成为一个包的中标人（具体内容及要求详见招标文件）。合同履行期限：A包：自签订合同之日起210日历日内货到采购人指定地点安装调试验收合格；B包：自签订合同之日起210日历日内货到采购人指定地点安装调试验收合格。本项目( 不接受 )联合体投标。

一、项目基本情况 1.项目编号：0625-23218C93 项目名称：国科大杭州高等研究院扫描电子显微镜及电子束曝光系统 预算金额（元）：6000000 最高限价（元）：/ 采购需求： 标项名称: 扫描电子显微镜及电子束曝光系统 数量: 1 预算金额（元）: 6000000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件 备注：允许进口 合同履约期限：标项 1，详见招标文件 本项目（是）接受联合体投标。 2.项目编号：ZJ-2362384 项目名称：国科大杭州高等研究院单晶X射线衍射仪采购 预算金额（元）：5000000 最高限价（元）：5000000 采购需求： 标项名称: 单晶X射线衍射仪 数量: 不限 预算金额（元）: 5000000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：单晶X射线衍射仪1台。具体以招标文件第三部分采购需求为准，供应商可点击本公告下方“浏览采购文件”查看采购需求。 备注：允许进口 合同履约期限：标项 1，按照招标文件要求 本项目（是）接受联合体投标。二、获取招标文件 时间：/至2023年11月10日 ，每天上午00:00至12:00 ，下午12:00至23:59（北京时间，线上获取法定节假日均可，线下获取文件法定节假日除外） 地点（网址）：政采云平台（https://www.zcygov.cn/） 方式：供应商登录政采云平台https://www.zcygov.cn/在线申请获取采购文件（进入“项目采购”应用，在获取采购文件菜单中选择项目，申请获取采购文件） 售价（元）：0 三、对本次采购提出询问、质疑、投诉，请按以下方式联系1.采购人信息 名 称：国科大杭州高等研究院 地 址：杭州市西湖区转塘街道象山支弄1号 传 真： 项目联系人（询问）：王老师 项目联系方式（询问）：0571-86085786 质疑联系人：沈老师 质疑联系方式：0571-86080792 2.采购代理机构信息 名 称：浙江国际招投标有限公司 地 址：杭州市文三路90号东部软件园1号楼3楼317室 传 真：/ 项目联系人（询问）：沈建平（18005883302）、倪樟如 项目联系方式（询问）：0571-81061840，0571-81061802 质疑联系人：董福利 质疑联系方式：0571-81061818 　　　　　　 3.同级政府采购监督管理部门 名 称：杭州市财政局政府采购监管处 /浙江省政府采购行政裁决服务中心（杭州） 地 址：杭州市上城区四季青街道新业路市民之家G03办公室 传 真：/ 联 系 人：朱女士/王女士 监督投诉电话：0571-85252453

苏州德尔微仪器喜获西电阴极射线荧光系统订单按照招投标流程，经过系列流程严格论证，西安电子科技大学2017年7月7日发布中标公示：先进材料与纳米学院最终选择delmic公司创新研发的阴极发光成像系统sparc，服务于该校郝越院士团队在宽禁带半导体材料的研究。用户认为该产品具有独特的先进性，在灵敏度，系统高度集成性，硬件模块化设计和软件开源对于先进材料研究有重大帮助，尤其在优化的紫外波段的分析。系统还有全球独有的角分辨功能，后续在需要的时候可以灵活升级。该套系统由著名的nanophotonics方面的研究专家，来自荷兰amolf 的polman教授团队超过10年的研究， 荣获2014年mrs材料表征创新大奖。后经荷兰delmic商用服务于先进材料研究、纳米光子学、光子晶体、表面等离激元、光伏、半导体材料、药物活性等多种领域。sparc阴极发光系统具有收集镜自动精准对准，高效率光传输和灵敏度、光路系统模块化设计灵活可选、多种探测器对应不同应用、全球独创的角分辨解析功能、软件完全开源等独特优点。 目前已经得到欧美数十家著名学府和公司的认可和使用，中国区域目前为止已有两家客户购买，意向客户快速增长。苏州德尓微仪器作为delmic公司中国代理商， 致力于引进先进技术产品和服务科研团队。 关于德尓微 苏州德尔微仪器有限公司，位于苏州生物纳米园。创新服务于电镜实验室，致力于创新样品制备工艺和装备、极致探测手段和表征方法。创造和引进先进的实验方法和表征手段，为中国电镜在纳米科技，先进材料和生命科学等领域的突破提供最有力的高端设备。 作为荷兰delmic公司中国授权代理商，我们提供集成光电联用（iclem）和高性能角分辨荧光成像（angle-resolved cl）电镜附件和服务。 同时，公司创新推出超微加工服务和自主开发制样仪器设备，服务科研群。 助力科学，探索致发现！

近日，科学仪器行业迎来了前所未有的利好消息。2022年9月13日，国务院常务会议决定对部分领域设备更新改造贷款阶段性财政贴息和加大社会服务业信贷支持，政策面向高校、职业院校、医院、中小微企业等九大领域的设备购置和更新改造。贷款总体规模预估为1.7万亿元。 2022年9月28日，财政部、发改委、人民银行、审计署、银保监会五部门联合下发《关于加快部分领域设备更新改造贷款财政贴息工作的通知》（财金〔2022〕99号），对2022年12月31日前新增的10个领域设备更新改造贷款贴息2.5个百分点，期限2年，额度2000亿元以上。因此今年第四季度内更新改造设备的贷款主体实际贷款成本不高于0.7%（加上此前中央财政贴息2.5个百分点）。这两大重磅政策提供极低利息的贷款给消费端提前进行设备购置和更新改造，推动我国仪器市场迎来新一波仪器采购大潮。仪器信息网注意到，10月份以来，各大高校发布了众多半导体设备采购意向。仪器信息网特汇总统计了光刻设备相关的采购意向，含激光直写设备和电子束曝光机，总预算超5亿元。光刻设备相关的采购意向汇总序号项目名称预算金额(万元)采购单位发布时间预计采购时间查看1电子束光刻机3000清华大学2022/10/7 14:09Nov-22意向原文2飞秒激光三维直写系统400清华大学2022/10/7 14:09Nov-22意向原文3激光直写设备600清华大学2022/10/7 14:09Nov-22意向原文4接触式光刻机700清华大学2022/10/7 14:09Nov-22意向原文5步进式光刻机3000清华大学2022/10/8 8:29Nov-22意向原文6自旋科技研究院购置电子束曝光系统项目498华南理工大学2022/10/8 16:35Nov-22意向原文7聚焦离子束-电子束曝光系统(FIB-EBL)820哈尔滨工程大学2022/10/9 17:08Nov-22意向原文8集成电路学院激光直写光刻机采购452.9中山大学2022/10/10 15:57Nov-22意向原文9集成电路学院接触式光刻机（微米级）采购357.7中山大学2022/10/10 15:57Nov-22意向原文10电子束光刻系统1200华南理工大学2022/10/10 17:23Nov-22意向原文11化学化工学院双光子三维激光直写系统设备采购项目400兰州大学2022/10/10 21:24Nov-22意向原文12电子束光刻系统1200华南理工大学2022/10/12 8:40Nov-22意向原文13电子与信息工程学院步进式光刻机采购项目4300中山大学2022/10/13 10:55Nov-22意向原文14电子与信息工程学院接触式曝光机采购项目330中山大学2022/10/13 10:55Nov-22意向原文15电子与信息工程学院无掩模板紫外光刻机采购项目216中山大学2022/10/13 10:55Nov-22意向原文16电子与信息工程学院无掩膜激光直写曝光机采购项目500中山大学2022/10/13 10:55Nov-22意向原文17中国药科大学微纳米光刻机（精密对位曝光系统）项目230中国药科大学2022/10/13 14:28Nov-22意向原文18光刻机3465北京化工大学2022/10/13 15:52Nov-22意向原文19微立体光刻精密加工系统260吉林大学2022/10/13 17:47Nov-22意向原文20材料学院紫外光刻机采购项目180中山大学2022/10/13 22:58Nov-22意向原文21扫描电子显微镜FEI Quanta450-电子束曝光升级模块147.6中山大学2022/10/13 22:58Nov-22意向原文22超高分辨率的电子束光刻（EBL）采购项目1600中山大学2022/10/14 9:01Nov-22意向原文23激光直写式光刻机160吉林大学2022/10/14 11:51Nov-22意向原文24激光无掩膜光刻系统200中山大学2022/10/14 16:27Dec-22意向原文25物理科学与技术学院紫外光刻机45兰州大学2022/10/14 16:51Nov-22意向原文26物理学院/部门+光刻机采购项目23兰州大学2022/10/14 16:51Nov-22意向原文27紫外掩膜曝光光刻机采购200中山大学2022/10/14 19:14Nov-22意向原文28分析测试中心无掩模激光直写系统采购项目460北京理工大学2022/10/17 13:59Dec-22意向原文29电子束光刻系统1200华南理工大学2022/10/18 8:25Nov-22意向原文30光刻机380华中科技大学2022/10/18 17:33Nov-22意向原文31无掩膜光刻200华中科技大学2022/10/18 17:33Nov-22意向原文32掩膜对准光刻机380华中科技大学2022/10/18 17:33Nov-22意向原文33电子束光刻机500山东大学2022/10/18 22:01Nov-22意向原文34分子束外延（MBE）系统真空电子束曝光（EBL）系统采购1800华南理工大学2022/10/19 8:23Nov-22意向原文35聚焦电子束光刻系统640东北师范大学2022/10/20 11:15Nov-22意向原文368寸光刻机600东南大学2022/10/20 16:00Nov-22意向原文37激光直写曝光系统450浙江大学2022/10/25 14:17Nov-22意向原文38DUV塔尔博特光刻680同济大学2022/10/25 20:43Dec-22意向原文39电子束光刻机3500同济大学2022/10/25 20:43Dec-22意向原文40激光直写设备750同济大学2022/10/25 20:43Dec-22意向原文41双面对准光刻机450同济大学2022/10/25 20:43Dec-22意向原文42光刻机420华中科技大学2022/10/28 14:30Dec-22意向原文43掩膜对准光刻机420华中科技大学2022/10/28 14:30Dec-22意向原文44电子束曝光系统297北京大学2022/10/28 15:04Dec-22意向原文45高分辨掩膜光刻机采购390西南大学2022/11/1 20:27Dec-22意向原文46中国科学院大学集成电路学院计算光刻软件采购项目140中国科学院大学2022/11/2 16:21Nov-22意向原文47超高精密微立体光刻加工系统279厦门大学2022/11/2 17:01Dec-22意向原文48双光子灰度对准光刻机690天津大学2022/11/3 13:24Dec-22意向原文49无掩膜光刻机320天津大学2022/11/3 13:24Dec-22意向原文50电子束曝光机维保160中国科学院微电子研究所2022/11/3 19:55Nov-22意向原文51光刻机360吉林大学2022/11/4 8:26Dec-22意向原文52物理学院原位光谱激光直写加工系统600北京航空航天大学2022/11/5 12:57Dec-22意向原文53高精度电子束曝光机870北京师范大学2022/11/7 18:55Dec-22意向原文54集成电路学院电子束曝光机采购1400中山大学2022/11/9 15:51Dec-22意向原文55TX-电子束曝光（EBL）1800华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文56TX-对准光刻与晶圆键合机490华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文57TX-高精度无掩膜光刻机500华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文58TX-晶圆划片道直写填充装备420华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文59TX-深紫外光刻机(DUV)4200华中科技大学2022/11/9 18:22Dec-22意向原文60激光直写光刻机400浙江大学2022/11/10 14:56Dec-22意向原文61面向国家“卡脖子”技术需求的工业芯片设计与制造全流程技术平台--X-射线衍射仪、紫外光刻机、步热分析仪500东北大学2022/11/10 18:35Dec-22意向原文62台式微纳结构高速直写系统180华东师范大学2022/11/11 8:46Nov-22意向原文

光刻机被业界誉为集成电路产业皇冠上的明珠，又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。但这种光刻机主要用于工业生产，对于半导体器件等研发来说，先进的紫外光刻机显得昂贵且笨重，同时由于其对光刻速度不敏感，因此科研领域往往使用激光直写设备和电子束曝光机来处理光刻胶。但一直以来，对科研用光刻设备缺乏调查。1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享，对其中光刻设备的统计分析或可一定程度反映科研用光刻设备的市场信息。小编特对其进行分类统计，供读者一阅。各省（直辖市/自治区）光刻设备分布各省（直辖市/自治区）光刻设备分布图根据统计数据，共享光刻设备的总数量为291台，涉及22省（直辖市/自治区）。北京、江苏、广东、上海为共享光刻设备最多的地区，其中北京的数量最多，达83台。北京共享科研光刻设备数量较多，主要是由于其实力强劲的高等院校较多，其科研经费充足，可以购买更多的设备。这四个地区的经济发展水平在全国名列前茅，而且半导体产业发达，对光刻设备的需求也更高。进一步统计发现，光刻设备主要分布于北京大学、中科院半导体研究所、中国科学技术大学和清华大学。不同类型光刻设备分布根据搜集到的数据可知，传统的紫外光刻机占据了主流，占比达58%。电子束曝光机和激光直写设备占比都为21%。电子束曝光机主要用于科研领域和掩模版制作，但由于其刻蚀速率太低，无法用于量产，因此主要用于科研或掩模版制作，但电子束曝光机是半导体制造的基础设备。虽然这其中紫外光刻机仍然占据主流，但与《2020光刻设备中标盘点：疫情之后，市场活力回升！ 》中的占比相比，其占比少得多，这主要由于科研对光刻速率要求不敏感，而电子束曝光机和激光直写设备可以在一定程度上满足科研需求。光刻设备品牌分布紫外光刻机品牌分布电子束曝光机品牌分布激光直写设备品牌分布从光刻设备的整体品牌分布图可以看到，德国SUSS的光刻设备占比最多达26%，其次为美国ABM和德国Raith分别为13%和9%。需要注意的是，Raith是电子束曝光机厂商。具体到传统紫外光刻机品牌分布可以发现，SUSS占比高达45%，ABM占比达22%，SUSS在科研用紫外光刻机占据主流。全球光刻巨头ASML、尼康和佳能都不在其中，这表明工业用光刻设备和科研用光刻设备的需求不同，厂商也有所不同。在电子束曝光机中，Raith占比达45%。在激光直写设备中，德国Heidelberg占比26%，虽然占比最高，但其未呈现出压倒性优势，而且国内设备厂商苏大维格在此类设备中也占据一定份额。以上三类设备中，只有激光直写设备中前排出现了国产品牌，这可能得益于我国先进的激光技术。光刻设备产地国家分布紫外光刻机产地分布电子束曝光机产地分布激光直写设备产地分布从光刻设备的产地分布可以看出，德国设备最受国内科研用户青睐，占比达45%，而国产设备仅占11%的份额。对于紫外光刻机来说，德国占比46%，美国25%。电子束曝光机的设备中，德日占据主流，德国主要是Raith设备较多，日本凭借其强大的电子显微镜技术也占据一定的市场份额，这主要是由于电子显微镜和电子束曝光机的技术有共通之处。虽然在激光直写设备中，德国设备占比仍然最多，但国产厂商也不甘落后达34%。不同于工业领域的日本厂商和荷兰ASML的垄断，科研领域光刻厂商中，德国企业实力雄厚，涌现出一批实力强大的企业。国产厂商整体虽然占比很低，但在激光直写设备中显示出了强大的活力。本次光刻设备中标盘点，涉及品牌有Raith、SUSS、ABM、Heidelberg、DMO、Nikon、EVG、JEOL、NBL等。其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：德国海德堡多功能无掩膜激光直写机/光刻机-DWL66+DWL66+ 激光光刻系统是具经济效益、具有高分辨率的图形发生器。适用于小批量掩膜版制作和直写需求。DWL66+拥有多种选配模块,例如:正面和背面对准系统；405nm和375nm波长的激光发生器；进阶选配：精度校准和自动上下板加载系统。单面/双面光刻机：EVG 620EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可配置为半自动也可以为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，可以大幅提高产能。德国Raith高分辨电子束曝光机150 TwoRaith 150 Two作为高分辨电子束曝光系统，自推出以来全球销量不容忽视。该系统被广泛地用于研发和纳米技术中心，已证明了系统的24/7使用的稳定性。Raith 150 Two 可实现亚5nm的曝光结构，可处理8”晶元及以下样片。环境屏蔽罩保证了系统的热稳定性，提高设备对实验室环境的容忍度，即使在相对糟糕的实验室环境下，也能保证系统的正常稳定运行。德国 SUSS光刻机MA/BA6MA/BA6掩模和粘结对准器专为最大 150 mm 晶圆尺寸而设计。 MA/BA6用于MEMS 应用、光学元件和复合半导体生产。 它在研究与开发环境中的多方面应用领域非常有说服力，在生产环境中也同样优秀，这得益于其良好的工艺成果。此外，SUSS的MJB系列，ABM的ABM/6/350/NUV/DCCD/M等产品也广受欢迎。

美军的生物联合防区外检测系统(JBSDS)。JBSDS是防区外化学与生物威胁监测的应用实例，利用激光雷达(LIDAR)来探测一定距离外的气溶胶。DARPA希望通过LUSTER项目开发出小巧的大功率紫外激光器来实现类似功能。 　　中新网3月6日电 据中国国防科技信息网报道，美国国防高级研究计划局(DARPA)启动了一项新研究，旨在开发出一种结构小巧、性能可靠的紫外线探测设备。 　　该研究项目名为&ldquo 战术有效的拉曼紫外激光光源&rdquo (LUSTER)。DARPA向业界寻求设计方案，以开发结构紧致、高效低成本、可灵活部署的深紫外(deep UV)激光生化战剂探测新技术。这种新技术可以节省空间、降低重量和功率需求，也比当前的同类装置要敏感很多。DARPA的目标是：新紫外激光器的体积不超过目前激光器的1/300，同时效率提高10倍。 　　拉曼光谱分析是利用激光来测量分子振动、从而迅速准确地识别未知物质的方法。紫外激光的波长特别适合进行拉曼分析，但美国国防部当前所使用的战术紫外线探测系统体积庞大、价格昂贵，其性能也有限。 　　DARPA项目经理丹格林介绍说，目前探测系统的体积和重量太大，需要用卡车运送，而LUSTER项目的目标是开发出具有突破性的化学与生物战剂探测系统，可以单兵携带，并且效率大幅提高，同时，DARPA希望新系统的价格也能在目前探测系统价格基础上&ldquo 抹去几个零&rdquo 。 　　目前&ldquo 紧凑型中紫外技术&rdquo (CMUVT)项目已经完成，DARPA希望在此基础上研制LUSTER。CMUVT项目研发出了创纪录的高效大功率中紫外线发光二极管，紫外线波长接近LUSTER的紫外光波长。 但发光二极管对化合物识别的灵敏度有限，因此DARPA希望LUSTER项目能够开发出新的激光技术，使其准确度和灵敏度不低于当前昂贵的激光系统，而其稳定性和成本又与发光二极管相当。 　　格林透露，除了用于探测战场或国内大规模恐怖袭击中可能出现的化学与生物战剂，紫外激光器还有许多其他用途，例如医疗诊断、先进制造和紧凑的原子钟。 　　LUSTER项目可考虑采用多种不同的技术方法，只要他们能够发出220-240纳米波长的深紫外光，其功率输出大于1瓦，功率转换效率大于10%，导线宽度小于0.01纳米。

p 　　6月21日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项(02专项)实施管理办公室组织专家在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所召开了“极紫外光刻关键技术研究”项目验收会。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。 /p p 　　极紫外(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。作为下一代光刻技术，被行业赋予拯救摩尔定律的使命。极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，项目指标要求高，技术难度大、瓶颈多，创新性高，同时国外技术封锁严重。 /p p 　　长春光机所自上世纪九十年代起专注于EUV/X射线成像技术研究，着重开展了EUV光源、超光滑抛光技术、EUV多层膜及相关EUV成像技术研究，形成了极紫外光学的应用技术基础。2002年，研制国内第一套EUV光刻原理装置，实现了EUV光刻的原理性贯通。2008年国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。长春光机所作为牵头单位承担起了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作，成员包括中科院光电技术研究所、中科院上海光学精密机械研究所、中科院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学。 /p p 　　项目研究团队历经八年的潜心钻研，突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台，圆满完成国家重大专项部署的研究内容与任务目标，实现EUV 光学成像技术跨越，显著提升了我国极紫外光刻核心光学技术水平。同时，项目的实施形成了一支稳定的研究团队，为我国能够在下一代光刻技术领域实现可持续发展奠定坚实的技术与人才基础。 /p p 　　验收会上，长春光机所所长贾平诚挚地感谢了与会专家及各合作单位对项目的大力支持。贾平指出从时机及技术难度方面考虑，EUV项目的布局正处于窗口期，希望国家给予持续稳定的支持。鼓励项目参研单位进一步发挥EUV学科优势，鼓足勇气并肩奋斗，在后续支持下取得更好的成果。 /p p 　　02专项总体组技术总师、中科院微电子所所长叶甜春做总结发言。叶甜春强调，在国际上EUV光刻大生产基地已经建立的形势下，我国EUV光刻研究要继续坚持下去，面向未来产业工程化需求，着力点要放在必须掌握的核心技术和有可能取得创新的突破点。此外，叶甜春评价光刻机队伍是承担最核心、最高端、最艰巨任务的队伍，也是专项团队中最有战斗力、最能抗压、最值得信任的主力部队。鼓励项目团队肩负重大任务的责任与使命感，继续坚持勇攀高峰。 /p p 　　02专项光刻机工程指挥部总指挥、前科技部副部长曹健林到会并致辞。作为国内最熟悉EUV光刻的领域专家，曹健林对我国EUV光刻技术能力的提升感到欣喜，他认为中国已初步具备光刻技术的研发能力，并向着产业化目标前进，30年前的“中国光刻梦”正在逐步变为现实，通过我国光刻技术研发能力的建设初步树立了坚持“中国光刻梦”的信心。 /p

2022年9月13日，国务院常务会议决定对部分领域设备更新改造贷款阶段性财政贴息和加大社会服务业信贷支持，政策面向高校、职业院校、医院、中小微企业等九大领域的设备购置和更新改造。贷款总体规模预估为1.7万亿元。2022年9月28日，财政部、发改委、人民银行、审计署、银保监会五部门联合下发《关于加快部分领域设备更新改造贷款财政贴息工作的通知》（财金〔2022〕99号），对2022年12月31日前新增的10个领域设备更新改造贷款贴息2.5个百分点，期限2年，额度2000亿元以上。因此今年第四季度内更新改造设备的贷款主体实际贷款成本不高于0.7%（加上此前中央财政贴息2.5个百分点）。这两大重磅政策提供极低利息的贷款给消费端提前进行设备购置和更新改造，推动我国仪器市场迎来新一波仪器采购大潮。仪器信息网注意到，11月份以来，各大高校发布了众多半导体设备采购意向。仪器信息网特汇总统计了光刻设备相关的采购意向，含激光直写设备和电子束曝光机，总预算约3.5亿元。11月发布的光刻设备相关的采购意向汇总序号项目名称预算金额(万元)采购单位预计采购时间意向原文1TX-深紫外光刻机(DUV)4200华中科技大学Dec-22意向原文2电子束光刻机3000清华大学Dec-22意向原文33D电子束光刻设备2800武汉大学Dec-22意向原文4电子直写设备2500复旦大学Dec-22意向原文5电子直写设备1800复旦大学Dec-22意向原文6TX-电子束曝光（EBL）1800华中科技大学Dec-22意向原文7电子束曝光系统1400浙江大学Dec-22意向原文8集成电路学院电子束曝光机采购1400中山大学Dec-22意向原文9100kV电子束曝光机1300浙江大学Dec-22意向原文10电子束曝光系统1280上海交通大学Dec-22意向原文11100kV电子束曝光机1150浙江大学Dec-22意向原文12电子束扫描直写系统910南开大学Dec-22意向原文13高精度电子束曝光机870北京师范大学Dec-22意向原文14双光子灰度对准光刻机690天津大学Dec-22意向原文15高性能激光直写系统650上海交通大学Dec-22意向原文16TX-高精度无掩膜光刻机500华中科技大学Dec-22意向原文17激光直写光刻系统500山东大学Jan-23意向原文18TX-对准光刻与晶圆键合机490华中科技大学Dec-22意向原文19双光子三维光刻系统480复旦大学Dec-22意向原文20激光直写系统420南开大学Dec-22意向原文21电子束光刻系统400武汉大学Dec-22意向原文22激光直写光刻机400浙江大学Dec-22意向原文23激光直写设备400重庆大学Dec-22意向原文24高分辨掩膜光刻机采购390西南大学Dec-22意向原文25光刻机360吉林大学Dec-22意向原文26电子束曝光系统350大连理工大学Nov-22意向原文27光刻机350清华大学Dec-22意向原文28无掩膜曝光机350清华大学Dec-22意向原文29三维微打印光刻系统340上海交通大学Dec-22意向原文30接触式紫外光刻机320清华大学Dec-22意向原文31无掩膜光刻机320天津大学Dec-22意向原文32集成电路科学与工程学院8英寸高精度光刻机284北京航空航天大学Dec-22意向原文33超高精密微立体光刻加工系统279厦门大学Dec-22意向原文34掩模版对准光刻系统270上海交通大学Dec-22意向原文35光刻机235大连理工大学Nov-22意向原文36大连理工大学面投影微立体光刻技术微尺度3D打印机采购（贷款项目）200大连理工大学Nov-22意向原文37紫外掩膜光刻机系统199大连理工大学Nov-22意向原文38光刻机199清华大学Dec-22意向原文39台式微纳结构高速直写系统180华东师范大学Nov-22意向原文40规模化集成电路无掩膜激光直写系统175北京科技大学Nov-22意向原文41激光直写光刻机系统175大连理工大学Nov-22意向原文42电子束曝光机维保160中国科学院微电子研究所Nov-22意向原文43北京理工大学激光直写设备采购145北京理工大学Dec-22意向原文44高精度无掩模纳米光刻微加工系统145浙江大学Dec-22意向原文45中国科学院大学集成电路学院计算光刻软件采购项目140中国科学院大学Nov-22意向原文 本次采购共含45项相关采购意向，其中16项为电子束曝光机。其中大部分采购定于12月份。采购预算最高的是深紫外DUV光刻机，价值4200万元，其次为电子束曝光机，价值3000万元。通知：免费学习+直播抽奖|第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议即将召开为加速国内半导体材料及器件发展，促进国内半导体材料与器件领域的人员互动交流，推动我国半导体行业的高质量发展。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。为回馈线上参会网的支持，增进会议线上交流互动，会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节，欢迎大家报名参会。同时，只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》（独家首发）一本，报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期，还有部分赞助厂商将抽取幸运观众，邮寄企业周边产品。本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia （内容更新中）或扫描二维码报名

近日，红相科技发布一款新品——TD120紫外成像仪。TD120是一款具备紫外双视场光学变焦的升级型紫外成像仪，具备小巧便携、操作简单、抗干扰能力强等特点。该产品采用红相专利全日盲技术，配备500米激光测距和环境传感器，可做到完全不受日光影响，满足全天候、全视域的检测需求。其特有的紫外增强模式，更能精准定位电晕、电弧等微小放电，辅以专业的分析和报告软件，为变电站和高压输、配电线路预防性检测提供有效帮助。产品特性紫外双视场 支持2倍光学变焦11.2°×8.4°/5.6°成4.2°双视场，兼顾看远察近。更高灵敏度紫外灵敏度达到2.0×10-18watt/cm2，干扰度小的场所可开启特有的紫外增强模式，算法优化、精度提高，更精准检测微小放电。增强环境传感器，500米激光测距精准测距有效减少测量误差，环境参数补偿，更有助放电强度分析和历史对比分析。人体工学设计，小巧便捷可旋转手柄，可调节目镜，支持单手操作和三脚架固定操作，便于现场检测。加大5.5寸液晶显示屏智能菜单，自定义功能键1920×1080高像素产品参数紫外光光学特性最小紫外光灵敏度2.0×10-18watt/cm2最小放电灵敏度1.0pC@15m波长范围240-280nm视场角11.2°×8.4°/5.6°成4.2°双视场光子计数支持放大倍数2×/4×/8×成像功能液晶显示屏5.5°AMOLED液晶屏紫外增强模式支持接口视频输出HDMI激光测距500米，可同步近距离传感器可自动息屏温湿度传感器自动同步Type-C数据传输蓝牙/WIFI/GPS有4G支持扩展三脚架接口1/4“-20电源系统外接电源DC:9V-12V电池类型锂电池电池工作时间4h连续（常温）环境参数工作温度-20℃~+55℃存储温度-30℃~+60℃湿度90%（无凝结）防护等级IP54物理特性尺寸305mm×169mm×160mm重量2.5KG配置标准配置紫外热像仪，电池，充电器，SD卡，SD卡读卡器，视频线，USB线，适配器，U盘，安全箱，耳机说明书，保修卡，合格证可选配置三脚架关于红相科技浙江红相科技股份有限公司创立于2005年10月，是一家专注红外、紫外、气体成像技术创新和产业化的高新技术企业、国家重点软件企业。十多年来，为全球100多个国家提供了数十万套红外热像仪、紫外成像仪、气体成像仪，产品专业应用于电力、国防、环保、疫情防控等领域，为社会和人类安全保驾护航。2020年初新冠疫情突然爆发，公司生产的人体测温红外热像仪为疫情防控做出重要贡献，工信部将其列为疫情防控物资重点保障企业，受到各级政府书面嘉奖。秉持“为客户创造价值、为奋斗者提供平台、为社会进步贡献力量”核心价值观，以“使世界更安全”为愿景，矢志成为一家受人尊敬的、全球卓著的专业公司和红外、紫外、气体成像技术的领跑者。

2015年8月24日，上海——科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技（以下简称：赛默飞）近日发布采用可见分光光度法把关零食蜜饯食用安全的解决方案，旨在帮助检测机构通过便捷易行的检测方法，快速测定蜜饯产品中的非法添加剂和重金属。近期多家媒体栏目曝光了山东、杭州等地部分工厂蜜饯生产加工过程中存在严重漏洞，沪上某知名零食生产商销售的蜜饯也遭到曝光。节目显示，多数出厂的蜜饯都是经过腌制的，而腌制的地方就是路边水泥池，现场曝光了路边一个大水泥池里泡着5万斤左右的桃肉。漂白蜜饯再次引起了大家的广泛关注。 国家一直都有相关的标准保证蜜饯的质量安全，GB/T10782-2006《蜜饯通则》和GB14884-2003《蜜饯卫生标准》对蜜饯质量安全指标及限制都有明确的要求。其中紫外可见分光光度计作为常规实验室分析仪器，以其灵敏度高、选择性好、准确度高等优势得到了广泛的应用。拥有70年光谱制造经验的赛默飞紫外-可见分光光度计广泛应用于科研、教学、食品安全监测、制药、水质检测、质量控制和临床医学等领域。其中Thermo ScientificTM GENESYS 10S 紫外-可见光分光光度计与Thermo ScientificTM EvolutionTM 201紫外-可见光分光光度计完全符合蜜饯质量安全检测的应用需求。检测方法：1.总砷1-1银盐法 试样经过消化后，以碘化钾、氯化亚锡将高价砷还原为三价砷，然后与锌粒和酸产生的新生态氢生产砷化氢，经过银盐溶液吸收后，形成红色胶状物，与标准系列比较定量。1cm比色皿，520nm处测吸光值。1-2 硼氢化物还原比色法 试样经消化后，其中砷以五价形式存在。当溶液氢离子浓度大于0.1mol/L时，加入碘化钾-硫脲并结合加热，能将五价砷还原为三价砷。在酸性条件下，硼氢化钾将三价砷还原为负三价，形成砷化氢气体，导入吸收液中呈黄色，黄色深浅与溶液中砷含量成正比。与标准系列比较定量。1cm比色皿，400nm处测吸光值。2.铜 二乙基二硫代氨基甲酸钠法，试样经消化后，在碱性溶液中铜离子与二乙基二硫代氨基甲酸钠生产棕黄色络合物，溶于四氯化碳，与标准系列比较定量。2cm比色皿，440nm处测吸光值。3.亚硫酸盐 盐酸副玫瑰苯胺法：亚硫酸盐与四氯化汞钠反应生产稳定的络合物，再与甲醛及盐酸副玫瑰苯胺作用生成紫红色络合物，与标准系列比较定量。1cm比色皿，550nm处测吸光值。4.铅 二硫腙比色法：试样经消化后，在pH8.5-9时，铅离子与二硫腙生成红色络合物，溶于三氯甲烷。加入柠檬酸铵、氰化钾和盐酸羟胺等，防止铁、铜、锌等离子干扰，与标准系列比较定量。1cm比色皿，510nm处测吸光值。5.食品添加剂 苋菜红铝色淀含量 将苋菜红铝色淀与已知含量的苋菜红标准品分别用水溶解后，在最大吸收波长处，分别测其吸光度，然后计算其含量的质量分数。6. 食品添加剂 柠檬黄含量 将试样与已知含量的柠檬黄标准品分别用水溶解，用乙酸铵溶液稀释定容后，在最大吸收波长处分别测其吸光度值，计算含量。7.食品添加剂 日落黄含量 将试样与已知含量的日落黄标准品分别用水溶解，用乙酸铵溶液稀释定容后，在最大吸收波长处分别测其吸光度值，计算含量。8.食品添加剂 亮蓝含量 将试样与已知含量的亮蓝标准品分别用水溶解，在最大吸收波长处分别测其吸光度值，计算含量。9.食品添加剂 诱惑红含量 将试样与已知含量的诱惑红标准品分别用水溶解，在最大吸收波长处分别测其吸光度值，计算含量。10.食品添加剂胭脂红含量 将试样与已知含量的标准品分别用水溶解，在最大吸收波长处分别测其吸光度值，计算含量。更多产品信息，请查看：www.thermoscientific.cn/products/uv-vis-vis-instrumentation.html -----------------------------------------------------------关于赛默飞世尔科技 赛默飞世尔科技（纽约证交所代码：TMO）是科学服务领域的世界领导者。公司年销售额170亿美元，在50个国家拥有约50,000名员工。我们的使命是帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。我们的产品和服务帮助客户加速生命科学领域的研究、解决在分析领域所遇到的复杂问题与挑战，促进医疗诊断发展、提高实验室生产力。借助于首要品牌Thermo Scientific、Applied Biosystems、Invitrogen、Fisher Scientific和Unity Lab Services，我们将创新技术、便捷采购方案和实验室运营管理的整体解决方案相结合，为客户、股东和员工创造价值。欲了解更多信息，请浏览公司网站：www.thermofisher.com赛默飞世尔科技中国 赛默飞世尔科技进入中国发展已有30多年，在中国的总部设于上海，并在北京、广州、香港、台湾、成都、沈阳、西安、南京、武汉、昆明等地设立了分公司，员工人数约3700名。我们的产品主要包括分析仪器、实验室设备、试剂、耗材和软件等，提供实验室综合解决方案，为各行各业的客户服务。为了满足中国市场的需求，现有8家工厂分别在上海、北京和苏州运营。我们在全国共设立了6个应用开发中心，将世界级的前沿技术和产品带给国内客户，并提供应用开发与培训等多项服务；位于上海的中国创新中心结合国内市场的需求和国外先进技术，研发适合中国的技术和产品；我们拥有遍布全国的维修服务网点和特别成立的中国技术培训团队，在全国有超过2000名专业人员直接为客户提供服务。我们致力于帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。欲了解更多信息，请登录网站：www.thermofisher.com

领先的Thermo Scientific NanoDrop 产品可测量难以置信的少量样品，同时极其快速的获得结果。 Thermo Scientific NanoDrop 2000 和 NanoDrop™ 2000c使用了专利的样品保持系统, 可分析0.5 μl - 2.0 μl的样品,无需比色皿或毛细管 机械臂合拢后形成了样品液柱 自动移动基座,调节到最佳光程(0.05 mm - 1 mm) 2009年9月10日：您想知道在研发实验室中如何进行基因测试吗？您是否想过在器官移植之前，确保捐赠者和接受者的DNA相容性测试的复杂性？ Thermo Scientific NanoDrop产品可更加轻松完成这些或其他应用，因为可减少所需样品量，更快的获得结果，时间对于敏感的病人非常关键。该技术应用广泛，从一般的实验室分子技术，例如DNA扩增，到门诊环境，例如器官移植之前的组织交叉配型。 据科学仪器事业部（SID）的微量紫外可见产品市场经理Philippe Desjardins提到，Thermo Scientific NanoDrop 技术是一种先进而巧妙的DNA和蛋白质测量方法。他认为其革命性的特点是利用微小的液滴（大约为泪滴的1/100）作为样品，约3秒内完成一次测试。“Nanodrop改变了实验室流程，因为之前没有任何仪器可以如此有效的进行如此少量样品的测试，”Philippe说。 Nanodrop产品是一种独特的仪器，是对科学家进行DNA和蛋白质测量的一次革命。简单来说，测量前样品必须放入某种容器中，例如试管，比色皿或毛细管。该技术利用样品本身的物理性质保持在某个位置，因此无需使用容器。专利的样品保持系统利用小液滴样品的表面张力，在两光纤之间形成液柱，光通过液柱时确定样品的吸收光谱和浓度。 “基本上，过去采用传统的比色皿光谱仪进行吸光度测量是一种负担，”Philippe说。“如今，只需将样品的液滴放在光学装置表面，几秒内就能知道答案——这就是Nanodrop技术。它轻松解决了过去的问题。” 该技术用于许多重要的分子研究技术，例如基因分型（例如，用于确定某个人或物种的基因组成，调查某个人是否携带疾病有关的基因或病毒的微量爆发）；遗传研究的遗传密码序列；和组织配型（用于测试器官捐赠者和接受者的组织样品，以确定其相容性）。 基于NanoDrop仪器的微量体积新方法发表于著名的Wiley & Sons’ Current Protocols in Molecular Biology，证实了NanoDrop技术在科学领域的有效性。该技术对于科学领域的深刻影响促使其包括在两个协议中：Current Protocols in Protein Science 和 Current Protocols in Human Genetics. 据Philippe介绍，这意义重大，因为该公司是创新的NanoDrop技术的领导者，并在微量体积方法的课题中保持权威地位。“没有任何竞争者有与之媲美的产品”Phillippe说。“这显著增强了我们在该领域的领导地位。” 这些协议在全世界的实验室中用作标准教学和参考指南，并具有严格的发布指南；该领域顶尖的科学家会受邀介绍新的前沿研究方法，这些方法在获得认可之前会受到严格评审。 “对于我们，这是巨大的荣誉，因为你的技术并不是每天都能发表在生命科学领域最有声望的协议集中，”Philippe说。 发表于著名协议已经证实，这种创新技术已被认可为实验室标准，Philippe认为客户的忠诚度也同样意义重大。“人们喜欢这个方法，因为检测值质量得以显著提高，只需更小的样品，测量速度更快并且避免了人为的错误，”Philippe说。 协议中的Thermo Scientific NanoDrop部分是多个Thermo Fisher专家共同努力的结果，包括权威专家Philippe Desjardins，Joel Hansen，最近退休的Nanodrop产品技术经理，在Wilmington, delawware帮助准备了草稿，以及Michael Allen，位于Madison Wisconsin的SID的紫外可见光产品经理，校对并确认了有关内容。Thermo Fisher的Thermo Scientific Nanodrop团队优化了用于微量体积方法的协议。“这种团队力量代表了Thermo Fisher知识和专业能力的优势,”Philippe说。 欲了解更多详情，请登陆：http://www.nanodrop.com/。 关于赛默飞世尔科技（Thermo Fisher Scientific） 赛默飞世尔科技有限公司（Thermo Fisher Scientific Inc.）（纽约证交所代码：TMO）是全球科学服务领域的领导者，致力于帮助客户使世界变得更健康、更清洁、更安全。公司年度营收达到105亿美元，拥有员工34,000多人，为350,000多家客户提供服务。这些客户包括：医药和生物技术公司、医院和临床诊断实验室、大学、研究院和政府机构以及环境与工业过程控制装备制造商等。该公司借助于 Thermo Scientific 和 Fisher Scientific 这两个主要品牌，帮助客户解决从常规测试到复杂的研发项目中所面临的各种分析方面的挑战。Thermo Scientific 能够为客户提供一整套包括高端分析仪器、实验室装备、软件、服务、耗材和试剂在内的实验室工作流程综合解决方案。Fisher Scientific 则提供了一系列用于卫生保健，科学研究，以及安全和教育领域的实验室装备、化学药品以及其他用品和服务。赛默飞世尔科技将努力为客户提供最为便捷的采购方案，为科研的飞速发展不断地改进工艺技术，并提升客户价值，帮助股东提高收益，为员工创造良好的发展空间。欲获取更多信息，请登陆：www.thermofisher.com（英文），www.thermo.com.cn（中文）。

雨水收集早已不是新鲜概念，全球各国在雨水收集方面的经验颇丰。海绵城市是城市雨水管理概念在国际范围内中国化的体现。外国对海绵城市建设的探索可以追溯到19世纪，20世纪70年代开始大规模进行海绵城市建设。巴黎的排水系统早在1852年就列入了建筑规划；1859年伦敦地下排水系统开始建设，6年完成，全长2000千米。1972年以前，美国还没有防洪防涝体系，之后由于污染和城市内涝等原因，开始规划建设大型排水系统。由于1974年的洪灾，澳大利亚在1975年就开始了城市内涝系统的规划建设；日本东京在1992年就开始了 “地下神庙”的建设。雨水收集回用系统中的紫外线消毒器的优点这种灭菌可以在1-2秒内将细菌和病毒的灭菌率提高到99％-99.9％ 这种消毒是广泛的，可以高效杀死细菌和病毒 消毒过程中没有二次污染。紫外线消毒和灭菌技术不需要化学药品 这种消毒方法不会对水体和周围环境造成二次污染 操作安全可靠, 因此雨水收集系统中的紫外线消毒器没有安全问题 消毒方法成本低廉，并且操作和维护成本高。紫外线消毒设备需要更少的空间 总投资相对较少，可处理数千吨水，成本仅为氯消毒的一半，因此可降低运营成本。紫外专家VIQUA的解决方案VIQUA紫外杀菌系统针对雨水收集回用有多种方案，您可以选择带有前置过滤和紫外杀菌器的集成系统，亦可选择独立的紫外杀菌系统以匹配现场应用。END

p 　　日前，全国光学和光子学标准技术委员会电子光学系统分技术委员会(SAC/TC103/SC6)秘书处发布关于征求《激光器和激光相关设备 光腔衰荡高反射率测量方法》等3项国家标准(征求意见稿)意见的通知。 /p p 　　根据通知内容，由全国光学和光子学标准技术委员会、电子光学系统分技术委员会(SAC/TC103/SC6)负责归口的《激光器和激光相关设备光腔衰荡高反射率测量方法》、《激光器和激光相关设备-标准光学元件-第1部分：紫外、可见和近红外光谱范围内的元件》、《激光器和激光相关设备-标准光学元件-第2部分：红外光谱范围内的元件》等3项国家标准已完成，现公开征求意见，截止日期11月17日。 /p p 　　 span style=" FONT-FAMILY: 楷体,楷体_GB2312, SimKai" 近年来随着薄膜沉积技术的发展，光学薄膜，尤其是广泛应用于大型高功率激光装置、干涉引力波探测、激光陀螺、腔增强和腔衰荡光谱测量中的高反射薄膜的性能获得了极大的提高。激光光学系统中需要用到一些反射率很高(高于99.9%甚至99.99%)的反射元件，必须精确测量其反射率(测量重复性精度达到0.001%甚至更低)。 /span /p p span style=" FONT-FAMILY: 楷体,楷体_GB2312, SimKai" 　 strong 　 /strong a title=" " href=" http://www.sac.gov.cn/gzfw/zqyj/201710/P020171023319778323438.rar" target=" _blank" strong 1.《激光器和激光相关设备 光腔衰荡高反射率测量方法》(征求意见稿)及编制说明 /strong /a /span /p p 　　本标准规定了激光光学元件反射率的测量方法，适用于激光光学元件高于99%的反射率的精确测量。 /p p 　　基于光腔衰荡技术，本标准的测试方法和流程可实现激光光学元件的高反射率(大于99%，理论上可达100%)测量，且精度高、重复性和再现性好、可靠性高。特别是大于99.9%的反射率的准确测量对发展高性能反射激光元件具有重要意义。 /p p 　　 span style=" FONT-FAMILY: 楷体,楷体_GB2312, SimKai" 目前，激光应用领域越来越多，包括医疗、材料处理、信息技术和计量等等。激光器及激光系统一般要用到光学窗口、反射镜、分光镜和透镜等光学元件，为防止激光损伤，这些光学元件要禁得起激光系统高峰值功率/能量密度的技术要求，这对光学元件提出了更高的制造要求。另外，随着我国光学与光电子产业的迅猛发展，光学元件加工制造形成了相当的产业规模，在满足国内要求的同时，产品正在走向国际化。因此对此类光学元件标准化的要求越来越高。 /span /p p 　　 a title=" " href=" http://www.sac.gov.cn/gzfw/zqyj/201710/P020171023319792051186.rar" target=" _blank" strong 2.《激光器和激光相关设备-标准光学元件-第1部分：紫外、可见和近红外光谱范围内的元件》(征求意见稿)及编制说明 /strong /a /p p 　　本部分规定了紫外、可见和近红外波段，波长从170nm至2100nm光谱范围内的激光光学元件的要求。适用于激光器和激光相关设备使用的标准光学元件，包括平面、平面球面和球面基片不包括镀膜后的光学元件，透镜和按规定设计由供应商提供的其它标准光学元件。 /p p 　　本部分的发布可以填补我国用于紫外、可见和近红外光谱范围标准激光光学元件要求的空白 同时，通过规定优先的尺寸和公差，来减少元件的种类，通过标准化的规定，去除贸易壁垒，并通过建立一致的订单标识使备件的供应更加便利。 /p p 　　 a title=" " href=" http://www.sac.gov.cn/gzfw/zqyj/201710/P020171023319805778591.rar" target=" _blank" strong 3.《激光器和激光相关设备-标准光学元件-第2部分：红外光谱范围内的元件》(征求意见稿)及编制说明 /strong /a /p p 　　本部分规定了近红外到中红外波段，波长从2.1mm至15mm光谱范围内的激光光学元件的要求。适用于激光器和激光相关设备使用的标准光学元件，包括平面、平面球面和球面基片不包括镀膜后的光学元件，透镜和按规定设计由供应商提供的其它标准光学元件。 /p p 　　本部分的发布可以填补我国用于红外光谱范围标准激光光学元件要求的空白 同时，通过规定优先的尺寸和公差，来减少元件的种类，通过标准化的规定，去除贸易壁垒，并通过建立一致的订单标识使备件的供应更加便利。 /p p 　　联系地址：北京市海淀区车道沟十号院科技一号楼 兵器标准化所 电光系统分标委秘书处 010-68962373 /p p 　　邮编：100089 /p p 　　联系电话：010-6896 2373 /p p 　　传 真：010-6896 3156 /p p 　　邮件地址： a href=" mailto:bzsbjw@126.com" bzsbjw@126.com /a /p

电子束曝光机概述电子束曝光（EBL，也称之为电子束光刻）始于上世纪60年代，是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术，是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶相互作用，使胶由长（短）链变成断（长）链，实现曝光，相比于光刻机具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。目前，活跃在科研和产业界的电子束光刻设备主要是高斯束、变形束和多束电子束，其中高斯束设备相对门槛较低，能够灵活曝光任意图形，被广泛应用于基础科学研究中，而后两者则主要服务于工业界的掩模制备中。电子束光刻的主要优点是可以绘制低于10nm分辨率的定制图案（直接写入）。这种形式的无掩模光刻技术具有高分辨率和低产量的特点，将其用途限制在光掩模制造，半导体器件的小批量生产以及研究和开发中。我国电子束曝光技术是六十年代后期开始发展起来的,到七十年代,近十家从事电子束曝光技术研究的单位,在北京、上海、南京分别以大会战的方式组织了较强力量的工厂、研究所和高等院校研制。当时由于国内缺乏基础,而电子束曝光本身又是一种多学科的综合性技术,几年之后,许多单位因任务改变而结束了此项工作。在2000年后电子束光刻设备研发热度逐渐降低甚至一度搁置。在《瓦森纳协定》禁止向中国提供高性能电子束光刻设备后，国内电子束光刻设备研发才重新被提起。在此之前，国内从事和引导电子束光刻设备研发的单位主要有中国科学院电工研究所、中国电子科技集团有限公司第四十八研究所、哈尔滨工业大学和山东大学等。目前性能最优的国产化电子束光刻设备包括中国电子科技集团有限公司第四十八研究所在2005年通过验收的DB-8型号电子束曝光设备，对应0.13μm的半导体制程；中国科学院电工研究所2000年完成的DY-7 0.1μm电子束曝光系统可加工80 nm的间隙，在2005年交付的基于扫描电镜改装的新型纳米级电子束曝光系统，其系统分辨率可达30 nm，束斑直径6 nm。国内电子束光刻研究主要类型为高斯束，上述提及的设备均为高斯束类型，而在变形束方面主要有电工所DJ-2 μm级可变矩形电子束曝光机的研究成果，可实现最小1 μm的线宽，束斑尺寸0.5~12.5 μm区间内可调。而在多束方面在过去并无相关研究，仅有电工所开展了多束的前身技术——投影电子束曝光的研究，设备代号为EPLDI。在中国科学院电工研究所和中国电子科技集团有限公司第四十八研究所的牵头下，研发过程中将整机拆分为多个关键零部件和技术进行阶段性攻关，包括精密工件台、真空系统、图形发生器、偏转和束闸等。国内研发设备的加速电压停留在30 kV以下，扫描速度普遍不超过10 MHz，相应的拼接套刻精度均在亚微米量级，而电子束束斑在整机自主化研发设备中由于热发射钨电子枪和LaB6的限制停留在几十纳米量级，整体设备性能与国外顶尖设备有较大的差距。市场概况根据QYResearch研究团队调研统计，2022年全球电子束光刻系统(EBL)市场销售额达到了13亿元，预计2029年将达到22亿元，年复合增长率（CAGR）为6.9%（2023-2029）。电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。电子束光刻系统(EBL)即用于实现电子束曝光的系统。全球电子束光刻系统（Electron Beam Lithography System (EBL)）的主要参与者包括Raith、Vistec、JEOL、Elionix和Crestec。全球前三大制造商的份额超过70%。日本是最大的市场，占有率约为48%，其次是欧洲和北美，占有率分别约为34%和12%。就产品而言，高斯光束EBL系统是最大的细分市场，占有率超过70%。在应用方面，应用最多的是工业领域，其次是学术领域。国外主流企业及进展RaithRaith是纳米制造、电子束光刻、FIB SEM纳米制造、纳米工程和逆向工程应用的先进精密技术制造商。客户包括参与纳米技术研究和材料科学各个领域的大学和其他组织，以及将纳米技术用于特定产品应用或生产复合半导体的工业和中型企业。Raith成立于1980年，总部位于德国多特蒙德，拥有超过250名员工。公司通过在荷兰、美国和亚洲的子公司，以及广泛的合作伙伴和服务网络，与全球重要市场的客户密切合作。Raith主要有五款EBL产品，EBPG Plus、Voyager、RAITH150 Two、eLINE Plus和PIONEER Two。EBPG Plus是一种超高性能电子束光刻系统。100kv写入模式和5 nm以下的高分辨率光刻，涵盖了各种纳米制造设备中直接写入纳米光刻、工业研发和批量生产的广泛前沿应用。新系统集稳定性，保真度和精度于一体，确保最佳的高分辨率光刻结果的所有性能参数之间的完美交互。Raith VOYAGER 光刻系统使用场发射电子源，具有可变的 10-50 keV 加速电位，50 兆赫兹偏转系统具有实时动态校正和单级静电偏转功能，可在小至 8 nm 的光刻胶中定义单线图案。激光控制平台能够加载NBL（Nanobeam）NanoBeam是一家英国公司，成立于2002年，主要生产高性能和高性价比的电子束光刻工具。据媒体报道，2016年，徐州博康收购了NBL落户徐州经济技术开发区，并将在园区内主要生产电子束光刻机、扫描电镜、高压电源以及电子束枪、无磁电机等高科技产品。NBL的电子束光刻机线宽小于8nm的工艺，相关产品已销往因英、美、德、法、瑞典、韩国等国家，中国的中科院微电子所、13所、55所、北京大学等单位已引进15台。Nanobeam 推出的NB5型电子束光刻机依靠特有双偏转系统和共轭关闸，实现在8英寸晶圆（兼容更小尺寸，任意形状样品）的样品单次曝光制备5nm图形结构。电子束加速电压20-100kV连续可调，束流0.2-120nA，写场拼接精度≤10nm，套刻精度≤10nm。3nm束斑直径时，束流可达到2nA。JEOL日本电子株式会社（JEOL Ltd., 董事长：栗原 权右卫门） 是世界顶级科学仪器制造商，成立于1949 年，总部设在日本东京都昭岛市武藏野3丁目1番2号，其事业范围主要有电子光学仪器、分析仪器、测试检查仪器、半导体设备、工业设备、医疗仪器等制造、销售和研发。JEOL集团的业务包括三个部分：科学/计量仪器、工业设备以及医疗器械。JEOL的电子束曝光机产品主要有电子束光刻系统(可变矩形束电子束光刻)、电子束光刻系统(圆形电子束光刻)等 。1967年，JEOL完成JBX-2A 电子束光刻系统；1998年，JBX-9000MV 电子束光刻系统完成；2002年，JBX-3030 系列电子束光刻系统完成；2017年，与IMS共同发布世界首台量产化电子束光刻机并投入市场。目前，JEOL的电子束曝光机产品主要包括JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统、JBX-3050MV 电子束光刻系统、JBX-3200MV电子束光刻系统、JBX-9500FS电子束光刻系统和JBX-6300FS电子束光刻系统。JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统JBX-8100FS圆形电子束光刻系统，具备高分辨率和高速两种刻写模式，非常适用于超微细加工以及批量生产。该设备减少了刻写过程中的无谓耗时，并将扫描频率提升至业界高水准的125MHz (以往机型的1.25～2.5倍)，使其具备更高的生产能力。JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具高水平的产出量和定位精度，最大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为（计算值）2.1nm的电子束，简便地描画出线宽在8nm以下（实际可达5nm）的图形。 此外，该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度，性能比优越。利用最细电子束束斑（实测值直径≦2.9nm）可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细的图形。JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。Hitachi日立（HITACHI）是来自日本的全球500强综合跨国集团，1979年便在北京成立了第一家日资企业的事务所。日立在中国已经发展成为拥有约150家公司的企业集团。为更好地解决邻近效应和 高加速压电子对器件的损伤问题，低能微阵列平行电子束直写系统将有希望成为纳米光刻的最好选择。开展这方面研发有代表性的是美国 ETEC 公司和日本的日立公司。日立推出的50 kV 电子束 （EB） 写入系统HL-800M，为 0.25 - 0.18 微米设计规则掩模制造而开发，并得到了广泛的应用。 HL-800M1999年12月，日立公司宣布推出HL-900M系列电子束光掩模写入系统，该系统是为满足用户对高精度掩模的需求而开发的。该系统基于HL-800M系列，引入了新的电子光学、低失真级和并行处理功能，用于处理大量数据，以实现更高的精度和更高的吞吐量。书写系统并不是实现高级掩模的唯一因素；制造工艺也很重要，并且在掩模制造工艺中使用化学放大抗蚀剂方面正在取得进展。HL-900M系列以150纳米或更高分辨率的高精度标线片制造为目标。该系统基于HL-800M，为了提高精度，引入了（1）高精度电子光学，（2）低失真载物台，（3）高精度温度控制系统，以及（4）用于处理大体积图案数据的并行处理功能。ElionixELIONIX成立于1975年，是一家从事纳米级加工与检测的中小企业。ELIONIX拥有资本金2亿7000万日元，目前共有员工100名。成立40余年，ELIONIX专注于电子束光刻、电子束硬盘刻蚀、超微材料分析等技术的研发，获奖无数，并成为以上技术市场中的隐形冠军。2004年以后，ELIONIX积极进军海外市场，目前客户遍布于美国，欧洲，中国等知名大学（哈佛、麻省理工学院，清华、北大等）和公共研究所。ELIONIX的电子光刻装置能够稳定且精准地控制电子束，同时将震动和磁场等外部干扰因素降到最低，电子束最细可达5纳米。ELIONIX的电子光刻装置拥有着世界顶级水平，目前占有50%以上的世界市场份额。ELS-F125是Elionix推出的世界上首台加速电压达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。ELIONIX的电子束光刻ELS系列可应用于光集成电路、SAW元器件以及其他各种传感器上。除了电子束，ELIONIX还有离子束光刻装置。2023年，ELIONIX发布了电子束光刻系统“ELS-HAYATE”。这是最新型号，具有业界最快的 400MHz 扫描频率和业界最大的 5mm 视场尺寸。ADVANTESTAdvantest（ADVANTEST CORPORATION）是一家日本半导体设备公司，专门提供广泛的半导体设备测试解决方案。该公司成立于1954年，现已成为半导体行业的领先企业之一。爱德万测试（ADVANTEST）的F7000 电子束光刻系统具有高通量和卓越的分辨率，并能够在1X-nm技术节点的晶圆上创建非常精确和平滑的纳米图案。其字符投影、直接写入技术使其非常适合作为研发和原型设计的设计工具，以及生产小批量多类型设备的 LSI 生产线的解决方案。F7000 支持各种材料、尺寸和形状的基板，包括纳米压印模板和晶圆，并针对各种应用进行了优化，例如高级 LSIs、光子学、MEMS 和其他纳米工艺。此外，用户还可以选择最适合其需求的配置，无论是独立配置还是在线配置，使 F7000 能够支持从研发到批量生产的各种应用。IMS NanofabricationIMS成立于1985年，位于奥地利维也纳，在2009年获得了英特尔的投资，并在2015年最终被英特尔收购。自从被英特尔收购以后，IMS在 2016 年发布了第一款商用多束掩模写入器MBMW-101，该产品比 EUV光刻工具精度更高，但速度非常慢，这是它们仅用于制造掩模版的一个重要原因。IMS Nanofabrication是NuFlare（东芝）的竞争对手，但东芝的工具不太精确，而且速度较慢。此外，NuFlare的多束掩模写入器在IMS Nanofabrication研发多年后才开始进入市场。超过90%的生产EUV掩模是使用IMS Nanofabrication 的多光束掩模写入器制造的。如果没有IMS Nanofabrication的掩模写入器，所有EUV工艺技术都将陷入停顿。EUV工艺技术被用于7nm以来的所有台积电、英特尔的工艺节点。2023年，英特尔公司宣布出售其旗下子公司IMS Nanofabrication 20%的股权，交易金额为8.6亿美元。此次交易将使英特尔公司减少对该公司的控制权，但仍将继续与IMS Nanofabrication保持合作关系。台积电在9月12日的临时董事会上宣布，拟不超4.328亿美元收购英特尔手中IMS Nanofabrication约10%股权。MBMW-101完全开发的多束掩模写入器（MBMW）为28至5nm的掩模技术节点提供精度和极高的生产率。2014年2月，世界上第一台用于6英寸光掩模的多束掩模写入器 MBMW Alpha工具问世。2016年，MBMW的数据速率提高了10倍，达到120 Gbit/s。截至2016 年，IMS 一直为掩模行业提供MBMW-101掩模写入器生产工具，用于 7 纳米技术节点。CRESTEC株式会社CRESTEC于1995年在东京成立以来一直专注于EBL技术。作为世界上为数不多的EBL设备专业制造商之一，在世界范围内EBL光刻机的销售实绩已经超过100台。其制造的电子束光刻机以其独特的专业技术，超高的电子束稳定性，电子束定位精度以及拼接套刻精度赢得了世界上著名科研机构以及半导体公司的青睐。其中 CABL 系列更是世界上仅有的产品之一。通过日本丰港株式会社在东亚及北美地区国家开展业务，实现产品知名度提升也会用户解决了实际需求。CRESTEC CABL 系列采用专业的恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部精密传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达5小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。由于EBL刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。CRESTEC CABL 系列采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。VistecVistec Electron Beam集团是设计、生产电子束光刻系统的国际顶级企业，为前沿电子束光刻领域提供尖端技术解决方案。Vistec集团在德国和美国拥有生产基地，在美国、欧洲、中国、日本、台湾和韩国设有技术服务中心。集团包括两部分，德国耶拿的Vistec电子束有限公司主要生产成形电子束光刻系统。美国纽约密执安的Vistec光刻公司主要生产高斯圆形束电子束光刻系统。Vistec的光刻系统是以可变形状光束（VSB）原理为主，其中使用强度均匀分布的可变形状和尺寸的电子束在基材上光刻光阻图案（也称为曝光或写入）。此外可使用更复杂的电子束形状即客制固定形状进行曝光，特别是使用这些技术能加快电子束的写入速度。基于可变异形光束（VSB）的原理，这些系统可用于各种直接结构化，例如在硅和化合物半导体晶圆上直接生成结构，用于光掩模的生产以及集成光学和光子学的应用。可变形状光束光刻系统主要用于应用研究、掩模和玻璃基板市场以及半导体行业。Vistec的电子束光刻系统在半导体制造中被广泛应用，用于芯片的制备和加工，包括先进的逻辑芯片、存储芯片、传感器芯片等。目前主要型号包括VISTEC SB3050-2和SB254。Vistec SB3050-2 是一款基于可变形状光束的高分辨率电子束光刻系统，可实现 300 mm 晶圆和 9 英寸掩模的完全曝光。Vistec SB254是一款通用的 VSB 电子束光刻系统，可完全曝光最大200 mm晶圆和 7”掩模。NuflareNuFlare(中文：株式会社紐富来科技)在2002年8月成立，是从东芝机械剥离出来的企业，2018年， 他们的销售额为587亿日元，员工人数为626人。NuFlare位于日本的神奈川线，主要的产品是半导体生产设备。其中掩膜光刻设备(40-45亿日元/台)占销售额的90%。1976年12月，以电子束掩膜光刻设备为中心的半导体制造设备业务的技术从株式会社东芝移交给东芝机械株式会社。1984年6月，公司与株式会社东芝综合研究所联合完成Variable Shaped Beam（可变形电子光束）型首台机——电子束掩膜光刻设备“EBM-130V”。1998年，通过与株式会社东芝的联合项目，开发Variable Shaped Beam（可变形电子光束）型电子束掩膜光刻设备EBM-3000，并进行产品化，成为了首台商用机，对应电路线宽为180 nm-150nm。开发并投产能够应对90nm制程的电子束掩膜光刻设备EBM-4000，并进行产品化（至此为东芝机械株式会社半导体设备事业部）。2002年，株式会社紐富来科技全面继承东芝机械株式会社半导体设备事业部的业务，并开始开展业务。2004年，NuFlare开发应对电路线宽65nm的“EBM-5000”，并进行产品化。2008年，开发并投产EBM-7000（应对32nmhp制程）。2011年，开发并投产EBM-8000（应对14nmTN/22nmhp制程）。2013年，开发并投产EBM-9000（应对10nmTN制程）。2019年，开发并投产EBM-9500PLUS（应对TN5nm/7nm+制程），并开发EBM-8000P（应对14/16nm、22-45nmhp制程）。2022年，开发并投产MBM™-2000（应对3nmTN制程）。NuFlare主要是由东芝机械与东芝合资成立的半导体先进制程设备，主要产品线是光罩微显影及缺陷检测。Nuflare原本是于1997年作为生产和销售印刷设备、造纸设备的东芝机械冲压工程设备公司成立，2002年从东芝机械继承了半导体生产设备业务，并开始了事业。与东芝集团的资本关系始于2002年东芝收购Nuflare的普通股份，后来慢慢提高出资比例，到2012年成为东芝的关联子公司。早前，东芝宣布要将NuFlare全盘拿下，但却半路杀出了个程咬金HOYA。HOYA在半导体制程中所使用的光罩基板拥有 7 成以上市占，另外该公司也有提供光罩解决方案。若HOYA能取得Nu装技术。该公司的 MEMS 技术是在 Zyvex 为期 5 年、耗资 2500 万美元的 NIST ATP 项目期间开发的，目前正用于制造微型科学仪器，例如微型扫描电子显微镜和微型原子力显微镜，以及下一代纳米探测系统。2022年，Zyvex Labs宣称推出世界上最高分辨率的光刻系统 — ZyvexLitho1，该工具使用量子物理技术来实现原子精度图案化和亚纳米（768 皮米——Si (100) 2 x 1 二聚体行的宽度）分辨率。ZyvexLitho1 是一款基于扫描隧道显微镜 (STM：Scanning Tunneling Microscopy) 仪器，Zyvex Labs 自 2007 年以来一直在改进该仪器。ZyvexLitho1 包含许多商业扫描隧道显微镜所不具备的自动化特性和功能。ZyvexLitho1所采用的电子束光刻(EBL)技术核心是使用氢去钝化光刻(HDL)从Si(100) 2×1二聚体列（dimer row）重建表面去除氢（H）原子，氢去钝化光刻是电子束光刻（EBL）的一种形式。该机器的用途包括为基于量子点的量子比特制作极其精确的结构，以实现最高的量子比特质量。该产品可用于其他非量子相关应用，例如构建用于生物医学和其他化学分离技术的纳米孔膜。不过该产品的缺点是吞吐量非常低，它可能更适合制造小批量的量子处理器芯片。KLA-TencorKLA-Tencor 拥有一种他们称之为 REBL 的技术：反射电子束光刻。该技术最初由DARPA资助。但目前在多电子束直写领域，多个消息来源表明，KLA-Tencor正在退出该市场，专注于其核心检测和计量工具业务。REBL系统示意图。电子源通过磁性棱镜照亮数字模式发生器（DPG）。来自DPG的反射电子定义了要曝光的图案，它们再次穿过磁性棱镜，从而将它们与照明束分离。然后将DPG图像缩小并投影到晶片上。贝尔实验室上世纪90年代，除了IBM与尼康合作分别提出了PREVAIL的基于掩模的多束平行电子束投影曝光方案外，贝尔实验室也提出了SCALPEL（具有角度限制的投影式电子束光刻技术）方案。1999年，一群半导体器件和设备制造商宣布了一项联合协议，旨在加速将SCALPEL技术开发为生产光刻解决方案，以构建下一代集成电路。该计划的参与者包括ATMT和ASML的合资企业eLithTM LLC；朗讯科技公司；摩托罗拉半导体产品部门；三星电子有限公司和德州仪器（TI）。但在两年后，ATMT 和 ASML决定解散eLith LLC（成立14个月，旨在SCALPEL技术商业化），急剧转向极紫外技术（EUV）作为下一代光刻解决方案。

2023年2月21日—佳能公司今天宣布在日本推出高精度晶圆对准MS-0011半导体光刻系统的测量装置。MS-001其他对齐标记（概念图像）在包括逻辑和存储芯片在内的先进半导体的制造过程中，由于制造工艺日益复杂，晶圆的变形日益成为一个问题。为了制造半导体器件，必须精确测量晶圆变形，以便在一系列光刻系统中以高精度覆盖和暴露多层电路图案。为了确保覆盖所需的高精度，晶圆上的对准标记已从过去的较少点增加到现代工艺中的数百个点。因此，测量数百个对准标记会导致大量的时间成本，从而降低光刻系统的生产率。MS-001 允许在光刻系统外部、接收晶圆之前在一个批处理过程中执行大多数对准测量，从而通过减少光刻系统内部执行的测量次数来提高光刻系统的生产率。佳能的MS-001配备了采用面积传感器的对准镜，可实现多像素、低噪声成像，甚至可以测量低对比度的对准标记，与传统光刻系统相比，可以测量更多类型的对准标记。此外，新开发的对准镜光源使MS-001能够使用1.5倍的测量波长范围2，让用户在选择测量波段时更加自由。因此，MS-001可以比传统的半导体光刻系统更高精度地测量对准标记。结合佳能光刻Plus解决方案（2022年9月发布），用户可以将半导体光刻系统的运行状态信息与MS-001的数据进行汇总。通过使用光刻Plus将MS-001测量数据与其他收集的信息进行交叉引用和监控，可以检测到晶圆上对准信息的变化，从而允许半导体光刻系统进行自动校正。利用佳能的光刻升级版解决方案，MS-001还使系统所有者能够实现对对准测量和曝光过程的集中控制，从而降低拥有成本（CoO3).

新标准 本月15日正式发布的两项紫外新标准（HJ1131-2020/HJ1132-2020）明确了规定并适用于固定污染源废弃中氮氧化物/二氧化硫的便携式紫外吸收法的测定。青岛众瑞仪器研发的两款相关仪器均符合新标准要求。紫外差分法仪器分冷干法和热湿法两种类型，为方便广大用户了解我司的这两款产品，以下进行详细介绍。ZR-3211型便携式紫外烟气综合分析仪（C款 冷干法） 本仪器包含ZR-D05DT型烟气预处理器和ZR-3211型便携式紫外烟气综合分析仪（C款 冷干法）两部分。 其中ZR-D05DT型烟气预处理器集加热采样管和导气管、冷却装置快速除湿于一体。ZR-3211型便携式紫外烟气综合分析仪（C款 冷干法）性能指标均符合国家环保局颁布的烟气测试仪的有关规定。主要技术特点：1、采用紫外光谱差分吸收技术(DOAS) 直接测量固定污染源排气中的SO2、NO、NO2等气体浓度，无需NO2转化器；可拓展对H2S/CS2/NH3/CH3SCH3/CH2O/C6H6等气体的测量。 由于NO2对光的吸收比较弱，如果光源选择不合适，或者算法不够先进，无法直接测量NO2。有些紫外烟气分析仪无法直接测量NO2，采用NO2转化器的仪器，使用不便，NO2转化率容易不达标新发布的《HJ1132-2020》中规定2、双量程分析设计，根据SO2、NO高低浓度值自动切换量程；3、采用进口脉冲氙灯作为紫外光源，预热时间小于10min，使用寿命长； ①独特的无光纤光源、气室和光谱仪一体化结构，避免了光纤带来的不稳定和故障； ②光强调节结构能够在气室受到一定程度污染的情况下，简单的进行调节，即可继续工作；③气室带有修护窗口，即使气室受到严重污染，也可以通过拆开气室进行擦拭完成维护，无需返回厂家进行维修，提高仪器的出勤率。4、内置锂电池，支持3小时以上采样，交流供电断电能够自动切换供电而不必中断采样； 5、触屏按键双输入方式，操作方便灵活；触屏按键双输入6、烟气预处理器采用全程恒温伴热、后端高效制冷除湿等多重防护，采用符合国标的加磷酸方式，有效防止二氧化硫气体被冷凝水吸附，以及消除氨气干扰。 ①主机内置除水模块，能够将抽进主机的液滴进行气水分离后，带有蠕动泵动态排出，避免液滴进入气室和电化学传感器，造成仪器故障，大大提高了仪器的可靠性。 ②冬季气温接近冰点时，预处理器输出的烟气经过进气管路仍然会有冷凝水产生，这些冷凝水有可能进入到主机内部，造成仪器故障。除水模块就避免了这种原因的故障，提高了仪器出勤率，能够更好的为检测公司创造价值。③高效制冷除湿：采用大功率两级电子制冷，制冷温差大，可处理含湿量达30 Vol.%的烟气，输出气体露点稳定；④冷凝室采用符合国标方法的加磷酸（HJ 57-2017）方式，有效降低SO2等的损失，消除或减小氨、硫化氢等气体的干扰，适用于高湿、烟气成分浓度低的工况；③现场检测对比数据：工况信息：青岛某热电 含湿量：约10% 烟温：50℃7、仪器具备测量烟道动压、静压、烟温、流速、含湿量等工况参数的功能。各工况参数8、光谱图形动态显示，方便用户掌握仪器工作情况； 光谱图形动态显示9、分钟数据与总平均数据动态保存，导出excel表格，标配蓝牙打印机，方便报表打印。现场采样：ZR-3211型便携式紫外烟气综合分析仪（H款 热湿法） ZR-3211型便携式紫外烟气综合分析仪（H款热湿法）采用紫外差分吸收光谱技术测量烟气中的O2、NO、NO2和NH3，可选O2、CO、CO2、H2S传感器测量气体浓度，不受烟气中水蒸气影响，具有较高的测量精度和稳定性，特别适合高湿低硫工况测量。主要技术特点：1、采用紫外差分法直接测量SO2、NO、NO2和NH3；2、采用脉冲氙灯作为紫外光源，光谱范围宽，NO2吸收较强，相比氘灯光源示值更为稳定。 有些紫外仪器采用氘灯作为紫外光源，测量NO2信号弱，示值波动也较大。采用脉冲氙灯作为紫外光源，光谱范围宽，NO2吸收较强，示值较为稳定。NO2的吸收谱，吸收区域在450nm左右最强我公司仪器光源图谱，在450nm范围内依然较强的光其他厂家仪器光源图谱，在400nm以后基本无法检测3、内置冷凝除水模块保护电化学传感器，采用蠕动泵自动排水，仪器可连续工作，无时间限制； 内部除水装置采用蠕动泵动态排出泠凝水，能够保证仪器长时间连续工作。4、内置进口含湿量传感器，采样的同时测量含湿量；热湿法烟气分析仪，需要测量含湿量，进行干湿浓度转换，和在线数据进行比对。（新发布的《HJ1131-2020》/《HJ11322-2020》标准中均有所规定）5、采用特殊设计的自主知识产权的光路（已申请发明专利），容易装配和调试，便于仪器维护和校准。 ①相对于冷干法，热湿法仪器较易污染，且维护难度大。 ②我公司采用特殊设计的反射器件，光路非常稳定，容易装配和调试，可在采样现场进行维护。6、预热时间短，仅需10-15分钟； 7、批量打印分钟值和总平均值，功能更加人性化；8、 选配套管式皮托管，能够在采样的同时进行工况测量；9、选配高温探针，满足烟温高和烟道壁较厚的工况。10、采用真空隔热管，隔热效果好。现场采样：

分光光度法可适用于在线仪器，是监控水和污水处理设备的重要方法。分光光度法是一种测定分子对光的吸光度的方法，此方法在在线传感器上的应用已越来越准确和可靠。WTW IQ SensorNet系列紫外(UV) 和紫外可见(UV Vis)传感器具有适用于特定污水处理应用的内置出厂校准，不仅提高准确性，还可减少校准的频次。内置UltraCleanTM超声波清洗，减少校准频次的同时完全去除更换损耗品的必要(如试剂或刮刷)，最大限度减轻了维护工作。本系列传感器甚至还支持通过单个传感器测量多个不同参数，如硝酸盐、亚硝酸盐、总悬浮物 (TSS)、紫外线透射率(UVT-254)、化学需氧量(COD)、生化需氧量(BOD)、总有机碳量 (TOC)和其他碳参数。 本系列传感器是水和污水处理设备的一项重要投资，为操作人员提供极大便利。但是如何选择合适的传感器？为确保选择最符合应用的传感器，来看一下选择紫外可见传感器时需要考虑的5个问题。紫外和紫外可见传感器的优势1、无需试剂，即可在线进行硝酸盐、亚硝酸盐、COD、BOD、TOC、UVT-254、NOx和TSS测量2、单个传感器最多可测量并显示五个参数3、UltraClean™ 超声波清洁技术可防止结垢，维护较为简单4、持久耐用的材质：钛和PEEK(聚醚醚酮)即使在最恶劣的条件下仍可保持稳定5、紫外和紫外可见传感器每次测量可扫描256个波长，从而实现更好的准确度和浊度补偿6、工厂已针对过程中的位置进行了校准(进水、二级处理、出水）7、用户可自行校准，从而在应用情况不理想时提高准确度参数硝酸盐：来自硝化过程中NH4转化的人类排泄物的生物污染物。亚硝酸盐：来自人类排泄物的生物污染物，是硝化过程中NH4和NO3的中间型。生化需氧量：微生物在分解流水中的有机废物时消耗的氧气量。被看做是对存在的有机物的量化，并且排放量受到国家污染排放消除系统(NPDES)的排放限制。总有机碳：样品中有机结合的碳量。被认为是对存在的有机物的量化和水质指标。与BOD或COD相比，该测试通常是表示有机物的一种更方便直接的方式。紫外线透射率：在254mm 波长处透射的紫外线百分比。该参数用于指示水中的有机物含量，通常与BOD、COD和TOC相关。该测量值通常用于在消毒过程中自动控制紫外线剂量。总悬浮物固体：水样中被过滤器捕集的悬浮颗粒的净重。该参数通常用作水质的指标，并用于定量分析活性污泥系统(混合液悬浮物，MLSS)中存在的微生物。需要测量什么及测量原因选择紫外或紫外可见传感器时，需要搞清楚的首要问题是测量什么及原因。需要测量什么参数？应用场景是什么？如何使用传感器？取决于应用场景，通过单个传感器监控多个参数可能更为有益。以下是紫外可见传感器在污水处理中最常见的一些应用。 氮硝酸盐氮和亚硝酸盐氮是生物脱氮除磷(BNR)应用中常见的测量参数。硝酸盐在工艺优化中扮演着多种角色，如确保高效地完成硝化、监控硝酸盐去除、控制脱氧区的碳投加量以及确保出水中的氮含量达到排放标准。亚硝酸盐的使用情况较少，因为它是硝化工艺的中间阶段。如果污水处理设备出现亚硝酸盐积累问题或使用快捷反硝化工艺，监控亚硝酸盐将会很有用处。碳碳参数在污水处理中同样具有广泛应用。COD、BOD和TOC是量化样品内碳含量的常见测量参数，其中BOD和TOC专属于有机碳。例如，通常会测量二级处理中的COD来监控有机物负荷。在二级处理中，COD可指示一级或二级处理的效率，或量化需要碳源(反硝化和除磷)的生物处理工艺中的有机碳含量。此外，监控污水处理厂收集系统或进水设施中的COD有助于确定重度负荷来源或提供预警探测。长期以来，这些碳参数的测定都需要昂贵或耗时的实验室程序，因此难以实际使用。如今，借助在线紫外可见传感器，我们便可以利用这些参数实现原本难以实现的工艺控制和预警检测。紫外和紫外可见传感器具有广泛的应用，在某些情况下，通过单个传感器获得多个参数将对操作人员有所助益。例如，TSS是曝气池的常见测量参数，指示微生物浓度(MLSS –混合液悬浮物)。利用包括 TSS与COD组合的传感器，操作人员即可获得用于监控食料与微生物比(F/M 比)的必要信息。使用单个传感器监控多个参数可从单个传感器获得更多有用数据，从而带来附加值。选择紫外可见传感器时，确保查看各传感器的可测参数列表(表1)。单波长传感器和光谱传感器有什么不同？一些制造商仅生产单波长传感器，而其他像WTW一样的制造商除单波长传感器外还生产光谱传感器，后者可提供更多参数和更高的准确性。前面我们一直在谈论光谱传感器，在光谱传感器中，每次测量时都将扫描256个波长的紫外光和可见光以获得所需参数的浓度。此类传感器通过测量每种波长处的吸光率来生成“光谱足迹”。然后，根据传感器中编制的算法将每个“光谱足迹”计算为以 mg/L 为单位的浓度(Smith, 2019)。相比于单波长传感器，光谱测量的精度和准确度更高，因为物质分子会吸收一段波长范围内的光，而并非仅吸收单个波长。附加波长具有许多优势，包括为每个参数提供更多吸收数据、使用一系列波长进行浊度修正，甚至有助于检测不同形式的有机分子。紫外可见光谱传感器扫描的256个波长跨越紫外和可见光范围，从200至720nm(图1)。紫外光谱传感器扫描的256个波长范围为200-390nm。在这个波长范围内，紫外传感器将能够同时测定并区分硝酸盐和亚硝酸盐。硝酸盐和亚硝酸盐通常吸收短波长紫外光(尽管单波长传感器可以提供有用的数据和趋势，但与光谱传感器相比，其准确度和可重复性不佳。使用单波长进行测量和浊度修正时，此类传感器可能无法检测到某些形式的有机分子，无法区分硝酸盐和亚硝酸盐，也无法准确补偿浊度。单波长和光谱传感器各有优势，所以哪种更适合您的应用呢？使用单波长传感器能够以适中的价格获得有机物或氮氧化物的趋势数据，并且甚至有些应用专门需要用到单波长传感器，例如紫外线消毒需要UVT-254。然而，光谱传感器已针对特定应用（进水、二级处理、出水）进行校准，并且由于此类传感器扫描256个波长，从而准确性、可靠性都比单波长传感器更高，浊度修正也更准确。测量光程是什么？为什么很重要？测量光程是指光源和探测器之间的距离，在分光光度法测量中非常重要。测量光程(又称狭缝宽度)是根据比尔-朗伯定律计算光吸收率时的一个计算因子，并且受样品水浊度的影响极大。因此，紫外可见传感器通常具有固定的测量光程，并针对特定应用提供不同的狭缝。IQ SensorNet紫外可见传感器有2种测量光程可供选择：1mm和5mm(图 2)。1mm狭缝用于监控未经处理的污水和二级处理，因为这些应用通常浊度较高。5mm狭缝用于监控处理后的出水、低浊度污水，有时还可用于监控一些地表水或饮用水应用。取决于应用类型，其他制造商可能还会提供10-50mm的测量光程。选择YSI紫外可见传感器时，注意701型号传感器为 1mm测量光程(适用于未经处理的污水或活性污泥)，705型号传感器为5mm 测量光程(适用于低浊度的处理后出水)。如何安装紫外可见传感器？紫外可见传感器一般比其他在线传感器更大、更沉，因此在确定安装选项时应特别考虑。与所有在线传感器相同，应基于安全性和可达性来选择安装位置和方式。要确保可以轻松接触到传感器，以便偶尔进行维护，因此有足够的操作空间非常重要。传感器的安装位置应符合要求的扶手和过道安全标准。同样，紫外可见传感器的安装也应易于使用，并使传感器易于操作。最后一点，由于传感器可能比较沉，安装的稳固性也非常重要，必须能够承受相应重量，尤其是对于存在堵塞问题的污水设备。紫外可见传感器在污水中最常见的安装方式为浸入式安装。浸入式安装通过将传感器直接浸入集水池或水流中，直接测量过程用水。WTW紫外可见传感器提供两种沉浸式安装选项：刚性安装或摆动/链条安装。刚性安装包括将紫外可见传感器固定至一个金属杆上，然后将金属杆安装至护栏或墙壁上。当需要较稳固的解决方案，如水比较湍急或水中有堵塞时，这种安装类型是最佳选择。对于一般的沉浸式安装应用，摆动和链条安装更具优势。使用这种安装，传感器将更容易操作，因为传感器悬挂在链条末端，通过链条便可轻松地在集水池中进行升降。摆动臂将传感器伸出集水池外面，但是也可容易接近，只需将传感器摆动至靠近护栏的位置就能够拆下传感器进行维护。 对于像处理后的污水出水、污水回用或饮用水等清水应用，流通池可能是最佳选择。在这些应用中，由于缺乏合适的位置或因NSF要求，不能使用沉浸式安装。使用流通池时，紫外可见传感器将采用壁挂式安装，流通池会形成一个腔体让水流经光学窗口。水流持续运送至传感器进行测量，然后排出。无论将WTW紫外可见传感器用于清水还是污水应用，选择最适合的安装选项都非常重要，这样既能够确保传感器正常运行，还可将维修工作量保持在最低限度。 如何维护？尽管紫外可见传感器的维护要求不高，且不需要试剂，但仍然需要偶尔进行保养以优化运行。相比于其他在线传感器，WTW紫外可见传感器具有所需维护工作量最少的巨大优势。本系列传感器具有内置的独特自动超声波清洗系统UltraCleanTM技术。该系统不仅有助于保持测试窗口长久清洁，而且整个系统都置于传感器内部，所以没有需要更换的密封件或挂刷。保持紫外可见传感器清洁对传感器性能至关重要。因此，紫外可见传感器通常带有自动清洁系统，这可有效降低传感器总的维护时间。WTW提供两种类型的自动清洁系统：一种是所有传感器中都已内置的UltraClean；另一种是空气清洁系统。UltraClean超声波清洁系统轻微振动传感器的光学窗口，清除堆积的固体。这种技术已被证明在具有较多固体的污水应用中非常成功，WTW的ViSolid(TSS)和VisoTurb(浊度)传感器中同样也应用了此技术。WTW紫外可见传感器的另一个自动清洁选项是空气清洁系统。该系统使用空气压缩机定期向光学窗口上喷放压缩空气，清除任何可能干扰测量的固体。WTW空气清洁系统直接与传感器相连，并且可以通过控制器进行编程控制，根据所需时间间隔进行清洁。两种自动清洁系统都能使传感器在废水应用中保持数周的准确读数。应根据需要进行校准，例如当传感器首次安装、移动到新位置或传感器对参考样品的测量不准确时。WTW紫外可见传感器具有双通道测量系统，其中一个相同的参比通道用于监控并校正光源灯或探测器的老化，防止任何潜在校准漂移。这样可免去常规校准的麻烦，但是仍建议使用实验室参考样品对传感器测量值进行常规验证，以确保传感器的准确性。

近日，大连化物所大连光源科学研究室(二十五室)杨学明院士团队成功研制了光阴极直流高压电子枪和驱动激光系统，标志着大连先进光源预研项目研制工作攻克了又一项关键核心技术。直流高压电子枪系统与驱动激光系统是大连先进光源预研项目中的两大核心系统，其主要用途在于获得高品质电子束源，从而为产生高亮度、高重复频率极紫外自由电子激光提供支撑。经过3年多的协同攻关，团队成功完成了这两大系统的研制，并开展了初步调试工作，顺利实现了连续波模式下一兆赫兹(1MHz)重复频率、100皮库(pC)单脉冲电荷量、330千电子伏特(keV)能量的预期目标。这两大系统的研制和调试成功，不仅打通了技术壁垒，还锻炼了技术队伍，为未来基于连续波超导加速器技术的大连先进光源项目建设打下了坚实的基础。 　　该成果得到了大连先进光源预研项目的支持。

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近期，生态环境部发布了关于征求《固定污染源废气 氮氧化物的测定 紫外吸收法（征求意见稿）》、《固定污染源废气 二氧化硫的测定 紫外吸收法（征求意见稿）》两项国家环境保护标准意见的函。 崂应3023型 紫外差分烟气综合分析仪参与了两项新标的验证工作，且崂应作为“征求意见单位”之一，对于标准进行了认真深入的研究和讨论，对于即将发布的两项紫外新标准，这几项重点内容你有必要提前知道！第1项适用范围 崂应3023型 紫外差分烟气综合分析仪参与标准验证的数据表明，其 NO、NO2和SO2的检出限均优于标准的检出限。第2项 规范性引用文件 两项标准的规范性引用文件《便携式二氧化硫和氮氧化物紫外吸收法测量仪器技术要求及检测方法》尚未发布，但是崂应3023型 紫外差分烟气综合分析仪已经按照该标准要求完成适用性检测。第5项 干扰和消除 此处推荐崂应3023型 紫外差分烟气综合分析仪，干扰消除措施完善，完全满足标准要求：针对颗粒物该仪器主机和取样管都有过滤芯，过滤粒径5μm，完全满足标准要求。针对废气冷凝该仪器配有专用的崂应1030型烟气预处理系统，采样管和传输管都具有加热功能，温度范围在120~160℃，且温度可调节。针对不同成分干扰该仪器采用提取差分信号计算方法消除干扰。第6项试剂和材料第7项仪器和设备第9.1项仪器的气密性检查第9.2项仪器校准 崂应3023型 紫外差分烟气综合分析仪不仅具有零点校准、量程校准和多点校准功能，且零点校准可以选择清洁空气或者纯氮气，更方便用户选择。第9.3项样品测定紫外吸收法为何如此受关注？紫外吸收法是目前相对先进的SO2、NOx等气体检测技术，特别适合超低排放工况。相比红外吸收法，紫外吸收法的方法检出限更低，可直接检测NO2，不受水汽干扰。相对于电化学传感器，紫外吸收法具有寿命长，维护成本低，性能稳定，抗交叉干扰能力强等优势。除了参与标准验证的崂应3023型 紫外差分烟气综合分析仪，即将面市的崂应3023Y型 紫外烟气分析仪也完全满足两项紫外新标的要求。崂应3023Y型 紫外烟气分析仪?自主研发紫外差分烟气分析模块（检出限更低，且量程可定制）?主机和取样管一体式设计?采用热湿法，消除SO2和NO2的溶解损失?实时检测烟气湿度，同时显示干/湿基浓度?支持手操器遥控和主机按键触控两种操控模式“由于《固定污染源废气 氮氧化物的测定 紫外吸收法（征求意见稿）》和《固定污染源废气 二氧化硫的测定 紫外吸收法（征求意见稿）》尚处于意见整改阶段，以上针对征求意见稿的分析内容仅供参考，具体内容请以最终发布稿为准。届时，崂应会再次为您详细解析，敬请期待！”

光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂（或称光刻胶）的硅片上，通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。光刻技术是借用照相技术、平板印刷技术的基础上发展起来的半导体关键工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。随着技术的发展，光刻技术不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些光刻技术。掩模光刻掩膜光刻由光源发出的光束，经掩膜版在感光材料上成像，具体可分为接近、接触式光刻以及投影光刻。相较于接触式光刻和接近式光刻技术，投影式光刻技术更加先进，通过投影的原理能够在使用相同尺寸掩膜版的情况下获得更小比例的图像，从而实现更精细的成像。目前，投影式光刻在最小线宽、对位精度、产能等核心指标方面能够满足各种不同制程泛半导体产品大规模制造的需要，成为当前 IC 前道制造、IC 后道封装以及 FPD 制造等泛半导体领域的主流光刻技术。根据光源不同，掩模光刻机还可以分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）。为了提供波长更短的光源，极紫外光源（EUV）为业界采用。目前主要采用的办法是将二氧化碳激光照射在锡等靶材上，激发出13.5 nm的光子，作为光刻机光源。目前仅有由荷兰飞利浦公司发展而来的ASML（阿斯麦）一家可提供可供量产用的EUV光刻机。这是目前最先进的光刻技术。X射线光刻X射线因为波长很短，所以几乎没有衍射效应，所以很早就进入了光刻技术研发的视野内，并且在八十年代就有了X射线光刻。九十年代，IBM在美国佛蒙特州建了一条采用同步辐射光源的X射线光刻机为主力的高频IC生产线，美国军方为主要客户。而当年X射线光刻技术，是当时的下一代光刻技术的强有力竞争者。后来随着准分子激光和GaF透镜技术的成熟，深紫外光刻技术延续了下去，在分辨率和经济性上都打败了X射线光刻。X射线光刻就退出了主流光刻技术的竞争。现在用X射线光刻的，主要是LIGA技术，用来制造高深宽比结构的一种技术，可以制造出100:1的深宽比，应用于MEMS技术当中。由于X射线准直性非常好，传统的X射线光刻，是1:1复制的。掩模版使用的是硅梁支撑的低应力氮化硅薄膜，上面有一层图形化的金，作为掩蔽层。曝光方式采用扫描的方式，效率不高。X射线光源最大的优势在于他可以做出高深宽比的图形，但是最大的问题也是由于他的穿透性太强导致了无法用透镜进行放大和缩小，因此图形尺寸和掩模版的尺寸相同，所以X射线光刻过分依赖电子束光刻掩模版的精度，故目前没有大量普及。离子束光刻离子束投影曝光系统的结构和工作原理与光学投影曝光的结构与原理类似，所不同的是曝光粒子是离子、光学系统采用离子光学系统，而掩模版则由可通过和吸收离子的材料制备。离子束曝光掩模版通常采用Si材料制成投射/散射式的二相掩模版技术。离子束投射光学系统一般也采用4：1缩小的投射方式，透镜实际上是一个可对离子进行聚焦作用的多电极静电系统。常见的离子束光刻技术包括聚焦离子束光刻（FIB）和离子投影光刻（IPL）。FIB系统采用液态金属离子源，加热同时伴随着一定的拔出电压获得金属离子束，通过质量选择器来选择离子，通过电子透镜精细聚焦的金属离子，在偏转线圈的作用下，形成扫描光栅。离子束可通过溅射对样品进行表面成像。聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸(与电子束直写光刻技术类似。不需要掩膜板，应用高能粒子朿直写。离子投影曝光( lPL)是将平行的离子束穿过掩膜，将缩小的招膜图形投射到基底上，使用PMMA光刻胶。当具有一定能量的离子撞击靶材表面时两者之间会发生一系列的交互作用,其中包括膨胀、刻蚀、沉积、铣削、注入、背散射和形核反应等。主要用于制作修复掩膜版和对晶直接光刻。但离子束光刻存在离子源制备，掩膜板畸变，衬底工艺损伤，效率低等问题，很难在生产中作为曝光工具应用，目前主要用作VISI中的掩模修补工具和特殊器件的修整。电子束曝光电子束曝光（EBL）始于上世纪60年代，是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术，是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶相互作用，使胶由长（短）链变成断（长）链，实现曝光，相比于光刻机具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。电子束曝光主要有可变矩形电子束曝光系统、电子束投影光刻技术、大规模平行电子束成像三种技术。电子束曝光是电子光学、机械、电子技术、计算机及半导体工艺集成，包含了检测与定位、环境控制、超高真空、计算机控制、系统控制软件、多功能图形发生器、激光定位工件台和电子光学柱8个子系统，其中电子光柱体、图形发生器和激光工件台是关键部件。纳米压印技术纳米压印技术是一种新型的微纳加工技术。该技术通过机械转移的手段，达到了超高的分辨率，有望在未来取代传统光刻技术，成为微电子、材料领域的重要加工手段。纳米压印技术，是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。报道的加工精度已经达到2纳米，超过了传统光刻技术达到的分辨率。这项技术最初由美国普林斯顿大学的Stephen. Y. Chou（周郁）教授在20世纪90年代中期发明。由于纳米压印技术的加工过程不使用可见光或紫外光加工图案，而是使用机械手段进行图案转移，这种方法能达到很高的分辨率。报道的最高分辨率可达2纳米。此外，模板可以反复使用，无疑大大降低了加工成本，也有效缩短了加工时间。因此，纳米压印技术具有超高分辨率、易量产、低成本、一致性高的技术优点，被认为是一种有望代替现有光刻技术的加工手段。热探针扫描技术热扫描探针光刻（t-SPL）是近年来新开发出的一种光刻技术，其与当今的电子束光刻（EBL）相比具有更多的优势：首先，热光刻显改善了二维晶体管的质量，抵消了肖特基势垒，阻碍了金属与二维衬底交界处的电子流动；与电子束光刻（EBL）不同，热光刻技术使芯片设计人员能够轻松地对二维半导体进行成像，之后在需要的地方对电极进行图案化； 此外，热扫描探针光刻（t-SPL）制造系统有望在初期节省成本；最后，通过使用平行热探针，能够轻松地将该热制造方法推广到批量的工业生产当中。成本更低，有望成为当今电子束光刻的替代品。激光直写技术激光直写技术是一种近年来应用广泛的超精密加工技术。激光直写是利用强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施变剂量曝光，显影后在抗蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓。激光直写系统的基本工作原理是由计算机控制高精度激光束扫描，在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形，从而把设计图形直接转移到掩模上。激光直写技术主要用于制作平面计算全图、掩模、微透镜、微透镜阵列、Fresnel微透镜、Fresnel波带板、连续位相浮雕的闪耀光学元件等，制作工艺己经逐渐成熟。激光直写技术的发展趋势是从直角坐标写入系统到极坐标写入系统，直至多功能写入系统；从基片小尺寸到大尺寸，从平面写入到球面、柱面以及曲面；从利用光刻胶材料到聚合物以及其他特殊工艺材料；写入元件的特征尺寸从几百微米到亚微米；元件制作时间从几天到几小时甚至几分钟；从制作二值图样到写入连续浮雕轮廓 从光学元件到微电子、集成电路、集成光学器件等；从发达的国家到发展中国家，并己经应用到空间光学、光通讯、光学显示等领域，为DOE和微电子、微光学、微机械器件的制作提供了一种新的制作设备。多光子聚合光刻技术双光子聚合是物质在发生双光子吸收后所引发的光聚合过程。双光子吸收是指物质的一个分子同时吸收两个光子的过程，只能在强激光作用下发生，是一种强激光下光与物质相互作用的现象，属于三阶非线性效应的一种。双光子吸收的发生主要在脉冲激光所产生的超强激光的焦点处，光路上其他地方的激光强度不足以产生双光子吸收，而由于所用光波长较长，能量较低，相应的单光子过程不能发生，因此，双光子过程具有良好的空间选择性。一般利用双光子聚合制造3D打印机，可以实现突破传统光学衍射极限的增材制造。不过，华中科技大学的甘棕松教授发明的超分辨纳米光刻技术利用光刻胶双光子吸收特性，采用双束光进行光刻，一束为飞秒脉冲激光，经过扩束整形进入到物镜，聚焦成一个很小的光斑，光刻胶通过双光子过程吸收该飞秒光的能量，发生光物理化学反应引发光刻胶发生固化；另外一束为连续激光，同样经过扩束整形后，进入到同一个物镜里，聚焦形成一个中心为零的空心状光斑，与飞秒激光光斑的中心空间重合，光刻胶吸收该连续光的能量，发生光物理化学反应，阻止光刻胶发生固化。两束光同时作用，最终只有连续光空心光斑中心部位的地方被固化。甘棕松教授目前已经把空心光斑中心部位最小做到9nm，至此突破光学衍射极限的超分辨光刻技术在常规光刻胶上得以完美实现。光刻机国产化现状虽然各种光刻技术不断涌现，但相比于传统的紫外掩模光刻技术而言，大都在工业量产中都无法完全克服生产效率低、对准精度低、分辨率低等缺点。目前，应用较多的光刻技术主要为EUV、DUV等掩模光刻技术，用于工业量产，也是最受关注的光刻技术。公开资料显示，中国最强的光刻机生产商是上海微电子装备公司（SMEE），主要研发DUV光刻机，目前其最先进的SSA600/20光刻机分辨率可达90nm。上海微电子是国内唯一从事研发、生产以及销售高端光刻机的公司，也是全球第四家生产IC前道光刻机的公司。在2020年，金融局走访调研上海微电子时，上海微电子预计将于2022年交付首台28nm工艺国产沉浸式光刻机，国产光刻机将从此前的90nm制程一举突破到28nm制程。上海微电子在中端先进封装光刻机和LED光刻机领域技术领先，先进封装光刻机国内市场占有率高达80%、全球市场占有率达40%，LED光刻机市场占有率第一。实际上，02专项要求实现半导体设备28nm制程的国产化，目前国望光学的物镜、科益虹源的光源、华卓精科的双工件台、启尔机电的浸液系统等零部件都已实现突破，只差上海微电子光刻机集成。位于北京亦庄的国产验证28nm产线也预计明年投产，届时上海微电子的28nm光刻机有望导入产线，实现28nm光刻设备的国产化替代。此外，国产EUV量产型光刻机目前仍在开发中，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所在2016年验收了原理技术样机，合工大已开发出DPP-EUV光源，但功率较低。电子束光刻目前国内主要由电工所在开发，但相比于国际厂商还存在差距。而纳米压印技术国内的主要厂商为青岛天仁微纳，现已成为纳米压印领域市场占有额超过95%的头部企业，建立了自主知识产权的核心技术与专利壁垒，设备销售遍布国内知名大学科研院所和企业。激光直写光刻设备主要国产厂商包括江苏速影、合肥芯碁等，与国际巨头Heidelberg、矽万等相比，技术差距正逐渐缩小。光刻设备的国产化不仅推动了半导体产业的进步，同时也推动了国产仪器市场的发展。笔者从其他渠道了解到，上海微电子也采购了某国产双频激光干涉仪。由于最早国产的先进前道光刻机由国企上海微电子（SMEE）开启研制，2007年上海微电子大量采用外国关键零部件集成了90 nm干式投影光刻机。后因《瓦森纳协定》的限制，关键部件被国外“卡脖子”而失败。随着国内仪器设备的技术进步，上海微电子通过采购国产零部件集成先进的光刻机，促进了国产仪器市场发展。目前，主流光刻设备厂商包括，ASML、Nikon、Canon、上海微电子、合肥芯碁、Heidelberg、江苏速影、矽万、SUSS、苏大维格、Veeco、光机所、EVG、ABM、苏州源卓、合肥芯硕、长春长光中天、中国电科、大族激光、中山新诺等。更多仪器请查看以下专场【光刻机】【电子束刻蚀】。

要利用QUV紫外老化加速试验机对彩色涂层板进行紫外老化试验，可以按照以下步骤进行：1.准备样品：将彩色涂层板切割成适当的尺寸，确保其适应QUV试验机的样品架。同时，应注意保护样品表面以免划伤或损坏。设置试验条件：根据所需的试验条件，根据试验机的指引或使用手册，设置合适的光照强度、温度和湿度参数。这些参数应该基于所模拟的实际使用环境。2.安装样品：将切割好的彩色涂层板样品固定到试验机的样品架上，确保样品表面与试验机光源之间的距离是均匀且适当的。3.运行试验：启动试验机，根据设定的试验条件，让样品暴露在QUV试验机的紫外光源下。试验的时间可能根据需求而有所不同，可以根据具体情况进行设置。4.监测和评估：定期监测样品的变化，包括颜色变化、表面质量、表面结构、光泽度和物理性能等。这可以通过视觉观察、光谱测量和物理性能测试等方法进行。5.结果分析：根据试验数据和观察结果，评估彩色涂层板的紫外老化性能。比较试验后的样品与未经紫外老化的对照样品的差异，并分析可能的原因。通过QUV紫外老化试验，可以帮助评估彩色涂层板在长期暴露于紫外环境下的耐候性能和色彩稳定性，以指导产品改进和选用合适的材料或材料配方。在进行试验前，最好理解QUV试验机的使用方法和样品的实际使用条件，以确保试验结果的准确性和可靠性。QUV紫外老化加速试验机QUV紫外老化加速试验机是简单、可靠、易用的紫外老化试验机。世界各地使用的QUV紫外加速老化试验机数以万计，它是世界上使用广泛的紫外老化试验机。QUV紫外老化加速试验机使用特殊的荧光紫外灯管模拟阳光的照射，用冷凝湿度和水喷雾的方法模拟露水和雨水，真实地再现由阳光造成的材料损伤。损伤类型包括褪色、光泽消失、粉化、龟裂、开裂、模糊、起泡、脆化、强度减小和氧化。QUV可方便地容纳多达48个样品（75mm x 150mm），完全符合国际、国家和行业规范，确保了测试程序的可靠性和可重复性。

位于爱尔兰莱克斯利普(Leixlip)、投资70亿美元的Intel Fab 34晶圆厂迎来重要时刻：一台光刻胶显影设备(lithography resist track)缓缓进入工厂，这也是该厂的第一台巨型芯片制造工具。该设备来自Intel美国俄勒冈州工厂，搭乘飞机越过大西洋，来到了爱尔兰。这台设备将与EUV极紫外扫描仪搭档，首先为硅晶圆覆上精密的涂层，然后进入EUV扫描仪，进行曝光，接着晶圆回到光刻设备，再进行一系列的高精密光显影、清理操作。一座典型的晶圆厂包含大约1200台先进制造设备，大部分价值都在百元美元级别。Intel Fab 34晶圆厂2019年动工建设，计划2023年正式投产，将会把Intel在爱尔兰的产能翻一番，并为未来生产Intel 4工艺铺平道路——严格来说是Intel 7nm，但是官方重新命名，认为它可以媲美行业4nm水平。Alder Lake 12代酷睿、Raptor Lake 13代酷睿都是Intel 7工艺(10nm ESF)，Meteor Lake 14代酷睿和代号Granite Rapids的下下代至强都将用上Intel 4工艺。官方透露，新工艺研发进展顺利，芯片测试已经完美通过，SRAM、逻辑单元、模拟单元都符合规范，去年第二季度还早早完成了Meteor Lake计算单元模块的流片。Intel现阶段正在全球建设、升级晶圆厂，除了爱尔兰还有美国本土的亚利桑那州、新墨西哥州、俄勒冈州，以及马来西亚，投资上百亿美元，很快还会宣布在欧洲、美国的更多晶圆厂建设计划。

自1952年推出岛津第一台商品化的紫外可见分光光度计（UV）QB-50以来，UV早已成为岛津的明星产品。UV-2600i作为岛津现有UV产品线的重要一员，经历了多个前代机型的迭代更新，堪称“小体积，大能量”，可以带给用户更多可能性。PART 1高性能光路系统搭配岛津自有的高性能Lo-Ray-Light光栅，实现低杂散光PART 3新版 LabSolutions UV-Vis软件LabSolutions UV-Vis软件具有自动光谱评价、自动Excel数据传输、自动样品测试等功能，可升级为DB或者CS版实现更强大的数据管理，确保数据完整性和可信度。紫外可见分光光度计UV-2600i 特色之一是测试波长范围宽。搭配对应附件波长可延伸到近红外区，满足更多应用需求，如太阳能电池抗反射膜、多晶硅片、建筑玻璃、纺织品等反射率或透过率的测定。应用案例太阳能电池抗反射膜的评估图1为多晶硅晶圆上形成的抗反射膜，A、B、C三处的颜色明显不同，通过UV-2600i+ ISR-2600Plus积分球配置，实现了薄膜在近红外区的测试。图1 抗反射薄膜A、B、C三处区域的漫反射光谱测量结果如图2。图2 反射光谱结果表明，A、B、C三处区域的反射光谱有所差异，但共同特征是反射率在紫外区和近红外区较高，可见区较低；A、B、C三处区域的最低反射率都在550 nm附近。本文内容非商业广告，仅供专业人士参考。

p & nbsp & nbsp 中国，上海2020年7月30日 -- 中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）今日宣布推出Prismo HiT3& #8482 MOCVD设备，主要用于深紫外LED量产。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202008/uepic/feb5721e-9e03-4a48-b35b-f6d6c352a940.jpg" title=" 中微MOCVD设备新品.jpg" alt=" 中微MOCVD设备新品.jpg" / /p p & nbsp & nbsp 中微公司Prismo HiT3& #8482 MOCVD设备早期的客户包括国内领先的深紫外LED制造商马鞍山杰生半导体有限公司，该公司的深紫外LED在家用、医疗和科研设备等领域有广泛应用。 /p p & nbsp & nbsp 深紫外光几十年前就被应用于工业和民用消毒杀菌领域。它通过破坏细菌和病毒的DNA使其丧失繁殖能力来发挥作用。深紫外LED被用于不同波长的杀菌灯中，且与传统的汞灯相比对环境无污染。类似SARS、MERS和新冠病毒的出现使得深紫外LED产品的需求激增，深紫外LED产品可以消灭这些新生微生物。波长260-280nm的UVC波段的深紫外光就是目前该领域最先进的技术解决方案（例如杰生半导体的深紫外LED产品）。 br/ /p p & nbsp & nbsp 中微公司设计的Prismo HiT3& #8482 MOCVD设备具有新颖的腔体设计，能在高温环境下生长高质量氮化铝工艺，并具有业内领先的深紫外LED高产出率；同时具备较长的平均免开腔维护间隔时间，进一步延长正常运行时间并提高产能。真空自动化传输系统可以抑制颗粒物的产生，并减少缺陷。自动化升降机构可方便维护操作并有效节省维护时间。 br/ /p p & nbsp & nbsp “我们现在已经看到了深紫外LED带来的切实好处，它已成为消灭有害病原体的重要工具。”杰生半导体有限公司董事长康健说道，“随着深紫外LED技术的持续发展，我们为能够在公共和家庭消毒产品领域处于领先地位而感到自豪。中微公司设计的Prismo HiT3& #8482 MOCVD设备可以满足深紫外LED大批量、低生产成本的制造需求。中微公司凭借其世界一流的工艺专长和高性能的MOCVD设备解决方案，是值得信赖的合作伙伴。” br/ /p p & nbsp & nbsp “中微自主研发的Prismo HiT3& #8482 MOCVD设备延续了我们现有Prismo平台已验证的主要创新功能，并提升了可在高温工艺环境下生长氮化铝基材料的性能，使之拓展到深紫外LED的应用。”中微公司执行副总裁兼首席运营官杜志游博士说道，“杰生半导体始终致力于持续发展LED技术并创造有益于人类健康的产品，我们很高兴杰生成为我们的早期用户，同时也很荣幸我们的设备解决方案能够助力客户研发下一代深紫外LED产品，并在技术研发和成本控制上帮助客户达成目标。” br/ /p

为贯彻《中华人民共和国环境保护法》和《中华人民共和国大气污染防治法》，防治大气污染，改善环境质量，规范便携式紫外吸收法多气体测量系统的技术性能，制定本标准。 随着国家环保部展开以锅炉或炉窑监测SO2、NOx为主的气态污染调查，各省市环保局对CEMS在线监测系统的大力普及，SO2、NOx的在线监测与瞬时监测之间的数据不统一的矛盾日益突出。目前国内监测SO2、NOx常用的仪器主要依赖于电化学传感器法，但由于在高湿低硫的工况中，易发生气体间交叉干扰以及前处理不彻底受水汽影响等因素而导致测量数据不准确的案例时有发生。 2007年8月，中国环境监测总站在青岛召开各省、直辖市、省会城市环境监测工作会议，许多代表提出目前电化学传感器测试烟气中SO2存在的问题，中环总站副站长在会议上指出：电化学传感器是否继续适用我国的固定污染源测试值得商榷，建议仪器生产厂家抓紧时间研制稳定、可靠的SO2测试仪。 在这种大环境下，崂应公司很早就开始研制以紫外光学法测量SO2、Nox等烟气的监测仪。此方法的特点是利用紫外光谱分段测量不同气体，不受水汽及气体间交叉干扰的影响，测量精度高、数值准确。 另外，崂应相信在广大同仁及社会各界人士的共同努力下，我们一定会在大气污染防治这场攻坚战中取得最终胜利，还给地球一片绿色，为生活在“穹顶之下”的我们呼吸到干净的空气贡献出环保人的一份力量，给我们的子孙后代留下一片干净的天空！

近日，由英国科学院院士Russell Cowburn教授团队研制的小型台式无掩膜直写光刻系统（Durham Magneto Optics, MicroWriter ML3）分别落户中科院沈阳金属所和合肥师范学院，将助力国内各科研院所在新型材料加工、微纳电子、光机电、微流控等诸多重点研究领域取得近一步发展。小型台式无掩膜直写光刻系统（MicroWriter ML3）进入国内科研领域已有十年时间，在国内约有200台设备安装落户。凭借小巧紧凑的结构(70 cm x 70 cm x 70 cm)、友好的操作系统、简单的维护需求、超高的直写速度，特别是无需掩膜版即可直写曝光的特点极大地优化了设计成本和研究效率，深受广大科研用户的喜爱。在小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter优秀表现和Quantum Design中国全博士售后工程师团队的努力下，清华大学、北京大学、中国科技大学、南京大学、复旦大学、中科院等重点高校和研究机构已复购多台小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter，成为MicroWriter的“回头客”。图1中科院沈阳金属所安装的配备0.4 μm镜头的MicroWriter旗舰型无掩膜光刻机 近日，中科院沈阳金属所成功安装了第一套小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3。结合新硬件配置，该系统可以实现0.4 μm的极限分辨率，同时拥有包括0.4 μm、0.6 μm、1 μm、2 μm和5 μm五种特征分辨率镜头，可以实现不同精度下的快速曝光应用。结合无掩膜版图设计，科研人员可以随时尝试修改曝光图形，并可以通过设备特有的虚拟掩膜（Visual Mask aligner）功能实现实时对准观测（如图2所示），极大地提高了科研工作的时效性和便捷性。图2. （左）虚拟掩膜对准的实时界面（蓝色区域是要曝光的电极图案）及（右）终曝光显影结果图3. 0.6 μm宽度的线条阵列曝光结果及局部细节图4. 0.4 μm孔径的点阵曝光结果及局部细节同时，合肥师范学院根据自身教学与科研的需要选择了小型台式无掩膜直写光刻系统Baby Plus型号。相比于功能全面的MicroWriter旗舰机型，Baby Plus着重于客户的基本需求。Baby Plus配备有1 μm和5 μm两个精度的镜头，可以满足大部分的科研需求。图5. Quantum Design工程师为合肥师范学院师生进行无掩膜光刻机操作培训这次在合肥师范学院安装的MicroWriter Baby Plus配备的是405 nm波长光源，特别适用于在正性光刻胶上制备二维微纳结构和三维灰度结构，助力客户在微纳机电，微纳光学等领域的研究以及小批量的试产。Baby Plus也可升级成365 nm波长光源或365 nm-405 nm波长双光源，方便研究人员制备以负性光刻胶为主的结构，满足客户的各种需求。图6.左图为利用405nm光源制备的微纳电极图形，右图为三维灰度图形小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter的广泛应用在助力国内科研发展的同时，也在全球其他知名单位获得持续应用和好评，包括斯坦福大学、东京大学、新加坡国立大学、伯克利大学（UC Berkeley）和美国航天局（NASA）等，证明了国内外研究单位对其广泛应用及可靠性的认可。