紫外掩膜对准曝光系统

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。Model 800E 型正面和背面半自动掩模曝光系统提供了昂贵的自动化生产掩模对准器中最常见的先进功能和规格。随着这款掩模曝光系统的开发，OAI 通过专为研发和小批量生产而设计的新型掩模曝光系统来应对动态半导体和 MEMS 市场日益增长的挑战。Model 800E 基于 OAI 经过验证的模块化平台构建，是一款增强型、高性能、高分辨率光刻系统，能够以极具吸引力的价格提供一定水平的性能。该对准器系统采用 OAI 的先进光束光学器件，可提供卓越的均匀性。800E 型可使用 OAI 的精密光刻模块进行升级，是实验室或小批量生产中的高度通用工具。800E 型采用 Windows 7 PC 控制平台，具有大量配方存储容量。该系统还配备了操纵杆控制的对准和光学平台，并且可以配置非接触式、3 点楔形效应校正和自动对准功能。这些组合功能通常出现在自动化生产掩模对准系统中，但现在可以在 Model 800E 上以更实惠的价格获得。800E 型的独特之处在于它包含了 OAI 6000 型生产掩模对准器工具中的先进功能。通过利用经过验证的 OAI 模块化掩模对准器平台，我们能够采用更先进的工具中的技术，以更实惠的价格生产强大的系统。标准正面功能：双100万像素分辨率CCD相机最大8英寸的基板，掩膜尺寸9' X 9''Windows PC 控制，带配方储存功能调整和定位的电动操纵杆曝光模式：真空、硬软接触和接近模式自动楔形效应补偿标准背面功能：包含正面所有功能另外2个CCD相机数码变焦电动背面光学对焦

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。OAI 200型光刻机和紫外曝光系统 OAI系统可以处理各种常规和不规则形状的宽范围的基材。 高效光源在各种光谱上提供均匀的紫外线照射。. OAI 200型光刻机和紫外线曝光系统是一种经济高效的高性能工具，采用行业验证的模块化组件进行设计，使OAI成为MEMS，纳米技术和半导体设备行业的领先者。200型是台式机型，需要最小的洁净室空间。它为研发，试验或小批量生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空卡盘校平系统，基板被快速和平缓地平整以用于平行光掩模对准和在接触暴露期间在晶片上的均匀接触。该系统具有微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘，其允许使用各种衬底和掩模，而不需要对机器重新设定。对准模块包含X，Y和θ轴（微米）。200型对准器可以广泛地安装进对准光学仪器，包括背面IR。 IR照明真空吸盘可以被配置用于整个或或部分晶片的对准。 OAI 200型可配置OAI纳米压印模块，使其成为最低成本的NIL工具。 OAI还提供了一个模块，设计用于使用液体光引物进行快速成型或生产微流体器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外线下使用200至2000瓦功率的灯提供准直的紫外光。双传感器，光学反馈回路与恒定强度控制器相关联，以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以简单快速地改变UV波长。 型号200是一个高度灵活的， 经济的解决方 案，适合任何 入门级掩模对准和紫外线照射应用。 特点:&bull 高效，均匀，曝光系统与强度控制电源&bull 近，中，深紫外线能力可用&bull 亚微米套印和逐层校准&bull 易于互换的掩膜架和掩膜&bull 用户可设置，“基板到掩膜”间的压力&bull 软接触，硬接触，真空接触，接近曝光模式&bull 暴露可用时氮气N2吹扫&bull 超精确的卡盘运动&bull 可变速率电子操纵杆(可选)&bull 红外对准能力(型号200IR)(可选)&bull 顶部侧对齐以及背面对齐选项&bull 系统隔振具有四(4)象限独立调节(可选)&bull 高可靠性和低维护设计与优秀的文件应用MEMSNIL微流体纳米技术II-VI和III-V器件制造多级抗蚀剂处理LCD和FED显示器MCM’S薄膜器件太阳能电池SAW器件 选项提供单或双相机和屏幕（双相机/双屏版本如照片所示）可以安装NIL的Nano Imprint模块可安装微流体模块 OAI 200型台式光刻机和紫外线曝光系统 OAI 200型掩模对准器和UV曝光系统 特征 规格 体积小 基板平台 X, Y TravelZ TravelMicrometerGraduationsRotation ± 10mm 真空吸盘 1,500 microns.001" .0001"or .01mm .001mm± 3.5? 精密对准模块 可互换的面罩架和基板卡盘 掩膜 大小 Up to 14" x 14" 好处 光源 光束尺寸灯功率 Up to 12" square200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV I 需要最小的洁净室空间 500, 1,000 and 2,000 Watt DUV I 对易碎基材材料造成损坏降至最低 快门定时器设施 定时器 0.1 to 99.0 sec. at 0.1second incrementsor 1 to 999 sec. at 1second increments I 精确对准至1微米 I 可轻松容纳各种基材和面罩 电压 110或220 / 400vac（或根据其他国家电源要求） I IR透明晶片的背面掩模对准，精度高达3-5微米 真空 20 - 28” Hg. I 高度准直，均匀的紫外线 空气和氮气 CDA at 60 PSI andN2at 40 PSI 排气 .35“至.5”水 I 快速更改UV光波长 I 曝光控制强度为±2％ 尺寸 高度宽度深度运输重量 37” (200mm), 45” (300mm)31” (200mm) , 60” (300mm)25” (200mm), 70” (300mm)250 Lbs. (200mm), 400lbs (300mm) I 可以配置为NIL的Nano Imprint工具

OAI 超过35年的历史 按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉 无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。 6000 型建立在经过验证的 OAI 模块化平台上，具有完全自动化的正面和背面对准，具有亚微米印刷功能以及亚微米从上到下的正面对准精度，可提供任何价格都无法比拟的性能。选择顶部或可选的背面对齐，使用 OAI 定制的高级识别模式软件。这些掩模对准器采用 OAI 的先进光束光学器件，均匀性优于 ±3%，在第一掩模模式下每小时可处理 200 片晶圆，从而实现更高的良率。6000 系列可以处理各种晶圆，包括厚的粘合基板（最大 7000 微米）、翘曲晶圆（最大 7 毫米 - 10 毫米）、薄基板（最小 100 微米厚）和厚光刻胶。OAI 的增强型模式识别软件具有 +/- 0.5 微米的顶部对准，可提供可靠的可重复结果。对于背面对准，6000 型掩模对准机具有稳定的光学系统、长距离显微镜和先进的自动对准软件，可提供最可重复的正面到背面对准精度。6000 系列具有卓越的工艺重复性，是所有生产环境的完美解决方案。对于整个光刻工艺，Model 6000 可以与集群工具和 OAI 的自动掩模更换器无缝集成。OAI 的生产掩模对准器是完整的套件，也可配备 UV LED 光源。 标准正面功能： 双100万像素分辨率CCD相机 最大8英寸的基板，掩膜尺寸9' X 9'' Windows PC 控制，带配方储存功能 调整和定位的电动操纵杆 曝光模式：真空、硬软接触和接近模式 自动楔形效应补偿 标准背面功能： 包含正面所有功能 另外2个CCD相机 数码变焦 电动背面光学对焦

Idonus基于高功率LED和高档微透镜阵列的基础上提出了一个 GE MING性的紫外光照系统。这个产品应用于光刻胶曝光工艺，适用多种基材。光照质量保证了高的同质性的临界尺寸和整个面上的侧壁角。实际上，由于使用了一种完全远心的光学，我们的设计提供了完美的稳定光照条件，即整个表面的高同质性的强度和低的发散角。 可以根据用户需求进行产品开发定制，可以极大缩短您的想法变成产品的时间。 LED BENEFITS优点目前随着LED技术的发展，紫外LED表现出了比汞光源更大的优势。● 长寿命LED，测试不需要耗材● 不需要每天校准，即刻稳定光照● 有限的发热，这降低了空气冷却费用● 低功率消耗● 光源仅仅在曝光时开启（不需要快门）● 用户可以根据需求进行照射系统定制。也可以按照用户旧机器的尺寸设计照射系统，以替代旧的机器上的汞灯照射系统。TYPICAL PERFORMANCES 典型参数分辨率 ：0.5 μm光学功率 ：20 to 200 mW/cm2曝光区域 ：50x50 to 300x300 mm2光学辐照不均匀性 ： ±2%ZUI大发散角(FWHM) ：±1.5°to 3°波长 ：365 / 385 / 405 nm光谱半宽幅 ：12 nm设备尺寸 ： 65x30x30 cm3总功率 ：20 to 1200 WEXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系统规格举例可能的曝光系统的不同配置如下表所示，系统可以根据您的需要设计。System Type 系统型号ABCResolution [um] 分辨率211Optical power [mW/cm2] 光学功率42152165Exposition area [mm2] 曝光面积80x80100x100300x300Optical irradiance inhomogeneity [%] 光照幅度不均匀性±2±2±2Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum)最大发散角（半宽幅）±2.5°±1.5°±1.5°Wavelength [nm] 波长405365385Spectrum half width [nm] 光谱半宽幅121212System size [cm] 系统尺寸65x30x3065x30x301100x60x60Power consumption [W] 功耗201801200

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

仪器简介：光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)原产国: 韩国，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：KCMA-100；又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备.技术参数：- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；- 光束均匀性：±3%；- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；- 对准精度：0.6-1微米- 分辨率：1微米；- 光束输出强度：15-25mW/cm2； 项目技术规格曝光系统(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact: 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4.25×4.25 inch光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统(Alignment System)对准精度1um对准间隙手动调节(数字显示)光刻模式真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity）卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围10mm接近调整步幅1um样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum -200 mbar (系统包含真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电源 Electricity220V, 15A, 1Phase显微镜及显示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor Magnification : 80x ~ 1000x 主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"； - 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)； - 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式 - 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

瑞士idonus提出了一种创新的紫外线照明系统，该系统基于大功率LED和高级微透镜阵列的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光，适用于多种基材。我们完整的UV照明产品线可满足300 mm宽的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案来满足您的特定要求（例如，对掩模对准器进行改造，为将来的产品提供OEM）。LED的好处直到最近，水银弧光灯能够提供适合UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步，UV-LED已成为耗能汞灯的极具吸引力的替代品。除了生态和安全方面，与传统的汞灯相比，UV-LED的技术优势众多，并且对光刻具有重要意义。UV-LED的最重要的优点是，它们具有稳定的发射性，使用寿命长。结果，不需要日常校准和维护。此外，通过提高能源效率，LED减少了发热量，从而大大简化了系统冷却。UV-LED技术的好处LED使用寿命长，这意味着不再需要消耗品无需每日校准，即时稳定的照明即时开启，光线仅在曝光期间开启，无需机械快门低功耗有限的加热，这意味着非常低的空气冷却成本没有维护费用紫外线LED曝光系统idonus已经推出了完整的UV-LED曝光产品线。我们的系统将市场上最有效的UV-LED与高级微透镜阵列集成在一起。它们完全组装并在内部进行控制。我们的设计采用全远心光学元件，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件-即高度均匀且稳定的强度，并且发散角很小。这种光学器件可确保整个基板完全均匀地曝光，从而生产出具有笔直侧壁的固化光致抗蚀剂，并具有微米级。应用：光刻曝光纳米压印紫外固化优点：工艺稳定免校准，免维护即时开/关无有害物质，无特殊安全规定

简介：真空曝光机：用于对厚度至7mm的锌板和镁板进行曝光试验.两个型号：板尺寸至75 x 85 cm和90 x 110 cm金属卤化物灯该款曝光机用于研究不适用常规标准的曝光试验，用于测试薄膜和板.我们的目的是减少功耗但曝光时间不变，并且提供一个快速安全的真空环境.曝光试验的光源功率为4000W.与市场上Z好的试验箱比较，我们的曝光时间更短.对灯参数的检查使我们得到连续且相等的曝光.光学积分器不足以得到相同曝光.半透明有机玻璃的正面板可在试验过程期间检查仪器，这样会减少90%的灯晕.我们产品的每个型号都会提供多语种液晶显示，显示信息和可能出现的异常.技术参数：技术参数紫外曝光系统1紫外曝光系统2总长1.106 mm.1.301 mm.宽度1.105 mm.1.510 mm.高度1.890 mm.2.110 mm.工作尺寸750 x 850 mm.900 x 1100 mm.灯（W）4000 W4000 W通道3939光学积分器YESYES4个架子YESYES功率4000W, 380V, 12A4000W, 380V, 12A扩散器YESYES光服务YESYES控制灯YESYES液晶屏YESYES

虹科ALE紫外光刻光源/曝光光源ALE/1C UV-LED 曝光系统提供与 1 kW 和 2 kW 汞弧灯的照明功率相匹配的最高输出水平一、主要特色：虹科 ALE/1C 是一种用于多用途工业应用的高强度非相干点光源。 它基于 UV-LED 技术，与传统的高压汞放电灯相比具有多种优势，例如降低功耗和发热、延长使用寿命以及减少整体设置维护。ALE/1C – UV-LED 曝光系统建立在平台概念之上，在其光路中最多可组合三个 UV-LED 发射器。 这些光源通常用于光刻工艺（半导体制造）和工业光固化应用。内置实现最高效率和性能闭环控制输出LED工艺稳定性和TOC优势无汞设计，未来可持续高达50W的宽带曝光（UV-LED 350-450nm） 二、实现最佳OEM集成的分段设计配置：ALE/1C 光源遵循分布式设计方法，通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个或多个独立的曝光子系统 (ESS) 组成，非常紧凑，但功能极其强大：我们的 UV-LED 曝光头的这种设计原理实现轻松直接集成到您的设备中。 此曝光子系统发出的光可以与各种可用的光管、光导和其它（定制的）光学器件结合使用。2.1 控制子系统（CSS）有两个版本的 CSS 可用：独立单元和 4U 19″ 机架安装单元。 两个 ALE/1C CSS 版本都具有相同的控制接口、冷却系统连接器和系统状态指示灯。 此外，机架安装版本在前面提供了一个曝光测试钥匙开关，无需外部控制信号即可激活光输出。2.2 曝光子系统（ESS）ALE/1C 光引擎是光管耦合点光源。 该系统具有紧凑的曝光子系统 (ESS)，可以轻松集成到您现有的设备（改装）或新设计中。 这个 UV-LED 光引擎连接到一个单独的控制子系统 (CSS)，提供控制和驱动固态发射器以及所有必需的光学组件所需的所有硬件和软件。三、出光选择与光学元件：我们提供一系列可与 ALE/1C ESS 结合使用的柔性液态光导、光管、匀化器和聚光光学器件。 如果您需要远距离传输高功率辐射、提高均匀性或想要调整输出辐射的准直角，这些组件特别有用。 四、标准光刻配置：365 nm, 405 nm, 435nm我们的标准 ALE/1C 设置将 UV-LED 发射器与汞光谱的 i、h 和 g 线 (365 / 405 / 435 nm) 附近的峰值波长相结合。 无论您是想在不更换滤光片的情况下切换波长、自定义输出光谱的组成，还是想利用非常强烈的宽带曝光，我们的 ALE/1C 都能为您提供 350 至 450 光谱范围内的最高 UV-LED 辐射输出我们的 ALE/1C 的总输出功率高达 40 W 或在冷却回路中添加外部冷却器时高达 50 W。ALE/1C 系统的光谱组成有多种选择。 最多可组合 3 个 LED 模块：近紫外（365、385、405、435 nm）、可见光（470、520、620、660、690 nm）NIR-LED （730、770、810、850、970 nm）五、系统参数与规格：

EZI UV Nanoimprint System PL600EZI 紫外曝光纳米压印系统EZ Imprinting推出了一款台式独立纳米压印系统：PL系列400/600.EZImprinting是一种超高产率（ 99％）纳米压印光刻系统，带有低于10纳米的分辨率和一步自动释放功能。特点：? 全晶圆压印 - PL600适用于6英寸晶圆处理, PL400适用于4英寸晶圆处理? 低于10纳米分辨率，产率高达99％? 一步自动释放功能，可防止分离过程中模具/基材损坏，使压印产量最大化? 支持各种类型的硬模和软模? 可变模具和基材尺寸，灵活方便? 可编程PLC，通过自定义参数进行过程控制，带触摸屏用户界面? 对准功能选项? 多种工艺，适用于各种应用光学器件，显示器，数据存储，生物医学器件，半导体IC，化学合成和先进材料等? 专有的紫外线固化纳米压印抗蚀剂对硬度或厚度没有限制，并且与传统的光刻工艺兼容PL600基材尺寸，6“标准（尺寸较小，形状不规则）印记区： 与晶圆尺寸相同。模板尺寸 6”,4” ,2” and 1”压印压力: 1 psi标准模具/基材自动释放: 包括 - 不需要特殊工具紫外线曝光时间:在95％强度水平下2-3分钟对准功能: x，y，z和theta（精度2um）

Model 212 型大面积光罩校准器是一种经济高效的高性能光罩校准器，它采用 OAI 业经验证的组件进行设计，这些组件使 OAI 成为光罩校准器行业的领导者。Model 212 型是台式光罩校准器，只需最小的洁净室空间，并且只需最小的洁净室空间，并且为大面积基板、液晶显示器、薄膜晶体管、面板级封装和OLED。Model 212大面积掩膜对准器采用了OAI 紫外光源，可提供近紫外、中紫外或深紫外准直紫外光。灯管提供近紫外、中紫外或深紫外准直紫外光，功率从 200 瓦到 2000 瓦不等。恒定强度控制器相连，以控制曝光强度控制在所需强度的 ±2% 范围内。Model 212系统参数: Substrate SizeSubstrate StageX, Y Travel Z TravelUp to 12” square or 300mm±10mm 5mmMicrometer.001” .0001”Graduationsor .01mm .001mmRotation±3.5&ring MaskSizeUp to 14” x 14”LightsourceBeam SizeUp to 12” squareLamp Power200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV500, 1,000 and 2,000 Watt DUVShutter TimerTimer0.1 to 99.0 sec. at 0.1 second incrementsor 1.0 to 999 sec. at 1.0 second incrementsFacilitiesElectrical110 or 220 vac (or other according to Power Supply requirementsand Country)Vacuum20 - 28” Hg.Air and N2 ExhaustCDA at 60 PSI and N2at 20 PSI 0.35” to 0.5” WaterDimensionsHeight42” (1067mm)Width60” (1524mm) Depth53” (1346mm)

平行光曝光系统设计紧凑的平行光曝光系统。这种准直镜式平行光曝光系统使用一个超高压汞灯作为点光源。 主要部件由光源、吸式曝光台和面罩单元组成，曝光方式可以是真空接触（硬接触）曝光方式。 也可根据要求提供接近系统。对于曝光控制，安装了一个集成的测光表，以方便设置正确的曝光量。基本信息基本规格。工件尺寸：150毫米×150毫米，厚度约0.1 - 1.0毫米光学性能：超高压汞灯1KW（风冷），波长约300-470纳米（主波长365、405、436纳米）。紫外线照度约为40 mw/cm^2的初始值（@365 nm），照度分布为90% min。射线平行度：准直半角≤1.5°，倾角≤1.0°。曝光快门：用空气驱动的快门打开/关闭曝光控制：取决于集成测光表（控制波长为365纳米），20通道记忆面罩（基本）： □8英寸玻璃面罩，3.0毫米或5.0毫米厚曝光台：吸气台，前/后可移动，内置真空泵上层框架类型：专用玻璃罩框架或麦拉框架公用设施：电源3相200V 50/60 Hz，断路器开关30A，10.5KVA　　　　　　　压力空气约0.5 Mpa　　　　　　　废气：约8 m^3/min外部尺寸：(W)800mmx(D)1470mmx(H)1915mm

介绍：1)显微镜 LED曝光系统 UTA系列，为不需使用光罩即可以完成Pattern曝光的投影式曝光设备。 2)使用金相显微镜和 LED 光源 DLP 光机，即可在涂布光阻的基板上进行数个微米 分辨率的曝光。 3)Pattern 形状可以使用计算机绘图自由制作。4)可在一般环境操作，样品外观及尺寸限制小，价格比一般电子束曝光机更便宜、方便性更高，可以大幅降低研发成本。特色： 使用显微镜和 DLP 组合之曝光系统，可比既有系统拥有更具竞争性之价格。 ‚ 软件操作简便，可以自由绘制曝光Pattern。 ƒ 透过物镜倍率选择，调整曝光范围大小与分辨率。 „ 可以制造微米等级尺寸的 Pattern 。使用案例：ü形成薄膜 FET 以及 Hole 效果量测用试料之电极。 üMo 原石取出薄片，形成原石特性评估的电极。

海思科技 吴先生 全自动接近式曝光机、半自动光刻机主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、（TSV）等领域。技术参数：1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。2．曝光面积：110×110mm； 支持晶圆4-12寸3．曝光照度不均匀性：≤3%；4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；6．紫外光中心波长：365nm；7．紫外光源寿命：≥2 万小时；8．分离量：0～≥1090um 可调；9．对准精度：≤1μm；10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋转精度 Q≤0.001°；13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。14．掩模版尺寸：5″×5″； 可定制15．晶圆尺寸：4″； 、6、816.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；20．曝光定时：0～999.9 秒可调；21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；23．洁净空气压力：≥0.4MPa；24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；26．重量：约 200kg

URE-2000S/A8 型紫外双面光刻机 主要技术参数。曝光面积：8 英寸。曝光波长：365nm： 15mW/cm，405nm：15-30mW/cm2。分辨力：1 μm 。对准精度：±2 μm （双面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （单面）。掩模尺寸：4 英寸、5 英寸，7 英寸，9 英寸。样片尺寸：3 英寸、4 英寸，6 英寸，8 英寸，厚度 0.1mm—2mm。曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量。调平接触压力通过传感器保证重复。 数字设定对准间隙和曝光间隙。具备压印模块接口，也具备接近模块接口。正面对准采用双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍 物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍 目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍。底面面对准：采用双显微物镜+CCD+采集卡+计算机合像，物镜轴距范围 10mm-200mm。照明不均匀性：5%（Ф200mm 范围）。掩模相对于样片运动行程： X：±5mm Y：±5mm Thelta：±6 度 。最大胶厚：500 μm （SU8 胶，用户提供检测条件）。光源平行性：2°。具有循环水冷却系统。汞灯功率：1000W（直流，进口） 外形尺寸：1400mm（长）x1200mm(宽) x2000mm（高） 设备构成与配置明细设备主要由均匀照明曝光系统（曝光头）、对准工件台系统、双目双视场显微镜系统、底面 CCD 对准系统、电控系统、气动控制系统及辅助配套设备构成。 （1）曝光头系统包括：。冷光椭球镜。1000 W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。XYZ 汞灯调节台。冷却风扇.。光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（109 余个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台系统包括：。掩模样片相对运动台（XY）。转动台（θ）。样片自动调平机构。样片调焦机构?承片台 4 个 （3 英寸、4 英寸，6 英寸，8 英寸）。掩模架 4 个 （4 英寸、5 英寸，7 英寸，9 英寸）。掩模翻转及旋转机构 （3）对准显微镜（可选择带 CCD 型，目镜和监视器可同时观测）系统包括：。LED 照明及配套电源。双目双视场对准显微镜主体。目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）。物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）。CCD 及光学成像系统。XYZ 底面对准工件台（两套） （4）底面 CCD 对准系统。LED 照明及配套电源。CCD 及光学成像系统(2 套)。数据采集卡 （5）电控系统。汞灯触发电源(1000W 直流汞灯)。单片机控制系统。控制柜桌。计算机系统（22 英寸宽屏液晶显示器） （6）气动系统。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等。电磁阀驱动。气动仪表 （7）其他附件（选配）。真空泵一台（无油静音型）。空压机一台（无油静音型）。恒温循环水冷却系统。管道

URE-2000S/A 型紫外双面光刻机 主要技术参数。曝光面积：6 英寸。曝光波长：365nm： 20mW/cm，405nm：20-35mW/cm2。分辨力：1μm 。对准精度：± 2μm （双面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （单面）。掩模尺寸：3 英寸、4 英寸、5 英寸，7 英寸。样片尺寸：2 英寸、3 英寸、4 英寸，6 英寸，厚度 0.1mm—6mm。曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量。调平接触压力通过传感器保证重复。数字设定对准间隙和曝光间隙。具备压印模块接口，也具备接近模块接口7。正面对准采用双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍 物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍 目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍。底面面对准：采用双显微物镜+CCD+采集卡+计算机合像，物镜轴距范围 10mm-148mm。照明不均匀性： 2.5%（Ф100mm 范围）, 3%（Ф150mm 范围）。掩模相对于样片运动行程： X：± 5mm Y：± 5mm Thelta：± 6 度。最大胶厚：500 μm （SU8 胶，用户提供检测条件）。光源平行性：2°。具有循环水冷却系统。汞灯功率：1000W（直流，进口） 外形尺寸：1400mm（长）x1200mm(宽) x2000mm（高） 设备构成与配置明细设备主要由均匀照明曝光系统（曝光头）、对准工件台系统、双目双视场显微镜系统、底面 CCD 对准系统、电控系统、气动控制系统及辅助配套设备构成。 （1）曝光头系统包括：。冷光椭球镜。1000 W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。XYZ 汞灯调节台。冷却风扇.。光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（109 余个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台系统包括：。掩模样片相对运动台（XY）。转动台（θ）。样片自动调平机构。样片调焦机构。承片台 4 个 （2 英寸、3 英寸、4 英寸，6 英寸）8。掩模架 4 个 （3 英寸、4 英寸、5 英寸，7 英寸）。掩模翻转及旋转机构 （3）对准显微镜（可选择带 CCD 型，目镜和监视器可同时观测）系统包括：。LED 照明及配套电源。双目双视场对准显微镜主体。目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）。物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）。CCD 及光学成像系统。XYZ 底面对准工件台（两套） （4）底面 CCD 对准系统。LED 照明及配套电源。CCD 及光学成像系统(2 套)。数据采集卡 （5）电控系统。汞灯触发电源(1000W 直流汞灯)。单片机控制系统。控制柜桌。计算机系统（22 英寸宽屏液晶显示器） （6）气动系统。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等。电磁阀驱动。气动仪表 （7）其他附件（选配）。真空泵一台（无油静音型）。空压机一台（无油静音型）。恒温循环水冷却系统。管道

美国 International Light 公司的多功能，轻便的辐射度计、照度计，可检测紫外光， 可见光到红外光的各波段，光参量的测量，对任意光学单位都可直接读数。 光刻胶紫外曝光测量 IL1740-B/IL1440-B 326-401nm(UV-B)

美国 International Light 公司的多功能，轻便的辐射度计、照度计，可检测紫外光， 可见光到红外光的各波段，光参量的测量，对任意光学单位都可直接读数。 光刻胶紫外曝光测量 IL1740-A/IL1440-A 320-475nm(UV-A)

MDA-600S易于操作和安装，PLC操作与PC控制，紧凑的尺寸半自动系统，图像抓取和数据记录，超过100个程序配方类型电脑控制，半自动掩模版尺寸最大 7 英寸基板尺寸碎片到 6 英寸圆形均匀的光束尺寸6.25 * 6.25英寸紫外光源紫外灯，350 W光束波长350 ~ 450 nm光束均匀性±3 %365 nm 强度最大 25 毫瓦/㎠ 对齐方式手动对准精度1微米进程模式软，硬，真空接触和接近流程解析1 um @ 1 um PR 厚度，带真空触点重量（公斤）600公斤尺寸（毫米）1256（宽）* 1151（深） * 1600（高）

EVG610 Mask Alignment SystemEVG610 掩模对准系统 EVG610是一款紧凑的多功能研发系统，可处理200mm以下的小基板片和晶圆。 技术数据EVG610支持多种标准光刻工艺，例如真空，硬，软和接近曝光模式，并可选择背面对准。此外，该系统还提供其他功能，包括键对准和纳米压印光刻（NIL）。 EVG610提供快速的处理和重新安装工具，可在不到几分钟的时间内转换用户需求。其先进的多用户概念可以适应从初学者到专家级别的所有需求，因此使其非常适合大学和研发应用。 特征晶圆/基片尺寸从zui大200 mm / 8' ’ 顶侧和底侧对齐能力高精度对准台 自动楔形补偿序列电动和配方控制的曝光间隙 支持zui新的UV-LED技术最小化系统占地面积和设施要求 分步流程指导远程技术支持：多用户概念（无限数量的用户帐户和配方，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）敏捷处理和转换重组；台式或带防震花岗岩台的单机版附加功能：键对齐 红外对准 纳米压印光刻（NIL） 技术数据对齐方式：上侧对齐：≤±0.5 μm 底面要求：≤±2,0 μm红外校准：≤±2,0 μm /基板材料，具体取决于键对准：≤±2,0 μm NIL对准：≤±2,0 μm曝光源：汞光源/紫外线LED光源 楔形补偿 全自动-SW控制晶圆直径（基板尺寸）：高达100/150/200毫米曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式曝光选项：间隔暴露/洪水暴露/扇区暴露 先进的对齐功能：手动对准/原位对准验证 手动交叉校正 大间隙对齐系统控制：作业系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制配方和参数；多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR；实时远程访问，诊断和故障排除；纳米压印光刻技术，紫外线零。

技术规格：Model 6020 型曝光系统曝光模式 真空接触 硬接触 软接触 渐近式接触（20μ）分辨率 ≤ 20μ 2.0-3.0μ 3.0 - 5.0μ 5.0μm先进的光束光学技术光束尺寸：12" - 20" 方形光源功率：1 Kw - 8 Kw均匀功性率：优于±3 至 5%相机：400 万像素双CCD校准系统模式识别：OAI 的增强模式识别软件对齐精度：.5μtopside 和 1.0μ with top to bottom optionalbackside 自动对齐：顶部到底部 顶部晶圆处理基板尺寸：12"----20"掩膜尺寸：14"----24"基板厚度：可达到1 mm薄片 可达到5000μm卡盘：可定制卡盘（选项）跳楔动形补效偿应：找平 可用选项红外自动对焦、全光刻 SECS/Gem 软件的集成光刻机群非接触式找平

URE-2000/600 紫外单面光刻机1、设备主要技术指标：(1)光束口径： 650mm×650mm(2)有效曝光面积：600mm×600mm(3)分辨力：≤3μm(4)对准精度： ±1.5μm(5)对准显微镜中心距：75mm-600mm 可调(6)掩模尺寸：650mm×650mm(7)样片尺寸：可适应Ф300mm、Ф450mm、Ф600mm 300mm×300mm；450mm×450mm；600mm×600mm，厚度为 0.2mm～20mm 的多种规格样片；(8)光源不均匀性：≥ 95%（Ф600mm）(9)掩模相对于样片运动行程：X: ± 15mm Y: ± 15mm Z：15mm Thelta: ± 10o(10)曝光面光强：15mW/cm2（i、g、h 线）(11)汞灯功率：2500W（直流）(12)曝光量设定方式：定时（计时方式 0.1s-9999.9s,设定精度 0.1s） 2．技术主要组成部分大面积精细胶模图形结构成型机组成主要由：高均匀照明曝光系统、对准工件台系统、CCD 对准系统、计算机控制系统、气动控制系统及辅助设备构成。各系统构成与配置如下:（1）高均匀照明系统包括：。 冷光椭球镜；。2500W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。XYZ 汞灯调节台；。 光学系统：椭球反射镜、光栏、快门、平面冷光反射镜 1、平面冷光反射镜 2、蝇眼透镜组、抛物面冷光反射镜；。 冷却风扇；。 循环水冷系统。 （2）对准工件台系统包括：。掩模样片相对运动台；。 转动台；。 样片调平机构,自动完成；。样片调焦机构，自动调整；。承片台 10 个：Ф300mm、Ф450mm、Ф600mm 及 300mm×300mm；450mm×450mm；600mm×600mm；。 掩模夹 1 个：650mm×650mm；。 抽拉式上下片机构。 （3）CCD 对准系统包括：。 光源、电源；。 显微镜工作台；。 成像光学系统（两套）；。 数据采集卡；。 CCD 图像处理部件（两套）。 （4）电控系统包括：。 大功率汞灯触发电源；。单片机控制系统；。 薄膜开关面板；。 控制柜桌； （5）气动系统包括：。 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等；3 。电磁阀驱动部件；。 气动显示仪表。 （6）其他配套附件。 真空泵一台（无油泵、SK-65C 型）；。 空压机一台（静音型、YB-W30 型）；。水冷机一台（H35W 型）；。 配套接口管道 3.相关技术资料：。设备使用及维护说明书。出厂检验合格证。

类型手动掩模版尺寸最大 5 英寸基板尺寸 碎片到4 英寸圆形均匀的光束尺寸125 毫米圆形紫外光源紫外发光二极管（LED光源）光束波长365 纳米光束均匀性±3 %365 nm 强度最大 25 毫瓦/㎠ 对齐方式手动对准精度1微米进程模式软，硬，真空接触和接近流程解析1 um @ 1 um PR 厚度，带真空触点重量（公斤）150公斤尺寸（毫米）995（宽）* 800（深） * 850（高）

MDA-80MS易于操作和安装，PLC操作与PC控制，紧凑的尺寸半自动系统，图像抓取和数据记录，超过100个程序配方类型电脑控制, 半自动掩模版尺寸最大 9 英寸基板尺寸碎片至 8 英寸均匀的光束尺寸8.25 x 8.25 英寸紫外光源紫外灯，1 kW光束波长350 ~ 450 nm光束均匀性±5 %365 nm 强度最大 20 mW/㎠ 对齐方式手动对准精度1微米进程模式软，硬，真空接触和接近流程解析1 um @ 1 um PR 厚度，带真空触点重量（公斤）750公斤尺寸（毫米）1400（宽）* 1100（深） * 1600（高）

EZ Imprinting推出了一款台式独立纳米压印系统：PL系列400/600.EZImprinting是一种超高产率（ 99％）纳米压印光刻系统，带有低于10纳米的分辨率和一步自动释放功能。该平台提供具有微定位夹具的机械平台，用于安装纳米压印室，UV固化源和对准显微镜。它即可以作为纳米压印系统，也可以作为传统的掩模对准器，同时提供可编程的自动控制功能。EZI UV Nanoimprint System PL400特点：? 全晶圆压印 - PL600适用于6英寸晶圆处理, PL400适用于4英寸晶圆处理? 低于10纳米分辨率，产率高达99％? 一步自动释放功能，可防止分离过程中模具/基材损坏，使压印产量最大化? 支持各种类型的硬模和软模? 可变模具和基材尺寸，灵活方便? 可编程PLC，通过自定义参数进行过程控制，带触摸屏用户界面? 对准功能选项? 多种工艺，适用于各种应用光学器件，显示器，数据存储，生物医学器件，半导体IC，化学合成和先进材料等? 专有的紫外线固化纳米压印抗蚀剂对硬度或厚度没有限制，并且与传统的光刻工艺兼容EZ Imprinting处理器参数：基材尺寸: 4“标准（尺寸较小，形状不规则）印记区 : 与晶圆尺寸相同。模板尺寸 4”,2” and 1”

URE-2000 系列紫外单面光刻机此系列包含六种型号：URE-2000A,URE-2000B,URE-2000/35,URE-2000/35A,URE-2000/25,URE-2000/17 URE-2000/600 紫外光刻机 1、设备主要技术指标：(1)光束口径： 650mm×650mm(2)有效曝光面积：600mm×600mm(3)分辨力：≤3μm(4)对准精度：±1.5μm(5)对准显微镜中心距：75mm-600mm 可调(6)掩模尺寸：650mm×650mm(7)样片尺寸：可适应Ф300mm、Ф450mm、Ф600mm 300mm×300mm；450mm×450mm；600mm×600mm，厚度为 0.2mm～20mm 的多种规格样片；(8)光源不均匀性：≥ 95%（Ф600mm）(9)掩模相对于样片运动行程：X: ±15mm Y: ±15mm Z：15mm Φ: ±10o(10)曝光面光强：15mW/cm2（i、g、h 线）(11)汞灯功率：2500W（直流）(12)曝光量设定方式：定时（倒计时方式 0.1s-9999.9s,设定精度 0.1s） 2．技术主要组成部分大面积精细胶模图形结构成型机组成主要由：高均匀照明曝光系统、对准工件台系统、CCD 对准系统、计算机控制系统、气动控制系统及辅助设备构成。各系统构成与配置如下: （1）高均匀照明系统包括：。冷光椭球镜；。2500W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。 XYZ 汞灯调节台；。光学系统：椭球反射镜、光栏、快门、平面冷光反射镜 1、平面冷光反射镜 ，2、蝇眼透镜组、抛物面冷光反射镜；。冷却风扇；。循环水冷系统。 （2）对准工件台系统包括：? 掩模样片相对运动台；? 转动台；? 样片调平机构,自动完成；? 样片调焦机构，自动调整；? 承片台 10 个：Ф300mm、Ф450mm、Ф600mm 及 300mm×300mm；450mm×450mm；600mm×600mm；? 掩模夹 1 个：650mm×650mm；? 抽拉式上下片机构。 （3）CCD 对准系统包括：? 光源、电源；? 显微镜工作台；? 成像光学系统（两套）；? 数据采集卡；? CCD 图像处理部件（两套）。 （4）电控系统包括：? 大功率汞灯触发电源；? 单片机控制系统；? 薄膜开关面板；? 控制柜桌； （5）气动系统包括：? 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等；? 电磁阀驱动部件；? 气动显示仪表。 （6）其他配套附件? 真空泵一台（无油泵、SK-65C 型）；? 空压机一台（静音型、YB-W30 型）；? 水冷机一台（H35W 型）；? 配套接口管道 二、URE-2000/A12 紫外光刻机 1、设备主要技术指标： (1) 曝光面积： 300mm×300mm；（2）分辨力： ±2μm；（3）对准精度：±2μm；（4）掩模尺寸： 7 英寸、9 英寸、13 英寸；（5）样片尺寸： 6 英寸、8 英寸、12 英寸；（6）wafer chuck 表面：防止光反射涂层；（7）掩模样片整体运动范围：X：10mm Y:10mm；（8）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф : ±6°；（9）汞灯功率：1000W（直流）；（10）曝光能量密度：≥ 10mW/cm 2 ；（11）曝光峰值波长:365nm；（12）光源平行度：＜2°；（13）曝光方式：定时（倒计时方式 0.1s—9999.9s）；（14）光刻版夹具兼容性 2．技术主要组成部分 （1）曝光头系统包括:? 冷光椭球镜；? 德国 OSRAM1000W 直流高压汞灯；? XYZ 汞灯调节台；? 光学系统（冷光紫外平面反射镜、快门、蝇眼透镜组、冷光紫外抛物面反射镜）；? 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括:? 掩模样片相对运动台；?（XY），转动台；? 样片调平机构；? 样片调焦机构；? 承片台 3 个： 6 英寸、8 英寸、12 英寸；? 掩模夹 3 个： 7 英寸、9 英寸、13 英寸。 （3）CCD 对准显微镜系统包括:?4 倍显微镜 2 只；?照明光源 2 套；? CCD 相机 2 只；?22 英寸液晶显示器。 （5）电控系统：? 汞灯触发电源(1000W)；? 单片机控制系统；? 控制柜桌。 （6）气动系统系统包括:? 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关，电磁阀驱动，气动仪表等 （7）其他配置与附件?真空泵一台；?空压机一台；? 配套气管 10m； 三、URE-2000/A8 紫外光刻机 1、设备主要技术指标： (1) 曝光面积： 200mm×200mm；（2）分辨力：±2 μm；（3）对准精度：±2 μm；（4）掩模尺寸：5 英寸、7 英寸、9 英寸；（5）样片尺寸：4 英寸、6 英寸、8 英寸；（6）wafer chuck 表面：防止光反射涂层；（7）掩模样片整体运动范围：X：10mm Y:10mm；（8）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Φ: ±6°；（9）汞灯功率：1000W（直流）；（10）曝光能量密度：≥ 15mW/cm 2 ；（11）曝光峰值波长:365nm；（12）曝光方式：定时（倒计时方式 0.1s—999.9s）；（13）调平接触压力通过传感器保证重复（14）数字设定对准间隙和曝光间隙（15）具备压印模块接口，也具备接近模块接口 2．技术主要组成部分 （1）曝光头系统包括:? 冷光椭球镜；? 德国 OSRAM1000W 直流高压汞灯；? XYZ 汞灯调节台；? 光学系统（冷光紫外平面反射镜、快门、蝇眼透镜组、冷光紫外抛物面反射镜）；? 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括:? 掩模样片相对运动台；?（XY），转动台；? 样片调平机构；? 样片调焦机构；? 承片台 3 个： 4 英寸、6 英寸、8 英寸；? 掩模夹 3 个：5 英寸、7 英寸、9 英寸。 （3）CCD 对准显微镜系统包括:?4 倍显微镜 2 只；?照明光源 2 套；? CCD 相机 2 只；?22 英寸液晶显示器。 （5）电控系统：? 汞灯触发电源(1000W)；? 单片机控制系统；? 控制柜桌。 （6）气动系统系统包括:? 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关，电磁阀驱动，气动仪表等 （7）其他配置与附件?真空泵一台；?空压机一台；? 配套气管 10m； 四、URE-2000A 型光刻机 1．技术参数?曝光面积：150mmX150mm?曝光波长：365nm?分辨力：0.8-1μm（胶厚 2 μm 的正胶）?对准精度：±0. 6μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±150mm（各种不规则片）厚度 0.1mm--5mm(可拓展至 15mm)?曝光方式：定时（倒计时方式），0.1s-9999s?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能?照明不均匀性： 2.5%（ ±100mm 范围），5%（±150mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和曝光间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程： X: ±5mm Y: ±5mm Φ: ±6 度?最大胶厚：500 μm(SU8 胶)?光源平行性：1.2°?曝光能量密度：18mW/cm2?冷却方式：循环水+风冷?曝光面温度：30°C?汞灯功率：1000W（直流，进口 2．外形尺寸：1400mm（长）?1200mm(宽) ?1950mm（高） 3．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?1000W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗,长寿命型)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（109 个透镜）、i 线滤光片、场镜1、场镜 2、冷光反射镜 1、反射镜 2?循环水冷系统 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,自动完成?样片调焦机构，自动调?承片台 4 个（2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸）?掩模夹 4 个（3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸）?基片抽拉式上下片机构 （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个） （4）CCD 对准系统(选配)?光源（配备品 3 只）、电源?成像光学系统（两套）?数据采集卡?三维工件台（两套）?CCD（2 只） （5）电控系统?汞灯触发电源(1000W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制柜桌?计算机系统及液晶显示器 （6）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （7）其他附件?真空泵一台（无油泵）?空压机一台（静音泵） 五、URE-2000B 型光刻机 1．技术参数?曝光面积：100mmX100mm?曝光波长：365nm?分辨力：0.8μm（胶厚 2μm 的正胶）?对准精度：±0.6μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm（各种不规则片）厚度 0.1mm--6mm(可扩展为 15mm)?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能?照明不均匀性： 2.5%（±100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜 3 对：4 倍、10 倍、20 倍； 目镜 3 对：10 倍、16 倍、20 倍?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和曝光间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程： X: ±5mm Y: ±5mm Ф: ±6 度?最大焦厚：600 μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行度：1.2o?曝光能量密度：20mW/cm ?汞灯功率：1000W（直流，进口） 2．外形尺寸：1400mm（长）?1200mm(宽) ?1950mm（高） 3．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?1000W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（109 个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,自动完成?样片自动调焦机构?承片台 4 个（?15mm 、2 英寸、3 英寸、4 英寸）?掩模夹 4 个（2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸）?基片抽拉式上下机构 （3）对准显微镜及 CCD 对准系统?光源、电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD?21 英寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(1000W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制柜桌 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪 （6）其他附件?真空泵一台（无油泵）?空压机一台（静音泵）?管道 （7）技术资料?使用维修说明书。? 显微镜使用说明书 六、URE-2000/35 型光刻机 1．技术特征——非常适合工厂（效率高，操作傻瓜型，自动化程度高）和高校教学科研（可靠性好，演示方便）采用自动找平，具备真空接触曝光、硬接触曝、压力接触曝以及接近式曝光四种功能，自动分离对准间隙和消除曝光间隙，采用 350W 进口（德国）直流汞灯，可调节光的能量密度。设备外形美观精制，性能非常可靠，自动化程度很高，操作十分方便。 2．技术参数?曝光面积：4 英寸?曝光波长：365nm?分辨力：0.8?m?对准精度：?0. 8?m?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ?10mm-- ?100mm(各种不规则片)，厚度 0.1mm--5mm(可扩展为 15mm)?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能?照明不均匀性： 3%（?100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和曝光间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф : ±6o?最大焦厚：400 μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行性：3.5 o?曝光能量密度：20mW/cm2,照明面温度35 o?单层曝光一键完成?采用球气浮自动找平?汞灯功率：350W（直流，进口汞灯） 3．外形尺寸：1200mm（长）±900mm(宽) ±1750mm（高） 4．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?350W 进口直流高压汞灯(进口)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜1、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,自动完成?基片抽拉式上下机构?样片调焦机构，电机自动调?承片台 4 个：±15mm 、2 英寸、3 英寸、4 英寸（可按用户要求增减）?掩模夹 4 个：3 英寸、4 英寸、5 英寸（可按用户要求增减） （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、 电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD 对准系统，21 寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(350W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制柜桌 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?空压机一台?管道 七、URE-2000/35A 型光刻机 1．技术特征——非常适合工厂（效率高，操作傻瓜型，全自动）和高校教学科研（可靠性好，演示方便）采用自动找平，具备真空接触曝光、硬接触曝、压力接触曝以及接近式曝光四种功能，自动分离对准间隙和消除曝光间隙，采用 350W 进口（德国）直流汞灯，可调节光的能量密度。设备外形美观精制，性能非常可靠，自动化程度很高，操作十分方便。 2．技术参数?曝光面积：6 英寸?曝光波长：365nm?分辨力：1-1.2μm（胶厚 2 μm的正胶）?对准精度：±0.8μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±150mm（各种不规则片），厚度 0.1mm--6mm?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能?照明不均匀性： 6%（±150mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和曝光间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф : ±6o?最大焦厚：350μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行性：3.5 o?曝光能量密度：15mW/cm2,照明面温度35 o?单层曝光一键完成?采用球气浮自动找平?汞灯功率：350W（直流，进口） 3．外形尺寸：1200mm（长）?900mm(宽) ?1750mm（高） 4．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?350W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,三点自动完成?样片调焦机构，电机自动调?基片抽拉式上下机构?承片台 4 个：?15mm 、3 英寸、4 英寸、6 英寸（可按用户要求增减）?掩模夹 4 个：3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸（可按用户要求增减） （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、 电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD 对准系统，21 寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(350W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制柜桌 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?空压机一台?管道 八、URE-2000/35L 型光刻机 一、 主要技术参数： （1）曝光面积：100mm×100mm；（2）照明不均匀性： ±3%（ ±100mm 范围）；（3）分辨力：1.0μm（胶厚 2.0 μm 的正胶，365nm 波长）（4）对准精度：≤±0.8μm；（5）掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸；（6）样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm、厚度 0.1mm--6mm；（7）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф:±6°；（8）掩模样片整体运动范围：X：6mm Y:6mm（9）曝光光源：紫外 LED（进口）；（10）曝光波长：365nm；（11）曝光强度：≥20mW/cm2；（12）曝光定时：倒计时方式(0.1s—9999.9s 任意设定).（13）调平接触压力通过传感器保证重复（14）数字设定对准间隙和曝光间隙（15）具备压印模块接口，也具备接近模块接口 二、技术构成与配置设备由曝光头系统、对准工件台系统、CCD 对准显微镜系统、电控系统、气动系统等部分构成。 （1）曝光头系统包括:◆ 进口紫外 LED 光源模块；◆ LED 光源整形模块；◆ XYZ 光源位置调节台；◆ 光学系统（含整形模块、可变光栏、电子快门、蝇眼透镜组（79 个透镜）、场镜组、反射镜组）；◆ 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括：◆ 掩模样片相对运动台（XY）；◆ 转动台；◆ 样片调平机构，采用三爪加球气浮自动调平方式；◆ 样片调焦机构，采用电机加传感器方式，可数字分离曝光间隙；◆ 承片台 4 个（?15mm 、2 英寸、3 英寸、4 英寸各 1 个）；◆ 掩模夹 4 个（2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸各 1 个）。 （3）CCD 对准显微镜系统包括：◆ 对准光源 LED 灯；◆ 双目双视场对准显微镜主体；◆ 目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）；◆ 物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）；◆ CCD 部件；◆ 22 英寸宽屏液晶显示器。 （4）电控系统包括：◆ 单片机控制系统；◆ 紫外 LED 电源模块；◆ 控制柜桌。 （5）气动系统包括：◆ 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关、电磁阀驱动、气动仪表等 。 (6)．辅助设备配置:◆ 真空泵 1 台（干泵）；◆ 静音空气压缩机 1 台；◆ 配套接管 10m； (7)．备品备件◆ 对准光源灯 4 只（LED-1W，不包括机器自带的两只）； 九、URE-2000/35AL 型光刻机 一、 主要技术参数：（1）曝光面积：150mm×150mm；（2）照明不均匀性： ±4%（ ±150mm 范围）；（3）分辨力：1.0μm（365nm 波长）（4）对准精度：≤±0.8μm；（5）掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸；（6）样片尺寸：直径 ±15mm-- ±150mm、厚度 0.1mm--6mm；（7）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф:±6°；（8）掩模样片整体运动范围：X：6mm Y:6mm（9）曝光光源：紫外 LED（进口）；（10）曝光波长：365nm；（11）曝光强度：≥15mW/cm2 ；（12）曝光定时：倒计时方式(0.1s—9999.9s 任意设定).（13）调平接触压力通过传感器保证重复（14）数字设定对准间隙和曝光间隙（15）具备压印模块接口，也具备接近模块接口 二、技术构成与配置设备由曝光头系统、对准工件台系统、CCD 对准显微镜系统、电控系统、气动系统等部分构成。 （1）曝光头系统包括:◆ 进口紫外 LED 光源模块；◆ LED 光源整形模块；◆ XYZ 光源位置调节台；◆ 光学系统（含整形模块、可变光栏、电子快门、蝇眼透镜组（79 个透镜）、场镜组、反射镜组）；◆ 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括：◆ 掩模样片相对运动台（XY）；◆ 转动台；◆ 样片调平机构，采用三爪加球气浮自动调平方式；◆ 样片调焦机构，采用电机加传感器方式，可数字分离曝光间隙；◆ 承片台 4 个（2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸各 1 个）；◆ 掩模夹 4 个（3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸各 1 个）。 （3）CCD 对准显微镜系统包括：◆ 对准光源 LED 灯；◆ 双目双视场对准显微镜主体；◆ 目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）；◆ 物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）；◆ CCD 部件；◆ 22 英寸宽屏液晶显示器。（4）电控系统包括：◆ 单片机控制系统；◆ 紫外 LED 电源模块；◆ 控制柜桌。 （5）气动系统包括：◆ 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关、电磁阀驱动、气动仪表等 。 (6)．辅助设备配置:◆ 真空泵 1 台（干泵）；◆ 静音空气压缩机 1 台；◆ 配套接管 10m； (7)．备品备件◆ 对准光源灯 4 只（LED-1W，不包括机器自带的两只）； 十、URE-2000/30 型光刻机 1．技术特征?高倍率双目双视场显微镜和 22 英寸宽屏液晶显示同时观察对准过程，并提供 USB 输出；既满足高精度对准，又可用于检测曝光结果，且曝光结果和方便存储?采用倒置式照明，更换汞灯更方便，散热和防漏光效果更好?对准位和曝光位双工位工作，双工位自动切换?采用嵌入式计算机+触摸屏操作，操作更方便，更时尚?上下片、版十分方便，自动化程度高，操作简便。对高校教学科研（可靠性好，演示方便）及工厂(效率高)尤为适宜 2．技术参数?曝光面积：100mm×100mm（可升级为 6 英寸）?曝光波长：365nm?分辨力：≤1 μm（胶厚 1.5 μm 的正胶）?对准精度：±0.6 μm?显微镜扫描台运动范围：X：10mm Y:10mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm（各种不规则片），厚度 0.1mm--6mm?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能30?照明不均匀性： 3%（±100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?曝光对准双工位自动切换?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф: ±6o?最大焦厚：400 μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行性：3 o?曝光能量密度：25mW/cm2,照明面温度35 oC?单层曝光一键完成?采用球气浮+三爪找平?汞灯功率：350W（直流，进口） 3．外形尺寸：1400mm（长）±900mm(宽) ±1500mm（高） 4．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?350W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?光刻机底座?工位切换台（气缸）?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,三点自动完成?样片调焦机构，电机自动调?基片抽拉式上下机构?承片台 4 个：?15mm 、?40mm、?60mm、?100mm（可按用户要求增减）?掩模夹 4 个：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸（可按用户要求增减）?样片抽拉式上下机构 （3）对准显微镜?光源、 电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD 对准系统，22 寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(350W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制面板?控制柜桌 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?空压机一台?配套接口管道 十一、URE-2000/25 型光刻机 1．技术参数?曝光面积：4 英寸?曝光波长：365nm?分辨力：1 μm（胶厚 2 μm 的正胶）?对准精度：±0.8μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm(各种不规则片)，厚度 0.1mm--6mm?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?照明不均匀性： 3%（ ±100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：4 倍、10 倍、20 倍?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф : ±6o?最大焦厚：350μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行性：3.5 o?曝光能量密度：20mW/cm2,照明面温度35 o?汞灯功率：350W（直流，进口） 2．外形尺寸：1200mm（长）?900mm(宽) ?1750mm（高） 3．配置（1）曝光头?冷光椭球镜?350W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜1、场镜 2、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构, 手动?样片调焦机构，手动?承片台 3 个（?50mm 、?75mm 、 ?100mm）?掩模夹 4 个（2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸）?基片抽拉式上下机构 （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、 电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?CCD 及 21 英寸液晶显示器?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个） （4）电控系统?汞灯触发电源(350W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制箱 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?空压机一台?管道 十二、URE-2000/17 型光刻机（台式） 1．技术参数?曝光面积：4 英寸?曝光波长：365nm?分辨力：1.5μm（胶厚 2 μm 的正胶）?对准精度：±1μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm，厚度 0.1mm--6mm(可扩展为 15mm)?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?照明不均匀性： 5%（±100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф: ±6 度?汞灯功率：200W（直流）?曝光能量密度：6mW/cm 2．外形尺寸：650mm（长）±600mm(宽) ±900mm（高）36 3．配置 （1）曝光头?200W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?XYZ 汞灯调节台?光学系统?冷却风扇 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,手动?样片调焦机构，手动?承片台 3 个（?50mm 、?75mm 、 ?100mm ）?掩模夹 4 个（2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸）?掩模抽拉式上下机构 （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD（台湾）?21 寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(200W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制机箱 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?管道

品牌：Elionix型号：ELS-F125/F100/HS50关键词标签：电子束曝光，电子束直写简短描述：（40字）：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μm束流定位Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用

EVG6200 NT Mask Alignment System(semi-automated / automated)EVG6200NT 掩模对准系统（半自动/自动） EVG6200NT掩模对准器是用于光学双面光刻和最大200 mm晶圆尺寸的多功能工具。 技术数据EVG6200 NT以其自动化灵活性和可靠性而著称，在最小的占位面积上提供了最先进的掩模对准技术，并具有最高的通量，先进的对准功能和优化的总拥有成本。操作员友好型软件，最短的掩模和工具更换时间以及高效的全球服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。 EVG6200 NT或完全容纳的EVG6200 NT Gen2掩模对准系统有半自动或自动配置，并配有集成的振动隔离功能，可在广泛的应用中实现出色的曝光效果，例如薄和厚抗蚀剂的曝光，深腔的图案化和可比的形貌，以及薄而易碎的材料（例如化合物半导体）的加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。 特征：晶圆/基片尺寸从最大200 mm / 8' ’系统设计支持光刻工艺的多功能性：在第一打印模式下的吞吐量高达180 WPH，在自动对齐模式下的吞吐量高达140 WPH易碎，薄或翘曲的多种晶圆尺寸的晶圆处理，更换时间短带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿程序自动原点功能，用于对准键的精确居中具有实时偏移校正的动态对准功能 支持最新的UV-LED技术返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统 自动化系统上的手动基材装载功能可以从半自动版本升级为全自动版本 最小化系统占地面积和设施要求多用户概念（无限数量的用户帐户和配方，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）先进的软件功能以及研发与全面生产之间的兼容性；敏捷处理和转换重组；远程技术支持和SECS / GEM兼容性；台式或带防震花岗岩台的单机版。 附加功能：键对齐 红外对准 纳米压印光刻（NIL）； 技术数据：曝光源：汞光源/紫外线LED光源先进的对齐功能：手动对准/原位对准验证 ；自动对齐；动态对齐/自动边缘对齐 对准偏移校正算法：通量；全自动：第一批生产量：每小时180片全自动：吞吐量对齐：每小时140片晶圆晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米对齐方式：上侧对齐：≤±0.5 μm；底侧对齐：≤±1,0 μm；红外校准：≤±2,0 μm /基板材料，具体取决于； 键对准：≤±2,0 μm； NIL对准：≤±3.0 μm曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动-SW控制；曝光选项：间隔暴露/洪水暴露/扇区暴露系统控制，操作系统：Windows；文件共享和备份解决方案/无限制配方和参数；多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR；实时远程访问，诊断和故障排除工业自动化功能：盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理纳米压印光刻技术：SmartNIL；