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自动扫描四探针测试仪

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自动扫描四探针测试仪相关的仪器

  • AFM5500M II全自动扫描探针显微镜除了配置高精度平板扫描器和各种测量自动化功能,还有两种共享坐标样品台功能。通过多种设备的关联解析,实现了单个设备无法实现的多维缺陷评价和故障解析。主要特点1. AFM自动化测量&bull 通过自动化控制大大提高效率,自动探针安装,自动光轴调整,自动参数优化;&bull 排除人为操作失误导致的测量误差,一键自动测量/处理/分析(提高整体测试效率) 2. 可靠性排除机械原因造成的误差大范围水平扫描采用管型扫描器的原子力显微镜,针对扫描器圆弧运动所产生的曲面,通常通过软件校正方式获得平面数据。但是,用软件校正方式不能完全消除扫描器圆弧运动的影响,图片上经常发生扭曲效果。AFM5500M搭载了全新研发的水平扫描器,可实现不受圆弧运动影响的准确测试。 样品 :硅片上的非晶硅薄膜高精角度测量普通的原子力显微镜所采用的扫描器,在竖直伸缩的时候,会发生弯曲(crosstalk)。这是图像在水平方向产生形貌误差的直接原因。AFM5500M中搭载的全新扫描器,在竖直方向上不会发生弯曲(crosstalk) ,可以得到水平方向没有扭曲影响的正确图像。样品 : 太阳能电池(由于其晶体取向具有对称结构)* 使用AFM5100N(开环控制)时 3. 利用探针评价功能进行探针尖端直径管理4. SIS模式可有效提高数据可靠性 SIS(Sampling Intelligent Scan)样品智能扫描模式只有在需要测量样品形貌和物性信息时才靠近测量点,自动控制探针位置,完全消除对测量不利的水平力,可测量吸附力较大或粗糙的样品,同时可大幅降低对探针的磨损和对样品的损伤,有效提高数据的可靠性。5. 支持机械物性/电磁物性等广泛的物性测量扫描探针显微镜是一种不仅可以测量形貌,还支持各种物性检测的显微镜。AFM5500MⅡ支持可同时获取弹性模量、形变、吸附力和摩擦力等各种机械物性的SIS-ACCESS/SIS-QuantiMech功能、以及导电性、压电分布和表面电位等各种电磁物性测量。6. 新的表面电位势测量模式 AM-KFM/FM-KFM(可用于定量和灵敏度等不同场景)除调幅开尔文力显微镜(AM-KFM)外,AFM5500MⅡ还新增了调频开尔文力显微镜(FM-KFM)。FM-KFM与AM-KFM相比,信号主要来自于探针的尖端,电位检测灵敏度更高,在电位的定量分析上更胜一筹。AM-KFM适用于单一材料间的电位和功函数对比等,FM-KFM适用于测量需要进行精细周期结构和海岛结构量化的复合材料,两种模式通过点击即可自由切换。7. 使用AFM、SEM、CSI等不同显微镜观察同一位置,实现多维度解析通过SEM、AFM、CSI等进行样品的同一位置测试,可以对目标视野进行多维度解析,实现数据的参照对比。日立高新可以提供特有的SEM/AFM/CSI同视野观察,实现联动分析。使用共享样品台进行坐标联动,或通过全新的AFM标记功能,可以在AFM、SEM、CSI之间快速、轻松地锁定同一视野,进一步扩大了联动分析的应用范围。
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  • FPP扫描四点探针测试仪 产品性能 设计:可与同一仪器中的其他测量结合使用(参见TLM-SCAN++)易于清洁的玻璃真空吸盘关闭盖子时自动开始测量 PROBE HEADS:在几秒钟内改变由软件认可碳化钨针尖端半径:0.25 mm 软件:显示的映射具有可选择的颜色方案和数据标记以及缩放,直方图,线扫描等功能单击图像重新测量单个点电流电压扫描测试线性度自动编号 规格:10 x 10MAP的持续时间: 4 分钟。最大 测试电流: 30毫安重量: 16公斤L′W′H厘米: 36 ′ 48 ′ 24 用途光伏测试 包装泡沫纸箱售后服务保修一年,一个月内包换
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  • FPP扫描四点探针测试仪 产品性能 设计:可与同一仪器中的其他测量结合使用(参见TLM-SCAN++)易于清洁的玻璃真空吸盘关闭盖子时自动开始测量 PROBE HEADS:在几秒钟内改变由软件认可碳化钨针尖端半径:0.25 mm 软件:显示的映射具有可选择的颜色方案和数据标记以及缩放,直方图,线扫描等功能单击图像重新测量单个点电流电压扫描测试线性度自动编号 规格:10 x 10MAP的持续时间: 4 分钟。最大 测试电流: 30毫安重量: 16公斤L′W′H厘米: 36 ′ 48 ′ 24 用途光伏测试 包装泡沫纸箱售后服务保修一年,一个月内包换
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  • CDE 四探针电阻率电导率测试仪 Resmap168Resmap168型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠,准确和重复性好的四点探针测试技术。168型带自动传送功能,从提高了产品的产量,从而降低导电材料产品的成本。提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/方块 - 5 MΩ/方块典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。Resmap168测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次测量: 168,178和273的区别:成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。
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  • CDE 四探针电阻率电导率测试仪 Resmap168Resmap168型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠,准确和重复性好的四点探针测试技术。168型带自动传送功能,从提高了产品的产量,从而降低导电材料产品的成本。提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/方块 - 5 MΩ/方块典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。Resmap168测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次测量: 168,178和273的区别:成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。
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  • FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针法,全自动化运行测量系统,PC软件采集和数据处理;参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻;可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择;真空环境,可显示:方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.FT-3110系列全自动四探针测试仪二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. FT-3110系列全自动四探针测试仪三.技术参数: 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围:探针压力可调范围:软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针法,全自动化运行测量系统,PC软件采集和数据处理;参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻;可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择;真空环境,可显示:方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. 三.技术参数: 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围:探针压力可调范围:软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针法,全自动化运行测量系统,PC软件采集和数据处理;参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻;可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择;真空环境,可显示:方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. 三.技术参数: 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围:探针压力可调范围:软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • FT-3120 系列半自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针标准测试方法,采用步进系统自动控制探头与样品接触,减少人为因素对测试结果的影响;参照A.S.T.M 标准;测量方块电阻、电阻率、电导率数据、PC软件采集和数据处理实现自动点测模式或手动点测模式,同一位置的重复测试或多点的面电阻测量,报表输出数据统计分析;提供标准校准电阻件.二.适用范围:晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等. 三.技术参数: 规格型号FT-3120AFT-3120BFT-3120CFT-3120D1.电阻10^-3~2×10^4Ω10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω10-4~1×107Ω2.方块电阻 10^-3~2×10^4Ω/□10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□10-4~1×107Ω/□3.电阻率 10^-4~2×10^5Ω-cm10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm10-5~2×108Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA10mA ---200pA5.电流精度 ±0.1%±2%6.电阻精度 ≤0.3%≤10%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、数据管理分析:过程数据,大、小值,均值,方差,变异系数,样品编号,测试点数统计报表生成等8.探针范围:探针压力为100-550g;依据样品接触需要手动调节9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式自动或手动单点模式12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境实验室环境15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • Resmap 273 在178型的技术基础上,ResMap273是半导体行业首款30毫米桌面四点探针仪。273型扩展了ResMap原来一些产品的性能,实现了太阳能对210毫米大型衬底的要求。外形小巧,坚固耐用,准确性和重复性好。提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/?? - 5 MΩ/??典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次Resmap168,178,273区别:四探针法测量电阻率有个非常大的优点,它不需要较准;有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。与四探针法相比,传统的二探针法更方便些,因为它只需要操作两个探针,但是处理二探针法得到的数据却很复杂。如图一,电阻两端有两个探针接触,每个接触点既测量电阻两端的电流值,也测量了电阻两端的电压值。我们希望确定所测量的电阻器的电阻值,总电阻值: RT = V/I = 2RW + 2RC + RDUT;其中RW是导线电阻,RC是接触电阻,RDUT是所要测量的电阻器的电阻,显然用这种方法不能确定RDUT的值。矫正的办法就是使用四点接触法,即四探针法。如图二,电流的路径与图一中相同,但是测量电压使用的是另外两个接触点。尽管电压计测量的电压也包含了导线电压和接触电压,但由于电压计的内阻很大,通过电压计的电流非常小,因此,导线电压与接触电压可以忽略不计,测量的电压值基本上等于电阻器两端的电压值。四探针法通过采用四探针法取代二探针法,尽管电流所走的路径是一样的,但由于消除掉了寄生压降,使得测量变得精确了。四探针法在Lord Kelvin使用之后,变得十分普及,命名为四探针法。成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。不能一一列举敬请谅解
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  • Resmap 273 在178型的技术基础上,ResMap273是半导体行业首款30毫米桌面四点探针仪。273型扩展了ResMap原来一些产品的性能,实现了太阳能对210毫米大型衬底的要求。外形小巧,坚固耐用,准确性和重复性好。提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/?? - 5 MΩ/??典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次Resmap168,178,273区别:四探针法测量电阻率有个非常大的优点,它不需要较准;有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。与四探针法相比,传统的二探针法更方便些,因为它只需要操作两个探针,但是处理二探针法得到的数据却很复杂。如图一,电阻两端有两个探针接触,每个接触点既测量电阻两端的电流值,也测量了电阻两端的电压值。我们希望确定所测量的电阻器的电阻值,总电阻值: RT = V/I = 2RW + 2RC + RDUT;其中RW是导线电阻,RC是接触电阻,RDUT是所要测量的电阻器的电阻,显然用这种方法不能确定RDUT的值。矫正的办法就是使用四点接触法,即四探针法。如图二,电流的路径与图一中相同,但是测量电压使用的是另外两个接触点。尽管电压计测量的电压也包含了导线电压和接触电压,但由于电压计的内阻很大,通过电压计的电流非常小,因此,导线电压与接触电压可以忽略不计,测量的电压值基本上等于电阻器两端的电压值。四探针法通过采用四探针法取代二探针法,尽管电流所走的路径是一样的,但由于消除掉了寄生压降,使得测量变得精确了。四探针法在Lord Kelvin使用之后,变得十分普及,命名为四探针法。成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。不能一一列举敬请谅解
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  • RM150A 扫描四探针测试仪 RM150A是专为科学研究设计的扫描四探针电阻测试仪,可以对不超过150mm的样品(或6英寸晶圆)进行快速、自动的扫描,获得样品不同位置的方阻/电阻率分布信息。探针头借鉴了机械钟表机芯制造工艺,使用红宝石轴承引导碳化钨探针,确保高机械精度和长使用寿命。动态测试重复性(接近真实场景)可达0.2%,为行业前沿水平1 μΩ~1MΩ的超宽测量范围可涵盖绝大部分应用场景,可广泛适用于光伏、半导体、合金、陶瓷等诸多领域。 ● 特性 * 全自动多点扫描:多种测试方案供选择,也可以自定义测试方案 * 手动任意点测量:只需提供坐标,一键测量 * 精密探针头:镶嵌红宝石轴套的探针头,保证测量的机械精度、稳定性和寿命 * 超宽测量范围:1 μΩ~1 MΩ * 样品尺寸: 150 mm*150 mm*5 mm * 测量速度: 2 秒/点 * 测量精度: ±1% * 重复性(1σ): ±0.2% (ITO标样动态测试) * 数据可视化: 彩色编码图 * 数据自动存储:存储为EXCEL文本格式,便于后期数据分析 ● 应用 * 半导体及太阳能电池(单晶硅、多晶硅、非晶硅、钙钛矿) * 液晶面板(ITO/AZO) * 功能材料(热电材料、碳纳米管、石墨烯、银纳米线、导电纤维布) * 半导体工艺(金属层/离子注入/扩散层) ● 定位精度 * 绝对定位精度:50 μm * 重复定位精度: 5 μm * 位移分辨率: 1 μm ● 探针头参数 * 探针间距:1.00 mm * 探针材料:碳化钨 * 探针压力(可选):4 N(±1N) * 机械游移: 0.3% * 宝石轴承内孔与探针间距: 6 μm ● 重复性测试 ● 外观尺寸(长*宽*高)552mm * 520 mm * 300 mm
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  • 50多项国际四探针测试仪领域的专利,保证业内技术领先!1.业界最高重复性,重复性≤ ±0.02% (静态或者标准电阻) 2.扫描速度最快的四探针电阻率测试仪:一分钟49个测量点 3.最小边缘修正:即片子边缘1.5mm以内区域都能测量 美国Creative Design Engineering, 简称“CDE”,成立于1995年,位于美国加州硅谷的库比蒂诺 - Cupertino, CDE公司专注于四探针设备的生产和销售,累计销量达1000台以上,遍布世界各大半导体Fab, 太阳能光伏企业,大学及科研机构,“CDE”是四探针领域的领导品牌。CDE的使命是开发和制造生产高价值的,高性能,成本低为半导体制计量产品及相关行业CDE已制造并交付了超过1000 套resmap电阻率测试系统,大约24%用于 300mm测量。最近,该公司已交付的太阳能电池的开发和生产支持多个单位。CDE是位于硅谷的心脏地带,提供世界范围内的销售和服务代表网络支持。特点简述:CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,通过性高 * 数字测量方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67mΩ-cm及Implant高电阻2KΩ/□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换.CDE 提供自动计算机量测的四点探针阻值量测机台。快速,精确与软件控制下针、软件功能可最佳化下针压力,即使薄片量测也不易破裂。自动清针(Probe Conditioning) 动作,双针头切换。太阳能使用可支持自动Loader,300mm 机台可使用Front End,最多扩充3个量测单元,支持Semi标准接口。CDE ResMap–CDE 公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺,以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控,超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。美国CDE公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备:178(最普及型号) 测量尺寸:晶圆尺寸:2-8寸(273系列可测量大至12寸晶圆,575系列可测量大至450mm 18寸晶圆)世界首款! 方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm 测量范围: 0.001欧姆/平方 至 500000欧姆/平方(标准型) 测量方式: 电脑程序自动测量,或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示,此时非常适合测试不规整样片单点测量,适合实际研究需要。 测量的数据: 方块电阻/电阻率/薄膜厚度,根据具体应用可以设置不同测量程序。 测量的点数: 程序编排任意测量点位置及测量点数量,对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。 测量的精确度:0.1% (标准模阻); 测量重复性:重复性≤ ±0.02% (静态或者标准电阻) 测量速度:49点/分钟; 测量数据处理:根据需要显示2D,3D数值图,或按要求统计并输出Excel格式文件; 边缘修正:具有边缘修正功能,即片子边缘1.5mm以内区域都能测量; 软件控制下针:快速,精确与软件控制下针、软件功能可最佳化下针压力,即使薄片量测也不易破裂。自动清针(Probe Conditioning) 动作,双针头切换。 探针压力可调范围:软件控制,90-200克之间可调; 可供选择的探头类型:根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择,另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针. 太阳能使用可支持自动Loader,300mm 机台可使用Front End,最多扩充3个量测单元,支持Semi标准接口。 设备应用:IC FAB/FP dispaly/LED:扩散,离子注入等掺杂工艺监控调试,薄膜电阻率或厚度测量等工序,如Apple ADL Engineering, Inc.ADL Engineering, Inc.Air ProductsAixtron, Inc.AmkorAmkor Technology Singapore Holding Pte. LtdApplied Materials, Inc.ASEASM Microchemistry Ltd.ATMIAtotechAvantor Performance MaterialsBeijing NMC Co., Ltd.ChipBond ChipMOS Clarkson UniversityFujimi CorporationISMI Giraffe Microelectronics Co. Ltd. (Qinghua University)Hionix Hynix IBM Inter molecularJiangSu Lam Research Lam Research SEZ/AusLeading Precision, Inc Maxim Integrated ProductsMEMC Northrop Grumman PacTechPowertech Technology Inc. Siltronic Samsung Wafer Pte. Ltd.Siltronic Spansion SPIL SUMCO TEL NEXX, Inc.TSMC University of CaliforniaIntel,IBM,Motorola,TSMC,CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,,Osram,...中国购买用户:科研客户:清华大学 北京大学 上海交通大学 天津大学 浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。Resmap178Resmap178型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠,准确和重复性好的四点探针测试技术。Resmap178已经在太阳能电池衬底和导电薄膜上证明了其测试电阻率的可靠能力。 提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/ - 5 MΩ/典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次测量:电阻率面扫描2D,3D图: 成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。不能一一列举敬请谅解
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  • 50多项国际四探针测试仪领域的专利,保证业内技术领先!1.业界最高重复性,重复性≤ ±0.02% (静态或者标准电阻) 2.扫描速度最快的四探针电阻率测试仪:一分钟49个测量点 3.最小边缘修正:即片子边缘1.5mm以内区域都能测量 美国Creative Design Engineering, 简称“CDE”,成立于1995年,位于美国加州硅谷的库比蒂诺 - Cupertino, CDE公司专注于四探针设备的生产和销售,累计销量达1000台以上,遍布世界各大半导体Fab, 太阳能光伏企业,大学及科研机构,“CDE”是四探针领域的领导品牌。CDE的使命是开发和制造生产高价值的,高性能,成本低为半导体制计量产品及相关行业CDE已制造并交付了超过1000 套resmap电阻率测试系统,大约24%用于 300mm测量。最近,该公司已交付的太阳能电池的开发和生产支持多个单位。CDE是位于硅谷的心脏地带,提供世界范围内的销售和服务代表网络支持。特点简述:CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,通过性高 * 数字测量方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67mΩ-cm及Implant高电阻2KΩ/□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换.CDE 提供自动计算机量测的四点探针阻值量测机台。快速,精确与软件控制下针、软件功能可最佳化下针压力,即使薄片量测也不易破裂。自动清针(Probe Conditioning) 动作,双针头切换。太阳能使用可支持自动Loader,300mm 机台可使用Front End,最多扩充3个量测单元,支持Semi标准接口。CDE ResMap–CDE 公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺,以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控,超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。美国CDE公司的四探针/方块电阻/电阻率测试设备:178(最普及型号) 测量尺寸:晶圆尺寸:2-8寸(273系列可测量大至12寸晶圆,575系列可测量大至450mm 18寸晶圆)世界首款! 方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm 测量范围: 0.001欧姆/平方 至 500000欧姆/平方(标准型) 测量方式: 电脑程序自动测量,或不连电脑单测量主机也可实现测量和数据显示,此时非常适合测试不规整样片单点测量,适合实际研究需要。 测量的数据: 方块电阻/电阻率/薄膜厚度,根据具体应用可以设置不同测量程序。 测量的点数: 程序编排任意测量点位置及测量点数量,对应不同客户不同测量要求任意编程测量点位置与数量。 测量的精确度:0.1% (标准模阻); 测量重复性:重复性≤ ±0.02% (静态或者标准电阻) 测量速度:49点/分钟; 测量数据处理:根据需要显示2D,3D数值图,或按要求统计并输出Excel格式文件; 边缘修正:具有边缘修正功能,即片子边缘1.5mm以内区域都能测量; 软件控制下针:快速,精确与软件控制下针、软件功能可最佳化下针压力,即使薄片量测也不易破裂。自动清针(Probe Conditioning) 动作,双针头切换。 探针压力可调范围:软件控制,90-200克之间可调; 可供选择的探头类型:根据测试不同工艺要求有A, B,K, M, N等相关型号探头选择,另外还可提供专门为客户定制的应用特殊要求的探针. 太阳能使用可支持自动Loader,300mm 机台可使用Front End,最多扩充3个量测单元,支持Semi标准接口。 设备应用:IC FAB/FP dispaly/LED:扩散,离子注入等掺杂工艺监控调试,薄膜电阻率或厚度测量等工序,如Apple ADL Engineering, Inc.ADL Engineering, Inc.Air ProductsAixtron, Inc.AmkorAmkor Technology Singapore Holding Pte. LtdApplied Materials, Inc.ASEASM Microchemistry Ltd.ATMIAtotechAvantor Performance MaterialsBeijing NMC Co., Ltd.ChipBond ChipMOS Clarkson UniversityFujimi CorporationISMI Giraffe Microelectronics Co. Ltd. (Qinghua University)Hionix Hynix IBM Inter molecularJiangSu Lam Research Lam Research SEZ/AusLeading Precision, Inc Maxim Integrated ProductsMEMC Northrop Grumman PacTechPowertech Technology Inc. Siltronic Samsung Wafer Pte. Ltd.Siltronic Spansion SPIL SUMCO TEL NEXX, Inc.TSMC University of CaliforniaIntel,IBM,Motorola,TSMC,CSMC,Applied Materials,Sematech,Linear Technology,Tokyo Electronics,Delco Electronics,Lite-On Power,Goldstar,Korea Electronics,Posco Huls,SGS-Thomson,CarborundumCodeon,TRW Space&Electronics,Dynamic Research,EKC Technology,Hughes Aircraft,International Rectifier,LG Display,Semitech,Winbond,,Osram,...中国购买用户:科研客户:清华大学 北京大学 上海交通大学 天津大学 浙江大学 中山大学 浙江师范大学 ?复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。Resmap178Resmap178型四点探针测试仪是专门为光伏电池生产企业设计的一款产品。提供可靠,准确和重复性好的四点探针测试技术。Resmap178已经在太阳能电池衬底和导电薄膜上证明了其测试电阻率的可靠能力。 提供NIST标准片6片!产品特点:操作简单、快速精确电阻测量范围:1 mΩ/ - 5 MΩ/典型应用:非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。美国CDE专利技术: 可针对材料(不同材料、软硬薄膜或离子植入深或浅等条件,对下针状况最佳化。而此功能是可由软见操作,可有0.01mm 的分辨率,而非麻烦的硬件调整。测试性能指标:探针材料 WC探头寿命 500W次测量:电阻率面扫描2D,3D图: 成功案例-美国CDE四探针测试仪感谢以下客户购买美国美国CDE四探针测试仪作为半导体行业四探针测试仪测试标准之一,购买美国CDE 四探针测试仪的单位非常多。 最近购买用户 科研客户:清华大学,天津大学,浙江大学 中山大学 浙江师范大学 复旦大学 北京师范大学 河北大学 。。。。。。 企业客户:上海超日太阳能 卡姆丹克太阳能 南玻光伏 荣马新能源 山东润峰电力 江苏腾晖电力 晶澳太阳能 海润光伏 常州比太 苏州阿特斯 西安隆基 高佳太阳能 江西旭阳雷迪 无锡尚德 武汉珈伟光伏 苏州中导光电 常州天合 。。。。。。不能一一列举敬请谅解
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  • 瑞柯半自动四探针测试仪FT-3120 系列半自动四探针测试仪一.功能描述:四点探针标准测试方法,采用步进系统自动控制探头与样品接触,减少人为因素对测试结果的影响;参照A.S.T.M 标准;测量方块电阻、电阻率、电导率数据、PC软件采集和数据处理实现自动点测模式或手动点测模式,同一位置的重复测试或多点的面电阻测量,报表输出数据统计分析;提供标准校准电阻件.瑞柯半自动四探针测试仪二.适用范围:晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量;选择性发射极扩散片;表面钝化片;交叉指样PN结扩散片;新型电极设计,如电镀铜电阻测量等;半导体材料分析,铁电材料,纳米材料,太阳能电池,LCD,OLED,触摸屏等技术参数: 规格型号FT-3120AFT-3120BFT-3120CFT-3120D1.电阻10^-3~2×10^4Ω10^-5~2×10^5Ω10^-6~2×10^5Ω10-4~1×107Ω2.方块电阻 10^-3~2×10^4Ω/□10^-5~2×10^5Ω/□10^-6~2×10^5Ω/□10-4~1×107Ω/□3.电阻率 10^-4~2×10^5Ω-cm10^-6~2×10^6Ω-cm10-7~2×106Ω-cm10-5~2×108Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA, 10mA,100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA10mA ---200pA5.电流精度 ±0.1%±2%6.电阻精度 ≤0.3%≤10%7.PC软件操作PC软件界面:电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、数据管理分析:过程数据,大、小值,均值,方差,变异系数,样品编号,测试点数统计报表生成等8.探针范围:探针压力为100-550g;依据样品接触需要手动调节9.探针针间绝缘电阻:≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%圆头铜镀金材质,探针间距1mm;2mm;3mm选配,其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸:2-12寸(6寸150mm,12寸300mm);方形片:大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式自动或手动单点模式12.加压方式测量重复性:重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境实验室环境15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:100W 16.选购项目电脑和打印机
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  • 多功能四探针测试仪,数字式四探针测试仪FT-341双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围:10-5~2×105Ω/□2.电阻率范围:10-5~2×106Ω-cm3.测试电流范围:0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.1%读数5.电阻精度:≤0.3%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌,来自瑞柯仪器公司,一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重;优秀与智慧之原 FT-342双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围:10-4~2×103Ω/□2.电阻率范围:10-5~2×104Ω-cm3.测试电流范围:10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.2%读数5.电阻精度:≤0.3%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌,来自瑞柯仪器公司,一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重;优秀与智慧之原
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  • 1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下:直线四探针测试布局如图8,相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理:当电流通过1、4探针,2、3探针测试电压时计算如下:四探针测试结构当电流通过1、2探针,4、3探针测试电压时计算如下:从以上计算公式可以看出:方阻RS只取决于R1和R2,与探针间距无关.针距相等与否对RS的结果无任何影响,本公司所生产之探针头全部采用等距,偏差微小,对测试结果更加精准。以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求:该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。操作流程和测试步骤1.使用前期准备--测试前准备工作:1.1.开机预热:将220V电源插头插入电源插座,打开电源开关,让仪器预热15分钟,保证测试数据稳定。若测试仪无法正常启动,请按以下步骤检查:①检查电源线是否接触良好;②检查后面板上的电源开关是否已经打开③检查保险丝是否熔断,如有必要,请更换保险丝④ 如经上述检查无误后,测试仪仍未正常启动,请联系本公司进行解决。
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  • 四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE ResMap&ndash CDE 公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺,以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控,超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点: 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪(Four point probe(4PP))设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜,半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量,半导体,光伏特点:1)针尖压力一致2)适用于各种基底材料3)友好的用户界面4)快速测量5)数据可存储 应用:1)方块电阻2)薄片电阻3)掺杂浓度4)金属层厚度5)P/N类型6)I/V测试
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  • 四探针测试仪FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准(ASTM F84)及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差,比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量,更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购. 规格型号FT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围10-5~2×105Ω/□10-4~2×103Ω/□10-3~2×105Ω/□10-3~2×103Ω/□10-2~2×105Ω/□10-2~2×103Ω/□2.电阻率范围10-6×106Ω-cm10-5×104Ω-cm10-4~2×106Ω-cm10-4~2×104-cm10-3~2×106Ω-cm10-3~2×104-cm3.测试电流范围0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W 9.整机不确定性误差≤4%(标准样片结果)10.选购功能选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌,来自瑞柯仪器公司,一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重;与智慧之原 四探针测试仪四探针测试仪
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  • 1:四探针测试仪 四探针检测仪 四探针测定仪/四探针电阻率测定仪 型号:HARTS-8HARTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准而的,于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等分组成,测量数据既可由主机直接显示,亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析,然后以表格,图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了电子行、装配。具有能选择直观、测量取数快、度、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、等院校对半导体材料的电阻性能测试。 术  标 : 测量范围 电阻率:10-5~105 &Omega .cm(可扩展); 方块电阻:10-4~106 &Omega /□(可扩展); 电导率:10-5~105 s/cm; 电阻:10-5~105 &Omega ; 可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台); 200mmX200mm(配S-2B型测试台); 400mmX500mm(配S-2C型测试台);恒流源 电流量程分为1&mu A、10&mu A、100&mu A、1mA、10mA、100mA六档,各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;     分辨力:10&mu V; 输入阻抗:1000M&Omega ; 度:± 0.1% ; 显示:四位半红色发光管数字显示;性、量程自动显示;四探针探头基本标 间距:1± 0.01mm; 针间缘电阻:&ge 1000M&Omega ; 机械游移率:&le 0.3%; 探针:碳化钨或速钢Ф0.5mm; 探针压力:5~16 牛顿(总力);四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87行) 0.01&Omega 、0.1&Omega 、1&Omega 、10&Omega 、100&Omega 、1000&Omega 、10000&Omega &le 0.3%± 1字整机测量相对误差(用硅标样片:0.01-180&Omega .cm测试)&le ± 5%整机测量标准不确定度 &le 5%计算机通讯接口 并口,速并行采集数据,连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒(在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时)。连接电脑使用时带自动测量 能,自动选择适合样品测试电流量程;标准使用环境 温度:23± 2℃; 相对湿度:&le 65%; 无频干扰; 无强光直射;配置 四探针测试仪主机、探针台、四探针探头、 2:多种气体采样器/多种气体取样器/多种气体出样器(100ml) 型号:HAD/CZY-100产品介绍:主要用于检查空气中各种气体的含量。配合气体检测管使用。配套使用检测管的方法及优势:1、用砂片稍用力将检测管两端各划圈割印。2、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端,沿切割印掰断,用同样方法掰断另端。3、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端(防止漏气),插入所要检测标注的气体通道口上(稍用力插紧)。注意方向性,箭头方向代表气体流过方向。4、将所需检测的若干项的检测管,按以上方法均插好之后,接通电源,即可正常使用。5、调节所需检测气体对应的时间控制器,使其符合标(见附表)。6、检测结束,拔出检测管。7、手持检测管箭头朝下,并垂直于地面放在与目光基本不平的位置,观察管上颜色变化所刻度,既为被检测气体的浓度。 (1)双重优点:测量气体的检测管实际是将化学分析方法仪器化,是种定量、定性、定值的检测方式,具有化学分析和仪器分析的双重优点。(2)适应性好:检测管现有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三种,从零点到几个PPM(10-6)到百分之几十,适用范围很大,为分析作提供了很大方便。(3)操作简便:为专业检验人员提供了很大的方便,操作人员按照使用说明书操作方法行测试即可。(4)使用安:使用时手动操作,无需要电源、热源,在有易燃易气体存在的场所能安使用。(5)分析速度快:由于操作方便,使得每次分析所需时间大为缩短,般仅需十几分钟即可得知结果,其分析速度是何化学分析和仪器方法不能比拟的。(6)测量度:在检测管含量标度的确定上模拟了现场分析条件,采用不同标准气标定,克服了化学分析中易带入的方法误差。同时减少了人为误差。 温馨提示:以上产品资料与图片顺序相对应。
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  • 超高真空低温四探针扫描探针显微镜美国RHK Technology 成立于1981 年。作为SPM 工业中的领军仪器制造商,RHK-Technology 始终保持着鲜明的特色:创新性、可靠性、产品设计的开放性与的客户支持。凭借着其优异的系统设计、精良的制造工艺、再加上与著名科学家的紧密合作,二十多年来RHK Technology 源源不断地向全科学家们输送着先进的、高精度的科学分析仪器。变温QuadraProbe UHV 4-探针SPM系统是RHK公司生产的多探针UHV SPM系统中的一种,该系统提供了多种分析功能、配备了多个超高真空室和相应的电子控制单元与软件,可以大地满足客户全面的研究应用需要。基本系统中提供了低温4探针扫描隧道显微镜(SPM),扫描电子显微镜(SEM),样品准备室和用于传输样品和针的快速进样室。其他的设备如扫描俄歇显微镜(SAM)也可选配以满足客户特别的研究需要。技术参数:- 样品温度:10K(LHe); 80K(LN2)- 扫描范围:1.5μm(300K);500nm (10K)- X,Y,Z粗进针:±1.5mm/step motion- 样品定位精度:±1.5mm- STM分辨率:四个探针均可实现HOPG的原子分辨- SEM分辨率:小于20nm- 针材料:钨或者铂、金等金属修饰的钨针。 主要特点:- 四个探针都能实现原子分辨;- 真正的样品和针低温操作(10K),得到佳的高分辨谱图;- 探针与样品立地传输与准备;- 所有探针具有先进的控制操作;- 用户可编程控制的开放性控制环境;- 制冷采用Bath Cryostat构造,大地减少了液氦的消耗;- 可升到非接触式AFM;- 样品台处配有可选择的超导磁体;- 通过光纤实现样品的光学激发。
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  • 扫描开尔文探针 400-860-5168转2623
    扫描开尔文探针是一种非接触、非破坏性振动电容装置用于导电材料的功函或半导体或绝缘体材料表面的表面电势,表面功函由材料表面最顶部的1-3层原子或分子决定,因而开尔文探针是一种非常灵敏的表面分析技术,KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV业界最高分辨率的测试系统 主要特点: ● 功函分辨率 3meV ● 扫描面积:5mm to 300mm(四种型号,每种型号扫描面积不同) ● 扫描分辨率:317.5nm ● 自动高度调节 应用领域: ● 有机和非有机半导体 ● 金属 ● 薄膜 ● 太阳能电池和有机光伏材料 ● 腐蚀 升级附件: ● 空气光发射系统 ● 表面光电压(QTH or LED) ● SPS表面光电压光谱(400-1000nm) ● 金或不锈钢探针,直径0.05mm to 20mm ● 相对湿度控制和氮气环境箱
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  • 四探针测试仪产品名称:四探针测试仪产品型号:HCTZ-2S品牌:北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成,测量数据既可由主机直接显示,亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析,然后以表格,图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换,采用两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序,通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据,把采集到的数据在计算机中加以分析,然后把测试数据以表格,图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看,还可以把采集到的数据输出到Excel中,让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承,量具精度的硬质合金探针,在宝石导孔内运动,持久耐磨,测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率:±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料:碳化钨,常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作,可以用作断面单晶棒和硅片测试,探针头可上下移动距离:120mm,测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,配备10英寸触摸屏,软件可保存和打印数据,自动生成报表;本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率,配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术:光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术,将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表,在测量电阻率的同时,一块数字表适时监测全程的电流变化,及时掌控测量电流,一块显示2、3探针间的测量电压,另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压,可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源,使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关,在测量某些薄层材料时,可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生,更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值,以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金,硬度高、常温不生锈,探针游移率在0.1~0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件,测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正,并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度,给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件,具备弹性的自定义功能,可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接,软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据,特定数据存储格式,显示变化曲线,兼容性:适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro,采用labview系统开发,符合导体、半导体材料的各项测试需求,具备强大的稳定性和安全性,并具备断电资料的保存功能,图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能;可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件:时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告:可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能:可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻:1×10-4~2×105Ω, 分辨率:1×10-5~1×102Ω电阻率:1×10-4~2×105Ω-cm, 分辨率:1×10-5~2×102Ω-cm方 阻:5×10-4~2×105Ω/□, 分辨率:5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程:20.00mV~2000mV误差:±0.1%读数±2字数控恒流源量程:0.1μA,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100mA,1A误差:±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针:Ф0.5mm,直流探针间距1.0mm,探针压力:0~2kg可调薄膜方阻探针:Ф0.7mm,直流或方形探针间距2.0mm,探针压力:0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书,规范操作2、轻拿轻放,避免仪器震动,水平放置,垂直测量3、仪器不使用时请切断电源,连接线无需经常拔下,避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束,套好护套,避免人为断针
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  • 电阻率测试仪,四探针方阻电阻率测试仪, 适用范围Widely used:1.覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻 半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件,导电薄膜(ITO导电膜玻璃等),金属膜,导电漆膜,蒸发铝膜,PCB铜箔膜,3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 导电性油漆,导电性糊状物,导电性塑料,导电性橡胶,导电性薄膜,金属薄膜,4.抗静电材料, EMI 防护材料,导电性纤维,导电性陶瓷等, 功能描述Description:四探针单电测量方法液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出.选配:PC软件进行数据管理和处理.提供中文或英文两种语言操作界面选择 满足标准:1.硅片电阻率测量的国际标准(ASTM F84).2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》. FT-343双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围:10-3~2×105Ω/□2.电阻率范围:10-4~2×106Ω-cm3.测试电流范围:0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.2%读数5.电阻精度:≤0.3%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针 FT-345双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试参数资料1.方块电阻范围:10-3~2×103Ω/□2.电阻率范围:10-4~2×104Ω-cm3.测试电流范围:10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.3%读数5.电阻精度:≤0.5%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件;选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针 四探针电阻率/方阻测试仪,四探针测量仪,探针测试仪,导体电阻,体积电阻测试仪,四探针法测电阻,方块电阻测试仪,薄膜或涂层方块电阻测试仪
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  • 四探针方阻测试仪,四探针电导率测试仪,双电测四探针测试仪FT-334普通四探针电阻率方阻测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准(ASTM F84)及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差,比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量,更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料1.方块电阻范围:10-3~2×103Ω/□2.电阻率范围:10-4~2×104Ω-cm3.测试电流范围:10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA4.电流精度:±0.3%读数5.电阻精度:≤0.5%6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 普通单电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:30W9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)10.选购功能: 选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格 探针材质选购:碳化钨针 白钢针;镀金磷铜半球形针
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  • 高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,配备10英寸触摸屏,软件可保存和打印数据,自动生成报表;本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统,设备的安全性;选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术,电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件,具备弹性的自定义功能,可进行电压、电 流、温度、时间等设置,符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格,保障检测结果的品质,适用于新材料数据的检测。例如:多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料,也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计,测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全;资料保存机制:当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中,不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域: █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃(ito)材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能: █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点: 多功能真空加热炉,一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度, █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率; █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制,使测量温度更准确; █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计,一体化设计机械结构,稳定、可靠; █ 程控电子升压技术,纹波低、TVS防护系统,保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针; █ huace pro 强大的控制分析软件。
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  • 最高温度 1650°c测量范围 0.1mΩ-100MΩ温度精度 ±0.25°c最快测量 6.4ms更多功能 高温四探针、退火高温I-V特性测试高温真空测量高温气氛测量高温烧结/退火高温四探针测量 消除电网谐波对采集精度的影响高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能,参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好,采用双屏蔽高频测试线缆,提高测试参数的精确度,同时抗干扰能力更强。本设备也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 搭配Labview系统开发的Huacepro软件,具备弹性的自定义功能,可进行介电温谱、频谱、升温速度、测量参数等设置,符合功能材料测试多样化的需求。电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全;资料保存机制,当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中,不丢失试验数据,设备重新启动后可恢复原有试验数据。 源测量仪器的精密耦合特点相对分立仪器具有许多优点。例如,它具有更短的测试时间,通过减少GPIB的流量并简化了远程编程接口。它还保护被测设备在偶尔过载、热失控等情况下不被损坏。电流源和电压源都可设置回读使器件测量完整性最大化。如果回读达到可编程容限的极限,那么该源就被钳位在此极限,从而提供错误保护。 华测系列阻抗分析仪是华测仪器电子事业部采用当前先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器,为国产阻抗测试仪器的最新高度。也彻底超越了国外同类仪器,在测量10Hz-50MHz的频率瓶颈;解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷;采用单测和分析两种界面,让测试更简单。得益于先进的自动平衡电桥技术,在10Hz-50MHz的频率范围可以保证0.05%的基本精度。 快达5ms的测试速度及高达50M的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求,特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响,将低阻抗测试能力的下限比常规端配置的仪器向下扩展了十倍。 消除不规则输入的自动平均值功能 更强数据处理及内部屏蔽华测近红外高温炉配合吉时利数字源表进行四探针电阻测量,让测试更加稳定可靠,吉时利数字源表系列专用于要求紧密结合源和测量 的测试应用。全部数字源表型号都提供精密电压源和电 流源以及测量功能。每款数字源表既是高度稳定的直流 电源也是真仪器级的6位半万用表。此电源的特性包括 低噪声、精密和回读。此万用表的功能包括可重复性高和低噪声。最终形成了紧凑、单通道、直流参数测试仪。 在工作时,这些仪器能用作电压源、电流源、电压表、电流表和欧姆表。源和阱(4象限)工作,0.012%基础测量精度(6位半分辨率)。 2线、4线电压源和测量感测1700读数/秒(4位半分辨率),通过GPIB通过/失效比较器用于快速提供高速感测线接触检查功能,在半导体、功能材料行业吉时利数字源表是适于特性析和生产测试等广泛应用的重要源表。目前国内高温加热大都为管式炉或马弗炉,主要原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热,加热与降温过程速度慢,效率低下。也无法实现温度的高精度测量,加热区域也存在不均匀的现象,华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度,高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置,在高速加热及高速冷却时,具有良好的温度分布。 可实现宽域均热区,高速加热、高速冷却 ,用石英管保护加热试样,无气氛污染。可在高真空,高纯度气体中加热 。设备可组成均热高速加热炉,温度斜率炉,阶段加热炉。 它提高了加热试验能力。 同电阻炉和其他炉相比,红外线反射炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间,再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲,都节省试验时间并提高实验速度。 同高频炉相比,不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单,有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率,实现全新的温度控制操作!高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统,增设气体冷却装置,可实现快速冷却。 1、高速加热与冷却方式高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统,增设气体冷却装置,可实现快速冷却。2、温度高精度控制近红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用,可以精确控制样品的温度(远比普通加温方式)。此外,冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。3、不同环境下的加热与冷却加热/冷却可用真空、气氛环境、低温(高纯度惰性气体 静态或流动),操作简单,使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 更强的扩展能力,实现一机多用█ 多功能真空加热 炉,可实现高温、真空、气氛环境下电学测试 █ 采用铂金材料作为测量导线、以减少信号衰减、提高测试精度 █ 设备配置水冷装置,降温速度更快、效率更高█ 可实现高温下四探针电阻谱等测量功能█ 进口温度传感器、PID自动温度控制,使测量温度更精准█ 近红外加热,样品受热更均匀,不存在感应电流,达到精准测量█ 10寸进口触摸屏设计,一体化设计机械结构,更加稳定、可靠 █ 采用进口高频测试线,抗干扰能力更强,采集精度更高█ 99氧化铝陶瓷绝缘,配和铂金电极夹具█ huace pro 强大的控制分析软件与功能测试平台系统相互兼容温度范围: RT-800 (最高1650)°C 控温精度:±0.25°C 升温斜率:10°C/min(可设定) 测试范围 : 0.1mΩ-100MΩ 加热方式:近红外加热 冷却方式:水冷 输入电压:110~220V 样品尺寸:φ<25mm,d<4mm 电极材料:碳化钨针 夹具辅助材料:99氧化铝陶瓷 测量方式:直接四探针 测试功能:I-V、R-T等 数据传输:4个USB接口 设备尺寸:600x500x350mm动态测量范围:电流:10pA to 10A 电压:1µ V to 200V四象限工作 0.012%的精确度,5&half 的分辨率 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量 在4&half 数位时通过GPIB达1700读数/秒 可选式接触检查功能
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  • 硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量,但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件,测量两内操针之间的电位差,引人与试样几何形软有关的修正因子,计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件,其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5",测量装置测量装置的典型电路叉图1,范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。
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  • 四探针电阻测试仪 400-860-5168转6231
    导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件,其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5",测量装置测量装置的典型电路叉图1,范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量,但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件,测量两内操针之间的电位差,引人与试样几何形软有关的修正因子,计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜,高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.
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  • FPP扫描四点探针测试仪用于常规生产控制的经济型四点探针映射器设计:? 可与同一仪器中的其他测量结合使用(参见TLM-SCAN++)? 易于清洁的玻璃真空吸盘? 关闭盖子时自动开始测量PROBE HEADS:? 在几秒钟内改变? 由软件认可? 碳化钨针? 尖端半径:0.25 mm软件:? 显示的映射具有可选择的颜色方案和数据标记以及缩放,直方图,线扫描等功能? 单击图像重新测量单个点? 电流电压扫描测试线性度? 自动编号规格:? 10 x 10MAP的持续时间: 4 分钟。? 最大测试电流: 30毫安? 重量: 16公斤? L W H厘米: 36 ? 48 ? 24电子邮件电话
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