数字存储晶体管测试仪

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数字存储晶体管测试仪相关的厂商

  • 广州爱启提测试仪器有限公司
    HT ITALIA来自于美丽的欧洲小镇——意大利法恩莎，公司自1983年成立以来，产品年销售额超过4000万欧元。并在2009年在中国广州建立办事处，负责中国地区的产品销售和售后服务。 HT ITALIA公司设立专业的研发团队，在1992年研制生产出HT2038，1999年研制生产了世界上第一台带电能质量分析仪功能的便携式多功能电气安全测试仪——GENUIS 5080，在2001推出具有三相电能质量分析仪功能的多功能电气安全测试——GSC系列，刷新了便携式仪器的多功能之最。2007年HT公司开始涉及太阳能光伏系统测试,以提供太阳能光伏电站的现场测试仪表，HT可提供全面的太阳能光伏电站测试仪表：并网太阳能光伏电站性能验证测试SOLAR300N，太阳能电池I-V特性曲线分析测试仪I-V400，离网太阳能光伏电站性能验证测试SOLAR I-V等。近年来，HT公司又基于自身的设计现场测试理念，推出自主品牌的全新系列红外热像仪产品，以充分满足客户的个性化需求，HT品牌的红外热像仪家族包括：THT41/42/44的经济型系列，THT49的专业级红外热像仪和THT50专家型红外热像仪。现在HT公司拥有：红外热成像仪，电气安全测试仪（含：绝缘电阻测试仪，接地电阻测试仪，漏电保护开关-RCD测试仪，耐压测试仪和多功能电气安全测试仪）、电能质量分析仪、通用测试仪表（含：数字万用表，数字电流钳表，红外测温仪，数字测温仪，数字噪声计，激光测距仪等）、GEF专业绝缘工具（含：绝缘镙丝批，各种绝缘剪钳，各种型号的工具套包，工具箱等）等系列产品。
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  • 东莞慧光电子仪器经营部
    东莞市慧 光电子仪器设备公司下属维修部秉承“质量是生命、服务是关键、诚信是根本”的经营理念，热诚为企业提供咨询、维修、调试、保养等便捷优惠服务。 维修项目 1.电子测量仪器类维修：扫频仪维修 、多功能校准仪维修 、喇叭测试仪维修 、无线综合测试仪维修 、蓝牙测试仪维修 、调制度分析仪维修 、噪声系数分析仪维修 、插头线综合测试仪维修 、音频信号发生器维修 、 闪频仪维修 、磁场测试仪维修 、失真测试仪维修 、信号源维修 、逻辑分析仪维修 、电话分析仪维修 、网络分析仪维修 、数据采集器维修 、扬声器测试仪维修 、晶体管图示仪维修 、高斯计维修 、照度计维修 、噪音计维修 、变压器圈数经相位测试器维修 、变压器参数测量仪维修 、数字功率计维修 、电参数测试仪维修 、泄漏电流测试仪维修 、接地电阻测试仪维修、绝缘电阻测试仪维修、耐压测试仪维修、扫频信号发生器维修、调制度仪维修 、电容 电感测量仪维修 、直流稳压电源维修 、频谱分析仪维修 、微电阻表维修 、抖晃仪维修 、毫伏表维修 、标准信号源维修 、函数信号发生器维修 、信号发生器维修 、模拟数字存储示波器维修 、电子负载维修 、稳压电源维修 、变频电源维修 、频率计维修 、线材测试机维修 、LCR电桥测试仪等。 2. 电子工具量具类维修：深度尺维修、 千分表维修、 百分表维修 、千分尺维修 、测厚表维修、 高度尺维修、 卡尺维修等。 3. 电子力学类仪器设备维修：推拉力计维修 、扭力计维修、扭矩扳手维修、电机测功机维修、弹簧拉压试验机维修、纸板抗压试验机维修、冲击试验机维修、疲劳试验机维修、拉力试验机维修、弯曲试验机维修、伸长率试验机维修、张力计维修、硬度计维修等. 4. 电子光学类设备维修：三丰三坐标维修 、放大镜维修、 测长仪维修 、二次元、三次元维修 、维修工具显微镜、 影像测量仪维修、 投影仪维修等。 5. 电子仪器仪表类维修：抖晃仪维修、 扫描仪维修 、静电测试仪维修、 温湿度表维修 、温度计维修 、台式万用表维修 、阻抗计维修、 高频 Q 表维修、 兆欧表维修 、数字万用表维修 、场强仪维修、 误码仪维修、 毫伏表维修、 高斯计维修、 水份仪维修 、密度仪维修、 比色仪维修、 色差仪维修 、转速计维修、风速计维修、数字高压表维修、红外线测温仪维修等。 6. 电子试验类设备维修：恒温恒湿箱维修、破裂强度试验机维修、 高低温试验机维修 、跌落试验台维修 、振动试验台维修、 线材摇摆试验机维修、 插头综合测试机维修 、察头线综合测试仪维修、 调温调湿箱维修、 电热干燥箱维修 、热老化试验箱维修 、盐雾试验箱维修、 微电脑拉力试验机维修 、电线延伸率试验机维修 、拉力试验台维修、 燃烧试验箱维修、 标准光源箱维修 、 纸带耐磨试验机维修 模拟运输振动台维修等。 维修服务流程如下： 仪器维修采取自送本公司维修、快递、我方上门取的方式维修。 常规维修，提供优惠的价格以低成本计算费用并报价。 客户确认维修仪器的费用后，维修中心开始深入开展仪器修理工作。 维修仪器时间过程分为检测、检查、报价确认、修理、配件订制与订购、计量检测调试等多项环节，有80%修理的仪器确认后约在8个工作日内完成。 凭维修送货单，按国际惯例，原故障保修三个月。 委托维修的仪器完成修复故障之后的收款方式:1.我方送货验收合格后现金收款 2.快递发货代收款 3.月结。
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  • 深圳市迪福伦斯科技有限公司
    深圳市迪福伦斯科技有限公司通过多年的努力，已成为国内有一定影响力的仪器仪表销售公司，多年来，公司凭借良好的信誉和有力技术支持，在激烈的市场竞争中不断的发展和完善，成为众多企业在生产、研发、品质检测等工作中的得力合作伙伴，让客户能够用最少的投入获得最大的收益。所售产品包括示波器、交直流电源、功率分析仪、数据采集器、电子负载、晶体管图示仪、安规测试仪器、 电能质量分析仪、数字源表、红外热成像仪、电源自动化测试系统等等。不一样的管理理念让我们主动深入了解电子制造、新能源、汽车电子、 半导体、云计算、无线通讯、科研院所等行业的测试要求， 而健全的产品线和技术能力使得我们能有机会帮助客户选择最适合的解决方案。特别是通过与Chroma公司的紧密合作，进一步拓展了公司的业务空间，使得我们能为更复杂要求的客户提供更完善的服务。
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数字存储晶体管测试仪相关的仪器

  • 晶体管光耦参数测试仪/直流参数测试/分立器件测试系统
    BW-3010B晶体管光耦参数测试仪（双功能版）品牌： 博微电通名称：晶体管光耦参数测试仪(光耦&光电传感器双功能版)型号： BW-3010B用途： BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试。 BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器和光电传感器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试，BW-3010B为各种三极管型4脚光藕提供了输入正向压降（VF）和输出反向耐(ICEO)、耐压BVCEO、传输比(CTR)等 。中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中，测试条件可以任意设置，测试正向压降和输出电流可达1A，操作简便，实用性强。广泛应用与半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、产品选型等重要检测设备之一。产品电气参数：产品信息产品型号：BW-3022A产品名称：晶体管光耦参数测试仪；物理规格主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)主机重量：＜4.5Kg主机颜色：白色系电气环境主机功耗：＜75W环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；相对湿度：≯85%；大气压力：86Kpa～106Kpa；防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；工作时间：连续；服务领域： 应用场景： ▶ 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） ▶ 检验筛选（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） 产品特点： ▶ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单 ▶ 大容量EEPROM存储器,储存量可多达1000种设置型号数. ▶ 全部可编程的DUT恒流源和电压源. ▶ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路. ▶ 高压测试电流分辨率1uA,测试电压可达1500V； ▶ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题； ▶ 软件自校准功能； ▶ 自动测试测DUT短路、开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试； ▶ DUT的功能检测通过LCD显示出被测器件/DUT的类型，显示测试结果是否合格,并有声光提示； ▶ 两种工作模式：手动、自动测试模式。 BW-3010B主机和DUT的管脚对应关系型号类型P1 T1P2 T2P3T3P4T4光藕PC817AA测试端KK测试端EE测试端CC测试端 BW-3010B测试技术指标：1、光电传感器指标:输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向电流(Ir)测试范围分辨率精度测试条件0-200UA0.2UA2%+2RDVR:0-20V集电极电流(Ic)测试范围分辨率精度测试条件0-40mA0.2MA1%+2RDVCE:0-20V IF:0-40MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC：0-40mAIF:0-40mA输出漏电流(Iceo)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000mA2UA2%+2RDVR:0-20V2、光电耦合器：耐压(VCEO)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1400V1V2%+2RD0-2mA输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向漏电流(ICEO)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDBVCE=25V反向漏电流(IR)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDVR=0-20V电流传输比(CTR)测试范围分辨率精度测试条件0-99991%1% +5RDBVCE：0-20VIF:0-100MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC：0-1.000AIF:0-1.000A可分档位总数：10档 BW-3010B测试定义与规范：AKEC:表示引脚自左向右排列分别为 光耦的,A K E C极.VF:IF: 表示测试光耦输入正向VF压降时的测试电流.Vce:Bv:表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电压.Vce:Ir: 表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电流.CTR:IF:表示测试光耦传输比时输入端的测试电流。CTR:Vce:表示测试光耦传输比时输出端的测试电压。Vsat:IF:表示测试光耦输出导通压降时输入端的测试电流。Vsat:Ic:表示测试光耦输出导通压降时输出端的测试电流。
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    厂商： 陕西博微电通科技有限责任公司
    品牌： 4FD
    型号： BW-3010B
    价格： 面议
  • 晶体管图视仪
    泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称：泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源（370A/B）-上限到3000V（371A）-上限到220W（370A/B）-上限到400A（371A）-1nA的测量分辨率-上限到3000W（371A）-上限到2mV的测量分辨率（370A/B）-波形对比-包络显示-波形平均-点光标（370A）-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘，方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式，调整和存储操作参数，包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件，它提供被测器件安全防护，以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001，中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪，可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室，用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪，泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注： 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器，公司货源广阔，绝大部分直接从国外引进，成色新，价格低，资金雄厚，库存充足，售前严格，售后快捷是我们的特点：致力于为客户提供更专业，方便，快捷的人性化服务是我们的宗旨；勇于创新，敢于探索是我们的优势；凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年！-鹏庆电子
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    厂商： 东莞鹏庆电子科技有限公司
    品牌： 未知
    型号： TEK370A
    价格： 1000元
  • 晶体管正向偏置安全工作区测试系统
    产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件FBSOA1000Forward Bias Safe Operating Area 1000A晶体管正向偏置安全工作区测试系统Transistor Forward Bias Safe Operating Area Test System&bull 用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件级和模块级的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作区测试&bull FBSOA和对应的IV曲线&bull ICE电流0~1000A&bull VCE电压0~100V。&bull VGE驱动电压0~30V&bull vF热敏电压≤5V&bull Pmax最大功率100KW.&bull 脉宽10us~10ms，&bull 柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机全自动程控一、关于安全工作区晶体管的安全工作区，英文全称safe operating area，简称SOA。顾名思义，也就是说只要使用的条件（电压、电流、结温等）不超出SOA圈定的边界，晶体管必然能够按照电路设计正常运行，反之则死。所以，FBSOA是指全控型晶体管的门极电压VGE处于正向偏置（VGEVGEth）时，沟道处于导通状态时的安全工作区。FBSOA是全控型晶体管各种工作状态的集合，必须集合晶体管的其它特性去理解安全工作区的含义。失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切相关的。整机产品里面包含的元器件数量少则几十，多则上万甚至更多，应用环境千奇百怪，元器件的失效就不可避免，作为工程师，能做的就是根据整机性能要求充分评估、测试元器件的各项关键参数，出现失效后，复盘设计，复现失效，找出根因，避免失效再次复现。二、FBSOA参数定义右图是简化的FBSOA曲线，本质上讲，FBSOA曲线划定了 四条电压-电流关系的边界线，分别由AB段，BC段，CD段，DE段构成。AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的最大工作电流，这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值密切相关，从图4可以看出，IGBT的门极驱动电压幅值越高，饱和导通状态下的最大工作电流越大。BC段规定了IGBT的最大可重复电流ICpuls，这个电流是4倍的标称电流；FBSOA简化曲线CD段是最复杂的，需要结合IGBT的瞬态热阻来看。大家知道，IGBT有两个工作区，线性区和饱和区，跨越过AB段之后，其实IGBT就处于线性区了，也就是退出饱和导通区了，IGBT的损耗急剧上升，所以，这条边界体现了IGBT能承受的最大耗散功率Ptot。同时可以看出，集射极CE两端电压越高，IGBT所能承受的电流脉冲幅值越低，另外，电流脉冲宽度越大，IGBT所能承受的电流幅值也越低。从图可以看出，蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA，均是单脉冲安全工作区，非连续工作情况下的工作区，所以，必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线，由公式（1）计算出在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。DE段最容易理解，它规定了IGBT的集射极CE击穿电压，需要注意的是，IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的，结温越低，CE击穿电压也越低。三、规格及环境要求&bull  设备尺寸∶800*800*1800mm（2组）∶&bull  设备质量∶800kg∶&bull  海拔高度∶海拔不超过4000m；  &bull 环境要求∶-20℃～60℃（储存）、5℃～45℃（工作）；&bull  相对湿度∶20%RH～75%RH（无凝露，湿球温度计温度45℃以下）；&bull  大气压力∶86Kpa～106Kpa；&bull  防护条件∶无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；&bull  电网要求AC220V、±10%、50Hz±1Hz &bull  压缩空气∶根据配置；&bull  工作时间∶连续。四、产品特点&bull 测试规范：国际标准IEC60747-9、IEC60747-2、国家标准GB/T29332、GB/T4023&bull 测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供用户选择，针对不同的封装外观，通过更换“DUT适配器”即可&bull 高温测试，支持室温~200℃，±1℃@0.5℃&bull 计算机程控，测试数据可存储为 Excel 文件以及生成PDF格式，且内置多种通用文档模板供用户选择，还可自定义&bull 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）设备具有安全工作保护功能&bull 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点&bull 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网，支持MES系统和扫码枪连接&bull 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全&bull 电压源电流源模块化设计，根据用户需求等级，自选搭配5. 部分配件清单&bull 系统主机：数量/1 套，品牌/天光测控，型号/SOA-1000，规格/?； &bull 高压电源：数量/1 套，品牌/顾伟，型号/PSW160-14.4，规格/电流0-14.4A 电压0-160V 功率720W 单输出多量程；&bull 驱动电源： 数量/1 套，品牌/顾伟，型号/GPP-2323，规格/双通道输出 电压32V 电流3A；&bull 工 控 机：数量/1 套，品牌/研华，型号/610L，规格/；CPU:酷睿i7.操作系统windows10&bull 机 柜：数量/1 套，品牌/天光测控，型号/SOA-A，规格/高≥2000mm 宽≤800mm 深≤800mm&bull 采集卡: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/USB8504，规格/ADC分辨率：14位 输入通道：4通道 采样率：40MS\s 存储深度2GB &bull 多功能数据卡: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/USB3132A，规格/操作系统win：XP.7.8.10 AI.AO输入分辨率:16位250K &bull 电压变送器: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/S1205，规格/输入-2~+2 输出-10V~+10V？&bull 霍尔电流传感器: 数量/1 套，品牌/深圳知用，型号/CTA1000，规格/连续直流电流1000A 有效电流707 传输比：1：1000 带宽：500KHZ&bull 探头: 数量/1 套，品牌/深圳知用，型号/P6251，规格/带宽：250MHZ 衰减比10：1 上升时间：1.4ns？&bull 柔性电流探头：品牌/深圳知用，型号/CP9120L，规格/灵敏度5mv/A 电流1.2KA低频带宽1dB 高频带宽10dB&bull 集成配套包、鼠标、电源线六、系统架构原理图七、局部示意图驱动模块气动工装示意图
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    厂商： 西安天光测控技术有限公司
    品牌： --
    型号： FBSOA1000
    价格： 65万元
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  • 中国科学家研制出首个半浮栅晶体管
    复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。 　　据介绍，金属&mdash 氧化物&mdash 半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件，而我们常用的U盘等闪存器件，多采用另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的&ldquo 半浮栅&rdquo 结构器件，称为半浮栅晶体管。它具有高密度和低功耗的明显优势，可取代一部分静态随机存储器(SRAM)，并可应用于动态随机存储器(DRAM)领域以及主动式图像传感器芯片(APS)领域。 　　&ldquo 在这些领域，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。&rdquo 张卫介绍说，作为一种基础电子器件，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多话语权。 　　不同于实验室研究的基于碳纳米管、石墨烯等新材料的晶体管，半浮栅晶体管是一种基于标准硅CMOS工艺的微电子器件。SFGT原型器件在复旦大学的实验室中研制成功，而与标准CMOS工艺兼容的SFGT器件也已在国内生产线上被成功制造出来。 　　&ldquo 半浮栅晶体管兼容现有主流集成电路制造工艺，具有很好的产业化基础。&rdquo 张卫表示，不过，拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是对核心专利进行优化布局。
    时间： 2013-08-12
    作者： 叶子
  • 分子大小的晶体管新鲜出炉
    在一个砷化铟晶体上，12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子，这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制，这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。　　新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。　　构成晶体管的每个铟原子的直径是167皮米(0.167纳米)，比目前的最小电路——IBM公司刚刚推出的7纳米芯片(晶体管尺寸为7纳米)要小42倍。人类发丝厚度为10万纳米，大约是铟原子尺寸的60万倍 红血球直径6000纳米，是它的36000倍 甚至只有2.5纳米宽的DNA链，大小也达到了铟原子的15倍。　　在这样的原子尺度上，电子流通常很难得到可靠地控制，电子会跳到晶体管外，导致晶体管无效。英国《卫报》网站21日报道称，研究团队使用一个扫描隧道电子显微镜，将铟原子放置在精确位置上，并对通过栅极的电子流进行控制。他们意外发现，位于晶体管中心的酞菁染料分子的方向是由其电荷决定的，这意味着，与传统晶体管只有一种简单的类似开关的状态相比，新型晶体管可能并不只限于此。　　研究证明，通过精确控制原子来创建一个比现有任何其他量子系统都要小的晶体管是可能的，它也为进一步研究如何将这些微晶体管应用于处理能力超过目前水平几个数量级的计算机和系统打开了大门。　　摩尔定律说，集成电路上可容纳的元器件的数目约每隔18个月到24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。芯片上集成的晶体管越多，其功能越强大。目前最新款计算机芯片已经突破7纳米尺度，向更小型化发展越来越难。虽然单分子晶体管距离集成到芯片中还很遥远，但这项新研究仍将有助于下一代计算机——量子计算机的开发。
    时间： 2015-07-23
    作者： 叶子
  • 纳米能源所等研发出无栅极摩擦电子学晶体管
    style type=" text/css" .TRS_Editor P{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor DIV{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TD{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TH{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor SPAN{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor FONT{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor UL{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor LI{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor A{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt } /style p 　　近年来，移动互联网和智能终端的快速发展刺激了智能传感技术在人机交互、人工智能和可穿戴设备等领域的研究。同时，由于场效应晶体管具有低成本和大规模化等特点，因而被广泛地应用于电子器件、人机交互和健康监测等领域。但传统场效应晶体管需要通过栅电极接入电信号用于传感和控制，栅电极的制备工艺复杂，容易损坏，在一定程度上限制了其在可穿戴智能器件上的发展。 /p p 　　2014年，中国科学院外籍院士、中科院北京纳米能源与系统研究所首席科学家王中林和研究员张弛率领的研究组，首次提出了摩擦电子学这一新的研究领域，利用摩擦产生的静电势作为门极信号来调控半导体中电传输与转化特性，可以用于信息传感和主动性控制，实现了各种人机交互式功能器件，如机电耦合逻辑电路、触控型电致发光、接触式机电存储、增强型光电转换、智能触摸开关、主动式触觉成像系统、电子皮肤、柔性透明晶体管等。近年来，摩擦电子学得到了国内外学者的广泛关注和跟踪研究，成为柔性电子学领域的研究热点。 /p p 　　近日，该科研团队与清华大学化学系副教授董桂芳团队合作，共同研发出一种无栅电极的柔性有机摩擦电子学晶体管。研究人员利用一个可移动摩擦层，直接与介电层接触起电，实现了对晶体管源漏电流的调控，该器件可用于传感触觉压力和磁场强度，能够实现21%Pa sup -1 /sup 和16%mT sup -1 /sup 的灵敏度，以及优于120ms的响应时间，具有良好的稳定性和耐久性。该器件基于介电层与外部直接接触起电来代替传统栅电压的传感机制，能够有效简化晶体管中栅电极的制备工艺，避免因器件弯曲造成的栅电极损坏，增加其作为传感器的稳定性和耐久性，建立了一种与外界环境刺激的直接交互机制，在人机界面、电子皮肤、可穿戴电子设备以及智能传感领域具有广阔的应用前景。 /p p 　　相关研究成果发表在 em ACS Nano /em 上。 /p p br/ /p p style=" text-align:center " img alt=" " oldsrc=" W020171116586287109024.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201711/uepic/bfe1a876-e48c-48ba-a1f0-60df2d550ca4.jpg" uploadpic=" W020171116586287109024.jpg" / /p p 　　(a) 无栅极摩擦电子学晶体管工作原理示意图。(b) 用于力磁传感的无栅极柔性摩擦电子学晶体管实物图。(c) 力磁传感工作原理示意图。(d) 不同压力下源漏电流的变化。(e) 不同磁场强度下源漏电流的变化。(f) 手指按压传感器控制LED灯亮度演示压力传感。(g) 磁铁接近传感器控制LED灯亮度演示磁场强度传感。 /p
    时间： 2017-11-16
    作者： 杨改霞
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  • 美制造出超小型单电子晶体管

    据美国物理学家组织网4月19日(北京时间)报道，由美国匹兹堡大学领导的一个研究小组日前宣布，他们制造出了一种核心组件直径只有1.5纳米的超小型单电子晶体管。该装置是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件，具有极为广泛的应用价值。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。　　单电子晶体管是用一个或几个电子就能记录信号的晶体管，其尺度都处于纳米级别。随着集成电路技术的发展，电子元件的尺寸越来越小，由单电子晶体管组成的电路日益受到研究人员的青睐，其高灵敏度的特性和独特的电气性能使其成为未来随机存储器和高速处理器制造材料的有力竞争者。　　据研究人员介绍，这种新型单电子晶体管的核心组件是一个直径只有1.5纳米的库伦岛，另外还有一两个电子负责对信号进行记录。负责该项研究的匹兹堡大学文理学院物理学和天文学教授杰里米·利维称，该晶体管未来可用于研制具有超密存储功能的量子处理器。这种处理器将能轻松应对那些让目前全世界所有的计算机同时工作数年也计算不完的复杂问题。同时因其中央的库伦岛可以被当作人工原子，该晶体管还可用来制造自然界原本并不存在的新型超导材料。　　利维和其同事将这种超小型单电子晶体管命名为“SketchSET”。原因在于这项技术受到了一种名为蚀刻素描画板(Etch A Sketch)的启发，这种晶体管的制造原理也与其类似。在实验中，通过原子力显微镜，研究人员用一种极为尖锐的电导探针就能在钛酸锶晶体界面上用1.2纳米厚的一层铝酸镧“蚀刻”出所需的晶体管。　　据介绍，SketchSET是第一个完全由氧化物制成的单电子晶体管，并且其库伦岛内能容纳两个电子。经过库伦岛的电子数量可以是0、1或2，而不同数量的电子将决定其具有怎样的导电性能。　　利维表示，这种单电子晶体管对电荷极为敏感，且所使用的氧化物材料具有铁电效应，该晶体管还可制成固态存储器，即便没有外部电源，该晶体管存储器也不会丢失此前存储的信息。此外，这种晶体管对压力变化也极为敏感，根据这一特性可用其来制成纳米尺度的高灵敏度压力传感设备。　　1959年一个芯片上只能放一个晶体管，今天家用计算机微处理器上的晶体管数量已达11.7亿，是半导体材料支撑起了电子计算机时代。下一代计算机如何发展？无论是基于单电子晶体管的量子计算机，还是基于蛋白质技术的生物计算机，我们还是要从新材料上找答案。当前已经有多种单电子晶体管研制出来，也许这些方案将来都派不上用场，然而每次实验都会向成功迈进一步，最后开启计算机新时代的新材料一定会在这些实验中脱颖而出。

  • 量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管

    有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题科技日报 2012年03月28日 星期三 本报讯（记者刘霞）据美国物理学家组织网3月27日（北京时间）报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。 晶体管是电子设备的基本组成元件，在过去40年间，科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力，但目前这条道路似乎已快走到尽头。业界认为，半导体工业正在快速接近晶体管小型化的物理极限。现代晶体管的主要问题是产生过多的热量。 最新研究表明，他们研制出的TFET性能可与目前的晶体管相媲美，而且能效也较以往有所提高，有望解决上述过热问题。 科学家们利用电子能“隧穿”过固体研制出了这种TFET。“隧穿”在人类层面犹如魔术，但在量子层面，它却是一种非常常见的行为。 圣母大学的电子工程学教授阿兰·肖宝夫解释道：“现今的晶体管就像一个拥有移动门的大坝，水流动的速度也就是电流的强度取决于门的高度。隧穿晶体管让我们拥有了一类新的门，电流能够流过而非翻过这道门，另外，我们也对门的厚度进行了调整以便能打开和关闭电流。” 宾州州立大学的电子工程系教授苏曼·达塔表示：“最新技术进展的关键在于，我们将用来建造半导体的材料正确地组合在一起。” 肖宝夫补充道，电子隧穿设备商业化的历史很长，量子力学隧穿的原理也已被用于数据存储设备中，借用最新技术，未来，一个USB闪存设备或许能拥有数十亿个TFET设备。 科学家们强调说，隧穿晶体管的另一个好处是，使用它们取代目前的晶体管技术并不需要对半导体工业进行很大的变革，现有的很多电路设计和电路制造基础设施都可以继续使用。 尽管TFET的能效与现有晶体管相比稍逊色，但是，去年12月宾州州立大学和今年3月圣母大学的科研团队发表的论文已经表明，隧穿晶体管在驱动电流方面已经取得了创纪录的进步，未来有望获得更大的进展。 达塔说：“如果我们在能效上取得更大成功，将是低能耗集成电路上的重大突破，这反过来会加大我们研制出能自我供能设备的可能性，自我供能设备同能量捕获设备结合在一起，有望使我们研制出更高效的健康检测设备、环境智能设备以及可移植医疗设备。” 总编辑圈点： 滚动的台球，碰到桌壁后总会反弹。而量子理论不排除“穿壁而过”的可能性——在基本粒子级的尺度下，“隧穿”的几率不能忽视。隧穿曾是晶体管电路设计者需要防范的现象，然而科学家最终利用它造出了新式晶体管。几年前就有计算机试用了这种新式硅片，它要求的电压更小，且在待机状态下不耗电。隧穿晶体管技术一旦投入商用，CPU的设计者就不必忧虑发热的老问题了。

  • 【原创】晶体管特性图示仪

    晶体管特性图示仪是一种可以检测晶体管的特性参数的电子测量仪器。晶体管特性图示仪操作简便，主要有六个旋钮，每个旋钮代表不同的功能作用。它们分别是用来测试调控电流开关、电压开关、峰值电压开关、功耗限制电阻、零电压、零电流开关。晶体管特性图示仪的工作原理大致是这样的：通过示波管的内刻度可直接读测半导体管的低频直流参数，通过摄影装置可记录所需的特性曲线；根据需要还可以测试隧道二极管、场效应管、VMOS管、达林顿管及可控硅等半导体材料制做的器件。晶体管特性图示仪可同时在示波器管荧光屏上显示两只同类型半导器件的特性曲线。晶体管特性图示仪的具体参数如下：集电极扫描电压0-500V 二端测试电压0-5KV、 集电极电流1μA-500mA/div 、具有脉冲阶梯信号。

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  • 溶出度测试仪配件
    溶出度测试仪配件是一款自动药物溶出度仪,用于测量药物或化学物质在设定温度下的溶解情况，溶出度测试仪配备了蠕动泵和分光光度计，是领先的进口自动溶出度测试仪。溶出度测试仪配件特点六杯六杆,桨杆等采用进口SUS316不锈钢。数字读取提供连续更新的精确轴速度。水浴温度可设定到所需温度。旋转度可无限变化，可设定到任意所需速度。水浴温度均匀。全自动智能化控制温度、转速及时间三个参数。可以随意预置参数；分时显示预置值和实时值。溶出度测试仪配件应用用于药片，胶囊，药丸，固体剂型以及各种药品的溶出度测试，药品质量控制，研发。适合科研院所和制药企业的实验室使用。溶出度测试仪配件参数转速：10-250rpm电力：220V/50Hz安全功能：低水位，过热，防漏电温度：数字温度控制系统加热器：900W重量：62kg孚光精仪是全球领先的进口科学仪器和实验室仪器领导品牌服务商，产品技术和性能保持全球领先,拥有包括溶出度测试仪在内的全球最为齐全的实验室和科学仪器品类，世界一流的生产工厂和极为苛刻严谨的质量控制体系，确保每个一产品是用户满意的完美产品.我们海外工厂拥有超过3000种仪器的大型现代化仓库，可在下单后12小时内从国外直接空运发货，我们位于天津保税区的进口公司众邦企业（天津)国际贸易公司为客户提供全球零延误的进口通关服务,确保中国用户以极低的成本享受进口优质产品的良好体验。关于溶出度测试仪参数,溶出度测试仪应用,溶出度测试仪特点的更多消息，孚光精仪将在第一时间更新并呈现，想了解更多内容，关注孚光精仪等你来体验！
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • 紧凑型数字测力计带RS-232输出—带反转显示屏的测力计 93950
    型号：9395011/9395012/9395031/9395045/9395051/9395055/9395059/9395136每个测力计都能以单个或连续存储模式存储高达100个数据，附加功能包括：平均值/峰值模式、可选的样品更新率和更新时间、皮重、保留、可选的自动关闭电源、以及低电池电量显示。 可选择一个输出电缆以满足你特别的需求，可选择模拟、RS-232、或比较器输出，比较器输出让你可设置和存储高/低报警限，可在右下方的表中另购电缆。 外壳是铝制的，每个测力计都带有四节五号电池、过载输出电缆、115伏交流适配器、便携盒、以及六个杆状物测量附件（钩、锥头、平头、凿头、凹槽头、以及加长杆）。如果需要在230伏交流电源上运行，需另购电源适配器93951-95，测试支架需另购。技术参数：93950-11 测量范围：8盎司/200克/2牛 分辨率：0.01盎司/0.1克/0.001牛 精度：±0.2% 满刻度±0.5 位 显示：4位、1/2英寸高液晶显示屏 更新时间：125，250毫秒；1，2秒 采样频率： 平均模式：每秒钟0.5，1，4或8次； 峰值模式：每秒钟0.5，1，4，8或1000次 输出：模拟（±1 伏直流）和RS-232接口（高达9600比特/秒），和三个负极-正极-负极晶体管用于HI, GO, LO（最大28伏直流、5毫安） 满量程偏转：±0.25毫米 负载：量程的200% 环境温度：32至113华氏度（0至45摄氏度） 供电：四节五号电池或115伏交流适配器/充电器（都包括） 电池使用时间：连续运行约20小时 尺寸：3英寸宽 x 9-3/4英寸高 x 11-3/16英寸厚93950-12 测量范围：16盎司/500克/5牛 分辨率：0.01盎司/0.1克/0.001牛93950-31 量程：2磅/1000克/10牛 分辨率：0.001 磅/1克/0.01 牛93950-45 测量范围：10磅/5千克/50牛 分辨率：0.01 磅/0.001千克/0.01 牛93950-51 测量范围：5磅/2千克/20牛 分辨率：0.001 磅/0.001千克/0.01 牛93950-55 测量范围：50磅/20千克/200牛 分辨率：0.01 磅/0.01千克/0.1 牛93950-59 测量范围：100磅/50千克/500牛 分辨率：0. 1 磅/0.01千克/0.1 牛93951-36测量范围：20磅/10千克/100牛分辨率：0.01 磅/0.01千克/0.1 牛主要特点：可存储高达100个数据，并能进行统计 这种数字式测力计可通过开关选择单位来显示推/拉、张力、以及压力的读数，标准配置包括RS-232、模拟和比较器输出。可选择一个带标准或反转显示屏的仪器。
    供应商： 精艺兴业科技有限公司
    品牌： 科尔帕默
    价格： 面议
  • 紧凑型数字测力计带RS-232输出—带标准显示屏的测力计 93950
    型号：9395001/9395002/9395021/9395041/9395042/9395043/9395053/9395057/ 每个测力计都能以单个或连续存储模式存储高达100个数据，附加功能包括：平均值/峰值模式、可选的样品更新率和更新时间、皮重、保留、可选的自动关闭电源、以及低电池电量显示。 可选择一个输出电缆以满足你特别的需求，可选择模拟、RS-232、或比较器输出，比较器输出让你可设置和存储高/低报警限，可在右下方的表中另购电缆。 外壳是铝制的，每个测力计都带有四节五号电池、过载输出电缆、115伏交流适配器、便携盒、以及六个杆状物测量附件（钩、锥头、平头、凿头、凹槽头、以及加长杆）。如果需要在230伏交流电源上运行，需另购电源适配器93951-95，测试支架需另购。技术参数：9395001 测量范围：8盎司/200克/2牛 分辨率：0.01盎司/0.1克/0.001牛 精度：±0.2% 满刻度±0.5 位 显示：4位、1/2英寸高液晶显示屏 更新时间：125，250毫秒；1，2秒 采样频率： 平均模式：每秒钟0.5，1，4或8次； 峰值模式：每秒钟0.5，1，4，8或1000次 输出：模拟（±1 伏直流）和RS-232接口（高达9600比特/秒），和三个负极-正极-负极晶体管用于HI, GO, LO（最大28伏直流、5毫安） 满量程偏差：±0.25毫米 负载：满量程的200% 环境温度：32至113华氏度（0至45摄氏度） 供电：四节五号电池或115伏交流适配器/充电器（都包括） 电池使用时间：连续运行20小时 尺寸：3英寸宽 x 9-3/4英寸高 x 11-3/16英寸厚9395002 测量范围：16盎司/500克/5牛 分辨率：0.01盎司/0.1克/0.001牛 9395021 测量范围：2磅/1000克/10牛 分辨率：0.001 磅/1克/0.01 牛9395041 测量范围：5磅/2千克/20牛 分辨率：0.001 磅/0.001千克/0.01 牛9395042 测量范围：10磅/5千克/50牛 分辨率：0.01 磅/0.001千克/0.01 牛9395043 测量范围：20磅/10千克/100牛 分辨率：0.01 磅/0.01千克/0.1 牛9395053 测量范围：50磅/20千克/200牛 分辨率：0.01 磅/0.001千克/0.01 牛9395057 测量范围：100磅/50千克/500牛 分辨率：0.1 磅/0.01千克/0.1 牛主要特点：可存储高达100个数据，并能进行统计 这种数字式测力计可通过开关选择单位来显示推/拉、张力、以及压力的读数，标准配置包括RS-232、模拟和比较器输出。可选择一个带标准或反转显示屏的仪器。
    供应商： 精艺兴业科技有限公司
    品牌： 科尔帕默
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