薄膜沉积系统

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；电控系统；配气系统等部分组成。2.设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等3.产品配置：真空室结构:六边形侧开门真空室尺寸:φ350×370mm限真空度:≤6.6E-4Pa沉积源:1个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:大可放置4片20mmx25mm的基片，基片不加热，可自转，速度5～20转/分；占地面积（长x宽x高）:约1米x1米x1.9米电控描述:手动样品台：可放置基片，并可能具有旋转、加热等功能，以满足不同的工艺需求。例如，加热功能可以使样品达到一定温度，适应某些材料的沉积要求；旋转功能有助于提高薄膜的均匀性。控制系统：采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发速率、沉积时间等。多种材料沉积能力：可以沉积多种不同的薄膜材料，以满足不同的应用需求。良好的稳定性和可靠性：确保系统能够长时间稳定运行，保证薄膜沉积的重复性和一致性。可视化操作界面：可能具有直观的操作界面，方便用户进行操作和监控。不同型号的 SMART 蒸发薄膜沉积系统在具体参数和功能上可能会存在差异，例如真空度的高低、蒸发源的类型和功率、样品台的尺寸和可调节范围、膜厚监测的精度等。

1. 产品概述：Super-SPECTROS&trade 200 是一套先进的有机薄膜沉积和金属化系统，针对有机材料沉积进行了优化。它能够实现精确的薄膜沉积控制，可沉积多种材料，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、非晶硅等硅基薄膜，以及各种金属薄膜，在半导体、光电等领域有广泛应用。 2. 设备应用： 半导体领域：用于半导体芯片制造过程中的薄膜沉积，如制作晶体管的栅极绝缘层、金属互连层等，对提高芯片性能和集成度至关重要。例如在先进的逻辑芯片制造中，精确沉积的绝缘薄膜可确保晶体管之间的电隔离，金属薄膜则用于实现芯片内的电路连接。 光电领域：在有机发光二极管（OLED）制造中，可沉积有机发光材料和电极材料等，对于实现高质量的发光显示效果意义重大。比如在 OLED 屏幕生产中，通过该系统精确控制有机薄膜的沉积，能保证发光层的均匀性和稳定性，提升显示品质。 科研领域：为高校和科研机构的材料研究、新型器件研发等提供了强大的实验手段，助力科研人员探索新的材料体系和器件结构，推动相关领域的技术创新和发展。3. 设备特点： 多源配置灵活：多达 12 个 LTE 信号源，并且有 1cc、10cc 或 35cc 等不同容量可供选择，还配备多达 4 个热蒸发源，可满足多种材料和复杂结构的沉积需求，能实现对不同材料的精确控制沉积，为制备多功能、高性能的薄膜器件提供了基础。 精确的沉积控制：具有自动基板、掩膜存储和更换功能，以及基板快门，可确保在沉积过程中对基板的精准操作和保护，实现高质量、均匀性良好的薄膜沉积。例如在制备高精度的光学薄膜时，能保证薄膜厚度和光学性能的一致性。 工艺参数监控与调节：通过高温计端口实时监测沉积过程中的温度等参数，结合 KJLCEKLIPSE&trade 控制软件，实现基于配方的基于 PC 的系统控制，且速率控制分辨率可达 0.05 &angst /s，能够精确控制薄膜的生长速率和厚度等参数，满足不同应用场景对薄膜性能的严格要求。 高效的真空系统：采用低温泵高真空泵和 2 位闸阀，确保系统具有高真空度环境，有效减少杂质和气体对沉积过程的影响，提高薄膜的质量和纯度。例如在制备对纯度要求极高的半导体薄膜时，高真空环境可保证薄膜的电学性能和稳定性。 创新的双楔工具：KJC 双楔工具可将单个基材转换为多个基材，而无需打破真空或进行复杂的掩膜操作。这种方式减少了昂贵且长时间的研究时间，允许在几天而不是几个月内完成大量的基材变化。此外，结合基板的旋转 / 取向操作，可实现多种材料和厚度的组合沉积，极大地拓展了系统的应用灵活性和功能性。 4. 产品参数： 晶圆尺寸：可支持多种规格晶圆，具体支持情况未详细说明，但通常能够满足常见的半导体晶圆尺寸需求。 源的类型和数量：多达 12 个 LTE 信号源，有不同容量选择；多达 4 个热蒸发源。 沉积速率控制：速率控制分辨率为 0.05 &angst /s。 真空系统：配备低温泵高真空泵，确保高真空度环境；采用 2 位闸阀。 温度监测与控制：具有高温计端口，可实时监测温度，但具体的温度控制范围未给出。 软件控制系统：采用 KJLCEKLIPSE&trade 控制软件，基于配方的基于 PC 的系统控制，方便用户进行参数设置和工艺管理。 双楔工具特性：可实现单个基材到多个基材的转换，且能与基板旋转 / 取向结合，实现多种复杂的沉积组合，但关于具体的尺寸、角度等参数未详细说明。 实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。

一、高真空互联物理气相薄膜沉积系统概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；二、PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动：1、 关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、 系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、 系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、 靶基距具有腔外手动调节功能；5、 系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、 控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、 可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能；8、 节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；；9、 可用于标准镀膜产品小批量生产。 三、互联系统技术描述 真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积、电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。

1.产品概述：系统由真空腔室（外延室、进样室）、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。2.设备用途：脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用景。3.真空室：真空室结构:球形开门双室真空室尺寸:镀膜室尺寸：Ф450mm ；进样室尺寸：Ф150x300mm限真空度:镀膜室≤6.0E-8Pa；进样室：≤6.0E-5Pa沉积源:φ2英寸靶材，4个；或φ1英寸靶材，6个样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.8米x1.3米x1.9米电控描述:部分电动控制特色参数 :配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。2.产品应用：在实际应用中，这种系统常用于半导体、光电子、有机电子等域，用于制备各种有机薄膜、金属薄膜或复合薄膜，以满足不同器件和材料的研究与开发需求。3.真空室:沈阳科学仪器的高真空有机及热阻蒸发薄膜沉积系统 DZ350的详细介绍可能因具体型号和配置而有所不同真空室结构:U形开门真空室尺寸:φ350×400mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:2个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:50mmx50mm，1片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发温度、沉积时间等。手动：样品台：拥有可旋转或可移动的样品台，以便均匀沉积薄膜。工艺:不含工艺

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:φ400x400x400mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃样品台：拥有可旋转或者可移动的样品台，以便均匀的沉积薄膜。占地面积（长x宽x高）:约1.8米×1.7米×2米电控描述:全自动采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发温度、沉积时间等。工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1. 产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统是一种先进的物理气相沉积（PVD）技术设备，主要用于在超高真空环境下，通过电子束加热蒸发源材料，使其蒸发并在基片表面沉积形成薄膜。该系统广泛应用于物理学、材料科学、动力与电气工程等域，特别适用于纳米材料、太阳能光伏电池、半导体器件等高精度薄膜的制备。2 设备用途/原理：1. 薄膜制备：该系统能够制备各种金属、半导体、氧化物等材料的薄膜，满足不同材料和器件的制备需求。2. 科学研究：在材料科学研究中，用于探索新材料、新结构的物理和化学性质。3. 工业生产：在半导体、光电子、太阳能电池等行业中，用于大规模生产高精度、高质量的薄膜产品。3 设备特点CMP抛光机具有以下几个显著特点：1 高真空度：系统能够达到高的真空度（≤6.0E-5Pa），有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。2 电子束加热：采用电子束加热技术，具有热效率高、束流密度大、蒸发速度快等优点，能够蒸发高熔点材料，制备高纯薄膜。3 多源蒸发：系统配备多个蒸发源（如6个40cc坩埚），可同时或分别蒸发多种不同材料，实现多层膜的均匀沉积。4 精确控制：配备高精度的膜厚监控仪和控制系统，能够实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制，确保薄膜的均匀性和一致性。5 灵活定制：样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架等多种选择，可根据用户基片尺寸设计工件架。6 稳定可靠：系统整体设计合理，结构紧凑，具有良好的设备稳定性和可靠性，以及完善的售后及质保服务。综上所述，高真空电子束蒸发薄膜沉积系统以其高真空度、高精度、多源蒸发和灵活定制等特点，在薄膜制备域具有广泛的应用景和重要的科学价值。4 特色参数：本系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。真空室结构:U形开门真空室尺寸:700x700x900mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.2米x3.9米x2.1米电控描述:全自动控制系统：通过工控机和 PLC 实现对整个系统的控制，具有自动和手动控制两种功能，操作过程可在触摸屏上进行，提供配方设置、真空系统、电子枪系统、工艺系统、充气系统、冷却系统等人机操作界面；在工控机上可通过配方式参数设置方式实现对程序工艺过程和设备参数的设置。工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

1.产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成，体现立方整体外观，适用于超净间间壁隔离安装，操作面板一端处在相对要求较高超净环境，其余部分（含低温泵抽系统）处在相对要求较低超净环境。2.设备用途：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。该系统的主要功能是利用电子束蒸发技术在基片上沉积各种薄膜材料。3.产品优势：限真空度高：能够达到≤6.×10^-5 Pa，这有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。电子枪功率可调范围大：电子枪功率 0—10kW 可调，可以满足不同材料蒸发和薄膜沉积的需求，适应多种工艺条件。配备水冷式坩埚：4 穴坩埚，每个容量不少于一定数值（具体容量可能因型号而有所不同），可容纳多种材料同时蒸发。样品台性能优良：可容纳较大尺寸的样品，并且能够加热至较高温度（具体温度可能因型号而有所不同），转速可在一定范围内调节，满足不同实验需求。具备精确的膜厚监测仪：彩色 LCD 显示屏，提供英文或中文版本，设有“quick setup”（快速设定）菜单、多个区分上下文按钮以及简便的参数设定旋钮，易于设定和操作，且测量速率和分辨率较高，存储容量大，能够使用单传感器或多传感器监控源材料，提供精确的源分布监控，有利于实现对薄膜沉积过程的精确控制和质量监测。包含金属蒸发源组件：可提供多套蒸发电源，大输出功率满足一定要求（如 1.8kW，电压 6V，电流×A），有助于提高薄膜沉积的效率和稳定性。拥有较高的分子泵抽速：≥×l/s，能够快速有效地抽取真空室内的气体，维持高真空环境。其他方面：可能还具有良好的设备稳定性、可靠性，以及完善的售后及质保服务等。4.产品参数：真空室结构:U形开门真空室尺寸:900×900×1100mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.5米x3.9米x2.1米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

1 产品概述：分子束外延薄膜沉积系统（Molecular Beam Epitaxy, MBE）是一种先进的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学和半导体制造领域。该系统在超高真空环境中工作，通过精确控制分子束的喷射和沉积过程，在单晶基片上生长出高质量、均匀性好的外延薄膜。MBE系统通常由多个源炉、基片加热台、真空腔室、样品传递机构以及精密的控制系统组成。 2 设备用途：半导体材料研究：MBE系统可用于制备高质量的半导体外延层，如硅、锗及其化合物半导体等，对于研究半导体材料的物理性质、电子结构以及开发新型半导体器件具有重要意义。光电子器件制造：在光电子器件（如激光器、光电探测器等）的制造过程中，MBE系统可用于生长具有特定光学和电学性质的外延层，提高器件的性能和稳定性。微纳电子学：MBE技术还可用于制备纳米结构材料，如量子点、量子阱等，为微纳电子学的发展提供重要的材料基础。材料科学研究：MBE系统可用于研究材料生长过程中的动力学、热力学以及界面反应等机制，推动材料科学领域的发展。3. 设备特点1、超高真空环境：MBE系统工作在超高真空环境中，通常要求基础真空度达到1.0×10^(-10) Torr或更低，以确保分子束的纯净度和外延薄膜的质量。 2、精确控制：MBE系统能够精确控制分子束的喷射速率、沉积温度、沉积时间等参数，从而实现对外延薄膜厚度、成分和结构的精确控制。 3、高质量外延薄膜：由于MBE系统的工作环境和控制精度，其生长的外延薄膜具有极高的质量、均匀性和低的缺陷密度，适用于制备高性能的电子和光电子器件。4、综上所述，半自动双轴减薄机以其高精度、双轴研削单元、自动厚度测量和补偿系统、定制化工作台、操作灵活以及良好的兼容性等特点，在半导体制造、硅片加工、光学材料处理及薄膜材料制备等领域发挥着重要作用。4 设备参数： 缺陷密度≤ 50 /cm² 厚度均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%成分均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%厚度均匀性 （AlAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%Si掺杂标准差均匀性 3%谐振器的FP-Dip均匀性3纳米背景载流子密度7×1014厘米-3HEMT 电子迁移率6000 平方厘米伏-1 平方@RT 120 000 平方厘米伏-1 平方尺@77K分子束外延薄膜沉积系统MBE 8000厚度均匀性 InGaAs/GaAs 在 8×6＇＇ 压板上超晶格厚度298&angst +/- 2&angst 谐振器晶圆在 8×6 英寸压板上的 Fabry-Perot 浸渍均匀性波长变化3nm电子迁移率 – 标准基氮化镓 HEMT电子迁移率 @ 77K178 000 cm² V-1 s-1

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。该系统可与手套箱对接。2.设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:400×400×450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:3个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:4寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。例如可用于制备各种功能性薄膜，如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；适用于微电子域；在光学域，可用于制备增透膜、低辐射玻璃和透明导电玻璃等；在机械加工行业中，可沉积表面功能膜、超硬膜、自润滑薄膜等，以提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能；还可应用于高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜等的研究。3.真空室：真空室结构:长方形侧开门真空室尺寸:1100X700X350mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶尺寸：450X80mm、向上溅射，每个真空室配2个靶位样品尺寸，温度:300X400mm；高温度300度占地面积（长x宽x高）:约6米×3米×2米（设计待定）电控描述:全自动 工艺:设计待定

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备特点：本设备是一个镀膜平台，可把磁控靶拆下换电子枪成为电子束镀膜系统、或换蒸发源作为热蒸发系统、或换上离子枪作为离子束镀膜系统等。设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:φ500x500x500mm限真空度:≤3.0E-5Pa沉积源:永磁靶4套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.7米×2米电控描述:全自动工艺:具备计算机化的工艺自动化功能。片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.用户评价：TRP-450高真空镀膜机其设备质量过关，功能齐全，性能稳定，自动化程度高，抽气速平稳，电源稳定可靠，气路流畅密闭，镀膜质量平整光滑，均匀致密，结合力强，且系统操控智能，便捷，可满足科研实验与生产制造的需求，是一款优秀的磁控溅射镀膜系统。——北京石墨烯技术研究院有限公司 李老师4.真空室：真空室结构:圆筒形开门 真空室尺寸:φ450x400mm 限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸，可以向上溅射或向下溅射。 样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1米×1.8米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1 产品概述: Riber分子束外延（MBE）系统是一款在半导体及光电子域广泛应用的先进设备，以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和速度，实现原子层的材料沉积，从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该域的先者，其MBE系统涵盖了多种型号，如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等，以满足不同规模和需求的生产场景。2 设备用途：半导体制造：Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料，如GaAs、InP、GaN等，这些材料是制造晶体管、二管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术，可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构，从而优化器件的性能。光电子器件：在光电子域，Riber MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构，可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。量子点研究：MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有独特光电特性的纳米材料，通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分，从而制备出性能优异的量子点材料。超导金属：Riber MBE系统还可用于生长超导金属材料。超导金属具有超精确的尺寸控制和电子在其中不受干扰地流动的特性，是制造超导器件和量子计算等沿技术的重要材料。3 设备特点 高精度沉积：Riber MBE系统能够实现原子层的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有独特优势。 高真空环境：系统配备先进的真空系统，提供超高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 低温生长：MBE技术采用低温生长方式，有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成，从而生长出高质量的薄膜材料。 多源端口设计：部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。4 技术参数和特点：衬底尺寸：5×3英寸、4×4英寸、150毫米、200毫米外延生长：可实现原子的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积，以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。温度控制：生长温度低，有效避免界面原子的互扩散。 MBE 49生产系统的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：半导体器件：如晶体管、二管、激光器等。光电子器件：如太阳能电池、LED、光电探测器等。量子点：使用“量子点”，这是使用MBE创建和控制的中等体积的纯半导体合金。超导金属：超导金属可以具有超精确的尺寸（原子尺度），电子在其中不受干扰地流动。

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室结构:圆筒形上升盖尺寸例如φ450×350mm，采用不锈钢材料制造，可进行内烘烤，接口处采用金属垫圈或氟橡胶圈密封。真空室尺寸:φ450×350mm限真空度:≤6.0E-5Pa包括分子泵和机械泵，通过超高真空闸板阀主抽，并设有旁路抽气 沉积源:永磁靶3套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.5米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。可通过直流溅射及射频溅射方式镀膜，能制备各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜等。可溅射材料广泛，包括各种金属、合物薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜等。溅射模式多样，例如直流溅射、反应溅射、斜靶共溅射等。采用计算机控制，具有液晶显示屏、鼠标键盘操作，windows 会话界面，操作简便，并支持自动控制和手动控制两种方式，可实现真空系统及工艺过程的全自动化操作。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目3.真空室真空室结构:六边形侧开门真空室尺寸:φ350x370mm 限真空度:≤6.0E-4Pa 沉积源:永磁靶1套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃ 占地面积（长x宽x高）:约1米x1米x1.9米 电控描述:手动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.产品优势：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。该系统可用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料科研工作。3.产品工艺：真空室结构:梨形上升盖真空室尺寸:φ550×350mm限真空度:≤6.6E-6Pa（经烘烤除气后）沉积源:永磁靶5套，φ2英寸配有多个靶位，例如 5 个 2 英寸磁控溅射靶接样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。2.设备用途：脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它独特的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用景。3.真空室结构:球形开门真空室尺寸:φ450mm限真空度:≤6.67E-6Pa沉积源:φ2英寸靶材，4个样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米电控描述:全自动

1. 产品概述分子束外延薄膜沉积系统MBE 是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在高温的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。2. 设备特点分子束外延，是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。12个源炉：镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等；衬底：大4inch ；高温度：1000°C 温度均匀性：≤±3°C（4inch）；超高真空下全自动样品转移；用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能；一个集群上多7个超高真空功能单元：装载、储存、翻转、处理、排气、生长，外部腔室；可连接其他分析设备或其他：ALD、PLD、PVD、金属化、STM。

1.产品概述：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。2.设备用途：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大院校、科研院所进行薄膜材料的科研。3.产品优点：可对化学成分复杂的复合物材料进行全等同镀膜，易于保证镀膜后化学计量比的稳定。反应迅速，生长快，通常一小时可获得一定厚度的薄膜。定向性强、薄膜分辨率高，能实现微区沉积。生长过程中可原位引入多种气体，对提高薄膜质量有重要意义。容易制备多层膜和异质膜，通过简单的换靶即可实现4.真空室结构:球形结构真空室尺寸:Ф300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:Φ30mm,每次可装4块靶材，可实现公转换靶位；每块靶材可自转，转速5～60转/分；样品尺寸，温度:1英寸，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统可以在紧凑的平台上生产高品质的薄膜。独特的反应器设计可以在在极低的功率生产具有优异台阶覆盖的低应力薄膜。该系统可以满足实验室和中试生产环境中的所有安全，设施和工艺标准要求。Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统具有许多标准的需求功能，而且是这样一个如此合理价格，这就是为什么许多世界各地的用户已经作出了Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统的选择。特征：沉积薄膜：氧化物、氮化物、氧氮化物，非晶硅。工艺气体：＜20%硅烷、氨气、正硅酸乙酯、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮应用：MEMS, 固态照明，失效分析，研发，试验线.客户留言：“相比较实验室的其他设备，我发现该设备（Orion III PECVD薄膜沉积系统和 Phantom RIE 刻蚀系统）是非常强大的。”–Lee M. Fischer，国家纳米技术研究所，艾伯塔大学“I’ve found both machines (Orion PECVD and Phantom RIE) to be quite robust, indestructible by comparison to some other lab equipment.” – Lee M. Fischer, National Institute for Nanotechnology, University of Alberta

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

PLD技术在薄膜制备方面的优势和特点:脉冲激光沉积技术是目前火热薄膜制备技术, 利用PLD技术制备薄膜具有很好的可控性和可设计性, 可通过控制材料成分、激光能量密度、气压、气体、基底材料、沉积角度等, 来实现薄膜的各种功能和结构. 另外, PLD 可以在室温下进行沉积 然而, 目前PLD还有一些技术和工程上的难题需要解决, 例如, PLD会出现相爆炸等效应, 引起大颗粒飞溅, 从而增大薄膜的表面粗糙度, 降低薄膜质量 另外, 大面积均匀沉积也是目前PLD实现大规模工业化生产的一大瓶颈 芬兰Pulsedeon的ColdAb技术基于皮秒, 飞秒短脉冲激光薄膜沉积技术, 可从源头遏制引起薄膜不均匀的微粒及飞溅效应, 且配合独特的设计和功能配置, 从而被证实在制备大面积高质量薄膜方面有优势, 且可实现全自动产业化.凭借这些技术特点, Pulsedeon受邀成为欧盟LISA锂硫电池, PulseLion全固态电池项目中PLD薄膜沉积工艺参与者.PLD制备高性能薄膜拥有很多的优势，总结如下:1）PLD制备的薄膜材料类型非常广泛。由于高能量密度的激光可以烧蚀大多数材料，包括难融材料和特殊材料，并且材料之间还可以组合成复合材料，这又提高了可制备材料体系的丰富度，因此脉冲激光制备的薄膜材料不受材料类型的限制，拥有庞大的材料体系。2）PLD制备的薄膜结构和形貌可控。PLD可以通过控制激光能量密度、背景气压、背景气体种类、基底材料种类、基底温度、沉积倾斜角度等参数实现对产物结构和形貌的控制，实现不同晶体结构、不同疏松度形貌、不同颗粒形状尺寸薄膜的制备，这使得薄膜性能具有很好的可调控性。3）利用PLD的保组分性能够很容易地实现薄膜成分控制，易获得期望化学计量比的多组分薄膜，有利于制备多元复杂化合物和合金薄膜。4）薄膜生长所需的基底温度相对较低，且与基底结合力强。由于高能量密度的脉冲激光轰击的原子(离子)具有很高的能量，不需要很高的基底温度就可以在基底表面自由迁移，因此与传统方法相比，PLD的薄膜生长温度更低，甚至可以在室温下沉积高质量的薄膜，在不耐高温的柔性基底上沉积薄膜以制备柔性器件。5）沉积效率高。文献中所报道的PLD沉积效率可达10 μm/min以上。欧盟PulseLion全固态锂电电池应用案例：PulseLion项目获得了欧盟地平线及欧盟研究与创新计划的资助, 并联合全欧固态电池行业中知名的15个研究单位及企业, 致力于解决行业技术瓶颈并将第四代全固态电池技术大规模制造产业化 该项目中PLD作为工艺关键一环, 其应用是薄锂金属阳极、高离子导电率固态电解质及隔膜层和缓冲膜等关键技术解决方案均由Pulsedeon公司供应. 除了PLD薄膜沉积工艺外, 其高品质靶材也由Pulsedeon制备供应.欧盟LISA锂硫电池应用案例：欧盟LISA新型固态锂硫电池项目, 致力于解决固态锂硫电池稳定产业化瓶颈, Pulsedeon作为薄膜沉积技术参与者, 提供了从实验级到产业级的PLD相关技术工艺和材料, 其中包括 “集流体及隔膜上多个工艺多层薄膜沉积” “金属锂阳极制备沉积” “陶瓷薄膜沉积层的制备” “固态电解质的制备及优化工艺” “用于R2R PLD中试涂层生产的SSE” “锂硫电池实验级到产业化大面积薄膜沉积制备工艺”等环节.

Kurt J. Lesker Company 的 SPECTROS&trade 150 是基于主力 SPECTROS 平台的下一代薄膜沉积系统。SPECTROS平台在全球拥有100多台设备，是一种成熟、坚固和多功能的设计。SPECTROS建立在原始设计的成功基础上，改进了系统基础压力和抽空时间。腔室设计、具有高级编程功能的行业最佳软件控制系统、实时配方线程操作以及用于优化薄膜性能的众多功能，这些都是这种创新的设计提供的一些关键优势。® SPECTROS 150与以下技术兼容：1cc 或 10cc LTE 信号源（除热源外，最多 10 个信号源）4 英寸热源（除 LTE 源外，最多 4 个源）TORUS 磁控溅射源（最多 8 个 2“ 或 3” 源）® 电子束蒸发源（4口袋8cc，8口袋12cc，6口袋20cc）上述技术的组合也可用可根据要求提供定制配置SPECTROS&trade 150 的工艺室提供两种类型的高真空泵：标配 Pfeiffer 790 L/s 涡轮分子泵或可选的 Brooks CTI-8F 1500 L/s 低温泵。SPECTROS 150的任何沉积配置都可以选择这两种泵。Pfeiffer 790 L/s 是总体成本效益、高质量泵送的理想选择，尤其适用于低温和热蒸发。Brook CTI-8F 可用于需要尽可能低真空度的应用，特别是热蒸发和电子束应用。右边的图表显示了配备的 SPECTROS 150 工艺室按泵类型划分的平均预期泵送性能，该工艺室清洁干燥，安装了 （5） TORUS 3“ Mag-keeper 源和 3 英尺长的 1.5 英寸金属柔性波纹管粗加工线。

1.产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业先的软件控制系统，用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺：真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套，φ2英寸； 四工位转靶1套；样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。高可以到达800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

1. 产品概述AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应沉积薄膜，实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量。此外，可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø 4英寸的晶片。2. 设备用途/原理用于下一代功率器件的栅氧化膜和钝化膜。在3D结构上形成均匀的薄膜，如MEMS。激光表面的沉积。碳纳米管的钝化膜。3. 设备特点成膜效率高，通过提供几十毫量的脉冲，减少了原材料的损耗，提高了沉积效率。真空清洁，温度不均匀性小，通过紧贴反应室内壁的内壁加热器，抑制反应室的温度不均匀，可获得清洁的真空。无针孔成膜，由于多种驱体在反应室中没有混合，因此可以防止颗粒，形成无针孔的薄膜。

英国Vac Coat是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者, 尤其是Vac Coat可以将多种PVD工艺集成为一体进行多工艺复合镀膜, 如DST多靶磁控溅射系列, PLD脉冲激光沉积系列, DTT多源热蒸发沉积系列以及多工艺一体化系列已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

1. 产品概述：主要由蒸发真空室、e 型电子枪、热阻蒸发组件、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成，具备自动控制软件系统。2. 设备用途/原理：沈阳科仪 DZS500 系统用途广泛。电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和导电玻璃等各种光学材料薄膜。在科研领域，它常用于材料研究和新型器件的开发；在工业生产中，可用于大规模制造高质量的薄膜产品。例如，在制造液晶显示器的导电薄膜时，能够保证薄膜的导电性和均匀性，提高产品的性能和质量。3. 特色参数：o 真空室结构：采用 U 形前开门。o 真空室尺寸：500x500x600mm。o 极限真空度：≤6.67e-5Pa。o 沉积源：4 个 11cc 坩埚。o 样品尺寸与温度：可放置 φ4 英寸的 1 片样品，最高温度可达 800℃。o 占地面积：约 2.7 米 x1.7 米 x2.1 米。o 电控描述：全自动。o 工艺：片内膜厚均匀性≤±3%。 o 特色参数：样品可自转，转速可调。4. 设备特点沈阳科仪 DZS500 系统的真空室具有一些显著特点。其极限真空度表现出色，通常能够达到≤6.67×10⁻ ⁵ Pa（经烘烤除气后）。停泵关机 12 小时后，蒸发室真空度≤5Pa，这表明其真空保持能力较强。真空室的结构通常为 U 形前开门，尺寸一般为 500×500×600mm。这种设计不仅方便操作，还有利于维持真空环境的稳定性。在实际应用中，良好的真空室特点能够为薄膜沉积提供高质量的真空条件，减少杂质和气体对薄膜质量的影响。比如在制备高精度光学薄膜时，稳定的真空环境能够确保薄膜的均匀性和纯度。

英国Korvus公司在高真空领域拥有超过30多年的经验，其HEX薄膜沉积系统(如香港大学，北京大学,中国科学技术大学，东南大学,中山大学,南方科技大学等),为了保障中国用户权益,英国Korvus公司经过认真考核后设立了中国区官方授权商：溢鑫科创,以保障旗下所有产品在中国的市场开拓和售后服务支持。