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半导体电学特性分析测试系统
仪器信息网半导体电学特性分析测试系统专题为您提供2024年最新半导体电学特性分析测试系统价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括半导体电学特性分析测试系统参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的半导体电学特性分析测试系统您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合半导体电学特性分析测试系统相关的耗材配件、试剂标物,还有半导体电学特性分析测试系统相关的最新资讯、资料,以及半导体电学特性分析测试系统相关的解决方案。
半导体电学特性分析测试系统相关的方案
不锈钢钝化膜耐蚀性与半导体特性的关联研究
摘要通过极化曲线、交流阻抗谱和钝化膜半导体特性等电化学测量,研究了经电化学阳极氧化处理的不锈钢钝化膜在0.5 molL-1 NaCl 溶液中耐蚀性能与其半导体特性的关系,进一步探索电化学改性处理不锈钢钝化膜的耐蚀机理. 结果表明,不锈钢钝化膜在负于平带电位范围表现为p 型半导体,在高于平带电位范围表现为n 型半导体,这主要与组成钝化膜的Fe 和Cr 氧化物半导体性质有关. 与自然条件下形成的不锈钢钝化膜比较,发现经过电化学阳极氧化后不锈钢钝化膜具有较低的施主与受主浓度,平带电位负移,说明阴离子在钝化膜表面发生吸附.低的施主与受主浓度及钝化膜表面负电荷的增强,可有效排斥侵蚀性Cl-在钝化膜表面的特性吸附,有利于提高不锈钢的耐局部腐蚀性能.
不锈钢钝化膜耐蚀性与半导体特性的关联研究
本文通过瑞士万通AUTOLAB电化学工作站,通过极化曲线、交流阻抗谱和钝化膜半导体特性等电化学测量,研究了经电化学阳极氧化处理的不锈钢钝化膜在0.5 molL-1 NaCl 溶液中耐蚀性能与其半导体特性的关系,进一步探索电化学改性处理不锈钢钝化膜的耐蚀机理.
inTEST 热流仪半导体元器件高低温测试
半导体器件 semiconductor device, 是导电性介于良导电体与绝缘体之间, 利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件, 可用来产生, 控制, 接收, 变换, 放大信号和进行能量转换.
环境温湿度箱在交变潮湿环境下半导体的测试方案
环境温湿度试验箱在交变潮湿条件下对半导体的测试方案包括以下步骤:准备设备:准备环境温湿度试验箱,确保设备能够模拟高温、低温和湿热环境。同时,准备相应的测试设备和工具,如温度传感器、湿度传感器、测试夹具等。设定测试条件:根据相关标准,设定高温储存、低温储存、温度循环、湿热循环和高湿寿命测试所需的温度和湿度条件。例如,高温储存测试条件为85℃±5℃持续1000h,低温储存测试条件为-40℃±5℃持续1000h,温度循环测试条件为-40℃~85℃持续200个循环,湿热循环测试条件为40℃~85℃,RH=85%持续10个循环,高温高湿寿命测试条件为85℃、85%RH持续1000h。安装样品:将待测试的半导体芯片安装到环境温湿度试验箱内的测试夹具上,确保安装牢固、稳定。开始测试:将环境温湿度试验箱的温度和湿度调整到设定的测试条件,并将半导体芯片放置在试验箱内。监控和记录数据:在测试过程中,使用温度传感器和湿度传感器监控试验箱内的温度和湿度,并记录测试数据。同时,观察半导体芯片在模拟环境中的表现,记录任何异常情况。分析数据:根据测试数据和观察结果,分析半导体的性能和可靠性,评估其在模拟环境中的适应性和稳定性。结束测试:在达到设定的测试时间后,结束测试,并将半导体芯片从试验箱内取出。维护设备:对环境温湿度试验箱进行清洁和维护,以确保设备的正常运行和使用寿命。需要注意的是,在测试过程中要保持试验箱内的温度和湿度条件稳定,并确保半导体芯片放置的位置和方向正确。同时,要密切关注半导体芯片在模拟环境中的表现,及时发现和处理任何异常情况。
傅立叶变换红外光谱仪测试半导体材料硅片中氧碳含量
傅立叶变换红外光谱仪广泛应用于半导体行业及其晶体材料结构、成分分析和杂质缺陷特性研究等领域。本文使用岛津IRXRoss测定半导体材料硅透射率,并根据GB/T 1557-1989、GB/T 1558-1997-T、GB/T 14143-93计算半导体材料硅中的氧碳含量。该方法简单、快速、样品无需前处理,可方便地扫描得到红外谱图,从而得到碳氧相关信息,对硅材料质量控制起到指导作用。
inTEST 热流仪半导体芯片高低温测试
上海伯东美国 inTEST 高低温测试机可与爱德万 advantest, 泰瑞达 teradyne, 惠瑞捷 verigy 工程机联用, 进行半导体芯片高低温测试. inTEST 高低温测试机可以快速提供需要的模拟环境温度满足半导体芯片的温度冲击和温度循环测试.
半导体行业高低温老化性能测试方法
高低温老化试验箱可以对半导体器件进行恒温高低温老化测试,以了解器件的性能随时间的变化情况。通过控制恒温高低温条件,使半导体器件长时间暴露在高低温、潮湿等极端环境下,从而反复检测其性能的变化趋势及寿命,以评估其质量和可靠性。
高压加速老化测试箱测试半导体封装之抗湿气能力方法
PCT高压加速老化测试箱也称为压力锅蒸煮试验或是饱和蒸汽试验,最主要是将待测品置于严苛之温度、饱和湿度(100%.H.饱和水蒸气及压力环境下测试,测试待测品耐高湿能力,针对印刷线路板(PCB&FPC),用来进行材料吸湿率试验、高压蒸煮试验等试验目的,如果待测品是半导体的话,则用来测试半导体封装之抗湿气能力
半导体封装行业的热分析应用
热分析在半导体封装行业中有不同的应用。使用的封装材料通常是环氧基化合物(环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等)。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。固化和流变特性对于确保所生产组件工艺和质量保持一致具有重要意义。通常,过程工程师将面临以下问题: a)特定化合物的工艺窗口是什么?b)如何控制这个过程?c)优化的固化条件是什么?d)如何缩短循环时间?珀金埃尔默热分析仪的广泛应用可以提供工程师正在寻找的答案。
安捷伦半导体无机元素分析概览
ICP-MS 作为一种金属元素分析仪器应用于半导体产业链,始于 20 世纪 80 年代。随着半导体制程的不断迭代,整个行业对 ICP-MS 的性能提出了越来越高的要求。过去 30 年来,位于日本东京的安捷伦 ICP-MS 全球研发中心与半导体产业链端客户密切合作,引领着 ICP-MS 在全球半导体产业链中的应用不断创新。
使用微型 ATR FTIR 成像系统在电子和半导体行业中进行无损故障/缺陷分析
电子和半导体行业高度依赖于故障和缺陷分析,以最大程度提高工作效率并缩短昂贵的停机时间。随着技术的不断发展,生产出的设备越来越小巧,而其生产工艺也越来越复杂精细。因存在颗粒物和化学污染物引起的高成本停机对正常生产操作的影响越来越大。任何污染物的出现都需要停止生产过程,同时准确并可靠地表征缺陷、确定污染源并设法补救。最大限度缩短完成这一过程所需的时间, 实际上能够节省数百万美元之多。 安捷伦 Cary 620 化学成像系统利用 FPA(二维矩阵检测器元件,可产生行和列像素)来采集精密组件表面的真实组成图像。
UV-8000分光光度计探究半导体ZAO薄膜的光学性能
半导体透明导电氧化薄膜(TCO)具有优异的光学和电学性能,可见光区高透射率,红外区高反射率和微波强衰减性,同时具有低的电阻率,是功能材料中具有特色的一类薄膜, 已广泛应用于太阳能电池、真空电子器件、防护涂层、电磁屏蔽等领域中。
化合物半导体核壳结构纳米金属线的低加速电压SEM/STEM观察/EDX分析
半导体纳米金属线,因其物理特性可控,所以未来有望应用于光学器件上。尤其是异相聚合机构或者核壳结构的材料,富有多重物理特性,应用范围也会变得更广泛。图1是化合物半导体核壳结构纳米金属线的SE/STEM观察结果。图1(a)是二次电子图像显示了纳米金属线的表面形貌。图1(b)(c)的BF-STEM/DF-STEM图像,可以清楚观察到纳米金属先端的内部构造,可以确认核,内壳层和外壳层的三层结构。图2是化合物半导体核壳结构纳米金属线的EDX面分布。核壳层和外壳层检测到Ga和As,内壳层检测到Al和As,能够清楚地分离出三层的结构的各种成分分布。SU9000与大立体检测角的X-MaxN 100TLE相结合,可实现超高空间分辨率的EDX面分布。
半导体行业中材料观测检测方案
随着第五代移动通信系统(5G)的普及,半导体工件的精细化、高度集成化不断发展,对产品的检测分析需求也越来越高。下面介绍基恩士数码显微系统VHX系列在半导体行业中的 BGA、焊点、接合线、探针卡销等的观察案例。
扫描电镜在半导体失效分析中的应用案例分享
失效分析对于纠正设计和研发错误、完善产品、提高产品良品率和可靠性有重要意义,飞纳电镜可以提供简单、高效、精确的电子半导体材料检测方案,对于失效模式的确定有极大的帮助。
半导体芯片高低温湿热性能测试方法
高低温湿热试验箱是一种专门用于对半导体芯片和电子元器件进行高温、低温和湿热环境测试的设备。它可以模拟不同的环境条件,以评估芯片和元器件在极端温度和湿度下的性能和可靠性。
半导体封装抗湿气能力测试方法PCT高压加速老化试验箱
PCT高压加速老化测试最主要是测试半导体封装之抗湿气能力,待测品被放置严苛的温湿度以及压力环境下测试,如果半导体封装的不好,湿气会沿着胶体或胶体与导线架之接口渗入封装体之中,其常见的故障原因有爆米花效应、主动金属化区域腐蚀造成之断路封装体引脚间因污染造成之短路等相关问题。
半导体工厂中的氦气泄漏检测
智能手机、平板电脑、游戏机、导航系统、纯平显示器,这些以及其他很多高科技产品由于半导体产业才得以存在。没有该产业,现代传播媒体中使用的内存芯片和处理器就无法生产出来。它们的生产需要极其洁净的真空条件并精确地进行监测。例如,在半导体生产设施(被称为“晶圆厂”)投入运行后,需要以测量压力上升的方式进行泄漏测试。只有系统的气密性得到了认可,才能批准该工艺流程。如果压力上升大于定义的阈值,则晶圆厂关闭,并启动泄漏检测以找出泄漏并将其修复。普发真空凭借其全面的售后服务体系,提供最佳专家支持(甚至为现场泄漏检测提供支持)。
IDS3010激光干涉仪在半导体晶圆加工无轴承转台形变的测量上的应用
半导体光刻系统中的晶圆轻量化移动结构的变形阻碍了高通量的半导体制造过程。为了补偿这些变形,需要的测量。来自理工大学荷兰Eindhoven University of Technology 的科学家设计了一个基于德国attocube干涉仪IDS3010的测量结构,以此来详细地研究因为光压而导致的形变特性。
少子寿命测试仪在半导体材料检测中的应用
半导体材料少数载流子寿命不仅可以表征半导体材料的质量,还可以评价器件制造过程中的质量控制,如集成电路公司利用载流子寿命来表征工艺过程的金属沾污程度,并研究造成器件性能下降原因。 Freiberg Instruments公司长期致力于开发半导体检测技术,提供不同需求的少子寿命检测设备。
7SU9000在半导体方面的应用
在半导体领域,日立电镜专利的E× B技术以及独特的信号控制系统,使得不论是S-4800、SU8000系列亦或是SU8200系列,都在半导体领域的图像观察方面有着无可比拟的优势。而SU9000借助其独特的物镜设计及优化的光学系统不仅成为了一款世界上分辨率最高的电镜,更是强化了日立电镜在半导体领域一贯的统治。
Nexsa G2小束斑+特色SnapMap快照成像功能分析SnO?成分半导体器件
近几年来,随着国内科技产业的不断升级,对微电子器件的需求日益增加。特别是高科技产品的快速发展,比如智能手机、电脑、无人机、新能源汽车、智能机器人等,对高性能微电子器件的需求更是呈指数级增长,这使得微电子器件自然而然就成为人们研究的热点材料。在微电子器件的研究中,通常需要对微电子器件表面进行各种加工、改性处理,来使其具有不同的性能。由于X射线光电子能谱仪(XPS)是一种表面分析技术,随着商业化XPS设备的普及,其在微电子器件研究中的应用越来越广泛,逐渐成为微电子器件研究中不可或缺的分析手段。本方案通过赛默飞最新一代XPS表面分析平台Nexsa G2,对半导体器件表面形成的窄条形SnOx成分进行小束斑+特色SnapMap快照成像测试,展示如何通过设备小束斑+成像功能,快速全面分析这类特殊小尺寸半导体器件表面成分及其在面内分布情况,来辅助评估表面处理效果及器件质量。
激光显微镜在半导体生产流程中的微观分析检测方案
半导体行业在产品的小型化及多功能化、提高生产效率、削减成本等方面的竞争日趋激烈。在图形细微化、晶片大口径化发展的同时,市场对品质保障的要求越来越高,研究开发及检测的速度也变得重要了起来。这次将为您介绍使用基恩士VK-X系列形状测量激光显微镜,在半导体生产流程中的微观分析检测方案。
TEC半导体制冷片:热释电系数测试中的正弦波温度控制解决方案
摘要:针对动态法热释电系数测试中的交变温度控制,特别是针对帕尔贴半导体制冷片正弦波温度控制中存在的稳定性差问题,本文提出了改进的解决方案。解决方案的核心是采用外部设定点技术的双向PID控制器以及外置信号发生器,此方案可很好的实现帕尔贴制冷片正弦波温度的精确控制,保证了热释电系数测量的准确性。依此方案所构成的闭环控制回路可形成独立的温控装置,也可配套集成到上位机控制的中央控制系统。
指定位点的化学掺杂在有机半导体晶体表面的电子分布表征解决方案
本文描述了一种独特的、特定位点的n型掺杂机制,用两种有机半导体的单晶做实验,用特定位点的兴奋剂消除电子陷阱并增加背景电子浓度,使晶体拥有更优异的导电性。掺杂晶体组成的场效应晶体管(FET)的电子传输特性得到显著改善。增强了FET的电特性。表面化学掺杂是专门针对晶体层间边界,即已知的电子陷阱,钝化陷阱并释放流动电子设计的掺杂方法。化学方法掺杂对晶体的电子传输的影响是巨大的,FET中电子迁移率增加了多达10倍,并且其与温度相关的行为从热激活转变为带状。研究结果表明新的位点掺杂有机半导体的策略与传统的随机分布取代的氧化还原化学不同, 这个有趣的结果表明针对特定位点的掺杂可能是一种富有成效的新的有机半导体材料掺杂的策略,拓展了有机半导体材料在电子学方面的应用前景。
薄膜厚度的红外或近红外区域半导体晶片自动分析
测量厚度的光学方法适用于各种材料的研究和开发,如新型电介质和半导体涂层。这些方法的主要优点是提供无损和非接触的测量,以及从亚nm到!m的广泛测量范围。JASCO可以根据薄膜厚度、多层数和基材提供最合适的测量和分析方法
半导体晶片、IC图形的显微镜观察与测量
半导体行业在产品的小型化及多功能化、提高生产效率、削减成本等方面的竞争日趋激烈。在图形细微化、晶片大口径化发展的同时,市场对品质保障的要求越来越高,研究开发及检测的速度也变得重要了起来。这篇文章中我们将为您介绍使用新型4K数码显微系统,改善半导体行业检测模式,大幅实现高端化、高效化的应用案例。
解决方案|ICP法测定半导体行业生产用材料中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌含量
半导体行业目前已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。随着半导体行业进入纳米时代,杂质含量成为非常敏感的存在。如何检测杂质含量已成为半导体工业界面面临的重要挑战。东西分析拥有多款电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)、电感耦合等离子体飞行时间质谱仪(ICP-TOF MS)等产品为半导体行业无论从材料、集成电路制造还是到封装测试等各环节中痕量金属元素分析提供可靠检测方法,助力提升产品质量。本文利用ICP建立了饱和树脂中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌元素的测定方法,供相关人员参考。
安捷伦半导体行业解决方案
作为全球半导体领域的先锋,安捷伦积累了大量创新技术和卓越的服务能力。在半导体产业链 的制程监测、原材料质控、无机杂质、纳米颗粒、有机杂质检测、符合环境健康和安全法规需 求以及真空检漏等方面,都能够为您提供优异的分析仪器、软件、服务和支持,助您取得成功。
赛默飞半导体全产业链解决方案
半导体行业是国民经济支柱性产业之一,多个“十四五”相关政策均将集成电路列入重点发展项目。随着芯片制程从微米进入到纳米时代,逐渐达到半导体制程设备和制造工艺的极限,细微的污染都可能改变半导体的性质,对于产线的良率管理和提升成为半导体工业界面临的重要挑战!赛默飞作为科学服务领域的领导者,可为半导体行业关键环节提供多层次技术支撑,领先的离子色谱、电感耦合等离子体质谱仪、气质联用仪和液质联用仪等技术可为半导体支撑材料、晶圆制造以及下游应用提供痕量离子态杂质、痕量金属杂质、有机态杂质及材料研发等提供稳健可靠的分析方法,助力全面提升产品良率!
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