高性能光电二极管传感器

产品名称：光电二极管阵列检测器灯仪器厂商：PerkinElmer/美国 珀金埃尔默价格：面议库存：是Flexar系列/200/200s系列视差检测器灯的偏转式设计允许在保证化合物检测灵敏度的同时，获得低噪声和低漂移性能。部件零件编号Flexar系列/200EP系列氘灯N2925030钨灯N2922011200系列氘灯(第2相)N2922046钨灯N2922011LC-135C/235检测器灯N2351285

- OLED寿命试验.- OLED电池功率驱动.- 基于光电二极管的亮度传感.- 风车/直线并排式装置.- 顶部/底部接触方式.- 使用Pogo Pin的电触点.- 使用盖子和磁铁的压力触点.- 使用切换开关的测试设备选择.联系方式：025-84615783

光电二极管阵列检测器灯Flexar系列/200/200 EP系列光电二极管阵列检测器可提供真正的紫外/可见光检测以及高分辨率质谱数据。卓越的信噪比特征使其特别适合低体积或低浓度样品。光电二极管阵列检测器灯订货信息：组件部件编号Flexar/200 EP系列氘灯N2925030钨灯N2922011200系列氘灯（第2相）N2922046钨灯N2922011LC-135C/235检测器灯N2351285

览Photop™ 系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops™ 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的，既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置，也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器，在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件，利用不同的运算放大器，替换光电探测器，修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号 UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光谱响应350-1100nm技术参数 应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信 条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大

C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC 光谱响应400-1100nm感光规格0.5mm ? 材质硅 Silicon技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器 C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有极低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用 • 激光雷达• 测距• 小信号荧光• 光子计数• 条形码扫描 表1。电光特性测试条件：外壳温度=22?C，除非另有规定，请参见下页的注释。 C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTyp MaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm2光管特性（C30921）光管数值孔径 0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units] 芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/A Degrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15) 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000

HI76303高性能具有温度传感器EC四环电极HI76303高性能具有温度传感器EC四环电极HI76303高性能具有温度传感器EC四环电极HI76303高性能具有温度传感器EC四环电极 仪器介绍HI76303四环电导率电极，内置温度传感器，1m电缆，专用于EC215，HI216。标准配置 HI 76303四环电导率电极

光电二极管模块筱晓光子供应光电二极管模块，简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器，特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板（集成放大电路）雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10 TO8S10k65 带电路板（集成放大电路和温度补偿功能）雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板（集成放大电路）位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6 Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18μm)Quadrant PDSD2QP50-6 (18μm)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3 DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+60 10PIN-photodiode HV sourceVery small footprint

氧气是具有顺磁性的气体，当外界存在强磁场的时候，便会被吸入到磁场中。利用氧气的这种特性，人们发明了顺磁氧气传感器。传感器利用的是氧气纯粹的物理特性，没有什么消耗，因此传感器的使用寿命可以很长。另外，在测试过程中接触到的灰尘或者其它污染物，会影响传感器的性能。　　顺磁氧气传感器的测量原理是：在传感器气室的两个磁极之间，把两个充满氮气的玻璃球固定在一个可以转动的支架上。被测气体中的氧气会被吸入到磁场中，产生对球体的作用力，对转轴会产生一个力矩，这个力矩的大小和氧气的浓度呈线性关系。　　在测量的过程中，玻璃球放在不均匀的磁场之中，一道光束通过玻璃球上反射镜，反射到光电二极管上，此时记录下系统静止的位置。玻璃球是具有抗磁性的，并倾向于向磁场反方向转动。被测气体中的氧分子进入磁场，将会使玻璃球向相反的方向移动，绕在玻璃球上的线圈会产生相反的磁场是旋转停止。光电探测器上的信号，就决定了电流的强度。纯氮气和被测气体产生电流差值和氧气的浓度有一定的比例关系。通过计算电流差值就可以得到氧气的浓度数值。

用于FMCW LiDAR的高线性DFB激光二极管NLM 高线性度DFB激光二极管结合了高相干长度和线性频率调制响应特性。这种单片DFB设计用于承受高电流调制带宽，并表现出惊人的线性频率响应。除了比标准DFB激光二极管好50倍的原生线性度之外，TeraXion DFB 独特的载波调制响应还通过驱动电流补偿方法实现了令人印象深刻的线性增强。集成多波长激光引擎DFB/SiP用于FMCW LiDAR的高线性DFB激光二极管NLM模块 下一代高级驾驶辅助 (ADAS) 和自动驾驶 (AD) 系统将依赖于提供远程和高分辨率功能的3D传感器。虽然各种FMCW LiDAR概念已经证明了这种性能，但LiDAR在将解决方案扩展到大规模生产要求方面仍然面临着传感器尺寸、复杂性、功率和成本方面的重大挑战。TeraXion 的 DFB 激光二极管的主要优势：- 小尺寸单片激光器，利用基于标准半导体材料的独特外延设计，并与低成本批量生产工艺兼容。- 低噪声和高线性度性能，无需依赖外腔、复杂的激光驱动器方案或外部频率调制器。- 直流调制进一步有助于降低LiDAR系统的复杂性和功耗。这些特性使 TeraXion的DFB激光二极管成为克服汽车LiDAR行业面临的剩余挑战的重要催化剂。TeraXion 将高线性DFB激光二极管集成到NLM激光模块中，以实现快速FMCW LiDAR原型设计和概念验证计划。典型应用：- 用于高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD) 的汽 LiDAR，级别L2至L5- 用于高性能LiDAR三维 (3D) 城市测绘和过道测绘前5大特性- 高线性度：高线性度DFB 激光二极管在几千兆赫频率偏移内表现出小于0.3% 的残余非线性。 - 高相干长度：高线性度DFB 激光二极管表现出典型的 60 kHz 线宽，相干长度约为 2km。- 超紧凑和稳定：高线性度DFB 激光二极管是一种小于 2 mm2 的单片设计，不依赖外腔来提供高相干长度。 - 简单有效调制：高线性度DFB 激光二极管的直流调制代表了一种简单且节能的方法。- 可扩展性高线性度DFB 激光二极管外延设计允许高产量的激光晶圆生产工艺。关键技术规格参数规格输出功率典型1550 nm线宽 0.3%调频偏移 1 MHz 时的相对强度噪声 -155 dBc/Hz

Si-440硅二极管温度传感器适合在测量较宽温度范围时应用，在高温度的达500K。SI440有多种封装形式，适合在不同结构中使用，其CAP封装传感器是目前世界上体积最小的二极管传感器。温度范围：1.5K-500K激励电流：10uA 重复性：75mK @4.2K, 0.35K @77K, 0.25K @273K磁场影响：0.1T@40K以下不建议使用灵敏度：38mV/K@4.2K1.7mV/K@77K 2.3mV/K@273K标准误差范围：1.5K-30K30K-100K100K-400K±0.25K±1.0K±2.0K校准：R级 4.2K-500KRR级1.5K-500K封装形式：典型温度响应及灵敏度曲线：典型用户：中科院物理所中科院合肥物质科学研究院北京航空航天大学中国科学技术大学中科院合肥物质科学研究院中国科学院大连化学物理研究所清华大学山东大学华南理工大学北京大学北京大学浙江大学西安交通大学香港大学人民大学东南大学香港浸会大学兰州近物所山东大学复旦大学中国科学技术大学 中国科学技术大学浙江大学西安交通大学复旦大学中科院物理所复旦大学物理系上海大学北京大学复旦大学物理系北京邮电大学中国科学院上海应用物理研究所中科院物理所中国科学技术大学中科院合肥物质科学研究院北京大学中科院物理所北京理工大学云南大学北京工业大学福建物质结构研究所中科院物理所山西大学物理电子工程学院厦门大学北京师范大学上海交通大学北京大学清华大学中山大学南京大学南京大学清华大学中科院理化所复旦大学香港中文大学南京大学复旦大学北京大学中科院物理所扬州大学中科院理化所北京工业大学广东工业大学

用于沃特世 HPLC 系统的 安捷伦灯经过精心设计和制造，可兼容多种检测器，包括多波长检测器 (MWD) 和光电二极管阵列检测器 (PDA)。所有灯都符合最严格的性能指标，在其使用寿命期间都具有一致性的质量和高重现性。测试设备按照 NIST（美国国家标准技术研究院）或 PTB（德国柏林的联邦物理技术研究院）规定的光学标准进行定期校正。 高输出稳定性和高强度扩展了检测功能，提升痕量定量的质量 保证 2000 小时的使用寿命

用途：SKP 218定制光谱波段单通道辐射传感器是一款可根据用户需求的测量波段进行定制的辐射传感器，定制光谱波段范围280~1100nm，定制的最小带宽为5nm。传感器可以测量入射光和反射光，感应光的视场角为25°的锥形区域，可以用于测量一个定义区域的反射光。适用于测量自然太阳光或其他光源 ，传感器完全防水，可以在水下4米的深度进行测量。技术规格：传感器余弦校正头探测器光电二极管滤波器取决于定制的波长带宽定制波段280~1100nm测量范围取决于定制的波长带宽线性误差0.2%绝对校准误差典型3%，最大5%灵敏度取决于定制的波长带宽余弦误差3%方位角误差1%温度系数±0.2%/℃长期稳定性±2%响应时间电压输出型：10ns尺寸高38毫米×直径34毫米重量130克（带3米电缆时）防护等级IP68材质聚甲醛树酯电缆标准3米2芯屏蔽线工作温度-30~+75℃工作湿度0~100% RH产地：英国

Si-410型硅二极管传感器是Scientific Instruments一款经典的温度传感器，其工作温度范围宽，尺寸小，在很宽的温度范围内V/T曲线是线性的，在低温范围灵敏度高。在航天及科研领域应用广泛。温度范围：1.5K-450K激励电流：10uA灵敏度：40mV/K引线规格：PHBR（磷青铜）线双线32/36AWG或4线32/36AWG 纯铜线双线30AWG或4线36AWG锰铜线双线36AWG或4线36AWG精度级别：SI410提供4种不同精度级别供客户选择Group AA: ± 0.1K from 1.5K to 25K ±0.5K from 25K to 450KGroup A: ± 0.3K from 1.5K to 25K ±0.5K from 25K to 450KGroup B: ± 1.0K from 1.5K to 25K ±2.0K from 25K to 450KGroup C: ± 0.5K from 1.5K to 25K ±1.0K from 25K to 450K校准：SI410可在10uA或100uA下进行温度校准获得更高精度± 0.05K from 1.5K to 25K± 0.10K from 25K to 450K封装形式：典型温度响应曲线：典型用户：中科院物理所中科院合肥物质科学研究院北京航空航天大学中国科学技术大学中科院合肥物质科学研究院中国科学院大连化学物理研究所清华大学山东大学华南理工大学北京大学北京大学浙江大学西安交通大学香港大学人民大学东南大学香港浸会大学兰州近物所山东大学复旦大学中国科学技术大学 中国科学技术大学浙江大学西安交通大学复旦大学中科院物理所复旦大学物理系上海大学北京大学复旦大学物理系北京邮电大学中国科学院上海应用物理研究所中科院物理所中国科学技术大学中科院合肥物质科学研究院北京大学中科院物理所北京理工大学云南大学北京工业大学福建物质结构研究所中科院物理所山西大学物理电子工程学院厦门大学北京师范大学上海交通大学北京大学清华大学中山大学南京大学南京大学清华大学中科院理化所复旦大学香港中文大学南京大学复旦大学北京大学中科院物理所扬州大学中科院理化所北京工业大学广东工业大学

奥斯恩OSEN-6C 扬尘传感器是一种对污染源粉尘排放进行在线式检测的仪器，例如：对建筑施工现场扬尘，道路扬尘，堆场，码头扬尘污染的实时监测。仪器采用光散射原理工作。空气中的粉尘颗粒物在高能激光束照射下产生光散射效应，散射光强跟粉尘颗粒物浓度成正比，高灵敏的光电二极管接收到散射光，由光信号转换成电信号，电信号经过电路放大、单片机电路数字化处理、再按特定的数学模型计算，从而得出被检测污染源的粉尘浓度数，粉尘浓度的数据通过RS-485 通讯接口传输到 PC 机，在 PC 机的显示屏上读取所检测到的粉尘浓度数。可实现全天候无人值守的粉尘浓度在线监测。

PWS100是一种基于激光原理的传感器，通过准确的测定大气中雨滴的大小和速度测量降雨能见度。它可用在道路，机场，和海事上的气象站中。采用了先进的测量技术和运算程序来计算降水粒子的性状。 特点：能识别许多降水参数，包括细雨、降雨量、雪、冰雹、霰；连续、长期野外无人值守；兼容多种数据采集器。 技术原理：PWS100是一款基于激光原理测量降水能见度参数的天气现象传感器，可用于道路、海事、机场的自动气象站上。基于先进的测量技术和模糊逻辑算法，PWS100能测出包括精密尺寸、速度值和接收信号结构的个体降水粒子类型。温度和相对湿度辅助测量功能提供了良好的粒度分级。PWS100包含一个数位讯号处理器（DSP）单元连接于传感器臂上，包含一个激光头和两个探头。每个探头都基于激光单元有一个20°的轴偏离（一个在水平面，另一个在垂直面）。配备有一个安装支架用于连接DSP 单元到杆上。 规格：测量范围：40 cm2/ ls；IP等级：IP 66（NEMA 4X）；外壳材质：Iridite NCP，涂层铝（RoHS认证），硬质阳极氧化铝，部件均覆有海洋防护级漆；电源要求：DSP：9 to 24 Vdc；或者9 to 16 Vdc（附带CS215-PWS温湿度传感器时）；电流消耗：200 mA to 1 A；罩加热器：24 Vac or dc, 7 A； 通讯：RS-232, RS-422, or RS-485；传输速率：300 bps to 115.2 kbps（可选）；控制单元：DSP定制面板；电磁兼容性：检测符合BS EN61326:1998标准。光学特性：激光源：近红外二极管， 1M级人眼安全单元输出；峰值波长：830 nm； 调制频率：96 kHz；接收器：光电二极管，基于带通滤波器；光谱响应：最大光谱敏感度在850nm，0.62 A/W (830 nm为0.6 A/W)；镜头检测光源：近红外LED。测量参数：粒径：0.1 mm to 30 mm；尺寸精度：±5%（大于0.3 mm的粒子）；颗粒速度：0.16 m/s to 30 m/s；速度精度：±5%（大于0.3 mm的粒子）；降水监测类型：细雨、降雨、雪粒、雪花、冰雹、冰粒、霰及上述混合体；降雨强度范围：0 to 400 mm/h；降雨分辨率：0.0001 mm。降水综合精度误差：典型±10%（参考粒子和标准实验条件下），精度在刮风、冰冻，强降雨时会降低。能见距离：0 to 20,000 m；能见精度：±10% to 10,000 m；能见度测量间隔：10s-2h（用户可选）； 外接传感器：SDI-12传感器，比如CS215-PWS温湿度传感器。 产地：美国

PWS100是一种基于激光原理的传感器，通过准确的测定大气中雨滴的大小和速度测量降雨能见度。它可用在道路，机场，和海事上的气象站中。采用了先进的测量技术和运算程序来计算降水粒子的性状。 特点：能识别许多降水参数，包括细雨、降雨量、雪、冰雹、霰；连续、长期野外无人值守；兼容多种数据采集器。 技术原理：PWS100是一款基于激光原理测量降水能见度参数的天气现象传感器，可用于道路、海事、机场的自动气象站上。基于先进的测量技术和模糊逻辑算法，PWS100能测出包括精密尺寸、速度值和接收信号结构的个体降水粒子类型。温度和相对湿度辅助测量功能提供了良好的粒度分级。PWS100包含一个数位讯号处理器（DSP）单元连接于传感器臂上，包含一个激光头和两个探头。每个探头都基于激光单元有一个20°的轴偏离（一个在水平面，另一个在垂直面）。配备有一个安装支架用于连接DSP 单元到杆上。 规格：测量范围：40 cm2/ ls；IP等级：IP 66（NEMA 4X）；外壳材质：Iridite NCP，涂层铝（RoHS认证），硬质阳极氧化铝，部件均覆有海洋防护级漆；电源要求：DSP：9 to 24 Vdc；或者9 to 16 Vdc（附带CS215-PWS温湿度传感器时）；电流消耗：200 mA to 1 A；罩加热器：24 Vac or dc, 7 A； 通讯：RS-232, RS-422, or RS-485；传输速率：300 bps to 115.2 kbps（可选）；控制单元：DSP定制面板；电磁兼容性：检测符合BS EN61326:1998标准。光学特性：激光源：近红外二极管， 1M级人眼安全单元输出；峰值波长：830 nm； 调制频率：96 kHz；接收器：光电二极管，基于带通滤波器；光谱响应：最大光谱敏感度在850nm，0.62 A/W (830 nm为0.6 A/W)；镜头检测光源：近红外LED。测量参数：粒径：0.1 mm to 30 mm；尺寸精度：±5%（大于0.3 mm的粒子）；颗粒速度：0.16 m/s to 30 m/s；速度精度：±5%（大于0.3 mm的粒子）；降水监测类型：细雨、降雨、雪粒、雪花、冰雹、冰粒、霰及上述混合体；降雨强度范围：0 to 400 mm/h；降雨分辨率：0.0001 mm。降水综合精度误差：典型±10%（参考粒子和标准实验条件下），精度在刮风、冰冻，强降雨时会降低。能见距离：0 to 20,000 m；能见精度：±10% to 10,000 m；能见度测量间隔：10s-2h（用户可选）； 外接传感器：SDI-12传感器，比如CS215-PWS温湿度传感器。 产地：美国

电气规格 参数条件最小值典型值最大值单位电源电压456V电源电流正常工作(kHz)90150mATTL/COMS触发输入逻辑电平3.35V监控器输出逻辑电平 3.3VSPI和GPIO逻辑高电平3.3V 模拟输入满量程容量默认范围(范围设置7)350pC 最小范围(范围设置1)50pC内在触发延迟无附加延迟设置(默认)100360ns增加触发延迟 通过延迟设置，分辨率为1 s0100s通道间串扰范围7，连接4个光电二极管，通过一个通道上的5µs的 LED脉冲进行刺激，信号高度500 000计数，积分时间25µs，导线延迟2 µs，所有其他通道上无信号7 1410 20计数ppm先前脉冲记忆效应参数同上，硅光电二极管3×3mm，刺激信号500 000计数，随后是3个暗结果，用于测量记忆效应(结果小于信号噪声)15计数 噪声性能所有测量均采用USB供电操作，内部触发模式，无光电二极管连接。满量程（即满量程的10-6）的噪声值（ppm）。 触发速率选通时间50µs选通时间500µs 单位范围7范围1范围7范围11000Hz13.015.0ppm FS500Hz4.67.018.020.5ppm FS200Hz 3.46.03.49.6ppm FS125Hz3.56.03.69.5ppm FS83Hz3.5 5.83.79.3ppm FS 20Hz10.211.23.79.2ppm FS 机械规格 190 – 1100紫外延展S1336-8BKHamamatsu5.8 x 5.8 基板尺寸54 x 40mm2 带水平接线板的设备重量(约) 48g仅基板重量 TBDg 推荐的光电二极管WL-IPD4B可与任何硅、InGaAs或类似光电二极管配合使用。唯一的要求是，它需要在光伏模式下产生光电流，所有常规光电二极管也是如此。因此，它不适用于CdTe探测器或PMT管。 以下是IPD4B首选的标准和经验证的光电二极管列表。 类型制造商有效面积大小mm 波长范围nm备注(PD=光电二极管) S2386-44KHamamatsu3.6 x 3.6320 – 1100通用硅光电二极管 S1336-5BQHamamatsu2.4 x 2.4190 – 1100紫外延展 S1336-44BQHamamatsu3.6 x 3.6 320 – 1100大面积S1336-8BQHamamatsu 5.8 x 5.8190 – 1100大面积和紫外延展G10899-02K G12183-010KHamamatsu1.0900 – 2600特殊的InGaAs光电二极管，高达2.6 µm ($$$) 可与硅探测器、InGaAs探测器、GaAs探测器使用 结构

InGaAs PIN光电二极管MPGT3552T 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点平面正照结构，快响应时间，大光敏面积，高响应度，高可靠性。3、应用光功率计量监控等仪器仪表，光谱、光纤特性测试，激光测距、激光雷达等空间通信，其他应用如光纤传感。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压15V最大耗散功率100mW正向电流10mA工作温度-40~100℃焊接温度260（10秒）℃存储温度 -45~120℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ800μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度ReVR=5V，λ=1.3μm，Φe=100μW0.90A/WVR=5V，λ=1.55μm，Φe=100μW0.95响应线性饱和功率LRVR =5V, λ=1.55μm10mW响应度线性δRVR =5V，λ=1.55μm，1μW～10mW±0.1dB响应时间trVR=5V,RL=50Ω3.5ns电参数暗电流IDVR=5V2.010.0nA反向击穿电压VBRIR=10μA60V电容Cf=1MHz,VR=5V2040PF分流电阻RSVR =10mV50MΩ6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)标准封装：5501、FC插拔。其他封装：陶瓷载体、衰减膜及其他用户要求的形式。7、特性曲线8、使用方法及注意事项器件在反偏下工作。使用中防止剧烈震动、冲击，以免器件损坏。在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

InGaAs PIN光电二极管MPGT322D 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点FC、SC 尾纤连接器，快响应时间，低暗电流，高响应度，高可靠性。3、应用光纤通信，数据/图象传输，光纤传感应用，其他应用如快速光脉冲检测4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压15V功耗10mW正向电流10mA工作温度-40~100℃焊接条件260℃，10秒存储温度 -45~120℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ60μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度ReVR=10mV,λ=1.3μm，Φe=100μW0.850.90A/WVR=10mV,λ=1.55μm，Φe=100μW0.95响应线性饱和功率VR =5V3mW响应时间trVR=5V， RL=50Ω0.3ns电参数暗电流IDVR=5V0.20.7nA反向击穿电压VBRIR=10μA60V电容Cf=1MHz，VR=5V0.50.7pF工作电压VRD.C.5V 6、封装、管壳框图和管脚接法（单位：mm） 7、特性曲线8、使用方法及注意事项器件在反向偏置 5V下工作。.使用中防止剧烈震动、冲击，以免光纤损坏。在使用前请将光纤连接头用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

总览Si 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用： 激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响 应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905 550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～100260 0.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46 TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm 封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路 注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。 C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】

光电二极管(PIN)筱晓光子供应光电二极管(PIN)，用于将光信号转换为电信号，形成光电效应/光电池。PIN 光电二极管应用广泛，包括： 安检设备、激光测距、运动控制、分析仪器、生物医疗、光通信、军事、航空航天。UV/blue sensitive photodiodesType No.Active areaDark currentRise timeChipPackage SizeArea5V410nm 5V 50Ωmmmm2nAnsPS1-2TO521.0x1.010.0150PS1-2LCC6.11.0x1.010.0150 PC5-2TO5? 2.5250.3 150PS7-2TO52.66x2.6670.4200PC10-2TO5? 3.57 101300PS13-2TO53.5x3.5131300PS33-2TO85.7x5.7332600PC50-2BNC? 7.985051000PS100-2BNC10x10100102000PS100-2CERpin10x10100102000Band pass filter modules: PC10-2 TO5i with center wavelength 254nm or 300nm or 350nmBlue/green sensitive photodiodesType No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea5V410nm 5V 50Ωmmmm2nAnsPC1-6bTO52S3? 1.1310.0510PC5-6bTO5? 2.5250.120PS7-6bTO52.7x2.770.1525PC10-6bTO5? 3.57100.245PS13-6bTO53.5x3.5130.2550PS33-6bTO85.7x5.7330.6140PS100-6bCERpin10x101001200PS100-6bLCC10S10x101001200Band pass filter modules: PR20-6b TO5i with center wavelength 488nm or 550nm or 633nm or 680nmHigh speed photodiodes (for fast rise times at low reverse voltages)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea20V850nm 20V 50Ωmmmm2nAnsPS0.25-5LCC6.10.5x0.50.250.10.4 PS0.25-5TO52S30.5x0.50.250.10.4PC0.55-5TO52S1? 0.840.55 0.21PC0.55-5LCC6.1? 0.84 0.550.21PS1-5LCC6.11.0x1.010.21.5PS1-5TO52S31.0x1.010.21.5PS7-5TO52.7x2.770.52PS11.9-5TO53.45x3.4511.913PC20-5TO8? 5.052023.5PS33-5TO85.7x5.73323.5PS100-5CERpinS10x1010025PS100-5 LCC10S10x1010025 High speed photodiodes for low voltages (for low operating voltages between 3 and 5 V, making them ideal for VIS and NIR applications in conjunction with CMOS components)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea20V850nm 20V 50Ωmmmm2nAnsPS0.25-5tLCC6.10.5x0.50.25 0.5551PC0.55-5tT1 3/4 ? 0.840.5551PC0.55-5t PS1-5tLCC6.11.0x1.011 1.1310.0510PC1-6TO52S3

InGaAs PIN光电二极管MPGT3565T 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm，φ1000μm， φ1500μm，φ3000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点平面正照结构，低暗电流，高响应度，高可靠性，宽光谱响应范围。3、应用光功率计量、测量、监控，激光几何特性、光谱特性测量，自由空间光探测、接收，工业监控、医用、食品等应用。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压0.5V最大耗散功率100mW正向电流10mA工作温度-40~70℃焊接温度260(10秒)℃存储温度 -40~85℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ5000μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度ReVR=10mV,λ=1.3μm，Φe=100μW0.70A/WVR=10mV,λ=1.55μm，Φe=100μW0.80响应线性饱和功率VR =10mV, Φ8μm单模光纤光斑1mW电参数暗电流IDVR=10mV20nA反向击穿电压VBRIR=10μA5V电容Cf=1MHz,VR=10mV2.0nF分流电阻RshVR=10mV,φe=00.5MΩ备注光电参数指标可以按用户要求。6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)标准封装：TO-8。其他封装：按用户要求定制。7、光谱响应曲线8、使用方法及注意事项器件在零偏下使用。使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

InGaAs PIN光电二极管 MPGT3551T 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点 平面正照结构、大光敏面、低暗电流、高响应度、高可靠性。3、应用光功率计量、测量、监控，光谱特性、温度测量，自由空间光探测、接收，工业监控、医用、食品等应用。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压5V功耗30mW正向电流10mA工作温度-40~85℃焊接温度260（10秒）℃存储温度 -45~85℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ1500μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度ReVR=10mV,λ=1.3μm，Φe=100μW0.85A/WVR=10mV,λ=1.55μm，Φe=100μW0.90响应线性饱和功率VR =10mV, Φ8μm单模光纤光斑3mW电参数暗电流IDVR=10mV0.21.0nA反向击穿电压VBRIR=10μA30V电容Cf=1MHz,VR=10mV300Pf分流电阻RshVR=10mV,φe=010MΩ备注光电参数指标可以按用户要求。 6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)标准封装：TO-5、FC插拔其他封装：5501、衰减膜及其他用户要求的形式。 7、特性曲线 8、使用方法及注意事项器件在零偏下使用。使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

InGaAs PIN光电二极管MPGD3560J 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点 平面正照结构、快响应时间、低暗电流、高响应度、高可靠性。3、应用光功率计量、监控，光纤传感应用，光纤参数测试，快速光脉冲检测。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压5V最大耗散功率20mW正向电流8mA工作温度-40~100℃焊接温度260（10秒）℃存储温度 -45~120℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ300μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度ReVR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw0.90A/WVR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw0.95响应时间trVR=5V，RL=50Ω1.5ns响应线性饱和功率VR =10mV， 2mW电参数电容Cf=1MHz,VR=5V06.0pF反向击穿电压VBRIR=10μA50V暗电流IDVR=10mV，φe=00.050.1nA 分流电阻RVR=10mV，φe=0100MΩ 6、封装、管壳框图和管脚接法（单位：mm） 标准封装：FC插拔。其他封装: 衰减膜及用户要求的形式。 FC插拔 FC四孔插拔 7、特性曲线 8、使用方法及注意事项器件在零偏下工作。防止连接口内被污染。使用中防止剧烈震动、冲击，以免损坏。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

简介：In-Situ RDO PRO传感器采用突破性的技术用来测量苛刻环境中溶解氧（DO）的含量。RDO PRO传感器很容易集成到多种水产业的管理系统中。通过连续的监测和控制DO的水平，养殖者能提高饲料的转化比率，最小化鱼的缺氧情况，减少鱼的疾病和死亡率。RDO PRO传感器技术RDO PRO传感器使用“动态发光熄灭（quenching )"原理测量溶解氧。这种低维护传感器使用了有生命周期的光学技术，能提供非常稳定精确的结果。当这种氧特性的剂量片被蓝光照射时，浸在能穿透气体传感金属箔中的剂量片发出红色的光子。RDO能测量反射信号的相位（延迟），再和发射信号相比较。剂量片中氧的存在能熄灭荧光，使反射信号的相位发生偏移，反射信号通过光电二极管探测到。测量到蓝色发射光和红色反射光的相位差，就能用来定量DO。 最小的风险：报告实时条件-对氧含量和温度的变化快速作出响应提供精确结果-长时间保持系统的稳定，12个月都不容易能经受苛刻的条件-耐磨损的金属薄片能经受得住来自湍急水流的堵塞和损坏。惰性结构使它在高盐环境中也不受腐蚀。最大的效率：减少了校准工作-传感器在长时间使用中能保持它的校准值。传感器盖帽的校准系数是预先设置好的，这样可以消除设置误差。最少的维护一消除了隔膜和电解液的更换，使它小受降低隔膜型传感器性能的普通干扰影响。省钱： 减少能源浪费-传感器使用最小的功率。使通风装置或泵更有效的运行。减少劳动力成本-与传统的电流型或极谱法型传感器相比，RDO PRO传感器很少需要校准和维护。简化了集成-直接与SCADA和PLC系统集成。包括集成的Modbus/RS485, 4-20 mA和SDI-12信号输出。要求直流8 -36 V供电。消除了昂贵的设备费用-不再需要外部传送器和控制器。应用范围:孵化场作业淡水池塘养殖业户外圈养业再循环系统海水池塘养殖业技术规格：传感器类型光溶解氧传感器范围（DO）0-50 mg/L精度（DO）± 0.1 mg/L，0-8mg/L± 0.2 mg/L，8-20 mg/L读数的± 10%，20-50 mg/L分辨率，（DO）0.01 mg/L响应时间，盖帽在温度为25 ℃时，T9045秒。T9560秒范围，温度0-50℃（32-122℉）精度，温度典型值± 0.01℃分辨率，温度0.01℃含盐量补偿值固定或可以实时大气压补偿值固定或可以实时方法标注方法4500-0；In-Situ方法1002-8-2009,1003-8-200,1004-8-2009环境等级压力0-50℃ 150 psi；25℃时300 psi深度25℃时689 ft(210m)工作温度传感器：0-50℃（32-122℉）贮藏温度盖帽：1-60℃（33-144℉），在厂家的容器中；传感器：5-60℃（23-140℉）符合标准恶劣工业环境，IEC61000-6-2；2005IP等级不带盖帽是IP-67；带盖帽是IP-68化学等级干扰酒精5%；过氧化氢3%；次氯酸钠（商用漂白剂）3%；气态二氧化硫；气态氯通用等级盖帽的使用寿命2年典型使用公共输出Modbus (RS485)，4-20 mA,SDI-12功率消耗最大，：在直流12 V时50mA电缆长度4000ft ( Modbus和4~20 mA)或200ft(SDI-12)标准安装螺纹1-1/4NPT产地：美国

InGaAs PIN光电二极管MPGT3563T1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点平面正照结构、低暗电流、高响应度、高可靠性、宽光谱响应范围。3、应用光功率计量、测量、监控，激光几何特性、光谱特性测量，自由空间光探测、接收，工业监控、医用等应用。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压0.5V最大耗散功率100mW正向电流10mA工作温度-40~70℃焊接温度260(10秒)℃存储温度-40~85℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ3000μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度 ReVR=10mV,λ=1.3μm，Φe=100μW0.80A/WVR=10mV,λ=1.55μm，Φe=100μW0.85响应线性饱和功率VR =10mV, Φ8μm单模光纤光斑1mW电参数 暗电流IDVR=10mV30nA反向击穿电压VBRIR=10μA5V电容Cf=1MHz,VR=10mV1.5nF分流电阻RshVR=10mV,φe=00.5MΩ备注光电参数指标可以按用户要求。 6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)标准封装：TO-5。其他封装：按用户要求定制。 7、光谱响应曲线 8、使用方法及注意事项器件在零偏下使用。使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

InGaAs PIN光电二极管MPGD4961T 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点快响应时间、金属化单模尾纤封装、低暗电流、高响应度、高可靠性。3、应用光纤通信，数据/图象传输，激光通信、激光雷达，其他应用如快速光脉冲检测。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压10V功耗10mW正向电流10mA工作温度-40~85 ℃焊接温度260（10秒）℃存储温度 -40~85℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光参数 光谱响应范围λ900～1700nm响应度ReVR=5V,λ=1.3μm，φe=100μw0.85A/WVR=5V,λ=1.55μm，φe=100μw0.903dB带宽BWλ=1.3μm,RL=50Ω，start from 133MHz4GHz 线性响应饱和功率ΦsVR =5V, RL=50Ω2mW光回波损耗ORL30dB响应时间trVR=5V， RL=50Ω0.1ns电参数暗电流IDVR=5V0.51.0nA工作电压VRD.C.5.0V反向击穿电压VBRIR=10μA50V 6、封装、管壳框图和管脚接法（单位：mm） 管脚接法 7、光谱响应曲线 8、使用方法及注意事项器件在反向偏置 5V下工作。使用中防止剧烈震动、冲击，以免光纤损坏。在使用前请将光纤连接头用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

InGaAs PIN光电二极管MPGD3561T 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点平面正照结构、快响应时间、大光敏面积、大响应线性范围、高可靠性。3、应用光功率计量监控等仪器仪表，光谱、光纤特性测试，激光测距、激光雷达等空间通信，其他应用如光纤传感。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压15V最大耗散功率100mW正向电流10mA工作温度-40~100℃焊接温度260（10秒）℃存储温度 -45~120℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ1000μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度ReVR=5V,λ=1.3μm，Φe=100μW0.90A/WVR=5V,λ=1.55μm，Φe=100μW0.95响应线性饱和功率LRVR =5V，λ=1.55μm10mW响应度线性δRVR =5V，λ=1.55μm100μW～10mW±0.1dB响应时间trVR=5V，RL=50Ω5.0ns电参数暗电流IDVR=5V3.05.0nA反向击穿电压VBRIR=10μA60V电容Cf=1MHz，VR=5V42pF分流电阻RSVR =10mV50MΩ6、封装、管壳框图和管脚接法（单位：mm）标准封装：TO-46，用户要求的其他形式。7、特性曲线8、使用方法及注意事项器件在反向偏置 5V下工作。使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。

InGaAs PIN光电二极管MPGD3551Y 1、说明 基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300 μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm 等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。 2、特点 平面正照结构、快响应时间、低暗电流、高响应度、高可靠性。3、应用光纤通信、数据/图象传输、光纤传感应用、快速光脉冲检测。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压15V功耗10mW正向电流10mA工作温度-40~100℃焊接条件260（10秒）℃存储温度-45~120℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ500μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm 响应度ReVR=5V,λ=1.3μm，Φe=100μW0.850.90A/WVR=5V,λ=1.55μm，Φe=100μW0.900.95 响应线性饱和功率VR =5V4mW响应时间trVR=5V RL=50Ω2.5ns电参数电容Cf=1MHz,VR=5V9.012.0pF反向击穿电压VBRIR=10μA50V暗电流IDVR=5V15nA分流电阻RsVR =10mV30MΩ 6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm) 7、特性曲线8、使用方法及注意事项器件在反向偏置 5V下工作。使用中防止剧烈震动、冲击，以免光窗被损坏。使用前请用酒精脱脂棉将光窗擦拭干净。在贮运、使用过程中必须采取适当的静电防护措施，以免器件失效。

InGaAs PIN光电二极管MPGD3553Y 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点平面正照结构、快响应时间、低暗电流、高响应度、高可靠性。3、应用光纤通信、数据/图象传输、光纤传感应用、其他应用如快速光脉冲检测。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压15V功耗10mW正向电流10mA工作温度-40~100 ℃焊接温度260℃（10秒）存储温度 -45~120℃ 5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ75μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度Re VR=5V,λ=1.3μm，φe=100μw0.850.90A/WVR=5V,λ=1.55μm，φe=100μw0.900.95线性饱和功率LR VR =5V，λ=1.3μm4mW响应时间trVR=5V， RL=50Ω1.0ns电参数暗电流IDVR=5V0.20.7nA反向击穿电压VBRIR=10μA60V电容Cf=1MHz,VR=5V0.61.0pF分流电阻RSVR=10mV，φe=010MΩ工作电压VRD.C.5V 6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm) 标准封装：TO-46球。其他封装：FC插拔，衰减膜及其他用户要求的形式。 7、特性曲线8、使用方法及注意事项器件在反向偏置 5V下工作。使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。在使用前请用酒精和脱脂棉将光窗清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。