晶硅太阳能电池片测试台

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PFA花篮花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。英特格6英寸晶圆盒晶圆运输盒（ entegris PFA carrier）6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。晶圆容量：25片型号:A194-60MB

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激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。

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材料：PFA或四氟品牌：南京滨正红型号：NJ-ZH尺寸：2、3、4、5、6寸等用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花篮、太阳能硅片花篮_太阳能硅片承载器、光伏电池片花篮、光伏硅片花篮，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片. 目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮聚四氟花篮

超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离，有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务：SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低，从而增加载流子寿命（少子寿命）,避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速，将用于晶片的快速激光边缘隔离，激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统，支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统，营造无尘加工环境，以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层（SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端，必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时，也产生bus bars和fingers开口，下一步,这些开口将被镍覆盖，这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端，独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。

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硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

多功能翘曲度测量仪配件是孚光精仪公司进口的全球领先的翘曲度检测仪器，一套翘曲度测试仪器可以测量：热沉,晶圆(wafer),太阳能电池和硅片翘曲度,应力以及表面形貌。多功能翘曲度测量仪配件是特别为半导体晶圆（wafer)和太阳能电池（solar cell)的翘曲度（warp) 和弯曲度(bow)以及表面形貌(topography)的测量而设计，可以测量晶圆翘曲度（wafer warpage) 和晶圆表面形貌, 晶圆应力,硅片张力,太阳能电池量子效率，既适合科研单位使用，也适合工业客户大产品、高效率的晶圆翘曲度和表面形貌的检测的需要。 我们还根据不同晶圆类型提供如下两种硅片翘曲度测量仪： 1. 非反射型：适合晶圆表面覆盖晶圆保护膜/胶带（wafer tape)，图案化晶圆 /图样化晶圆（patterned wafer)，粗糙的晶圆的应用； 2. 高反射型： 适合晶圆表面光滑 / 镜反射的应用。 多功能翘曲度测量仪配件特点： × 适合不同尺寸的晶圆检测，从0.5’‘到12' ' 的直径； * 标准检测能力为： 每小时可检测2000个晶圆或更多太阳能电池； × 同时测量多个晶圆或太阳能电池； × 测量镀膜后的晶圆或solar cell * 分析太阳能电池或晶圆应力和张力； * 对晶圆表面进行图像分析； * 测量图案化晶圆或非图案化的晶圆； * 具有太阳能电池的量子效率测量选项供选择 多功能翘曲度测量仪配件参数： × 翘曲度测量范围：1-20微米； * 重复精度： 百分之0.5 （1 sigma) * 给出结果：曲率半径,晶圆弯曲高度，翘曲度，测量日期和时间； * RMS粗糙度mapping: 0.5-20A （可选项）； * 光源：根据用户的应用而配备不同光源； * 探测器：高分辨率探测器阵列并配备亚像素软件；

BATOP 现已成为用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM?)，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6μm的常用激光波长范围。 微片（Microchip）由一个可饱和吸收镜和Nd:YVO4激光晶体结合，在808nm激光二极管泵浦下，经过被动调Q调制，可产生1064nm脉冲激光。微片激光器具有全固化、体积小、结构简单、适合批量化生产等特点，在许多领域得到了广泛应用，包括：激光雷达、激光测距、半导体加工、太阳能电池制造、激光打标、切割、短波红外成像、眼科和皮肤科。Please check our Optics stock.

高功率皮秒激光器---新产品!——High power picosecond laser新产品! EdgeWave的最新产品是PX-系列和QX-系列超短脉冲INNOSLAB激光器，其平均功率分别为100瓦和400瓦，脉宽为10皮秒，它们的结构十分紧凑，尤其适合微加工应用。您可以在2011年慕尼黑国际应用激光、光电技术贸易博览会(LASER World of PHOTONICS 2011) EdgeWave的展台(Booth C 1.230)上看到这些产品。PX-系列高功率皮秒激光器 ——PX -Series High power picosecond laserPX-系列是基于INNOSLAB激光技术的皮秒振荡放大系统：- 光束质量： M2 1.5- 脉冲能量达 1000μJ- 脉宽 10ps- 峰值功率达 100MW- 脉冲重复频率达 20MHz- 平均功率达 400W- 波长 1064、 532、 355、266nm主要应用：- 光伏产业，如:硅晶园的划片、打孔和切割；薄膜太阳能电池和晶硅太阳能电池导电层和绝缘层的烧蚀- 印刷工业，如: 印刷轮雕版- 显示领域，如: 构造导电层，横向连续硅结晶- 电子行业，如: 印刷电路板的钻孔和切割- 汽车行业，如: 燃油喷射阀门的制造- 工具制造和机械工程，如: 三维快速成型综述:

透明度：97%,外观（形状）：薄，覆盖率：95%，石墨烯层数：1，厚度（原理上）：0.345毫微米，场效应管电子AI203迁移率：2,000cm2/Vs,场效应管SIO2/SI的电子迁移率：4,000cm2/Vs,表面电阻：170欧姆平方米，晶粒尺寸：约10μm，石英片厚度：500μm，平整度：弓：20μm，弯：30μm，粗糙度：6埃（在圆滑边），圆滑：双面，应用：太阳能电池、触摸显示器。光电探测器、聚光设备。

表面形貌仪配件又称为光学形貌仪或三维形貌仪，它除了用于测量物件的表面形貌或表面轮廓外，具有测量晶圆翘曲度的功能,非常适合晶圆,太阳能电池和玻璃面板的翘曲度测量，应变测量以及表面形貌测量。 三维形貌仪主要配件应用 用于太阳能电池测量 用于半导体晶圆测量 用于镀膜玻璃的平整度（Flatness)测量 用于机械部件的计量 用于塑料,金属和其他复合型材料工件的测量 表面形貌仪配件特色 *除了表面形貌的测量，还可以测量张量和应力（简单）； *可测量晶圆的尺寸为0.5' ' 到12' ' , 最高可达45x45cm的尺寸，对于小于0.5' ' 的晶圆或样品，可配备微距镜头。 *测量晶圆或其他样品的表面形貌,粗糙度和翘曲度； *克服常见干涉仪在粗糙表面（油漆）表现不足的问题； *非接触式测量

产品介绍：该光源符合ASTM(美国材料试验协会)实验室光源标准， “A”级光谱输出。所有产品在出厂前都进行了可溯源于NIST标准的校准. 一年的保修期. 终生免费电话技术服务. 可延长保修期16S是一款即用型光电池测试光源。16S-300-002具备全光谱“A”级光谱输出（AM1.5）。16S-002配有垂直光束适配器可以将光束改变方向垂直向下照射。典型光斑尺寸2.25英寸，1太阳输出强度。用户可定制光斑大小。 通过调节电源上的旋钮，输出光强可调节范围为80%-100%。通过Solar Light公司提供的衰减工具包，可对光强进行10%-100%调节。 16S精确再现了全波段太阳光谱。符合最新的ASTM光源标准，许多需要G151和G155标准的ASTM标准可由16S-002达到。16S-002可依照ASTM标准E948-95 以及 G173对太阳能电池进行测试。技术参数：16S 150/300 Air mass 1.5 能量输出图(圆形光斑输出) 输出光斑大小/形状 输出面积 300 watt 系统强度 150 watt 系统强度 50px圆形（水平或垂直输出) 3.142 平方厘米 N/A 4000 w/m2 75px圆形（水平或垂直输出) 7.068平方厘米 4000 w/m2 2000 w/m2 150px圆形(水平或垂直输出) 28.27平方厘米 1000 w/m2 500 w/m2 注意：垂直输出作为50px 和 75px型号的一个选项，不包括在标准50px和75px型号配置里。PMA2144日设强度计在超过4000 w/m2时会饱和，需要使用衰减滤光片。 主要特点：150/300 watt 氙弧灯 200 瓦 XPS200 电源 / 400 瓦 XPS400 电源 AM1.5滤光器（NIST 可溯源，ASTM试验室光源标准）内置点火器 – 用于氙弧灯点火 高性能光学器件（用于准直和均匀性控制）

微型电子器件插件采用特制夹具将微型电子器件、太阳能电池以及其他晶片状材料固定在样品杯中，使其免遭到破坏。测试后，样品可以完好无损的取下，重新回到制备环节中去，或者参与其他损耗检测。微型电子器件插件与金像样品杯结合使用，可以直接将样品固定于插件上。不需要在背面粘附样品或者样品表面接触，通过倾斜的夹钳将样品牢固的固定在插件上，16 个夹钳均匀施力，不会造成样品的损坏。X-断面观测插件适合于涂层以及多层半导体器件等断口、断面的观测。与传统的耗时又费钱的树脂镶嵌相比，这种办法简单而快速，且不需要螺丝等其它工具来固定样品。X-断面观测插件与金像样品杯结合使用。借助X-断面观测插件，样品固定在特制夹具中，无需其他辅助工具，可以迅速而简便的对样品的位置进行调整。X-断面观测插件保留样品断面的原始状态，无需抛光，使得观测完毕后样品可重新使用或进行其它检测。