高密度化学气相沉积系统

1. 产品概述Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统。2. 设备用途/原理Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统，填孔能力以及高沉积速率，温度场和 ICP 电磁场设计保证了低温高致密的膜质表现，优化机台结构，缩小占地面积，友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料氧化硅。适用工艺浅沟槽隔离、金属间介质层、钝化层。适用域 新兴应用、集成电路。等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法，分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。

Orion HDCVD 高密度气相化学沉积系统采用高密度的化学气相沉积技术，在惰性气体进入口安装感应线圈，周围布置陶瓷管。射频创建等离子体,通过气体环在衬底表面附近引入挥发性气体。当惰性气体与挥发性物质结合时，会发生化学反应，然后在衬底表面沉积一层薄膜.该技术不需要将衬底加热到典型的PECVD温度，并且该方法非常适合沉积在有机物、柔性衬底和其它具有温度限制的表面上。 射频可通过Chuck改变薄膜性能。 该系统可以升级传送Loadlock，或添加到集群平台Cluster。

1 产品概述: 高密度等离子刻蚀装置是一种先进的微纳加工设备，它利用高密度等离子体对材料表面进行精细加工。该装置通过特定的气体供给系统、等离子体激发器、反应室、真空系统、加热系统和控制系统等组成部分，实现高密度等离子体的产生和精确控制，从而对材料表面进行高效的刻蚀处理。高密度等离子刻蚀装置具有多种型号和规格，如ICP刻蚀机、ULHITETM NE-7800H等，它们各自具有独特的技术特点和应用领域。2 设备用途：高密度等离子刻蚀装置在多个领域具有广泛的应用，主要包括：半导体制造：在半导体芯片制造过程中，高密度等离子刻蚀装置用于制备多层膜、输送掩模、清除残留物等关键工艺步骤。它能够精确控制刻蚀深度和形状，提高芯片的制造精度和性能。光学器件制造：在光学器件制造中，高密度等离子刻蚀装置用于加工光学薄膜、微透镜阵列等精密结构。其高精度的刻蚀能力能够满足光学器件对表面粗糙度和形状精度的严格要求。生物芯片制造：生物芯片是一种集成了大量生物信息的高密度微阵列芯片，高密度等离子刻蚀装置在生物芯片的制造过程中发挥着重要作用。它可用于加工微通道、微孔等结构，为生物样品的分离、检测和分析提供有力支持。3 设备特点高密度等离子刻蚀装置具有以下几个显著特点：高精度：高密度等离子刻蚀装置能够实现微米甚至纳米级别的刻蚀精度，满足高精度加工的需求。高效率：该装置采用高密度等离子体进行刻蚀，具有较高的刻蚀速率和加工效率，能够缩短生产周期并降低成本。低损伤：高密度等离子刻蚀过程中产生的热量和机械应力较小，对材料表面的损伤较小，有利于保持材料的原有性能。多功能性：高密度等离子刻蚀装置适用于多种材料的加工，包括金属、半导体、氧化物和高分子材料等，具有广泛的应用范围。 4 技术参数和特点：&bull 有磁场ICP（ISM）方式-可产生低圧・ 高密度plasma、为不挥发性材料加工的用设备。&bull 可提供对应从常温到高温（400º C）的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。&bull 通过从腔体到排气line、DRP为止的均匀加热来防止沉积物。&bull 该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构，是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。&bull 实现了长期的再现性、安定性

WHEATON 自然色高密度聚乙烯圆筒瓶* 良好的抗化学腐蚀性* 细口设计适用于液体* 含带泡沫聚乙烯衬垫的白色聚丙烯旋盖技术参数订货号容积（mL）直径× 高（mm）盖规格个/ 包个/ 箱2211533027×7820-41012722211546035×9820-410127222115512541×12320-4101272WHEATON 白色高密度聚乙烯圆筒瓶* 白色高密度聚乙烯材质可以保护光敏感样品* 良好的抗化学腐蚀性* 细口设计适用于液体* 含带泡沫聚乙烯衬垫的白色聚丙烯旋盖技术参数订货号容积（mL）直径× 高（mm）盖规格个/ 包个/ 箱2211633027×7820-41012722211646035×9820-410127222116512041×12324-4101272WHEATON 白色高密度聚乙烯圆筒瓶* 白色高密度聚乙烯材质可以保护光敏感样品* 良好的抗化学腐蚀性* 细口设计适用于液体* 含带泡沫聚乙烯衬垫的白色聚丙烯旋盖技术参数订货号容积（mL）直径× 高（mm）盖规格个/ 包个/ 箱2211633027×7820-41012722211646035×9820-410127222116512041×12324-4101272WHEATON 高密度聚乙烯圆桶* 良好的抗化学腐蚀性* 细口设计适用于液体* 含带聚乙烯衬垫的白色聚丙烯旋盖技术参数 订货号容积（L）直径× 高（mm）盖规格包装数量2223333.78143×28538-4004WHEATON 自然色高密度聚乙烯广口Blake 瓶* 良好的抗化学腐蚀性* 广口设计适合固体储存* Blake 设计大大的提.高了存储空间* 含带泡沫聚乙烯衬垫的白色聚丙烯旋盖技术参数订货号容积（mL）直径× 高（mm）盖规格包装数量20968312041×50×9438-4007220968550062×77×14943-40048209686100079×96×19253-40024WHEATON 高密度聚乙烯广口储存瓶* 良好的抗化学腐蚀性* 容积范围：2000-3840mL* 含带泡沫聚乙烯衬垫的白色聚丙烯旋盖技术参数订货号容积（mL）盖规格包装数量W209677 2000 89-400 6 W209678 3000 100-400 4 W209679 3840 89-400 4

高密度聚乙烯（HDPE），为白色粉末或颗粒状产品。无毒，无味，结晶度为80%～90%，软化点为125～135℃，使用温度可达100℃；硬度、拉伸强度和蠕变性优于低密度聚乙烯；耐磨性、电绝缘性、韧性及耐寒性较好；化学稳定性好，在室温条件下，不溶于任何有机溶剂，耐酸、碱和各种盐类的腐蚀；淤浆法制备高密度聚乙烯，淤浆法是一种将乙烯和脂肪烃类溶剂混合，添加钛系或者铬系催化剂，并在低压、低温的情况下使乙烯发生聚合反应的方法。这种方法出现的时间早，所以工艺相对来说比较成熟，得到了广泛的应用。根据反应器的不同反应形式可以将淤浆法分为搅拌釜式和环管反应器两种。岩征仪器全自动搅拌釜式反应装置，采用双反应器，既可以并联使用，也可以串联使用。将氢气和乙烯、催化剂等放入反应器，使之发生聚合反应，聚合物以淤浆的形式存在于己烷当中，也称为淤浆法制备工艺。HDPE高密度聚乙烯系统，乙烯淤浆聚合兼顾丙烯液相本体聚合评价装置，主要用来评价、研究工艺过程，探索最佳工艺参数，经取样分析、评 价、数据处理，获取产品分布、产品性质等数据，为中试及工业化工艺设计 提供设计基础数据。

SAGA 32+/64+系统产自于荷兰TMSi公司，是一款可固定可穿裁使用的多通道HD-EMG(高密度肌电)数据采集系统，通过模块化设计，将数据采集单元和数据通讯单元巧妙组合，提供多种场景下高密度肌电数据采集的解决方案。高密度肌电测量系统SAGA，产自于荷兰TMSi公司，可同时采集高密度肌电、脑电、心电、表面肌电、眼电、皮温、皮电、呼吸、压力、角度、加速度和血氧等多种生理数据。SAGA 设备用于高密度肌电数据采集的优势在于其便捷可穿戴的特点，通过主动屏蔽电缆结合重力感应技术，避免了工频和运动干扰数据的影响，使其更加适合在自然情景中应用，提供了生态效度更高的高密度数据采集方案。

高密度等离子刻蚀装置ULHITETM NE-7800H 高密度等离子客户装置ULHITE NE-7800H是对应刻蚀FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高难度刻蚀材料（强电介质层、贵金属、磁性膜等）的Multi-Chamber型低压高密度等离子刻蚀设备。 产品特性 / Product characteristics有磁场ICP（ISM）方式-可产生低圧?高密度plasma、为不挥发性材料加工的专用设备。可提供对应从常温到高温（400oC）的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。通过从腔体到排气line、DRP为止的均匀加热来防止沉积物。该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构，是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。实现了长期的再现性、安定性 产品应用 / Product application FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等.

1. 产品概述GDE C200系列 高密度刻蚀机，等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀。2. 设备用途/原理GDE C200系列 高密度刻蚀机，等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀。刻蚀速率、刻蚀均匀性、PM 周期。应用域广泛，包括功率器件、滤波、射频和光电等域的多种材料刻蚀。工艺种类多样，包括碳化硅刻蚀、铝钪氮刻蚀、PZT 刻蚀、砷化镓刻蚀、铌酸锂刻蚀、氮化硅刻蚀、 磷化铟刻蚀。灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用。适配多种终点检测方法。3. 设备特点晶圆尺寸 8 英寸及以下，适用材料 碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、介质。适用工艺 碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔工艺、 光波导工艺等多种材料刻蚀工艺。适用域 新兴应用、集成电路、化合物半导体、科研。

岩溶、煤矿采空区、考古、人防工程勘察； 堤防隐患、山体滑坡、塌陷以及其他地质灾害勘察； 厂房地基、公路、铁路、桥梁场地评价； 金属与非金属矿产资源勘查； 地下水位探测及水资源勘察将DUK-2A高密度电法测量系统的测控主机和多路电极转换器合二为一； 保留了DUK-2A高密度电法测量系统的全部功能； 新增大小电流及大小输入阻抗自由转换档，提高了微弱信号的采集能力

1. 产品概述该ICPCVD工艺模块专门设计用于在相对较低的生长温度下生产高质量的薄膜，其核心技术是采用高密度远程等离子体来实现。这种设计不仅使得薄膜的成核和生长过程更加可控，还有效地提高了薄膜的物理和化学性能。通过高密度等离子体的使用，利用源自等离子体中的活性物质和离子，能够促进化学反应的发生，使得薄膜在较低的温度环境中仍能实现优质的沉积。这意味着在沉积过程中，能够有效地避免基板因过高温度而出现的热损伤，从而保护基材的结构与性能，确保最终产品的可靠性和稳定性。此外，该工艺模块为材料的多样性和应用广度提供了可能，适用于多种类型的薄膜沉积，包括但不限于硅基材料、氮化物、氧化物等。这使其在半导体、光电及微机电系统 (MEMS) 等行业中具有广泛的应用前景。2. 特色参数更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺高质量薄膜电的适用温度范围宽兼容200mm以下所有尺寸的晶圆快速更换不同尺寸晶圆购置成本低且易于维护紧密的设计，布局灵活电阻丝加热电，高温度可达400°C或1200°C实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺

高密度EVA海绵密度检测仪MDJ-300A是常用的的密度检测仪器。它采用的是德国进口的HBM称重传感器以及英国进口的ARM数据处理器，精度高数据处理能力强，能够可以快速准确测量各种固体材料的密度，配置专业的测量配件，一体成形的透明水槽。其设计应用的是阿基米德浮力法结合现代微电子科技，已经基本实现了全自动化测试，无需人工计算，省却了繁琐的操作步骤，操作简单测试方便，深受广大企业用户的喜爱。EVA 是乙烯-醋酸乙烯共聚物简称，一般醋酸乙烯（VA）含量在5%～40%。与聚乙烯相比，EVA由于在分子链中引入了醋酸乙烯单体，从而降低了高结晶度，提高了柔韧性、抗冲击性、填料相溶性和热密封性能，被广泛应用于发泡鞋料、功能性棚膜、包装膜、热熔胶、电线电缆及玩具等领域。 高密度EVA海绵密度检测仪技术参数：1、型 号： MDJ-300A MDJ-600A MDJ-1200A MDJ-300S MDJ-600S2、密度解析： 0.001 g/cm3 测量范围： 0.001—99.999g/cm33、MAX称重： 300g 600g 1200g 300g 600g4、MIN称重： 0.01g 0.01g 0.01g 0.005g 0.0055、测量种类： 橡胶、塑胶、金属、塑料颗粒、紧固件、管材、板材、木材、海绵、玻璃、金属、水泥、宝石、石墨、煤与岩石、陶瓷…等；涵盖吸水性、不吸水性所有固体物质领域。 高密度EVA海绵密度检测仪的特点：1．直读任何固体物质的密度值、体积2．PVC颗粒、EVA发泡体、粉末、薄膜等皆可快速测量3．操作简单、方便、测量快速4．全动零点跟踪功能5．使用水作介质，也可使用其它液体介质6．具有实际水温补偿功能7．带有蜂鸣器功能8．采用一体成形大容量设计测量配件 高密度EVA海绵密度检测仪测量步骤：1.先测量产品在空气中重量，按ENTER键记忆。2.再放入水中测水中重量，按ENTER键记忆，显示密度值。环保EVA胶垫（符合欧盟环保标准，可提供检验报告）1、环保EVA是一种聚烯煌塑料发泡而成，又称泡棉，它不含任何对人体有害、有毒物质。2、环保EVA它柔韧、质轻、密度好、富有弹性能当作缓冲材料来保护产品更好的吸收和分散外来的撞击力，也可以贴在产品表面上起防震防磨擦的作用。同时，EVA具有保温、防潮、耐腐蚀等一系列的使用特性。3、环保EVA的厚度通常为0.5--60MM硬度25--80度。颜色丰富多采，一般为黑色白色，也可根据客户要求做任何的颜色。EVA的成型工艺简单，可缩短交货周期。4、环保EVA目前正广泛适用于IT、电子电器、五金机电、玻璃制品、精密仪器等产品的包装。 高密度EVA海绵密度检测仪MDJ-300A是一种新型的密度检测仪器，能够自动测量样品密度并直接显示在电子屏幕上。密度检测仪一般是由称重天平，密度配件，密度软件等组成。

MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的 作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的 相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas 公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转 化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积 质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制 备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1.CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团，因此为高速 生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节 和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技 术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体团集中在腔体中，远离石英管，所以对石英管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

德国CellDEG微藻高密度培养仪/实验室光生物反应器一、CellDEG 公司技术介绍CellDEG为微藻和蓝藻提供高密度培养仪（High-Density Cultivators，HDC），具有专利膜生物反应器，新型的HDC 可实现高的生物质浓度和高的生产率，是微藻的高密度栽培技术。目前微藻和蓝藻在中试规模的生产中存在的问题是从光生物反应器中获得的细胞密度低和生产率低，CellDEG创造了一种用于光自养高密度培养技术，该技术能够以高效地利用高强度的光来生产生物质或生物制品，用于科学研究和规模化制备。CellDEG技术基于无气泡膜的CO2供应和通过强湍流混合提高产率，高密度培养仪可以提供多种培养体积。CellDEG为蓝藻和微藻的培养提供创新和灵活的系统。用户友好的高密度培养仪可实现快速生长获得极高生物质浓度，生物质产量比经典气泡流技术高出约10倍。培养仪可以很容易地适用于微藻研究和生物工艺开发中，具有以下特点：1.薄的培养层和膜介导的CO2 供应。培养仪是两个具有生物相容性和机械强度的高透气性薄膜隔开的腔室。下腔室含有富含二氧化碳的空气，二氧化碳的浓度（1-10%）可通过碳酸盐缓冲液（HDC，体积达 150ml）或注入二氧化碳来维持。上腔室包含液体培养物和湍流气体相，湍流气相与大气进行扩散交换。具有透气性的氧气释放室可避免高的氧分压。2.强湍流和高的光强度Celldeg HDC 中，湍流都是通过高频轨道震荡器实现的，可确保对细胞的剪切应力非常低。靠近膜表面的湍流液体流动导致无气泡的二氧化碳能极快进入大量的细胞培养，避免了二氧化碳的缺乏。3. 没有CO2积累。HDC配备了一个气体交换室，将培养容器的湍流气体空间与大气隔开。在这里，氧气通过扩散有效地释放到环境中，水蒸气损失很小。目前Celldeg 高密度培养仪已经测试成功多种蓝藻和微藻菌株。Celldeg技术在未来微藻和蓝藻的实际应用中具有巨大潜力，可以实现&bull 简单、模块化且经济高效的高密度培养机 （HDC） 和光生物反应器，适用于不同的培养体积&bull 振动膜上的无气泡气体交换和湍流混合&bull 避免光漂白和光抑制&bull 即使在极高的光强度下也具有高量子产率&bull 轴化培养中蓝藻和微藻的超高细胞密度&bull CellDEG微藻和蓝藻的高密度培养技术具有以下特点：&bull 膜介导的 CO2 供应&bull 生物质浓度高达每升30克干重&bull 生产率高达每升干重10克&天&bull 无碳限制，无氧应激，无水蒸气损失&bull PFD 1000 μE 时具有高量子产率&bull 封闭系统中的轴生栽培&bull 多达 45 次重复的筛选系统该光生物反应器技术的特征是具有低厚度的湍流移动细胞悬浮液、高渗透性基底膜和封闭（气体）室。我们已经实现了实验室规模的反应器（10、100和1500毫升）以及按需定制的反应器。该培养仪适用于平行栽培以及生产高密度生物质的制备方法。二、CellDEG 公司产品介绍CellDEG 的产品包括产品系列，入门套装，控制单元和传感器。其中产品系列包括HDC 22.10 | 33.10 | 45.10， HDC 4.100 | 9.100，HDC 1.1500 | 1.1500T 以及HD 10 培养仪，HD100 培养仪以及HD 1500 培养仪。HD10 高密度培养仪的容量是6-10ml， 底部安装供气膜，适合高量程透射浊度传感器，无需打开和稀释即可直接测量细胞密度，预灭菌，即用型。HD100 藻类高密度培养仪的容量是60-100毫升，底部安装的供气膜，好的光穿透力和低剪切应力，预灭菌，即用型HD1500 藻类高密度培养仪容量 1000-2000毫升，可更换供气膜，可选温度控制，预灭菌，即用型HDC 22.10 |33.10 |45.10 藻类高密度培养筛选平台&bull 带 22、33 或 45 台平行可拆卸 HD10 培养仪&bull 可连接CellDEG生长控制单元&bull 生长条件相同，无需调整气泡率&bull 用于需要低样品量和高样品数量的筛选实验&bull 通过可更换的硅胶成型件进行密封和连接&bull 结合 CellDEG HRTT 传感器，可方便地处理许多平行实验&bull 适合使用轨道振荡器（行程：5-15mm，转速为200-350 rpm）HDC 4.100 |9.100 通用性藻类高密度培养平台&bull 带 4 或 9 台并联可拆卸 HD100 培养机&bull 可连接到CellDEG生长控制单元&bull 可靠快速平行生长，达到高细胞密度&bull 用于比较分析，如优化培养条件或培养基&bull 安装在带卡口锁的 EPDM 垫片上的培养机&bull 方便处理多达 9 条平行线并增加培养量&bull 适合使用轨道振荡器（行程：10-30mm，转速为50-150 rpm）HDC 1.1500 |1.1500T 藻类高密度培养生产平台&bull 1-2L工作容积和集成气体分配的培养机&bull 可连接到cellDEG生长控制单元&bull 每台培养机的日微藻生产力高达10g细胞干重&bull 带可更换膜载体的可拆卸栽培单元&bull 可选冷却盘管，实现精确温度控制&bull 针对重复批量培养进行了优化&bull 适合使用轨道震荡器（行程：25-50mm，转速为50-150 rpm）CellDEG的入门套装有2中，型号分别为HDC6.10B和HDC1.100B,其中HDC6.10B是包括6个10ml培养仪的装置，用于低样品量和高样品数量的筛选实验，以碳酸盐缓冲液作为二氧化碳来源，适合行程5-20mm，250rpm的轨道震荡器，HDC1.100B 是一个100ml的HD100 培养仪，可快速培养至高密度，适合生化分析用，适合行程10-30mm，125rpm的轨道震荡器。CellDEG还提供生长控制单元（GCU）和高量程透射浊度传感器（HRTTS）， 生长控制单元是高精度气体混合单元用于方便调节CO2的分压和LED光强度，传感器控制的电磁阀用于二氧化碳剂量，包括用于气体循环的气体泵。二、CellDEG产品应用CellDEG 高密度培养仪/光生物反应器，适用于蓝藻，微藻的高密度培养研究及制备，目前可提供实验室规格的光生物反应器，单个体积为10ml， 100和1500ml, 可用于微藻的低样品量和高通量的筛选实验室，以及培养条件的优化和比较分析，产品适用于微藻和蓝藻的培养，还适用于植物，动物或细菌细胞悬浮液，目的在于提供独特的培养解决方案，以便快速可靠的生产生物质和天然产品，具有可平行，可复制，可转移，可放大的特点。

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

皓天150升高低温试验箱高密度芯片研发设备 皓天150升高低温试验箱高密度芯片研发设备型号 SMA-150PF工作室尺寸(W*H*D)MM 500*600*500外形尺寸(W*H*D)MM 750*1650*950 皓天150升高低温试验箱高密度芯片研发设备功率: 4.5(KW)温度范围: 0℃～150℃湿度范围 20～98％R.H波动/均匀度: ±0.5℃/±2℃湿度偏差: ＋2、-3％R.H升温速率: 1.0～3.0℃/min 降温速率: 0.7～1.0℃/min控制器: 进口微电脑温湿度集成控制器（TT-5166）皓天150升高低温试验箱高密度芯片研发设备精度范围: 设定精度：温度±0.1℃、湿度±1％R.H，指示精度：温度±0.1℃、湿度±1％R.H传感器: 铂金电阻.PT100Ω/MV加热系统:全独立系统，镍铬合金电加热式加热器加湿系统:外置隔离式，全不锈钢浅表面蒸发式加湿器除湿系统:采用蒸发器盘管露点温度层流接触除湿方式供水系统:加湿供水采用自动控制.且可回收余水.节水降耗制冷系统:法国原装“泰康”全封闭风冷式压缩机制冷方式循环系统:耐温低噪音空调型电机.多叶式离心风轮外箱材质:优质碳素钢板.磷化静电喷塑处理/SUS304不锈钢雾面线条发纹处理内箱材质: SUS304不锈钢优质镜面光板保温材质:聚氨酯硬质发泡/超细玻璃纤维绵门框隔热:双层耐高低温老化硅橡胶门密封条标准配置:附照明玻璃视窗1套、试品架2个、测试引线孔（25、50、100mm）1个安全保护:漏电、短路、超温、缺水、电机过热、压缩机超压、过载、过电流保护/控制器停电记忆电源电压:AC220V±10％50±0.5Hz使用环境温度: 5℃～＋30℃≤85％R.H注：1、“SM”为恒温恒湿试验箱型号。 2、以上数据均在环境温度（RT）25℃工作室无负载条件下测得

1. 产品概述Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（ICP-CVD）是一款先进的薄膜沉积设备，它结合了电感耦合（ICP）和电容耦合（CCP）技术，为用户提供了一种高效、可靠的薄膜沉积解决方案。该设备通过高密度等离子体的产生，实现了极低的沉积温度，这不仅能够保护基材，减少热损伤，还能确保薄膜的高致密性与优异的填充能力。该工艺适用于多种材料的沉积，尤其是在对薄膜质量有高要求的应用中表现优越。此外，Shale® C系列设备采用了符合国际标准的零部件，这些组件是8英寸产线设备中的常用标准部件，确保了设备的兼容性与可维护性。设备的设计遵循SEMI的严格标准，确保其在半导体行业中的稳定运行及高度可靠。在产品性能方面，Shale® C系列经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证了其在长时间连续运行下的表现。这使得该设备成为高端制造过程中的理想选择，适合用于大规模生产和研发实验。2. 系统特性可在低温（120°C）下沉积高致密薄膜，其致密性不亚于LPCVD在750°C生长的薄膜可有效降低等离子体损伤，从而降低漏电，漏电流密度与原子层沉积（ALD）制备的薄膜相当可提供高深宽比薄膜填充工艺可选8/6英寸电，适用于不同尺寸的晶圆

微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统主要用途：★该系统既可用作传统的化学气相沉积设备，又可用作微波能化学气相沉积设备，同时又是微波等离子化学气相沉积设备★主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域★该款具有高电离、高电子温度和电子密度、适用压强范围宽、无内部电极污染等优异性能，微波等离子体在材料表面处理、金刚石薄膜制备、化学气相沉积、刻蚀以及甲烷转化制氢、长余辉发光材料、陶瓷烧结、碳纳米管修饰［3］、纳米粉体合成、处理水污染等领域 产品特点：★垂直反应器的设计可使等离子高密度；对称的微波发生器装置，使产生的等离子环境更均匀★谐振腔内没有内部电极，可以避免电极放电所产生的污染，而且，它的运行气压范围比较宽，所产生等离子体密度高、区域大，稳定性高，且不与真空器接触，从而避免了器壁对薄膜的污染★操作便捷：气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构，使取放物料过程简化，只需一支卡箍便可完成气路连接，方便操作，取消了复杂的法兰安装过程，减少了安装造成的损坏★多功能：4种加热方式可选可变：微波等离子、纯微波、传统电加热、混合加热；适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理★双温区结构：上部等离子区或加热区下部样品台加热区★独家开发的微波场专用传感器，精准控温★安全：独家采用防止泄漏的联锁保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计，多重防泄漏保护*标配装有专业微波抑制器*内置微波泄漏传感器★节能：使用寿命长：磁控管微波加热，避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题，也避免了因加热元件损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失★采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源，确保设备能够连续稳定长时间运行★嵌入式微机一体化温度控制系统；实现稳定性控温★无须烘炉过程：炉腔整体自身发热，加热均匀★微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度★配有万向轮调节底脚，方便移动和固定 技术参数：型号/modelWBDQC-4可加热材料非易燃易爆的任何材料微波频率2.45GHZ±50MHz加热方式等离子加热、纯微波加热、传统电加热、混合加热最大功率/ KW(连续、可调)4样品腔长度标配100mm可根据用户需求订制加热样品腔(材质)石英管（微波等离子工作模式）石英管&刚玉管（其它加热方式）控温范围/℃1100℃石英样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可选；1500℃刚玉样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm 可选；温度测试元件微波场专用传感器温度分辨率/℃0.1样品台最高温度范围室温-1200℃、更高温度可选配控温精度/℃ 1200℃以下±1；1200℃以上±2℃温度偏差/℃温度稳定波动度/℃冷却方式风冷恒温区长度/mm标配100mm可根据用户需求订制升温速率(标配)0～200℃/min（微波等离子工作模式除外）任意设定，可编程、分段加热温度控制方式10段可设工艺参数，7寸触摸屏操作，带数据存储功能；提供手动、自动、恒温控制模式，曲线实时显示控制气体控制气体：H2、CH4、Ar、N 2 、其它气体可选流量控制标配 2 套质量流量控制器：七星华创（真空保护阀门后置，匹配真空模式）；精度：0.8%最大耐压1MPa；控制响应时间：10ms真空系统真空泵RVP2008；压力范围：10 -3 Torr~760 Torr最大抽速：8.5m 3 /h真空计数显真空计：1atm-10 -1 Pa标配质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件，可以内置实时显示和保存生长参数气路其他配置气柜、气路及阀门等端口不锈钢 KF50 法兰接口电源电压（V）220微波泄漏量/ mW/㎝2≤0.4外型尺寸（长′宽′高）/mm1100×750×1900 选配功能：质量流量控制系统；美国Alicat质量流量&控制器

SYSCAL PRO SWITCH是整合发射机、接收机和多道转换开关的一体化紧凑型多模式高密度电法仪，系统由12V电瓶供电。10通道同时观测的特性可极大增加系统在偶极-偶极、三极、中间梯度等电极装置中的观测效率。SYSCAL PRO SWITCH可连接地表、井中大线实现定站式观测，也可配备陆上或水上拖缆实现扫描式观测。高密度电法仪SYSCAL PRO SWITCH技术指标：发射机脉冲宽度： 0.2s, 0.5s, 1s, 2s, 4s, 8s最大电流：2.5A，典型稳流精度0.2%可用来进行标本测量，最大电流25mA最大电压：自动切换模式800V，手动切换1000V最大功率：12V电瓶供电时250W，连接发电机时1200W接收机 10道同时观测，自动增益调整信号分辨率：1μV 1 000V高压保护 数字叠加，带线性漂移校正的自然电位补偿 观测电流、电压、离差、20个充电率窗口（可编辑）高密度电法仪SYSCAL PRO SWITCH性能特点：电阻率和激发极化参数同时观测 支持电测深、电成像、4D电阻率监控 The SYSCAL Pro Switch 使用多电极电缆连接各电极，可同时连接多条大线。可连接电极数量：24、48、72、96和120极5种，您可以通过Switch Pro扩展转换单元实现2D或3D 高密度电阻率成像。 激发极化(IP)充电率 衰减曲线20个窗口用于充电率分析并LCD显示。 SYSCAL Pro Switch单元 可以配备井中大线测量，也可以配备拖揽式大线，使用机车或船只牵引进行水面或地面的快速高密度测量。The SYSCAL 也可用于电阻率&充电率时移测量。4D监测场景中，SYSCAL PRO可采集视电阻率随时间变化的数据

德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-6" 2.45GHz系统MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas公司的独 家 专 利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1. CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团， 因此为高速生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体 管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

三维高密度电法仪产品介绍： 三维高密度电法仪采用先进的设计理念，具有完善的功能、具有较强的抗干扰能力和准确的探测结果。具有多种测量功能，并可监视地下电阻率随时间的变化，其分辨率≤30nv，最大供电电流 2.5A，8 通道，显示屏 12.1",一条 8 芯轻便电缆最多可连接 960 个电极，可进行地面二维/三维观测，井中观测和水域观测以及联合观测，功能完善，稳定的高密度电法仪之一。三维高密度电法仪是一个由PC机控制的直流电阻率仪器，用于高分辨探测、层析成像和动态监等领域。系统软件在Windows系统下运行。可寻址的电极数目最高达960个，这些电极由一根8芯电缆连接。任何一对电极都可被用于供电电极。最多达6对的其他电极可同时被用作电位电极。由软件控制的快速电极转换保证了高速数据采集每小时可高达数千个采样点。 可自动选用那些已编制好的观测装置，优化设置前置放大、自电位改正、伪剖面显示、伪区域绘图以及供电和电位测量时变曲线的屏幕显示。产品特点：● 野外单列布置，一条8芯电缆可连接 960 个电极 ● 单通道和8通道接收机，最大输出电流 2.5A● 具有多种观测模式，可实时计算和显示视电阻率及伪断面图，电阻，IP 值，复视电阻 率和监视电阻率随时间变化● 自动设置 10 种标准装置结构以及用户自行设计的装置结构，以适应丌同的探测目标● 可进行三维观测，井间和单井观测● 可进行水域区表面及水下观测● Windows 友好界面，实时显示接收和发射的时间过程● 12.1 英寸高清 TFT，即使在强烈阳光下也可清晰查看● 由预置的标准偏差值自动控制观测质量● 实时显示无效道并可随时补测或统一进行补测● 具有硬件、软件双重压制干扰噪声功能● 观测数据资料可进行二维或三维反演和层析成像技术指标：● 测量模式: 视电阻率、复视电阻率、相位、电阻、IP、输入电流、测量电压 输入电流和测量电压之间的相位、监测地下电阻率随时间变化● 动态范围: 140dB● 分辨率: ≤30nV● 显示屏幕: 12.1 英寸彩色显示，1024*768 像素● 输出电流: 最大 2.5A● 输出电压: 内部输出电压 400Vpp，外接电源逆变器可达 800Vpp● 输出功率: 250W ● 测量范围: ± 5Vpp● 输入道: 8● 输入增益范围: 自动应用接收机最大量程范围，或自动选择，或用户确定● 输入阻抗: 30MΩ — 150 MΩ（用户自选）● 输入电压: 5V(可以根据情况调节输入电流)● 自动补偿自然电位: 在激电测量中自动消除自然电位● IP 测量方式:全段时间域充电率，频率域转换，相位计算● IP 发射波形: 正、关、负、关● IP 循环周期: 0.5s，1s，2.4s，8s 以及 0.128ms—8330ms 之间任意选择● 电阻率测量循环时间 0.2s，0.4s，0.8s，1.2s，3.6s，7.2s 或 1.44s，或用户自动选择● 测量类型: 时间域，测量窗口 6 个● 测量周期: 0.4s, 0.8s, 1.6s, 3.6s, 7.2s, 14.4s,并可由软件任意设定● 噪音压制: f120Hz 时, ＞100dB；工业频率＞120dB● 测量精度: 优于 1%● IP 测量时间精度: 优于 0.01ms ● 标定: 微处理器进行数据化标定● 装置组合:Schlumberger, Half Schlumberger, Wenner alpha, Wenner bata, Wenner gamma,● dipole-dipole, pole-dipole, pole-pole, dipole-pole，以及用户自己定义的装置。● 偶极装置在测量信号满足分辨率的条件下，偶极距保持最小。● 操作系统: 存储在闪存之中，升级版本可从网页下载● 数据存储: 存储硬盘 40GB，可扩展● 数据显示 视电阻率，复视电阻率，感应极化（IP），相位，自然电位，电阻，供● 电电流，测量电压，电阻率标准偏差，伪断面，失效电压，电源电压德国 DMT 公司● 缓存能力: ＞100000 个测点● 数据传输: 通过 UBS 接口和 RS-232● 自动滚动: 测量装置自动滚动以及多电极测量装置间的自动转换● 野外电源: 12V 汽车电瓶● 工作温度 -20℃— 50℃● 重量:13Kg● 尺寸: 400× 300× 320mm 应用领域：● 工程和地基精细勘探● 城市管网及地铁线路探测● 活动断层和安评● 高速公路和高速铁路选线● 矿产资源勘探● 地下水和地下水污染范围探测● 垃圾填埋厂及其渗漏范围探测 ● 油库及加油站污染范围探测● 煤矿老窑采空区和地下洞穴探测堤,坝病害检测和稳定性监测● 观测地下电阻率随时间和距离的变化以监测地震前兆和堤坝渗漏

德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas Mpcvd 915MHz 系统MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1. CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团， 因此为高速生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体 管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

ICP 刻蚀机 ：高密度等离子蚀刻装置NE-550 特点：等离子密度与向基板入射的能量能够单独控制，因此Process window宽。均一性好。离子性蚀刻到radical性蚀刻都能都大幅度控制。构造简单，维护性能优越。来自半导体技术研究所的工艺支持体制。CS（Customer’s Support ）解决方案的综合服务体制。可选Cassette室，提高生产量。 丰富的Process Application：1.ISM: Inductively Super Magnetron有磁场ICP型2.ISM是可以由低电源得到稳定均一的放电，达到Damage最少的蚀刻。3.使用不挥发性材料的次时代memory‐Al2O3,磁性体，Pt, Ir, PZT, SBTO 等4.超高频率器件，光器件。‐绝缘膜，GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire，GaN，STO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide，BST, STO5.各种传感器器件等Photo Nic结晶。6.MEMS(micromachine）

罗斯蒙特高密度温度测量系列848TFNAS001B6JA2罗斯蒙特 848T 提供低成本的高密度测量解决方案。848T 能够接受八个独立的可组态传感器输入，并可安装在靠近过程的位置以提高数据质量。848TXNAS002WA3WK1HA1 848T 高密度温度测量系列 X 无线NA 未认证S002 热电阻、热电偶、毫伏、欧姆和 4–20 毫安输入WA3 突发传输率可由用户组态， 2.4 GHz DSSS WirelessHART WK1 大范围、一体式天线、电源模块适配器、本质安全 （独立电源模块） HA1 铝制，带电缆密封套 （5 x 1/2英寸 NPT，适合 7.5–11.9 毫米） 规格精度 ±0.30 °C (±0.54 °F)稳定性 2 年稳定性质保 12/18 个月，3 年或 5 年有限质保选项输入 四个可独立组态输入，包括 2 线、3 线和 4 线 RTD、热电偶、0-1000mV 和 0-10V、2 线、3 线和 4 线欧姆以及 4–20 mA 信号输出信号 WirelessHART? 协议外壳 现场硬化铝外壳标定选项 5 点标定认证/认可 危险场所，船用型式，请参阅认证的完整列表了解详情功能 wirelesshart? 技术安全且具成本效益，可实现 99% 的数据可靠性 每点价格***的解决方案，能接受四个可组态输入（rtd、热电偶、欧姆、毫伏和 4 至 20 ma 信号） 现场硬化外壳确保可靠近所有过程安装仪表，即使在恶劣的环境和危险区域中 延长范围电线可为远距离的装置提供无线通讯 最多提供八个用户可组态警报以满足高级测量监控的需求 装置仪表板可显示简化装置组态，执行诊断性故障***的简明界面 smartpower? 模块最长能免维护运行 10 年，并可以在不卸下变送器的情况下进行现场更换 简便的安装确保可以在仪表上迅速显示测量值，无需布线成本

化学气相沉积 LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。LPCVD设备结构及特点：1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。2、设备为水平管卧式结构由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。LPCVD设备主要技术指标 类型参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片 不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品生产型LPCVD设备设备功能该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可提供相关镀膜工艺。设备结构及特点设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。设备主要技术指标 类型参数 成膜类型Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样软件控制界面 关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

等离子沉积设备SI 500 D 高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。 SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 500 D ICPECVD等离子沉积设备 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从室温到350?°C 激光终点检测 备选电极偏置

标准规范：《DZ/T 0153-1995 物化探工程测量规范》 ”、“《岩土工程勘察规范》(gb50021-2017)”、“《电阻率剖面法技术规程》DZT 0073-2016产品介绍：McOHM Profiler-8i 是一款8通道数字化高密度电法探测仪器。在McOHM Profiler-4i 的基础上进行了全方位改进，仪器性能大幅提升。同时，融合最新的技术成果，能够提供更方便、更高效的云分析服务。通过性能稳定的McOHM Profiler-8i主机和具有电极转换功能的高效电极转换器Scanner 32 （与主机分开单独销售）,可以进行高质量的二维电阻率探测。McOHM Profiler-8i 使用最新的高分辨率A/D转换技术，配有高度整合的接收装置。工作现场短时高速测量，工作效率大大提高。接收装置包括8个部件，主要有：24位sigma-delta（ΣΔ）高分辨率A/D转换装置；最新电子电路技术，高效电路设计；通电电路：最大400 V “800V p-p”200mA；基于平板电脑的控制系统，等等。McOHM Profiler-8i是日本OYO公司首台加入IoT物联网兼容模块的高密度电法探测仪器，可配合云系统使用云分析服务，是未来电法探测自动化、智能化、高效化、信息化的先驱，引领最新的高密度电法发展方向。 McOHM Profiler-8i主机 Scanner 32电极转换器适用对象：适用于所有高密度电法用户性能特点：友好的人机交互界面设计；10.1英寸高分辨率彩色高亮LCD显示屏；国际通用USB标准接口；基于平板电脑的高效控制系统；灵敏的触摸板；8通道同时测量；配合Scanner 32最多可实现192电极；可通过控制程序进行全自动测量；可通过内置时钟进行自动定时测量；高效率实时成图功能，直观显示偶极排列的电流衰变曲线，能够在野外现场严格把控采集数据质量；采集数据随时存储在控制平板电脑的硬盘中，确保数据安全无虞；性价比高、设计紧凑、重量轻便技术参数：McOHM Profiler-8i主机Scanner-32电极转换器

产品详情德国 Sentech等离子沉积机 SI 500 D ： 超高密度等离子体SI 500d具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。 平面等离子体源森泰克专利的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许高效率低功率耦合。 杰出的沉积特性低腐蚀速率、高击穿电压、低应力、基体无损伤、界面状态密度极低，沉积温度小于100℃，使沉积薄膜具有优异的性能。 动态温度控制 采用动态温度控制的基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在室温至+350℃的大范围温度范围内，提供优良的稳定工艺条件。 SI 500d代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件，以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500d。 从直径200毫米的晶圆片到负载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 d中进行加工。 SI 500d等离子体增强沉积工具可在室温至350℃范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用来沉积TEOS、SiC和其他具有液体或气体前驱体的材料。s500d特别适用于有机材料在低温下沉积高效的保护屏障，以及在规定温度下无损伤沉积钝化膜。 森泰科提供不同的自动化水平，从真空盒式磁带加载到一个过程室，多达六个端口集群，具有不同的沉积和蚀刻模块，目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500d也可以作为集群配置上的进程模块。 SI 500 DICPECVD等离子体沉积工具与真空loadlock高达200毫米晶圆衬底温度从RT到350℃激光端点检测可选的衬底偏置

等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后，真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

PECVD沉积Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm，且根据电极配置，可以处理单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，或者多尺寸批处理基片(4x3” 3x4” 7x2”)。Minilock-Orion III用于有毒/发火PECVD工艺。沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物、无定形硅和碳化硅。工艺气体：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管（Triode）或电感耦合等离子(ICP)源。三极管源使得用户可以创建高密度等离子，从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室，其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触，从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而保持反应室与大气隔绝。

仪器简介：该系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。最大沉积尺寸为8英寸。 使用花伞式的阴极射频等离子源，压盘可由射频或脉冲直流控制，电阻加热，循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成，也可以选配流量计。 设备规格： 计算机控制的高品质沉积设备； 射频花伞喷淋头等离子源； 最大可沉积8英寸直径的薄膜； RF偏压基底夹具； 水冷平台(water cooled platen)； 一路载气和两路反应气通过流量计控制流量； 分子涡轮泵； 基本真空度10-7 Torr，200L/sec涡轮分子泵； 空气控制阀；技术参数：PECVD参数： 平板尺寸(Platen size) 8英寸 源直径(Source diameter) 8英寸 气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气，1排气) 源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节 最高平板温度(Max. platen temp.) 400℃ 射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz 射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHzRIE参数： 电脑控制，全能自锁 电极： 8” 电极冷却: 水冷 流量计MFC数量: 标配4个 RIE腔体：铝制，13”直径大小 工作压力： 0.02-500 mTorr, 动态压力控制 射频电源： 13.5 MHz, 600 W ，带自动调频， 真空度 : 10-7 Torr 以上，配涡沦分子泵, Baratron and WR 真空规 N2 吹扫: 整个腔体和气路 气体分散: 喷淋头式 硅片装载Wafer Load: 手动，气动式掀盖放置 等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压，可以产生-400V 偏压主要特点：柜式PECVD/ RIE系统，电脑Lab View软件控制 PECVD 等离子体源：平面喷淋头射频电极产生离子源 流量控制 :4个流量计（MFC） (针对 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O) PECVD样品台Platen : 8”不绣钢，可加热至300C，水冷，温度可控，可配射频偏压 （选配） PECVD沉积腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上 PECVD沉积腔前门可视窗口（5“直径），手动门（8”直径），和10“法兰，硅片在开门后手动放置 RIE腔体尺寸： 13” 直径，铝材质，掀盖式放置，气动式开门, 工作压力 : 0.02 to 1 Torr 铝质射频台，最大至8”硅片，水冷，（冷却器未包括，需要用户提供） 喷淋头式气体分散 配加热工作时使用Baratron真空计(用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空计(用于RIE & PECVD) 3个流量计（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自动过程压力控制 VCR接头和 Nupro阀门 , 氮气线吹扫，电脑控制质量流动控制器（MFC） 德国普发公司TPH261PC型200L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用 射频供电： 600 W，13.5MHz 带自动调频。接入电源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,