射频等离子刻蚀清洗系统

项目编号：0773-2240SHHW0019项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目预算金额：663.0789000 万元（人民币）最高限价（如有）：663.0789000 万元（人民币）采购需求：项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目包件1：反应离子束刻蚀系统；数量及单位：1台；简要技术参数：3、等离子体源3.1、射频发生器：最大功率300瓦，13.56MHz，带自动匹配单元；★3.2、ICP源发生器：最大功率3000瓦，2.0MHz，带自动匹配单元；包件2：感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统；数量及单位：1台；简要技术参数：★1、SiO2的标准沉积速率：≥40 nm/min；高速沉积速率：≥500 nm/min2、SiO2薄膜沉积厚度：≥6um。其余详见本项目招标文件。合同履行期限：自合同签订之日起250天内；本项目( 不接受 )联合体投标。

主题：Faster mm-scale Semiconductor Failure Analysis byCombining Plasma FIB Milling and Laser Ablation 演讲人：Jozef Vincenc Obona 博士Jozef Vincenc Obona 是TESCAN ORSAY HOLDING公司半导体市场部的产品营销总监，获得Slovak Academy of Sciences (Slovakia) 低温电子学博士学位。他有多年从事半导体失效分析(生产线前端、后端和封装应用)的经验，并与半导体行业领袖一直保持沟通。他在FIB-SEM方面拥有超过13年的工作经验，在西班牙萨拉戈萨的阿拉贡纳米科学研究院（Instituto de Nanociencia de Aragon）、荷兰格罗宁根大学（University of Groningen）以及特温特大学（University of Twente）进行了5年的超短激光脉冲处理应用研究，拥有3项专利并发表了52篇论文。时间段1：3月24日, 下午4:00 –5:00 （北京时间）时间段2：3月25日, 上午2:00 –3:00 （北京时间）长期以来，提高性能和降低功耗是电子器件设计的基本要求，这需要通过器件构件（晶体管、存储单元等）的小型化、信号通路的减少（将多个组件集成在一个先进封装中）以及优化其它组件（包括显示器、射频、微机电系统和电池）来实现。开发新产品是一件非常具有挑战性的工作，快速失效分析（FA）有助于确定缺陷的基本原因并向研发人员提供有效的反馈，以保证产品的上市时间和可靠性。对封装、先进封装、显示器、射频、微机电系统以及电池进行快速失效分析时，往往需要在样品表面以下几百微米甚至于几毫米寻找缺陷位置。由于样品结构的特殊性，需要对样品进行大面积的刻蚀以制备出截面才能够对特定的缺陷位置进行分析。因此，近10年来等离子FIB被普遍使用在这个过程中并受到了行业的广泛认可。然而，近年来随着器件结构越趋复杂、缺陷深度显著增加以及必须更快速获得分析结果等原因，对等离子FIB的能力提出了更高的要求。使用激光烧蚀可以将前期制样速度提升数千倍，因此将激光烧蚀技术加入到等离子FIB工作流程中不仅可以更快获得高质量的分析结果，同时也开启与实验室中不同类型设备协同合作的新篇章。在本次研讨会上，将为您介绍 TESCAN 样品大体积制备的工作流程。使用不同尺寸的要求苛刻的样品进行演示，样品包括复杂器件和不导电硬质材料，您可以看到非常灵活的工作流程。我们将为您展示如何结合超高分辨扫描电镜成像系统快速进行没有伪影的样品制备并揭示样品的真实细节。点击“我要报名”立即报名参会吧！说明：为了让更多的用户可以参与到本次研讨会中，每一场研讨会都有两个时间段可供选，内容相同，与会者可自行选择报名参加其中一个时间段的研讨会。

CIF扫描电镜等离子清洗机CIF 扫描电镜（SEM）等离子清洗机采用远程、原位双等离子清洗源设计，并可自动切换，一机多用。远程等离子体清洗快速高效低轰击损伤，同时可实现常规等离子清洗。主要用于SEM或FIB等电镜腔体内碳氢化合物的清洗。产品特点u 双等离子清洗源u 一机多用u 高效低损伤技术参数产品型号CIF-SEM法兰接口KF40工作气压0.3-3Pa等离子电源13.56MHz射频电源，射频功率5-100W可调，自动匹配器气体控制标配双路50毫升/分气体质量流量控制器（MFC），精确测量自动控制气体流量，不会受环境温度和压力变化影响气源选择根据需求氧气、氩气、氮气、氢气等多种清洗气源选择真空控制美国MKS公司925-12010皮拉尼真空计， 测量范围1E-5Torr真空保证真空计和电磁阀安全互锁操控方式7寸全彩触摸屏控制，中英文互动操作界面电源/功率220V，50/60Hz，300W可选配件可选氧气、氮气、氢气发生器， 氢气纯度﹥99.999％，输出流量0-300ml/min 质量保证二年质保，终身维护创新点：CIF 扫描电镜（SEM）等离子清洗机采用双等离子清洗源设计，自动切换，一机多用，清洗快速高效、低等离子体轰击损伤，核心部件采用国际一流品牌，保证设备优异的质量和稳定性。 CIF扫描电镜等离子清洗机

仪器信息网讯 2024年5月18-19日，2024清华大学国家卓越工程师学院春季工程博士论坛在北京亦庄举办。论坛围绕“先进装备”“大健康”“未来建设”“工业软件”“集成电路”“新能源”“综合交通”“大数据AI”“智能制造”九大产业集群要素开展主题沙龙。本次论坛作为又一次盛大的学术交流活动，现场展出了诸多优秀创新成果，仪器设备相关成果也位于其中，如“应用于集成电路制造的12英寸电感耦合等离子体刻蚀机和硅通孔（TSV）铜籽晶层物理气相成绩（PVD）设备”、“单束高通量扫描电镜及其跨尺度材料观测分析”。成果一：等离子体刻蚀机和硅通孔（TSV）铜籽晶层物理气相成绩（PVD）设备一、主要工程技术难点和创新性1、等离子体刻蚀机：先进脉冲射频脉冲等离子体产生和控制技术，实现多种等离子体参数的调控 先进的抗等离子体刻蚀的涂层技术实现纳米级别的颗粒环境调控，复合径向和角向联合小区域精确控温技术实现优异的整片关键尺寸均匀性，高精度终点检测技术(如光学发射光谱和光学相干光谱)识别精细刻蚀工艺过程中信号强度变化 双重/四重图形曝光工艺能力实现小线宽的图形控制等技术。2、TSV铜籽晶层物理气相沉积设备：高离化率磁控管技术、带有偏压的低温ESC技术 实现高深宽比下高台阶覆盖率沉积 实现优异的颗粒控制 二、工程应用价值和成熟程度目前研发的等离子刻蚀机，通过实现优异的双重/多重图形曝光、高介电常数介质/金属栅等刻蚀工艺形貌控制，适用于鳍式晶体管、多层3D NAND 闪存高密度DRAM内存等先进结构生成，广泛应用于国际主流逻辑、存储等芯片制造生产。TSV铜籽晶层物理气相沉积设备，已经广泛应用于逻辑，存储和先进封装芯片领域，能够实现较高深宽比的硅通孔铜籽晶层沉积，该设备已在多家客户端实现量产应用，代表国产金属薄膜沉积设备的较高水平。成果二：“单束高通量扫描电镜及其跨尺度材料观测分析”创新性的设计单束扫描电镜的电子光学系统：1、采用浸没式的电磁复合透镜保证1nA的落点电流下实现1.8nm@1keV的分辨率。2、采用位于透镜中的背散射(BSE)和二次电子(SE)探测器提高信号电子收集效率和图像信噪比，实现最短10nS/像素的驻留时间，即实现100M像素/秒的成像速度。工程博士论坛每年春季学期和秋季学期各举办一次，旨在加强工程领域的学术交流，激发工程博士生的创新思维，提高工程博士生解决复杂工程技术问题、进行工程技术创新、组织工程技术研究开发工作等能力，促进跨界交叉融合创新，不断扩大工程博士生在工程界、学术界和社会上的影响，推进产教融合，高起点、高质量地培养造就工程技术领军人才。工程博士论坛自2019年创办至今，已先后在北京、南通、深圳、成都、海盐、武汉、上海成功举办9届，经过几年不断地建设和发展，论坛活动成效和影响力不断扩大，逐渐打造成彰显清华特色的学术品牌。工程博士论坛网站：http://qhgbforum.ihaogo.com/index.htmlfor

中国科学院微电子所射频电源(RFGenerator)课题组(www.rf-power.net)从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功500W-10KW电子管射频电源，获得“六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。 　　从2010年开始在极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)项目资金支持下，研发晶体管射频电源(13.56MHz)，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源，获得第七届国际发明展览会银奖。 　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全,目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。 　　目前射频电源组分为三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。 　　产品研发部：有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。 　　产品生产部：有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套，库房常年备有库存，可保证给客户随时发货。 　　产品推广与售后服务部：有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。 　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，射频感应加热，医疗领域的消毒与理疗美容，常压等离子消毒清洗等领域。 　　中国科学院微电子研究所射频电源组网址：www.rf-power.net

为满足半导体设备客户的需求，中科院射频电源组(www.rf-power.net)经过2个月的设计研发，于2013年3月正式推出固态RFG-2000高端型射频电源(3U风冷系列)，此型号适用于大腔室刻蚀等半导体设备。此型号带有RS232/RS485/USB通讯协议，模拟口通讯，脉冲调制，相位同步与移相等功能。 固态RFG-2000高端型射频电源(3U风冷系列) 　　中国科学院微电子所射频电源(RF Generator)课题组从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功500W-10KW电子管射频电源，获得“ 六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。 　　从2010年开始在极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)项目资金支持下，研发晶体管射频电源(13.56MHz)，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源，获得第七届国际发明展览会银奖。 　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全, 目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。 　　年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。 　　目前射频电源组，实行组长负责制，下设三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。 　　产品研发部：实行部长负责制，有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。 　　产品生产部：实行部长负责制，有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套，库房常年备有库存，可保证给客户随时发货。 　　产品推广与售后服务部：实行部长负责制，有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。 　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，射频感应加热，医疗领域的消毒与理疗美容，常压等离子体消毒清洗等领域。 　　中国科学院微电子研究所射频电源组网址：www.rf-power.net

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/strong /p p 　　关于当下半导体相关领域研究进展或研究热点，刘剑表示：“我之前研究领域主要在III-V族半导体材料，但最近又开始回归到传统半导体硅材料，当然也会涉猎部分III-V族半导体材料。从目前来看，类似我们这样的科研工作者，不太容易区分大家具体是做什么材料体系，基本是受一个学科进展的牵引或个人的兴趣，基于不同的材料在做相近的科研。而关于研究热点，其实这次研讨会主题内容中的第三代半导体以及垂直腔面发射激光器(VCSEL)都是当下大家比较关注的。值得一提的是，VCSEL并不是一个新的研究领域，相关研究也有多年的历史，但就是因为IphoneX用了这种3D图像技术之后，VCSEL才重新进入到大众视野。这也成为工业应用热点再次推动了相关科研的一个实例。” /p p 　　中国科学院半导体所研究员张峰介绍说：“我是研究碳化硅的，领域是宽禁带半导体。因为我们国家对宽禁带半导体的布局比较早，包括碳化硅衬底材料、外延材料、器件，还有最后的封装，所以相比传统半导体领域，与世界的差距并没有那么大，也就是2-3年的时间。因此这个领域在未来五到十年内，我们国家有很大希望能够迎头赶上，甚至在某些方面可以达到世界一流的水平。”关于半导体研究热点，他认为：‘从“中兴之痛”事件我们可以看到，半导体研究或关注的热点主要是极大规模集成电路方面，在14纳米、7纳米及5纳米这些制程方面的一个进展。也就是说我们国家在这个方面跟国际的差距还比较大，目前我们实现量产是28纳米，我们希望未来能向14纳米、7纳米及5纳米靠近。但这需要产业链整体的提高，包括我们的设备、设计、器件制作工艺，及最后的封装等各个方面，这样才能够跟得上世界的发展。目前半导体研究热点主要是在设计及工艺制备这两方面。工艺制备方面又跟设备很相关，所以说这些都是紧密相连的。’ /p p 　　牛津仪器的刻蚀、沉积、生长等相关设备及工艺解决方案在中国半导体领域的市场占有率较高，且拥有广泛的科研及生产企业用户群。设备厂商在前沿热点把控上，在时刻保持对用户最新需求的关注基础上，职业敏锐性往往赋予他们自己的优势。那么，牛津仪器又对哪些半导体领域的热点保持关注呢?牛津仪器等离子技术部亚洲区销售和服务副总裁Ian Wright表示：“牛津仪器接下来的关注重点，不光是那些具有研发创新能力但处于初期发展阶段的企业，我们更感兴趣的是那些已经成熟的解决方案，这需要更多更稳定的设备把之前好的工艺过程重复出来。对于我们关注的产业领域，主要有两个，第一是光电子领域，比如一些手机的3D面部识别功能，这个功能其实是运用到了我们VCSEL工艺，这个工艺还可以用在无人驾驶汽车的智能测距(测距机理即安装的各种光电传感器，通过各种光电传感器件的协同合作来实现自动驾驶功能)。第二个领域是5G信号网络，该领域会用到一些比较先进的光电子、功率器件，比如，之前的功率器件是基于硅，第二代是基于砷化镓，第三代是氮化镓和碳化硅工艺，牛津仪器是从第一代到三代全覆盖的，当然我们正在着手研究更先进的第四代、第五代半导体，如氧化镓、金刚石等。” /p p 　　 strong 用户与设备商协同发展，用户怎么看?牛津仪器怎么看? /strong /p p 　　在半导体领域，工艺设备对科研或企业生产是至关重要的。张峰认为：“工艺设备是一个基础，如果没有工艺设备，我们设计的东西就没办法实现，但是我们国家在这方面实际上是跟世界有一些差距的，80%-90%工艺设备需要进口。所以，工艺设备方面，我们希望与像牛津仪器这样的国外优秀厂商合作，学习他们的先进技术及经验，使我们国家逐渐掌握工艺设备的研发及生产能力。另外，从科研用户角度讲，我们也有很好的合作。我们会及时向牛津仪器反馈一些最新的需求，比如我们做氮化镓，碳化硅的时候，需要让刻蚀设备刻蚀的更精密一些(如今天会上牛津仪器介绍的原子层刻蚀技术)，还有就是在原子层刻蚀与传统等离子体刻蚀结合的需求等。当然，牛津仪器也在不断努力配合我们的需求。”关于如何实现用户与设备供应商更好的合作，张峰表示：“客户可以首先提出一些需求、提供一些样品，让设备厂商提供一些解决方案，及刻蚀的结果 另外，希望设备厂商针对客户提出的新需求，如定制化的需求等，能够积极的满足。” /p p 　　刘剑补充道：“从科研用户来讲，与生产用户不同的是，我们往往会提出一些特殊的需求。我们主要希望设备企业的工艺设备能够稳定，并能获得我们所需的实验结果。牛津仪器会和用户一起来开发新的工艺，接受客户提出的部分特殊需求，去单独开发一套工艺，然后结合设备一起提供给客户，这对客户研究过程中一些特殊情况是有很大帮助的。” /p p 　　Ian Wright对两位老师的看法表示赞同，并表示：“总结来看，用户对我们提出的需求主要有三个方面：第一是希望我们能够把牛津仪器一些成熟的解决方案尽快的提供给他们 第二就是他们提出一些特殊需求，我们如果没有一个对应方案的话，能够配合他们一起去解决 第三，售后服务保障，作为一个合格的生产先进器件厂商，并不是说你有了一台先进的工艺设备放在那里就可以没有后顾之忧，接下来的售后服务能力也对你之后的企业发展有很重要的影响。比如设备一旦出现故障，多长时间可以解决 需要一个备件，又需要多长时间可以提供，也是客户衡量设备供应商的一个标准。在此，我敢肯定的是，牛津仪器有能力也愿意在刚才提到的三方面需求全方位与客户合作，解决客户从售前到售后的后顾之忧。” /p p 　　“牛津仪器走进中国市场已经20余年，但等离子技术部门的大部分精力放在了高校院所科研用户上。为满足更广泛用户的需求，我们决定将工作重心逐渐向技术非常成熟的生产企业用户转移，增强深入合作，通过我们的设备及工艺再加上科研用户的技术来孵化出更多更新的成果。” Ian Wright继续说道。 /p p 　　牛津仪器等离子技术部中国区经理陈伟表示：“中国从过去的能源依赖，发展到现在成为芯片依赖社会形态，包括在各个国家国际环境的变化，都逐渐把矛盾转移到芯片研究上来。许多人认为这是一个危机，但我认为这对我们国家、对我们设备供应商都是一个机遇。现在中国在大力推广自己的芯片产业，这个过程，就需要像牛津仪器这样能够提供优秀设备、解决方案的公司来一起合作，把最新的芯片用最短时间开发出来，这样中国就不必再受制于人。”关于中国市场，他表示：“中国始终是牛津仪器十分重视的市场所在，公司也愿意投入更多的财力、物力到中国市场上来，接下来，牛津仪器将加强与用户的合作。如我们现在正在和一些客户讨论，以共建实验室的方法，来让客户在这方面有更快的突破，帮助一些有潜力客户实现量产。另外，如Ian Wright所说我们更加重视科研客户的同时，对于生产企业客户，我们也会不断加大服务力度，比如，近两年我们相关的售后服务团队就增加了一倍。” /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/418b86a0-2820-4b0c-98ac-4ca3401df3ef.gif" title=" 第05.gif" / /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 0, 0) " (右一：牛津仪器等离子技术部亚洲区销售和服务副总裁Ian Wright /span /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 0, 0) " 右二：牛津仪器等离子技术部中国区经理陈伟) /span /p

2013年5月20日，“中国移动杯”暨第七届北京发明创新大赛颁奖仪式在北京中国农业展览馆举行，微电子所受邀参加的成果“固态射频电源系统”获大赛组委会颁发的发明创新奖“金奖”。 　　此次大赛的颁奖仪式是在5月19日开幕的全国科技活动周暨北京科技周举办期间进行的。大赛以“弘扬北京精神科技改变生活”为主题，面向国内外征集科技发明项目。通过历时五个多月的参赛报名、网上公示和专家评审，经初赛、复赛和决赛三个阶段，大赛组委会最终在参赛的1272个项目中评选出特等奖1 项，金奖29项，银奖70项，铜奖100项，微电子所“固态射频电源系统” 和“45-22nm集成式光学临界尺度(OCD)在线检测设备”两项成果分获大赛组委会颁发的发明创新奖“金奖”和“铜奖”。 　　中国科学院微电子研究所射频电源课题组(www.rf-power.net)从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功，获得“六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。 　　从2010年开始受到极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)资金支持，研发晶体管射频电源，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源(13.56MHz)，获得第七届国际发明展览会银奖与第七届北京发明创新大赛金奖。 　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全,年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。 　　目前射频电源组分为三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。 　　产品研发部：有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。 　　产品生产部：有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套。 　　产品推广与售后服务部：有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。 　　目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。 　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，感应加热，医疗领域的消毒与理疗，等离子清洗等领域。 　　产品现已售往北京、上海、杭州、苏州、香港、南京、西安、成都、深圳等地的几十所高校、科研单位及半导体设备厂等高技术公司，得到用户的一致好评。 　　中科院射频电源组网址：www.rf-power.net

自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来，研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程，也是当前中国市场最为紧迫的一项技术，关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行，也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开刻蚀设备，其中等离子体刻蚀机更是先进制程中必不可少的设备，是重中之重。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况，可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。为了解过去2021年中等离子体刻蚀机的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-10月，等离子体干法刻蚀机（商品编码84862041）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2021年1-10月进口等离子体刻蚀机贸易伙伴变化（人民币/万元）贸易伙伴进口额（元）进口数量（台）均价（元/台）美国777014343651615058418日本621252727637416611035韩国328231684432710037666中国台湾18771365038921091421新加坡181269896211316041584马来西亚17790801177723104937英国544211135786977066德国203676120414967710中国1296367043240918荷兰632916423164582法国415082322075412波兰643071643072021年1-10月各贸易伙伴进口总额（人民币/元）2021年1-10月，中国进口等离子体干法刻蚀机总额约235亿元，总台数达1624台，其中美国进口金额最多约78亿元，台数达516台，占比高达33%，日本进口金额紧随其后约62亿元，374台，占比达26%。可以看出，目前等离子体刻蚀机主要来自于美国和日本，进口均价都超1500万元/台，此类等离子体刻蚀机以高端产品为主，主要用于生产。值得注意的是，波兰进口的一台等离子体刻蚀机仅6万多元，此设备可能是用于科研领域的低端产品或配件。从此前统计的【2020年等离子体刻蚀机海关进出口数据盘点】可以看出，2020年1-12月，我国共进口等离子体刻蚀机1276台，进口额约为170亿元，而今年仅前十个月就已超去年全年的进口额。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-10月等离子体干法刻蚀机进口数据（人民币/万元）从进口额的时间变化趋势可以看出，等离子体刻蚀机进口额在4-6月出现了一个高峰，进口额连续大幅度增长，而在七月份却断崖式下跌，直到回归正常水平。这一变化可能和疫情有关，在夏季全球疫情由于气温上升得到缓解，海关进口更畅通，而春秋季节气温较低，全球疫情出现反复。另一个可能的原因是海运费用暴涨导致六月以后进口额降低。2021年1-10月等离子体刻蚀机各注册地进口数据变化（单位/万元）2021年1-10月等离子体干法刻蚀机注册地进口额分布那么这些等离子体刻蚀机主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，陕西省、上海市和湖北省的进口额最多，分别为54亿元、43亿元和41亿元。等离子体刻蚀机主要应用于集成电路生产中，这表明这些地区在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对等离子体刻蚀机的需求也在激增。我国在1-10月从韩国进口等离子体刻蚀机总额约33亿元，其中注册地为陕西省的进口额约19亿元，占比约59%。这表明，陕西省等离子体刻蚀机的进口可能和三星等韩国企业在西安的半导体生产线有关。

为进一步满足客户的实验工艺需求，雷博科仪特推出新款实验型等离子清洗机：PT13M-BE、PT13M-SE、PT13M-GE、PT40K-BE、PT40K-SE仪器介绍等离子清洗机(plasma cleaner)也叫等离子清洁机，或者等离子表面处理仪，是一种全新的高科技技术，利用等离子体来达到常规清洗方法无法达到的效果。等离子清洗可以除去器材表面细小的油膜、锈迹或其他油类污物，而且在等离子清洗后，不会在器材表面留下残余物。工作原理等离子清洗机是一种利用等离子体技术对材料表面进行处理的设备，其工作原理主要基于等离子体中的活性粒子与材料表面发生物理和化学反应，从而达到清洁、活化、改性等目的。应用工艺雷博科仪PT系列等离子清洗机主要应用于：亲水性处理、表面处理、疏水性处理、键合处理。亲水性处理操作真空等离子清洗机通过高频电源产生电场能量，使得气体分子发生电离和激发，形成含有大量正离子、电子和自由基等活性物质的等离子体。这些活性物质在与材料表面发生作用时，能够去除表面的污染物和有机物，同时在材料表面引入含氧极性基团，如羟基、羧基等，这些基团的引入增加了材料的亲水性。①准备阶段：将要处理的材料放入真空等离子清洗机中，设定适当的处理参数，如处理时间、气体种类和浓度等。②抽真空阶段：启动真空泵，将腔体内抽成真空状态。③注入气体：选择适当的气体（如氩气、氧气、氮气等）注入腔体，形成等离子体。④等离子照射：在一定的电压和电流条件下，产生等离子体，通过等离子体中的活性粒子与材料表面发生作用，去除表面污染物，并在表面引入亲水基团。⑤结束处理：停止等离子照射，取出材料，完成亲水性处理。我们的优势1.满足8寸以下基片使用2.可处理形状复杂的材料3.低温等离子体，能量低、密度高4.对处理产品无损伤，不改变材料特性5.高效清洗，快速达成需要的表面亲水性6.无环境污染、无化学品消耗、机台本身不产生污染物

牛津仪器等离子技术最近更新的App包括一个明确和互动的元素周期表、详细的等离子体、离子束和原子层沉积工艺信息。它允许iPhone和iPad用户查阅工艺化学的相关信息，可以通过简单的周期表界面实现任何材料的刻蚀和沉积。 　　这个周期表App可以免费下载,将吸引大量的工业和学术界的用户。同时，它也是一个优秀的教学设备,可以展示单个元素属性和电子构型。

自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来，研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程，也是当前中国市场最为紧迫的一项技术，关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行，也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开半导体设备，其中刻蚀设备是其中的重中之重。据了解，目前我国已经突破了刻蚀设备的技术难关，其中中微公司的5nm刻蚀设备已成功销往海外，更是进入台积电的生产线。如今最先进的芯片制造主要使用干法刻蚀技术即等离子体刻蚀技术，相对于湿法刻蚀，具有更好的各向异性，工艺重复性，且能降低晶圆污染几率，因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。伴随着国际半导体行业的产能危机，国内等离子体刻蚀机需求或将爆发。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况，可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况。2020年是特殊的一年，新冠肺炎疫情在全球爆发，各行各业都受到了一定的影响，包括半导体产业。为了解过去近两年中等离子体刻蚀机的进出口情况，仪器信息网特别对2019、2020年1-12月，等离子体刻蚀机（商品编码84862041）进出口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2019、2020年1-12月海关等离子体刻蚀机进出口数据统计统计年月进口量（台）进口金额（人民币：元）出口量（台）出口金额（人民币：元）2019年1-12月109712,685,798,98279353,896,8762020年1-12月127616,949,614,747122577,419,680从上表可以看到，2020年1-12月，我国共进口等离子体刻蚀机1276台，进口额约为170亿元，进口单价约为1328万元。而2019年同期，等离子体刻蚀机进口1097台，进口额约为127亿元，进口单价约为1156.4万元。与去年同期相比，2020年1-12月我国等离子体刻蚀机进口台数增加约16.3%，进口额增加约33.6%，进口单价提高约15%。从整体来看，2020年进口等离子体刻蚀机市场增长非常明显，同时进口单价也略有提高。而从出口情况来看，2020年1-12月，我国共出口等离子体刻蚀机122台，出口额约为5.8亿元，出口单价约为473万元。而2019年同期，等离子体刻蚀机出口79台，出口额约为3.54亿元，出口单价约为448万元。总体而言，我国等离子体刻蚀机出口量仍然很少，但2020年比上年同期出口金额明显增加约63%，出口数量增加约54%，出口单价也略有提高。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据图（单位：台）对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据分析发现，并对比2019年同期数据可以明显看出，2020年等离子体刻蚀机进口数量明显有所增加，且逐月变化较为明显，其中2020年1月受国内新冠肺炎疫情影响，等离子体刻蚀机进口数量较去年有所下降，而则2~4月份迎来“报复性”增长，等离子体刻蚀机进口台数比去年同期多大约一半，5~7月每月进口数量与去年有所增长，但增幅有所下降，8月进口数量较去年同期有所下降，可能受国外新冠疫情影响，而9月进口量的大爆发可能是为了弥补8月份进口量不足的部分。10-11月平稳增加，但12月进口量再次下降，这可能来自于特朗普政府将中芯国际列入“实体清单”和冬季疫情反扑的多重影响。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据图（单位：人民币/亿元）对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据分析发现，并对比2019年同期数据可以明显看出，除12月较去年进口金额有所下降以外，等离子体刻蚀机每月进口金额都较去年同期有所增加，其中，6、7、11月较去年增长幅度较小之外，但其他月份增幅明显。值得注意的是，9月进口额更是达到了去年同期的两倍以上，一个可能的原因是9月份台积电停止为华为代工芯片，华为大量订单转向国内代工厂生产，国内代工厂的扩大产能所导致。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴数量（单位：台）2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴金额（单位：人民币/亿元）2020年1-12月等离子体刻蚀机海关进口贸易伙伴金额分布图根据海关数据，近两年我国主要从美国、日本、新加坡、韩国、中国台湾、马来西亚、英国以及德国等贸易伙伴进口等离子体刻蚀机。其中进口金额最高的前5个贸易伙伴分别是美国、日本、新加坡、韩国和中国台湾。从数据中可以看出，我国等离子体刻蚀机对美日依赖严重。2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地数量分布（单位：台）2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地金额分布（单位：人民币/亿元）通过海关进口等离子体刻蚀机的企业注册地数据，可以大致了解到进口等离子体刻蚀机在国内的“落脚地”。可以看出 ，2020年，江苏、上海、湖北、陕西等省市进口等离子体刻蚀机数量较多，而这些地区也是我国经济较发达，半导体相关行业比较发达的省份和地区。就海关进出口数据来看，等离子体刻蚀机在国内的市场潜力非常巨大，2020年尽管新冠疫情爆发给各行各业造成一定影响，但我国等离子体刻蚀机市场增长依然明显，但由于进口等离子体刻蚀机美日产品占据主流，受到美国贸易战影响较大，国内产线等离子体刻蚀机的“去美化”迫在眉睫。另一方面，由于国内掌握等离子体刻蚀机所涉及的核心零部件、研发人才等仍然相对较少，虽然在介质刻蚀机上的研究已逐渐达到国际先进水平，但难度较大的深硅等离子体刻蚀机的发展距美、日还有一定差距。同时，由于半导体设备企业与晶圆代工厂的工艺深度绑定，也使得等离子体刻蚀机为代表的半导体设备仍依赖进口，受制于人。不过，近年来随着以中微半导体、北方华创等国内等离子体刻蚀机厂商的崛起，国产刻蚀机在一定程度上也能满足部分企业的要求。未来，伴随着中美半导体产业的争夺和全面“去美化”的浪潮，等离子体刻蚀机的国内市场占有率将有望进一步提升。

采用进口品牌高性能真空干泵产生一个洁净的 50 Pa的真空压强，通常抽真空时间小于2-3分钟。采用高品质恒功率RF射频电源，确保工艺重复性。感应射频放电模式也大幅降低等离子体对样品的热影响和离子轰击损伤。特别适用于对温度或轰击敏感的TEM或SEM生物样品进行清洗、表面活化、亲水化等用途。触摸屏自动控制，即插即用。创新点：1.采用高性能无油隔膜泵，抽真空及等离子处理过程中不会产生二次有机污染物； 2.采用ICP远程离子源，使等离子体严格束缚于离子源表面，达到样品表面起清洗作用的是氧活性原子及臭氧分子； 3.清洗或活化过程是纯化学反应过程（没有物理溅射作用）；即与样品表面有机污染物（碳氢化合物）发生化学反应，生成CO2，CO，H2O并被真空泵组抽出；最终实现样品表面有机污染物清洗之目的。 【SuPro】离子清洗仪IC150

等离子清洗机的清洗过程指导等离子清洗机 的清洗过程一般包括以下步骤：1. 准备工作：先将待清洗物放入等离子清洗室，并确保清洗室内没有杂物和污垢。2. 封闭清洗室：关闭清洗室的门和密封装置，确保清洗室密封。3. 抽气和抽真空：打开真空泵，将清洗室内的气体抽走，形成一定的真空度。真空度的选择根据清洗物的要求和等离子清洗机的规格来确定。4. 气体进入和等离子放电：在清洗室内引入清洗气体（如氧气、氮气等）并调整流量和压力。然后启动等离子发生器，产生等离子放电，形成气体等离子体。5. 清洗时间和功率：根据清洗物的材料和污染程度，设定适当的清洗时间和功率。清洗时间通常为几分钟到几十分钟，功率通常为几十瓦到几千瓦。6. 清洗结束和处理：清洗时间结束后，关闭等离子发生器和抽真空泵。待等离子体消失后，打开清洗室门，将清洗物取出。7. 清洗室清理和维护：清理清洗室内壁、电极和密封件，并检查设备的各种部件是否正常。需要注意的是，在进行等离子清洗时，应根据具体情况选择合适的清洗参数，如气体种类、流量、压力、功率等，在操作过程中要遵循设备使用说明书和安全操作规范，确保操作安全和清洗效果。

近日，小米汽车SU7正式亮相，在电池安全方面，小米采用全球最高电池安全标准，全系采用高安全的电芯。另外，小米SU7上市27分钟大定超5万台，十分火爆。*图片源自小米汽车视频号，侵删在新能源汽车行业迅猛发展的当下，800V及以上高电压平台车型的兴起，电池安全也成为汽车制造商和消费者的核心关注点。一、PET蓝膜 vs UV涂覆绝缘材料电池绝缘材料作为电池安全的重要屏障，对于电池模组性能乃至整车性能都有着关键作用。在电池生产过程中，PET蓝膜以其良好的绝缘性、化学抗性和拉伸强度备受青睐，PET蓝膜贴合一直以来都是主流的绝缘方案。然而，随着新能源汽车对电池性能的要求提高，PET蓝膜逐渐显现出其局限性，蓝膜粘接性能不足，且在高电压下容易产生击穿风险，对于电池安全而言是一大隐患。为优化单体电池乃至整个电池模组的性能，UV涂覆绝缘材料应运而生。这种材料不仅具备良好的绝缘性、耐高温性和耐腐蚀性，还具备与电池完美结合的能力，能够为电池提供更为全面的保护，有效防止短路和热失控的风险。而UV涂覆绝缘材料也因此被认为在动力电池领域具有广泛的应用前景。*图片源自网络，侵删UV涂覆绝缘材料喷涂固化后，会在电芯铝壳表面形成一层连续、致密的绝缘涂层，可以提高电芯的耐久性和稳定性，延长使用寿命。同时，为了使得UV涂覆绝缘材料可以更好地与电芯铝壳表面结合，等离子表面预处理的作用不容小觑。二、等离子表面处理在喷涂UV绝缘材料之前，通过等离子表面处理可以粗化电芯铝壳表面，提高其表面附着力，使其更有利于UV绝缘材料的涂覆和固化，有助于防止涂层在使用过程中出现脱落或剥离，进一步提高电池的安全性和可靠性。大气等离子清洗机应用案例经过等离子处理前后接触角的数据对比可以看出，电芯铝壳表面润湿性得到提高，保证后续UV绝缘材料能够更均匀地分布。大气等离子清洗机，适用于各种平面材料清洗，在动力电池领域，可搭配旋转枪头使用，有效粗化材料表面，提高表面附着力和润湿性。

CIF透射电镜样品杆清洗机CIF透射电镜（TEM）样品杆清洗机采用双等离子清洗源设计，自动切换，一机多用，清洗快速高效。远程等离子体清洗快速高效低轰击损伤，同时可实现常规等离子清洗。主要用于TEM透射电镜样品杆的等离子体清洗和真空检漏用途。产品特点u 双等离子清洗源u 一机多用u 快速高效低损伤 技术参数产品型号CIF-TEM真空泵Agilent 、IDP-3涡轮式真空干泵入口压力1.0个大气压（0psig），出口压力1.4个大气压（6.5psig）抽速60L/min，极限真空3.3 x 10-1 mbarKF16入口接口等离子电源13.56MHz等离子射频电源，射频功率5-100W可调两种等离子体清洗源，原位等离子源和远程等离子源，自动匹配器清洗室清洗室尺寸(长X宽X高)150X150X150mm清洗数量可同时清洗3支TEM样品杆适配品牌THERMO FISHER（FEI）、日立HITACHI、捷欧路JEOL气体控制标配双路50毫升/分气体质量流量控制器（MFC），精确测量自动控制气体流量，不会受环境温度和压力变化影响气源选择根据需求氧气、氩气、氮气、氢气等多种清洗气源选择真空控制美国MKS公司925-12010皮拉尼真空计， 测量范围1E-5Torr真空保证真空计和电磁阀安全互锁操控方式7寸全彩触摸屏控制，中英文互动操作界面电源220V，50/60Hz，300W质量保证二年质保，终身维护创新点：CIF透射电镜（TEM）样品杆清洗机采用双等离子清洗源设计，自动切换，一机多用，清洗快速高效、低等离子体轰击损伤，同时可实现常规等离子清洗。核心部件采用国际一流品牌，保证设备优异的质量和稳定性。主要用于TEM透射电镜样品杆的等离子体清洗和真空检漏用途。 CIF透射电镜样品杆清洗机

p 2020年8月7日，应用材料公司今天宣布为其大获成功的Centris& reg Sym3& reg 刻蚀产品系列再添新成员。现在，该系列产品能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以更加精细的尺寸成像和成型。 /p p 应用材料公司的Centris& reg Sym3& reg Y刻蚀系统能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以更加精细的尺寸成像和成型。 /p p 新型Centris Sym3& reg Y是应用材料公司最先进的导体刻蚀系统。该系统采用创新射频脉冲技术为客户提供极高的材料选择性、深度控制和剖面控制，使之能够在3D NAND、DRAM和逻辑节点（包括FinFET和新兴的环绕栅极架构）创建密集排列的高深宽比结构。 /p p Sym3系列成功的关键在于其独特技术特征：高电导反应腔架构能够提供特殊的刻蚀剖面控制，快速有效地排出每次晶圆工艺产生的刻蚀副产物。Sym3 Y系统采用保护关键腔体组件的专有新型涂层材料，扩大了该成功架构的优势，从而进一步减少缺陷并提高良率。 /p p Sym3刻蚀系统于2015年首次推出，如今已成为应用材料公司历史上最迅速大量占领市场的产品。时至今日，Sym3反应腔出货量达到了5000台大关。 /p p 应用材料公司的战略是为客户提供全新的材料成型和成像方法，以实现新型3D结构并开辟继续进行2D微缩的新途径，而Sym3系列正是实现这一战略的关键产品。应用材料公司采用独特的化学气相沉积（CVD）镀膜技术对Sym3系统进行协同优化，让客户能够增加3D NAND内存器件中的层数，并减少DRAM制造中四重成型所需的步骤数。应用材料公司会将上述技术与其电子束检测和审查技术一同部署，以加快研发并大规模实现行业最先进节点的产量爬坡，从而帮助客户改善芯片功耗、增强芯片性能、降低单位面积成本并加快上市时间（PPACt）。 /p p 应用材料公司半导体产品事业部副总裁兼总经理Mukund Srinivasan博士表示：“应用材料公司在2015年推出Sym3系统时采用了全新方法进行导体刻蚀，并解决了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蚀难题。今天，在最先进的存储器和代工厂逻辑节点中，关键刻蚀和极紫外（EUV）图形化应用呈现出强劲的发展势头和增长。未来，我们将继续升级并助力业界向下一代芯片设计演进。” /p p 每个Sym3 Y系统均包括多个刻蚀和等离子清洁晶圆工艺反应腔，并由智能系统控制可确保每个反应腔都拥有一致的性能，从而实现稳定的工艺和高生产力。全球多家领先的NAND、DRAM和代工厂逻辑节点客户都在使用这一新系统。 /p

p style=" text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em " 近日，《质谱学报》出版了由复旦大学杨芃原教授组织，全国多家质谱研制相关课题组参与撰写的“质谱仪器研制专辑”，专辑主要包含四极杆的离子光学和串联振荡技术 四极杆的导向装置、四极杆质量分辨自动调节技术、三重四极杆仪器开发平台以及三重四极杆质谱分析软件等硬软件技术 双线形离子阱间离子传输技术和静电轨道离子阱离子切向引入技术 小型飞行时间质谱和离子束诊断飞行时间质谱 复合离子源技术和激光后电离技术 以及集成了质谱技术的超宽波段光解离光谱系统和调控纳微尺度分子组装装置的研制等内容。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　仪器信息网授权对本专辑内容进行转载，以下为系列分享第二期，题为“ strong 用于低质荷比离子传输的射频四极杆导向装置的研制” /strong 的文章，作者贺飞耀，通讯作者为四川大学段忆翔教授。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　段忆翔教授，博士生导师，现任四川大学分析仪器研究中心主任，是四川大学分析仪器研究中心的创始人。科技部重大科学仪器设备开发专项项目负责人。自2010年8月回国至今，开发研制了系列激光诱导击穿光谱仪，基于等离子体的便携式光谱仪，质子转移反应质谱仪，离子迁移谱仪等多种分析测试仪器，已申请专利共计80余项，发表SCI论文200余篇。作为项目负责人承担多个国家、省部各种项目。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　其课题组主要的研究方向有： 新型质谱离子源与质谱技术、激光光谱分析技术、新型生物传感器及光纤传感技术、创新型分析仪器的研发等。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　离子传输系统是质谱仪的重要组成部分，主要作用是将离子高效率地传输到质量分析器。文章介绍课题组研制了一种用于质子转移反应飞行时间质谱（PTR-TOF-MS）系统的射频四极杆离子导向装置，四极杆长80mm，杆半径2.6mm，内切圆半径2.25mm，该装置可针对性地实现低质荷比挥发性有机化合物（VOC）离子的聚焦传输。利用SIMION8.1离子光学模拟平台对装置的运行环境进行仿真，然后在自行搭建的测试平台上对装置的工作条件，如气压、频率和电压幅值进行测试。结果表明，仿真和测试结果具有较好的一致性，装置的工作气压范围较宽，在0.2-0.3Pa时的传输效率最高；当频率为3-4MHz，电压幅值（Vp-p）为500V左右时，对丙酮、甲苯等低质荷比VOCs（& lt m/z 100）的传输效率接近76%，且离子束直径≤0.7mm。该装置结构简单、成本低、传输效率高，具有潜在的实用价值，有望应用于PTR-TOF MS系统。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em text-indent: 2em " 以下为全文： /p p style=" text-align: center" img style=" " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/55294ba3-ee3b-4a51-81b4-b3374bbcc574.jpg" title=" 2-1.png" / /p p style=" text-align: center" img style=" " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/356e51c7-46c5-4f46-8b8a-736f2d0b82f9.jpg" title=" 2-2.png" / /p p style=" text-align: center" img style=" " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/e67497d5-d30a-4397-bd61-d9d94f224799.jpg" title=" 2-3.png" / /p p style=" text-align: center" img style=" " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/9ab83c14-288b-4340-af4f-8777b1bfc213.jpg" title=" 2-4.png" / /p p style=" text-align: center" img style=" " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/81272aa9-5927-41fa-859d-e931819754da.jpg" title=" 2-5.png" / /p p style=" text-align: center" img style=" " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/2bb18278-c628-4143-a84c-4b8d6e5caf15.jpg" title=" 2-6.png" / /p p style=" text-align: center" img style=" " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/78d1ba65-cb14-452c-90a7-bcf34602c317.jpg" title=" 2-7.png" / /p p style=" text-align: right " span style=" font-size: 18px " strong 来源：《质谱学报》 /strong /span br/ /p

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日，深圳市普仕曼科技有限公司发布PSM /等离子清洗机/ PR1000B新品，该设备为射流型大气低温等离子处理机(旋转型），可以针对三维物体进行均匀高效的表面清洁处理和表面活化。在表面清洗方面，可以进行粘接、锡焊、电镀前的表面处理，适用于手机盖板、摄像头模组；汽车密封条、灯罩、刹车片等；PCB板除胶、LCD屏涂覆处理等。在表面活化方面，可以进行生物材料的表面修饰，电线电缆表面喷码，塑料表面涂覆，金属基材的表面清洁活化，印刷涂布或粘接前的表面处理。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 该设备设备具有可靠的系统性能，系统设备可实行自检以及全面过程的状态及参量监测、监控，并报警保护。灵活的控制方式,可实现主机面板控制、远程控制；也可实现人工控制，或自动化在线控制方式。适合多种使用场合& nbsp ,多种喷射枪嘴选用，可适合多种的处理应用场合。 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201906/pic/47eb032d-5c4b-42fc-8814-994df399d1de.jpg!w400x400.jpg" alt=" PSM /等离子清洗机/ PR1000B" / /p p style=" margin: 15px 0px padding: 0px line-height: 30px background: rgb(255, 255, 255) text-indent: 0em " span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" 主机规格： /span /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" 285 /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" mm& nbsp (W)& nbsp × /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" 275 /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" mm& nbsp (H)× /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" 45 /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" 0mm& nbsp (D& nbsp ) /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" br/ /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" 电源系统： /span AC220V（± 20%）（自主研发） /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" br/ /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" 功率： /span & nbsp /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" 1000 /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" ＶＡ /span /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" (可调） /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" br/ /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" 处理直径： /span /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" 30-60mm，火焰长度：15mm /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" br/ /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" 主机重量： /span /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" 15 /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" kg /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" br/ /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" 使用温度范围：－ /span 10℃~+40℃ /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" br/ /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" 进 /span /span span style=" font-family: 微软雅黑 color: rgb(51, 51, 51) letter-spacing: 0 font-size: 16px" span style=" font-family:微软雅黑" 气压力： /span & nbsp 0.3~0.5MPa /span /p

超大规模集成电路（ULSI）产业直接关系到国家的经济发展、信息安全和国防建设，是衡量一个国家综合实力的重要标志之一。在半导体芯片制备过程中，约有三分之一的工序要使用等离子体技术，因此配备等离子体工艺腔室的材料刻蚀和薄膜沉积设备是ULSI制造工艺的核心。目前，半导体工艺中最常用的两种等离子体源是CCP（容性耦合等离子体）和ICP（感应耦合等离子体）。等离子体工艺腔室制造过程极为复杂，不仅涉及精密机械加工技术，还要统筹考虑电源、气体、材料等外部参数的优化，以及与晶圆处理工艺的兼容性。如果采用传统的“实验试错法”，不仅成本巨大，而且延长了设备的研发周期，将严重制约我国ULSI产业的快速发展。因此，采用建模仿真与实验诊断相结合的方式、为等离子体工艺腔室的研发与优化提供方案，成为一种必然趋势。等离子体放电过程是极其复杂的，受到多种外界参数的控制，如电源功率与频率、气体成分与压强、腔室尺寸及材料属性等。此外，等离子体系统还包含了多空间尺度和多时间尺度的变化，以及多物理化学场的耦合过程。例如等离子体、鞘层、表面微槽等空间特征尺度相差10个量级；电磁场、带电粒子、中性气体及化学反应等时间特征尺度相差9个量级。如此复杂的等离子体工艺环境，给物理建模和数值仿真都带来了巨大挑战。物理学院PSEG团队在王友年教授的带领下，自2005年开始，历经近二十年时间，在国内率先研发出具有自主知识产权的等离子体工艺腔室仿真软件——MAPS（Multi-Physics Analysis of Plasma Sources）。通过采用物理建模、数值仿真与实验诊断相结合的方法，解决了制约等离子体工艺腔室设计和制造中的一些关键技术难题，为我国研发具有自主知识产权的等离子体工艺腔室提供了技术支撑。MAPS是一款专门面向等离子体工艺腔室的数值模拟软件平台，可以同时为等离子体工艺腔室的参数设计和表面处理工艺（材料刻蚀和薄膜沉积）的结果预测提供模拟服务。基于不同的等离子体模型，MAPS包含不同的数值模拟方法，如粒子/蒙特卡洛碰撞模拟方法、流体力学模拟方法、流体力学/蒙特卡洛碰撞混合模拟方法、整体模型模拟方法等。软件平台包含输入部分、输出部分以及七大模块，分别是等离子体模块、中性气体模块、电磁模块、鞘层模块、化学反应模块、表面模块及实验验证模块。此外，PSEG团队研制了结构可变的大面积、多功能等离子体实验平台和多套CCP和ICP放电平台，并自主研发了射频磁探针、微波发卡探针、光探针、吸收光谱诊断系统、布拉格光栅测温系统、悬浮双探针等诊断工具和集成了商用的Langmuir探针、质谱仪、离子能量分析仪、光谱仪、ICCD及光致解离负离子诊断系统等。这些诊断手段为等离子体源多参数诊断提供条件。大量研究表明，MAPS的模拟结果与实验测量结果在量级和变化趋势上达到一致，证明了MAPS仿真软件的可靠性。近期，针对工业中常用的CCP源，MAPS仿真软件提供了一种新的快速仿真算法：基于多时间步长、泊松方程的半隐式修正、超松弛迭代等，可以将模拟速度提高几十倍。此外，针对ICP源，PSEG团队也建立了一种新的双极扩散近似模型，可以对带有射频偏压的感性耦合放电过程进行仿真。该方法不仅模拟速度快，还适用于低气压放电。MAPS仿真软件具有外界控制参数多、耦合物理场多、数值求解器多、数值仿真模型多等优势，能够对ICP刻蚀机、CCP刻蚀机、PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积）工艺腔室进行仿真，支持对优化工艺过程参数的进一步探索，受到了国内的多家半导体设备制造企业的青睐。近十年中，MAPS仿真软件已分别为北方华创、中微半导体设备（上海）、拓荆科技、苏州迈为、武汉长江存储及理想能源设备（上海）等多家企业提供仿真服务。未来，PSEG团队将继续专注于对MAPS仿真软件的完善和升级，希望可以为半导体、光伏及平板显示等产业的创新与发展注入源源不断的强劲动力。

piezobrush® PZ3高效便携式手持等离子体发生器piezobrush® PZ3 是一款小体积紧凑型手持等离子体发生器，适用于实验室开发以及小批量产品的研发和组装加工。piezobrush® PZ3的最大功耗为18瓦，凭借压电直接放电技术（Piezoelectric Direct Discharge Technology – PDD技术® ）可以产生温度低于50摄氏度的冷活性等离子体。PZ3的核心部件是来自TDK电子集团的CeraPlas™ ，用来产生常压冷活性等离子体的高压放电组件。等离子体能高效加工活化材料表面，同时还可以杀菌消毒和祛除异味。 应用领域》 接合技术 》 生产流程的开发和优化 》 实验室的研发设备 》 微生物、微流体以及食品生产 》 医疗和牙科技术 》 原型和样品模型制造 》 小批量生产加工潜在用途》 各种基础材料表面的活化加工处理 》 提高材料表面润湿性 》 优化黏合、喷漆、印刷以及涂层处理工艺 》 塑料、玻璃、陶瓷、金属、半导体、天然纤维以及复合材料的表面加工处理 》 精细清洁 》 杀菌消毒和祛除异味piezobrush® PZ3的技术参数供电电源：AC110-240/50-60Hz最大功耗：18W重量：110g产品组成：手持式设备带电源线，集成风扇音量：45dB等离子体温度：不超过50℃加工处理速度：5cm2/s加工处理距离：2–10mm加工处理宽度：5–29mm可替换模块为了取得最好的加工处理效果，不同类型的材料表面需要使用相应的模块组件进行活化加工处理。我们目前为piezobrush® PZ3手持式等离子体发生器提供两种不同的可替换模块组件。piezobrush® PZ3所产生的冷活性等离子体是基于压电直接放电技术（Piezoelectric Direct Discharge Technology – PDD技术® ）中的高强度电场放电形成的。因此，待处理材料表面的电导率是选择相应可替换模块组件的重要参考。标准模块近场模块标准模块是专门为非导电材料（例如塑料、陶瓷以及玻璃等）表面加工处理设计的。为了获得最好的加工处理效果，推荐的使用距离为1–5毫米。如果加工材料表面产生不受控制的偏移或者翻转，等离子体加工设备将自动切断电源并关闭。在这种情况下，材料表面将会部分导电，因此后续的加工处理请使用近场模块进行操作。近场模块用于处理（部分）导电材料例如金属、碳纤维强化聚合物、铅玻璃以及导电塑料等。如果是带有导电涂层的材料或是产品中带有导电组件的情况下，也建议使用近场模块以获得最佳的加工处理效果。只有当近场模块足够接近待处理的导电材料表面时（也可以穿透所覆盖的薄绝缘涂层），才会激发点燃等离子体。当距离在几毫米的范围内，近场模块和待处理材料表面之间可以看见紫光，表明加工处理正在进行。系统会自动识别当前所使用的模块类型，并相应地调整加工处理参数。液晶显示为了更好的控制等离子体的各种加工处理过程，piezobrush® PZ3配备了一块液晶显示屏用来显示和调用各种不同的功能：过程控制： 》 秒表：用来测量时间 》 定时器：具有自动结束功能的定时功能 》 节拍器：在设定的加工处理间隔以后，会给予声音反馈功耗设置：多级可调的等离子体功率piezobrush® PZ2和piezobrush® PZ3的对比piezobrush® PZ3被认为是piezobrush® PZ2的后继产品。下表简单介绍了两个产品各自的优点。piezobrush® PZ2带内置电源的手持式设备可更换的喷嘴无法进行过程控制 piezobrush® PZ3 带内置电源的手持式设备 可更换的压电模块 过程控制：秒表、定时器以及节拍器 110-240V/ 50-60Hz供电电源110-240V/ 50-60HzMax.30W功耗Max18W170g重量110g57dB噪音水平45 dB不超过50℃等离子体温度不超过50℃4cm2/s加工处理速度5cm2/s2–10mm使用距离2 – 10mm20mm最大使用宽度29mm标准、近场和混合喷嘴/模块标准、近场氩气、氦气和氮气工作气体/ 创新点：piezobrush® PZ3被认为是piezobrush® PZ2的后继产品。下表简单介绍了两个产品各自的优点。 piezobrush® PZ2带内置电源的手持式设备，可更换的喷嘴，无法进行过程控制 piezobrush® PZ3 带内置电源的手持式设备，可更换的压电模块，过程控制：秒表、定时器以及节拍器 relyon手持式等离子清洗机PZ3

随着集成电路技术的发展，半导体封装技术也在不断创新和改进，以满足高性能、小型化、高频化、低功耗、以及低成本的要求。等离子处理技术作为一种高效、环保的解决方案，能够满足先进半导体封装的要求，被广泛应用于半导体芯片DB/WB工艺、Flip Chip (FC)倒装工艺中。DB工艺前等离子处理芯片键合(Die Bonding)是指将晶圆上切割下来的单个芯片固定到封装基板上的过程。其目的在于为芯片提供一个稳定的支撑，并确保芯片与外部电路之间的电气和机械连接。常用的方法有树脂粘结、共晶焊接、铅锡合金焊接等。在点胶装片前，基板上如果存在污染物，银胶容易形成圆球状，降低芯片粘结度。因此，在DB工艺前，需要进行等离子处理，提高基板表面的亲水性和粗糙度，有利于银胶的平铺及芯片粘贴，提高封装的可靠性和耐久性。在提升点胶质量的同时可以节省银胶使用量，降低成本。WB工艺前等离子处理芯片在引线框架基板上粘贴后，要经过高温使之固化。如果芯片表面存在污染物，就会影响引线与芯片及基板间的焊接效果，使键合不完全或粘附性差、强度低。在WB工艺前使用等离子处理，可以显著提高其表面附着力，从而提高键合强度及键合引线的拉力均匀性，提升WB工艺质量。*WB工艺前处理应用案例Flip Chip (FC)倒装工艺等离子应用在Flip Chip（FC）倒装工艺中，将称为“焊球(Solder Ball)”的小凸块附着在芯片焊盘上。其次，将芯片顶面朝下放置在基板上，完成芯片与基板的连接后，通常需要在在芯片与基板之间使用填充胶进行加固，以提高倒装工艺的稳定性。通过等离子清洗可以改善芯片和基板表面润湿性，提高其表面附着力，进而影响底部填充胶的流动性，使填充胶可以更好地与基板和芯片粘结，从而达到加固的目的，提高倒装工艺可靠性。片式真空等离子清洗机针对半导体行业，DB/WB工艺、RDL工艺、Molding工艺、Flip Chip (FC)倒装工艺等，能够大幅提高其表面润湿性，保证后续工艺质量，从而提高封装工艺的可靠性。设备优势：1. 一体式电极板结构设计，等离子体密度高，均匀性好，处理效果佳2. 双工位处理平台，四轨道同时上料，有效提升产能3. 可兼容多种弹匣尺寸，可自动调节宽度，提升效率并具备弹匣有无或装满报警提示功能4. 工控系统控制，一键式操作，自动化程度高行业应用：1. 金属键合前处理：去除金属焊盘上的有机污染物，提高焊接工艺的强度和可靠性2. LED行业：点银胶、固晶、引线键合前、LED封装等工序中可提高粘和强度，减少气泡，提高发光率3. PCB/FPC行业：金属键合前、塑封前、底部填充前处理、光刻胶去除、基板表面活化、镀膜，去除静电及有机污染物

2021年11月2日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，股票代码：688012）迎来了一个重要的里程碑：中微公司的电容耦合高能等离子体（CCP）刻蚀设备第1500个反应台顺利付运国内一家领先的半导体制造商。本次交付的Primo D-RIE® 刻蚀设备反应台来自该客户的重复订单。 据了解，Primo D-RIE® 刻蚀设备被全球领先的芯片制造商用于制造存储和逻辑器件。为优化产量而设计，Primo D-RIE® 可以配置多达三个双反应台反应腔，每个反应腔既可以独立操作，又可以同时加工两片晶圆。此外，该设备的突出特点还包括：中微公司具有独立自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件。 自2007年Primo D-RIE® 发布以来，中微公司陆续拓展了CCP刻蚀设备产品线，以满足客户日益严苛的技术需求。除Primo D-RIE® 双反应台刻蚀设备以外，CCP刻蚀设备系列还包括双反应台刻蚀设备Primo AD-RIE® 、单反应台刻蚀设备Primo SSC AD-RIE® 、Primo HD-RIE® 和刻蚀及除胶一体化的 Primo iDEA® 。这些产品为客户提供了全面综合的设备解决方案，用于5纳米及以下工艺的多种应用。中微公司的刻蚀设备产品线还包括其他两款电感耦合低能等离子体（ICP）刻蚀设备和硅通孔（TSV）刻蚀设备。中微公司等离子体刻蚀设备独特的创新技术和不断快速增长的市场占有率巩固了在国内外半导体前道设备行业的领先地位，并推动公司持续发展。今年到目前为止，用于3D NAND应用的Primo HD-RIE和用于7纳米及以下节点逻辑应用的Primo AD-RIE-e占设备总出货量的50%。其中，中国大陆和台湾地区占比最高。中微公司今年前三个季度的销售收入比去年同期增长了40.4%，其中刻蚀设备的销售增长率约100%。

新到货安捷伦ICP-OES 5110电感耦合等离子体原子发射光谱仪，时间为18年底仪器，准新机，基本没用，有兴趣的欢迎来谱标科技实验室看机试机。Agilent 5110同步垂直双向观测(SVDV) ICP-OES将速度与分析性能完美结合： 卓越的分析速度●独特的智能光谱组合(DSC)技术可实现同步水平和垂直信号测量,在zui低气体消耗条件下，实现zui快速的ICP-OES分析测量●高级阀系统(AVS)可降低每次分析成本并使分析效率提高一倍以上●一次读数完成高精度的同步双向全谱测量.无等待延时●VistaChipll 检测器全密封设计.无需气体吹扫，无需预热,即开即用，节省气体消耗 强大的性能●垂直炬管设计.适用于各种复杂样品类型一 无论高基质样品或挥发性有机溶剂均可轻松应对●通过分析过程中精准气泡注入控制，AVS能够有效缩短样品提升、稳定时间和清洗延时,从而实现高精度的分析●专利的冷锥接口(CCI)技术,zui大限度减少干扰.提升仪器性能●gao效稳定的RF射频发生器系统,采用固态电源的专利技术设计.确保仪器的高精度运行及优异的长期稳定性 卓越的简便易用性●InelliQuant模式使样品中的所有元素一目了然，大大简化了方法开发过程并实现了快速样品筛选●直观的ICP Expert 软件和专利的DSC技术.保证方法开发更为简洁流畅●完全集成式切换阀与即插即用式炬管极大程度减少了培训需求.确保实现快速启动●智能诊断功能简化了故障排除流程. 从而大大延长仪器正常运行时间 灵活的配置Agilent 5110提供三种配置:●同步垂直双向观测(SVDV)一zui高速的分析测量，zui低的气体消耗●垂直双向观测(VDV)一更高的样品测量通量，更高的分析效率.并可现场升级为SVDV zui高配置模式●垂直观测(RV)一高性能的垂直观测设计，适用于高产率，复杂基质样品的实验室需求 应用：5110 ICP-OES分析碳酸锂中14种杂质元素(K、 Na、Al、 Ca、Cd、Cu、Fe、Mg、Mn、 Ni、Pb、S、Zn和Si)，可在1 min内完成对所有元素的准确测量。具有良好的准确度和稳定性，可有效应用于大规模碳酸锂纯度鉴定工作中。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 10月15日-16日，中国科学院半导体研究所、仪器信息网联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)，22位业内知名的国内外专家学者聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，进行为期两日的学术交流。会议期间，中科院半导体所、集成电路工程研究中心的王晓东研究员做了题为《半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术》的报告。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 硅干法刻蚀即等离子体刻蚀技术，相对于湿法刻蚀，具有更好的各向异性，工艺重复性，且能降低晶圆污染几率，因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。在此次报告中，王晓东研究员介绍了三种不同的硅干法刻蚀技术。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 据介绍，硅干法刻蚀的物理机制，主要包括物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、化学离子增强刻蚀和侧壁抑制刻蚀等。影响硅干法刻蚀效果的因素主要有三类：一是等离子体密度和能量，通过配备两套射频源，ICP和RF射频源来分别控制；二是腔室气压，由于鞘层的存在，一般需要气压小于100 mtorr使得离子平均自由程大于鞘层宽度；三是刻蚀气体选择，气体需要根据反应生成物是否容易去掉来选择，首选挥发性产物。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 王晓东研究员重点介绍了三种硅干法刻蚀技术，即Bosch、Cryo、Mixed。Bosch通常刻蚀特征尺寸＞1 μm，刻蚀深度＞10 μm，刻蚀结果深且宽，即深硅刻蚀；Cryo即所谓的低温工艺，可以得到平滑侧壁以及纳米尺寸结果；Mixed刻蚀深度＜10 μm，具有低的深宽比，也即浅硅刻蚀。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 深硅刻蚀（Bosch）是目前应用最广泛，发展最成熟的硅刻蚀工艺。Bosch最初的基本工艺过程（Basic Bosch Process）就是钝化和刻蚀交替进行。此后，在其中加入轰击过程，发展出先进工艺（Advanced Bosch Process），即钝化、轰击和刻蚀三个过程不断循环，以此达到深硅刻蚀目的。Bosch工艺的优势是高速率、高各向异性和高选择比。其劣势为工艺复杂，晶片状况影响工艺过程，存在侧壁scallop等。同时，深硅刻蚀也存在一些典型的刻蚀问题：一是刻蚀剖面控制，如Undercut、Bowing、Bottling、Trenching、Footing等问题；二是负载效应，随硅暴露面积的增加，刻蚀速率和刻蚀均匀性都会降低，通常减少腔体气压可解决此问题；三是ARDE问题，即随着刻蚀深宽比的增加，刻蚀速率会下降，一般可通过增加沉积保护气体气压，增宽离子的角分布和加入刻蚀截止层等解决；四是Notching问题，即由于电荷积累造成钻蚀，可采用低频脉冲模式LF Pulse Mode来解决。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 除深硅刻蚀外，下电极温度在液氮-100 ℃下，可以进行比较精细的刻蚀—低温刻蚀（Cryo）。与深硅刻蚀相比，其工艺气体不同，一般为SF sub 6 /sub 和O sub 2 /sub ，生成物SiO sub x /sub F sub y /sub 在-85 ℃时很容易形成，在室温下即可挥发，腔室环境非常干净。因此低温刻蚀可以得到侧壁光滑，undercut很小，选择比高的结果。但此时光刻胶会受影响，所以胶的厚度不能太厚，通常小于1.2 μm，且需要进行合适的烘烤，防止胶裂。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 最后一种就是浅硅刻蚀（Mixed），即在相对较浅的刻蚀中（＜10 μm），多采用同步刻蚀方法，钝化和刻蚀同步进行，所以也称同步工艺。与深硅刻蚀不同，浅硅刻蚀的刻蚀性气体与聚合物生成气体同时输入腔室，刻蚀和钝化同步进行，导致钝化和刻蚀的作用会在很大程度上抵消一部分，所以实现了光滑的侧壁（＜100 nm）。但这使得刻蚀环境十分复杂，工艺窗口相对较窄，工艺重复性控制难度较大。与多步刻蚀相比，采用同步刻蚀方法进行刻蚀时，为获得较高的刻蚀速率和各向异性，刻蚀中所用射频功率和偏压较高，导致刻蚀材料和掩模之间的选择比低，刻蚀结果对掩模质量依赖性较强，对掩模材料和质量要求高。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 在报告最后，王晓东研究员还介绍了半导体所在微纳器件制备中如MEMS、纳米波导、纳米线器件等方面的大量工作。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 随着亚微米下制备半导体器件需求的增加，硅干法刻蚀技术也显得越来越重要，而半导体所所级公共技术服务中心具备上述技术能力。同时这是一个开放的平台，如果有相应的需求也可以进行合作参与。 /p

一、项目编号：项目名称：电感耦合等离子体质谱仪采购项目预算金额：98.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：98.0000000 万元（人民币）采购需求：1. 标的名称：包组1：电感耦合等离子体质谱仪采购项目2. 标的数量：包组1：1套3. 简要技术需求或服务要求：（1） 项目编号: CLF22SH01QY17（2） 最高限价: 人民币 ¥ 980,000.00元（3） 交货期限: 采购合同签订之日起至1个月内。（4） 本项目只允许采购本国产品；（5） 简要技术要求： a） 电感耦合等离子体质谱仪具备可搭配LC、自动进样器、全自动石墨消解系统、全自动微波消解系统等连用技术。 b） 可广泛应用于水质、土壤、大气颗粒物、固废、食品、动植物、食品接触材料、化妆品、半导体、高纯材料、矿产、石油化工、工业品、纺织等领域，且符合相关国家标准分析方法的要求。具体详见采购需求。 合同履行期限：自合同签订之日起至2023年10月前本项目( 不接受 )联合体投标。二、项目编号：0705-224002028052项目名称：复旦大学电感耦合等离子体发射光谱仪采购国际招标预算金额：99.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：97.0000000 万元（人民币）采购需求：1、招标条件项目概况：电感耦合等离子体发射光谱仪采购资金到位或资金来源落实情况：本次招标所需的资金来源已经落实项目已具备招标条件的说明：已具备招标条件2、招标内容：招标项目编号：0705-224002028052招标项目名称：电感耦合等离子体发射光谱仪采购项目实施地点：中国上海市招标产品列表(主要设备)：序号产品名称数量简要技术规格备注1电感耦合等离子体发射光谱仪1套自激式射频发生器，频率大于40MHz预算金额：人民币99万元 最高限价：人民币97万元 合同履行期限：签订合同后4个月内合同履行期限：签订合同后4个月内本项目( 不接受 )联合体投标。

2023年6月29日，半导体和电子行业年度盛会SEMICON China 2023在上海新国际博览中心隆重举行。展会现场，牛津仪器携第三代半导体抛光、刻蚀、检测等系列解决方案亮相展会。展会期间，仪器信息网就参会感受、解决方案、行业发展趋势等话题采访了牛津仪器等离子技术部制程技术与业务拓展经理黄承扬。以下是现场采访视频：

研究背景等离子体处理是聚合物表面改性的一种常用方法，一方面等离子体中的高能态粒子通过轰击作用打断聚合物表面的化学键，等离子体中的自由基则与断开的化学键结合形成极性基团，从而提高了聚合物表面活性；另一方面，高能态粒子的轰击作用也会使聚合物表面微观形貌发生改变 。本文提出通过等离子体处理提高 PP的胶粘接强度。利用KRÜ SS光学接触角测量仪DSA100分析了等离子体处理对于PP表面的接触角、自由能的影响。利用胶粘剂将 PP薄膜与铝箔粘接到一起，采用T剥离强度试验方法对PP的胶粘接强度进行了测试，结果表明等离子体处理可以显著提高 PP的胶粘接强度。DSA100型液滴形状分析仪试验样品制备由于PP薄膜表面可能会有油污、脱模剂等残留物，本文采用超声清洗方法对其表面进行实验前的处理。结果与讨论1.PP表面接触角系统分析了等离子体改性的射频功率和处理时间对于PP表面接触角的影响。首先，将处理时间恒定为 120 s，射频功率分别选取了 80 W、120 W、180 W、240 W 和300 W。如图1（a） 所示，PP表面经等离子体处理后，去离子水和二碘甲烷的接触角均有较明显的下降。当射频功率超过120 W时，接触角下降趋势缓慢，此时去离子水的接触角由99.08°降到了79.25°，二碘甲烷的接触角则由69.31°降到了59.39°。当射频功率达到300 W时，去离子水的接触角为 74.88°，二碘甲烷的接触角为55.88°。去离子水属于极性溶液，它的接触角越小表明PP表面润湿性越好，PP与胶粘剂的粘接强度将越高。 图1.薄膜表面接触角的变化其次，将射频功率恒定为 80 W，处理时间分别为30 s、60 s、120 s、300 s和600 s，PP表面的接触角与处理时间的关系如图1（b）所示。可见，随着处理时间的增长，接触角逐渐减小。当处理时间长于120 s时，接触角变化缓慢，此时去离子水的接触角由 99.08°降到了77.39°，二碘甲烷的接触角由69.31°降到了56.05°。结合上述两个实验结果，本文选择射频功率120 W和处理时间120 s作为后续的PP等离子体改性工艺参数数值。2.PP表面自由能本文采用Owens二液法 ，通过测量去离子水和二碘甲烷在 PP表面的接触角，计算出PP表面的自由能。PP表面自由能与射频功率和处理时间的关系如图2所示。从图中可以看出，PP在等离子体处理后，色散分量和极性分量均有所提升，其中极性分量的提升更显著，PP的表面自由能得到了较大提高。经计算，未经等离子体处理的 PP表面色散分量、极性分量和自由能分别为18.68 mJ/m 2 、12.12 mJ/m 2 、30.8 mJ/m 2 ，经等离子体处理后的PP表面色散分量、极性分量和自由能分别为22.27mJ/m 2 、26.64 mJ/m 2 、48.91 mJ/m 2 。即，经等离子体处理后，PP表面色散分量增加了 19.22%，极性分量增加了119.8%，自由能增加了58.8%。可见，PP表面自由能的提高主要归因于极性分量的增加，而极性分量的增加则是由于等离子体处理使得PP表面形成了极性基团，从而有助于提高PP的胶粘接强度。 图2.PP表面自由能3.PP胶接强度根据T剥离强度试验记录的最大剥离力和最小剥离力计算得到平均剥离力（FT），而剥离强度（σT）为 式中：B为测试样品的宽度 ，本文测试样品的宽度为25 mm。在剥离过程中，可以看到胶粘剂形成的胶膜完全保留在铝箔表面，证明胶粘剂对铝箔的粘附性远高于对PP薄膜的粘附性，即通过该实验测试到的剥离强度为PP与胶粘剂之间的粘接强度。未改性的 PP薄膜和改性后的PP薄膜的剥离力与剥离长度的关系曲线如图3所示，由于夹持位置的差异，PP薄膜与铝箔之间开始出现分离的位置稍有不同。在二者刚出现分离时，剥离力较大，之后剥离力逐渐下降并保持稳定。根据上述公式可以计算出，未改性的PP薄膜最小剥离强度为588 kN/m，最大剥离强度为 661.2 kN/m，平均剥离强度为 624.8 kN/m；与之对应，改性后的PP薄膜最小剥离强度为734 kN/m，最大剥离强度为810.8 kN/m，平均剥离强度为775.2 kN/m。即，PP薄膜经过等离子体改性处理后最小剥离强度提高了24.83%，最大剥离强度提高了22.63%，平均剥离强度提高了24.07%。 图3.剥离长度和剥离力的关系结论本文从接触角、表面自由能等方面揭示了等离子体处理提高PP材料胶粘接强度的机理。实验结果表明，经过等离子体改性处理后，PP表面由疏水性变为亲水性，去离子水的接触角由99°减小到了75°，PP表面自由能由31 mJ/m 2 增大到了49 mJ/m 2 ，同时PP表面整体上变得凸凹不平，且出现了大量纳米级凸起和凹坑。PP表面发生的这些化学和物理变化共同作用，使得PP的胶粘接强度提高了24%。参考文献隋裕，吴梦希，刘军山.等离子体处理对于聚丙烯胶粘接强度的影响［J］.机电工程技术，2023，52（01）：30-32.

项目编号：0705-224002028082项目名称：复旦大学电感耦合等离子体发射光谱仪采购国际招标预算金额：99.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：97.0000000 万元（人民币）采购需求：1、招标条件项目概况：电感耦合等离子体发射光谱仪采购资金到位或资金来源落实情况：本次招标所需的资金来源已经落实项目已具备招标条件的说明：已具备招标条件2、招标内容：招标项目编号：0705-224002028082招标项目名称：电感耦合等离子体发射光谱仪采购项目实施地点：中国上海市招标产品列表(主要设备)：序号产品名称数量简要技术规格备注1电感耦合等离子体发射光谱仪1套自激式射频发生器，进样系统可耐高盐样品预算金额：人民币99万元 最高限价：人民币97万元 合同履行期限：签订合同后4个月内合同履行期限：签订合同后4个月内本项目( 不接受 )联合体投标。

项目编号：0705-224002028082项目名称：复旦大学电感耦合等离子体发射光谱仪采购国际招标预算金额：99.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：97.0000000 万元（人民币）采购需求：1、招标条件项目概况：电感耦合等离子体发射光谱仪采购资金到位或资金来源落实情况：本次招标所需的资金来源已经落实项目已具备招标条件的说明：已具备招标条件2、招标内容：招标项目编号：0705-224002028082招标项目名称：电感耦合等离子体发射光谱仪采购项目实施地点：中国上海市招标产品列表(主要设备)：序号产品名称数量简要技术规格备注1电感耦合等离子体发射光谱仪1套自激式射频发生器，进样系统可耐高盐样品预算金额：人民币99万元 最高限价：人民币97万元 合同履行期限：签订合同后4个月内合同履行期限：签订合同后4个月内本项目( 不接受 )联合体投标。