推荐厂家
暂无
暂无
4 SIMS的研究和应用... 144.1 元素及同位素分析... 144.2 颗粒物微分析研究... 164.3 团簇、聚合物分析及生物医学等方面的研究... 174.4 SIMS在化合物半导体材料分析中的应用... 194.4.1 常规分析... 204.4.2 最低测量极限... 214.4.3 高分辨率SIMS分析... 234.4.4 解剖分析... 245 SIMS的新进展... 256 几种新型号二次离子质谱仪采用的新技术... 266.1 NANO SIMS 50型二次离子质谱仪... 286.1.1 小束斑离子枪和短工作距离的二次离子接收透镜的新设计... 286.1.2 二次离子接受器由单种离子接收改为多种离子同时接收... 29
[size=5][b] [/b][/size] 采用脉冲一次离子源(LMIG, Cs, C60,Au,O2+,Ar+)等轰击样品,然后收集从样品表面激发出来的二次离子,采用质谱检测器(飞行时间、四极杆、扇形磁过滤、离子阱等),来收集这些二次离子,并且根据他们的质荷比(m/z)将它们分离,据此来判断分析材料的成分。 二次离子质谱仪分为静态- 二次离子质谱仪(S-SIMS) 和动态二次离子质谱仪(D-SIMS) ,其区分的标准就是根据入射的一次离子的剂量一般10^12atoms/cm2,成为静态二次离子质谱仪,一般采用飞行时间检测器,主要用于生物医药的有机物分析,半导体材料的污染物分析,存储材料分析,可以坚定有机的分子碎片。在分析过程中,材料表面的吸附物质及化学状态,对谱峰影响巨大。这也就是二次离子质谱中的“基体效应”。静态-二次离子质谱是一种无破坏的表面分析方法。最常见的静态- 二次离子质谱仪是飞行时间二次离子质谱仪。飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS: Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)利用一次脉冲离子轰击样品,通过表面激发出的二次离子的飞行时间测量其质量(m/z 100,000),以分析样品的表面组成。 动态-二次离子质谱仪,入射的一次离子的剂量一般10^15atoms/cm2,对表面形成大量的溅射作用,是一种破坏性分析,主要用于地质研究,同位素定年分析,半导体掺杂的深度分析。主要采用的一次离子源为气体等离子源(Ar/O2)或Cs离子源,一般要求样品导电性要好。
1 二次离子质谱学发展简史... 42 SIMS的原理和仪器结构... 52.1 原理... 52.2 质谱分析器(质谱计) 62.2.1 磁质谱计... 72.2.2 四极质谱计... 72.2.3 飞行时间质谱计... 82.2.4 其他质量分析器... 102.3 SIMS仪器类型... 103 SIMS与其它表面分析技术的比较... 113.1 SIMS的主要优缺点... 113.2 与其它微分析技术比较... 134 SIMS的研究和应用... 144.1 元素及同位素分析... 144.2 颗粒物微分析研究... 164.3 团簇、聚合物分析及生物医学等方面的研究... 174.4 SIMS在化合物半导体材料分析中的应用... 194.4.1 常规分析... 204.4.2 最低测量极限... 214.4.3 高分辨率SIMS分析... 234.4.4 解剖分析... 245 SIMS的新进展... 256 几种新型号二次离子质谱仪采用的新技术... 26[url=http://bbs.in