便携式镜面发射率测定仪

山东云唐智能科技有限公司便携式COD测定仪是一种用于测量水体中COD(化学需氧量)的设备。COD是衡量水体中有机和无机污染物的浓度的指标，它反映了水体中氧化剂氧化这些污染物所需的氧气量。便携式COD测定仪的主要用途包括：　　环境监测：COD测定仪可用于监测自然水体(如河流、湖泊和海洋)以及废水和污水处理厂中的水质。它可以帮助环保部门、水资源管理机构和污水处理厂监测和控制水体污染，确保水质达到规定的标准。　　水质检测：便携式COD测定仪可以在野外进行水质检测，用于确定水源是否受到污染或是否需要进行水质改善措施。这对于保护自然环境和供应健康饮用水至关重要。　　工业应用：许多工业过程产生废水，其中可能含有高浓度的有机化合物。便携式COD测定仪可以用于监测工业废水的处理效果，确保符合环保法规。　　研究和实验室应用：科研人员和实验室技术人员可以使用便携式COD测定仪来进行水质分析，研究不同水样中的污染物含量，评估水体处理方法的有效性等。　　应急响应：在灾难或事故中，如化学泄漏或自然灾害，便携式COD测定仪可以用于迅速评估水体污染程度，采取必要的措施来减少环境损害。　　总之，便携式COD测定仪在环境监测、水质管理、工业应用和科研领域都具有广泛的用途，有助于保护和维护水资源的质量和可持续性。[img=,690,690]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/09/202309271010528136_1785_5604214_3.jpg!w690x690.jpg[/img]

[img=,690,690]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/12/202312050958236594_5987_5604214_3.jpg!w690x690.jpg[/img]　　便携式COD测定仪是一种用于测量水样中化学需氧量(COD)的仪器。它具有便携、快速、准确、稳定等特点，适用于各种水样中的COD测定。下面将详细介绍便携式COD测定仪的应用范围。　　一、水环境监测　　便携式COD测定仪在环保领域有着广泛的应用。它可以用于河流、湖泊、水库等自然水体的监测，也可以用于工业废水、生活污水等人工水体的监测。通过使用便携式COD测定仪，可以及时了解水体的污染情况，为环保部门提供科学依据，从而采取有效的治理措施。　　二、污水处理厂　　污水处理厂是使用便携式COD测定仪的重要领域之一。在污水处理过程中，需要对污水进行化学需氧量的测量，以便控制处理工艺和判断处理效果。便携式COD测定仪可以快速准确地测量水样中的COD，为污水处理厂提供重要的监测数据。　　三、水质检测机构　　水质检测机构是负责水质检测和评估的机构，需要对各种水样进行化学需氧量的测量。便携式COD测定仪具有便携、快速、准确等特点，适用于水质检测机构的工作人员进行现场测量。它可以提高工作效率，缩短测量周期，为水质检测机构提供更准确的水质数据。　　四、野外现场监测　　在野外现场监测中，便携式COD测定仪具有很大的优势。在一些偏远地区，运输和携带大型实验室分析仪器十分困难，而便携式COD测定仪则可以方便地携带到现场进行水样测量。它可以为野外现场监测提供及时、准确的化学需氧量数据，为相关研究和决策提供有力支持。　　五、化工生产过程控制　　在化工生产过程中，需要对原料水进行化学需氧量的测量，以便控制生产过程和保证产品质量。便携式COD测定仪可以快速准确地测量原料水中的化学需氧量，为化工生产过程提供重要的监测数据。　　总之，便携式COD测定仪具有广泛的应用范围，可以用于水环境监测、污水处理厂、水质检测机构、野外现场监测以及化工生产过程控制等领域。它具有便携、快速、准确、稳定等特点，可以为相关领域提供重要的监测数据和支持。

[color=#990000]摘要：本文对目前国内外采用ASTM C835高温总半球发射率测试方法进行的研究报道进行了文献分析，分析目前造成在1000℃以上高温区间无法或很少进行总半球发射率测试的原因，并尝试找出解决方法或替代方案以实现高温范围内的准确测量，为今后高温总半球发射率测试方法的选择和测试设备设计提供参考。[/color][hr/][size=18px][color=#990000]1. 引言[/color][/size]　　总半球发射率是材料的重要热物理性能参数之一，代表着材料表面的热辐射能力，是研究热辐射测量、辐射传热以及热效率分析的重要基础物理性能数据。　　总半球发射率的测试方法很多，但在高温条件下，经典的方式是直接通电量热法，相应的标准测试方法是ASTM C835“材料表面在1400℃高温范围内的总半球发射率标准测试方法”。　　按照ASTM C835标准测试方法的设计，对于可直接通电加热的电导体材料，总半球发射率的最高测试温度可以达到1400℃。但从目前国内外研究报道来看，采用这种方法进行的测试极少能达到如此高的温度，绝大多数报道的总半球发射率测试温度范围都在1000℃以下，这说明这种方法在高温范围内的应用具有一定的局限性。　　本文将对目前国内外采用ASTM C835测试方法进行的研究报道进行文献分析，分析造成无法或很少在1000℃以上高温范围进行总半球发射率测试的原因，并尝试找出解决方法或替代方案，以实现高温范围内的准确测量，为高温总半球发射率测试方法的选择和测试设备设计提供参考。[size=18px][color=#990000]2. 文献综述和分析[/color][/size]　　对于总半球发射率的测量，做为经典的测试方法，ASTM C835的应用十分普遍，使用这种测试方法可以准确测量和评价服役中材料的高温热辐射性能。但我们在文献研究中发现，在ASTM C835的实际应用中很少有文献报道超过1000℃的测试数据。　　首先我们分析了ASTM C835标准测试方法文本[1]的参考文献，其中引用了Richmond等人1960年对几种金属合金总半球发射率的测试研究报道[2]。在Richmond等人的报道中，总半球发射率的测试温度最高就达到1000℃，如图2-1所示。　　从图2-1所示的NBS测试结果中可以隐约看出总半球发射率值在800~1000℃区间内有个峰值。这种在1000℃附近发射率发生突变的原因，一直没看到有相关文献进行过分析报道，直到2000年Greene等人[3]针对发现的这种现象进行了专门的研究。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,623,756]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201551458107_282_3384_3.png!w623x756.jpg[/img][/color][/align][color=#990000][/color][align=center][color=#990000]图2-1 在美国国家标准局（NBS）和通用电气公司（GE）接收管部门对通用电气公司提供的金属板样品测量的结果[2][/color][/align]　　为了测试Inconel 718在不同表面状态下的高温总半球发射率，Greene等人[3]采用了S型热电偶，但当样品表面温度超过1000℃时测量发射率遇到了困难。在高于1000℃后，S型热电偶开始给出未知原因的异常读数，得到的发射率测量结果如图2-2所示。通过单独实验Greene等人研究了这种异常现象，在该实验中，将热电偶焊接到一小块Inconel 718上，然后缠绕在标准热电偶管上。将热电偶置于大气压下的熔炉中，并对两个测量温度进行比较，结果显示在图2-3中。第一次温度上升到1000℃时，温度异常首先出现在1000℃；当温度升高到1200℃时，与标准校准热电偶的偏差恢复。偏差趋势随着重复的热循环而重复，如图2-3所示，由此显示了作为测量标准温度的函数的两个测量温度之间的差异，可以清楚地看到点焊热电偶的塞贝克系数异常，它在大约1000℃时具有最大影响。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,542]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201552577851_2873_3384_3.png!w690x542.jpg[/img][/color][/align][color=#990000][/color][align=center][color=#990000]图2-2 Inconel 718的发射率测试结果[3][/color][/align][align=center][img=发射率（Emissivity）,690,538]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201553092817_3983_3384_3.png!w690x538.jpg[/img][/align][align=center][color=#990000]图2-3 样品热电偶和参考热电偶之间的温差[/color][/align]　　由于真空条件下的这种异常总是出现在1000℃以上的温度，Greene等人因此决定只报告测量的发射率高达1000℃。另外Greene等人还认为对于其他热电偶类型、不同基材（如其他Inconel和不锈钢）、各种热电偶连接方法（即单独点焊线、相互点焊然后点焊到表面的导线），需要在氧化和惰性气氛中进行热循环，以帮助解释这种异常行为并提高对1000℃以上条件下热电偶行为的深入理解。　　从Greene等人[3]的研究结果可以看出，在1000℃左右的温度测量中，通过点焊在被测样品上的热电偶获得的测温数据要比实际温度值高，如将此温度测量值代入测量公式，势必会得到比实际值偏小的总半球发射率，这就解释了在1000℃左右总半球发射率开始变小的现象。　　尽管Greene等人[3]通过试验手段并解释了ASTM C835标准方法中采用样品上焊接热电偶进行测温过程中会在1000℃左右区间出现发射率测量结果异常现象，但并没有相应合理的解决办法，所以只能进行1000℃以下温度范围的发射率测量和报道。　　近二十多年来，在采用ASTM C835标准方法进行的测试研究报道中，基本没有看到温度要超过1000℃以上进行测试的尝试。最典型的是加拿大核试验室的Fong等人[4]采用最新电子自动化技术在2015年完成搭建了直接通电法总半球发射率测试装置，如图2-4所示。从文献报道可以推测，这是目前国际上最新搭建的测量装置，此装置的测试过程完全自动化并控制测量准确，整个测试过程非常漂亮，如图2-5所示，但最高温度也只能达到1000℃的测试能力，如图2-6所示。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,477]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201553219609_7110_3384_3.jpg!w690x477.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-4 （a）压力管发射率测试样品的配置，（b）钟罩型发射率仪器底部照片[/color][/align][align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,224]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201553350253_8997_3384_3.jpg!w690x224.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-5 1000℃下的压力管发射率测试过程；（a）预氧化表面和（b）未氧化表面[/color][/align][align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,495]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201553456415_846_3384_3.jpg!w690x495.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-6 在600℃至1000℃范围内测量的预氧化和未氧化压力管样品的总半球发射率值[/color][/align]　　通过报道文献分析，近十几年来，采用ASTM C835标准方法进行各种材料发射率测试和研究比较活跃的机构，主要是中国清华大学的符泰然团队和美国密苏里大学的汤普森团队。清华大学符泰然团队在2010年就开始对ASTM C835方法进行研究和研制了相应的测试设备，并发布了很多文献报道[5][6]，但所报道的发射率测试温度最高也只能达到1000℃，对温度高于1000℃的测试只字未提。　　密苏里大学汤普森团队2010年前就进行了ASTM C835方法研究，同样也研制了相应的测试设备，如图2-7和图2-8所示。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,704]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201554053335_146_3384_3.jpg!w690x704.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-7 密苏里大学量热法总半球发射率测试系统钟罩内部结构图[/color][/align][align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,516]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201554162712_5436_3384_3.jpg!w690x516.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-8 密苏里大学量热法总半球发射率测试系统[/color][/align]　　从密苏里大学近十多年来发表的文献中，可以看到他们经常会发布一些超过1000℃的发射率测试结果或其他文献数据，而且在测试过程中全部都采用了K型热电偶进行样品表面温度测量，本身也没想采用S型热电偶进行更高温度的发射率测量。如在2010年的文献中[7]，介绍了超高温反应堆系统潜在结构材料总半球形发射率的测试结果，如图2-9所示。从图中可以看出，密苏里大学的测试并未超过1000℃，但用来对比的文献数据则最高温度达到了近1200℃，并且温度在1000℃附近时发射率有明显的异常波动。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,433]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201554280088_6996_3384_3.jpg!w690x433.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-9 氧化镍发射率测试数据（三角形和空心圆）与其他文献数据的比较[/color][/align]　　在密苏里大学2012年的文献中[8]，介绍了Hastelloy总半球形发射率的测试结果，如图2-10所示。从图中可以看出，测试结果在1000℃附近波动明显。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,431]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201554387619_847_3384_3.jpg!w690x431.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-10 纯镍、Hastelloy N和Hastelloy X样品在1153K空气中氧化15分钟后的发射率测试结果比较[/color][/align]　　在密苏里大学2012年的文献中[9]，介绍了Haynes 230总半球形发射率的测试结果，如图2-11所示。从图中可以看出，测试结果同样在1000℃附近有明显的下降。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,426]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201554493500_2148_3384_3.jpg!w690x426.jpg[/img][/color][/align][color=#990000][/color][align=center][color=#990000]图2-11 原始状态Haynes 230发射率测试结果和相似实验条件下两个不同测试数据[/color][/align]　　同样，在2015年的文献中，介绍了lnconel 718在不同热处理后的发射率测试结果，如图2-12所示。从图中可以看出，测试结果同样在1000℃附近有明显波动，但这其中的波动部分原因也可能是氧化层在1000℃附近的变化所引起。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,439]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201554589029_7043_3384_3.jpg!w690x439.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-12 不同热处理状态的lnconel 718发射率测试结果[/color][/align]　　有关1000℃后的高温区域测试过程中发射率的异常现象，密苏里大学在之前的文献报道中从未提起，发射率测试温度范围大多也没有超过1000℃。但在2016年发布的文献中[11]，介绍了91级A387合金发射率测量结果在827℃左右达到峰值，并随着温度进一步升高而逐步减小，如图2-13所示，而且这种随温度逐步减小的现象，也发生在进行过喷砂和氧化处理后的91级A387合金测试过程中。这种在827℃左右就开始出现异常的现象确实少见，所以文章作者也声明造成这种下降的原因尚不清楚，需进一步调查。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,439]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201555075221_3087_3384_3.jpg!w690x439.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-13 轻度打磨的91级A387合金的总半球发射率[/color][/align]　　在随后两年发表的文献[12]和博士论文[13]中，密苏里大学还是采用了K型热电偶对几种典型合金材料进行了全半球发射率测试，在文献综述中提到了1000K后发射率有明显的降低现象，测试结果也再现了这种现象，但都没再提及这种反常现象和原因。但在对高温反应堆系统结构材料发射率的长期预测中[14]，首先报道了对合金718进行的额外测量和短期氧化研究结果，以确定氧化合金718中发射率下降的原因。图2-14显示了合金718在空气中氧化10分钟处理后的四种不同样品的发射率，每次测试都在1200K峰值发射率附近的不同温度下终止。使用SEM-EDS检查样品没有发现表面形态和成分的任何变化来解释氧化合金718的行为，由此在随后的长期氧化研究结果中就没再出现1200K以后的结果。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,423]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201555160390_4720_3384_3.png!w690x423.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-14 合金718在空气中氧化长达10分钟的总半球发射率[/color][/align]　　在密苏里大学随后几年发表的新材料发射率测试研究报道中[15][16]，再也没有出现超过1000℃的实验数据。　　从上述文献分析可知，目前国内外绝大多数研究机构对1000℃以上高温发射率中存在的异常现象都没有很好的解决办法，测试结果自然也不能做为准确数据得到应用，但在实际工程应用中还是迫切需要这些高温数据。　　美国桑迪亚国家实验室的辐射热测试组（RHTC）多年来一直从事对各种材料在高温热环境下的热辐射性能进行研究，主要测试和研究的材料包括Inconel600、SS304、17-4PH SS、碳化硅和铝合金。在总半球发射率的温度依赖性研究方面，他们外协了美国历史悠久的热物性研究实验室（TPRL），委托TPRL采用他们特有的高温多参数热物性测试设备对典型材料进行了高温总半球向发射率的测试[17][18]。　　TPRL的高温多参数热物性测试设备可用于测量材料的多个热物理性能，包括热导率、热扩散率、比热、热膨胀、电阻率、发射率、焓、半球总发射率、Wieddemann-Franz-Lorenz比、汤姆逊系数、塞贝克系数、珀尔帖系数和理查森系数。设备中使用的样品要求是棒状电导体材料，金属、合金和石墨材料已使用该设备进行了广泛的测量。使用热电偶进行温度测量，可以在室温至约1000℃范围内测量大多数这些特性。然而，该装置主要是一种高温（1000℃）设备，使用光学高温计进行温度测定，该设备结构如图2-15所示。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,359]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201555258790_8446_3384_3.jpg!w690x359.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-15 TPRL高温多参数热物性测量设备结构示意图[/color][/align]　　TPRL的高温多参数热物性测试设备对总半球发射率的测试，采用是ASTM C835方法，但高温温度测量采用的则是非接触式光学高温计。在对Inconel 600热电偶护套材料的发射率测试中，进行了各种预先热处理，样品A在稀薄火焰中在1400℃下加热4小时，样品B在1050℃的浓火焰中加热4小时。样品C和D在空气中分别在1100℃下电加热4小时和5分钟。样品E做为参考样品，由原始的Inconel 600热电偶护套材料组成，没有氧化，也就是说，由于测量是在高真空下进行的，所以参考样品在测量过程中表面没有氧化。整个测试过程的温度至少达到了1071℃，最高达到了1181℃，测试结果数据和图形描述如图2-16和图2-17所示。[align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,429]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201555364019_3535_3384_3.jpg!w690x429.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-16 作为不同温度和表面处理状态下的Inconel 600总半球发射率测试结果[17][18][/color][/align][align=center][color=#990000][img=发射率（Emissivity）,690,358]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109201555454741_5446_3384_3.png!w690x358.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2-17 不同表面状态和温度下的Inconel 600总半球发射率[/color][/align]　　从上述TPRL公布的测试结果可以看出，无论在任何表面状态下，发射率随温度的变化基本都是一个接近线性的单调上升变化趋势，并未出现其他实验室采用热电偶测温所出现的1000℃附近的发射率异常波动现象。[size=18px][color=#990000]3. 总结[/color][/size]　　通过上述ASTM C835标准测试方法应用的研究报道分析，可以得出以下结论：　　（1）在测试过程中，如果在通电加热样品上直接焊接热电偶进行温度测量，由于在高温区间样品材料会出现塞贝克系数异常而导致发射率测量结果反而会随着温度上升而下降。如果采用非接触测温方式，则没有这种现象。这说明接触式热电偶测温会对高温发射率测量结果带来了很大影响，很多时候往往会得到相反的结果。　　（2）热电偶测温方式往往适用低于1000℃温度区间的发射率，但在通电样品上焊接多只热电偶往往又会在温度测量准确性上带来较大误差，这是因为多只热电偶通过导电样品形成了短路。　　（3）采用非接触式光学高温计进行温度测量，尽管测量温度区间可以实现很宽泛的范围，但光学高温计自身也涉及到一个发射率参数问题，样品发射率在不同温度下的改变也会影响测温精度，除非使用温度测量与发射率无关的多光谱红外测温仪器，而这种多光谱测温仪器的测量准确性还需要进一步考核和研究。　　（4）由以上结论可以看出，无论采用热电偶还是采用光学高温计，都会带来不可知的测量误差，区别是热电偶带来的发射率误差是方向性的，而光学高温计的误差则是幅值大小方面的。目前最大的问题是还没有很好的技术手段来解决这些误差影响因素，而这些问题在很大程度上限制了ASTM C835标准测试方法在高温发射率测试方面的应用。　　（5）鉴于ASTM C835标准测试方法在高温总半球发射率测试方面所面临的无解问题，但还要进行各种材料高温发射率的准确测量，因此我们建议采用另一种间接通电加热的量热法测量高温半球向发射率。这种测试方法与ASTM C835方法的主要却别是样品加热方式，在这种测试方法中，两片薄被测样品将薄发热体夹持在中间，发热体通电加热来间接加热被测样品，而温度测量则采用独立的铠装热电偶，由此避免样品高温段塞贝克系数异常和焊接质量对温度测量的影响，又可以规避样品上直接焊接热电偶经常带来高温易脱落造成试验失败的现象。[size=18px][color=#990000]4. 参考文献[/color][/size][1] ASTM C835-06(2020), Standard Test Method for Total Hemispherical Emittance of Surfaces up to 1400℃, ASTM International, West Conshohocken, PA, 2020, www.astm.org.[2] Richmond, J. C., and Harrison,W. N., “Equipment and Procedures for Evaluation of Total Hemispherical Emittance,” American Ceramic Society Bulletin, Vol 39, No. 11, Nov. 5, 1960.[3] Greene G A, Finfrock C C, Irvine Jr T F. Total hemispherical emissivity of oxidizedInconel 718in the temperature range 300~1000 C[J]. Experimental Thermal and Fluid Science, 2000, 22（3-4）: 145-153.[4] Fong R W L, Paine M, Nitheanandan T. Total hemispherical emissivity of pre-oxidized and un-oxidized Zr-2.5 Nb pressure-tube materials at 600 C to 1000 C under vacuum[J]. CNL Nuclear Review, 2016, 5（1）: 85-93.[5] T. R. Fu, P. Tan and C. H. Pang, "A steady-state measurement system for total hemispherical emissivity," Measurement Science and Technology, vol. 23, no. 2, p. 10, 2012.[6] T. R. Fu, et al., "Total hermispherical radiation properties of oxidized nickel at high temperatures," Corrosion Science, vol. 83, pp. 272-280, 2014.[7] Maynard R K, Ghosh T K, Tompson R V, et al. Total hemispherical emissivity of potential structural materials for very high temperature reactor systems: Hastelloy X[J]. Nuclear technology, 2010, 172（1）: 88-100.[8] A. J. Gordon, et al., "Hermispherical total emissivity of Hastelloy N with different surface conditions,"Journal of Nuclear Materials, vol. 426, no. 1, pp. 85-95, 2012.[9] R. K. Maynard, et al., "Hemispherical Total Emissivity of Potential Structural Materials for Very High Temperature Reactor Systems: Haynes 230," Nuclear Technology, vol. 179, no. 3, pp. 429-438, 2012.[10] B. P. Keller, et al., "Total hemispherical emissivity of lnconel 718," Nuclear Engineering and Design, vol. 287, pp. 11-18, 2015.[11] C. B. Azmeh, et al., "Total Hemispherical Emissivity of Grade 91 Ferritic Alloy with Various Surface Conditions," Nuclear Technology, vol. 195, no. 1, pp. 87-97, 2016.[12] T. S. 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[size=18px][color=#990000][/color][/size][size=18px][color=#990000]摘要：为了研究总半球发射率测试方法，特别是对间接通电加热式量热法总半球发射率测试进行更深入研究，本文采用SimulationX软件对所建立的测试模型进行了仿真计算，从而获得了样品温度与加热功率之间的量化关系，明确了测试过程中漏热对测量误差的影响程度，从而可有效指导总半球发射率测试装置的设计。[/color][/size][align=center][size=18px]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/size][/align][size=18px] [/size][size=24px][color=#990000]1. 热仿真目的[/color][/size][size=18px]　　在总半球发射率测试设备的设计前期开展热仿真计算，拟达到以下几方面的目的：[/size][size=18px]　　（1）对总半球发射率测试过程中的加热方式和整个测试过程有较直观的认识。[/size][size=18px]　　（2）获得样品温度与加热功率的量化关系，由此确定真空水冷腔体冷却所需的最大冷却功率，以帮助水冷结构设计的制冷机选型。[/size][size=18px]　　（3）确定护热温差所引起的漏热对发射率测量精度的影响程度。[/size][size=24px][color=#990000]2. 样品材料[/color][/size][size=18px]　　样品材料选择镍基高温合金Inconel 600，这主要是因为Inconel 600是常用且研究比较深入的材料，有比较齐全的热物理性能参数（热导率、比热容、热扩散率和密度）随温度变化数据，这就非常便于热仿真计算中物性参数的准确设置。[/size][size=24px][color=#990000]3. 仿真模型[/color][/size][size=18px]　　SimulationX是一款分析评价技术系统内各部件相互作用的权威软件，是多学科领域建模、仿真和分析的通用CAE工具，并具有强大标准元件库。对于间接通电加热式稳态量热法总半球发射率测量方法的建模，会涉及到热学、电学和自动化PID控制多个领域，因此采用SimulationX软件进行建模和计算分析。[/size][size=18px]　　为了对测试方法进行深入研究，建立了两个仿真模型。一个是理想情况下的样品绝热时（样品热量无损失）的仿真模型，另一个是实际情况下样品有引线热损时的仿真模型，由此来研究两种状态下的加热过程和热损所带来的误差影响。[/size][size=18px]　　[/size][size=18px][color=#990000][b]3.1. 绝热模型[/b][/color][/size][size=18px]　　采用SimulationX软件建立的绝热仿真如图3-1所示。由PID控制的热量加热被测样品，并按照不同设定值使样品达到不同设定温度，被测样品同时与作为黑体的等温量热计进行辐射热交换。在测试过程中，假设被测样品只有热辐射一种传热形式，样品加热引线上无导热热损，样品处于绝热状态。[/size][align=center][color=#990000][img=半球发射率,625,275]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202201358306_9908_3384_3.jpg!w625x275.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-1 绝热条件下SimulationX仿真模型[/color][/size][/align][size=18px]　　为了计算出样品达到最高温度1200℃时所需要的最大功率，设置样品表面的总半球发射率为1。对于100mm×100mm×6mm规格的样品尺寸进行计算，结果如图3-2所示。[/size][align=center][color=#990000][img=半球发射率,690,400]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202201524222_4058_3384_3.png!w690x400.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-2 规格100mm×100mm×6mm样品加热温度和功率计算结果[/color][/size][/align][size=18px]　　按照图3-2所示的计算结果，可以采用发热率计算公式计算得到不同温度下的总半球发射率变化曲线，如图3-3所示。[/size][align=center][color=#990000][img=半球发射率,690,397]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202202015455_5562_3384_3.png!w690x397.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-3 规格100mm×100mm×6mm样品不同加热温度下的发射率计算结果[/color][/size][/align][size=18px]　　从上述计算结果可以看出，发射率仿真结果与理论值无偏差，证明了所建模型是准确的。另外还可以看出，在间隔200℃的不同设定温度点上，随着加热温度的增加，加热功率几乎成倍的增加。如在1000℃时，加热功率3.3kW，如果采用低压大电流电源，低压电压为30V时，直流电压则会至少100A，那么所对应的电极引线会较粗，这势必会带来较大的引线导热热损。为避免加热引线导热热损则需要增加护热加热，将靠近样品处的加热导线温度也要保持与样品温度一直，这势必会给高温样品热辐射带来严重影响，相当于大幅度增加了样品辐射面积，从而给测量带来严重误差。[/size][size=18px]　　为避免大的加热功率，减小电极引线的粗细，将模型中样品缩小到50mm×50mm×3mm，测试结果如图3-4和图3-5所示。[/size][align=center][color=#990000][img=半球发射率,690,402]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202202136564_9259_3384_3.png!w690x402.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-4 规格50mm×50mm×3mm样品加热温度和功率计算结果[/color][/size][/align][align=center][color=#990000][img=半球发射率,690,401]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202202229346_3131_3384_3.png!w690x401.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-5 规格50mm×50mm×3mm样品不同加热温度下的发射率计算结果[/color][/size][/align][size=18px]　　从图3-4和图3-5所示结果可以看出，样品尺寸缩小后，在最高温度1200℃时的最大加热功率降低到了四分之一，约1.5kW。[/size][size=18px][color=#990000][b]3.2. 护热模型[/b][/color][/size][size=18px]　　采用SimulationX软件建立的护热仿真如图3-6所示。在护热模型中，在原有PID控制加热被测样品（规格50mm×50mm×3mm）的基础上，增加一路PID护热加热回路，控制护热回路温度始终跟踪样品温度变化。在理想情况下，护热温度要与样品温度完全相同，如此这两回路之间存在温差，则被测样品就会产生热损。[/size][align=center][color=#990000][img=半球发射率,625,290]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202206457581_2325_3384_3.jpg!w625x290.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-6 护热条件下SimulationX仿真模型[/color][/size][/align][size=18px]　　在护热模型计算中，样品发射率设置为1，被测样品温度变化范围还是设置为200℃~1200℃，而护热温度总是比样品温度低1%，由此来计算热损对发射率测量的影响，计算结果如图3-7和图3-8所示。当设置样品发射率为0.5时，发射率测量结果如图3-9所示。[/size][align=center][color=#990000][img=半球发射率,690,403]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202202345051_4964_3384_3.png!w690x403.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-7 发射率为1时护热模型的加热温度和功率计算结果[/color][/size][/align][align=center][color=#990000][img=半球发射率,690,401]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202202441606_7412_3384_3.png!w690x401.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-8 发射率为1时护热模型不同加热温度下的发射率计算结果[/color][/size][/align][align=center][color=#990000][img=半球发射率,690,399]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202202520436_5036_3384_3.png!w690x399.jpg[/img][/color][/align][size=18px][color=#990000][/color][/size][align=center][size=18px][color=#990000]图3-9 发射率为0.5时护热模型不同加热温度下的发射率计算结果[/color][/size][/align][size=18px]　　从上述测试结果可以看出，护热控制过程中1%温差所造成的漏热，对样品加热功率的大小影响不大，但对发射率测量有影响，这种影响在较低温度段非常明显，并且对较低发射率样品的测量影响也较严重。[/size][size=18px]　　从图3-8可以看出，当样品发射率为1时，200℃时的发射率测量结果误差最大，相对误差接近4%，然后随着样品温度的升高，误差急剧减小。由此可见在较低温度范围内，漏热在样品热辐射能量中所占的比重较大，从而造成发射率测量误差较大。随着样品温度的升高，漏热所占比重快速减小，从而发射率测量误差也快速减小。[/size][size=18px]　　从图3-9可以看出，当样品发射率为0.5时，同样是200℃时的发射率测量结果误差最大，相对误差放大到了8%左右，同样随着样品温度升高，误差急剧减小。由此可见，对于低发射率的测量，漏热会更严重的影响测量精度。[/size][size=24px][color=#990000]4. 总结[/color][/size][size=18px]　　通过SimulationX软件建立了绝热和护热两种总半球发射率测量仿真模型，并在不同温度下来计算得到相应的加热功率和样品温度变化曲线，最终获得加热功率变化规律和发射率测量结果。通过仿真计算，得出以下结论：[/size][size=18px]　　（1）间接式通电加热稳态量热法测量总半球发射率过程中，为达到1200℃的最高温度，如果采用低压大电流加热方式，则需要较大的加热功率，并需要较粗的加热电极，这势必会给测试模型的准确性带来严重影响，并需要添加额外的护热装置，由此带来整个测试装置的复杂性和制造难度。[/size][size=18px]　　（2）护热装置要求具有一定的温度跟踪精度以确保测试模型尽量接近绝热状态，温度跟踪精度对较低温度区间的样品发射率测量有较大影响，而且样品发射率越小，这种影响会急剧放大。[/size][size=18px]　　（3）在存在漏热情况下，测量值会比实际值偏大。在存在增热情况下，测量值会比实际值偏小。[/size][size=18px][/size][align=center]=======================================================================[/align][align=center] [img=半球发射率,690,300]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/10/202110202159531381_1955_3384_3.jpg!w690x300.jpg[/img][/align][size=18px][/size][size=18px][/size][size=18px][/size]

[color=#990000]摘要：热量是一种过程量，是热能传递的度量，量热技术就是研究热测量方法的一门技术科学。由于量热技术可以对物质吸收和放出热量进行精确定量测量，这使得量热技术在材料热物理性能测试中应用十分广泛，也是材料热辐射性能测试中的一种常用方法。半球向全发射率作为一种热交换分析计算和材料热辐射性能评价中最常用的性能参数，是材料热辐射性能中的必测参数。在真空条件下采用量热法测试半球向全发射率，由于其测试直接和简单，因此量热法作为一种绝对测量方法而被认为具有最高的测量精度。本文详细介绍了量热法半球向全发射率测试技术的两类主流方法：稳态法和瞬态法，介绍了国内外在这两类方法中比较有代表性的研究工作，最后总结了这两类方法它们各自的特点及适用范围，为建立相应测试设备和研究测试方法提供参考。[/color][color=#990000][/color][align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align] [align=center][img=量热法半球向全发射率测试技术,690,436]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109141051379730_9244_3384_3.png!w690x436.jpg[/img][/align][color=#ff0000]由于本文内容包含大量数学公式，不便在网页中进行编辑和显示，特在此近刊登文章目录，详细内容请阅读附件原文。[/color][color=#ff0000][/color][size=24px][color=#990000] 目录[/color][/size][size=24px][color=#990000][/color][/size][color=#990000][b]1. 热辐射性质的内容及其定义[/b][/color][color=#990000] 1.1. 发射率.[/color] 1.1.1. 光谱定向发射率 1.1.2. 光谱法向发射率 1.1.3. 全波长法向发射 1.1.4. 全波长半球向发射率 [color=#990000] 1.2. 吸收率 [/color] 1.2.1. 光谱定向吸收率 1.2.2. 全波长定向吸收率 1.2.3. 光谱半球向吸收率 1.2.4. 全波长半球向吸收率 [color=#990000] 1.3. 反射率 [/color] 1.3.1. 光谱定向—半球向反射率 1.3.2. 全波长定向—半球向反射率 1.3.3. 光谱半球向—定向反射率 1.3.4. 全波长半球向—定向反射率[color=#990000] 1.4. 透过率 [/color] 1.4.1. 光谱定向透过率 1.4.2. 全波长定向透过率[color=#990000][b]2. 发射率测量方法概述 3. 稳态量热法半球向全发射率的测量[/b][/color][color=#990000] 3.1. 保护电热法 3.2. 间接电热法 3.3. 直接通电加热法 3.4. 辐射加热法 3.5. 薄膜热流计法[/color][color=#990000][b]4. 瞬态量热法半球向发射率的测量[/b][/color][color=#990000] 4.1. 辐射加热法 4.2. 直接通电热脉冲法[/color][color=#990000][b]5. 总结 [/b][/color][color=#990000][b]6. 参考文献 .......................................................... 34[/b][/color][color=#990000][/color][color=#990000][/color][color=#990000][/color]