电动英寸毫米线性位移平台

据日经中文网6月16日报道，由日本电子零部件企业田村制作所和AGC等出资成立的Novel Crystal Technology在全球首次成功量产以新一代功率半导体材料“氧化镓”制成的100毫米晶圆。将于2021年内开始供应晶圆。客户企业可以用支持100毫米晶圆的现有设备制造新一代产品，有效运用过去投资的老设备。报道指出，在日本政府的半导体战略中，功率半导体被视为日本企业保持国际竞争力的领域之一。功率半导体材料目前处于过渡期，现在的主流材料是硅，碳化硅（SiC）和氧化镓等材料的开发不断推进。此次成功实现晶圆量产化的氧化镓有望在相关竞争中占据优势。报道还称，这次氧化镓成功量产对客户企业也有好处，由于可以用支持100毫米晶圆等的现有设备来生产半导体，能够控制住设备投资。日本半导体厂商拥有过多的老式生产设备，这些设备有望得到有效利用。此外，Novel Crystal Technology还计划2023年供应150毫米晶圆。根据Novel Crystal Technology官网介绍，该公司于2019年成功开发出高质量2英寸（50.8毫米）氧化镓外延片，并于2019年初开始生产销售。但由于成本不相匹配而没有功率器件的量产线，该晶圆的用途仅限于研发。这次，该公司成功开发高品质β型氧化镓100mm外延片，这使得在100毫米生产线上制造氧化镓功率器件成为可能。

国际半导体产业协会（SEMI）在日前发布的8英寸晶圆厂展望报告中指出，从 2020 年初到 2024 年底，全球半导体制造商有望将8英寸晶圆厂产能提升120 万片，即21%，达到每月 690 万片的历史新高。报告同时指出，2021年全球8英寸晶圆厂设备支出攀升至 53 亿美元。由于 8英寸晶圆厂的利用率保持在高水平，以及全球半导体行业正在努力克服芯片短缺，预计 2022 年 8英寸晶圆厂设备支出将达到 49 亿美元。众所周知，晶圆尺寸越大，切割的芯片越多，单个芯片的生产成本也就越低。因此将8英寸产线转为12英寸产线成为近年来许多代工厂商的共同选择，8英寸的扩产动力远不及12英寸。据TrendForce集邦咨询研究，2020~2025年全球前十大晶圆代工厂的12英寸约当产能年复合增长率约10%，其中多数晶圆厂主要聚焦12英寸产能扩充，CAGR约13.2%；8英寸方面因设备取得困难、扩产不符成本效益等因素，晶圆厂多半仅以产能优化等方式小幅扩产，CAGR仅3.3%。但是，在市场需求提升，以及新冠肺炎疫情导致的供需失衡等因素的共同作用下，8英寸产能的供应日渐紧张。从产品工艺来看，12 英寸晶圆主要用来生产逻辑芯片、存储器等高性能芯片；8英寸晶圆生产的主流产品则包括显示驱动、CIS（CMOS图像传感器）、MCU、电源管理芯片、分立器件（含MOSFET、IGBT）、指纹识别芯片、触控芯片等产品。受到电动车、5G智能手机、服务器等需求带动，8英寸晶圆产能自2019下半年起呈现严重供不应求。而疫情防控导致半导体供应链出现堵点，MCU、车规半导体等严重缺货的芯片产品，也落在了8英寸晶圆的领域。“晶圆制造商将在5年内增加25条新的8英寸生产线，以满足 5G、汽车和物联网等市场对于模拟芯片、电源管理芯片、显示驱动芯片、MOSFET、MCU和传感器的需求。”SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha表示。8英寸半导体产能和晶圆厂数量来源：SEMI目前来看，依赖8英寸晶圆的模拟、电源管理等芯片品类，将继续在全球晶圆产能和设备投资占据一定的份额。SEMI报告显示，2022年代工厂将占据全球晶圆产能的 50% 以上，模拟芯片、分立及电源器件分别占据产能的19%和12%。设备方面，到2023年，设备投资预计保持在30亿美元以上，其中代工部门占54%，分立器件及电源管理芯片占20%，模拟芯片占19%。从地区来看，中国大陆将在8英寸晶圆产能处于领先，到 2022 年将占全球8英寸产能的 21%，日本将占据产能的16%，中国台湾地区和欧洲及中东地区各占 15%。

2021 年 9 月 8 日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司今日宣布推出多项全新产品以帮助世界领先的碳化硅 (以下简称SiC) 芯片制造商从150毫米晶圆量产转向200毫米晶圆量产，使每个晶圆的芯片数产出近乎翻倍，可满足全球对于卓越的电动车动力系统日益增长的需求。SiC 电力半导体能够将电池电量高效转化为扭力，从而提升车辆性能并增大里程范围，因此需求旺盛。SiC 的固有特性使其比硅更坚硬，但也存在自然缺陷，可能导致电性能、电源效率、可靠性和良率的降低。因此需要通过先进的材料工程来对未经加工的晶圆进行优化方可量产，并在保证尽可能减少晶格破坏的前提下构建电路。应用材料公司集团副总裁、 ICAPS事业部总经理 Sundar Ramamurthy表示：“为了助力计算机革新，芯片制造商转而将希望寄托于不断扩大晶圆尺寸，通过显著增加芯片产出来满足增长迅速的全球需求。现如今，又一波革新初露端倪，这些革新将受益于应用材料公司在工业规模下材料工程领域的专业知识。”Cree公司总裁兼 CEO Gregg Lowe表示：“交通运输业的电气化势头迅猛，借助 Wolfspeed 技术，我们将能够藉此拐点领导全球加速从硅向碳化硅转型。通过在更大的 200毫米晶圆上交付最高性能的碳化硅电源器件，我们得以提升终端客户价值，满足日趋增长的需求。”Lowe 还说道：“应用材料公司的支持将有助于加速我们在奥尔巴尼的 200毫米工艺制程的技术验证，我们的莫霍克谷晶圆厂的多项设备安装也在紧锣密鼓进行中，两者助力之下，转型进展迅速。不仅如此，应用材料公司的 ICAPS 团队眼下正在开发热注入等多项新技术，拓宽并深化了我们之间的技术协作，使我们的电力技术路线图得以快速发展。”全新 200毫米 SiC CMP 系统SiC 晶圆表面质量对于 SiC 器件制造至关重要，因为晶圆表面的任何缺陷都将传递至后续各层次。为了量产具有最高质量表面的均匀晶圆，应用材料公司开发了 Mirra® Durum™ CMP* 系统，此系统将抛光、材料去除测量、清洗和干燥整合到同一个系统内。这一新系统生产的成品晶圆表面粗糙度仅为机械减薄SiC 晶圆的五十分之一，是批式 CMP工艺系统的粗糙度的三分之一。为助力行业向200毫米大尺寸晶圆转型，应用材料公司发布了全新的Mirra® Durum™ CMP系统，它集成抛光、材料去除测量、清洗和干燥于一身，可量产具有极高质量表面的均匀晶圆 热注入提升 SiC 芯片性能和电源效率在 SiC 芯片制造期间，离子注入在材料内加入掺杂剂，以帮助支持并引导大电流电路内的电流流动。由于 SiC 材料的密度和硬度，要进行掺杂剂的注入、精确布局和活化的难度非常之大，同时还要最大程度降低对晶格的破坏，避免性能和电源效率的降低。应用材料公司通过其全新的 VIISta® 900 3D 热离子注入系统为150毫米和200毫米 SiC 晶圆破解了这一难题。这项热注入技术在注入离子的同时，能够将对晶格结构的破坏降到最低，产生的电阻率仅为室温下注入的四十分之一。应用材料公司全新VIISta® 900 3D热离子注入系统可向200毫米和150毫米碳化硅晶圆注入和扩散离子，产生的电阻率仅为室温下注入的四十分之一

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " strong span style=" text-indent: 2em " 3月31日，华为技术有限公司（下称“华为”）新增对外投资企业中电科仪器仪表有限公司（下称“中电科仪”），华为持股比例为8%， /span /strong span style=" text-indent: 2em " 认缴出资额达6606.6743万元人民币，认缴出资时间是今年4月30日。 /span /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " strong 中电科仪致力于微波/毫米波测量、光电测量、通信测量、基础测量和毫米波/太赫兹 /strong strong 等 /strong 电子测试领域前沿技术的探索和研究。据悉， strong 此前华为就在关注毫米波/太赫兹技术，在2020年1月12日天津举办的“‘太赫兹光谱与测试应用研讨’暨‘太赫兹光谱与测试工作组’成立大会”（ a href=" https://www.instrument.com.cn/news/20200113/520591.shtml" target=" _blank" span style=" color: rgb(84, 141, 212) " 相关链接：太赫兹技术“未来可期”“太赫兹光谱与测试工作组”正式成立 /span /a ），就有华为相关工作人员出席，并就太赫兹在通信及雷达领域的应用提出相关问题。此次华为入股中电科仪，或与其通信布局相关，获取最新的毫米波/太赫兹通信技术。 /strong /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 工商信息显示，与华为一同入股中电科仪的还有7位股东，分别是中国电子科技集团公司第四十一研究所（10%）、中电科投资控股有限公司（8.72%）、合肥中电科国元产业投资基金合伙企业（有限合伙）（8.00%）、蚌埠思仪发展企业管理中心（有限合伙）（7.95%）、国家军民融合产业投资基金有限责任公司（2.46%）、中电电子信息产业投资基金（天津）合伙企业（有限合伙）（2.46%）以及蚌埠思仪创新企业管理中心（有限合伙）（1.88%），公司原唯一股东中国电子科技集团有限公司的持股比例下降至50.54%。这八位股东入股后，中电科仪的注册资本从5亿元人民币增加至8.258亿元，增幅65.17%。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中电科仪2020年度工作报告介绍，公司在2019年营收、净利润同比增长超25%，货币资金达22.72亿元，2020年的工作目标是实现营收34亿元、净利润3.19亿元等经营目标。 /p h1 label=" 标题居左" style=" font-size: 32px font-weight: bold border-bottom: 2px solid rgb(204, 204, 204) padding: 0px 4px 0px 0px text-align: left margin: 0px 0px 10px " span style=" font-size: 20px " strong 关于毫米波/太赫兹 /strong strong /strong /span /h1 p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 毫米波和太赫兹所覆盖的电磁频谱是低频段常用电磁频谱的几百倍，在高频段电磁波的波长短，具有带宽上的巨大优势和波长短的特性，因此在通信、雷达、成像、检测等领域具有高宽带、高速率、高精度、高分辨率等特点，在高速无线通信、自动驾驶汽车、无损探测、机器人视觉、航空航天等方面有广阔的应用前景。 /p h1 label=" 标题居左" style=" font-size: 32px font-weight: bold border-bottom: 2px solid rgb(204, 204, 204) padding: 0px 4px 0px 0px text-align: left margin: 0px 0px 10px " span style=" font-size: 20px " strong 关于中电科仪器仪表有限公司 /strong /span /h1 p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中电科仪是中国电科集团下属二级企业，本部位于青岛，公司致力于微波/毫米波测量、光电测量、通信测量和基础测量等电子测试领域前沿技术的探索和研究，拥有自主知识产权的、覆盖高中低端的、系列化的电子测量仪器和元器件产品，以及“量身定做”的自动测试解决方案。 /p

得益于远程办公、5G、物联网、汽车电动电子化对芯片的旺盛需求，2021年半导体产业得到快速发展，也带动了半导体设备市场的增长。测试设备尽管不如光刻机那么瞩目，却是每一道工艺都不可缺少的，其中既有面向前道工艺、先进制程的量检测设备，也有用于晶圆加工后封测环节的测试机、分选机、探针台等。高速增长的市场，以及日趋复杂化的需求也为本土测试设备的发展提供了难得的契机。投资大幅增长，市场规模将超80亿美元半导体量检测设备主要用于半导体制造过程中检测芯片的性能与缺陷，从设计验证、工艺控制检测，到晶圆测试、成品测试，贯穿整个半导体制造过程，以确保产品质量的可控性。上海精测半导体光学事业部总经理李仲禹表示，在IC制造行业，检测覆盖从硅锭到拉晶的基材制造，再到硅片切割、研磨的厚度、平整度、粗糙度、电子率量测等。在光刻工艺中，要检测层厚度、宽度和结晶度，以及图形位置准确性、图形缺陷、清洁度等。注入工艺中，要做浓度、氧化层、CVD检测。他指出，前道芯片制造有上千道工艺，每道工艺良率损失0.1个百分点，最终良率就只有36.8%，因此每个工艺环节的良率控制非常关键，这也是先进节点IC制造中检测所占比重越来越高的原因。2021年受新冠肺炎疫情影响，全球数字化浪潮加速，对芯片产品的需求快速提升，也带动了半导体设备市场的增长。以台积电为例，近两年不断在全球范围投资扩产。2020年5月，台积电宣布投资120亿美元在美国建设12英寸晶圆厂。2021年，台积电陆续宣布在中国大陆南京和日本九州熊本县的28nm扩产、投资计划，德国新厂的建设计划也在推进中。此外，台积电还在积极推进3nm及以下的晶圆厂建设，为先进工艺量产计划做准备。台积电总裁魏哲家表示，台积电将在未来三年投资1000亿美元，用于扩大晶圆制造产能和领先技术研发。半导体后道封测方面的产能扩张也很快，包括英特尔计划投资70亿美元扩大其在马来西亚槟城州先进半导体封装工厂的生产能力；Amkor计划在越南投资16亿美元建设封测厂；日月光投控旗下矽品将在中国台湾地区投资约28.9亿美元新建封测厂。国内三大封测龙头长电科技、通富微电、华天科技，也分别募集资金数十亿元投入封测领域项目。作为半导体设备中一个重要门类，测试设备的需求也水涨船高。SEMI数据显示，2020年至2024年，全球将新建或者扩建60座12英寸晶圆厂，同期还将有25座8英寸晶圆厂投入量产。从设备支出来看，2021年全球半导体设备销售总额首次突破1000亿美元，创1030亿美元新高，增长达44.7%。而就测试设备市场来看，2020 年全球半导体测试设备市场规模为60.1 亿美元，到2022 年预计将达80.3亿美元，年复合增长率达到16%。迭代加速，芯片测试进入复杂性时代市场规模增长的同时，半导体测试设备的复杂度也在提升。根据泰瑞达中国区销售副总经理黄飞鸿的介绍，半导体测试设备大致经历了三个阶段。1990年至2000年期间，半导体主流工艺基本处于0.8μm至0.13μm之间。这一阶段CMOS工艺蓬勃发展，SoC芯片功能越来越强。人们不断在芯片上集成模拟功能与数据接口。传统测试平台越来越难以覆盖新增加的高速模拟接口的测试需求。因此，这个时期对测试设备业来说，或可称为“功能时代”，主要体现为企业不断增加测试设备的功能性，以满足日趋复杂的SoC芯片需求。到了2000-2015年，半导体工艺一路从0.13μm、90nm、65nm、28nm进展到14nm，工艺越来越先进，芯片尺寸也越来越小，晶体管的集成度也越来越高。芯片规模变大带来的直接挑战就测试时间的延长，测试成本占比提高。如果说功能时代都是单工位测试，即同一时间只能测一颗芯片，那么进入这个时期人们对并行测试的要求就在不断提高了。测试设备板卡上面集成的通道数越来越多，能够同时做2工位、4工位、8工位的测试。这个时代也是资本最有效的时代，或可称为资本效率时代。进入2020年之后，半导体工艺沿着5nm，2/3nm继续演进，同时的芯片复杂度也在不断增加。随着5G、大数据、人工智能、自动驾驶等新兴市场的崛起，一颗芯片上承载的功能越来越多，产品迭代速度越来越快，甚至很多像AI和AP这样高复杂度芯片也要求进行逐年迭代。这意味着芯片测试的复杂度大幅递增。测试设备进一步分化，需要针对不同领域、不同要求进行调整。所以这个时代或可称之为复杂性时代。利扬芯片董事总经理张亦锋也指出，现在的芯片测试已经不是简单的功能测试，不光要回答芯片能不能用的问题，更要回答好不好用和能用多久的问题，由测试硬件和测试程序共同构建的测试解决方案已经是芯片产品竞争力的体现。同时，客户从测试环境、测试精度、测试监控、测试质量、测试成本等方面提出对系统级测试的更多要求。以射频（RF）和电源管理类模拟芯片为例，芯片测试已经不仅是发现哪些是好的，哪些是不好的芯片，而是首先要对它们进行trim（微调），然后再测试，这样可以大大提高产品良率。微调频率、电压、电流等工作达到整个RF设计时间的40%。随着芯片的工艺尺寸变得越来越小，trim也变得越来越重要和普遍。本土新机会，尤其关注先进封装测试需求市场的快速增长以及用户需求的复杂化为本土测试设备的发展提供了有利时机。张亦峰表示，首先应把握好本地市场的需求。测试设备市场2022年将维持高度景气。因为每一颗芯片都需要100%测试才能交付终端电子产品的使用。前端晶圆设备支出高速增长必将带来产能的扩长。有数据统计2021年中国晶圆产能增长了40%，未来2-3年扩产项目完全达产后将增长3倍，这势必带来晶圆测试和后端封装测试需求的同比增长。与全球市场相比，国内测试设备市场还处于发展初级阶段。在模拟测试机和机械手上有一定市场份额，但在高端测试机和探针台(Prober)设备基本可忽略。但这也意味着未来发展空间巨大。企业应以国内市场为基础，发挥高性价比、服务优质等优势把握机会，同时把产品逐步向全球市场拓展。其次，要抓住技术变革带来的新机会。黄飞鸿表示，随着芯片制造工艺持续演进对测试设备带来新的要求：一是更高的数据率下面怎么样保证测试的精度；二是随着工艺不断演进，芯片里面集成晶体管的密度是呈几何增加。量测设备涵盖从晶圆制造到封装等每道工艺，要求非常快速、准确、非破坏性将潜在缺陷找出来，重在工艺控制和能力管理。而技术的变化与需求的分化为新进入者提供了契机。本土厂商应抓住这样的机会，在多个细分产品领域实现突破，为客户持续的降本增效提供产品基础。此外，特别应关注先进封装市场的测试需求。黄飞鸿指出，未来半导体工艺演进有两个大的方向：一是沿着5 纳米、2 纳米、1 纳米继续往前走，但是这样演进已经越来越困难了。另外一条是走异构集成路线，如Chiplet（芯粒）就是在一颗芯片里面集成不同的模块，不一定每个模块都需要用到2纳米、3纳米的工艺。把不同功能的芯片在片上集成封装就是一条发展路径。这对测试及相关设备也提出了新的要求。张亦峰则强调，中国半导体产业历来重视前道晶圆制造和芯片设计产业的扶持。封装因为历史的原因率先得到长足发展。对测试产业以及测试设备产业则不够重视，已经凸显产业链发展的不平衡。目前情况下，中国测试设备企业应当抓住机遇，对标国际一流，在设备的稳定性、可靠性、一致性上努力专研下狠功夫，而不是仅仅追求成本最低。

2月28日，国家自然科学基金重点项目“大口径主动光学亚毫米波/毫米波望远镜方案及关键技术研究”项目技术验收会在南京天文光学技术研究所召开。会议邀请了国家自然科学基金委、南京大学、紫金山天文台、新疆天文台、国家天文台的领导和专家，南京天光所崔向群院士、所长朱永田、党委书记张丽萍和项目组相关人员参加了此次会议。 　　项目组长李国平研究员代表项目组报告了“大口径主动光学亚毫米波/毫米波望远镜方案及关键技术研究”项目的执行情况，以及在技术创新、专利和文献、人才培养、国际交流与合作等方面取得的成果。项目测试专家组组长紫金山天文台左营喜研究员报告了现场测试结果。专家组对项目预期研究的内容、实验结果和相关技术资料进行了认真审查，并现场考察了实验样机和面板检测装置。专家认为在“大口径主动光学亚毫米波/毫米波望远镜方案及关键技术研究”项目中所取得技术成果将为我国建造高精度大口径亚毫米波/毫米波望远镜提供重要的关键技术支持。 　　会上，朱永田所长代表天光所感谢与会专家对项目取得成果的肯定，以及国家自然科学基金委一直以来对研究所在天文新技术、关键技术研究等方面的大力支持。同时，朱所长也表示在已取得的成果基础上我们还需进一步工程化研究，为该项成果的实际应用做好准备。 　　大口径主动光学亚毫米波/毫米波望远镜方案及关键技术的研究是为我国能在未来有技术能力建造30米口径亚毫米波(观测波长可达0.2毫米)和100米口径毫米波望远镜(观测波长可达3毫米)做好技术准备。在研究过程中，研制出了一套适用于亚毫米波的实验样机，单块面板(650mmX650mm)面形优于5微米，并在国内首次实现了四块面板拼接，共相精度达到12微米 首次提出了可用于射电望远镜反射面检测的激光法线偏差测量方法 并在国内首次自主研制了分辨率达10纳米量级机电式微位移促动器。

有市场消息传出，台积电正扩大采购买氮化镓相关半导体设备，6英寸厂内相关产能将翻倍。自去年开始就陆续有消息传出，台积电看好化合物半导体领域，将与国外大厂合作进军此领域，尤其是氮化镓晶圆。魏哲家当初表示，氮化镓拥有高效能、高电压等特性，适合用在高频半导体，而台积电在氮化镓制程技术上已有所进展，符合客户要求，看好未来氮化镓应用前景。如今，小批量生产正在扩大。台积电目前是提供6英寸硅基氮化镓晶圆代工服务，且在结盟意法半导体后，又与纳微半导体进行合作，先进功率氮化镓解决方案正陆续开发，预期能抢攻目前最热门的电动车市场商机。作为一种宽禁带半导体材料，氮化镓运作将比硅元件快上20倍，应用在充电器上，将可使速度快3倍，但却能大幅缩小体积与重量。虽然氮化镓还不能用在制作如CPU等逻辑IC，主要是光电、通讯射频及电源功率元件，但仍然相当重要，且造价并不便宜。此类化合物半导体已被认为是第三代半导体，各国正积极投入生产及研究，还有如碳化硅等，具有耐高温、耐高压的特点，在电力电子系统上能有相当广泛的应用，当然也包括电动车，所以除了手机快充外，目前投入化合物半导体的业者基本上都相当积极的想要打入电动车供应链。如台湾地区的茂矽、汉磊科等也早已布局相关应用，抢先跨过技术门槛来争抢市占，自去年Q4以来，车用电子急遽升温，客户订单开始激增，目前产能都已满载，价格当然也攀高，市场相当看好，甚至预期下半年客户不会修正库存，动能将持续，并一举反亏为盈。虽然这只是期望，但无论如何，化合物半导体市场正在扩大，将会是趋势。据台湾工研院报告，2025年就将成长到1780亿美元，而相对来讲投入的厂商仍少，但有的厂商已取得不错的成果。

作为我国集成电路装备行业的核心企业之一，华海清科股份有限公司成功推出了具有自主知识产权的十二英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300，于9月27日发往某客户大生产线。这款设备能满足3D IC制造、先进封装等制程的超精密晶圆减薄工艺需求，可提供超精密磨削、抛光、后清洗等多种功能配置，具有高刚性、高精度、工艺开发灵活等优势,主要技术指标达到了国际先进水平，填补了集成电路3D IC制造及先进封装领域中超精密减薄技术的空白。Versatile-GP300采用的工艺很巧妙。团队在设计之初，创新性地将高效减薄和抛光工艺集成，既能实现超平整减薄与表面损伤控制，又兼顾高效率与综合性价比，更匹配3D IC晶圆减薄市场的迫切需求。在我国3D IC制造、先进封装等领域中，十二英寸高精度晶圆减薄机全部依赖进口。如今，华海清科的首台十二英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300已完成厂内测试，出机进入客户产线验证。这是华海清科又一产品在实现国产半导体装备自主可控道路上的重要突破。“念念不忘，必有回响”。华海清科团队在自主研发道路上，始终秉承着初心，一如既往地用精益求精的态度，不断追求技术突破，不断丰富产品系列，为加速推动集成电路国产设备替代进程、更好地服务社会贡献力量。

p style=" text-indent: 2em " 无论手机、笔记本电脑、还是电动车辆都离不开锂离子电池，它是“点燃”我们日常生活的重要能源。然而近些年，锂离子电池却因为实实在在的着火事件而引起了舆论的关注。怎样才能开发出更为安全的电池呢？据科学家在ACS期刊的纳米板块发表的文章介绍，在电池中加入纳米线不仅可以提升电池的耐火性，同时也能提升电池其他方面的性能。 /p p style=" text-indent: 2em " 在锂离子电池中，锂离子通过电解质往返穿梭于两电极之间，传统锂离子电池的电解质是盐和有机溶剂构成的液体，很容易蒸发，是造成火灾的隐患。因此，学者们将研究的重心转向了固态电解质。被提议担起固态电解质的“人选”有很多，然而这些物质大多或稳定性不够，或不能满足大规模生产的需要，二者不可得兼。这其中，聚合物电解质因其良好的稳定性、低成本和灵活性而被认为是担当固态电解质的潜力股，但是它的导电性和力学性能却较差，因此，科学家们通过添加一系列化合物来设法提升聚合物电解质的性能。陶新永和他的研发团队制备出的硼酸镁纳米线恰好就具有良好的力学性能和导电性，如果把硼酸镁纳米线加入到固态电解质中，是否电池也会被赋予相应的良好特性呢？陶新永的团队对此十分好奇。 /p p style=" text-indent: 2em " 他们在固体电解质中混合了5、10、15、20重量百分比的硼酸镁纳米线并进行实验观察，发现硼酸镁纳米线确实可以提升电解质的导电性，这种提升与离子通过电解质的速度和数量息息相关，离子通过电解质的速度越快，快速通过的数量越多，电解质的导电性能就越好。此外，硼酸镁纳米线的添加还使得电解质能够承受更大的压力。研究团队还测试了加入硼酸镁纳米线后电解质的可燃性，发现它几乎不可燃烧。而由硼酸镁纳米线强化的固态电解质与阴阳极配对所构成的电池，在速率性能和循环容量上都比电解质中不含硼酸镁纳米线的电池有所提升。 /p

10月20日，为期三天的2008年中国—英国/欧洲毫米波与太赫兹技术学术研讨会在电子科技大学隆重召开。来自中英等国的近100名专家学者和会议代表齐聚我校，纵论毫米波与太赫兹的研究现状和发展趋势，探讨国际毫米波与太赫兹科学技术研究的重大科学问题和前沿进展。　　 　 　　本次会议由英国伦敦皇家协会和中国国家留学基金委发起，由电子科技大学主办。会议同时得到了IEEE的相关技术支持。会议旨在加强毫米波与太赫兹在相关研究领域的技术交流与合作，促进相关成果的转化和技术创新。会议主要议题包括对太赫兹源以及太赫兹的传输发射、模式转换、无线技术的相关研究的研讨和对毫米波与太赫兹的相关技术应用的交流。 　　会议主席由电子科技大学副校长熊彩东、伦敦大学玛丽女王学院陈晓东教授共同担任，电子科技大学刘盛纲院士担任大会国际顾问委员会主席。　　 　　熊彩东副校长代表电子科技大学对会议的召开表示热烈祝贺。他说，此次会议汇集了中英以及欧洲等国在毫米波和太赫兹研究领域的许多专家，会议的召开对推进电子科技大学在毫米波和太赫兹领域的研究以及促进中英和欧洲各国在毫米波和太赫兹研究领域的发展提供了很好的平台。 　　刘盛纲院士表示，太赫兹技术是当前科学界的一个前沿研究领域，由于其潜在的巨大科学价值和应用价值，现已受到世界各国的高度重视。此次会议的召开对促进中英两国以及中欧各国在毫米波与太赫兹相关领域的交流和合作，加快该领域的科学研究发展、人才交流、培养和科技成果转化将有重要意义。刘院士介绍了电子科技大学在太赫兹领域的研究成果，并希望他们能尽情感受成都，了解成电。 　　在本次会议上，电子科技大学刘盛纲院士、英国斯特拉斯克莱德大学艾伦菲尔普斯教授等8位毫米波与太赫兹研究领域的专家分别围绕太赫兹科学技术的最新研究进展、发展趋势、应用前景等做了特邀报告。另有40多名专家学者还以口头报告和张贴报告等形式汇报了其在毫米波和太赫兹领域的研究进展和最新探索。本次会议采取了报告和研讨相结合的交流方式，共收到论文50余篇，论文内容涵盖毫米波与太赫兹相关理论及技术应用、前沿研究和学科前景等，反映了当前毫米波和太赫兹领域的最新研究与最新成果。 　　会议期间，与会专家们参观了电子科技大学物电学院工艺实验室等相关研究机构。 　　据了解，太赫兹(Terahertz，简称THz)波是指频率在(0.1-10)THz (1THz=1012 Hz， 或波长为30微米-3毫米)范围内的电磁波。它的频谱极宽，覆盖了各种包括凝聚态物质和生物大分子在内的转动和集体振动频率。因此，THz科学技术有很重要的学术研究价值，在国民经济和国防建设领域有着极其重要的应用前景。 　　从1992年开始，刘盛纲院士就指出在我国发展太赫兹科学技术的必要性和紧迫性，并坚持不懈地为推动我国太赫兹科学技术的发展而努力。2005年11月，受国家科技部、中国科学院、自然科学基金委员会共同委托，刘盛纲院士作为会议执行主席主持召开了以“太赫兹科学技术的新发展”为主题的第270次香山科学会议，这次会议是我国太赫兹研究发展的一个里程碑，标志着我国太赫兹科学技术的起步。目前刘盛纲院士是中国电子学会太赫兹专家委员会主任，是公认的我国太赫兹科学研究的倡导人、学术带头人和学术领导人。

近日，中国科大微电子学院胡诣哲与林福江课题组设计的一款基于全新电荷舵采样(Charge-SteeringSampling, CSS)技术的极低抖动毫米波全数字锁相环(CSS-ADPLL)芯片入选2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits(以下简称VLSI Symposium)。VLSI Symposium是超大规模集成电路芯片设计和工艺器件领域最著名的国际会议之一，也是展现IC技术最新成果的橱窗，今年VLSI Symposium于6月11日至16日在日本京都举行。该论文第一作者为我校微电子学院博士生陶韦臣，胡诣哲教授为通讯作者。 　　极低抖动毫米波频率综合器芯片是实现5G/6G毫米波通信的关键核心模块，为毫米波通信提供精准的载波信号。此研究提出的电荷舵采样技术，将电荷舵采样和逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR-ADC)进行了巧妙的结合，构建了一种高鉴相增益，高线性度且具有多bit数字输出的数字鉴相器。CSS-ADPLL的结构十分紧凑(如图1所示)，由电荷舵鉴相器(CSS-PD)、SAR-ADC、数字滤波器和数控振荡器组成，具有优异相位噪声性能，较快的锁定速度并消耗极低的功耗。 图1.论文提出的电荷舵采样全数字锁相环(CSS-ADPLL)架构 　　测试结果表明，该芯片实现了75.9fs的时钟抖动与–50.13dBc的参考杂散，并取得了-252.4dB的FoM值，为20GHz以上数字锁相环的最佳水平，芯片核心面积仅为0.044mm2。该研究成果以“An 18.8-to-23.3 GHz ADPLL Based on Charge-Steering-Sampling Technique Achieving 75.9 fs RMS Jitter and -252 dB FoM”为题由博士生陶韦辰在大会作报告。 图2.CSS-ADPLL相位噪声与参考杂散测试结果 　　该研究工作得到了科技部国家重点研发计划资助，也得到了中国科大微电子学院、中国科大信息科学技术学院支持。

有电的地方就会产生热量，而这正是缩小电子设备的一个主要障碍。一个改变游戏规则的发现，可以通过传导更多的热量来加速计算机处理器的发展进程。TEM图像显示涂有二氧化硅（SiO2）的 28Si 纳米线。来源：Matthew R. Jones 和 Muhua Sun/莱斯大学科学家们已经验证了一种硅同位素（28Si）纳米线新材料，其热导率比先进芯片技术中使用的传统硅材料高出150%。这种超薄硅纳米线器件可以使更小、更快的微电子技术成为可能，其热传导效率超过了现有技术。由有效散热的微芯片驱动的电子器件反过来会消耗更少的能源——这一改进可以减轻燃烧富含碳的化石燃料产生的能源消耗，这种能源消耗导致了全球变暖。“通过克服硅导热能力的天然局限性，我们的发现解决了微芯片工程中的一个障碍，”报道此新研究成果的科学家 Junqiao Wu 说（课题组主页，https://wu.mse.berkeley.edu）。Wu 是加州大学伯克利分校材料科学系的一名教师科学家和材料科学与工程教授。01热量在硅中缓缓流动我们使用的电子产品相对便宜，因为硅 - 计算机芯片的首选材料 - 既便宜又丰富。可是，尽管硅是电的良导体，当它被缩小到非常小的尺寸时，它就不是热的良导体——而当涉及到快速计算时，这对微小的微芯片来说却是一个巨大问题。艺术家对微芯片的渲染。来源：dmitriy-orlovskiy/Shutterstock每个微芯片中都有数百亿个硅晶体管，它们引导电子进出存储单元，将数据比特编码为1和0，即计算机的二进制语言。电流在这些辛勤工作的晶体管之间流动，而这些电流不可避免地会产生热量。热量会自然地从热的物体流向冷的物体。但是热流在硅中变得很棘手。在自然形式中，硅由三种不同的同位素组成 - 化学元素的形式，其原子核中含有相同数量的质子，但中子数量不同（因此质量不同）。大约 92% 的硅由同位素 28Si 组成，它有14个质子和14个中子；大约 5% 是 29Si，有14个质子和15个中子；只有 3% 是 30Si，相对重量级为14个质子和16个中子，合作者 Joel Ager 解释道，他拥有 Berkelry Lab（伯克利实验室）材料科学部门的高级科学家头衔，也是 UC Berkeley（加州大学伯克利分校）材料科学与工程的兼职教授。左起：Wu Junqiao 和 Joel Ager。来源：Thor Swift/伯克利实验室 Joel Ager 的照片由加州大学伯克利分校提供作为声子，携带热量的原子振动波，在蜿蜒穿过硅的晶体结构时，当它们撞击 29Si 或 30Si 时方向会发生改变，它们不同的原子质量“混淆”声子，减慢它们的速度。“声子最终看到了这个表象，并找到了通往冷端以冷却硅材料的方法，”但这种间接的路径允许废热积聚，这反过来又会减慢您的计算机速度，Ager 说。02迈向更快、更密集的微电子学的一大步几十年来，研究人员推测，由纯 28Si 制成的芯片将克服硅的导热极限，从而提高更小、更密集的微电子器件的处理速度。但是，将硅提纯成单一同位素需要付出高昂的代价和能量水平，很少有设施可以满足 - 更没有哪家工厂能专门制造市场上可用的同位素材料，Ager 说。幸运的是，2000年代初的一个国际项目使 Ager 和杰出的半导体材料专家 Eugene Haller 能够从前苏联时代的同位素制造厂采购四氟化硅气体 - 同位素纯化硅的原料。（Haller 于1984年创立了伯克利实验室的美国能源部资助的电子材料项目，并曾是伯克利实验室材料科学部门的高级科学家和加州大学伯克利分校材料科学和矿物工程教授。）这直接导致了一系列开创性的实验研究，包括 2006 年发表在《自然》杂志上的一项成果，其中 Ager 和 Haller 将 28Si 塑造成单晶，他们用它来证明量子存储器将信息存储为量子比特或量子位，单位存储的数据同时作为 1 和 0 的电子自旋。99.92% 28Si 晶体的光学图像，伯克利实验室科学家 Junqiao Wu 和他的团队使用这种材料制备纳米线。来源：Junqiao Wu/伯克利实验室随后，用 Ager 和 Haller 提纯的硅同位素材料制成的半导体薄膜和单晶显示出比天然硅高 10%的热导率——这是一个进步，但从计算机工业的角度来看，可能不足以证明花一千多倍的钱用同位素纯硅制造一台计算机是合理的，Ager 说。但 Ager 知道，硅同位素材料在量子计算之外具有的科学重要性。因此，他把剩下的东西存放在伯克利实验室一个安全的地方，以备其他科学家可能的不时之需，因为他推断，很少有人有资源制造甚至购买到同位素纯硅。03用 28Si 实现更酷的技术之路大约三年前，Wu 和他的研究生 Ci Penghong 试图找到提高硅芯片传热速率的新方法。制造更高效晶体管的其中一项策略，涉及使用一种称为环栅场效应晶体管（Gate-All-Around Field Effect Transistor，GAAFET）的技术。在这些器件中，硅纳米线堆叠以导电，并同时产生热量，Wu 解释到。“如果产生的热量不能迅速排出，该器件将停止工作，这就像在没有疏散地图的高楼中发出火灾警报一样，”他说。FinFET（鳍式场效应晶体管）和环栅场效应晶体管（GAAFET）结构示意图。来源：Applied Materials但硅纳米线的热传递甚至更糟，因为它们粗糙的表面 - 化学处理的疤痕 - 更容易分散或“混淆”声子，他解释说。由硅纳米线桥接的两个悬浮垫组成的微器件的光学图像。来源：Junqiao Wu/伯克利实验室“然后有一天我们想知道，如果我们用同位素纯 28Si 制造纳米线会发生什么？”Wu 说。硅同位素不是人们可以在公开市场上能够轻松购买到的东西，有消息称，Ager 仍然在伯克利实验室储存了一些少量的硅同位素晶体，且仍然足以分享。“希望有人对如何使用它有一个很好的想法，” Ager 说，“如 Junqiao 的新研究就是一个很好的例证。”04纳米测试后的惊人大揭秘“我们真的很幸运，Joel 碰巧已经准备好了同位素富集的硅材料，正好可用于这项研究，”Wu 说。利用 Ager 提供的硅同位素材料，Wu 研究团队测试了 1 mm 尺寸的 28Si 晶体与天然硅的导热性 - 他们的实验再次证实了 Ager 和他的合作者几年前的发现 - 块状 28Si 的导热性仅比天然硅好 10%。尽管块状晶体硅具有相对较高的热导率（室温下 κ∼144 W/mK），但当其尺寸减小到亚微米范围时，由于声子显著的边界散射，κ 会受到强烈抑制。60 K 条件下，115 nm 尺寸的硅纳米线，κ~16 W/mK, DOI: 10.1063/1.1616981；300 K 条件下，31-50 nm 尺寸的硅纳米线，κ~8 W/mK，DOI: 10.1103/PhysRevLett.101.105501。现在进行纳米级别测试。Ci 使用一种化学蚀刻技术制造了直径仅为 90 nm（十亿分之一米）的天然硅和 28Si 纳米线 - 大约比一根人类头发细1000倍。为了测量热导率，Ci 将单根纳米线悬浮于两个装有铂电极和温度计的微加热器垫之间，然后向电极施加电流以在一个垫上产生热量，然后通过纳米线流向另一个垫。“我们预计，使用同位素纯材料进行纳米线的热传导研究结果只会有 20% 的增量效益，” Wu 说。但 Ci 的测量结果让他们都感到惊讶。28Si 纳米线的热导率提高不是 10% 甚至 20%，而是比具有相同直径和表面粗糙度的天然硅纳米线好 150%。这大大的超出了他们的预期，Wu 说。纳米线粗糙的表面通常会减慢声子的速度，那这是怎么回事呢？莱斯大学（Rice University）的 Matthew R. Jones 和 Muhua Sun 捕获的材料高分辨率 TEM（透射电子显微镜）图像发现了第一条线索：28Si 纳米线表面上的玻璃状二氧化硅层（SiO2）。而纳米线导热性研究的知名专家 Zlatan Aksamija 领导的马萨诸塞大学阿默斯特分校（University of Massachusetts Amherst）研究团队计算模拟实验表明，同位素“缺陷”（29Si 和 30Si 的不存在）阻止了声子逃逸到表面，其中 SiO2 层会大大减慢声子的速度。这反过来又使声子沿着热流方向保持在轨道上 - 因此在 28Si 纳米线的“核心”内不那么“混淆”。（Aksamija 目前是犹他大学（theUniversity of Utah）材料科学与工程副教授。）“这真的出乎意料。发现了两个独立的声子阻断机制 - 表面和同位素，以前被认为彼此独立的 - 现在协同作用，这使我们在热传导研究中获得了非常令人惊讶的结果，却也非常令人满意，“Wu 说。“Junqiao 和团队发现了一种新的物理现象，”Ager 说，“对于好奇心驱动的科学研究来说，这是一个真正的胜利。这真的是太令人兴奋了。”研究小组接下来计划将他们的发现推进到下一个阶段：研究如何“控制，而不仅仅是测量这些材料的热传导性能”，Wu Junqiao 说。莱斯大学、马萨诸塞大学阿默斯特分校、深圳大学和清华大学的研究人员参与了研究工作。这项工作得到了美国能源部科学办公室的支持。原文信息Giant Isotope Effect of Thermal Conductivity in Silicon Nanowires，Penghong Ci, Muhua Sun, Meenakshi Upadhyaya, Houfu Song, Lei Jin, Bo Sun, Matthew R. Jones, Joel W. Ager, Zlatan Aksamija, and Junqiao Wu，Phys. Rev. Lett. 128, 085901 (2022)https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.085901

近日，山东大学空间科学研究院空间电磁探测技术实验室(LEAD)，在该校攀登计划创新团队、基金委重大项目课题和面上等项目支持下，研制成功国际首台套工作在35-40GHz的毫米波太阳射电频谱观测系统。该系统是根据山东大学攀登计划创新团队首席科学家陈耀教授提出的科学目标和研制规划，由空间科学研究院空间电磁探测技术实验室主任、机电与信息工程学院副教授严发宝带领实验室成员自2017年底开始攻克多项关键技术难题而完成。相应主要学术论文以《毫米波宽带太阳射电频谱仪》为题在《天体物理学杂志增刊》在线发表。据悉，该文为美国天文学会(AAS)旗下系列期刊上发表的为数很少的太阳射电观测仪器技术类科研论文。太阳耀斑爆发是灾害性空间天气的主要源头，所产生的高能量粒子与强电磁辐射可直接威胁人类空间设施与深空探测等太空活动安全，还会增加导航误差、导致中断通信等。通过自主研制太阳微波辐射探测仪器可获得一手科学数据，可开展耀斑爆发机理和粒子加速机制等方面的科学研究，还可助力空间灾害预警预报，为太空活动安全提供保障。传统太阳射电仪器专注于18GHz以下，在18GHz以上仅有少数频点的探测装备，而对于耀斑物理的研究还需要在更高频段部署观测仪器，以获得辐射频谱的完整测量。为填补毫米波频段观测数据空白，团队于2017年底开始提议和研制35-40GHz频域的地基太阳射电频谱观测系统。该仪器实现了35-40GHz范围内5GHz带宽的扫描观测，系统噪声系数~300K，系统线性度0.9999，时间分辨率为5ms~1.3s(~134ms, 默认)，频率分辨率为153kHz。该仪器样机目前已常规运行两年有余，积累了大量观测数据，并有望在即将到来的第25周太阳活动峰年观测到更多耀斑爆发数据。在仪器研制过程中，团队突破了毫米波高精度探测、GHz采样数据并行实时处理、宽带信号的平坦度处理等系列关键技术，先后在中国科学、RAA、PASJ等国内外期刊发表多篇学术论文，基于仪器实现方法等授权国家发明专利4项，并获得了国家自然科学基金委重大项目课题、面上项目以及学校攀登计划创新团队的支持。

作为第三代半导体材料的代表，金刚石半导体又被称为终极半导体。“金刚石半导体具有超宽禁带（5.45eV），高击穿场强（10MV/cm）、高载流子饱和漂移速度、高热导率（22 W/cmK）等材料特性，以及优异的器件品质因子。” 西安交通大学王宏兴教授介绍，“为此，采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件，克服器件的‘自热效应’和‘雪崩击穿’等技术瓶颈，在5G/6G通信，微波/毫米波集成电路，探测与传感等领域发展起到重要作用。”但是，全世界金刚石电子器件的发展都受限于大尺寸、高质量的单晶衬底的难题限制。“硅、蓝宝石等衬底的商业化，为异质外延单晶金刚石提供了前提条件。” 王宏兴说。近日，西安交通大学王宏兴教授团队采用自主研发技术，成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的量产。10年前，我国在此方面的研发几乎是空白，2013年作为西安交大引进的国家级特聘专家人才王宏兴组建西安交大宽禁带半导体材料与器件研究中心，带领团队科研人员开始攻关，历经10年潜心研发，目前已形成具有自主知识产权的金刚石半导体外延设备研发、单晶/多晶衬底生长、电子器件研制等系列技术，已获授权48项发明专利。“大尺寸单晶金刚石生产设备和高质量单晶金刚石衬底的制备技术，是我们需要攻克的关键技术，以打破国外的封锁。” 王宏兴如是说。王宏兴带领团队在实验室研发攻关的同时还与国内相关大型通信公司、中国电子科技集团相关研究所等开展金刚石半导体材料与器件研发应用的广泛合作，促进了金刚石射频功率电子器件、电力电子器件、MEMS等器件的实用性发展。王宏兴团队采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的批量化，并通过对成膜均匀性、温场及流场的有效调控，进而提高了异质外延单晶金刚石成品率。其衬底表面具有台阶流（step-flow）生长模式，可降低衬底的缺陷密度，提高晶体质量。XRD（004）、（311）摇摆曲线半峰宽分别小于91arcsec和111arcsec，各项指标已经优于国外最好的水平达到世界领先水平。据了解，王宏兴团队生产的单晶金刚石器件已经广泛应用于我国5G通讯、高频大功率探测装置产品中。王宏兴教授（右三）与团队成员在讨论研发中的问题2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底照片异质外延金刚石光学显微镜照片（a）放大100倍（b）放大500倍XRD测试结果（a）（004）面摇摆曲线；（b）（311）面摇摆曲线；（c）（311）面四重对称；（d）极图

亚波长下光的调控与操纵对缩小光电器件的体积、能耗、集成度以及响应灵敏度有着重要意义。其中，外场驱动下由电子集体振荡形成的表面等离激元能将光局域在纳米尺度空间中，是实现亚波长光学传播与调控的有效途径之一。然而，表面等离激元技术应用的关键目标是同时实现：①高的空间局域性，②低的传播损耗，③具有可调控性。但是，由于金属表面等离激元空间局域性较小，在长波段损耗较大且无法电学调控限制了其实用化。可喜的是：近期，由中科院物理所和北京大学组成的研究团队报道了砷化铟（InAs）纳米线作为一种等离激元材料可同时满足以上三个要求。作者利用neaspec公司的近场光学显微镜（neaSNOM, s-SNOM）在纳米尺度对砷化铟纳米线表面等离激元进行近场成像并获得其色散关系。通过改变纳米线的直径以及周围介电环境，实现了对表面等离激元性质的调控，包括其波长、色散、局域因子以及传波损耗等。作者发现InAs纳米线表面等离激元展现出：①制备简易，②高局域性，③低的传波损耗，④具有可调控性，这为用于未来亚波长应用的新型等离子体电路提供了一个新的选择。该工作发表在高水平的Advanced Materials 杂志上。图1 neaspec超高分辨散射式近场光学显微镜neaSNOM图2 InAs纳米线中表面等离激元的红外近场成像研究a) s-SNOM实验测量示意图；b) InAs纳米线的AFM形貌图；c) InAs纳米线的红外（901 cm?1）近场光学成像；d) 相应的模拟结果；e) c和d相应区域的界面分析；f) InAs纳米线的红外（930 cm?1）近场光学成像；g) InAs纳米线的红外（950 cm?1）近场光学成像；h) InAs纳米线的红外（930 cm?1）近场光学成像。该研究小组通过neaspec公司的散射型近场光学显微镜（s-SNOM）配合901–985 cm?1可调谐中红外QCL激光器，采用neaspec公司具有的伪外差近场成像技术的neaSNOM近场光学显微镜，对约为104 nm长的InAs纳米线的表面等离激元进行了研究。从近场成像图（图2 c）中可以看出，在930 cm?1红外光及AFM探针的激发下，表面产生的等离激元沿InAs一维纳米线传播，并从纳米线边缘反射回来产生相应的驻波图形。另外，可以通过定量分析表面等离激元传播的相邻的两个节点（(λp/2）的空间距离来推断表面等离激元传播的波长（λp）。同时，作者也在不同的红外波长下（930, 950, 和985 cm?1,图2 f, g, h）对InAs纳米线的表面等离激元进行了纳米尺度近场光学成像研究，结果显示出相似的驻波图形。上述研究结果证实作者通过neaspec公司的散射型近场光学显微镜对InAs纳米线的近场成像研究成功观察到了InAs纳米线中的一维等离激元。该研究在通过s-SNOM红外近场光学显微镜展示了在InAs纳米线中等离激元的真实空间成像。作者的进一步研究表明其等离激元的波长以及它的阻尼都可以通过改变InAs纳米线的尺寸和选择不同基底来调控。研究显示半导体的InAs纳米线具有应用于小型光学电路和集成设备的巨大潜力。作者的发现开辟了一条设计与实现新型等离激元和纳米光子设备的新途径。同时，该研究也展示了neaspec公司的散射型近场光学显微镜在半导体一维或二维材料纳米光学研究中的广阔应用前景。截止目前为止，以neaspec稳定的产品性能和服务为支撑，通过neaspec国内用户不断的努力，neaspec国内用户2018年间发表了关于近场光学成像和光谱的文章共14篇：其中包括4 篇Advance Materials； Advance Functional Materials；Advance Science；Advanced Optical Materials和Nanoscale等。伴随更多的研究者信赖和选择neaspec近场和光谱相关产品， neaspec国内群的不断的持续增加，我们坚信neaspec国内用户将在2018年取得更加丰厚的研究成果。参考文献：Tunable Low Loss 1D Surface Plasmons in InAs Nanowires，Yixi Zhou, Runkun Chen, Jingyun Wang, Yisheng Huang, Ming Li, Yingjie Xing, Jiahua Duan, Jianjun Chen, James D. Farrell, H. Q. Xu, Jianing Chen， Adv. Mater. 2018, 1802551 https://doi.org/10.1002/adma.201802551相关产品及链接：1、 超高分辨散射式近场光学显微镜 neaSNOM：https://www.instrument.com.cn/netshow/C170040.htm2、 纳米傅里叶红外光谱仪nano-FTIR：https://www.instrument.com.cn/netshow/C194218.htm3、 太赫兹近场光学显微镜 THz-NeaSNOM：https://www.instrument.com.cn/netshow/C270098.htm

展位：W5馆5617 时间：3月17-19日 地点：上海新国际博览中心现场部分展品1- TMC红酒演示隔振系统 -基本参数隔震系统固有频率高频输入：垂直方向=1.2Hz，水平方向=1.0Hz低频输入：垂直方向=1.5-2.0Hz，水平方向=1.2-1.7Hz隔震效率@5HZ 垂直方向=70-85% 水平方向=75-90%隔震效率@10Hz 垂直方向=90-97% 水平方向=90-97%推荐负载能力：160Kg空压机要求：80psi氮气或空气整体材料：不锈钢台面， 黑色氧化处理中等材料框架船运重量：272kg高度控制阀：可重复性标准阀：+ / - 0.05英寸(1.3毫米) 精密阀：+ / - 0.005英寸(0.13mm)2-TMC STACIS III 主动隔振系统-特点及优点 1、从0.6Hz开始隔离振动，1Hz时可隔振40%到70% 2、2Hz时在高度、水平和垂直三个方向上提供超过90%的振动隔离 3、减少工厂地板铺设成本，使设备能够安装在较强振动环境中 4、主动带宽：0.6Hz到150Hz 5、设备制造商竭力推荐 6、六自由度活动硬性底座设计，无气浮支撑 7、鲁棒控制系统，不需要预先调适 8、可与设备内置隔离系统兼容 9、当环境振动水平随时间增加时，确保设备满足自身的振动标准 10、利用TMC Stacis技术通过压电陶瓷制动器来消除振动 11、带有基于计算机的图形用户界面(GUI)的数字控制器 12、在旧的、有噪音的地板上也可以安装使用3-TMC Everstill K-400台式主动隔振平台 -技术参数： 结构体系：串联式主动系统（致动器与隔离弹簧串联） 振动传感器：集成探测波型速度传感器（电压与速度成正比） 调平：自动调平 重复性：+/- 0.02 in (+/- 0.5mm) 尺寸： (W x L x H)16 x 20 x 4 in. 400 x 500 x 100 mm 重量：55 lbs. (25 kg) 负载能力：50–330 lbs. (23 – 150 kg) 隔振性能：4–7 dB @ 1.0 Hz 20 dB ，大于 2.5 Hz 共振频率：0.6 Hz 主动振动消除带宽：0.7–100 Hz 被动振动消除带宽：高达 1000 Hz 供电：90-220V，50/60Hz 顶部基板：黑色阳极电镀铝（可提供无孔、打孔同桌面）4- 美国Arroyo 半导体激光器电流源 -特点：低噪声100 mA至20 A电流范围USB&RS232标准接口形式可选QCW（准连续）选项双量程（4200-DR）无需接地5- 美国Arroyo多通道温度控制器 - 7000系列MultiSource 多通道控制器以其紧凑的结构、超高的性价比，设计用于需要多通道的应用。既有激光器驱动器，又有温度控制器，MultiSource是构建系统应用的理想模块，如设备老化与表征系统。 全新的7000系列MultiSource 多通道激光二极管驱动器提供与我们的其他台式型号同样的精度与安全性，但是密度却更高。单通道电流可达4 A。 AutoTune自动PID计算优异的稳定性标准计算机接口简单本地控制6- 美国Vescent半导体激光系统 -特点：冷原子应用的理想选择激光器控制系统为无机架式单元，噪音最小化多种旋钮与应用接口，支持峰值与边缘锁模可选多种模块，灵活构成完美光学应用系统可通过计算机进行系统控制7- 美国Newport产品 -六轴并联定位系统电动线性位移台半导体激光器控制器光纤探测器6- 美国siskiyou显微微操系统-MX7800多轴位移台MC1000e-R1/4T位移台控制器DR1000位移台显示器JB-MC1000e-R/T位移台转换板MX130L手动130LMX160L手动160LMXAE载物台MXMS-115crT型显微镜移动台更多详情，欢迎咨询~~

超精密高速激光干涉位移测量技术与仪器 杨宏兴 1，2，付海金 1，2，胡鹏程 1，2*，杨睿韬 1，2，邢旭 1，2，于亮 1，2，常笛 1，2，谭久彬 1，2 1 哈尔滨工业大学超精密光电仪器工程研究所，黑龙江 哈尔滨 150080； 2 哈尔滨工业大学超精密仪器技术及智能化工业和信息化部重点实验室，黑龙江 哈尔滨 150080 摘要 针对微电子光刻机等高端装备中提出的超精密、高速位移测量需求，哈尔滨工业大学深入探索了传统的共 光路外差激光干涉测量方法和新一代的非共光路外差激光干涉测量方法，并在高精度激光稳频、光学非线性误差 精准抑制、高速高分辨力干涉信号处理等多项关键技术方面取得持续突破，研制了系列超精密高速激光干涉仪，激 光真空波长相对准确度最高达 9. 6×10-10，位移分辨力为 0. 077 nm，光学非线性误差最低为 13 pm，最大测量速度 为 5. 37 m/s。目前该系列仪器已成功应用于我国 350 nm 至 28 nm 多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测 试领域，为我国光刻机等高端装备发展提供了关键技术支撑和重要测量手段。 关键词 光学设计与制造；激光干涉；超精密高速位移测量引 言 激光干涉位移测量（DMLI）技术是一种以激光 波长为标尺，通过干涉光斑的频率、相位变化来感知位移信息的测量技术。因具有非接触、高精度、高动 态、测量结果可直接溯源等特点，DMLI 技术和仪器被广泛应用于材料几何特性表征、精密传感器标定、 精密运动测试与高端装备集成等场合。特别是在微电子光刻机等高端装备中嵌入的超精密高速激光干涉仪，已成为支撑装备达成极限工作精度和工作效率的前提条件和重要保障。以目前的主流光刻机为例，其内部通常集成有 6 轴至 22 轴以上的超精密高速激光干涉仪，来实时测量高速运动的掩模工件台、 硅片工件台的 6 自由度位置和姿态信息。根据光刻机套刻精度、产率等不同特性要求，目前对激光干涉的位移测量精度需求从数十纳米至数纳米，并将进一步突破至原子尺度即亚纳米量级；而位移测量速度需求，则从数百毫米每秒到数米每秒。 对 DMLI 技术和仪器而言，影响其测量精度和测量速度提升的主要瓶颈包括激光干涉测量的方法原理、干涉光源/干涉镜组/干涉信号处理卡等仪器关键单元特性以及实际测量环境的稳定性。围绕光刻机等高端装备提出的超精密高速测量需求，以美国 Keysight 公司（原 Agilent 公司）和 Zygo 公司为代表的国际激光干涉仪企业和研发机构，长期在高精度激光稳频、高精度多轴干涉镜组、高速高分辨力干涉信号处理等方面持续攻关并取得不断突破， 已可满足当前主流光刻机的位移测量需求。然而， 一方面，上述超精密高速激光干涉测量技术和仪器 已被列入有关国家的出口管制清单，不能广泛地支撑我国当前的光刻机研发生产需求；另一方面，上述技术和仪器并不能完全满足国内外下一代光刻机研 发所提出的更精准、更高速的位移测量需求。 针对我国光刻机等高端装备研发的迫切需求， 哈尔滨工业大学先后探索了传统的共光路双频激光干涉测量方法和新一代的非共光路双频激光干涉测量方法，并在高精度激光稳频、光学非线性误差精 准抑制、高速高分辨力干涉信号处理等关键技术方 面取得持续突破，研制了系列超精密高速激光干涉 仪，可在数米每秒的高测速下实现亚纳米级的高分辨力高精度位移测量，已成功应用于我国 350 nm 至 28 nm 多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测试领域。该技术和仪器不仅直接为我国当前微电子光刻机研发生产提供了关键技术支撑和核心 测量手段，而且还可为我国 7 nm 及以下节点光刻机研发提供重要的共性技术储备。高精度干涉镜组设计与研制 高精度干涉镜组的 3 个核心指标包括光学非线性、热稳定性和光轴平行性，本课题组围绕这 3 个核心指标（特别是光学非线性）设计并研制了前后两代镜组。 共光路多轴干涉镜组共光路多轴干涉镜组由双频激光共轴输入，具备抗环境干扰能力强的优点，是空间约束前提下用于被测目标位置/姿态同步精准测量不可或缺的技术途径，并且是光刻机定位系统精度的保证。该类干涉镜组设计难点在于，通过复杂光路中测量臂和参考臂的光路平衡设计保证干涉镜组的热稳定性，并通过无偏分光技术和自主设计的光束平行性测量系统，保证偏振正交的双频激光在入射分光及多次反射/折射后的高度平行性［19- 20］。目前本课题组研制的 5 轴干涉镜组（图 11） 可实现热稳定性小于 10 nm/K、光学非线性误差小于 1 nm 以及任意两束光的平行性小于 8″，与国 际主流商品安捷伦 Agilent、Zygo 两束光的平行性 5″~10″相当。 图 11. 自主研制的共光路多轴干涉镜组。（a）典型镜组的3D设计图；（b）实物图非共光路干涉镜组 非共光路干涉镜组在传统共光路镜组的基础上， 通过双频激光非共轴传输避免了双频激光的频率混叠，优化了纳米量级的光学非线性误差。2014 年，本课题组提出了一种非共光路干涉镜组结构［2，21］，具体结构如图 12 所示，测试可得该干涉镜组的光学非 线性误差为 33 pm。并进一步发现基于多阶多普勒 虚反射的光学非线性误差源，建立了基于虚反射光迹精准规划的干涉镜组光学非线性优化算法，改进并设计了光学非线性误差小于 13 pm 的非共光路干涉镜组［2-3］，并通过双层干涉光路结构对称设计保证热稳定性小于 2 nm/K［22- 25］。同时，本课题组也采用多光纤高精度平行分光，突破了共光路多轴干涉镜组棱镜组逐级多轴平行分光，致使光轴之间的平行度误差 逐级累加的固有问题，保证多光纤准直器输出光任意 两个光束之间的平行度均小于 5″。 图 12. 自主设计的非共光路多轴干涉镜组。（a）典型镜组的3D设计图；（b）实物图基于上述高精度激光稳频、光学非线性误差精准抑制、高速高分辨力干涉信号处理等多项关键技 术，本课题组研制了系列超精密高速激光干涉仪 （图 17），其激光真空波长准确度最高达 9. 6×10-10 （k=3），位移分辨力为 0. 077 nm，最低光学非线性误差为 13 pm，最大测量速度为 5. 37 m/s（表 2）。并成功应用于上海微电子装备（集团）股份有限公司 （SMEE）、中国计量科学研究院（NIM）、德国联邦物理技术研究院（PTB）等十余家单位 ，在国产光刻机、国家级计量基准装置等高端装备的研制中发挥了关键作用。 图 17. 自主研制的系列超精密高速激光干涉仪实物图。（a）20轴以上超精密高速激光干涉仪；（b）单轴亚纳米级激光干涉仪；（c）三轴亚纳米级激光干涉仪超精密激光干涉仪在精密工程中的实际测量， 不仅考验仪器的研制水平，更考验仪器的应用水 平，如复杂系统中的多轴同步测量，亚纳米乃至皮 米量级新误差源的发现与处理，高水平的温控与隔 振环境等。下面主要介绍超精密激光干涉仪的几 个典型应用。 国产光刻机研制：多轴高速超精密激光干涉仪 在国产光刻机研制方面，多轴高速超精密激光 干涉仪是嵌入光刻机并决定其光刻精度的核心单元之一。但是，一方面欧美国家在瓦森纳协定中明确规定了该类干涉仪产品对我国严格禁运；另一方面该类仪器技术复杂、难度极大，我国一直未能完整掌握，这严重制约了国产光刻机的研制和生产。 为此，本课题组研制了系列超精密高速激光干涉测量系统，已成功应用于我国 350 nm 至 28 nm 多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测试领域，典型应用如图 18 所示，其各项关键指标均满足国产先进光刻机研发需求，打破了国外相关产品对我国 的禁运封锁，在国产光刻机研制中发挥了重要作用。在所应用的光刻机中，干涉仪的测量轴数可达 22 轴以上，最大测量速度可达 5. 37 m/s，激光真空 波 长/频 率 准 确 度 最 高 可 达 9. 6×10−10（k=3），位 移 分 辨 力 可 达 0. 077 nm，光 学 非 线 性 误 差 最 低 为 13 pm。 配 合 超 稳 定 的 恒 温 气 浴（3~5 mK@ 10 min）和隔振环境，可以对光刻机中双工件台的多维运动进行线位移、角位移同步测量与解耦，以满足掩模工件台、硅片工件台和投影物镜之间日益复杂的相对位置/姿态测量需求，进而保证光刻机整体套刻精度。图 18. 超精密高速激光干涉测量系统在光刻机中的应用原理及现场照片国家级计量基准装置研制：亚纳米精度激光干涉仪 在国家级计量基准装置研制方面，如何利用基本物理常数对质量单位千克进行重新定义，被国际知名学术期刊《Nature》评为近年来世界六大科学难题之一。在中国计量科学研究院张钟华院士提出的“能量天平”方案中，关键点之一便是利用超精密激光干涉仪实现高准确度的长度测量，其要求绝对测量精度达到 1 nm 以内。为此，本课题组研制了国内首套亚纳米激光干涉仪，并成功应用于我国首套量子化质量基准装置（图 19），在量子化质量基准中 国方案的实施中起到了关键作用，并推动我国成为首批成功参加千克复现国际比对的六个国家之一［30- 32］。为达到亚纳米级测量精度，除了精密的隔振与温控环境以外，该激光干涉仪必须在真空环境 下进行测量以排除空气折射率对激光波长的影响， 其测量不确定度可达 0. 54 nm @100 mm。此外，为了实现对被测对象的姿态监测，该干涉仪的测量轴 数达到了 9 轴。图 19. 国家量子化质量基准及其中集成的亚纳米激光干涉仪 结论 近年来，随着高端装备制造、精密计量和大科学装置等精密工程领域技术的迅猛发展，光刻机等高端制造装备、能量天平等量子化计量基准装置、 空间引力波探测等重大科学工程对激光干涉测量技术提出了从纳米到亚纳米甚至皮米量级精度的 重大挑战。对此，本课题组在超精密激光干涉测量方法、关键技术和仪器工程方面取得了系列突破性进展，下一步的研究重点主要包括以下 3 个方面： 1）围绕下一代极紫外光刻机的超精密高速激光干涉仪的研制与应用。在下一代极紫外光刻机中，其移动工件台运动范围、运动精度和运动速度将进一步提升，将要求在大量程、6 自由度复杂耦合、高速运动条件下实现 0. 1 nm 及以下的位移测量精度，对激光干涉仪的研发提出严峻挑战；极紫外光刻机采用真空工作环境，可减小空气气流波动和空气折射率引入的测量误差，同时也使整个测量系统结构针对空气- 真空适应性设计的复杂性大幅度增加。2）皮米激光干涉仪的研制与国际比对。2021年， 国家自然科学基金委员会（NSFC）联合德国科学基 金会（DFG）共同批准了中德合作项目“皮米级多轴 超精密激光测量方法、关键技术与比对测试”（2021 至 2023 年）。该项目由本课题组与德国联邦物理技术研究院（PTB）合作完成，预计将分别研制下一代皮米级精度激光干涉仪，并进行国际范围内的直接 比对。3）空间引力波探测。继 2017 年美国 LIGO 地面引力波探测获诺贝尔物理学奖后，各国纷纷开展了空间引力波探测计划，这些引力波探测器实质上就是巨型的超精密激光干涉仪。其中，中国的空间引力波探测计划，将借助激光干涉仪在数百万公里距离尺度上，实现皮米精度的超精密测量，本课题组在引力波国家重点研发技术项目的支持下，将陆 续开展卫星- 卫星之间和卫星- 平台质量块之间皮米级激光干涉仪的设计和研究，特别是皮米级非线性实现和皮米干涉仪测试比对的工作，预期可对空间引力波探测起到积极的支撑作用。本课题组在超精密激光干涉测量技术与仪器领域有超过 20 年的研究基础，建成了一支能够完全自主开发全部激光干涉仪核心部件、拥有完整自主知识产权的研究团队，并且在研究过程中得到了 12 项国家自然科学基金、2 项国家科技重大专项、2 项 国家重点研发计划等项目的支持，建成了超精密激光测量仪器技术研发平台和产业化平台，开发了系列超精密激光干涉测量仪，在国产先进光刻机研发、我国量子化质量基准装置等场合成功应用，推动了我国微电子光刻机等高端装备领域的发展，并将通过进一步研发，为我国下一代极紫外光刻机研 发、空间引力波探测、皮米激光干涉仪国际比对提供支撑。全文详见：超精密高速激光干涉位移测量技术与仪器.pdf

由北京市自然科学基金资助的第三届中国-英国/欧洲毫米波与太赫兹技术国际学术研讨会于2010年9月22日-25日，在北京香山饭店胜利召开。会议由国家留学基金委员会和英国皇家学会主办，北京邮电大学和首都师范大学承办，电子科技大学和东南大学协办。来自我国和欧洲各地的物理学领域、工程物理领域、微波与毫米波学领域、电子工程学领域、光学工程学领域、材料物理与化学领域、无线电与计量学领域的50多位专家、学者出席了此次会议。本次会议是2010年北京市自然科学基金成立二十年系列国际学术交流活动之一，为来自我国和欧洲不同领域的科学家与工程技术人员提供一个分享“毫米波与太赫兹技术” 研究成果和学术交流的平台。　 　　会议中，专家们围绕毫米波与太赫兹波的辐射与探测、太赫兹空间技术、太赫兹结构材料与调制、太赫兹系统集成以及技术应用等议题进行了充分的交流。特别是就风云四号卫星上计划搭载的毫米波与亚毫米波系统技术问题、高功率毫米波与亚毫米波辐射源、卫星上的毫米波反射天线、被动的毫米波成像系统、太赫兹波段的准光学器件以及阵列探测器、基于CMOS技术的太赫兹芯片器件、宽带太赫兹光谱系统发射与探测技术，以及利用亚毫米波测量冰云和大气和用于等离子体诊断的太赫兹技术应用等问题，进行了深入的探讨，并就有关研究课题的合作和人才培养达成了一些意向性的协议。

近日，北京经开区企业北方华创科技集团股份有限公司（以下简称“北方华创”）正式发布应用于晶边刻蚀（Bevel Etch）工艺的12英寸等离子体刻蚀机Accura BE，实现国产晶边干法刻蚀设备“零”的突破，为我国先进芯片制造量身打造良率提升高效解决方案。　　何谓晶边刻蚀机？在器件制造过程中，由于薄膜沉积、光刻、刻蚀和化学机械抛光等工艺步骤的大幅增长，在晶圆的边缘造成了不可避免的副产物及残留物堆积，这些晶边沉积的副产物及残留物骤增导致的缺陷风险成为产品良率的严重威胁，因此，越来越多逻辑及存储芯片等领域制造商开始重点关注12英寸晶圆的边缘1mm区域，从晶圆的边缘位置着手提高芯片良率。晶边刻蚀机作为业界提升良率的有力保障，其重要性日益凸显。　　“Accura BE作为首台国产12英寸晶边刻蚀设备，其技术性能已达业界主流水平。”北方华创相关负责人表示，Accura BE通过软件系统调度优化与特有传输平台的结合，可助力客户实现较高的产能；通过选择搭配多种刻蚀气体，实现对PR（光刻胶），OX（氧化物），SiN（氮化硅），Carbon（碳），Metal（金属）等多类膜层材料的晶边刻蚀工艺全覆盖；可定制多种尺寸的聚焦环设计组合，实现对等离子体刻蚀区域的精准位置控制，从而为客户提供灵活、全面的良率提升方案；具备软件智能算法，可实施可视化的量化调节，简化维护流程，提高设备生产效率。　　首台！首套！首次！北方华创自2001年创立起就开始组建团队钻研刻蚀技术，从2005年第一台8英寸ICP刻蚀机在客户端上线，到带领国产刻蚀机从零到交付破千，北方华创历经了二十余载自主创新，不断为集成电路装备国产化进程贡献“亦庄智慧”。据了解，基于20余年在刻蚀工艺技术、等离子体控制及多材料刻蚀能力等方面的积累与创新，Accura BE刚发布上市，就已斩获逻辑及存储器领域头部客户多个订单，通过工艺调试，进入量产阶段，其优秀的工艺均匀性、传输稳定性及快速维护的能力赢得行业高度评价。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 太赫兹（THz）作为一种极具潜力的技术，在药物检测、癌症诊断、标记物识别、安检安防、航空航天复合材料无损检测、飞机涂层、文物检测等多个领域具有广阔的应用前景。 strong 目前，太赫兹技术正处于产业化的初始阶段，急需通过产业化推动太赫兹技术的进一步发展。 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " strong 2019年4月，为顺应国家和行业对毫米波太赫兹技术产业化的强烈需求，毫米波太赫兹产业发展联盟正式成立。 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 那么联盟成立一年多的时间，目前情况如何？又做了哪些工作？起到了怎样的作用？ /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 太赫兹技术的产业化情况如何？在哪些领域有望更快实现产业化？ /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 毫米波太赫兹安检作为有望率先实现产业化的应用，目前存在哪些问题？国内的相关企业情况如何？ /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 针对以上问题， strong 近日仪器信息网特别采访了毫米波太赫兹产业发展联盟秘书长刘海瑞，请他就以上问题以及毫米波太赫兹技术未来的发展谈谈自己的看法。 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 以下是采访详细视频： /p script src=" https://p.bokecc.com/player?vid=6A9D31F807E7A7F59C33DC5901307461& siteid=D9180EE599D5BD46& autoStart=false& width=600& height=490& playerid=621F7722C6B7BD4E& playertype=1" type=" text/javascript" /script p style=" text-align: center" br/ /p p style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 237px height: 264px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/0020b2ee-69a0-4d32-a5be-7de95e2f7c08.jpg" title=" 企业微信截图_20201210134245.png" alt=" 企业微信截图_20201210134245.png" width=" 237" height=" 264" / /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " strong 关于刘海瑞 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 博士、中国信息通信研究院高级工程师。本科、硕士毕业于北京航空航天大学电子工程学院，电磁场与微波技术专业。博士毕业于北京邮电大学，物理电子学专业。博士期间，前往英国卢瑟福阿普尔顿实验室交流访问一年。博士毕业后，进入北京邮电大学信息与通信工程学院博士后流动站工作。出站后进入中国信息通信研究院泰尔终端实验室工作。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 刘海瑞博士主要从事毫米波、太赫兹固态电子电路的研究。进入中国信通院后，依托研究院的行业优势，主要从事新技术、新领域的平台建设。毫米波太赫兹产业联盟的秘书处工作，是自身专业与信通院优势的交叉融合，也是自我发展的从新定位，希望携手志同道合之士，为产业发展添砖加瓦。 /p

安检作为维护国防、机场、车站、港口等大型活动场所安全的重要环节，一直备受重视。目前广泛使用的“金属门加手检”的安检方式，虽然能维护公共安全，但存在一定局限性。首先，“金属门加手检”无法检测爆炸物、陶瓷刀、液体等非金属危险品；另一方面，这种方式需要触碰旅客身体，且精度低、检查时间长、舒适性差，因此需要发展新安检技术。随着我国安全检查技术的不断发展，“安检智慧化”也被逐渐提上日程。使用更加高科技的手段保障社会公共安全也成为大众的共识。为应对社会的发展需求，近年来，毫米波太赫兹安检技术应运而生并日益成熟。目前，已在地铁、机场、医院、会展等应用领域及场景中开展了试用和应用。毫米波太赫兹安检技术产业化发展也将迎来快速的增长。此外，毫米波太赫兹作为新兴技术在国内发展迅速，在某些方面已赶超发达国家。毫米波太赫兹安检仪器的国产化已达到很高的程度，几乎可以达到“自给自足”，部分关键部件性能甚至超过发达国家生产的部件。毫米波太赫兹安检技术或有望成为中国领先世界的领域。为了加强技术交流，分享科学成果，促进企业产品推广，进一步焕发市场活力，毫米波太赫兹产业发展联盟特联合仪器信息网共同举办“毫米波太赫兹安检产业发展论坛” 暨首届 “蓝海杯”2020年度毫米波太赫兹安检仪器产品评奖活动。共同推荐毫米波太赫兹安检技术产业化进程。致辞刘海瑞，博士、中国信息通信研究院高级工程师。博士毕业于北京邮电大学，物理电子学专业。博士期间，前往英国卢瑟福阿普尔顿实验室交流访问一年。博士毕业后，进入北京邮电大学信息与通信工程学院博士后流动站工作。出站后进入中国信息通信研究院泰尔终端实验室工作。刘海瑞博士主要从事毫米波、太赫兹固态电子电路的研究。进入中国信通院后，依托研究院的行业优势，主要从事新技术、新领域的平台建设。毫米波太赫兹产业联盟的秘书处工作。报告题目：被动太赫兹成像探测中的统计无线电技术（点击回放）邱景辉，博士，哈尔滨工业大学教授，博导，电磁场与微波技术学科带头人、微波与天线技术研究所所长，乌克兰技术科学院外籍院士，获得国家科技进步二等奖、国防科技进步一等奖，省部级二等奖、三等奖，111引智基地负责人，自然科学基金重点项目群重点项目负责人，以及多项国防和民用项目负责人，筹划组织了4届中乌科技论坛，并担任中乌科技论坛大会执行主席，发表论文150余篇，专利30余项。报告题目：毫米波太赫兹安检成像探测技术进展及展望（点击回放）赵自然，博士，清华大学研究员，男，1977年生，现任危爆物品扫描探测技术国家工程实验室副主任，粒子技术与辐射成像教育部重点实验室副主任、警务物联网应用技术公安部重点实验室副主任。近年来，围绕探测与成像技术，开展成像信号探测、信息处理、系统构建研究。针对近场毫米波全息成像的精度和成本问题，改进了成像物理模型，提出基于标量衍射理论的精确重建算法和基于相位解卷绕的距离向分辨率增强方法，首次实现平面扫描的高精度重建，并将成果转化为机场海关应用的毫米波人身安检仪。为发展太赫兹安检成像，揭示了太赫兹激发光热电效应的科学机理和物理特性，提出太赫兹光热电探测技术，研制出自供电高灵敏原型器件，获得超宽频谱响应。近5年，通讯作者发表SCI论文18篇；第一发明人发明专利授权16项，国际发明专利授权18件。作为团队核心成员获国际发明展览会金奖、中国体视学学会科学技术奖一等奖、国家科技进步奖创新团队奖等；作为第一完成人获得2019年北京市科技进步一等奖、第二十一届中国专利优秀奖；入选科技部创新人才推进计划、国家万人计划科技创新领军人才；2019年被评为清华大学先进工作者。报告题目：近场雷达目标特性与人体安检成像（点击回放）胡伟东，北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室博士生导师，首都师范大学太赫兹光电子学教育部重点实验室外聘教授，主要研究领域是毫米波/太赫兹空间探测与遥感技术。承担国家自然科学基金重大科学仪器项目和民用航天太赫兹成像重大项目，目前已有三项成果通过部级鉴定。学术兼职方面担任工信部无线电频率规划专家组成员、中国通信学会天线与射频技术专委会委员，毫米波太赫兹产业联盟副理事长，多次担任国际会议 Session Chair，担任IEEE Transaction on Antenna and Propagation和《电子学报》审稿专家。报告题目：太赫兹固态信号发生、接收与前端组件集成技术邓建钦，博士，研究员级高工，工作于中电科思仪科技股份有限公司，长期从事毫米波及太赫兹测试技术研究和测试仪器研制工作，主持完成重大专项、预研、型号等多项国家项目，成功开发系列毫米波及太赫兹测试仪器，解决了国内毫米波与太赫兹技术研究和应用开发等测试问题；开发了系列毫米波与太赫兹应用前端组件，满足了成像、探测等应用开发需求。成果获国家科技进步奖1项，省部级奖项6项，发表学术论文20余篇，申请国家发明专利30余项。报告题目：毫米波PIN二极管开关芯片及其在毫米波安检成像中的应用（点击回放）高一强，博士毕业于中科院上海微系统与信息技术研究所，2019年加入上海微系统所工作至今。主要研究兴趣为基于化合物半导体的毫米波集成电路设计，微波、毫米波组件及其在探测和传感中的应用。曾参与重大仪器专项、自然基金重点、中科院STS等项目。成功研制Ka波段毫米波成像的整套前端芯片（低噪放、功放、混频器、倍频器等），W波段毫米波成像用的四通道发射与接收SOC芯片。关于首届 “蓝海杯”2020年度毫米波太赫兹安检仪器产品评奖活动本次大赛的主题是“毫米波太赫兹技术赋能、人体安检行业来到新时代”，旨在向全社会各行各业广泛征集毫米波太赫兹技术在安检安防领域的新产品、新应用和新技术，发挥行业的需求引领作用，发掘企业及个人的创新设计，集思广益，力争孵化一批新产品新应用，为毫米波太赫兹安检产品的产业化商用奠定基础。本次大赛设置特等奖、最佳人气奖、最佳设计奖、最佳商业价值奖、最佳社会效益奖、入围奖（优秀产品奖）等特色奖项。联盟与组委会将积极推动参赛项目与项目孵化单位的合作，进行产业化孵化。下午 ：首届“蓝海杯”毫米波太赫兹安检仪产品评奖活动专题报告会汇报厂家：1、 江苏亨通太赫兹技术有限公司2、 欧必冀太赫兹科技（北京）有限公司3、 博微太赫兹信息科技有限公司4、 北京航天易联科技发展有限公司5、 中国电子科技集团公司第十四研究所6、 同方威视技术股份有限公司结果近期即将揭晓，敬请期待！特别放送：报告题目：新型人体安检产品的应用浅析（点击回放）王璞，男，毕业于浙江大学，现就职于同方威视技术股份有限公司，常年从事以“人”为中心的成像式新型人体安检设备研发，产品化，基于特定行业的解决方案开发等工作，涉及的主要技术产品包含：主动式毫米波人体、被动式太赫兹人体、背散射人体、X射线透视人体安检仪等。曾负责公司人体安检产品在欧洲及中国民航的认证工作，并参与撰写毫米波仪器设备国标和国际标准草案，具有丰富的全球人体安检领域实践经验，熟悉不同国家和地区、不同用户群体的“人检”需求和应用模式，主导公司人体安检类仪器设备在美加澳新等国公检法领域的使用模式设计及应用；主导仪器设备在欧洲、中东、亚洲、非洲各国机场和海关的部署和应用实践工作。

6月12日，华海清科股份有限公司（简称“华海清科”，股票代码688120）首台12英寸封装减薄贴膜一体机Versatile–GM300出机发往国内头部封测企业，此产品是华海清科继在先进封装领域推出量产机型减薄抛光一体机（Versatile–GP300）之后，面向封装领域推出的又一关键核心产品，为公司业务多元化增长注入新动能。封装减薄贴膜一体化设备Versatile–GM300，该设备采用新型布局，可实现薄型晶圆背面超精密磨削与应力去除；兼容8/12英寸晶圆，搭载晶圆贴膜机联机使用，可实现从精密减薄、清洗干燥到粘贴料环、背膜剥离的全流程自动化作业；高可靠性的晶圆搬运系统有效降低薄型晶圆破损风险，满足高端封装领域的薄型晶圆生产工艺技术需求。Versatile–GM300超精密晶圆减薄机，在技术上突破了超薄片减薄工艺技术壁垒，依托卓越的厚度在线量测与表面缺陷控制技术，可实现片内均匀性TTV＜1.0m，达到了国内领先和国际先进水平。此外，该产品具有高精度、高刚性、工艺开发高灵活性等优点，可广泛应用于封装领域中的晶圆背面减薄、BG/DC倒膜等工艺。本次12英寸封装减薄贴膜一体机出机，将有助于进一步巩固和提升公司的核心竞争力。Versatile–GM300，图片来源：华海清科官网华海清科是一家拥有核心自主知识产权的高端半导体设备制造商，其主要业务包括CMP设备、减薄设备、供液系统、晶圆再生、关键耗材与维保服务等。其CMP设备是华海清科的核心产品之一，该设备可以实现晶圆或硅片表面纳米级全局平坦化，是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键工艺设备。公司的CMP设备产品全面覆盖集成电路制造过程中的非金属介质CMP、金属薄膜CMP、硅CMP等抛光工艺，并实现量产。华海清科致力于为半导体领域的企业提供先进的设备及工艺的集成解决方案，其业务涵盖了集成电路制造的多个环节，具有较高的技术含量和市场竞争力。

根据22日欧盟哥白尼海洋环境监测中心发布的一份关于全球海洋的最新报告显示，过去两年记录的北极冰层范围已达到历史最低水平，自1979年至2020年以来，平均每10年下降近13%，海冰减少的面积相当于6个德国的面积。　　这份发表在同行评审的《运行海洋学杂志》上的年度“哥白尼海洋环境监测中心第5期海洋状况报告”借鉴了来自30多个欧洲机构的120多名科学家的分析，提供了一份关于全球海洋和欧洲地区海洋的当前状况、自然变化和持续变化的全面、先进的科学报告。今年的关键审查显示出气候变化带来的前所未有的影响。　　报告显示，海洋正在发生前所未有的变化，这对人类福祉和海洋环境都有巨大影响。世界各地的表层和亚表层海水温度都在上升，海洋变暖和陆冰融化导致海平面继续以惊人的速度上升：地中海每年上升2.5毫米，全球每年上升3.1毫米。　　据估计，北冰洋变暖占全球海洋变暖总量的近4%。巴伦支海（北极的一小部分）的平均海冰厚度减少了近90%，这导致从极地盆地进口的海冰减少。　　报告认为，在北海，寒潮和海洋热浪的极端变化与比目鱼、欧洲龙虾、海鲈鱼、红鲻鱼和可食用螃蟹的捕获量的变化有关。农业和工业等陆上活动造成的污染正在导致海洋富营养化，影响脆弱的生态系统。　　报告还显示，在过去十年中，地中海的海洋变暖和盐度增加加剧。在地中海，威尼斯连续发生了4次创纪录的洪水事件（2019年11月），地中海南部的海浪高度高于平均水平（2019年）。　　从1993年到2019年，全球平均海温以每年0.015摄氏度的速度上升，从1955年到2019年，黑海的氧气水平（氧气库存）以每年0.16摩尔/平方米的速度下降。　　报告负责人卡琳娜冯舒赫曼博士总结了海洋的国际形势，指出除了进行定期监测外，还需要不断改进最先进的海洋知识及开发和提供新产品。

半导体硅晶圆大厂合晶7月3日宣布，响应地缘政治布局在两岸扩建的12英寸硅晶圆厂，可望在2025年底完成、2026年量产，迎接下波半导体荣景。合晶董事长焦平海受访时表示，合晶已走过半导体景气谷底，第二季度运营明显回升，虽然未呈现V型反转，却已重回上升轨道。耕耘中国大陆市场20多年的合晶，应地缘政治变化，去年同步在中国台湾彰化二林及河南郑州兴建12英寸晶圆厂，随着全球半导体区域布局陆续底定及进入量产阶段，硅晶圆下单量回升，去年下半年半导体修正期宣告结束。合晶总经理张宪元说，彰化二林厂将于2025年底完工，月产能20万片，主要供应包括台积电、联电、力积电和英飞凌、安森美、意法半导体等国际客户；郑州厂也预计2025年底至2026年完工，月产能20万片，主要供应大陆地区客户。焦平海表示，合晶为加强集团整体运作，配合今年2月上海合晶在中国大陆上市，公司将执行内部竞合分工策略，达成公司加速成长目标。 因应地缘政治，为接轨全球供应链，将朝市场差异化规划 产品技术差异化部分，会在既有8英寸及12英寸优势产品进行技术优化，提升产品质量和良率，降低成本，拉大与竞争者差距。合晶新产品技术资深处长徐文浩表示，合晶在化合物半导体也获得技术重大突破，将主攻应用最广的氮化镓磊晶领域，包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓等，并与策略伙伴共同开发氮化镓应用方案及特殊碳化硅基板技术，抢占新一代半导体新材料商机。此外，合晶转投资硅基氮化镓磊芯片和模组厂鸿镓科技，及瑞典碳化硅基氮化镓磊晶片厂SweGaN，卡位高频、高压电动车逆变器及电源管理芯片。焦平海强调表示，今年运营谷底已过，第二季度运营已明显季增，预期下半年可望稳定成长。

ALIO六轴位移台Hybrid Hexapod® 重新定义纳米加工和精 准对位贴合技术！自昊量光电推出以来全新的六轴位移台，ALIO Industries的Hybrid Hexapod® 彻底改变了6D运动的方法，并重新定义了运动控制在需要平整度和直线度加上刚度的应用中的作用，如纳米加工和精 准对位贴合技术中的应用。ALIO工业公司总裁Bill Hennessey表示:“在6自由度(6DOF)纳米技术应用领域，Hybrid Hexapod® 技术允许在纳米级精度的运动中提供身体所有6DOF性能的文件证明。因此，它是独 一 无 二的，这是第 一次成为可能。我们现在看到领 先技术研发人员在光学、半导体、制造、计量、激光加工和微加工领域致力于纳米应用，并取得了以前无法企及的成功。”所有的传统六足位移台运动系统都在三维空间内运行，并且在所有的六个自由度上都存在误差。然而，传统六足位移台的运动系统通常只能用单自由度的运动数据来表征。这种做法在几个自由度上留下了误差来源，特别是在平面和直线度方面，这是纳米级别的关键精度需求。所以说，一个传统的六足位移台在测量行程的平整度和直线度时，每轴会损失几十微米的精度。庆幸的是，Hybrid Hexapod® 完全克服了这些问题。Hennessey继续说道:“因为传统六足位移台有六个独立控制的连杆连接在一起，移动一个共同的平台，平台的运动误差将是所有连杆和关节误差的函数。众所周知，传统六足位移台在执行z轴运动时具有最 佳的精度和可重复性，因为所有连杆在相同的相对连杆角上执行相同的运动。然而，当任何其他X、Y、俯仰、偏航或摇摆运动被指令时，由于所有连杆执行不同的运动，传统六足位移台的精度和几何路径性能大幅下降。传统六足位移台的关节不精确，运动控制器无法实现正运动学和逆运动学方程，因此误差的来源更加明显。”Hybrid Hexapod® 由ALIO开发，旨在解决传统传统六足架设计的关键弱点，以及堆叠串行级的弱点，并在运动过程中实现纳米级的精度、可重复性和高完整性的平面和直线度。它采用了一个三脚架平行运动学结构来提供Z平面和尖 端/倾斜运动，集成了一个整体串行运动学结构来进行XY运动。一个旋转平台集成到三脚架的顶部(或下面，根据应用需要)提供360度的连续偏航旋转。在这种混合设计中，每个轴可以定制，提供从毫米到1米以上的行程范围，同时保持纳米级的精度。Hennessey总结道:“让我们看看4K镜头的制造商。典型的4K镜头需要极其高科技的材料技术，精密的组装实践，以及非常复杂的制造工艺和技术。所有方向的公差几乎为零用于制造透镜的制造过程经常会导致误差，这就是为什么它们需要不断的主动对准。 传感器和镜头对齐，多个目标沿着镜头投影到传感器，然后拍摄图像。调制传递函数(MTF)总是由主动对准装置不断监测，以保持每个MTF值在预先确定的范围内。当满足限度时，用紫外光对胶粘剂进行部分固化，然后再进行完全热固化。这确保了在对准镜头和传感器平面时的极端准确性。Hybrid Hexapod® 被证明是这种应用的完美选择，因为它的绝 对重复性和精度可以一次又一次地产生准确的结果。” “必须激励在可能的前沿工作的工程师提出更多要求，因为他们看到这项技术可以实现其他人无法实现的目标，具有促进创新的潜力，并且可以优化制造的效率和成本效益。Hybrid Hexapod® 比传统六足位移台精度高出几个数量级，刚性提高100倍，速度提高30倍，可用工作范围是传统六轴位移台的10倍。 和传统六足设备同类型型号主要参数对比优势关于生产商：ALIO Industries 成立于 2001 年，由一支由杰出工程师组成的无与伦比的团队推动，他们痴迷于纳米级运动控制、客户成功以及尽可能突破感知界限。今天，ALIO非常重视对客户的响应。作为一家公司，我们一直专注于纳米级精度，因此我们拥有声誉、知识库和稳定性，这在需要超精确和可靠的运动控制时是无法比拟的。与 ALIO 作为您的合作伙伴，您将与一个强大、完善、财务稳定、全球认可和受人尊敬的品牌合作，为各种行业领 先客户提供服务。我们培养伙伴关系的基本含义，相信当知识在整个团队中公开共享时，结果总是更好。这也使我们能够创造性地为任何应用找到实用的运动控制解决方案。ALIO 的团队以诚实、正直和热情为特征。我们专注于成功，而不是为了现金流而出售解决方案。这就是性格！这就是为什么我们在纳米级运动控制解决方案领域享有无与伦比的声誉。上海昊量光电作为ALIO在中国大陆地区最 大的代理商，为您提供专业的选型以及技术服务。对于ALIO有兴趣或者任何问题，都欢迎通过电话、电子邮件或者微信与我们联系。 如果您对六轴位移台有兴趣，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/details-1529.html欢迎继续关注上海昊量光电的各大媒体平台，我们将不定期推出各种产品介绍与技术新闻。关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是目前国内知 名光电产品专业代理商，也是近年来发展迅速的光电产品代理企业。除了拥有一批专业技术销售工程师之外，还有拥有一支强大技术支持队伍。我们的技术支持团队可以为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等工作。秉承诚信、高效、创新、共赢的核心价值观，昊量光电坚持以诚信为基石，凭借高效的运营机制和勇于创新的探索精神为我们的客户与与合作伙伴不断创造价值，实现各方共赢！您可以通过我们昊量光电的官方网站www.auniontech.com了解更多的产品信息，或直接来电咨询4006-888-532。

对于毫米尺度3D物体的操纵技术在电子转印、精密装配、微机电系统等领域具有重要的应用前景。传统的基于机械夹持的抓取方案（如镊子等）需要针对不同特征的物体进行专门的设计和定制。例如，普通的尖头镊子难以夹持球体，需要在镊子末端设计专门的环形结构，并且具有环形结构的镊子无法夹持直径小于环形的球体。此外，对于平放在基底表面上的薄片状脆性物体（如硅片等）来说，因其无特殊的可夹持特征，使用镊子等工具难以将其从基底表面夹持住。目前，对于毫米尺度的不同形状和尺寸的3D物体进行可控抓取操纵的通用性技术方案仍然面临挑战。近日，清华大学机械工程系摩擦学国家重点实验室的田煜教授课题组提出了一种毫米尺度的喇叭状可控粘附结构及其力学调控方法。喇叭状粘附结构由面投影微立体光刻技术（nanoArch S130，摩方精密）和多步浇铸的工艺方案制备而成，对于多种曲率表面具有良好的自适应接触性能。喇叭状可控粘附结构能够通过接触界面的范德华力作用和负压作用达到~80 kPa的粘附强度，通过外力调控屈曲失稳与基底表面主动脱附，从而实现对于多种三维物体的可控抓取和操纵。该项研究成果以“Trumpet-shaped controllable adhesive structure for manipulation of millimeter-sized objects”为题发表在国际知名期刊《Smart Materials and Structures》上。该研究工作由清华大学机械工程系摩擦学国家重点实验室的博士生李小松完成。原文链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-665X/ac262f图1 喇叭状可控粘附结构制备工艺流程图。（a）由面投影微立体光刻技术直接制备得到的蘑菇状结构；（b）通过浇铸得到阴模模具；（c）阴模模具浇铸PU并脱泡；（d）将PDMS球面按压模具得到凹面结构；（e）脱模后的喇叭状结构（dp = 1 mm, h = 1 mm, dt = 1.8 mm, θ =60º）；（f）喇叭状结构的扫描电镜照片。图2 喇叭状粘附结构的粘附性能典型测试力曲线和对应的接触状态演化规律。（a）附着测试模式和（b）脱附测试模式对应的典型法向力测试曲线；（c）附着测试模式和（d）脱附测试模式对应的接触界面状态演化过程；（e）附着测试模式下喇叭状粘附结构的粘附力和预载荷之间的关系；（f）脱附测试模式下喇叭状粘附结构的粘附力和剪切距离的关系。图3 基于内聚力模型的喇叭状可控结构的有限元仿真与界面法向应力演化规律机理。（a）接触-脱附测试过程；（b）接触-卸载-剪切测试过程；（c）接触-卸载-扭转过程中喇叭状粘附结构的变形行为；（d）附着测试过程和（e）脱附测试过程中接触界面法向应力的演化规律，其中紫色的箭头表示法向应力分布的变化方向。图4 喇叭状可控粘附结构对不同大小、不同形状、不同质量、不同材质物体的操纵效果。（a）集成喇叭状粘附结构的操作器；（b）喇叭状粘附结构抓取、转移和释放物体的典型操作步骤；喇叭状粘附结构用于转移多种毫米尺度（c）平面物体和（d）曲面物体的展示；（e）喇叭状粘附结构用于操纵LED灯珠完成THU字样柔性电路装配的展示；（f）喇叭状粘附结构用于水下环境操纵曲面物体的展示。官网：https://www.bmftec.cn/links/10

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究人员日前开发出一种多功能的混合平台，利用脂质覆盖的纳米线来构建生物纳米电子设备的原始模型。科学家表示，将生物组件混合在电路中可增强生物感测及诊断工具的功能，促进神经修复，甚至有可能增加未来电脑的运行速度。该项研究发表在美国国家科学院学报的网络版上。 　　现代的通信设备多依靠电场和电流携带信息流，生物系统的信息传达方式则要复杂得多。它们通过大量的膜受体、通道和“泵”来控制信号的转导，而这是最强大的计算机也无法比拟的。例如，将声波转换成神经冲动是一个非常复杂的过程，但对于人耳来说却轻而易举，没有任何执行障碍。 　　此次研究的主导科学家，亚历山大诺依表示：“使用含有复杂生物组件的电子电路可以更有效率。”尽管早期研究曾试图将生物系统融入微电子中，但都未达到无缝的材料混合水平。“而随着与生物分子大小相媲美的纳米材料的诞生，我们可以在定域的能级范围内对生物系统进行融合。” 　　为了研制出生物纳米电子平台，研究小组使用了脂质薄膜，其在生物细胞中十分普遍。这些薄膜构成了稳定、可自我修复、对于离子和小分子来说几乎不可逾越的障碍。研究报告的共同作者之一，加州大学伯克利分校的尼潘米斯拉谈到，脂质薄膜中还能够容纳无限的蛋白质机械，其可在细胞内执行临界识别，信号传输、转导等功能。 　　研究人员借助连续的脂质双层薄膜覆盖了纳米线的外层，将薄膜融入硅纳米线晶体管中，在纳米线表面和溶液间形成了屏障。诺依表示，这种屏障结构能使薄膜上的细孔成为离子到达纳米线的唯一途径。这也是其借助纳米线设备监视特定的传输，对膜蛋白进行控制的关键所在。通过改变纳米线设备的触发电压，研究人员可以实现膜细孔开合的电子控制。 　　但加州大学戴维斯分校的胡里奥马丁内兹和另一名联合作者也都表示，除了一些基础工作，该研究尚处于起步阶段，仍需付出大量努力才能真正实现脂质薄膜在纳米电子器械中的应用。

2022年北京冬奥会赛程过半之际，我们见证了来自世界各地的运动员勇于挑战、超越自我；我们在场馆内外各个角落看到了志愿者、工作人员默默无闻、辛勤付出；在我们看不见的地方，还有更多人为冬奥奉献青春、保驾护航… … 接下来一起来了解徕卡RTC360与冬奥会结下的不解之缘。国家雪车雪橇中心是2022年北京冬奥会的比赛场地之一，它位于北京市延庆区西大庄科村，将举办冬奥会雪车、雪橇以及钢架雪车项目的比赛，是目前国内唯一一条符合冬奥会标准的雪车、雪橇赛道。由于外形仿如一条盘旋在山脉顶部的巨龙，于是北京冬奥组委也给它取了一个好听的名字—“雪游龙”。其全程长达1975米、垂直落差为121米、共有16个弯道。图片来源：张家口崇礼区人民政府官网国家雪车雪橇中心于2017年2月结束赛道选址工作，历时两年半的时间，于2019年11月完成主体工程的建设，它是北京市冬奥工程竞赛场馆中设计难度最高、施工难度最大的新建场馆，由于雪车、雪橇赛道拥有空间复杂双曲面结构，运动员最高速度可达到140km/h，离心力超过5G，比赛危险系数高，因此赛道的每一个角度、每一个曲面都需要精细到毫米级。在竣工测量工作中，北京市测绘院克服了一系列技术难题，采用徕卡RTC360三维激光扫描与极坐标测量相结合的方式进行数据采集，测绘数据达到精度指标要求，按期完成了竣工测量任务。图集1：徕卡RTC360现场扫描工作照图集2：雪车雪橇赛道点云全貌及局部点云截图北京市测绘院技术人员表示：“能够参与冬奥建设非常自豪，有一种使命感和荣誉感，由于赛道多为异形建筑，为能够圆满完成本次任务，创新采用徕卡RTC360三维激光扫描仪，一方面徕卡RTC360扫描精度高，以往外业串测这种异形建筑位置可能不准确，而使用扫描仪可以全面的掌握整个赛道信息，不会出现丢漏或数据不准确现象。另一方面徕卡RTC360作业效率非常高，整个赛道共采集320站，耗时2天半，正因为如此才能在短时间内完成赛道的竣工测量，徕卡RTC360在本项目的成功应用，为开展其他复杂异形建筑的竣工测量探索了技术路径。”屏幕前，我们看到一场场精彩赛事不断上演，本次与北京冬奥会“零距离接触”，徕卡RTC360用自己的方式——“精准如需”为冬奥建设贡献着力量。

近日，三安半导体在两方部署的碳化硅项目均刷新进度：湖南与重庆两地工厂的设备搬入完成，这2条8英寸SiC线即将迎来投产，合计产能96万片。据称两地正式通线之后，三安半导体将正式转型为8英寸SiC垂直制造整合商，其SiC产能有望实现大幅提升，企业市场竞争力将进一步增强。芯片二厂M6B设备入场：7月24日，三安半导体宣布，芯片二厂M6B设备入场。这标志着三安碳化硅（SiC）项目二期通线在即，将为全面加速8英寸SiC产业布局，实现产线正式投产奠定良好基础。据湖南三安介绍，湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6英寸SiC晶圆、48万片8英寸SiC晶圆的制造能力，预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8英寸SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商。重庆三安半导体SiC衬底工厂主设备入场：近日，重庆三安半导体SiC衬底工厂完成了主设备的入场，这表示重庆三安衬底工厂的通线一同步入了倒计时阶段。据重庆三安基建负责人透露，项目主厂房已于去年12月完成结构封顶，今年5月完成外墙装饰，6月完成室外道路接驳，目前整体建设进度已完成95%以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段，预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。重庆三安意法SiC项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8英寸SiC衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8英寸SiC衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。据悉，该项目是由三安光电、意法半导体于去年6月宣布在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。

一、项目基本情况项目编号：M4400000707016896001项目名称：毫米波矢量信号发生器等设备采购采购方式：公开招标预算金额：3,720,000.00元采购需求：合同包1(毫米波矢量信号发生器等设备):合同包预算金额：3,720,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他专用仪器仪表低频网络分析仪1(台)详见采购文件230,000.00-1-2其他专用仪器仪表毫米波矢量信号分析仪1(台)详见采购文件930,000.00-1-3其他专用仪器仪表毫米波矢量信号发生器1(台)详见采购文件1,370,000.00-1-4其他专用仪器仪表毫米波网络分析仪1(台)详见采购文件1,190,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：自合同签订之日起至质保期满之日二、申请人的资格要求：1.投标供应商应具备《政府采购法》第二十二条规定的条件，提供下列材料：1）具有独立承担民事责任的能力：在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织或自然人， 投标（响应）时提交有效的营业执照（或事业法人登记证或身份证等相关证明） 副本复印件。分支机构投标的，须提供总公司和分公司营业执照副本复印件，总公司出具给分支机构的授权书。2）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录：提供投标截止日前6个月内任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料。 如依法免税或不需要缴纳社会保障资金的， 提供相应证明材料。3）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度：供应商必须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供2021年度财务状况报告或基本开户行出具的资信证明） 。4）履行合同所必需的设备和专业技术能力：按投标（响应）文件格式填报设备及专业技术能力情况。5）参加采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录：参照投标（报价）函相关承诺格式内容。 重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（根据财库〔2022〕3号文，“较大数额罚款”认定为200万元以上的罚款，法律、行政法规以及国务院有关部门明确规定相关领域“较大数额罚款”标准高于200万元的，从其规定）2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无。3.本项目的特定资格要求：合同包1(毫米波矢量信号发生器等设备)特定资格要求如下:(1)供应商未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)“记录失信被执行人或重大税收违法案件当事人名单或政府采购严重违法失信行为”记录名单；不处于中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间。（以资格审查人员于投标（响应）截止时间当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）及中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）查询结果为准，如相关失信记录已失效，供应商需提供相关证明资料）。(2)单位负责人为同一人或者存在直接控股、 管理关系的不同供应商，不得同时参加本采购项目（或采购包） 投标（响应）。 为本项目提供整体设计、 规范编制或者项目管理、 监理、 检测等服务的供应商， 不得再参与本项目投标（响应）。 投标（报价） 函相关承诺要求内容。(3)本采购包不接受联合体投标。三、获取招标文件时间： 2022年11月30日 至 2022年12月07日 ，每天上午 00:00:00 至 12:00:00 ，下午 12:00:00 至 23:59:59 （北京时间,法定节假日除外）地点：广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/方式：在线获取售价： 免费获取四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点2022年12月21日 09时30分00秒 （北京时间）递交文件地点：电子投标文件递交至广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/开标地点：广州市越秀区环市中路316号金鹰大厦10楼会议室五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜1.本项目采用电子系统进行招投标，请在投标前详细阅读供应商操作手册，手册获取网址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/transaction/download.html。投标供应商在使用过程中遇到涉及系统使用的问题，可通过020-88696588 进行咨询或通过广东政府采购智慧云平台运维服务说明中提供的其他服务方式获取帮助。2.供应商参加本项目投标，需要提前办理CA和电子签章，办理方式和注意事项详见供应商操作手册与CA办理指南，指南获取地址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/problem/。3.如需缴纳保证金，供应商可通过"广东政府采购智慧云平台金融服务中心"(http://gdgpo.czt.gd.gov.cn/zcdservice/zcd/guangdong/)，申请办理投标（响应）担保函、保险（保证）保函。4.潜在投标人请同时在广东省机电设备招标有限公司广咨电子招投标交易平台网站（www.gzebid.cn）进行网上注册。网上注册：具体操作方法请浏览“广咨电子招投标交易平台平台服务办事指引网上注册指南”。咨询方式：网站客服（QQ）：3151435402，热线电话：400-150-3001。5.本项目开标方式为云平台“远程电子开标”，供应商无须到开标现场，有关注意事项如下：（1）本项目供应商需上传电子投标文件并取得云平台回执、开标当天登陆供应商的账号（在投标截止时间前）。（2）供应商在投标截止时间后提示的时间内使用CA在自己的账号上解密电子投标文件，解密完成后进行电子签章确认。 6.项目事宜联系邮箱：gmetb3@163.com七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：广东工业大学地 址：广州市广州大学城外环西路100号联系方式：020-393400322.采购代理机构信息名 称：广东省机电设备招标有限公司地 址：广州市越秀区环市中路316号金鹰大厦13楼联系方式：020-83543065（邮箱：gmetb3@163.com）3.项目联系方式项目联系人：陈工、罗工电 话：020-83543065（邮箱：gmetb3@163.com）广东省机电设备招标有限公司2022年11月30日