雪崩二极管亚太赫兹产生器

近晶参加了某仪器公司的培训,在比较不同公司粒度仪性能的时候,有一项是检测器的比较,某公司说其所用的检测器雪崩式光电二极管比光电倍增管的放大倍数更大,但从我现在的了解和原理上说,还应是光电倍增管的放大倍数要大,哪位帮我解释和比较一下.谢谢!

美国科研人员开发出了首个集成太赫兹（THz）固态收发器，新设备比目前使用的太赫兹波设备更小，功能更强大。相关研究成果发表在最新一期的《自然·光子学》杂志上。　　太赫兹技术是近年来十分热门的一个研究领域，2004年被评为影响世界未来的十大科技之一。美国能源部桑迪亚国家实验室的研究人员将同一块芯片上的探测器和激光器结合在一起，制造出了该接收设备。在实验中，研究人员将一个小的肖特基二极管嵌入一个量子级联激光器（QCL）的脊峰波导空腔中，让能量能够从量子级联激光器内部的磁场直接到达二极管的阴极，而不需要光耦合通路。这样，研究人员就不需要再为制造这些收发器等设备所需要的光学“零件”如何定位而“抓耳挠腮”了。　　新的固态系统利用了太赫兹波发出的频率。太赫兹波是指频率在0.1THz—10THz范围的电磁波，介于微波与红外之间，它能够穿透非金属材料，从而为安检、医学成像提供新的手段，在物体成像、医疗诊断、环境检测、通讯等方面具有广阔的应用前景。　　量子级联激光器是产生太赫兹辐射的重要器件之一，科学家于2002年演示了半导体太赫兹量子级联激光器。太赫兹量子级联激光器的一个优势在于其能够同其他组件一起被整合在同一个芯片上。然而，此前要想装配出灵敏的相干收发器系统，研究人员需要将零散的、并且常常是巨大的组件组合到一起。而现在，研究人员只是将太赫兹量子级联激光器和二极管混频器整合在一个芯片上，就可以组成一个简单实用的微电子太赫兹收发器。　　研究人员也证明，新的太赫兹集成设备能够执行以前组件零散的太赫兹系统的所有基本功能，例如传输相干载波、接受外部信号、锁频等。

请问专家雪崩管高压电源６００Ｖ怎么产生？本人外行，设计急需，谢谢啦！！

光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层，使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区，就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭，于是电导增加，增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘，它们都联结到一个共同的n型层上。当光二极管阵列表面被电子束扫描时，每个p型柱就连接着被充电到电子束的电位，起一个充电电容器的作用。当光子打到n型表面以后形成空穴，空穴向p区移动并使沿入射辐射光路上的几个电容器放电。然后当电子束再次扫到它们时，又使这些电容器充电。这一充电电流随后被放大作为信号。光二极管阵列可以制成光学多道分析器。

我知道：紫外-可见光（UV-VIS）检测器　原理： 基于Lambert-Beer定律，即被测组分对紫外光或可见光具有吸收，且吸收强度与组分浓度成正比。很多有机分子都具紫外或可见光吸收基团，有较强的紫外或可见光吸收能力，因此UV-VIS检测器既有较高的灵敏度，也有很广泛的应用范围。由于UV-VIS对环境温度、流速、流动相组成等的变化不是很敏感，所以还能用于梯度淋洗。一般的液相色谱仪都配置有UV-VIS检测器。用UV-VIS检测时，为了得到高的灵敏度，常选择被测物质能产生最大吸收的波长作检测波长，但为了选择性或其它目的也可适当牺牲灵敏度而选择吸收稍弱的波长，另外，应尽可能选择在检测波长下没有背景吸收的流动相。　　二极管阵列检测器（diode-array detector, DAD）： 以光电二极管阵列（或CCD阵列，硅靶摄像管等）作为检测元件的UV-VIS检测器.它可构成多通道并行工作，同时检测由光栅分光，再入射到阵列式接受器上的全部波长的信号，然后，对二极管阵列快速扫描采集数据，得到的是时间、光强度和波长的三维谱图。与普通UV-VIS检测器不同的是，普通UV-VIS检测器是先用单色器分光，只让特定波长的光进入流动池。而二极管阵列UV-VIS检测器是先让所有波长的光都通过流动池，然后通过一系列分光技术，使所有波长的光在接受器上被检测。二极管阵列检测器可以获得全波长的样品信息，而且可以根据吸收光谱辅助定性。但相对来说，专门的紫外检测器灵敏度能高一些。二极管阵列检测器是检测的全波长，但是我做的产品需要打印特定波长下的谱图。现在我只会一个一个在离线下改波长。但我听说lc solution是可以在一开始做样前改方法的，不知道怎么弄，希望前辈能指点！谢谢！

很奇怪，我用EPA3050B消解稳压二极管的玻璃，居然铅含量高达25-50%，按ROHS豁免，它该豁免，但我怀疑稳压二极管的玻璃是真正的玻璃吗？EPA3050B消解其他的玻璃不可以，但为什么可以消解稳压二极管的玻璃呢？ 高手指点！谢谢

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns(纳秒)以下。 　 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 　前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V），通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 　 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　 快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2．检测方法 1）测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。 2）常规检测方法 在业余条件下，利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，IF=5A，IFSM=50A，VRM=700V。将万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项： 1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见：[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url]（MIDIQI.COM） [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]

请问各位大虾：紫外检测器和二极管阵列检测器有何区别？最近要做小肽分析，查到的文章都是用二极管阵列检测器做的，波长为214nm我这里只有紫外检测器，想问下我用紫外检测器，波长设为214nm，是不是也可以做？谢谢了

中文名称: 赫兹 　 外文名: H．R．——Heinrich Rudolf Hertz 　 生卒年: 公元1857-1894 　 洲: 欧洲 　 国别: 德国 　 省: 汉堡 　 赫兹，德国物理学家。1857年2月22日生于汉堡。父亲为律师，后任参议员，家庭富有。赫兹在少年时期就表现出对实验的兴趣，12岁时便有了木工工具和工作台，以后又有了车床，常常用以制作简单的实验仪器。1876年赫兹入德累斯顿工学院学习工程，由于对自然科学的爱好，转入慕尼黑大学学习数学和物理，第二年又转入柏林大学，在H．von亥姆霍兹指导下学习并进行研究工作。在随赫尔姆霍兹学习物理时，受赫尔姆霍兹的鼓励研究麦克斯韦电磁理论。赫兹决定以实验来证实韦伯与麦克斯韦理论谁的正确。依照麦克斯韦理论，电扰动能辐射电磁波。赫兹根据电容器经由电火花隙会产生振荡原理，设计了一套电磁波发生器，赫兹将一感应线圈的两端接于产生器二铜棒上。当感应线圈的电流突然中断时，其感应高电压使电火花隙之间产生火花。瞬间后，电荷便经由电火花隙在锌板间振荡，频率高达数百万周。由麦克斯韦理论，此火花应产生电磁波，于是赫兹设计了一简单的检波器来探测此电磁波。他将一小段导线弯成圆形，线的两端点间留有小电火花隙。因电磁波应在此小线圈上产生感应电压，而使电火花隙产生火花。所以他坐在一暗室内，检波器距振荡器10米远，结果他发现检波器的电火花隙间确有小火花产生。赫兹在暗室远端的墙壁上覆有可反射电波的锌板，入射波与反射波重迭应产生驻波，他也以检波器在距振荡器不同距离处侦测加以证实。赫兹先求出振荡器的频率，又以检波器量得驻波的波长，二者乘积即电磁波的传播速度。正如麦克斯韦预测的一样。电磁波传播的速度等于光速。1887年11月5日，赫兹在寄给亥姆霍兹一篇题为《论在绝缘体中电过程引起的感应现象》的论文中，总结了这个重要发现。1888年，赫兹的实验成功了，麦克斯韦理论也因此获得了无上的光彩。在发现电磁波不到6年，意大利的马可尼、俄国的波波夫分别实现厂无线电传播，并很快投人实际使用。其他利用电磁波的技术，也像雨后春笋般相继问世。无线电报（1894年）、无线电广播（1906年）、无线电导航（1911年）、无线电话（1916年）、短波通讯（1921年）、无线电传真（1923年）、电视（1929年）、微波通讯（1933年）、雷达（1935年），以及遥控、遥感、卫星通讯、射电天文学……它们使整个世界面貌发生了深刻的变化。1880年他以纯理论性工作的《旋转导体电磁感应》论文获得博士学位，成为亥姆霍兹的助手。1883年到基尔大学任教。1885～1889年任卡尔斯鲁厄大学物理学教授。赫兹还通过实验确认了电磁波是横波，具有与光类似的特性，如反射、折射、衍射等，并且实验了两列电磁波的干涉，同时证实了在直线传播时，电磁波的传播速度与光速相同，从而全面验证了麦克斯韦的电磁理论的正确性。并且进一步完善了麦克斯韦方程组，使它更加优美、对称，得出了麦克斯韦方程组的现代形式。此外，赫兹又做了一系列实验。他研究了紫外光对火花放电的影响，发现了光电效应，即在光的照射下物体会释放出电子的现象。这一发现，后来成了爱因斯坦建立光量子理论的基础。1889～1894年接替R．克劳修斯的席位任波恩大学物理学教授。1894年1月1日因血液中毒在波恩逝世，年仅36岁。为了纪念他在电磁波发现中的卓越贡献，后人将频率的单位命名为赫兹。相关研究领域：数学、物理学，特别是在电磁学方面。在赫兹以前，由法拉第发现、麦克斯韦完成的电磁理论，因为未经系统的科学实验证明，始终处于“预想”阶段。把天才的预想变成世人公认的真理，是赫兹的功劳。同时，赫兹在人类历史上首先捕捉到电磁波，使假说变成现实。相关作品:1、《论在绝缘体中电过程引起的感应现象》2、《论动电效应的传播速度》3、《论电力射线》

各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照：http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/

想问问各位大神 在做酸性橙Ⅱ号时国标中要求的是 用二极管阵列做 但我们这里只有紫外检测器 可以代替吗 如果可以代替的话 相关参数应该怎么修改 酸性橙用的国标是：SN/T 3536-2013。还有水果罐头中合成着色剂的测定也是用二极管阵列 也可以用紫外检测器代替吗

论坛上面好大条广告写第一台商品化二极管阵列，是国产的嘛？我看到过上海有个厂家自己做了蒸发光散射检测器，二极管呢？有知道的大侠指导下呀

在众多工业中，好多电子仪器仪表中，原先模拟电路已经淘汰，都采用了电子线路，众多电子元器中，二极管、三极管等十分广泛使用。比如说，智能数字显示表、智能氧化锆氧分析仪等，都采用数字线路。下边简要说明下，二极管的结构。晶体二极管的管芯是一个PN结，在管芯两侧的半导体上分别引出电极引线，其正极由P区引出，负极由N区引出，用管壳封装后就制成二极管。常用的晶体二极管是用硅或诸等半导体材料制成的，目前我过已系列化生产的硅二极管有2CP、2CZ、2CK等系列。二极管分为点接触型和面接触型。

[B][center]英破解塑料激光二极管制造难题新材料在提高导电性能的同时不影响发光性能[/center][/B]　　英国帝国理工学院科学家在近期《自然• 材料》杂志上发表文章称，他们通过对一种被称为PFO的塑料材质的分子结构进行改进，最终解决了塑料激光二极管的制造难题。这意味着以塑料半导体作为材质的激光二极管有望很快应用于CD播放器等电子产品中。　　目前在各类电子产品中被广泛应用的激光二极管都是由无机半导体材料制成的，如砷化镓、氮化镓及其相关合金等。电流的正负电荷在激光二极管的材料内部相结合产生出激光发生需要的初始光，之后，初始光被驱动多次来回穿梭于半导体材料，并且每穿过一次光强都会增加，那么一段时间以后，一束发散性小、强度高、定向性好的激光束就产生了。　　在过去的20年里，尽管在有机分子半导体领域里也取得了很多的成就，例如一系列特别塑料的产生以及很多基于该类塑料的重要设备都得到了成功的应用，其中包括发光二极管、场效应晶体管以及光敏二极管等。然而，塑料激光二极管却在近十几年里没有取得任何的突破。直到现在，人们仍然普遍认为塑料半导体激光二极管几乎不可能生产出来，主要因为这一领域有一个重大阻碍：一种既可以维持足够大电流又可以提供有效初始光的塑料材质至今没有被发现或发明。　　现在，帝国理工学院的科学家们找到了符合要求的材料。他们对日本住友化学公司合成的、与蓝光塑料PFO密切关联的塑料进行了研究，通过轻微改变该塑料的化学结构生产出一种新型材料，可以比原材料多传递200倍的电荷却不会损耗它的发光效能，同时也提高了激光的产生能力。　　该研究小组带头人，帝国理工学院物理系多纳尔• 布拉德利教授说：“这是一次真正的突破。此前的研究大多是为电子设备和光电子设备设计聚合物，只涉及到加强材料的一种特质。然而，结果并不理想，因为当人们尝试去提高塑料半导体的发光性能时，导电性能会受到损害，而提高导电性能就会影响其发光性能。”　　研究小组成员保罗• 斯塔夫里诺补充说，对PFO结构的修改则使研究人员成功地协调了这两个先前水火不容的特性，这意味着塑料发光二极管将成为现实。　　塑料激光二极管的优势并不仅仅在于它的生产成本低廉以及其易整合的特性，它将比目前的激光二极管拥有更多优点。目前可用的激光二极管不能涵盖所有的可见光谱，这限制了显示器和分光镜的应用，而应用于波导和光学纤维的标准塑料则可以覆盖全部波长。这种新型塑料激光二极管也能够产生从近紫外到近红外的更广泛的波长。

为研制太赫兹设备与操控系统开辟了广阔舞台 中国科技网讯 在电磁波谱中，太赫兹波段是当前最热的研究范围之一。据美国物理学家组织网5月2日报道，美国圣母大学通过实验证明了利用石墨烯原子层可以有效操控太赫兹电磁波，并制作了一台基于石墨烯材料的太赫兹调制器样机，为开发紧密高效且经济的太赫兹设备与操作系统开辟了广阔舞台。相关论文近日发表在《自然·通讯》杂志上。 人们每天都在用着电磁能量，看电视、听广播、用微波炉做爆米花、用手机通话、拍X光片等，电子产品和无线电设备中的能量大部分是以电磁波形式传输的。太赫兹波处于微波和可见光频率之间，在日常生活中有着重要应用。比如在通讯设备中，用太赫兹波能携带比无线电波或微波更多的信息；在拍X光片的时候造成的潜在伤害更小，所提供的医学和生物图像分辨率也比微波更高。 “太赫兹技术前景光明，但一个最大的瓶颈问题是缺乏有效的材料和设备来操控这些能量波。如果有一种天然二维材料能对太赫兹波产生明显反应，而且可以调节，就给我们设计高性能太赫兹设备带来了希望。而石墨烯正是理想的材料。”圣母大学电学工程系研究生贝拉迪·森赛尔-罗德里格斯说，石墨烯是仅有一个原子厚度的半导体材料，具有独特的电学、机械力学和热学性质，在诸多领域都有着潜在的应用价值，如最近开发的快速晶体管、柔性透明电子产品、光学设备，以及目前正在开发的太赫兹主动元件。 研究小组演示了他们用于概念论证而制作的第一台样机，这台基于石墨烯材料的调制器，可在石墨烯内部实现带内跃迁，是目前唯一能做到这一点的太赫兹设备。 该校电学工程系副教授邢慧丽（音译）指出，石墨烯自发现以来，一直被当作新研究的理想平台，但至今它在现实中还很少应用，操控太赫兹波就是其应用之一。在2006年时，他们曾想用二维电子气体来操控太赫兹波，去年他们论证了基于石墨烯的高性能设备，今年是首次通过实验证明了这种设备，并将进一步开展研究。（记者 常丽君） 《科技日报》（2012-05-04 二版）

[color=#444444]液相色谱检测同一种物质时，紫外检测器和二极管阵列的波长是一样的吗[/color]

请教专家,二极管阵列检测器比紫外检测器贵,它与紫外相比有哪些优势?谢谢!

我实验室有一台waters e2695,只有一台荧光检测器。而岛津10AT有紫外和二极管，想把岛津的二极管接到waters e2695上，大家认为可行吗？岛津二极管型号为：spd-m10vp

阵列二极管检测器一般用于什么呀？

最近实验室要向安捷伦购买一台1260的液相,带二极管阵列检测器,销售人员向我们提供了一个选择Agilent 1260 Infinity二极管阵列检测器(G4212B)和Agilent 1260 Infinity二极管阵列检测器(G1315D)请问G4212B和G1315D有什么区别吗？哪个更好用点？我们实验室主要检测食品的。希望各位大虾们多多指教！

[b]一种新型高效液相色谱二极管阵列检测器[/b][i]范安定，张云海，林从敬等；[/i]摘 要：研制了一种全封闭光学系统的高效液相色谱二极管阵列检测器。这种全封闭结构可以同时提高灵敏度、光谱分辨率和线性范围，对萘的最小检测量在230nm下可达1×10-10g，且线性范围比为5×104。该检测器所采集的连续波长吸光度数据可以形成形象直观的三维谱图，以几种芳香类化合物为研究对象，验证了该系统的各项性能。关键词：高效液相色谱 二极管阵列检测器 全封闭光学系统80年代二极管阵列检测器(DAD)的发明开创了液相色谱的新纪元，该检测器在一次分析过程中记录了所有的光谱信息，可提供最佳波长的确定、峰纯度检验和色谱峰鉴定。随着液相色谱技术的成熟，检测器的设计与应用正转向定性分析，尽管普通的紫外可变波长检测器在定量上具有灵敏度高和线性好的优点，新一代的检测器更要能提供对色谱峰进行鉴定和跟踪的定性信息。目前国内尚无商品化的仪器。基于这一趋势，我们对80年代研制的2030型DAD检测器的光学系统在技术上进行了重大改进和突破，研制了一种新型的全封闭光学系统的DAD检测器。以几种芳香类化合物为研究对象，验证了该系统的各项性能，证实了该系统性能优良。1 检测器结构与性能对比1.1 检测器结构该系统的结构由光学、电路及软件部分组成。光学部分由光源、聚光透镜、流动池、全息凹面光栅及光导纤维组成，它将光源产生的混合光经表面色散分成连续波长的平行光照射到二极管阵列上，光学部分采用全封闭的结构 电路部分接收光电二极管阵列产生的电流信号，并对所收到的电流信号进行电压转换、放大、滤波、AD转换和产生中断触发、进行数据采集，同时对光电二极管阵列进行反控 软件部分分为数据采集、数据处理、图形处理及仪器维护四个模块，数据采集模块包括数字滤波、数据读取与存储和实时显示，数据处理模块完成谱图显示、峰纯度检测、最佳波长选择及光谱、色谱处理，图形处理模块实现等高线及三维图的处理，仪器维护模块实现仪器的状态判断与维护。

我的WATERS2998二极管怎么比紫外的噪音大很多啊贵 还不如紫外的呢

200时● 500μm直径有效范围● 渐进的倍增曲线图表● 极宽的工作温度范围 应用● 测距/激光雷达● 光学通信系统● 激光扫描仪● 光谱方面● 荧光探测 ● 医学领域有兴趣者，欢迎来电一起共同探讨 联系电话就不要发出来，否则广告论处。

看到网上及论坛内不少说这两种是一样的，也有说是不一样的http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20071107/1050063/硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。特点：当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流. 用途：1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等. 2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等. 3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器，如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器；紫蓝硅光电池具有光电倍增管，光电管无法比拟的宽光谱响应，它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠，电路设计简单灵活，是光电管的更新换代产品。目前也有可以使用到190-1100nm的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。 网上硅光电池是发电的硅光电二极管只要是用光来控制电流 本身几乎不发电另外光电二管管与硅光电二极管有什么区别？

最近领导说要买二极管阵列检测器，我只是听说，没有见过，不知什么原理，二极管个数对仪器是否重要？