雪崩二极管亚太赫兹产生器

雪崩二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz，最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽，所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。产品特点：l 80-120GHz频率范围l 典型输出功率 10mWl 结构紧凑性价比高l 1年保修期 雪崩二极管技术参数：ü 频率范围：80-120GHzü 可用的最低输出功率：10mWü 典型线宽：1MHzü 工作电压：15-16Vü 工作电流：110-120mAü 输入功率：2W可选项：u TTL调制选项u 精确附加锥形角u 高输出功率选项（＞50mW射频功率输出）

总览Terasense IMPATT雪崩二极管 是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz， 最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。 雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽，所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。Terasense IMPATT 微波 亚太赫兹 雪崩二极管 100GHz,Terasense IMPATT 微波 亚太赫兹 雪崩二极管 100GHz通用参数产品特点:● 80-120GHz 频率范围● 典型输出功率 10mW● 结构紧凑性价比高● 1 年保修期● 可选波导型或喇叭天线● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务应用领域:● 太赫兹时域系统● 太赫兹源窗片● 中远红外气体探测● 科学实验室研究● THZ实验光源● 太赫兹成像订购信息:ModelStandard frequency(GHZ)OutPut Power(mw)HornTERASOURCE-100100 ＜10WR-10TERASOURCE-140140 ＜15WR-6保养以及售后服务：IMPATT雪崩二极管表面除了简单的清洁处理以外，其他部件基本不需要维护。表面清洁只需用酒精棉轻微擦洗即可。禁止使用坚硬物品或腐蚀性液体擦洗以免对产品造成损坏。同事注意激光产品都属于光电敏感元件注意静电防护。激光类器件属于静电敏感元器件在运输使用时建议做好静电防护措施以免造成器件损坏。

IMPATT雪崩二极管(IMPATT diodes)品牌： Terasense型号： IMPATT diodesIMPATT雪崩二极管 雪崩二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。其工作频率范围约为3-400GHz， 最主要的优点是它们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。 雪崩二极管具有非常窄的工作频率带宽，所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。 产品特点：l 80-120GHz 频率范围l 典型输出功率 10mWl 结构紧凑性价比高l 1年保修期 雪崩二极管技术参数:l 频率范围：80-140GHz l 可用的最低输出功率：10mWl 典型线宽：1MHz l 高输出功率选项（＞50mW 射频功率输出）l 工作电压：15-16Vl 工作电流：110-120mAl 输入功率：2W可选项：l TTL 调制选项l 精确附加锥形角l 高输出功率选项（＞50mW 射频功率输出） 性能更新后的典型IMPATT二极管参数规格： IMPATT diode@100GHzIMPATT diode @ 140 GHz操作频率≈100GHz≈140GHzTTL调制1us 上升或下降时间1us上升或下降时间高功率输出≈80mW≈30mW圆锥喇叭天线/法兰严格固定/WR-8 or WR-10严格固定/WR-6

太赫兹发射器 (碰撞雪崩渡越时间二极管)TeraSense公司简介： TeraSense是一家俄罗斯的太赫兹设备生产商，主要产品包括：低成本、便携式亚太赫兹成像相机、太赫兹发射源和超快探测器等。TeraSense拥有一支强大的技术团队，包括20多位富有经验的科学家和工程师。他们中的大多数都拥有微波和太赫兹研究领域的博士学位，代表了俄罗斯物理学家的年轻一代。科学组已经取得了多项研究成果，并且在国际同行业评审期刊上发表了超过300篇论文。太赫兹发射器产品描述： TeraSense系列太赫兹源（IMPATT diode，碰撞雪崩渡越时间二极管），是一种硅双漂移二极管，过渡区域0.6um，安装在铜散热器上。双偏移二极管的分层：重掺杂(p +)层，适度掺杂（p-）层，适度掺杂（n-）层和重掺杂(n +)层。(p +)和(n+)层允许欧姆电触点接触到外部电路。设备依靠负电阻产生和维持振荡。 Terasense现在提供雪崩渡越二极管的升级版本。升级后的雪崩渡越二极管配备防护隔离器，大大提高了输出功率的稳定性。你可以根据需要，选择带有严格固定的喇叭天线的雪崩渡越二极管，或带有WR -法兰的雪崩渡越二极管。优化频率为100 GHz时，雪崩渡越二极管的典型输出功率可以达到100mW。太赫兹发射器产品特点： 可用频率: 100 GHz ，140 GHz 大功率输出 (80 mW，30mW) 稳定性高 线宽缩小至1 MHz 工作电流: 150 – 180 mA 价格低廉 结构紧凑，体积小，易于集成 太赫兹发射器规格参数：型号IMPATT diode @ 100 GHz IMPATT diode @ 140 GHz 频率最佳频率：100 GHz最佳频率：140 GHz隔离器带有防护隔离器带有防护隔离器调制方式TTL 调制 (1us rise/fall time)TTL 调制 (1us rise/fall time)输出功率高功率 (80 mW 输出功率)高功率 (30 mW 输出功率)输出方式圆锥喇叭天线 (固定)或 法兰类型 (WR-8 或 WR-10)圆锥喇叭天线 (固定) 或 法兰类型 (WR-6)功耗输入功率 2W 电源外部电源 (24 V) 确保输入电流稳定线宽典型的线宽可以缩小至1 MHz太赫兹发射器使用图例： TeraSense 太赫兹发射器（IMPATT diode）

?强太赫兹产生器Tera-AX 可提供 nJ 量级脉冲能量。 系统需要使用飞秒钛蓝宝石放大器泵浦源作为激发光。 THz 非线性光谱可以提供原子、分子固态基本共振的新信息。Tera-AX 可以用于 THz 非线性光谱，大尺寸 THz 成像，或其他需要高能量超短 THz 脉冲的 THz 光学应用。Tera-AX 通过基于 MgO:LiNbO3 相位匹配和光学校正产生 THz，通过倾斜飞秒激光器脉冲波前达到相位匹配条件，使整个系统达到最高的“光—太赫兹”转换效率。 主要用途：THz nonlinear（THz非线性）关键技术：Tilt Wavefront（波前倾斜）THz产生晶体：MgO:LiNbO3（掺镁铌酸锂） 规格参数 输出的THz辐射特性THz脉冲能量300nJ脉冲宽度0.5-1ps中心频率1THz光谱半高全宽 FWHM1-1.5THz重复频率3KHzTHz光束散射角45 mrad (垂直方向)100 mrad (水平方向) 尺寸600mm × 300mm × 200mm对pump激光器的要求激光脉冲能量0.5-2 mJ脉冲宽度150 fs中心波长770-830 nmEO-AX 光电探测器参数（可选项）扫描长度180 ps频谱分辨率30 GHz 系统包括 —— Tera-AX光学组件基于MgO：LiNbO3光学整流原理产生THz辐射，利用抛物净收集输出THz光束—— EO-AX 光电探测器基于ZnTe晶体的电光取样原理，包括： 1) 3个离轴抛物镜，用于聚焦THz光束到样品上 2) 高灵敏度的平衡探测器以及数字转换器 3) 光学斩波器 4) 延迟线 5) 控制软件

APD（雪崩二极管）是通过施加反向偏压，使其高速和高增益工作的高灵敏度光电二极管。它比PIN光电二极管相比，具有更高的信噪比，被广泛应用于光学测距仪、空间光传输、闪烁侦检器等等。滨松提供多类APD及其阵列产品，还可根据客户需求进行定制。请下载样本了解详细信息。

雪崩二极管(APD) 新势力光电供应雪崩二极管(APD)，是一种内部增益机制的光电二极管。根据具体应用，可以选择：蓝光增强型、红光增强型、红外增强型(900nm、1064nm)。雪崩二极管广泛应用于：安检设备、激光测距、运动控制、分析仪器、生物医疗、光通信、军事、航空航天、光通讯。PIN SeriesSpecial features for ApplicationsSeries-11 Optimized for 360-560nmBlue enhanced for analytical instruments, readout for scintillators.Series-12 Optimized for 500-750nmFlat frequency response up to 3GHz for precise distance meas., communication.Series-8 Optimized for 750-820nmHigh-speed for resistance meas., laser scanner, high speed applications.Series-9 Optimized for 750-930nmLow rise time for laser rangefinder, LIDAR, basic technology for arrays.Series-10 Optimized for 860-1100nmSensitivity at 1064nm for range finder, laser tracker, LIDAR.Series 11: Blue sensitivity enhanced (for biomedical applications)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeAreaM=100410nm 50&Omega mmmm2nAnsAD800-11TO52S1Ø 0.80.511AD1900-11TO5iØ 1.95352Series 12: Red sensitivity enhanced (cut-off frequency up to 3 GHz)Type No.Active areaSpectral ResponsivityCut-off frequencyChipPackageSizeArea660nm M=100660nm 50&Omega mmmm2A/WGHzAD100-12LCC6.1Ø 0.10.00850typ. 3, min. 2AD100-12LCC6.1fØ 0.10.00844typ. 3, min. 2AD100-12TO52S1Ø 0.10.00850typ. 3, min. 2AD230-12LCC6.1Ø 0.230.04250typ. 3, min. 2AD230-12LCC6.1fØ 0.230.04244typ. 3, min. 2AD230-12TO52S1Ø 0.230.04250typ. 3, min. 2AD500-12LCC6.1Ø 0.50.19650typ. 3, min. 2AD500-12LCC6.1fØ 0.50.19644typ. 3, min. 2AD500-12TO52S1Ø 0.50.19650typ. 3, min. 2Series 8: Optimized for high cut-off frequencies-850 nm (optimized for high speeds)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeAreaM=100M=100 20V 50&Omega mmmm2nAnsAD100-8LCC6.1Ø 0.10.0080.050.18AD100-8LCC6.1fØ 0.10.0080.050.18AD100-8TO52S1Ø 0.10.0080.050.18AD100-8TO52S3Ø 0.10.0080.050.18AD230-8LCC6.1Ø 0.230.040.30.18AD230-8LCC6.1fØ 0.230.040.30.18AD230-8TO52S1Ø 0.230.040.30.18AD230-8TO52S3Ø 0.230.040.30.18AD500-8LCC6.1Ø 0.50.20.50.35AD500-8LCC6.1fØ 0.50.20.50.35AD500-8TO52S1Ø 0.50.20.50.35AD500-8TO52S2Ø 0.50.20.50.35AD500-8TO52S3Ø 0.50.20.50.35AD800-8TO52S1Ø 0.80.520.7AD1100-8TO52S1Ø 1.1314-61AD1900-8TO5iØ 1.953151.4AD3000-8TO5iØ 37.07302AD5000-8TO8iØ 519.63603AD230-8-2.3GTO5AD230-8-2.3G TO5 is a high frequency optical data receiver comprising an Avalanche Silicon Photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO5 package.AD500-8-1.3GTO5AD500-8-1.3G TO5 is a high frequency optical data receiver comprising an Avalanche Silicon Photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO5 package.Series 9: NIR sensitivity enhanced-900nm (specifically for LIDAR and laser rangefinders)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeAreaM=100M=100mmmm2nAnsAD230-9LCC6.1Ø 0.230.040.50.5AD230-9LCC6.1fØ 0.230.040.50.5AD230-9TO52S1Ø 0.230.040.50.5AD230-9TO52S1F2Ø 0.230.040.50.5AD230-9TO52S3Ø 0.230.040.50.5AD500-9LCC6.1Ø 0.50.20.80.55AD500-9LCC6.1fØ 0.50.20.80.55AD500-9TO52S1Ø 0.50.20.80.55AD500-9TO52S1F2Ø 0.50.20.80.55AD500-9TO52S2Ø 0.50.20.80.55AD500-9TO52S3Ø 0.50.20.80.55AD800-9TO52S1Ø 0.80.520.9AD1100-9TO52S1Ø 1.13141.3AD1500-9TO5iØ 1.51.7722AD3000-9TO5iØ 37.07302AD5000-9TO8iØ 519.63603AD230-9-400M TO5AD230-9-400M-TO5 is a high frequency optical data receiver comprising an Avalanche Silicon Photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO-5 package.AD500-9-400MTO5AD500-9-400M-TO5 is a high frequency optical data receiver comprising an Avalanche Silicon Photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO-5 package.Multi-Element Array8AA0.4-9SOJ22GLAPD Array 8 Elements, QE80% at 760-910nm with NTC16AA0.13-9SOJ22GLAPD Array 16 Elements, QE80% at 760-910nm with NTC16AA0.13-9DIL18APD Array 16 Elements, QE80% at 760-910nm16AA0.4-9SOJ22GLAPD Array 16 Elements, QE80% at 760-910nm25AA0.04-9BGAAPD Array 25 (5× 5) elements, QE80% at 760-910nm with PTC25AA0.16-9BGAAPD Array 25 (5× 5) elements, QE80% at 760-910nm with PTC64AA0.04-9BGAAPD Array 64 (8× 8) elements, QE80% at 760-910nm with PTCSeries 10: NIR sensitivity enhanced - 1064nm (specifically for laser rangefinders, targeting systems or any applications using YAG lasers or similar NIR radiation sources)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeAreaM=100M=100 1064nm 50&Omega mmmm2nAnsAD500-10TO5iØ 0.50.21.54AD800-10TO5iØ 0.80.535AD1500-10TO5iØ 1.51.7775AD4000-10TO8SiØ 412.56506AD800-10TO8SiHigh speed, high gain, low noise, low power consumption hybrid (AD800-10+TIA)Multi-Element ArrayQA4000-10TO8SiQuadrant Avalanche Photodiode, High QE at 850-1070nm相关商品光电二极管(PIN) 铟镓砷探测器(InGaAs) 光电管放大器 光电管接收模块

激光雷达核心器件~SPAD 单光子雪崩二极管效率测试仪/新型单光子探测器特性分析设备SPD2200是针对最新型的单光子探测器SPD ,Single Photon Detector ,dToF LiDAR 激光雷达收发光核 心芯片测试仪，常应用于dToF的SPAD（Single Photon Avalanche Detector)光感测器（或称SPAD光电探测器，SPAD传感器）的特性测试分析设备。单光子探测器可以对单个光子进行探测和计数，在许多可获得的信号强度仅为几个光子能量级的新兴套用中，单光子探测器可以一展身手。SPD2200是针对最新型的单光子探测器（SPD，Single Photon Detector)，如应用于dToF的SPAD（Single Photon Avalanche Detector)光感测器的特性测试分析设备可整合分析如下参数：全光谱性能参数测试分析：（SR，Spectral Responsivity)全光谱量子效率（EQE , External Quantum Efficiency)全光谱光子探测率（PDP，Photon Detection Probability)暗计数DCR（Dark Count Rate)崩溃电压BDV（Break-Down Voltage)SPAD的单光子雪崩二极管特性参数分析： JitterAfterpulsing probabilityDiffusion tailSNR

一、产品简介①TeraSchottky是一款低频的THz源，基于先进的肖特基二极管及其倍频技术。基频单元为75GHz，可倍频拓展到150GHz，300GHz和600GHz。借助于百mW量级的功率输出，TeraSchottky是市场上兼顾频率调谐和输出功率最优的折中方案。TeraSchottky是一个完全集成的即插即用系统，通过用户友好的软件提供最佳用户体验。起源于欧洲空间项目，TeraSchottky保证了最高的可靠性。Lytid获奖的太赫兹源设计方法再次成为了TeraSchottky背后的驱动精神。 ②控制：-通过USB使用专用软件进行远程控制 ③连接：-触发：SMA CMOS 3.3V-12V电源 ④典型频率-功率曲线图：二、产品参数技术参数TeraSchottky输出数据工作模式连续/外触发调制频率最大5 kHz频率切换4 ms可调谐性12%控制通过USB电源和工作参数电压12 V温度范围15-25 ℃功耗50 W尺寸和重量高55 mm宽130 mm长110 mm重量800 g三、产品特点 ①数百mW的高功率输出；②非常宽的调谐范围；③快速频率切换；④使用专用软件轻松配置；⑤完全可编程频率扫描，脉冲和调频调制；⑥完全集成，即插即用；⑦外部触发：锁定放大器，太赫兹相机，从属模式。 四、应用领域①实时太赫兹成像；②高分辨率太赫兹光谱；③振动能级调制，如声子、自旋共振等。

一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22&ring C，除非另有规定，请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度（见注2）-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为Ω ,𝛽 = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM² +PORM）F）BW）&half ，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟（仅限引线）260°C室温反向电流平均值，连续运行200µ A峰值（1s持续时间，非重复）1mA室温正向电流平均值，连续运行IF550mAmA峰值（1s持续时间，非重复）60mW

一,InGaAs盖革模式雪崩光电二极管（内置TEC制冷型） 0.9-1.7umInGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。InGaAs盖革模式雪崩光电二极管（内置TEC制冷型） 0.9-1.7um ,InGaAs盖革模式雪崩光电二极管（内置TEC制冷型） 0.9-1.7um产品特点● 光谱响应范围0.9~1.7μm ● 高探测效率、低暗计数率 ● 6 pin TO8产品应用● 弱光探测 ● 量子保密通信 ● 生物医疗技术参数线性模式参数产品型号IGA-APD-GM104-TEC参数符号单位测试条件最小典型最大反向击穿电压VBRV22℃±3℃ ，ID =10μA608090响应度ReA/W22℃±3℃，λ =1550nm ，M =10.80.85暗电流IDnA22℃±3℃，M =100.10.3电容CpF22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz0.25击穿电压温度系数ηV/K-40℃ ~80℃，ID =10μA0.15盖革模式参数参数单位测试条件最小典型最大单光子探测效率 PDE%-45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布单光子源20暗计数率 DCR kHz-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% 20*后脉冲概率 APP-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%1× 10-3时间抖动Tjps-45℃，1ns 门宽，2MHz门控重频，PDE=20%100* 可提供不同等级规格产品室温IV曲线DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)温度系数电容电压封装外形、尺寸及引脚定义 TO8 （尾纤封装）二,铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm总览InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm,铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm产品特点● 光谱响应范围0.9~1.7μm ● 高探测效率、低暗计数率 ● 3 pin TO46产品应用● 弱光探测● 量子保密通信 ● 生物医疗技术参数线性模式参数产品型号IGA-APD-GM104-R参数符号单位测试条件最小典型最大反向击穿电压VBRV22℃±3℃ ，ID =10μA608090响应度ReA/W22℃±3℃ ,λ =1550nm ，M =10.80.85暗电流IDnA22℃±3℃ ，M =100.10.3电容CpF22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz0.25击穿电压温度 系数ηV/K-40℃ ~80℃，ID =10μA0.15盖革模式参数参数单位测试条件最小典型最大单光子探测效 率PDE%-45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse泊松分布单光子源20暗计数率DCRkHz-45℃ ，1ns门宽， 2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% 20*后脉冲概率 APP-45℃ ，1ns门宽， 2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% 1× 10-3时间抖动Tjps-45℃ ，1ns 门 宽 ，2MHz门控重频，PDE=20%100* 可提供不同等级规格产品TO46 （尾纤封装）

总览TeraSense的超快探测器ULTRAFAST，通过直接观察其脉冲响应函数证实响应时间小于150 ps。用广谱范围为0.1至3THz的，200nJ、1ps的激光脉冲激发该探测器，其响应由高速示波器记录。响应功能显示了由示波器4 GHz带宽限制的150 ps的上升和下降时间。测量的短响应时间使得我们的探测器可以直接研究THz科学和电信中的快速瞬态过程。尽管TeraSense检测器的频率响应不是连续的，而是由多个频带组成，但是在较宽的频率范围内依然是敏感的。为适应客户的要求，响应曲线中的峰值位置是在制造阶段进行调整的。 产品特点● 响应时间150 ps● 光谱范围50 GHz - 1.0THz● 响应（典型值）1 V / W● 噪声等效功率1 nW / √ Hz● SMA输出连接器● 被动操作（无电源）● 紧凑尺寸：23 x 29 x 6.5 mm● 定制解决方案产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像技术参数参数/描述亚太赫兹探测器型号Ultrafast-150SUB-Fast-1响应时间150ps1μs光谱范围50 GHz - 0.7 THz50 GHz - 0.7 THz响应度（典型）0.5 V/W10 V/W噪音等效功率2nW/√Hz1 nW/√Hz外形尺寸23 х 29 х 6.5 mm23 х 29 х 6.5 mm阻抗50 Ω50 Ω输出接口SMASMA测试脉冲响应曲线：

Terapower太赫兹自校标功率计产品介绍TeraPOWER测量范围从太赫兹至亚太赫兹，结合了高灵敏度、宽光谱探测范围与最大的探测表面主要技术特点-绝对自校标功率计-大尺寸探测器区域- 宽波段红外与太赫兹测量- 适用于最多类型的红外、太赫兹与MMW源suited to a large variety of IR, THz and MMW sources电子二极管(Gunn,IMPATT,TUNNETT)BWOQCLs 激光分子激光自由电子激光-性价比高易于使用 开启了宽范围太赫兹测量的新领域实验室与工业的太赫兹和亚太赫兹应用新领域-科研测量与工业研发-连续与脉冲光源的测量与优化-光学表征与工业材料-非破坏性检测的主动成像与断层扫描可选采集模式典型技术参数 @0.1 THz参数 TeraPOWER TP-MilliTeraPOWER TP-Nano尺寸 60x60x70mm3 工作温度Room temperature 电压None接入BNC/RS232BNC/RS232/GPIB 探测区1-25mm (根据需要)数据采集模式毫米波模拟计算机采集 Nano 电压计计算机采集光谱范围0.1-30THz (l0&mu m -3mm)0.1-30THz (l0&mu m -3mm)最小测量信号 100&mu w 1&mu w灵敏度(整个太赫兹波段 )0.1 V/W1 V/W测量误差10&mu w0. 1&mu w

THz功率计Terapower?TERAPower是Nethis公司的一款新型自校准宽频太赫兹功率计，性价比高，性能优越，简单易用。TERAPower作为绝对太赫兹通量功率计，适用于商用CW和脉冲太赫兹源，灵敏度高可探测面积大。它能完美地表征太赫兹和亚太赫兹源，例如电子二极管（Gunn, IMPATT, TUNNETT）、BWO返波管、量子级联激光器、分子激光器和自由电子激光器。 规格参数： 型号Terapower最小测量信号50μW*测量误差10μW*数据采集模式模拟频谱范围0.1-30THZ(10μm-3mm) UV,IR,THz,MS 可选灵敏度1V/W （整个太赫兹范围）探测面积1-25mm（直径）操作温度室温接口USB尺寸60*60*70mm3*表示在0.1THZ时参数

亚太赫兹超快探测器 TeraSense公司简介： TeraSense是一家俄罗斯的太赫兹设备生产商，主要产品包括：低成本、便携式亚太赫兹成像相机、太赫兹发射源和超快探测器等。TeraSense拥有一支强大的技术团队，包括20多位富有经验的科学家和工程师。他们中的大多数都拥有微波和太赫兹研究领域的博士学位，代表了俄罗斯物理学家的年轻一代。科学组已经取得了多项研究成果，并且在国际同行业评审期刊上发表了超过300篇论文。 产品介绍： TeraSense生产出了超快亚THz辐射探测器。它在0.05 - 0.7THz的带宽范围，具有亚纳秒响应时间，以及很高的敏感度。为了满足客户的需求，可以对设备的尺寸和输出连接器进行调整。 TeraSense的超快探测器的响应时间，始终少于150 ps。探测器可以在0.1- 3THz的频谱范围内，被200 nJ，1 ps 激光脉冲激发，并且它的响应会被高速示波器记录下来。由于可以测量很短的响应时间，我们的探测器可以直接用于研究THz科学和电子通信的快速瞬变过程。技术参数： 响应时间: 150 ps 频谱范围: 0.05 THz - 0.7 THz 响应率 (典型值): 1 V/W 噪声等效功率 : 1 nW/Hz0.5 被动工作方式(无需电源) 敏感区域：3 × 3.5 mm 紧凑型: 23 x 29 x 6.5 mm 产品应用： 虽然其频率响应不是连续的，而是由多个频段组成的，TeraSense探测器仍然在很宽的频率范围内有很高的灵敏度。在生产阶段，响应率曲线的峰值位置可以进行调整，以满足客户的需求。 我们的超快高灵敏度亚THz探测器可以用来探索快速变化和瞬态亚THz信号和脉冲。Terasense超快探测器是表征，校准和调谐脉冲亚THz源的理想工具。

TERAPower是一款新型自校准宽频太赫兹功率计，性价比高，性能优越，简单易用。TERAPower作为绝对太赫兹通量功率计，适用于商用CW和脉冲太赫兹源，灵敏度高可探测面积大。它能完美地表征太赫兹和亚太赫兹源，例如电子二极管（Gunn, IMPATT, TUNNETT）、BWO返波管、量子级联激光器、分子激光器和自由电子激光器。产品特性：² 绝对自校准功率计² 探测面积大² 宽带太赫兹光束测量² 性价比高，简单易用典型应用：Ø 太赫兹科学计量Ø 太赫兹主动成像和断层摄影Ø 非破坏性试验Ø 不透明材料深度检测型号TP-MiliTP-Nano最小测量信号100&mu W*10&mu W*测量误差10&mu W*1&mu W*数据采集模式模拟纳伏计（PC）频谱范围0.1-30THZ(10&mu m-3mm)灵敏度1V/W （整个太赫兹范围）NEP1&mu W/HZ1/2*探测面积1-25mm（直径）操作温度室温接口BNC/RS232BNC/RS232/GPIB尺寸60*60*70mm3*表示在0.1THZ时参数 瞬渺科技(香港)有限公司Rayscience Optoelectronic Innovation Co., Ltd 地址：上海市申南路59号泰弘研发园1号楼306室电话： ，传真：E-mail: Web:

sub-THz亚太赫兹发生器IMPATT diode sub-THz Generator太赫兹光谱医疗诊断安防监控缺陷鉴定油品质量控制IMPATT Diode, THz GeneratorFrequency Range80-110GHz, 3-400GHz is available for CustomEach diode is factory tuned to specific frequencyOutput Power30mW for 140GHz optimized, 80mW for 100GHz optimizedLinewidthNarrowed down to 1 MHzCurrent SourceEach diode is equipped with DC input power 2-5W and High-gain horn antennaTTL Modulation1μs Rise and Fall times

作为一款亚太赫兹波段的被动式超快探测器，我们提供的探测器非常简便易用。只用连接上示波器就可以使用（或者其他任何电压探测器）。用一根同轴SMA型输出连接器连接并把它放在THz或Sub_THz辐射下即可使用。产品特点和具体参数：ü 响应时间：150 psü 频率范围：50 GHz-1.0 THzü 典型响应度：1V/Wü 噪声等效功率：1nW/Hz1/2ü 敏感区域：3mm×3.5mmü 不需要电源供给ü 尺寸：23mm×29mm×6.5mm探测器频率宽度依赖的光敏反应

OpenView和TeraCAM是专用于红外和太赫兹波段2D、3D成像分析的阵列相机。我们致力于为客户提供高性价比、高性能的科研设备，用于商业和实验级红外、太赫兹及亚太赫兹光源的光束分析和测量。产品特性：² 大型非制冷阵列表面检测² 多光谱选择（0.1-3000&mu m）² 紫外，可见光，近红外，中红外，远红外和太赫兹光束分析² 适用于各种激光源：o 固体激光器o 光纤激光器o 量子级联激光器o 分子激光器o 电子二极管(Gunn, IMPATT, TUNNETT)o BWO返波管o 自由电子激光器² 适用于高能量激光光源参数规格型号OpenViewTeraCAM产品尺寸60*60*300mm3200*200*300mm3工作温度室温（非制冷红外探测器）室温（制冷型红外探测器）工作电压sector voltagesector voltage接口IEEE1394以太网接口IEEEE1394以太网接口探测范围700*700mm2700*700mm2像素大小200&mu m100&mu m像素数量700*700700*700空间分辨率毫米级（衍射极限）毫米级（衍射极限）光谱范围0.1-3000&mu m0.1-3000&mu m最小测量信号50&mu W/cm2 per pixel50&mu W/cm2 per pixel采集速率1-10HZ1-50HZ应用科研和工业激光源测量Ø 2D和3D自由空间光测量Ø CW和脉冲光源优化Ø 多光谱源测量科研和工业亚太赫兹和太赫兹应用Ø 物理参数表征（张力，损耗，湿度，导热性&hellip ）Ø 绝缘不透明材料毫米波总体检测（裂纹，分层，含水量）Ø 焊接、粘接等穿透成像Ø 2D、3D空间光成像Ø CW和脉冲亚太赫兹和太赫兹源优化Ø 亚太赫兹和太赫兹2D和3D成像Ø 多谱光源测量 瞬渺科技(香港)有限公司Rayscience Optoelectronic Innovation Co., Ltd 地址：上海市申南路59号泰弘研发园1号楼306室电话： ，传真：E-mail: Web:

太赫兹源TeraSense系列太赫兹源(IMPATT二极管)由带有0.6 um传输区域的硅双漂移二极管表示，安装在铜散热器上。双漂二极管的层有:重掺杂(p+)-区、中等掺杂(p+)-区、中等掺杂n区和重掺杂(n+)-区。(p+)和(n+)区域允许与外部电路进行欧姆电接触。该装置依靠负电阻来产生和维持振荡。Terasense现在正在提供其升级版的太赫兹源。升级后的IMPATT二极管配备了保护隔离器，极大地提高了输出功率的稳定性。从现在起，您可以订购IMPATT二极管与开放WR法兰或可拆卸喇叭天线的选择。l在优化的频率@ 100 GHz下，太赫兹源的典型输出功率可达2 w。此外，TeraSense源具有人体工程学设计和易于使用。该公司可以选择提供带有衰减器和开关的太赫兹发生器部分。Add-on optionsHorn antennas Gain: 20-25 dBExternal modulator Base frequency: 85-100 GHz, 140 GHz Modulation frequency: 200 MHz Switching time: 2 ns Insertion loss: 1.5 dB太赫兹源产品特点：IMPATT技术100 GHz, 140 GHz, 200 GHz, 300 GHz, and 600 GHz可选保护隔离器，增强稳定性TTL调制高频调制选项(100 MHz, 1.5 ns rise/fall time)可拆卸喇叭天线紧凑尺寸，价格便宜 更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

TeraBEAM太赫兹光束测量分析仪,多功能太赫兹模块应用于致冷与非致冷热红外相机。产品介绍：TeraBEAM 是致力于宽波段红外与太赫兹2D 与3D 成像的阵列照相机。是使用商业化与实验室型的红外太赫兹与亚太赫兹源进行的多功能新型成像装置。关键技术参数：位于80GHz 与110GHz 的2D 实时MMW 光束测量图-非致冷2D 阵列大探测面积-太赫兹与亚太赫兹的2D 与3D 束成像-多光谱可选(0.1-30THz)-适用于大范围THz 与MMW 源电子二极管( Gunn, IMPATT.TUNNETT)返波管（BWO）量子级联激光器分子激光自由电子激光- 易于使用实验室与工业应用-2D 与3D 空间束成像(建立准直)-连续光与脉冲太赫兹源优化-2D 成像与断层摄影-多光谱源测量大视场与宽波段太赫兹与亚太赫兹照相机技术参数@0.1 THz参数TeraBEAMTeraCAM产品尺寸60x60x300 mm3200x200x300 mm3工作温度室温非冷却红外探测器室温冷却红外探测器电源矢量电压矢量电压插头IEEE1394/EthernetIEEE1394/Ethernet感应探测区域40x40 mm240x40 mm2像素尺寸200&mu m100&mu m空间分辨率毫米(衍射极限) 毫米(衍射极限)光谱范围0.1-30THz (l0&mu m -3mm)0.1-30THz (l0&mu m -3mm)最小测量信号 50&mu w/cm2 per pixel &mu w/cm2 per pixel采集率1-10 Hz10-30Hz

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

800nm高功率二极管泵浦钛宝石飞秒激光器（超高性价比）钛宝石激光介质由于其具有极宽增益谱与发射谱的特性，在超短脉冲产生和波长调谐等方面具有极大的优势。长期以来钛宝石激光器使用价格昂贵的 532 nm 全固态激光器作为泵浦源，在一定程度上限制了其推广和应用。高亮度、高功率蓝-绿光激光二极管的问世，为低成本钛宝石振荡器的实现提供了新的可能。LD 具有结构紧凑、稳定性高、价格低廉等优势。以 LD 作为泵浦源，不仅可以大大降低钛宝石激光器成本，还可以有效改善系统稳定性，更利于系统集成化。上海昊量光电推出一款是一种基于直接二极管泵浦技术的钛宝石飞秒激光器。通过用超紧凑、低成本的激光二极管取代笨重而昂贵的DPSS激光器，坚固而紧凑地成功从一个单片紧凑的激光头提供高达500mW的输出功率。因此，它是将飞秒激光脉冲应用于各种前沿应用的完美光源。Tenacity是一款理想的飞秒激光器，适用于许多科学应用，如生物医学成像、太赫兹产生/检测、放大器种子源等。800nm二极管泵浦钛宝石飞秒激光器（400kW peak power）产品特点：1、优越的紧凑性和方便性将激光二极管与色散镜设计相结合，成功地将整个交钥匙飞秒激光器集成到一个比鞋盒稍大的单一封装中，大大减少了实验设置的复杂性。由于不需要额外的控制器单元，用户一到达实验室就可以很容易地安装该系统。2、卓越的稳定性和耐久性由于其高度坚固的光机械和电子设计，韧性代表了下一代飞秒钛：蓝宝石激光器，具有突出的无源稳定性和耐久性。此外，持续的主动输出功率稳定保证了短期和长期的稳定。非稳环境条件下的长期频谱和功率被动稳定性：3、800nm二极管泵浦钛宝石飞秒激光器（400kW peak power）测试性能800nm二极管泵浦钛宝石飞秒激光器（400kW peak power）规格指标：Tneacity 15Tneacity 30Tneacity 70中心波长800±10nm半高全宽50nm25nm12nm脉冲宽度15fs30fs70fs平均功率400mW500mW峰值功率400kW220kW94kW重复频率80±5MHz重频稳定可选光学噪声（10Hz-100KHz）0.1%功率稳定性0.5%光斑直径2mm偏振100:1（水平）一体化设计是关于昊量光电：昊量光电 您的光电超市！上海昊量光电设备有限公司致力于引进国外创新性的光电技术与可靠产品！与来自美国、欧洲、日本等众多知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前沿，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及前沿的细分市场比如为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等。我们的技术支持团队可以为国内前沿科研与工业领域提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务，助力中国智造与中国创造! 为客户提供适合的产品和提供完善的服务是我们始终秉承的理念！您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询，我们将竭诚为您服务。

光电二极管简介：GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。 特点：低噪音近红外雪崩二极管覆盖波段900-1700nm有效面积20-350um最大带宽2Ghz自由空间和光纤输入 一、 Ge探测器二、 Ge 雪崩探测器 三、 高速InGaAs光电二极管 四、 InGaAs探测器 五、 扩展InGaAs光电二极管 六、 InGaAs雪崩光电二极管 七、 热电冷却的InGaAs光电二极管 八、InGaAs象限光电二极管 九、双波长探测器

总览PB1319系列太赫兹光混频器在一个实用、坚固、光纤耦合的封装中提供成熟的低温砷化镓半导体技术。这些光混频器是按照ISO：9000制造标准制造的，采用全激光焊接组件，其中包括泵浦激光器的集成光学透镜和太赫兹硅透镜。PB1319光混合器具有稳定的特性，即使温度低至4.5开氏度。PB1319光混频器通常用于相干光混合系统，用于太赫兹辐射的产生和检测。它们有多种配置以及定制安装或配置，是带有集成光学透镜和准直太赫兹硅透镜的激光焊接组件。PB1319 光纤耦合太赫兹光混频器 780-855nm ,PB1319 光纤耦合太赫兹光混频器 780-855nm通用参数应用签名识别Ø 生物制品Ø 化学药品分子光谱学固态光谱学太赫兹成像材料表征太赫兹连续波的产生和探测 特征坚固的包装设计，采用全焊接结构偏振保持光纤耦合最佳性能的内部镜头用于自由空间低损耗耦合的高电阻率超半球集成30 V稳压二极管，用于防静电保护高回波损耗的角度接口 在780nm至855nm波长下工作提供定制配置 产品规格(标准光混合器) 参数最小值典型值最大值单位操作温度*-4025+85°C工作光波长760-855nm有效太赫兹光谱100-3000GHz20V偏置，25℃时的暗电流-0.3.5µ A变送器上的偏置电压-±20±25V200GHz时的太赫兹功率**.020.10.5µ W太赫兹功率动态范围***@ 100 GHz@ 1000 GHz *** -- 7050 -- dB平均光泵浦功率-3040mW780nm时的光回波损耗2040-dB 产品规格(低温光混合器) 参数最小值典型值最大值单位操作温度*4.5300350K工作光波长760-785nm有效太赫兹光谱100-3000GHz20V偏置，25℃时的暗电流-0.3.5µ A变送器上的偏置电压-±20±25V2 0GHz时的太赫兹功率**.020.10.5µ W太赫兹功率动态范围***@ 100 GHz@ 1000 GHz *** -- 7050 -- dB平均光泵浦功率-3040mW780nm时的光回波损耗2040-dB*非冷凝** 780nm时泵浦功率为30 mW，偏压至500 uA光电流***在像PB7200这样的光混合系统中，依赖于激光源 典型配置典型性能PB7220系列光谱仪中采用两个光混频器时的典型性能。通过阻挡太赫兹光束，说明噪声级功率是由激光产生的。更高光谱纯度的激光器将改善动态范围。相干检测产生的干涉条纹是灰色的，已经被消除。 机械尺寸

彩色激光器：IDOL和IMPACTIDOL系列为高重复率固态二极管泵浦调Q激光器，基本波长是1342nm，通过倍频可获得高功率红光和蓝光TEM00模激光。所有的激光脉冲小于12ns，M2小于1.2，重复率可达100kHz。IMPACT系列为高重复率固态二极管泵浦调Q激光器，基本波长是1064nm，使用放大器和振荡器配置来获得短脉冲宽度和高输出功率，也可以高效地进行频率转换成TEM00模绿光和紫外激光。所有的激光脉冲小于10ns，M2小于1.2，重复率可达200kHz。 应用 快速成型 长灵敏工艺 激光立体制版 显示器修理 微加工灰色刻度打标 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：网址： /邮箱：

光电二极管模块 新势力光电供应光电二极管模块，简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器，特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板（集成放大电路）雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10TO8S10k65带电路板（集成放大电路和温度补偿功能）雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板（集成放大电路）位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2QP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+6010PIN-photodiode HV sourceVery small footprint相关商品 雪崩二极管(APD) 位敏探测器(PSD) 四象限探测器(QP) 波长敏感探测器(WS)

西安厂商直供雪崩耐量测试仪ENX2020 雪崩耐量测试系统概述向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。西安易恩电气ENX2020 雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。规格/环境要求l 电压频率：50Hz±1Hzl 环境温度：15～40℃l 工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。l 大气压力： 86Kpa～106Kpal 海拔高度：不超过3000米。l 尺 寸：800x800x1800mml 质 量：210KGl 工作电压：AC220V±10%无严重谐波l 系统功耗：320Wl 通信接口：USB RS232技术指标配置测试范围测试参数条件范围电压1000VIGBTs绝缘栅双极型晶体管EAS/单脉冲雪崩能量VCE20V-4500V20-100V±3%±1V100-1000V±3%±5V1000-4500V±3%±10V电流200AMOSFETsMOS场效应管EAR/重复脉冲雪崩能量Ic1mA-200A1mA-100mA±3%±0.1mA100mA-2A±3%±5mA2A-200A±3%±50mADIODEs二极管IAS/单脉冲雪崩电流Ea1J-2000J1J-100J±3%±1J100J-500J±3%±5J500J-2000J±3%±10JPAS/单脉冲雪崩功率IC检测50mV/A（取决于传感器）感性负载10mH、20mH、40mH、80mH、100mH重复间隙时间1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次

厂商直供高精度新型雪崩耐量测试仪ENX2020 雪崩耐量测试系统概述向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。西安易恩电气ENX2020 雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。规格/环境要求电压频率：50Hz±1Hz环境温度：15～40℃工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。大气压力： 86Kpa～106Kpa海拔高度：不超过3000米。尺 寸：800x800x1800mm质 量：210KG工作电压：AC220V±10%无严重谐波系统功耗：320W通信接口：USB RS232技术指标配置测试范围测试参数条件范围电压1000VIGBTs绝缘栅双极型晶体管EAS/单脉冲雪崩能量VCE20V-4500V20-100V±3%±1V100-1000V±3%±5V1000-4500V±3%±10V电流200AMOSFETsMOS场效应管EAR/重复脉冲雪崩能量Ic1mA-200A1mA-100mA±3%±0.1mA100mA-2A±3%±5mA2A-200A±3%±50mADIODEs二极管IAS/单脉冲雪崩电流Ea1J-2000J1J-100J±3%±1J100J-500J±3%±5J500J-2000J±3%±10JPAS/单脉冲雪崩功率IC检测50mV/A（取决于传感器）感性负载10mH、20mH、40mH、80mH、100mH重复间隙时间1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次

传统的灯泵调Q Nd:YAG激光器，单脉冲能量能够达到焦耳量级，脉宽10ns，在科研、工业、环境激光雷达、光声光谱等领域有广泛的应用。但受限制于闪光灯泵浦的效率，重复频率停留在10 ～20Hz。而采用连续二极管激光器泵浦的固体调Q激光器，脉冲重频可高达数百kHz，但由于增益介质的荧光寿命影响，单脉冲能量很难提高。Quantel公司在固体调Q激光器领域有超过50年的经验，其QSmart、CFR、Ultra系列激光器每一款都是坚固、耐用、可靠的经典产品。Quantel基于自身独到的固体激光器设计以及准连续（QCW）高功率脉冲半导体激光器技术，推出脉冲半导体激光泵浦的DPSS调Q激光器，使得高重频、高能量一举兼得，为用户带来10倍以上的效率提升以及更进一步的可靠性保证。 DPSS调Q激光器产品特点： ? 基于已验证的QSmart 紧凑、高可靠设计? 提供百赫兹、近焦耳脉冲能量输出? 更长的泵浦源寿命? 即插即用，无需调试? 模块式倍频，全自动位相匹配调节紧凑型二极管泵浦激光器Merion C主要特性? 紧凑、轻便? 全密封激光头? 工业级设计，耐用持久? 优光斑质量? 易于集成? 远程连接及控制? 可互换激光头紧凑型二极管泵浦激光器Merion C主要应用 ? OPO 泵浦? 光声成像 ? 激光雷达 ? LIBS ? 钛宝石泵浦? 激光烧蚀? PIV 参数指标MERION C - S4 MERION C - G4重复频率Up to 400 HzUp to 400 Hz 单脉冲能量 (mJ)1064 nm100100532 nm5050355 nm3030脉冲宽度 (ns)1064 nm 10发散角 (mrad)1064 nm 5 1脉冲能量稳定性 p-p (%)1064 nm 0.5冷却内循环水冷 尺寸 mm [inches] (HxLxW)激光头120.1 x 416.1 x 150.2 [4.73 x 16.38 x 5.91]电源supply177.4 x 482.6 x 457.2 [6.99 x 19 x 18]