广谱光电二极管光电探测器

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

广谱InGaAs光电二极管特点：u 有效直径 （0.3 mm - 3 mm）u 截止波长 （1.9μm, 2.05μm, 2.2μm and 2.6μm）u 高分流电阻u 多个镜头可选 （双凸面，平凸面，球面）u 光学滤光片 (中性密度和带通滤光片)u 封装 (TO-46, TO-18 or TO-5)应用：u 气敏监测u 烃类传感器u 火焰/火花检测u FTIRu 光谱u SWIR光电检测

总览Photop&trade 系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops&trade 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的，既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置，也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器，在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件，利用不同的运算放大器，替换光电探测器，修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光电二极管放大器混合器 200-1100nm,光电二极管放大器混合器 200-1100nm型号参数应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大.光电二极管参数TA = 23°C时的典型电光参数型号有效面积响应度(A/W)电容(pF)暗电流(nA)分流电阻(MΩ )噪音等效功率(W/√Hz)反向电压温度范围(°C)封装形式面积(mm2) 尺寸(mm) 254nm 970nm 0V -10V -10V-10mV0V254nm-10V970nmV工作储存最小值典型值最小值典型值典型值典型值典型值 最大值典型值典型值典型值 最大值350-1100nm光谱范围UDT-455 5.1 2.54 f --- 0.60 0.65 85 15 0.25 3 --- 1.4 e -14 30**0 ~+ 70-30 ~+ 100 30 / TO-5OSI-515#UDT-020D164.57 f330600.5101.9 e -1431 / TO-8UDT-555D10011.3 f15003002253.9 e -1432/ Special200-1100nm光谱范围UDT-455 UV5.12.54 f 0.10 0.14 ---300 ---1009.2 e -14 --- 5**30 / TO-5OSI -020 UV164.57 f1000501.3 e -1331 / TO-8UDT-055 UV507.98 f2500202.1 e -1332/ SpecialUDT-555 UV 100 11.3 f 4500 10 2.9 e -13 32/ SpecialUDT-555UV /LN** TA = 23°C时，运算放大器的电光参数型号电源电压静态电源电流(mA)输入补偿电压 温度系数输入补偿电压输入偏置电流增益带宽乘积转换速度开环增益，DC输入噪声电压输入噪声电流 100 Hz 1k Hz 1 k Hz ± 15 VmVµ V / °CpAMHzV / µ sV /mVnV/ √HzfA/√Hz 最小值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值 典型值 典型值 典型值UDT-455 --- ±15 ±18 2.8 5.0 0.5 3 4 30 ±80 ±400 3.0 5.4 5 9 50 200 20 15 10UDT-455UVUDT-020DOSI-020UV---±15±181.820.030.120.3510.520---5.1---20100020005.85.10.8OSI-515*---±15±186.57.21310---±15±40232612514036.3---1210UDT-555UV/LN---±15±182.53.50.10.5±2±5±0.8±2---21250117781580.5UDT-055UV --- ±15 ±22 2.7 4.0 0.4 1 3 10 ±40 ±200 3.5 5.7 7.5 11 75 220 20 15 10UDT-555DUDT-555UV 机械图纸请参考第61至73页。* * LN–系列设备应在0V偏压下使用。*非冷凝温度和储存范围，非冷凝环境。# OSI-515取代UDT-455HS UDT-455，UDT-555D, 555UV, 055UVOSI-515:引脚1和5不兼容(无需调偏)。UDT-020D，OSI-020UVUDT-555UV/LN输出电压与光强度成正比，由下列公式得出:频率响应(光电二极管/放大器组合)光电二极管/放大器组合的频率响应由光电探测器、前置放大器以及反馈电阻(RF)和反馈电容(CF)的特性决定。对于已知增益(RF)，检波器/前置放大器组合的3dB频率响应如下所示:然而，所需的频率响应受到运算放大器增益带宽乘积(GBP)的限制。为了获得稳定的输出，必须选择RF和CF值，使检波器/前置放大器组合的3dB频率响应小于运算放大器的最大频率，即f3dB≤fmax。最后，下面给出了一个计算频率响应的例子。对于增益为108，工作频率为100 Hz，增益带宽乘积(GBP)为5 MHz的运算放大器:对于CF = 15.9 pF，CJ = 15 pF和CA = 7 pF，fmax约为14.5 kHz。因此，由于f3dB≤fmax，电路稳定。 有关具体应用的进一步阅读，请参考目录中的APPLICATION NOTES INDEX。注:阴影框代表Photop&trade 组件及其连接件。 光电二极管维护和操作说明避免直射光线由于硅光电二极管的光谱响应包括可见光区域，因此必须避免光电二极管暴露于高环境光水平下，尤其是钨源或日光。在OSI光电公司的运输过程中，您的光电二极管包装在不透明的填充容器中，以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 避免剧烈的物理冲击如果跌落或剧烈震动，光电二极管可能会损坏。焊线较为脆弱，当检测器掉落或受到剧烈的物理撞击时，可能会与光电二极管的焊盘分离。 用光学级布/纸巾清洁窗户OSI光电二极管上的大多数窗口材料是硅或石英。应使用异丙醇和软垫(光学级)清洁它们。 观察储存温度和湿度水平光电二极管暴露在高或极低的存储温度下会影响硅光电二极管的后续性能。存储温度指南在本目录的光电二极管性能规格中有相关介绍。请保持非冷凝环境，以保证光电二极管最佳性能和寿命。 遵守防静电措施光电二极管，尤其是集成电路器件(如Photops)被认为是静电敏感的。光电二极管采用防静电包装运输。在拆封和使用这些产品时，应遵守防静电注意事项。 不要将光电二极管暴露在刺激性的化学环境中如果暴露在氯乙烯、稀释剂、丙酮或三氯乙烯中，光电二极管封装和/或操作可能会受到影响。 小心安装本目录中的大多数光电二极管都配有电线或引脚，用于安装在电路板或插座上。遵守以下规定的焊接温度和条件:烙铁: 焊接30 W或更低 , 烙铁尖端的温度为300℃或更低。浸焊:镀浴温度:260±5℃ ,浸泡时间:5秒以内。 ,焊接时间:3秒以内。汽相焊接:请勿使用回流焊:请勿使用 请特别注意塑料包装中的光电二极管。透明塑料包装比黑色塑料包装对环境压力更敏感。在高湿度下存放器件可能会在焊接时出现问题。由于焊接过程中的快速加热会对焊线产生应力，并可能导致焊线与焊盘分离，因此建议将塑料封装中的器件在85℃下烘烤24小时。光电二极管上的引线不应形成。如果您的应用需要修改引线间距，请在形成产品引线之前联系OSI光电子应用程序部门。产品保修可能无效。1.参数定义:A =芯片顶部到玻璃顶部的距离。a =光电二极管正极。B =玻璃顶部到外壳底部的距离。c =光电二极管负极(注:负极通常用于金属包装产品，除非另有说明)。W =窗口直径。视场(见下文定义)。 2.尺寸单位为英寸(1英寸= 25.4mm)。3.除非另有规定，引脚直径为0.018±0.002"。4.公差(除非另有说明)常规: 0.XX ±0.01" 0.XXX ±0.005"芯片中心: ±0.010"尺寸“A”: ±0.015" 5.Windows操作系统所有“UV”增强产品都配有石英玻璃窗口，0.027±0.002"厚度。所有“XUV”产品都配有可移动窗户。所有“DLS”PSD产品都配有抗反射涂层玻璃窗。所有“FIL”光导和光伏产品都是环氧树脂填充的，而不是玻璃窗。 机械规格单位都是英寸。插脚引线是仰视图。

总览PL3000系列是一个全色PIN光电二极管，截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件，材料本身性能稳定。本系列的设计可以用于环境气体检测应用，测量CO或者CO2，它提供优良的并联电阻与响应在宽谱范围内，此外，我们可以读引脚改为TO-46,to-18，TO-5可选。铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面),铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面)产品特点● 有效面积（0.3-3mm）● 更长的截止波长2.7um● 高分流电阻● 多镜头选择（双凸，平凸，球透镜）● 多种封装结构可供选择（TO46；TO8；TO5）产品应用● 气体传感检测● 火焰/火花检测● FTIR● 短波红外光电探测技术参数2.7um扩展型响应电特性@25℃±2℃性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6响应直径mm0.30.5123峰值波长（典型）um2.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.1截止波长（50%）um2.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.1响应度@λP（min/typ）A/W0.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.0分流电阻（min/typ）Ω16K/25K5K/8K2K/4K0.5K/1.5K0.2K/0.5K暗电流（max）uA13@1V20@0.5V80@0.5V320@0.5V500@0.5V电容@0VpF1002701000440010000带宽 W/50Ω@0VMHz32163.20.80.35上升时间 W/50Ω@0Vns11221104401000NEP@λPEAKW/Hz1/281×10-14143×10-14203×10-14331×10-14574×10-14线性度（±0.2dB@0v）dBm66666封装规格-TO-8TO-8TO-8TO-5TO-5最大额定值性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6存储温度℃-40-125-40-125-40-125-40-125-40-125工作温度℃-40-85-40-85-40-85-40-85-40-85反向击穿电压V20.50.50.50.5反向击穿电流mA1010101010正向电流mA1010101010最大承受功率mW5050505050光谱响应响应温度系数Ⅰ响应温度系数Ⅱ电容和备用电压暗电流与暗电流备用电压分流阻力的比较温度型号及订购PLC-□-□□-W□□□□-XX□---探测器的材料A：Si PDB：InGaAs PDC：Si APDD：InGaAs APDE：Si Quadrant APDF：InGaAs Quadrant APD□□---光感应光敏面直径300：0.3mm500：0.5mm1000：1mm2000：2mm3000：3mmW□□□□---截止波长W2.6：2.6umXX: 探测器封装类型T46W=TO46 WindowT18W=TO18 WindowT5W=TO5 WindowT46L=TO46 LensT18L=TO18 LensT5L=TO5 LensT46W=TO46 WindowT46W=TO46 WindowSA=SMF-28E+ FC/APCSP=SMF-28E+ FC/PCPA=PM Fiber+ FC/APCPP=PM Fiber+ FC/PC

超大探测面积InGaAs光电二极管特点：u 有效直径 （0.5 mm - 5 mm）u 截止波长 （1.7 μm）u 高分流电阻和高灵敏度u 多个镜头可选 （双凸面，平凸面，球面）u 光学滤光片 (中性密度和带通滤光片)u 封装 (TO-46, TO-18, TO-5 or TO-8)应用：u 近红外传感/辐射测量u LED/LD 表征u 医疗诊断u 光谱学u 拉曼光谱u 天文/光度测量

可集成到Instrument Systems测量系统中的光电二极管，用于快速测量辐射功率PD 100 光电二极管是一款紧凑型检测器，可以轻松集成到带有Instrument Systems积分球的测量系统中，用于测量光通量或辐射功率，特别适合生产线上的快速测量需求。将Instrument Systems的三开口积分球连接上 CAS 系列光谱仪，即可同时对待测物（DUT）进行光谱测量。通过对比待测设备的光谱与光电二极管的校准曲线，PD 100 能提供更准确的辐射功率或光通量测量值。适用于 450 nm 至 1650 nm 的光谱范围PD 100 光电二极管有两种型号，一种配备硅（Si）探测器，另一种配备铟镓砷（InGaAs）探测器。硅探测器型号的测量范围为450至1100 nm，适用于具有硫酸钡涂层的积分球 (如 ISP 75B 和 ISP 100B).配备InGaAs探测器的型号则专为900至1650 nm的光谱范围测量设计，通常安装在有PTFE涂层的积分球上。在测量波长超过1100 nm的待测物时，PTFE积分球的表现更出色，因为其反射率的波动较小，且一致性更高。PD 100 – 产品特长测量范围广，400-1100 nm（硅）或900-1700 nm（InGaAs）脉冲DUT的测量上升/衰减时间短可结合Instrument Systems的先进三开口积分球可追溯的校准，用于绝对测量和使用.dll或SpecWin Pro（从4.0开始）的LIV测量 高度精确且可追溯的测量结果如同所有Instrument Systems的测量仪器，PD 100光电二极管的灵敏度已校准并可以追溯到PTB或NIST。校准曲线存储在光电二极管内，使用SpecWin Pro软件或PD.dll与光源的光谱对比，可以推算出精确的绝对辐射功率（或光通量）。这个过程实现了高度精确且可追溯的测量结果。PD 100光电二极管在获得ISO 17025认证的Instrument Systems测试实验室中进行校准，并且可以追溯到国家标准（例如PTB或NIST）。每个光电二极管都附带有关光谱灵敏度的个体测试报告。快速测量VCSEL或LED德国IS PD 100 光电二极管 是光谱辐射计（CAS系列）和积分球（ISP系列）测量系统的理想补充检测器。其快速响应时间能够精确测量脉冲光源，例如用于测量VCSEL的LIV曲线。如果使用具有高采样率的快速数字万用表（例如Keithley 7510，1 ms/sec），还可以可视化光学波形。技术数据型号PD100-SB-0001 orPD100-SB-0002PD100-IP-0001 orPD100-IP-0002 *探测器材料Silicon (Si)IndiumGalliumArsenide (InGaAs)光谱范围400 - 1100 nm900 - 1700 nm最高灵敏度的波长960 nm1550 nm上升/下降时间40 µ s (typ.)5 µ s (typ.)典型放大倍数 (ISP 100上)240 V/W (@940nm) or28 V/W (@940nm)2700 V/W (@1380nm) or12.5 V/W (@1380nm)* PD100-IP-0002 without calibration

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。

光电二极管模块 新势力光电供应光电二极管模块，简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器，特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板（集成放大电路）雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10TO8S10k65带电路板（集成放大电路和温度补偿功能）雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板（集成放大电路）位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2QP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+6010PIN-photodiode HV sourceVery small footprint相关商品 雪崩二极管(APD) 位敏探测器(PSD) 四象限探测器(QP) 波长敏感探测器(WS)

光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管－紫外波长Zoom超短波长范围（150至550纳米）快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL＝50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管－可见光波长ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管－近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有最大的有效面积。请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表

光电二极管简介：GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。 特点：低噪音近红外雪崩二极管覆盖波段900-1700nm有效面积20-350um最大带宽2Ghz自由空间和光纤输入 一、 Ge探测器二、 Ge 雪崩探测器 三、 高速InGaAs光电二极管 四、 InGaAs探测器 五、 扩展InGaAs光电二极管 六、 InGaAs雪崩光电二极管 七、 热电冷却的InGaAs光电二极管 八、InGaAs象限光电二极管 九、双波长探测器

InGaAs光电二极管 Fermionics公司于1991年在加利福尼亚成立，它是一家生产InGaAs光电二极管的独立生产商，产品主要是用于光学通信、测试仪器、传感和医学设备应用。高速InGaAs光电二极管（FD50~FD300）描述：1.探测速度非常快、电容低、暗电流低；2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用；3.所有的器件使用平面钝化技术制造；4.光灵敏表面镀有宽带增透膜；5.光灵敏区域直径：50、80、100、150和300微米；6.存储温度：-40~100℃；工作温度：-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管（FD500~FD5000W）描述：1.大面积光电二极管用于红外仪器和探测、中速通信系统；2.在波长范围800到1700纳米响应良好；3.分流电阻对低光信号灵敏度高；4.所有器件使用平面钝化技术制造；5.光灵敏表面镀有宽带增透膜；6.光灵敏区域直径：500、1000、1500、2000、3000和5000微米。杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：网址： /邮箱：

OPTO DIODE 光电二极管SXUV5Opto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界性能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 圆形活动区域&bull TO-5封装&bull 稳定性后，EUV曝光&bull 响应度为1nm的无窗口封装活动面积2.5直径5 mm2分流电阻，Rsh @±10 mV 20 mohm反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 20伏电容，C VR = 0 V 500 1500 pF响应时间，tr RL = 50 Ω， VR = 0 V 1 2使用环境温度-10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度1260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE 光电二极管AXUV100GOpto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 理想的电子检测&bull 检测面积大&bull 保护盖板活动面积10mm × 10mm × 100mm2分流电阻，Rsh VB =±10 mV 20 m -欧姆反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 10伏电容，cvr = 0 V 5 15 nF上升时间VR = 0 V, RL = 50 Ω 10使用环境温度1 -10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE光电二极管SXUV100Opto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 单一活动区域&bull 检测至1nm&bull 暴露于EUV/UV条件后反应稳定&bull 保护盖板2活动面积10mm × 10mm × 100mm2分流电阻，Rsh @±10 mV 10 mohm反向击穿电压，VR IR =µ A 10伏电容，cvr = 0 V 5 15 nF响应时间，tr RL = 50 Ω， VR = 8 V 6µ sec环境温度-10°~ 40°C氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度1260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE 光电二极管AXUV20AOpto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界性能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 圆形活动区域&bull 理想的电子检测&bull 保护盖板活动面积Φ5.5 mm 23mm2分流电阻Vf =±10mv 100mohm反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 10伏电容，C VR = 10v 500 1500pf上升时间VR = 0 V, RL = 50 Ω 2使用环境温度1 -10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

总览Agiltron制造先进的硒化铅（PbSe）探测器，用于室温操作以及增强灵敏度的热电冷却操作。这些设备可以用于集成的光滤波器、预放大器或多路复用放大器。硒化铅PbSe光电二极管 2-5um,硒化铅PbSe光电二极管 2-5um通用参数产品特点：新型自动化学加工（ACP）以较低的成本产生更高的产量在极duan条件下，可靠性高保质期长密封包装各种尺寸都可供选择 PbSe探测器的典型室温电特性。光敏面大小（mm)电阻(MΩ )时间常数(µ sec)D*BB(500K, 1KHz, 1)(cm&bull Hz&half &bull W–1)D*(cm&bull Hz&half &bull W–1)响应度(PK, 1KHz)(V/W)1.0X1.00.2 - 5.053X1082X1097500 机械特性：探测器通常在0.020英寸-0.030英寸厚度的石英衬底上制造。可以与光学冷凝器元件、热电（TE）冷却器和处理电子设备集成，所有这些都装在一个微型包装中。老化特性所有的库存探测器至少要经历四周的老化期。PbSe探测器的光谱响应PbSe的典型室温响应在2 - 5μm的光谱区域工作，时间常数小于5 μsec。TE冷却可在1到5微米区域增加D*。标准PbSe探测器的典型光谱响应如下图所示订购型号信息：环境探测器PBAD-探测器材料类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器环境探测器1=Lead Selenide (PbSe)3=High Performance Lead Selenide (HP-PbSe)00=Flat Plate 01=Packaged0=special 1=TO-185=TO-57=TO-378=TO-89=TO-390=Special 1=1x1mm 2=2x2mm 3=3x3mm 4=4x4mm 5=5x5mm6=6x6mm0=Special 1=Spectral Filter 2=Quartz 3=Sapphire 4=Germanium 5=Silicon0=No1=Yes00=No Themistor TH=Thermistor TC=Thermistor Calibrated 制冷型探测器PBCD-探测器材料T.E.制冷类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器TE制冷型光电探测器1=Lead00=Special0=special0=Special0=Special0=No00=No ThemistorSelenide(PbSe)01=1 stage5=TO-51=1x1mm1=Spectral Filter1=YesTH=Thermistor3=High02=2 stage7=TO-372=2x2mm2=QuartzTC=ThermistorPerformance03=3 stage8=TO-83=3x3mm3=SapphireCalibratedLead Selenide9=TO-394=4x4mm4=Germanium(HP-PbSe)5=5x5mm5=Silicon6=6x6mm

一, 300um 扩展型InGaAs 光电二极管应用领域：光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等产品特点：正照射结构、灵敏度高、响应时间快、TO46 封装300um 扩展型InGaAs 光电探测器,300um 扩展型InGaAs 光电探测器通用参数特性参数典型值光敏面直径Φ 0.3 mm规模单元工作温度-20～ +60 ℃储存温度-55~ +70 ℃波段1.0~2.6 um峰值波长2.2 um峰值量子效率≥70%峰值响应率≥1.2 A/W器件阻抗2×104Ω暗电流5×10-7@-0.01V等效噪声功率4×10-13 W/Hz1/2峰值探测率7×1010 cm.Hz1/2/W封装形式TO-46管壳典型光谱响应曲线：产品结构及尺寸： （单位 mm） 注意事项：（1）产品使用过程中，需要防静电保护，操作人员应戴静电手环。 （2）产品在存贮、运输过程中，应放入防静电的泡沫中，并储存于防静电盒内。（3）针脚插拔不能用力过大，针脚弯折不能沿根部弯折超过 45°，防止弯折造成玻璃珠开裂。（4）产品需在断电后进行插拔操作。二,铟镓砷 InGaAs 扩展型 光电二极管 2.2um GAP3000/2.2总览2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻，并在带宽范围内具有出色的响应度。铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2,铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2技术参数产品特点：有效直径2mm,3 mm可选扩展的截止波长2.2μm高分流电阻封装形式TO-5产品应用：气体检测碳氢化合物传感红外光谱光谱学SWIR光电探测技术参数：电学参数@ 23 º C ± 2 º C参数 GAP2000/2.2 GAP3000/2.2单位有效直径23mm峰值波长（典型） 2.0 ± 0.1 2.0 ± 0.1um截止波长 (50%) 2.2 ± 0.1 2.2 ± 0.1µ m响应度@ λP(min/typ) 0.9/1.0 0.9/1.0 A/W分流电阻 (min/typ) 6k/10k 2k/6kΩ暗电流(max) 40 @ 1 V 100 @ 1 V µ A电容 (typ) @ 0 V 40008000pF带宽 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) 0.795 0.397 MHz上升时间 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) 440881nsNEP @ λPEAK (typ) 128 x 10-14287 x 10-14W/Hz1/2 线性度 (± 0.2 dB @ 0 V)66dBm封装TO-5TO-5最大参数参数 GAP2000/2.2 GAP3000/2.2单位存储温度 -40 to 125 -40 to 125 ℃工作温度 -40 to 85 -40 to 85℃ 反向电压11V反向电流1010mA 正向电流1010mA功耗5050mW 波长响应曲线

铟镓砷（InGaAs）放大型光电探测器PDA20A6B4G-NIRPDA20A6B4G-NIR光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。PDA20A6B4G-NIR光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 工作原理PDA系类主要可以用来测试脉冲光信号或者连续光波信号。内部包括一个反向偏置的光电二极管与固定增益的跨组放大器相匹配。光信号由光电二极管与匹配的固定增益的跨组放大器转换为微弱的电压信号。后级放大将小信号电压放大输出。系统中包含了一个固定调偏的电路，保证在无光的情况下系统输出的偏置电压接近0V。PDA20A6B4G-NIR光电探测器经过调偏电路后，暗偏置电压（在无光的情况下输出的偏置电压）可以控制在±5mV以内。系统内部同样集成了功率驱动电路，用以驱动BNC转接线以及50Ω阻抗适配器，保证宽电压输出的线性度。当输出载荷为高阻态时，线性输出电压可以达到6V。当输出载荷为50欧姆阻抗匹配时，线性输出电压可以达到2.5V。 电气参数光谱灵敏度交流传输特性

产品简介 非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。产品详情注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同硅探测器：0.4-1.7um铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um碲镉汞探测器：4-12um铟砷锑探测器：4-12um型号规格例如：HPPD-A-D-S-02-10-10K该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。产品尺寸（单位：mm）

高速光电探测器 Related Products 特性9种型号涵盖150纳米到2.6微米的波长范围上升时间快达1纳秒超薄机身能在狭窄空间进行测量容易使用、结构紧凑和多功能SM05（0.535英寸-40）和SM1（1.035英寸-40）螺纹是光纤耦合或安装中性密度滤光片的理想选择内部A23偏压电池（附带）Thorlabs提供9种型号的偏压光电探测器，涵盖了紫外到中红外（150纳米到2.6微米）的波长范围，与之前的光电探测器型号相比，它们具有更宽的带宽和更好的NEP（噪声等效功率）性能。其纤薄的外壳能让光学探测器嵌入到狭窄的装置中。每个型号都配备有快速的PIN光电二极管和以坚固铝制外壳包装好的外部偏压电池。通过宽带宽的直流耦合输出，这些探测器是用于监测快速脉冲激光和直流光源的理想选择。每个DET都有T型偏置电路，将高频交流信号和直流信号结合起来，作为单一的输出。侧面板的BNC上提供了直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻可以很容易地将该输出转换为正电压。至于高速信号，Thorlabs推荐使用一个50欧姆负载电阻。对于低带宽的应用，使用本公司的可变端接器可节省很多时间。 所有的连接和控制都已经移到远离光路的位置，这样就简化了我们的探测器在封闭空间内的集成。DET探测器外壳上的SM1、SM05和8-32（M4）螺纹使其可以安装在笼式共轴系统、透镜套管系统，或TR系列接杆上。关于如何将DET系列光电探测器嵌入到光学装置的更多细节请参看安装选项 标签。每个DET都配有安装好的12伏的直流偏压电池。由于电池是一种噪音极低的电源，所以将它作为电压源。当允许信号噪声由于线电压中的噪声产生小幅度增长或不能接受电池的有限寿命时，可以用DET1B电源适配器替换该电池。A23电池是目前DET系列光电探测器的更换电池，而本公司的旧型号中（即 DET1-SI和DET2-SI）则使用T505更换电池。请注意，由于不同制造商生产的电池的正极端子之间可能会存在细微差别，针对DET系列光电探测器，Thorlabs公司只推荐使用Energizer电池。磷化镓探测器&mdash 紫外波长Zoom型号#有效面积波长范围上升（下降）时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET25K4.8 mm2 (2.2 x 2.2 mm)150 - 550 nm1 ns (140 ns)1.6 x 10-1440 nA40 pF*典型值，RL = 50欧姆硅探测器－可见光波长Zoom型号#有效面积波长范围上升时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET10A0.8 mm2 (Ø 1.0 mm)200 - 1100 nm1 ns1.9 x 10-140.3 nA (2 nA Max)6 pFDET36A13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)350 - 1100 nm14 ns1.6 x 10-140.35 nA (6 nA Max)40 pFDET100A75.4 mm2(Ø 9.8 mm)400 - 1100 nm43 ns5.5 x 10-14600 nA Max300 pF *典型值，RL = 50欧姆锗探测器&mdash 近红外光波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRiseTimeNEP(W/Hz1/2)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET50B19.6 mm2 (Ø 5.0 mm)800 - 1800 nm440 ns4 x 10-1280 µ A4000 pF (Max)DET30B7.1 mm2(Ø 3.0 mm)800 - 1800 nm600 ns1.0 x 10-120.8 µ A (1.0 µ A Max)4000 pF (Max)*典型值，RL = 50欧姆铟镓砷探测器－近红外到红外波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRise TimeNEP(W/vHz)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET10C0.8 mm2(Ø 1.0 mm)700 - 1800 nm10 ns1.6 x 10-141 nA (25 nA Max)40 pFDET20C3.1 mm2(Ø 2.0 mm)800 - 1800 nm25 ns0.03 x 10-1255 nA (70 nA Max)100 pFDET10D0.8 mm2(Ø 1.0 mm)1200 - 2600 nm25 ns2 x 10-1215 µ A (75 µ A Max)175 pF*典型值，RL = 50欧姆DET交流电源适配器ZoomDET1B交流电源适配器可替代本公司的DET系列探测器所使用的电池。该适配器套件使DET探测器能与附带的外部交流LDS2电源配合使用。使用时，只需要简单地将电池盖卸下，取出电池，然后装上附带的DET1A，并插上电源即可。我们同时还可以单独出售适配器或电源，可供需要的用户选择购买。用于DET系列的电池ZoomA23电池是现有DET系列光电探测器的更换电池。T505更换电池则用于我们老式、已停产的探测器系列。SBP20更换电池用于SV2-FC、SIR5-FC和SUV7-FC光纤探测器包。 BNC接头Zoom当光电二极管加上反向偏压，例如工作在光导模式下，将会由于光子吸收产生光电流。通常，使用一个50欧姆的电阻来增加带宽。但是，常常需要更简单高效的方法测量信号，当对准光电二极管时可是使用较大的势差。可调接头使得用户可以在光束对准时增大电阻，然后降低电阻以获取最大的带宽。相对于固定接头来说，可调接头有绝对的优势。Thorlabs供应两款接头：VT1可调电阻接头和T4119型50欧姆固定电阻接头。 VT1可调接头提供7个离散电阻供用户设置，用户可以很容易的通过外部的旋转筒进行选择。VT1提供以下7个电阻值：50欧姆，100欧姆，500欧姆，1千欧姆，5千欧姆，10千欧姆和50千欧姆。 T4119是一个50欧姆的转接型接头，应用在DET系列探测器中，可以获得最大的带宽。

尖端光传感器的尖端工具 量子效率与参数分析先进光电探测器APD-QE随着 5G 与移动装置的兴起与普及，越来越多新型光传感器被应用于我们的日常生活中，为了能更好的应用在行动装置上，这些先进光传感器的组件感光面积越做越小。但这些应用却对先进光传感器的光感测性能要求却越来越高，在感光面积微缩的过程中，也带来量子效率精准测量的挑战；例如，传统聚光型小光斑在不同波长下，色散差造成焦点位移可到 mm 等级。难以将所有的光子都聚焦到微米等级的感光面积中。因此，难以准确测得全光谱量子效率曲线。 APD-QE 采用独家光束空间均匀化技术，利用 ASTM 标准的 ”Irradiance Mode” 测试方式，与各种先进探针台形成完整的微米级光传感器全光谱量子效率测试解决方案。APD-QE 已被应用于多种先进光传感器的测试中，例如在 iPhone 光达与其多种光传感器、Apple Watch 血氧光传感器、TFT 影像传感器、有源主动像素传感器(APS)、高灵敏度间接转换 X 射线传感器等。客制化光斑尺寸与光强度光焱科技 APD-QE 光传感器量子效率测试系统在光斑直径 25mm、工作距离 200mm 条件下量测，可以达到光强度与光均匀度如下。在波长 530nm 时，光强度可以达到 82.97uW/(cm2)。在光斑直径25mm、工作距离200mm条件下，APD-QE光传感器量子效率测试系统测得的光强度。WL (nm)半宽高 (nm)光均 U%=(M-m)/(M+m)5mm×5mm3mm×3mm47017.651.6%1.0%53020.131.6%1.2%63019.851.6%0.9%100038.891.2%0.5%140046.051.0%0.5%160037.401.4%0.7%在光斑直径25mm、工作距离200mm条件下，APD-QE光传感器量子效率测试系统测得的光均匀度。光焱科技具备自主光学设计能力。光斑大小与光强度在一定范围内，可以接受客制化，如有需要请与我们联系。Contact Us定光子数控制功能APD-QE光传感器量子效率测试系统具有 “定光子数” 功能 (选配)，使用者可以透过控制各个单色光的光子数，让各波长的光子数都一样，并进行测试。这也是光焱科技APD-QE光传感器量子效率测试系统的独家技术，其他厂家都做不到。客户在不同的constant photon flux条件下，进行的光谱测试结果。使用定光子数控制模式 (CP 控制模式)，光子数变异可以 1%以上图为例，灰色的Normal 线是氙灯光源在各波长下的光强度分布，呈现氙灯的光谱曲线特征。如采用CP控制模式，可控制不同光子数在不同波长下，保持一致的输出特性。以橘色线CP=15000为例，在不同波长下输出的光子数都是15,000 photons/s/um2。样品测试分析范例a-Si photo-FET 样品不同光强条件下，测试出来的不同光谱响应确实会不一样，可参考下面的测试结果。OPV或是钙钛矿PV样品对于OPV或是钙钛矿PV样品，一般模式或是CP控制模式的测试结果没有差异，可参考下面的测试结果。系统架构系统规格主要系统：● 量子效率测试系统– 300nm ~ 1100nm – 可扩展到 2500nm● 测量软件– PDSW 软件– 可选配 FETOS 软件（ 3T 或 4T 组件）● （选配）探针台系统– 4” 标准探针台 (MPS-4-S)● 可客制化探针台系统整合与屏蔽暗箱均光系统与探针台整合高均匀度光斑　　采用独家专利傅立叶光学组件均光系统，可将单色光光强度空间分布均匀化。在 10mm x 10mm 面积以 5 x 5 测量光强度分布，不均匀度在 470nm、530nm、630nm、850nm 均可小于 1%。而在 20mm x 20mm 面积以 10 x 10 矩阵测量光强度分布，不均匀度可以小于 4%。PDSW 软件　　PDSW 软件采用全新 SW-XQE 软件平台，可进行多种自动化测量，包含 EQE、SR、I-V、NEP、D*、频率噪声电流图（A/Hz1/2）、噪声分析等。▌EQE 测试　　EQE 测试功能，可以进行不同单色光波长测试，并且可自动测试全光谱 EQE。▌I-V 测试　　软件可支持多种 SMU 控制，自动进行照光 I-V 测试以及暗态 I-V 测试，并支持多图显示。▌D* 与 NEP　　相较于其它 QE 系统，APD-QE 可以直接测量并得到 D* 与 NEP。▌频率-噪声电流曲线▌可升级软件　　升级 FETOS 软件操作画面（选配），可测试 3 端与 4 端的 Photo-FET 组件。内部整合探针台　　APD-QE 系统由于其出色的光学系统设计，可以组合多种探针台。全波长光谱仪的所有光学组件都集成在精巧的系统中。单色光从光谱仪引导到探针台屏蔽盒。图片显示了 MPS-4-S 基本探针台组件，带有 4 英寸真空吸盘和 4 个带有低噪声三轴电缆的探针微定位器。　　集成探针台显微镜，手动滑块切换到被测设备的位置。使用滑动条后，单色光均质器被 “固定” 在设计位置。 显微图像可以显示在屏幕上，方便用户进行良好的接触。可客制化整合多种探针台与屏蔽暗箱A. 客制化隔离屏蔽箱。B. 因为先进的 PD 讲究响应速度快，所以有效面积就要小（降低电容效应），因此，多会有需要整合探针台的需求。C. 可整合不同的半导体分析仪如 4200 或 E1500。应用范围LiDAR 中的光传感器– InGaAs 光电二极管 / SPAD苹果手表的光传感器用于高增益传感和成像的光电二极管门控晶体管高光电导增益和填充因子光传感器高灵敏度间接转换 X 射线探测器表征硅光子学– InGaAs APD应用 1：iPhone 12 的 LiDAR 和其他传感器中光电二极管的外部量子效率应用 2 : APPLE Watch 6 血氧传感器中光电二极管的外量子效率　　全新 Apple Watch Series 6 配备血氧传感器和配套应用程序，为您提供更多监测心脏和呼吸系统健康的方式，内置于 Apple Watch 的背面。 它使用四组红、绿、红外 LED 灯和四个光电二极管，这些器件可以将光转换为电流。 光照射到手腕上的血管，光电二极管测量反射回来的光量。 基本上，含氧和脱氧的血液以不同的方式吸收红光和红外光，因此 Apple Watch 可以通过反射光来确定血液的颜色。 　　采用 APD-QE 系统对血氧传感器中的光电二极管进行研究和分析，包括可见光和红外波长范围。　　APD-QE 可以提供这些光电二极管的信息:外部量子效率 EQE（300nm～1700nm）光谱响应 SR (A/W)NEP 和 D*频率-噪声曲线（A/Hz1/2）噪音类型　　如果您想了解更多关于移动设备中血氧传感器的光学传感器/光电二极管测试的详细信息，请立即联系 Enlitech。应用 3: 用于高增益传感和成像的光电二极管门控晶体管　　在光学传感和成像应用中，为了提高灵敏度和 SNR，APS (active pixel sensor) 包括一个光电探测器或一个光电二极管和几个晶体管，形成一个多组件电路。其中一个重要的单元：像素内放大器，也称为源追随者是必须使用。 APS 自诞生之日起，就从三管电路演变为五管电路，以解决晕染、复位噪声等问题。除了 APS，雪崩光电二极管 （ APD ）及其相关产品：硅光电倍增器（SiPM）也可以获得高灵敏度。然而，由于必须采用高电场来启动光电倍增和碰撞电离，因此在这些设备中高场引起的散粒噪声很严重。 　 最近，提出了亚阈值操作光电二极管（PD）门控晶体管的器件概念。它无需高场或多晶体管电路即可实现高增益。增益源自光诱导的栅极调制效应，为了实现这一点，必须进行亚阈值操作。它还以紧凑的单晶体管（ 1-T ） APS 格式将 PD 与晶体管垂直集成，从而实现高空间分辨率。这种器件概念已在各种材料系统中实施，使其成为高增益光学传感器的可行替代技术。　　APD-QE 系统致力于研究和分析光电二极管门控非晶硅薄膜晶体管：不同光强下的光转移曲线特性。光强度函数的阈值电压变化（ΔVth）。有/无曝光的晶体管输出特性。量子效率与光敏增益光谱。(a) a-Si:H 光电二极管门控 LTPS TFT 结构示意图；(b) 等效电路图，显示具有高 SNR 的 APS(a) 像素的显微照片； (b) 部分阵列的显微照片； (c) 图像传感器芯片的照片如果您想测试 TFT 型图像传感器或了解更多测试细节，请立即联系 Enlitech。Contact Us3-D 双栅光敏 a-Si:H TFT 的光传输特性在各种光子通量下，作为波长函数的光敏 TFT 增益。曝光和没有曝光的 TFT 输出特性。推荐的系统组合APD-QE 系统QE波长范围 300nm ~ 1100nm恒光子 / 恒能光控模块高度均匀的光束均化器Keysight B2912 半导体分析仪 x 2探针台: MPS-4-S 探针台系统与暗屏蔽盒软件升级: FETOS-SW应用 4: 高光电导增益和填充因子光学有源像素传感器　　可应用于”间接转换 X 射线成像”、 “光学指纹成像”和”生物医学荧光成像”的光学有源像素传感器。应用 5: 高灵敏度间接转换 X 射线探测器表征高灵敏度间接转换 X 射线探测器。高分辨率背照式 (BSI) 型 X 射线探测器面板。　　高灵敏度大面积 X 射线探测器是低剂量医学诊断 X 射线成像的关键，例如数字射线照相、透视和乳房 X 线照相术。 X射线的探测方式一般有直接转换和间接转换两种。在直接转换模式中，光电导体（例如，非晶硒）用于将 X 射线光子直接转换为电荷。在间接转换模式中，这些电荷由非晶硅薄膜晶体管 (TFT) 进一步读出。X 射线光子首先通过闪烁体如碘化铯 (CsI:Tl)、锗酸铋晶体 (Bi4Ge3O12) 或 Gd2O2S:Tb 荧光粉，然后，通常由非晶硅光电二极管和开关 TFT 形成的光学成像传感器检测。在任一模式下，为了实现高灵敏度，必须从材料 / 设备级别或像素电路级别进行信号放大。例如，最近研究了高度敏感的直接 X 射线光电导体，例如钙钛矿，因为与市售的直接转换 a-Se 光电导体相比，它利用光子的效率高，从而导致高量子产率。然而，钙钛矿具有高漏电流并且也遇到稳定性 / 可靠性问题。在 X 射线成像应用中，可靠性和稳定性至关重要，因为每年必须进行数千次扫描。在高灵敏度的间接转换 X 射线探测器的情况下，由于许多闪烁体的量子产率已达到其极限，然而，由于 TFT 电路和光电二极管之间的占用面积竞争，空间分辨率和填充因子通常会受到影响，因此其灵敏度和高空间分辨率需要权衡。因此，拥有同时获得高灵敏度和高空间分辨率的检测器或像素架构是具有挑战性的。 APD-QE 系统用于高灵敏间接侦测型的X射线探测器的开发：不同光强下的光转移曲线特性。有/无曝光的晶体管输出特性。量子效率与光敏增益光谱。不同 VTG（-12 V、-18 V、-24 V）阈值电压变化的光强依赖性。橙色线是实测的 CsI:Tl 的 X 射线激发光致发光发射光谱，蓝色线是光敏双栅 TFT 的光增益 (Gph)，紫色线是经典pin光电二极管的外部量子效率 (EQE) 曲线 。推荐的系统组合APD-QE 系统QE波长范围 300nm ~ 1100nm恒光子 / 恒能光控模块高度均匀的光束均化器Keysight B2912 半导体分析仪 x 2探针台: MPS-4-S 探针台系统与暗屏蔽盒软件升级: FETOS-SW如果您想测试间接转换 X 射线探测器或了解有关测试的更多详细信息，请立即联系 Enlitech。Contact Us应用 6: 高光电导增益和填充因子有源像素传感器（APS）有源像素传感器（APS）　　垂直堆栈了一个 a-Si:H p-i-n 光电二极管和一个低温多晶硅（LTPS）读出 TFT 通过使用 p-i-n 光电二极管门控 TFT 架构并在亚阈值范围内操作 TFT，所提出的 APS 器件提供高填充因子和高内部光电导增益。垂直积分导致像素中的高填充因子（ 70% ）和扩大的感光区域。 在传感器的光电二极管门控 TFT 结构中，通过在亚阈值状态下操作 TFT 来放大输出电流。 在可见光波长处获得了弱波长相关的光导增益 10，从而实现大面积低强度光检测。 　　大面积光学成像和传感设备可以在间接转换 X 射线成像 光学指纹成像和生物医学荧光成像的许多应用中找到。而高增益与高填充因子的 APS 深具商业应用的潜力。APD-QE 系统有源像素传感器（ APS ）：不同光强下的光转移曲线特性。有/无曝光的晶体管输出特性。量子效率与光敏增益光谱。(a) SNR = AS/(N+n) 的混合有源像素传感器和 (b) SNR = S/(N + n) 的传统无源像素传感器的等效像素电路； A是放大系数，N是像素噪声，n是数据线噪声。高光电导增益和填充因子光学传感器混合传感器的光子传输特性。在 VBG = &minus 6.3V 下测得的光电导增益和外部量子效率作为各种光子通量的波长函数。采用 APD-QE 系统测量有源像素传感器的外量子效率。推荐的系统组合APD-QE 系统QE波长范围 300nm ~ 1100nm恒光子 / 恒能光控模块高度均匀的光束均化器Keysight B2912 半导体分析仪 x 2探针台: MPS-4-S 探针台系统与暗屏蔽盒软件升级: FETOS-SW

量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司，一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产，为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge，p-n，APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器。 GPD维护符合MIL-I-45208的检查系统。 光电二极管要符合Telcordia的测试要求（TA-NWT-00093），MIL-STD-883测试方法和/或客户要求。 主要产品包括：温馨提示：点击产品名称，自动跳转到详情页。更多信息可联系我们。低偏振相关损耗铟镓砷探测器Low Polarization Dependent Loss (PDL) InGaAs Photodiodes线性阵列式探测器 Linear Arrays铟镓砷象限探测器 InGaAs Quadrant Photodiodes含制冷铟镓砷光电探测器铟镓砷光电探测器 InGaAs Avalanche Photodiodes1.9-2.6μm铟镓砷探测器Extended InGaAs Photodiodes大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs Photodiodes高速铟镓砷探测器High Speed InGaAs Photodiodes锗雪崩探测器Ge Avalanche Photodiodes锗探测器Ge Photodiodes

积分球光电二极管功率探头S140C光学测量仪测量不受光束形状和入射角影响积分球作为漫射体，功率损耗极小?5 mm，?7 mm或?12 mm输入孔径包含可拆卸的S120-FC光纤转接件(FC/PC和FC/APC)提供用于接头光纤和裸纤的光纤转接件这些积分球光电二极管功率探头测量功率时不受光束均匀性、发散角、光束形状或入射角的影响，所以非常适合测量光纤光源与离轴自由空间光源。我们的积分球光电二极管功率探头的波长范围从可见光到近红外。波长范围从350 nm到2500 nm的探头使用基于Zenith® PTFE的?1英寸或?2英寸单球体，黑色外壳能将入射孔径周围的反射光降到最少。这些探头使用硅光电二极管探测350到1100 nm波段，或者使用铟镓砷光电二极管探测800到1700 nm、900-1650 nm或1200-2500 nm波段。S180C积分球用于2.9到5.5 μm波段，使用两个相连的镀金?20 mm球体，入射端口位于位置1的球，MCT(碲镉汞)探测端口位于第二个球。与单球设计相比，双球配置减小了内部球体表面积，同时有效防止直接照射探测器，所以能够改善器件灵敏度。这种设计无需挡片或其它阻挡机制就能有效挡住光电二极管，所以测量结果受入射角、发散角和光束形状的影响更小。下面的积分球具有?5 mm、?7 mm或?12 mm大孔径、SM1(1.035"-40)外螺纹前端连接、强化的电磁干扰屏蔽和超温报警传感器。这些探头的有效探测面积大，使用附带的S120-FC光纤转接件可以连接FC/PC或FC/APC接头光纤。这个SM1外螺纹转接件可以用1号螺丝刀拆除，从而使组件更靠近窗口。可追溯至NIST的数据存储在探头的接头中。每个探头发货时带有可追溯NIST或PTB校准数据。包含的数据与用于测试单个探头的光电二极管校准证书匹配。可追溯的NIST或PTB数据存储在探头接头中。Thorlabs为这些光电二极管功率探头提供重新校准服务，请在下方订购(型号CAL-PD，用于硅探头；型号CAL-IRPD，用于InGaAs探头；型号CAL-MIRPD，用于延伸的InGaAs或MCT探头)。

OPHIR光电二极管功率计探头光电二极管功率计探头/Laser photodiode sensors 应用于低功率激光的测量。光电二极管功率计探头具备200nm至1800nm的光谱范围；自动背景削除功能，使测量不受室内灯光的影响；内置波长校准功能，使测量更准确。测量功率范围：10pW-3W.灵敏度：10pW-3W光谱响应范围：200-1800nm1)方形光电二极管探头（标准）产品型号产品特点探头口径波长范围功率范围PD300自动背景光扣除10×10mm350-1100nm500pW-300mWPD300-1W自动背景光扣除10×10mm350-1100nm500pW-1WPD300-3W光电二极管高功率探头10×10mm350-1100nm5nW-3WPD300-TP4mm厚探头10×10mm350-1100nm50pW-1WPD300-UV宽波长范围且噪声低10×10mm200-1100nm20pW-300mW2)圆形光电二极管探头产品型号产品特点探头口径波长范围功率范围PD300R自动背景光扣除，圆形探测口径Φ10mm350-1100nm500pW-300mWPD300R-3W光电二极管高功率探头，圆形探测口径Φ10mm350-1100nm5nW-3WPD300R-IR红外Φ5mm700-1800nm50nW-300mWPD300R-IRG红外，低噪声Φ5mm800-1700nm10pW-150mWPD300R-UV宽波长范围且噪声低，圆形探测口径Φ10mm200-1100nm20pW-300mW3）特殊的光电二极管探头和积分球产品型号产品特点探头口径波长范围功率范围PD300-BB430-1100nm内光谱谱线平10×10mm430-1100nm50pW-4mWPD300-BB-50mw430-1100nm内光谱谱线平10×10mm430-1100nm50pW-50mWPD300-CIE模拟人眼响应曲线，单位Lux2.4×2.8mm400-700nm20m lux-200k luxBC20用于扫描光束，速度可达30000inch/s10×10mm633,650,675mm50uW-20mW3A-IS3W积分球探头，用于发散激光Φ12mm420-1100nm1uW-3W3A-IS-IRG红外3W积分球探头，用于发散激光Φ12mm800-1700nm1uW-3W

带干涉滤光片，适合单色光（254nm）探测的硅光电二极管S12742-254的窗口使用干涉滤光片，只对单色光灵敏。其光谱响应宽度极窄，只有10nm（FWHM），可以屏蔽杂散光，精确地进行光度计测。其典型峰值波长为254nm，也可以接受客户定制，改变其峰值波长，比如340nm、560nm、650nm等。产品特性-带干涉滤光片的硅光电二极管-单色光（254nm）探测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围252 to 256 nm光敏度 (典型值)0.018 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)254 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

应用：监测调Q激光器的输出监测锁模激光器的输出 监测外调制连续激光器的输出时域和频率响应测试特色：内置或外接电源可选光学光纤输入可选 EOT 12.5GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时，可以测量激光器的频率响应。EOT 12.5GHz放大光电探测器采用内置偏压电源，锂电池寿命很长。通过一根同轴电缆连接光电探测器的SMA输出口，并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪，就足以运行。放大光电探测器 ET-3500/F光学测量仪

应用：可监测高重复率的外调制连续激光器可监测1mw的激光功率特点：内置互阻放大器光纤输入可选 EOT 10GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。固定增益的互阻放大器可以测量1mw的功率输入。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时，可以测量激光器的频率响应。EOT 10GHz放大光电探测器采用外接电源。通过一根同轴电缆连接光电探测器的BNC输出口，并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪，就足以运行。放大光电探测器 ET-3500A/AF光学测量仪

一,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）技术参数产品特点● 小光敏面大光敏面可选 (100µ m to 25mm)● 800nm to 1800nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)引脚定义产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器产品规格探测材料Ge响应波长800 - 1800 nm峰值波长1550 nm (Typ.)响应度0.85 A/W (Typ.)光敏面直径78.5 mm2 (Ø 10mm)上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)500 ns / 500 ns (Typ.)NEP, Typical (1550 nm)4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)暗电流 (5 V)60 µ A (Max.)电容(10 V) 电容(0 V)1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)分流电阻4000 Ohm (Typ.)封装形式TO-9最大额定值最大击穿打压10 V操作温度-55 to 60 °C存储温度-55 to 60 °C备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明 2、NEP指Ding在光伏模式下光谱响应曲线：二,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长产品特点● 10mm超大光敏面● 900nm to 1700nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● —正照平面型芯片结构 ● 光敏面积大、低暗电流产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器通用参数技术参数特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—900～1700nm光敏面直径φ—10mm响应度 ReVR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw0.85——A/WVR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw0.95——响应时间tSVR=5V,RL=50Ω,f=2KHz—820μs总电容CVR=5V,f=1KHz—310nF暗电流IDVR=5V,φe=0—25100nA分流阻抗RshVR=10mV10——MΩ光谱响应曲线封装及尺寸极限值参数名称符号额定值单位工作温度TC-40～+85℃贮存温度TSTG-55～+125℃正向电流IF10mA反向电流IR5mA焊接温度（时间）St260℃（10s）-

仪器简介：S1024DW大阱深探测器光谱仪采用1024像元光电二极管阵列探测器，用于需要高信噪比的测量。通过S1024DW可以观察到小于0.00001个吸光度单位的变化，适合高亮度的应用。技术参数：S1024DW系列探测器选项 特性 S1024DW S1024DWX 探测器：Hamamatsu S3903 线阵二极管 Hamamatsu S3904线阵二极管 像元： 1024像元 1024像元 像元尺寸：25 µ m x 500 µ m 25 µ m x 2500 µ m 阱深： 31,000,000 electrons 156,000,000 electrons 信噪比（全扫描） 2500：1 8000：1 A/D精度: 12 bit 16 bit 暗噪声： 2 RMS 2 RMS 校正后线性度： 99% 99% S1024DW系列探测器附件 型号描述 L2探测器聚光镜:附着在探测器上的圆柱状透镜，用于增加光的采集效率。 OFLV-DW:可变长通滤光片，在200-850 nm系统中消除高阶效应。 OFLV-350-DW:可变长通滤光片，在350-1000 nm系统中消除高阶效应。 规格 尺寸：153.4 mm x 105.2 mm x 65.6 mm （采用 ADC1000-USB A/D转换器） 消除高次衍射滤光片： 带通和长通滤光片 焦距：42 mm （入射） 68 mm （出射） 功耗：180 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX主通道） 140 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX辅助通道） 光学分辨率: ~0.3-10.0 nm FWHM （取决于光栅和入射狭缝） 探测器：线性二极管阵列 杂散光: 600 nm时 0.05%； 435 nm时 0.10% 探测器范围：200-1100 nm 相对灵敏度：和USB4000的CCD探测器相比，S1024DW 在紫外段约为1/30，可见段约为1/80 光栅：14种光栅 UV到NIR 入射孔径：5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤（无狭缝） 光纤连接：SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间：31ms到65s o-element-wrap: around mso-element-anchor-vertical: paragraph mso-element-anchor-horizontal: margin mso-element-top: 2.85pt mso-height-rule: exactly" 焦距：42 mm （入射） 68 mm （出射） 功耗：180 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX主通道） 140 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX辅助通道） 光学分辨率：~0.3-10.0 nm FWHM （取决于光栅和入射狭缝） 探测器：线性二极管阵列 杂散光: 600 nm时 0.05%； 435 nm时 0.10% 探测器范围：200-1100 nm 相对灵敏度：和USB4000的CCD探测器相比，S1024DW 在紫外段约为1/30，可见段约为1/80 光栅： 14种光栅 UV到NIR 入射孔径：5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤（无狭缝） 光纤连接：SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间：31ms到65s o-element-wrap: around mso-element-anchor-vertical: paragraph mso-element-anchor-horizontal: margin mso-element-top: 2.85pt mso-height-rule: exactly" 焦距：42 mm （入射） 68 mm （出射） 功耗：180 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX主通道） 140 mA @ 5 VDC （S1024DW & DWX辅助通道） 光学分辨率：~0.3-10.0 nm FWHM （取决于光栅和入射狭缝） 探测器：线性二极管阵列 杂散光：600 nm时 0.05%； 435 nm时 0.10% 探测器范围：200-1100 nm 相对灵敏度：和USB4000的CCD探测器相比，S1024DW 在紫外段约为1/30，可见段约为1/80 光栅： 14种光栅 UV到NIR 入射孔径：5, 10, 25, 50, 100 or 200 µ m宽狭缝或光纤（无狭缝） 光纤连接：SMA905连接到0.22孔径单芯光纤 积分时间：31ms到65s主要特点：灵敏度高达0.00001个吸光度单位 S1024DW大阱深探测器光谱仪采用1024像元光电二极管阵列探测器，用于需要高信噪比的测量。通过S1024DW可以观察到小于0.00001个吸光度单位的变化，适合高亮度的应用。 &ldquo X"选项：超大阱深探测器 S1024DW是标准阱深光谱仪，其二极管阵列探测器的信噪比为2500：1。S1024DWX具有更大的阱深，信噪比为8000：1。 理想的高光强应用光学平台 S1024DW应用&ldquo USB"（也称作&ldquo S"）系列光谱平台，可以根据具体不同的应用来配置光学平台。具体选项有入射孔径、探测器附件、滤光片及光栅等等。S1024DW光学平台的操作和USB4000光学平台很相似。S1024DW光学平台通过光纤采集光信号并色散到1024个高灵敏度光电二极管组成的阵列上，而在USB4000中采用的是3648像元的CCD阵列。 可集成的系统，适合多点采样 在S1024DW光谱仪的主通道上可以附加多至7个辅助通道用以多点采样，可以用来扩展探测的波长范围或监视参考光谱。所有通道都通过一个ADC1000-USB A/D转换器进行数据采集，每个通道轮流工作，总共8个光谱仪通道的数据同时采集。ADC1000-USB转换器通过USB接口连接S1024DW到PC。可以分开购买S1024DW和ADC1000-USB，或同时作为一个整体（S1024DW-USB）购买。

一, 带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4BWL-IPD4B是一款高度集成的矩形波串积分器，最多可直接连接4个光电二极管。触发脉冲后，所有4个输入同时积分，时间可调，介于6µ s和1秒之间（boxcar积分器）。测量采用集成20位模数转换器进行数字化，具有超低噪声和卓越的动态范围。集成结果通过USB链路传输到计算机（或者：3.3V UART、SPI、I2C）。在触发模式下，IPD4B光电二极管可以连续采集4个信号测量值，并以高达1.2 kHz的触发速率通过USB链路传输。这允许在具有1kHz重复率的系统中进行逐步测量。内部触发还允许矩形波串积分测量，控制时间为500 µ s至1s，例如用于监控。除了4个模拟输入，还同时捕获和报告一个外部数字输入。这允许“标记”某些测量或同步多个积分器。通用串行总线接口为虚拟串行端口(VCP)，以便直接轻松地集成到实验室控制软件(如LabView)中。通信使用基于文本的协议。带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4B,带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4B技术参数特征最多可同时集成4个输入高达1.2kHz的转换速率控制时间6µ s到1秒，内置定时器无间隙连续集成，控制时间为500 s至1 s触发测量包括信号和背景采集20位分辨率超低噪声:低于散粒噪声，适用于许多应用极限动态范围:高达1: 250000高精度、低漂移可调全格感测范围50 pC至350 pC易于使用的接口(USB、UART)外部触发上升沿或下降沿，TTL或LVDS辅助ADC、DAC和GPIO引脚小尺寸:60 x 40 x 22 mm3价格实惠应用高达1kHz的激光脉冲监测和信号测量系统2或4段光电二极管逐级脉冲噪声测量连续无隙信号监控可与硅探测器、InGaAs探测器、GaAs探测器使用 结构 本数据表中提供的信息是准确可靠的。但是，Wieserlabs GmbH对其可能导致的任何侵犯第三方Zhuan利或其他权利的行为不承担任何责任。价格和规格如有变更，恕不另行通知。商标和注册商标属于各自所有者的财产。 照片IPD4B的照片。可以安装不同的光电二极管；图片中的只是例子。 水平分接板:这种变体允许通过分接板轻松连接多达4个光电二极管。请注意，如果直接连接二极管，噪声性能最佳；电缆越长，噪音越大。垂直安装: . 索雷博SM1安装 :基本连接，快速启动需要USB为设备供电、配置和传输测量结果。提供的4引脚导线允许连接外部触发器和监控集成门。4线电缆具有以下引脚(照片中从下到上):1–门控监视器输出(3.3V)(照片中为黑色)2–接地3–触发输入(3.3V)(照片中为白色)4–接地另请参见关于电气接口的章节。电气规格 参数条件最小值典型值最大值单位电源电压456V电源电流正常工作(kHz)90150mATTL/COMS触发输入逻辑电平3.35V监控器输出逻辑电平3.3VSPI和GPIO逻辑高电平3.3V模拟输入满量程容量默认范围(范围设置7)350pC 最小范围(范围设置1)50pC内在触发延迟无附加延迟设置(默认)100360ns增加触发延迟通过延迟设置，分辨率为1 s0100s通道间串扰范围7，连接4个光电二极管，通过一个通道上的5µ s的 LED脉冲进行刺激，信号高度500 000计数，积分时间25µ s，导线延迟2 µ s，所有其他通道上无信号7 1410 20计数ppm先前脉冲记忆效应参数同上，硅光电二极管3×3mm，刺激信号500 000计数，随后是3个暗结果，用于测量记忆效应(结果小于信号噪声)15计数 噪声性能所有测量均采用USB供电操作，内部触发模式，无光电二极管连接。满量程（即满量程的10-6）的噪声值（ppm）。 触发速率选通时间50µ s选通时间500µ s 单位范围7范围1范围7范围11000Hz13.015.0ppm FS500Hz4.67.018.020.5ppm FS200Hz3.46.03.49.6ppm FS125Hz3.56.03.69.5ppm FS83Hz3.55.83.79.3ppm FS20Hz10.211.23.79.2ppm FS 机械规格 基板尺寸54 x 40mm2带水平接线板的设备重量(约) 48g仅基板重量TBDg 推荐的光电二极管WL-IPD4B可与任何硅、InGaAs或类似光电二极管配合使用。唯一的要求是，它需要在光伏模式下产生光电流，所有常规光电二极管也是如此。因此，它不适用于CdTe探测器或PMT管。 以下是IPD4B优选的标准和经验证的光电二极管列表。 类型制造商有效面积大小mm波长范围nm备注(PD=光电二极管)S2386-44KHamamatsu3.6 x 3.6320 – 1100通用硅光电二极管S1336-5BQHamamatsu2.4 x 2.4190 – 1100紫外延展S1336-44BQHamamatsu3.6 x 3.6190 – 1100紫外延展S1336-8BKHamamatsu5.8 x 5.8320 – 1100大面积S1336-8BQHamamatsu5.8 x 5.8190 – 1100大面积和紫外延展G10899-02KHamamatsu2.0500 – 1700InGaAs 光电二极管(也有1mm和3mm)G12183-010KHamamatsu1.0900 – 2600特殊的InGaAs光电二极管，高达2.6 µ m ($$$)