刻蚀机

1. 产品概述NMC 508系列 ICP刻蚀机，等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率。2. 设备用途/原理NMC 508系列 ICP刻蚀机，等离子体源设计，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率。应用域广泛，支持 Si Power、SiC Power 、GaN Power、MEMS，工艺种类多样，包括 Poly 刻蚀、金属刻蚀、深硅刻蚀，灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用，突出的量产稳定性，更高的 MTBC。3. 设备特点晶圆尺寸 6/8 英寸兼容，适用材料 硅、氮化镓、铝镓铟磷、氧化硅 \ 氧化钛、氮化硅、氮化钛、氧化铟锡、钨化钛、铝、钼、钨、有机物、光刻胶等。适用工艺 硅刻蚀、多晶硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、深硅刻蚀、氮化镓低损伤刻蚀、金属刻蚀等工艺。适用域 科研、集成电路、化合物半导体、新兴应用。

1. 产品概述NMC 508系列 ICP刻蚀机是电感耦合高密度等离子体（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蚀机，具有高精度、高选择性和高效率等特点。该设备广泛应用于半导体制造、微电子制造、光电子制造等领域，特别是在集成电路、微机电系统（MEMS）、光电子器件等制造过程中发挥着重要作用。2. 设备用途/原理NMC 508系列 ICP刻蚀机的工作原理主要是通过等离子体刻蚀和反应离子刻蚀两种技术实现。在高频电场和磁场的作用下，反应腔中产生等离子体，这些等离子体与反应气体反应，产生刻蚀反应。高频电场和磁场能够控制等离子体的分布和运动，从而实现对面片的精确刻蚀。3. 设备特点高精度刻蚀：NMC 508系列 ICP刻蚀机能够刻蚀出非常精细的图案，满足半导体制造对精度的要求。通过高频电场和磁场的作用，精确控制等离子体的分布和运动，实现对面片的精确刻蚀。多腔室集群设计：该设备为多腔室集群设备（Cluster Tool），具备全自动、能够进行串行或并行工艺处理的能力。系统由传输模块、金属刻蚀工艺模块、去胶模块、冷却模块、电源柜和控制柜等组成，各模块协同工作，确保工艺的高效性和稳定性。优良的颗粒控制能力：通过腔室结构和温度控制设计，提供优良的颗粒控制能力，维护便利。这有助于提升设备的稳定性、重复性和生产工艺水平，确保产品质量的一致性。广泛的应用领域：主要用于200mm硅片的金属铝和钨的刻蚀工艺，适用于0.35-0.11μm集成电路等应用场景。在Logic、BCD、Power（Si/SiC/GaN）、MEMS等多种特色工艺中均有应用。高效生产：北方华创的NMC 508系列 ICP刻蚀机已经实现量产，并在多家客户中完成验证。设备的高效生产能力有助于缩短生产周期，提高生产效率。

总部位于德国柏林科技园区的SENTECH仪器公司，已成为光伏生产设备世界市场之 一.我们是一家快速发展的中型公司，拥有60多名员工，他们是我们有价值的资产我们団 队的每个成员都为公司的成功做出贡献，我们总是在寻找与我们志同道合的新工作伙伴，我 们诚挚期待您的加入。 等离子刻蚀设备ICP-RIE等离子刻蚀机SI500产品介绍高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子； 能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻: 蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度: 范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子；刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可: 采用低温工艺和室温下的气体切换工艺: 来实现。 特点*低损伤刻蚀 ?高速刻蚀*自主研发的ICP等离子源*动态温度控制 RIE等离子刻蚀机Etchlab 200产品介绍：经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片 器，实现多片工艺样品的快速装载，也可 以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点. 特点*低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件RIE等离子刻蚀机SI 591产品介绍SI 591特别适用于采用氟基和氣基 :气体的工艺，可以通过预真空室和电 :脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。特点工艺灵活性*占地面积小且模块化程度高*SENTECH控制软件

1. 产品概述GSE C200 多功能刻蚀机等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性.GSE C200采用高密度等离子体源，刻蚀速率高、均匀性好、颗粒控制能力强、易维护、性能稳定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、金属、有机物等多种材料的刻蚀上性能优良。本刻蚀机已进入多家IC Fab主流产线以及化合物等新兴应用量产产线，具有快速导产能力，同时针对大学、科研院所提供高性价比配置。2. 设备用途/原理GSE C200 多功能刻蚀机，等离子体源设计，保证良好的刻蚀均匀性。适用于滤波、光电、功率等多个应用领域的多种材料刻蚀与失效分析。刻蚀材料种类覆盖硅、氮化硅、氧化硅、锑化镓、聚酰亚胺、铌、金属、有机物等。提供研发所需的丰富的工艺数据库支持。3. 设备特点晶圆尺寸 8 英寸及以下，适用材料 硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、金属、有机物等，适用工艺多种材料刻蚀工艺，适用领域科研。

1. 产品概述ELEDE® 380系列 芯片刻蚀机，先进的等离子体发生装置，适用多种材料刻蚀，工艺窗口宽。2. 设备用途/原理先进的等离子体发生装置，适用多种材料刻蚀，工艺窗口宽。多片式托盘，实现高产能，同时确保优异的刻蚀均匀性。全路径全真空，全自动晶圆传输，颗粒控制优。工艺套件设计，更长的耗材寿命。3. 设备特点晶圆尺寸4、6 英寸及特殊尺寸。适用材料 蓝宝石、氮化镓、氧化硅 / 氧化钛、砷化镓、磷化镓、铝镓铟磷、氧化硅、氮化硅、钛钨、有机物。适用工艺 PSS 刻蚀、电刻蚀、深槽隔离刻蚀、介质反射层（DBR）刻蚀、红黄光刻蚀、钝化层刻蚀、金属阻挡层刻蚀。适用域化合物半导体。

1 产品概述: 离子束刻蚀设备是一种高精度的材料加工设备，它利用经过电场加速的高能离子束对样品表面进行物理轰击，从而实现材料的精细刻蚀。这种设备广泛应用于物理学、工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术等多个领域，成为现代微纳米加工技术中的重要工具。2 设备用途：材料加工：离子束刻蚀设备可以对多种材料进行精细加工，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。通过控制离子束的能量、束流密度和刻蚀时间等参数，可以精确控制刻蚀深度和形貌，实现微米甚至纳米量级的加工精度。微结构制作：该设备具有制作微结构图形的能力，如光栅、微透镜阵列等。在光学、电子学等领域中，这些微结构对于提高器件性能具有关键作用。样品表面处理：离子束刻蚀还可以用于清洗材料表面有机物、氧化物等污染物，提升材料表面的亲水性、粘接力和附着力。这对于提高样品的质量和分析精度具有重要意义。3 设备特点 高精度：离子束刻蚀设备能够实现高精度的材料加工和微结构制作。通过精确控制离子束的参数，可以实现微米甚至纳米量级的加工精度。 多材料适应性：该设备可以处理多种材料，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。这种广泛的材料适应性使得离子束刻蚀设备在多个领域中得到广泛应用。 高灵活性：离子束刻蚀设备通常配备有先进的控制系统和样品台，可以实现多种加工模式和工艺参数的灵活调整。这为用户提供了更多的选择和便利。 高稳定性：设备在长时间运行过程中能够保持较高的稳定性和可靠性。这有助于确保加工质量和生产效率的稳定。 4 技术参数和特点：离子枪ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体 N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压100 ~ 3000 V 连续可变离子流密度Ar: 1.5 mA/cm2 以上 (2kV加速时）O2: 2.0 mA/cm2 以上 (2kV加速时）离子束有效直径Φ 20 mm (FWHM 35 mm)离子流稳定性±5 ％ / 2 H大试样尺寸Φ 4英寸

1 产品概述: 离子束刻蚀设备是一种高精度的材料加工设备，它利用经过电场加速的高能离子束对样品表面进行物理轰击，从而实现材料的精细刻蚀。这种设备广泛应用于物理学、工程与技术科学基础学科、测绘科学技术、航空、航天科学技术等多个领域，成为现代微纳米加工技术中的重要工具。2 设备用途：材料加工：离子束刻蚀设备可以对多种材料进行精细加工，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。通过控制离子束的能量、束流密度和刻蚀时间等参数，可以精确控制刻蚀深度和形貌，实现微米甚至纳米量级的加工精度。微结构制作：该设备具有制作微结构图形的能力，如光栅、微透镜阵列等。在光学、电子学等领域中，这些微结构对于提高器件性能具有关键作用。样品表面处理：离子束刻蚀还可以用于清洗材料表面有机物、氧化物等污染物，提升材料表面的亲水性、粘接力和附着力。这对于提高样品的质量和分析精度具有重要意义。3 设备特点 高精度：离子束刻蚀设备能够实现高精度的材料加工和微结构制作。通过精确控制离子束的参数，可以实现微米甚至纳米量级的加工精度。 多材料适应性：该设备可以处理多种材料，包括硅、石英、半导体、金属、非金属硬质薄膜等。这种广泛的材料适应性使得离子束刻蚀设备在多个领域中得到广泛应用。 高灵活性：离子束刻蚀设备通常配备有先进的控制系统和样品台，可以实现多种加工模式和工艺参数的灵活调整。这为用户提供了更多的选择和便利。 高稳定性：设备在长时间运行过程中能够保持较高的稳定性和可靠性。这有助于确保加工质量和生产效率的稳定。 4 技术参数和特点：离子枪ECR型离子枪电离气体Ar、Xe等、惰性离子种类的气体N2、O2、C3F8等、活性离子种类的气体加速电压300 ~ 2000 V 连续可变离子流密度Ar: 0.16 ~ 0.20 mA/cm2 以上 (700V加速时）离子束有效直径Φ 108 mm气体导入机构自动流量制御6系統大试样尺寸Φ 6英寸晶片

技术/销售热线 吴先生 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片 SI 500为研发和小批量生产应用提供先进的ICP刻蚀工艺，具备高度的灵活性和模块化设计特点,可实现范围广泛的刻蚀工艺。包括刻蚀III-V化合物、II-VI化合物、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物等。 SI 500C低温ICP刻蚀机，可在-100℃左右的低温下实现深硅刻蚀。优点是刻蚀后形成非常光滑的侧壁，尤其在光学应用上非常重要。同时低温刻蚀工艺的高刻蚀速率可实现刻穿样片。 SI 591 采用模块化设计、具有高度灵活性，适用于III-V 化合物、聚合物、金属盒硅刻蚀工艺，可配置为单反反应腔系统、或带预真空室或片盒站的多腔系统。特别适用于采用氟基气体的工艺，具有很高的工艺稳定性和重复性。 型号SI 500ICP刻蚀机-30~+200℃SI 500C低温ICP刻蚀机-150~+400℃SI 500-30ICP刻蚀机带预真空室最大12寸晶圆SI 591反应离子刻蚀机带预真空室Etchlab200反应离子刻蚀机不带预真空室SI500-RIE反应离子刻蚀机带预真空室带氦气背冷却系统

1. 产品概述：HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。可以配置手动及自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度。HSE P300主要用于12英寸硅刻蚀。采用Cluster结构布局，能够减小占地，提升产能。系统主要由传输模块、工艺模块、灰区部件、电源柜等组成。可实现自动化地上下料及自动工艺。2. 设备应用： HSE M200晶圆尺寸:8英寸及以下适用材料:硅、SOI、SOG适用工艺:深硅刻蚀适用领域:微机电系统、科研领域 HSE P300晶圆尺寸:8/12英寸兼容适用材料:硅、氧化硅、氮化硅适用工艺:深槽刻蚀、深孔刻蚀、扇出型封装硅载体刻蚀、露铜刻蚀等适用领域:先进封装 3.设备特点HSE M200双等离子源和双区进气，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率兼容性强，工艺种类多样，应用领域广泛，系统可靠性强灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用低拥有成本和运营成本HSE P300使用立体高密度等离子源，大幅提升刻蚀速率双等离子源和双区进气，确保较高的均匀性全自动化软件控制，高产能低拥有成本和运营成本

1.产品概述：PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀，同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制，结合先进的工艺技术，可实现超高深宽比下良好的工艺性能，配置多腔平台，满足大产能量产使用需求。2.设备应用：晶圆尺寸8/12 英寸兼容适用材料硅、氧化硅、氮化硅适用工艺2.5D&3D TSV刻蚀、深槽隔离/电容刻蚀、MEMS刻蚀适用领域集成电路、先进封装、功率半导体、图像传感器、微机电系统 3.特色优点：刻蚀方式：采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式，能够在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损伤，且刻蚀均匀性、选择比更佳 135。结构设计：每腔单片设计，具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现，可确保半导体器件制造工艺的质量和稳定性更优。并且机台可同时配置 6 个腔室，产能和性能表现优异 15。晶圆边缘保护：通过优化机台晶圆边缘保护装置，有效提高了产品良率，其效果优于当前行业产品指标 。工艺应用：全面应用于国内各大 12 英寸主流 fab 厂，不仅是 TSV 量产生产线主力机台，还扩展至功率器件、CIS 等领域。例如，在 TSV 工艺中表现出色；在 2.5D 工艺中，可提供能满足 BVR（背面通孔暴露）和 BFR（背面平整暴露）不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案。 4.设备特点兼容Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖优化的进气系统和ESC系统，提高均匀性快速进气系统，确保刻蚀速率高，Scallop小实现高深宽比的形貌控制

1. 产品概述满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。 2. 产品优势利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化学液叠层控制，占地面积小，多可配置4个刻蚀单元3. 应用域：半导体制造中湿法刻蚀工艺封装域中金属层刻蚀，满足UBM及RDL工艺要求OLED 域中金属及金属氧化物（ITO/IGZO）刻蚀、缓冲层成膜的表面（SiO2）刻蚀清洗等工艺满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗等工艺流程。

1. 产品概述NMC 508系列 CCP介质刻蚀机，多频解耦设计，实现优异的均匀性及高深宽比介质刻蚀。2. 设备用途/原理NMC 508系列 CCP介质刻蚀机，多频解耦设计，实现优异的均匀性及高深宽比介质刻蚀。应用域广泛，涵盖Si power、SiC Power、GaN Power、MEMS、硅光等。工艺种类覆盖道HM刻蚀、CT刻蚀、Spacer刻蚀，后道Via刻蚀、PAD刻蚀。灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用。采用Clean Mode量产，道、后道均可实现优异的量产稳定性及更高的MTBC。3. 设备特点晶圆尺寸 6/8 英寸兼容。适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。适用工艺 钝化层刻蚀、硬掩膜刻蚀、接触孔刻蚀、导线孔刻蚀、侧衬刻蚀、回刻、自对准刻蚀。适用域 科研、集成电路、化合物半导体。

1. 产品概述GDE C200系列 高密度刻蚀机，等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀。2. 设备用途/原理GDE C200系列 高密度刻蚀机，等离子体源和频率设计，等离子体密度高，适用于强键合材料刻蚀。刻蚀速率、刻蚀均匀性、PM 周期。应用域广泛，包括功率器件、滤波、射频和光电等域的多种材料刻蚀。工艺种类多样，包括碳化硅刻蚀、铝钪氮刻蚀、PZT 刻蚀、砷化镓刻蚀、铌酸锂刻蚀、氮化硅刻蚀、 磷化铟刻蚀。灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用。适配多种终点检测方法。3. 设备特点晶圆尺寸 8 英寸及以下，适用材料 碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、介质。适用工艺 碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔工艺、 光波导工艺等多种材料刻蚀工艺。适用域 新兴应用、集成电路、化合物半导体、科研。

美国Trion Technology等离子刻蚀、等离子刻蚀机反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper 等离子刻蚀机- 低损伤去胶系统新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。等离子刻蚀机刻蚀速率高达6微米/分 高产量等离子损伤低 自动匹配单元适用于100mm 到300mm 基片 设备占地面积小价格具竞争性 等离子刻蚀刻蚀/沉积　Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统包含：等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper

全自动离子刻蚀机 MEL 3100伯东公司日本原装进口全自动离子刻蚀机 MEL 3100, 蚀刻速率 10(nm/min), 均匀性 ≤±5%, 全自动化系统减少人工操作, 保证产品高稳定性和高质量. 有效减少因人工操作带来的损失！全自动离子刻蚀机 MEL 3100 特性 全自动化系统 清洁: 钛用于经常暴露于离子束的零件, 以产生低粒子. 晶圆输送盒采用高效空气过滤器.占地面积小, 方便维护10.4英寸触摸屏 配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术规格.型号MEL 3100样品数量尺寸3”φ-6”φ,1片晶圆输送盒1个, 25 片晶圆极限真空8x10-5 Pa均匀性≤±5%蚀刻速率10(nm/min) @SiO2Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士

1. 产品概述NMC 612G 12英寸金属刻蚀机，可用于铝、硅，氧化物、钼、氧化铟锡等多种材料刻蚀。2. 设备用途/原理NMC 612G 12英寸金属刻蚀机，可用于铝、硅，氧化物、钼、氧化铟锡等多种材料刻蚀，高性能静电卡盘，可用于 Si wafer 及玻璃片稳定吸附，设备提供多种均匀性调节手段。本土化服务及定制化软件配置能力。 3. 设备特点晶圆尺寸 12英寸，适用材料 铝、硅、氧化物、钼、氧化铟锡，适用工艺 铝线、铝垫、硅、介质刻蚀、铝 / 钼 /ITO 等金属刻蚀，适用域 新兴应用、集成电路。百科：&zwnj 半导体金属刻蚀机的原理&zwnj 主要涉及到湿法刻蚀和干法刻蚀两种技术。这两种技术都是半导体制造工艺中非常重要的步骤，用于有选择地从硅片表面去除不需要的材料，以达到在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形的目的。

RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。 RIE 反应离子蚀刻设备参数: 1.铝材腔体或不锈钢腔体；2.不锈钢盒；3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属； 典型硅刻蚀速率 400 A/min；4.射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；7.气动升降盖；8.手动/全自动装卸样品；9.预抽真空室；10.电脑控制11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。 反应离子蚀刻系统可选配：1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；4. 终点探测(End point detection) ；5. 兰缪尔探针；6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；7. 附加MFC’s；8. 1KW射频电流源及调谐器；9. 低频电流源及调谐器； 深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。

一、产品简介CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：(1) 介电材料（SiO2、SiNx等）(2) 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）(3) III-V材料（GaAs、InP、GaN等）(4) 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等(5) 类金刚石（DLC）二、产品特点1. 7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化用户操作界面显示，自动监测工艺参数状态，20个配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。2. PLC工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。3. 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。4. 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。5. 采用花洒式多孔进气方式，改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。6. HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。7. 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。8. 采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。9. 上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。10. 有效处理面积大，可处理最大直径200mm晶元硅片。11. 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。三、技术参数型号RIE200RIE200plus舱体内尺寸H38xΦ260mmH38xΦ260mm舱体容积2L2L 射频电源40KHz13.56MHz电极不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm匹配器自动匹配自动匹配刻蚀方式RIERIE射频功率10-300W可调（可选10-1000W）10-300W可调（可选10-600W）气体控制质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调）工艺气体Ar、N₂ 、O₂ 、H₂ 、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选）最大处理尺寸≤Φ200mm时间设定1-99分59秒 真空泵抽速约8m3/h气体稳定时间1分钟极限真空≤1Pa电 源AC220V 50-60Hz，所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。

●本设备主要用于半导体刻蚀，能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能，使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀，并形成可从衬底上移除的挥发性副产品，通过真空系统排出，特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

产品详情美国Trion 反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统:Orion III,Oracle III,Minilock-Orion III,Phantom III,Minilock-Phantom III,SirueT2Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积最小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion。 Trion提供升级及回收方案给现有Matrix客户。 批量生产用设备:去胶系统- 低损伤去胶系统 新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。• 刻蚀速率高达6微米/分 • 高产量• 等离子损伤低 • 自动匹配单元• 适用于100mm 到300mm 基片 • 设备占地面积小• 价格具竞争性 刻蚀/沉积Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统。Titan具有反应离子刻蚀(RIE)配置、高密度电感耦合等离子沉积(HDICP)或等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。 刻蚀应用范围： 砷化镓、砷化铝镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、铝、硅化物、铬以及其他要求腐蚀性和非腐蚀性化学刻蚀的材料。 沉积应用范围：二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各种材料。 具有ICP选件的Titan系统Oracle III由中央真空传输系统(CVT)、真空盒升降机和最多四个工艺反应室构成。这些工艺反应室与中央负载锁对接，既能够以生产模式运行，也能够作为单个系统独立作业。 Oracle III是市场上最灵活的系统，既可以为实验室环境进行配置(使用单基片装卸)，也可以为批量生产进行配置(使用真空盒升降机进行基片传送)。 由于Oracle III 最多可容纳四个独立的工艺室，其可以有多种不同的工艺组合，其中包括RIE/ICP (反应离子刻蚀机/电感耦合等离子)刻蚀和PECVD 沉积。多个室可以同时工作。鉴于所有工艺室均有真空负载锁，工艺运行安全且没有大气污染。 Oracle III是市场上最小的批量生产用集成系统。 深硅刻蚀:- 5μm/min的刻蚀速率- 小于6%的不均匀性- 刻蚀深度可达300μm- 相对于光刻胶15:1的选择率- 垂直光滑的壁面- 纵横比可达12:15 um wide Si trench etch200um Si trench etch120um Si Trench etch40um wide x 320um deepSlope approx. 88 degreesEtching of GaAs/AlGaAs HeterostructuresInP Lens Etch 5.2 micron lens height with PR maskGaN LED Etch 2.6 micron depth with PR 小批量生产用设备: 沉积 (PECVD)Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm，且根据电极配置，可以处理单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量处理基片(4x3” 3x4” 7x2”)。可沉积的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、无定形硅和碳化硅。可以使用的反应气体包括：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管(Triode)或电感耦合等离子(ICP)源。其中三极管使得用户可以创建高密度等离子，从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室，其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触，从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而保持反应室与大气隔绝。 Minilock-Orion III PECVD 刻蚀 (RIE)Minilock-Phantom III 具有预真空室的反应离子刻蚀机。适用于单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批量处理(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。 Minilock-Phantom III具有ICP(感应耦合等离子)选项的刻蚀系统 实验室/研发/芯片失效分析用设备: 沉积Orion III 等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片(2” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产提供最先进的沉积能力。Orion III系统用于非发火PECVD工艺。沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅。工艺气体 ：20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧和氮。该设备可选配一个ICP或三极管(Triode)源。 Orion III 刻蚀Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片300mm尺寸，为实验室和试制线生产提供最先进的等离子蚀刻能力。系统有多达七种工艺气体可以用于蚀刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片(如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛) Phantom III Sirus T2 台面式反应离子刻蚀机(RIE)可用于介质以及其它要求氟化基化学的薄膜刻蚀。用於对矽、 二氧化矽、 氮化矽、石英、聚亚醯胺、钽、钨、钨钛以及其他要求特徵控制，高度选择性和良好一致性的材料进行蚀刻。 本机包含200mm下电极, 系统控制器(含电脑主机及触控介面)，13.56MHz, 300/600W 射频发生器及自动调谐，最大四路/六路工艺气体及自动压力控制模块等。占地面积小且坚固耐用，非常适合用於研发，实验室环境及失效分析。 Sirus T2 - 台面式反应离子刻蚀机

ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不 于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。SI 500： ICP等离子刻蚀机 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C: 等温ICP等离子刻蚀机 带传送腔和预真空室 衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 RUE: RIE等离子刻蚀机 背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案 电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTSA SI 500-300: ICP等离子刻蚀机 带预真空室 适用于300mm晶片

RIE反应离子刻蚀机NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持5个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力：RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-3500（M）RIE反应离子刻蚀机产品型号：NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"WNRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"WNRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"WNRP-4000：RIE/PECVD双系统NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统

1 产品概述: 刻蚀设备是半导体制造、微电子加工及光电子器件生产中的关键设备之一。它利用化学或物理方法，通过选择性去除材料表面的部分区域，以形成所需的图案或结构。刻蚀设备的发展与光刻技术、互连技术等密切相关，是芯片制造流程中不可或缺的环节。随着半导体工艺技术的不断进步，刻蚀设备也在不断升级，以满足更高精度、更高效率、更低损伤的加工需求。2 设备用途：刻蚀设备的主要用途包括：半导体芯片制造：在集成电路（IC）制造过程中，刻蚀设备用于在硅片上刻蚀出晶体管、电容器、电阻器等微细电路结构。这些结构构成了芯片内部的电子元件，决定了芯片的功能和性能。平板显示器制造：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管显示器（OLED）等平板显示器的制造过程中，刻蚀设备用于制作像素、透明导电层等关键结构。微电子元件制造：刻蚀设备还广泛应用于制造传感器、MEMS（微机电系统）、纳米器件等微小尺度的电子元件。3 设备特点刻蚀设备具有以下几个显著特点：高精度：刻蚀设备能够实现微米甚至纳米级别的加工精度，确保芯片和其他微纳器件的结构精确无误。高效率：通过先进的工艺技术和设备设计，刻蚀设备能够在短时间内完成大量加工任务，提高生产效率。低损伤：在刻蚀过程中，设备采用温和的刻蚀方法和精确的控制技术，以减少对材料表面的损伤和破坏。多功能性：刻蚀设备通常具有多种工作模式和加工能力，可以适应不同材料和结构的加工需求。4 技术参数和特点：除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。为实现制程再现性及安定性搭载了星型电及各种调温技能。拥有简便的维护构造，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。门的半导体技术研究所会提供完备的工艺支持体制。

上海伯东 离子蚀刻机 20-M / NS-12适合大规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 4英寸 X 12片 直径 18英寸 X 3片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源伯东离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。离子蚀刻机 20-M / NS-12 图片：若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗女士

RIE反应离子刻蚀机NRE-3000RIE反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-3000RIE反应离子刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-3000RIE反应离子刻蚀机产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12"的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布 极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持4个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-3000RIE反应离子刻蚀机产品相关型号：NRE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立式系统，占地面积26“D x 44"WNRE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统，占地面积26“D x 26"WNRE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统，占地面积26“D x 26"WNRP-4000：RIE/PECVD双系统NDR-4000：深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统

RIE等离子刻蚀机Etchlab 200 低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。 Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。Etchlab 200 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 选配椭偏仪接口 带预真空室Etchlab 200 带预真空室的RIE刻蚀机 适用于4英寸到8英寸的晶片 小片或碎片的载片器 氯基刻蚀气体 更大的真空泵组 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于300mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

Plasma Etcher等离子刻蚀机NPC-4000（M）等离子刻蚀机概述：NANO-MASTER 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。 NPC-4000（M）等离子刻蚀机产品特点紧凑型立式系统手动上下载片不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持5个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-4000（M）等离子刻蚀机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-4000（M）等离子刻蚀机 Features：Stand Alone SystemManual wafer Load/UnloadStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 5 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-4000（M）等离子刻蚀机 Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

Plasma Etcher等离子刻蚀机NPC-3000等离子刻蚀机概述：NANO-MASTER 等离子灰化和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。 NPC-3000等离子刻蚀机产品特点台式系不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀 带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁 NPC-3000等离子刻蚀机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3000等离子刻蚀机Features：Table Top or Stand Alone SystemStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 4 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFullySafety InterlockedNPC-3000等离子刻蚀机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

Plasma Etcher等离子刻蚀机NPC-3500（M）等离子刻蚀机概述：NANO-MASTER 等离子灰化和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。 NPC-3500（M）等离子刻蚀机产品特点紧凑型立式系统不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀 带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁 NPC-3000（M）等离子刻蚀机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3000（M）等离子刻蚀机Features：Stand Alone SystemStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 4 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-3500（M）等离子刻蚀机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

等离子刻蚀机VP-RS15真空腔体不锈钢材质，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于晶圆去胶、煤灰化、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、石墨烯、纤维、硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA刻蚀处理。