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低噪声前置放大光电探测器

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低噪声前置放大光电探测器相关的论坛

  • 【原创】光电导探测器主要应用范围

    [size=4] photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。 1873年，英国W.史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc＝1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功,并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变，例如x＝0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成响应波长为 8～14微米大气窗口的红外探测器。它与工作在同样波段的Ge：Hg探测器相比有如下优点：①工作温度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K。②本征吸收系数大,样品尺寸小。③易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。 通常，凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等 在近红外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等 在长于8微米波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等；CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。 可见光波段的光电导探测器 CdS、CdSe、CdTe 的响应波段都在可见光或近红外区域，通常称为光敏电阻。它们具有很宽的禁带宽度（远大于1电子伏）,可以在室温下工作，因此器件结构比较简单，一般采用半密封式的胶木外壳，前面加一透光窗口，后面引出两根管脚作为电极。高温、高湿环境应用的光电导探测器可采用金属全密封型结构，玻璃窗口与可伐金属外壳熔封。 器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻,当偏压为70伏时，暗电流为10-6～10-8安，光照灵敏度为3～10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比 CdS高。光敏电阻另一个重要参数是时间常数 τ，它表示器件对光照反应速度的大小。光照突然去除以后，光电流下降到最大值的 1/e（约为37％）所需的时间为时间常数 τ。也有按光电流下降到最大值的10％计算τ的 各种光敏电阻的时间常数差别很大。CdS的时间常数比较大（毫秒量级）。 红外波段的光电导探测器 PbS、Hg1-xCdxTe 的常用响应波段在 1～3微米、3～5微米、8～14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就大大降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的光，电导体这种情况越显著，其中1～3微米波段的探测器可以在室温工作（灵敏度略有下降）。3～5微米波段的探测器分三种情况：①在室温下工作，但灵敏度大大下降，探测度一般只有1～7×108厘米瓦-1赫；②热电致冷温度下工作(约-60℃),探测度约为109厘米瓦-1赫 ③77K或更低温度下工作,探测度可达1010厘米瓦-1赫以上。8～14微米波段的探测器必须在低温下工作，因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中，冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。 红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,PbS探测器的时间常数一般为50～500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14 瓦；输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。[/size]

  • 火焰探测器的工作原理与紫外线探测器的渊源

    火焰探测器的工作原理与紫外线探测器的渊源

    火焰探测器又称感光式火灾探测器，即探测火焰燃烧的光照强度和火焰的闪烁频率的一种火灾探测器。下面工采网小编给大家介绍一下火焰探测器工作原理。火焰燃烧过程释放紫外线、可见光、红外线，在特定波长、特定闪烁频率（0.5HZ-20HZ）具有典型特征，有别于其他干扰辐射，阳光、热物体、电灯等辐射出的紫外线、红外线没有闪烁特征。火焰探测器工作原理是通过检测火焰辐射出的特殊波长的紫外线、红外线及可见光等，同时配合对火焰特征闪烁频率来识别，来探测火焰。一般选用紫外光电二极管、紫外线探测器、紫外线传感器等作为探测元件。[img=,446,450]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011704_01_3332482_3.jpg!w446x450.jpg[/img]紫外线探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器，光电探测器利用光电效应，把光学辐射转化成电学信号。光电效应可分为外光电效应和内光电效应。外光电效应器件通常指光敏电真空器件，主要用于紫外、红外和近红外等波段。具有内增益的外光电效应器件包括光电敏倍增管、像增强器等光敏电真空器件，它们具有极高灵敏度，能将极微弱的光信号转换成电信号，可进行单光子检测，其灵敏度比内电光效应的半导体器件高几个量级。内光电效应分为光导效应和光伏效应。光导效应中，半导体吸收足够能量的光子后，把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态，导致半导体电导率增加、电路中电阻下降。光伏效应中，光生电荷在半导体内产生跨越结的P-N小势差。产生的光电压通过光电器件放大并可直接进行测量。根据光导效应和光伏效应制成的器件分别称为半导体光导探测器和光伏探测器。最后给大家介绍三款性能非常优秀的紫外线探测器和紫外线二极管，都是应用在火焰检测和防紫外辐射源等领域的顶尖产品。[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 - TOCON_ABC1[img=,298,298]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011705_01_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器，带有集成放大器TOCON是5伏供电的紫外光电探测器，带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器，电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说，TOCON 是完美的解决方案，从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围，它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。在恶劣环境和极低或极高的紫外辐射中，精密电子件使TOCON成为了一个可靠的元器件。但是sglux内部生产的SIC探测器芯片使TOCON成为了永存的准传感器，以PTB所报告的强抗辐射为特点。应用在紫外辐射和火焰检测领域。[b]紫外光电探测器TOCON_ABC1特性：[/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5 外壳中，带有集中器镜头盖0…5 V电压输出峰值波长是280 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 pW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 - TOCON_ABC10[/b][img=,298,298]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011705_01_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img]TOCON是5伏供电的紫外光电探测器，带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器，电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说，TOCON 是完美的解决方案，从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围，它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。在恶劣环境和极低或极高的紫外辐射中，精密电子件使TOCON成为了一个可靠的元器件。但是sglux内部生产的SIC探测器芯片使TOCON成为了永存的准传感器，以PTB所报告的强抗辐射为特点。应用在紫外辐射、淬火控制和火焰检测领域。[b]紫外光电探测器TOCON_ABC10特性：[/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5 外壳中，带有衰减器0…5 V 电压输出峰值波长是290 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 mW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 - SG01D-5LENS[img=,394,291]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011706_01_3332482_3.jpg!w394x291.jpg[/img]SiC 具有独特的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这 些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C(338°F)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低， 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。(参见第3页中的典型电路)。SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择，从0.06 mm2 到36 mm2。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳（TO型），直径为5.5mm的TO18 外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚（1绝缘，1接地）或3只引脚（2绝缘，1接地）。[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS 特点[/b]宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性, 用于火焰检测辐射敏感面积 A = 11,0 mm2TO5密封金属外壳和聚光镜, 1绝缘引脚和1接地引脚10μW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS参数：[/b][b][img=,690,365]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011706_02_3332482_3.jpg!w690x365.jpg[/img][/b][/b][/b]

  • 【数据采集应用案列】采用USB-2533集成散射光探测器

    【数据采集应用案列】采用USB-2533集成散射光探测器

    [img=,690,293]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/05/201905171114090988_8823_3859729_3.jpg!w690x293.jpg[/img]简 介OSI Optoelectronics是一家生产标准或定制二极管和光学传感器的制造商，其产品应用于医学、商业、军事、X-射线、无线电通讯等各个领域。项目需求OSI公司准备开发一款低成本的数据采集系统，需要从48个独立的探测器上采集信号并将其数字化，用 USB总线将数字信号上传至PC。48路探测器被巧妙地集成在一个仪器上，用于采集物体的散射光。由于散射光密度很低，所以要选择低噪音、高敏度的探测器。此项目计划在2个月之内完成产品雏形。OSI Optoelectronics曾采用PCI板卡采集方案，现准备用USB采集卡替换此方案。OSI的方案变更有以下几个原因：探测器密度越高，越能更好地感应低密度的散射光；无需使用连接PCI板卡和模拟信号的带状电缆；模数转换靠近模拟信号源，降低了信号噪声；实现更高的采样率，使得从48个通道获取信号在时间上更加同步；用笔记本电脑取代了台式机；数据采集硬件成本降低；解决方案探测器选择的是高敏度OSI Optoelectronics的光电DP系列，特点是低电容、高响应度、低噪音及巨变温度下的高稳定性。数据采集元件选择的是MCC的16位USB-2533数据采集卡。选择USB-2533基于多方面原因。首先1MHz的采样率高于现有的PCI板卡，使得切换通道时间变短。其次，使用USB板卡的成本是PCI板卡的1/3。而且USB-2533的体积玲珑，可以安置在仪器内，从而使得 AD转换靠近模拟信号源、降低噪声、增加信噪比。高敏度探测器与USB-2533的完美结合实现了产品的预期效果。OSI设计的定制接口板安装在USB-2533上，为独立的光电探测器的48个模拟通道提供了接口。[img=,690,690]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/05/201905171114214252_786_3859729_3.jpg!w690x690.jpg[/img]结果MCC的销售及工程师提供的支持具有很高的价值，销售团队在需求提报后的三天内评估了USB-2533和UL软件的方案。技术支持工程师则提供了C++的编程应用案例，这些案例开启了应用代码的开发，使得OSI在计划时间内完成了产品原型。重新设计的仪器的采样率更高，各探测器信号的扫描更同步；USB-2533的16位分辨率也使得仪器精度大大提高。高敏度的探测器（对于特定波长有高响应度）在微光下提供更精确的信号，因此提高了成像质量（信噪比）。新产品很快上市，在降低成本的同时提高了产品性能。如需了解更多内容请关注嘉兆科技

  • X射线荧光探测，光谱仪，RoHS/WEE 标准的仪器等分析仪器中重要的配件

    近年来国内X射线探测技术发展的也相当迅猛，在日本核泄漏的事故后大家更加的重视了辐射、安全。下面我给大家分享一下我们代理的X射线探测器看看大家是否熟悉：X-123 是一个完整的X 射线探测系统，它整合于可放在手中的小盒子里。X-123 标志着Amptek 14 年的X 射线探测器研发成果。我们一直致力于开发小型、低功率、高性能、易操作的仪器。X-123 是我们这一宗旨的一个例子，它提供一个套装的XR100 X 射线探测器和电荷敏感前置放大器， DP4 数字脉冲处理器和脉冲整形器、多通道分析器及数据接口、以及 PC4-3 电源。你只需要一个5 伏的直流电源和一根USB 或RS232 接线与你的计算机相连。包括：1. X-射线探测器和前置放大器；2. 数字脉冲处理器和MCA 多通道分析器；3. 电源和PC 接口特点：• 小巧的完整系统• 易操作• 尺寸小 （2.7*3.9*1 英寸(7 * 10 *2.5 厘米)• 功率低（1.2W）• 重量轻-180g（6.3 盎司）• USB 和RS232 连接• 跟所有类型的 Amptek 探测器匹配应用：• X 射线荧光探测 (XRF)• 符合 RoHS/WEE 标准的仪器• 程控• 文物和考古• X-123 演示 探测器：• Si-PIN X 射线探测器；• 两级热电制冷.• 面积: 5 至 25 mm2• 厚度: 300 至 680 μm主要指标：• 分辨率: 峰值5.9 keV 时为145 至260 eV 半峰宽• 最佳能量范围: 1 keV 至 40 keV• 最大计数率: 最高2 × 105 cps工作原理和配置：Amptek 擅长于生产小型化、低功耗、高性能和易于操作的X 射线光谱仪。X123 在一个容器内整合了Amptek 公司标准化、高性能的X 射线光谱分析元件，其中包括XR100CR 探测器和前置放大器、DP4数字脉冲处理器和MCA 多通道分析器、以及PC4-3 电源，成为可以握在手中的集成化完整系统。而其它厂家的系统，仅前置放大器就比X123 更大、更重且更耗能。其它所需只是两根连线：一个5V 直流电源和一根USB 或RS-232 数据线。通过X123，可以很快得到高质量的[/s

  • 关于红外探测器的探测率D*

    D*=（A*f）^0.5/NEP,其中A是探测器光敏元面积，f是电子学带宽，NEP是噪声等效功率。相信大家都知道，光谱成像在探测器光敏元上不可能只占一个像元，而是有一定面积的，请问此时计算D*，A 是用一个像元的面积还是光谱所占的面积？

  • 石墨烯结合量子点制成高灵敏光电探测器

    中国科技网讯 据物理学家组织网5月16日（北京时间）报道，西班牙塞西斯光学技术研究所用石墨烯结合量子点成功研发出一种混合型光电探测器，灵敏度是其同类探测器的10亿倍。研究人员指出，该研究预示了石墨烯在光学传感器和太阳能电池领域的新应用。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》上。 石墨烯在光电子学和光电探测应用领域极有潜力，具有光谱带宽广、响应迅速的优点，但缺点是光吸收能力弱，缺乏产生多倍载荷子的增益机制。目前的石墨烯光电探测器响应度（一定波长的光在入射功率作用下的输出电流）在0.01A/W以下。 研究人员解释说，所需要的是一种迫使更多光被吸收的方法，石墨烯吸收光的效率仅为3%。为了提高光吸收率，他们转向了量子点。量子点是一种纳米晶体，能根据自身大小吸收不同波长的光。从本质上讲，光电探测器是一种把少量光转化为微小电流的设备，通过检测电流来确定有多少光进入了设备，或者直接用该电流产生其他反应，比如辅助产生摄影图像。 为了制造光电探测器，研究小组首先用标准的胶带法剥离出一层石墨烯作底片，用纳米印刷术在上面印上微小的黄金电极，然后用喷雾瓶将硫化铅晶体喷在上面。这些胶状晶体包含了各种大小的颗粒，几乎能吸收所有波长的光。他们用不同波长的光来照射探测器，检测其电阻和电量。 在制造量子点时，要保证在量子点和石墨烯之间实现配位体交换最大化，最大困难是找到合适的材料组合。研究人员说，他们经多次试验，终于使内量子效率达到了25%。在探测器中，量子点层中的光强烈而且可调，生成的电荷传导到石墨烯，在此电流多次巡回，响应度达到了107A/W。 研究人员还指出，在这种光电探测器基础上，还能造出更多新设备，如数字摄像机、夜视镜以及其他多种传感器设备。（记者 常丽君） 总编辑圈点 石墨烯极高的导电性着实令科学家着迷，也因此激发了科学家利用石墨烯来设计超高速光电探测器。传统的硅基光电探测器不能折叠，也不便宜，而且不够灵敏。多年来，一种便宜、可折叠的光电探测器一直是科学家们的梦想。单层石墨烯似乎可以胜任。然而单层石墨烯吸收光子的能力比硅还差，仅有3%的光子被吸收。而当量子点附着在其表面时，其吸收光子的能力可神奇地提高到50%。这样一来，可以穿在身上的电子产品或许真的不再是梦了。 《科技日报》（2012-05-17 一版）

  • 【分享】驻极体传声器小型前置放大器的设计

    0 引言 随着我国通讯事业的迅猛发展，对驻极体传声器的需求也越来越大。目前，一些小型的驻极体传声器虽然可以将场效应管集成于传声器内部，但由于高端产品的售价高昂，低端产品传声器的精度和灵敏度又无法保证，再加上传统的前置放大器体积又过于庞大。因此，设计一种体积尽可能小，成本低廉而性能优良的前置放大器具有十分重要的意义。1 驻极体传声器的原理概述 传声器是一种将声信号转变为相应的电信号的电声换能器。驻极体传声器是一种用驻极体材料制造的新型传声器。它具有结构简单、灵敏度高等优点，被广泛应用于语言拾音、声信号检测等方面。 驻极体传声器内部主要包括声电转换和阻抗变换两部分。声电转换部分包括振膜、极板、空隙三部分。声电转换的关键元件是振动膜，它是一片极薄的塑料膜片，在其中一面蒸发上一层纯金薄膜，然后再经过高压电场驻极后，两面分别驻有异性电荷，膜片的蒸金面向外，与金属外壳相连通。膜片的另一面与金属极板之间用薄的绝缘衬圈隔离开，这样，蒸金膜与金属极板之间就形成一个电容。当声音传入时，振膜随声波的运动发生振动，此时振膜与固定电极间的电容量也随声音而发生变化。从而产生了随声波变化而变化的交变电压信号，如此就完成了声音转换为电信号的过程。电压变化的大小，反映了外界声压的强弱，这种电压变化频率反映了外界声音的频率。驻极体传声器振膜与极板之间的电容量比较小，一般为几十pF。因而这个电信号输出阻抗很高，而且很弱。因此，不能将驻极体传声器的输出直接与音频放大器相接。而场效应晶体管具有输入阻抗极高、噪声系数低的特点，因此，一般是在传声器内部接入一只输入阻抗极高的结型场效应晶体[URL=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=376]三极管[/URL] [URL=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=47891]三极管[/URL] 用来放大驻极体电容产生的电压信号，同时以比较低的阻抗在源极S或者漏极G输出信号，实现阻抗变换，如图1所示。图1可以看出UOUT1或UOUT2为传声器的输出信号，由于UOUT1不会受到电源噪声VDD的影响，具有较强抗电源噪声干扰能力，所以将UOUT1接到前置放大器进行放大。2 前置放大电路的设计分析 前置放大器的作用一方面是对电容传声头输出的信号进行预放大，另一方面主要是将电容头的高输出阻抗转换为低阻抗输出。小型前置放大器的电路主要包括两部分，其中一部分是场效应管组成的阻抗变换电路，另一部分就是下面将详细分析的放大电路。2．1 放大电路的简化模型 传声器的前置放大电路如图2所示。图中运放采用了美国美信公司的麦克风前置放大器MAX4465，MAX4465为5脚SC70封装，低成本，微功耗。下面对这一电路的原理进行简化分析和说明。为便于电路的分析，令Z1＝R1+1／(jωC1)，Z2＝R2／／1／(jωC2)＝R2／(1+jωR2C2)，根据理想运放所具有的虚短和虚断的特点，可以得到电路的传递函数为： 从式(1)可以看出。当ω→∞或ω→0时，电路的传递函数Au→1。2．2 中频段通带增益的估算 在语音信号的频段(20 Hz～20 kHz)内，选择合适的R2、C2值，使R2C2≈O，则1+jωR2C2≈1，若1+jωR1C1≈jωR1C1则带入式(1)传递函数中，可得Au≈1+R2／R1。若取R2=10R1，则Au=1+R2／R1≈R2／R1。2．3 上限截止频率的估算 当信号的频率较高时，即在通频带内ω值较大，且R2=10R1时，式(1)可变为： 从上式可以看出，ω=1／(R2C2)，即f=1／(2πR2C2)是电路对应的上限截止频率。2．4 下限截止频率的估算 当信号的频率较低时，即在通频带内ω值较小且R2=10R1时，则1+jωR2 C2≈1，式(1)可变为： 从上式可以看出，ω=1／(R1C1)时，即f=1／(2πR1C1)是电路对应的下限截止频率。2．5 前置放大电路的仿真结果 在电路的设计过程中，我们用电路仿真软件进行了仿真验证，仿真结果如图3所示。 从图3中可见，上述估算结果和仿真结果基本一致，同时，前置放大电路的实际调试结果也与上述分析基本吻合。3 小型前置放大器结构特点 根据上述原理设计的前置放大器电路板直径约为10 mm(1／2inch)，其本身具有的微小体积，与高灵敏度的1／2inch驻极体传声器配合后可以大大缩小整个传声器系统的总体积，从而可以更好地满足复杂情况下对传声器体积的严格要求。4 总结 本文中所设计的传声器前置放大电路具有体积小，成本低廉，输入阻抗高，抗干扰性能强等优点。在电路加工过程中，使用高精度数字[URL=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277]万用表[/URL] [URL=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373]绝缘万用表UT531[/URL] ，对元器件进行了精细的筛选，确保了同一批次不同前置放大器之间的一致性。此外，前置电路还可根据需要选用3～18 V电压源供电，以满足不同条件下的工程需求。目前1／2英寸驻极体传声器前置电路器在工程实践中已经得到了很好的应用。更多技术论文请详见：[URL=http://www.midiqi.com/]买电器网[/URL]（MIDIQI.COM） [URL=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp]知识库[/URL]

  • 紫外线传感器怎样应用在火焰探测器中

    紫外线传感器怎样应用在火焰探测器中

    [align=left]紫外火焰检测器通过检测由物质燃烧产生的紫外线来检测火灾，除紫外火焰探测器外，市场上还有一种红外火焰探测器，即线性射束烟雾探测器。 紫外火焰探测器适用于火灾期间可能发生明火的地方。紫外火焰探测器可用于火灾强烈的火焰辐射或没有阴燃阶段的地方。火焰检测器要求紫外线传感器本身耐高温和高灵敏度。[/align]紫外线火焰探测器由紫外线触发。普通的扩散火焰可以产生足够强度的紫外线，易于识别。在设计探测器时，必须注意光谱范围应该在290nm的太阳辐射之外。OFweek Mall了解到紫外线传感器非常有效，它可以排除太阳辐射，并能有效地感知火焰发出的285nm或更小的辐射光。诸如碳化硅光电二极管的其他组件是高度敏感的，但是对于非火焰紫外光具有差的分辨能力。紫外线传感器被开发并用于保护危险区域靠近探测器的特殊位置，并且探测器对火焰的选择性可以精确到仅由火焰产生的紫外辐射的特定波长。紫外火焰探测器已成功用于爆炸抑制系统和低压室内水灭火系统中的释放装置。[img=,337,257]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/12/201812271549500713_2154_3422752_3.png!w337x257.jpg[/img]紫外线传感器的正常工作寿命与工作线有直接关系。其典型系列具有高消耗和低消耗。高耗电线路由于电流大，可直接驱动继电器，线路简单，线路简单，维护方便 随着集成电路的快速发展，从设计中采用了越来越多的低功耗电路。低功耗电路不仅耗电少，而且有效避免了大放电电流和去电时间不足引起的自激。与电阻容量并联的负载增加了管的放电面积并缩短了处于脉冲状态的时间。在DC状态下操作时，紫外线传感器必须具有足够的灭火时间（大于2ms）。这是因为紫外光管的放电不会自熄，并且放电管本身在放电后释放许多自由亚稳原子，导致第二次放电。它更容易，只有经过足够长的时间后，这些亚稳态原子才能显着减少。那么在火焰检测行业中用的比较多的传感器是这种型号的：TOCON_ABC10[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 -TOCON_ABC10[/b]TOCON是5伏供电的紫外光电探测器，带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器，电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说，TOCON 是完美的解决方案，从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围，它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。[img=,311,312]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/12/201812271549494053_1160_3422752_3.jpg!w311x312.jpg[/img]相关传感器分类：气体传感器丨氨气传感器丨二氧化硫传感器丨一氧化碳传感器丨臭氧传感器丨氧化锆氧气传感器丨超声波传感器丨气体流量传感器丨空[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/bp][color=#3333ff]气质[/color][/url]量传感器丨二氧化碳传感器丨氧气传感器丨紫外线传感器https://mall.ofweek.com/category_92.html丨水质传感器丨可燃气体传感器丨温湿度传感器丨酒精传感器丨微量氧传感器丨PID传感器丨PM2.5传感器丨湿度传感器丨光纤应变传感器丨voc传感器丨氧化锆传感器丨光电液位传感器丨超声波液位传感器丨CO2传感器丨CO传感器丨UV传感器丨光纤传感器丨光离子传感器丨PH传感器丨荧光氧气传感器丨流量传感器丨光纤压力传感器丨双气传感器丨

  • 【原创】光电探测器系列产品

    产品特点 光谱范围：300-1100nm、800-1700nm 低噪声、高增益 光纤、空间耦合输入可选 DC 5V供电 可根据客户要求定制应用领域 弱光信号探测 皮秒脉冲探测 光纤传感系统 超快光学公司网址：http://www.conquer-oc.com

  • 非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器

    高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XB?n势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有抑制作用。近期，由中国科学院半导体研究所、昆明物理研究所、中国科学院大学和陆装驻重庆军代局驻昆明地区第一军代室组成的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为贾春阳，通讯作者为赵俊总工程师和张逸韵研究员。本工作制备了不同直径的nBn和pBn结构的中波InAsSb/AlAsSb红外接地-信号-接地（GSG）探测器。对制备的探测器进行了变温暗电流特性，结电容特性和室温射频响应特性的表征。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]材料生长、器件制备和测试[/b][/back][/size][/align]通过固态源分子束外延装置在2英寸的n型Te-GaSb衬底上外延生长nBn和pBn器件。势垒型器件的生长过程如下所示：先在衬底上生长GaSb缓冲层来平整表面以及减少应力和位错，接着生长重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb接触层，然后生长2.5 μm厚的非故意掺杂（101? cm?3）InAsSb体材料吸收层。之后生长了150 nm厚的AlAsSb/AlSb数字合金电子势垒层，通过插入超薄的AlSb层实现了吸收区和势垒层的价带偏移的显著减少，有助于空穴向接触电极的传输，同时有效阻止电子以减小暗电流。最后分别生长300 nm厚的重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb和p型GaSb接触层用于形成nBn和pBn器件结构。其中，Si和Be分别被用作n型和p型掺杂源。生长后，通过原子力显微镜（D3100，Veeco，USA）和高分辨X射线衍射仪（Bede D1，United Kingdom）对晶片进行表征以确保获得高质量的材料质量。通过激光划片将2英寸的外延片划裂为1×1 cm2的样片。样片经过标准工艺处理，包括台面定义、钝化和金属蒸镀工艺，制成直径从10 μm到100 μm的圆形台面单管探测器。台面定义工艺包括通过电感耦合等离子体（ICP）和柠檬酸基混合溶液进行的干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，以去除器件侧壁上的离子诱导损伤和表面态。器件的金属电极需要与射频探针进行耦合来测试器件的射频响应特性，因此包括三个电极分别为Ground（接地）、Signal（信号）和Ground，其中两个Ground电极相连，与下接触层形成欧姆接触，Signal电极与上接触层形成欧姆接触，如图1（c）和（f）所示。通过低温探针台和半导体参数分析仪（Keithley 4200，America）测试器件77 K-300 K范围的电学特性。器件的光学响应特性在之前的工作中介绍过，在300 K下光电探测器截止波长约为4.8 μm，与InAsSb吸收层的带隙一致。在300 K和反向偏置为450 mV时，饱和量子效率在55%-60%。通过探针台和频率响应范围10 MHz-67 GHz的矢量网络分析仪（Keysight PNA-XN5247B，America）对器件进行射频响应特性测试。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结果与讨论[/b][/back][/size][/align][b]材料质量表征[/b]图1（a）和（d）的X射线衍射谱结果显示，从左到右的谱线峰分别对应于InAsSb吸收层和GaSb缓冲层/衬底。其中，nBn和pBn外延片的InAsSb吸收区的峰值分别出现在60.69度和60.67度，GaSb衬底的峰值则出现在60.72度。因此，InAsSb吸收层与GaSb 衬底的晶格失配分别为-108 acsec和-180 acsec，符合预期，表明nBn和pBn器件的InAsSb吸收区和GaSb衬底几乎是晶格匹配的生长条件。因此，nBn和pBn外延片都具有良好的材料质量。原子力显微镜扫描的结果在图1的（b）和（e）中，显示出生长后的nBn和pBn外延片具有良好的表面形貌。在一个5×5 μm2的区域内，nBn和pBn外延片的均方根粗糙度分别为1.7 ?和2.1 ?。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/92230b98-4dac-4ee0-aeaa-282dcd342995.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图1 （a）和（a）分别为nBn和pBn外延片的X射线衍射谱；（b）和（e）分别为nBn和pBn外延片的原子力显微扫描图；（c）和（f）分别为制备的圆形GSG探测器的光学照片和扫描电子照片[/color][/align][b]器件的变温暗电流特性[/b]图2（a）显示了器件直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片的温度依赖暗电流密度-电压曲线，通过在连接到Keithley 4200半导体参数分析仪的低温探针台上进行测量。图2（b）显示了件直径90 μm的nBn和pBn探测器在77 K-300 K下的微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线，温度下降的梯度（STEP）为25 K。图2（c）显示了在400 mV反向偏压下，nBn和pBn探测器表现出的从77 K到300 K的R?A与温度倒数（1000/T）之间的关系，温度变化的梯度（STEP）为25 K。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a8f8001f-cd03-42f4-a32f-8b1acc94131d.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图2 从77K到300K温度下直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片（a）暗电流密度-电压曲线；（b）微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线；（c）R?A随温度倒数变化曲线[/color][/align][b]器件暗电流的尺寸效应[/b]由于势垒型红外探测器对于体内暗电流可以起到较好的抑制作用，因此研究人员关注与台面周长和面积有关的表面泄露暗电流，进一步抑制表面漏电流可以进一步提高探测器的工作性能。图3（a）显示了从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温工作的暗电流密度和电压关系，尺寸变化的梯度（STEP）为10 μm。图3（b）显示从20 μm-100 μm的nBn和pBn探测器的微分电阻和台面面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线。图3（d）中pBn器件的相对平缓的拟合曲线说明了具有较高的侧壁电阻率，根据斜率的倒数计算出约为1.7×10? Ωcm。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/e7fba8aa-eabe-40a4-a863-6ebcdd264744.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的（a）暗电流密度和电压变化曲线和（b）R?A随反向偏压的变化曲线；（c）在400 mV反偏时，pBn和nBn器件R?A随台面直径的变化；（d）（R?A）?1与周长对面积（P/A）变化曲线[/color][/align][b]器件的结电容[/b]图4（a）显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线，器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度（STEP）变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器，预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出，其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/c09b63df-6442-42f2-b548-df4f539db6eb.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图4 （a）在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线；（b）反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。[/color][/align][b]器件的射频响应特性[/b]通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源，在室温和0-3 V反向偏压下，对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率（f3dB）。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器，表面载流子寿命对响应速度会产生影响。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/95acbbf7-8557-4619-b4cd-5829d636aced.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图[/color][/align][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/541829b0-a336-4b7e-a75b-0a15f8dfd06a.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器（a）3 dB截止频率随反向偏压变化曲线；（b）在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线[/color][/align]图6（a）展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器，在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大，不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此，在图6（a）中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢，nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间；随着施加偏压的增加，截止频率增加，nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结论[/b][/back][/size][/align]通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器，经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明，在室温和反向偏压400 mV工作时，直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm2，说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明，pBn器件的表面电阻率约为1.7×10? Ωcm，对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×103 Ωcm，而pBn和nBn的R?A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm2和5.27 Ωcm2。探测器的电容测试结果表明，可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区，nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明，直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz，对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz，相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器，对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。[b]论文链接：[/b][url]http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157[/url][来源：MEMS][align=right][/align]

  • 美制成超快高敏石墨烯光电探测器 可广泛用于生化武器探测、机场安检等技术领域

    中国科技网讯 据物理学家组织网6月4日报道，美国马里兰大学纳米物理和先进材料中心的研究人员开发出一种新型热电子辐射热测量计，这种红外光敏探测器能广泛应用于生化武器的远距离探测、机场安检扫描仪等安全成像技术领域，并促进对于宇宙结构的研究等。相关研究报告发表在6月3日出版的《自然·纳米技术》杂志上。 科学家利用双层石墨烯研发了这款辐射热测量计。石墨烯具有完全零能耗的带隙，因此其能吸收任何能量形式的光子，特别是能量极低的光子，如太赫兹或红外及亚毫米波等。所谓光子带隙是指某一频率范围的波不能在此周期性结构中传播，即这种结构本身存在“禁带”。光子带隙结构能使某些波段的电磁波完全不能在其中传播，于是在频谱上形成带隙。 而石墨烯的另一特性也使其十分适合作为光子吸收器：吸收能量的电子仍能保持自身的高效，不会因为材料原子的振动而损失能量。同时，这一特性还使得石墨烯具有极低的电阻。研究人员正是基于石墨烯的这两种特性设计出了热电子辐射热测量计，它能通过测量电阻的变化而工作，这种变化是由电子吸光之后自身变热所致。 通常来说，石墨烯的电阻几乎不受温度的影响，并不适用于辐射热测量计。因此研究人员采用了一种特别的技巧：当双层石墨烯暴露于电场时，其具有一个大小适中的带隙，既可将电阻和温度联系起来，又可保持其吸收低能量红外光子的能力。 研究人员发现，在5开氏度的情况下，新型辐射热测量计可达到与现有辐射热测量计同等的灵敏度，但速度可增快1000多倍。他们推测其可在更低的温度下，超越目前所有的探测技术。 新装置作为快速、敏感、低噪声的亚毫米波探测器尤具前景。亚毫米波的光子由相对凉爽的星际分子所发出，因此很难被探测到。通过观察这些星际分子云，天文学家能够研究恒星和星系形成的早期阶段。而敏感的亚毫米波探测器能帮助构建新的天文台，确定十分遥远的年轻星系的红移和质量，从而推进有关暗能量和宇宙结构发展的研究。 虽然一些挑战仍然存在，比如双层石墨烯只能吸收很少部分的入射光，这使得新型辐射热测量计要比使用其他材料的类似设备具备更高的电阻，因而很难在高频下正常工作，但研究人员称，他们正在努力改进自身的设计以克服上述困难，其亦对石墨烯作为光电探测材料的光明前景抱有极大信心。（张巍巍） 《科技日报》（2012-06-06 二版）

  • 应用在电火花、电弧、电晕检测中的紫外线探测器

    应用在电火花、电弧、电晕检测中的紫外线探测器

    紫外线火焰监测器，主要用于燃气、燃油工业的火焰监测，该监测器只对产生电火花、电弧、电晕、火焰等现象的紫外线敏感，对灯光和炉膛高温辐射无反应，抗干扰性强。控制点火装置自动点火，点火同时自动打开燃料阀，在设定时间内没有点燃或出现电火花、电弧、电晕等现象，紫外线探测器感应到紫外线的波动，控制器自动关闭燃料阀并报警，如点火成功则保持燃料正常供应，如果不能实时监测，则可能会发生爆炸等事故。[img=,431,262]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/11/201811161005373643_9215_3332482_3.jpg!w431x262.jpg[/img]电火花是电弧的一种形式，是电子元器件。撞击的火花不是电弧，是火星，是被撞击出来高温的物质的颗粒。两者本质不同。一定的电压，当他把电极之间的空气，真空或着是起他物质电离，以火花的形式势放出.石头与石头相互摩擦产生能量，释放出来就成了电火花.高电压 击穿绝缘材料发生放电高电压一般是靠电磁感应制照的可能是摩擦时产生能量差，多余的能量产生高温，以光和热的形式放出。电弧是一种气体放电现象，电流通过某些绝缘介质所产生的瞬间火花。电弧是一种自持气体导电，其大多数载流子为一次电子发射所产生的电子。触头金属表面因一次电子发射导致电子逸出，间隙中气体原子或分子会因电离而产生电子和离子。另外，电子或离子轰击发射表面又会引起二次电子发射。当间隙中离子浓度足够大时，间隙被电击穿而发生电弧。电晕是指带电体表面在气体或液体介质中发生局部放电的现象，常发生在高压导线的周围和带电体的尖端附近，能产生臭氧、氧化氮等物质。在110kV以上的变电所和线路上，时常出现与日晕相似的光层，发出“嗤嗤”“陛哩”的声音。电晕能消耗电能，并干扰无线电波。电晕是极不均匀电场中所特有的电子崩——流注形式的稳定放电。所以在很多的工业检测中，能够准确检测电火花、电弧和电晕的紫外线探测器是必不可少的，也是许多工业安全的保护者，能够在出现问题的第一时间就发出警报。接下来工采网小编给大家普及两款市面上应用在工业检测中的高端紫外线探测器。[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 -TOCON_ABC1[img=,298,298]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/11/201811161005528313_6478_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img][/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器，带有集成放大器TOCON是5伏供电的紫外光电探测器，带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器，电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说，TOCON 是完美的解决方案，从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围，它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。主要应用于紫外线辐射和火焰检测等领域。紫外光电探测器TOCON_ABC1特性：基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5外壳中，带有集中器镜头盖0…5 V电压输出峰值波长是280 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 pW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 -SG01D-5LENS[img=,394,291]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/11/201811161006104623_8983_3332482_3.jpg!w394x291.jpg[/img][/b]SiC 具有独特的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这 些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C(338°F)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低， 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择，从0.06 mm2 到36 mm2。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳（TO型），直径为5.5mm的TO18 外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚（1绝缘，1接地）或3只引脚（2绝缘，1接地）。德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS 特点：宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性, 用于火焰检测辐射敏感面积 A = 11,0mm2TO5密封金属外壳和聚光镜, 1绝缘引脚和1接地引脚10μW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流

  • ALN1400-21-3825微波低噪声放大器

    [font=宋体][font=Calibri]ALN1400-21-3825[/font][font=宋体]微波低噪声放大器[/font][font=Calibri]WENTEQ[/font][/font][font=宋体]微波低噪声放大器可以放大微波频段[/font][font=宋体]中[/font][font=宋体]的微弱信号，减少相位噪声。通常用[/font][font=宋体]在[/font][font=宋体]前置放大器、功率放大器和脉冲放大器[/font][font=宋体]，[/font][font=宋体]由多个放大器级联制作而成，主要用在微波射频的收发链路中，既能增强信号强度，又能够降低额外相位噪声，从而提高系统化的噪声系数。[/font][font=宋体]微波低噪声放大器广泛应用在卫星通讯、雷达和天文学等各种领域。[/font][url=https://www.leadwaytk.com/article/5131.html]ALN1400-21-3825[/url][font=宋体]微波低噪声放大器是极其具备成本效率的解决方案，适用于需要极低噪音增强的应用。[/font][font=宋体]特征：[/font][font=宋体][font=Calibri]112.5GHz[/font][font=宋体]至[/font][font=Calibri]15.5GHz[/font][font=宋体]的宽带操作[/font][/font][font=宋体][font=宋体]低[/font][font=Calibri]VSWR[/font][font=宋体]，无条件稳定性[/font][/font][font=宋体]体型小，成本费用低[/font][font=宋体][font=Calibri]SSMA[/font][font=宋体]母连接器[/font][font=Calibri]I/O[/font][font=宋体]。?单直流电源，内部电压调节器，额定电压[/font][font=Calibri]+10~+12V[/font][/font][font=宋体][font=宋体]操作温度[/font][font=Calibri]-40[/font][font=宋体]～[/font][font=Calibri]+85[/font][font=宋体]°[/font][font=Calibri]C[/font][font=宋体]，储存温度[/font][font=Calibri]-55[/font][font=宋体]～[/font][font=Calibri]+125[/font][font=宋体]°[/font][font=Calibri]C[/font][/font]

  • EDS探测器收集X射线是一个一个收集的吗？

    最近在学习EDS，ＥＤＳ原理是Si(Li)半导体检测器检测到不同能量的X射线，激发出不同数量（与XS射线能量成正比）的电子空穴对，经过前置放大器变成电流脉冲，再由主放大器转变成电压脉冲，经多道脉冲分析器成谱图（电压脉冲强度属于哪一通道，谱图横坐标能量就确定了，而有几个这样的电压脉冲，对应着谱图纵坐标的信号强度）。有个问题就是电子束打到样品上，瞬间产生的X射线肯定是各种能量的都有的，各种能量的X射线肯定一起到达探测器上的，他们怎么一个一个分别在检测器上产生电子空穴对的？（如果好多能量的X射线一起到探测器上，结果就有类似加峰的感觉）还有就是零峰的作用，好像上面的EDS谱图的获得和零峰没什么关系呀？为什么会有一个零峰呢？好像零峰又叫噪音峰，为啥呀？我看了一个fengyonghe专家的解释（[font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=16px][color=#333333]零峰（也称零选通脉冲、零开关），是能量为0eV附近的虚拟峰。用于监测能量刻度的起始点，谱仪的分辨率和活时间）但是还是不明白呀，就是能量为0 的位置为什么会有一个这么强的峰呢？[/color][/size][/font][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=16px][color=#333333][/color][/size][/font][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=16px][color=#333333]跪求各位大佬解答，感谢！[/color][/size][/font]

  • 低噪声放大器在射频测试测量中的应用

    [color=#333333]低噪声放大器[/color]除了用于接收机的信号放大以外，在测试和测量中也经常用到。以下列举了一些低噪声放大器在射频测试和测量中的典型应用。 [b]一、用于电磁环境测量[/b] 电磁环境测量是保证各类无线电业务正常开展的必要环节，是合理、有效利用有限的无线电频谱资源的基木技术保障。下图是一个典型的电磁环境测量系统的方框图。[align=center][img=gooxian-噪声放大器-1]http://www.gooxian.com/Storage/master/gallery/201711/20171107105413_8860.jpg[/img][/align][align=center]电磁环境测量系统[/align] 在这个系统中，低噪声放大器是核心部件。 以下就是低噪声放大器在这个应用中的基本要求和相关指标： 1、基本要求 系统的基本要求是噪声电平（频谱分析仪的底噪声）要比被测信号的幅度至少小10dB，而且采用低噪声放大器后不应产生影响测试精度的假信号。 2、带宽 假设系统的带宽是1~18GHz，那么是采用多个倍频程带宽的放大器还是采用一个宽带放大器实现呢？这里有二种选择，一是采用四个放大器来覆盖，包括1`2GHz、2~4GHz、4~8GHz和8~18GHz。选择这种方案的测试者认为可以利用窄带放大器的带外抑制特性，在测试点附近的、不在测试目标内的大信号在某种程度上被放大器抑制了。但实际上，放大器并不会定义带外的传输特性也就是说，这种选择的“优点”无法化。但相对于宽带放大器，窄带放大器具有更高的增益和更低的噪声系数。 另一种选择是采用一个宽带放大器（1~18GHz）来实现全频段覆盖，这种方案的最大优点就是可以“一览无余”地在频谱分析仪上观察到整个频段内的频谱。对于可能出现的由大信号产生的假信号，可以用一组滤波器来滤除。这种方案具有更强的灵活性，同时为测试者提供了更宽的视角。 3、增益 无论是窄带还是宽带的低噪声放大器，都具有足够高的增益来满足电磁环境测量的要求，在这个应用中，可以选用25~35dB增益的低噪声放大器。 4、噪声系数 按照倍频程设计的窄带放大器（如4~8 GHz）可以做到很低的噪声系数，其典型值为1dB；而宽带放大器（1~18 GHz）的噪声系数也只比其高1dB左右。 综合以上因素，在电磁环境测量应用中，用宽带低噪声放大器更为合适。 [b]二、用于基站杂散测量[/b] 在蜂窝基站的杂散测量项目中，有—项落入系统内部接收频段的杂散和互调测试，这项测试对频谱分析仪[url=http://www.hyxyyq.com][color=#ffffff].[/color][/url]有很高的要求，如果频谱分析仪的底噪声无法满足测试要求，可以采用低噪声放大器来协助完成（如下图）。[align=center][img=gooxian-噪声放大器]http://www.gooxian.com/Storage/master/gallery/201711/20171107105427_4250.jpg[/img][/align][align=center]用低噪声放大器配合基站杂散测量[/align]

  • 【求助】国产PbS探测器性能怎样？

    想买个探测器测红外，到2500nm。主要是光谱透射或反射信号。询了一下价格，进口InGaAs的带制冷的要4万多人民币。国产PbS不带制冷，超便宜。几千块。不知道性能怎么样，噪声大不大。哪些大侠有用过吗。进口的PBS价格多少？谢谢！

  • 知芯外延：聚焦短波红外探测器研发，助力西安走上“追光”路

    [color=#000000]陕西知芯外延半导体有限公司（简称：知芯外延）于2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器、硅光集成产业、超高速通讯器件等各个方向产品的升级。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c45ee993-8944-4fb1-a1b4-793fe9fb49f5.jpg[/img][/align][color=#000000]知芯外延主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c5db2606-b780-4d94-bda7-1f42d7adfd8e.jpg[/img][/align][color=#000000]基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。项目促进光电子产业创新链发展的同时，也为产业链的发展提供了核心技术支撑，助力西安走上“追光”路。[/color][来源：MEMS][align=right][/align]

  • 知芯外延：聚焦短波红外探测器研发，助力西安走上“追光”路

    [color=#000000]陕西知芯外延半导体有限公司（简称：知芯外延）于2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器、硅光集成产业、超高速通讯器件等各个方向产品的升级。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c45ee993-8944-4fb1-a1b4-793fe9fb49f5.jpg[/img][/align][color=#000000]知芯外延主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c5db2606-b780-4d94-bda7-1f42d7adfd8e.jpg[/img][/align][color=#000000]基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。项目促进光电子产业创新链发展的同时，也为产业链的发展提供了核心技术支撑，助力西安走上“追光”路。[/color][来源：MEMS][align=right][/align]

  • 基于黑磷纳米片的自供电光探测器构筑与性能

    基于黑磷纳米片的自供电光探测器构筑与性能

    光探测器是一种能够将光信号转换为电信号的装置，其在诸多领域都有着广泛的应用。与此同时，低维材料在线提供的二维层状材料因其优异的内秉光电特性而常常被用于光电探测的研究。全国纳米技术标准化技术委员会低维材料工作组的专家介绍，黑磷作为一种新的二维层状半导体材料，具有较高的载流子迁移率、各向异性的光电性质、可调控的直接带隙以及高的开关比，因而被人们认为是制造高性能光电探测器的理想材料之一。与此同时，研究表明减小层状材料的厚度能够有效提高材料的电输运性能，改善能带结构并有利于提升材料的光探测能力，所以少层黑磷纳米片在光电领域具有极大的应用价值。然而，二维黑磷纳米片在外界条件下暴露时会遭受严重的氧化，这极大地阻碍了其开发应用的开展。近日，湘潭大学钟建新教授团队的祁祥副教授课题组和深圳市黑磷光电技术工程实验室主任深圳大学张晗教授课题组采用KOH作为电解液，在溶液的环境下测试了少层黑磷纳米片的自供电光探测性能并研究了其稳定性情况。从图中可看出，基于二维黑磷纳米片的自供电光探测器展现出优异的光响应性能以及良好的环境稳定性，不同入射光强度下二维黑磷纳米片光响应率在1.9到2.2μAW[sup]-1[/sup]的范围内波动，表现出较为稳定的敏感度。同时，光探测器的电流密度随着入射光的强度增强而线性增加，也符合光电化学型光探测器的特性。除此之外，研究结果还表明碱性电解液的存在有助于维持黑磷纳米片的稳定性。黑磷纳米片在0.1MKOH电解液中的光电流能达到265nA/cm[sup]2[/sup]，24个小时后光电流密度从265 nA/cm[sup]2[/sup]略微衰减到243nA/cm[sup]2[/sup]，这也就意味着黑磷纳米片在KOH电解液中具有优异的光探测能力以及良好的稳定性。不仅如此，通过对KOH电解液的浓度和外界偏压进行调控，他们还进一步的优化了黑磷纳米片的光探测性能。该工作不仅研究了黑磷纳米片光探测性能和电解液浓度的关系，还表明黑磷纳米片作为低功耗光探测器件的良好性能与潜力。综上所述，黑磷在碱性溶液中所表现出来的高稳定性和光响应性能，使得光电化学型光探测器结构具有极大的研究意义以及潜在的应用价值。在这个工作中，他们研究了黑磷纳米片光探测器的基本性能，为进一步研发基于黑磷纳米片的光探测器提供研究基础以及技术路线。目前巨纳集团低维材料在线商城91cailiao.cn，提供的各类二维材料,一维材料,零维材料,如黑磷BP,石墨烯,纳米管,HOPG,天然石墨NG,二硫化钼MoS2，二硫化钨WS2，hBN氮化硼晶体，二碲化钨WTe2，二硫化铼ReS2，二硒化铼ReSe2等，受到了科研工作者的一致好评。[img=,690,642]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707141029_01_2047_3.png[/img]

  • ALN1400-07-3225微波低噪声放大器

    [font=Calibri][font=宋体]微波低噪声[/font][/font][font=宋体]放大器[/font][font=Calibri][font=宋体]一般作为各种无线通讯接收器高频率或中高频前置[/font][/font][font=宋体]放大器[/font][font=Calibri][font=宋体]和高活络电子检测设备的扩大电路。在扩大噪声信号时，功率[/font][/font][font=宋体]放大器[/font][font=Calibri][font=宋体]自身的噪声也许会严重频率干扰，因而期望微波低噪声[/font][/font][font=宋体]放大器[/font][font=Calibri][font=宋体]削减这类噪声从而进步输出的噪声系数。[/font][/font][url=https://www.leadwaytk.com/article/5088.html]ALN1400-07-3225[/url][font=宋体]微波低噪声放大器在大多数无线通讯和微波射频应用中具有重要作用，提供功率放大和噪声极小化，从而提高接收性能、拓展通信网络范围，提供[/font][font=宋体]安全可靠的[/font][font=宋体]数据通讯。[/font][font=宋体]特征：[/font][font=宋体][font=Calibri]13.5GHz[/font][font=宋体]至[/font][font=Calibri]14.5GHz[/font][font=宋体]的宽带操控[/font][/font][font=宋体][font=宋体]低[/font][font=Calibri]VSWR[/font][font=宋体]，无条件稳定性[/font][/font][font=宋体]体积较小，成本费用低[/font][font=宋体][font=Calibri]SMA[/font][font=宋体]母连接器[/font][font=Calibri]I/O[/font][font=宋体]。[/font][/font][font=宋体][font=宋体]单直流稳压电源，内部电压调节器，额定电压[/font][font=Calibri]+8~+12V[/font][/font][font=宋体][font=宋体]操作温度[/font][font=Calibri]-20~+60[/font][font=宋体]°[/font][font=Calibri]C[/font][font=宋体]，储存温度[/font][font=Calibri]-55~+125[/font][font=宋体]°[/font][font=Calibri]C[/font][/font]

  • 传统一维点,线探测器和全二维面探测器XRD残余应力仪比较

    [color=#333333]全二维面探测器残余应力仪与传统一维点,线探测器残余应力仪比较区别：[/color][color=#333333]（1）传统一维点，线探测器残余应力仪——sin2Ψ 1）通过测量应力引起的衍射角偏移，从而算出应力大小。测量时需要多次（一般5-7次）变X射线的入射角，并且调整一维探测器的位置找到相应入射角的衍射角 2）施加应力后，通过测角仪得到衍射角发生变化的角度，从而计算得到应力数据（2）圆形全二维面探测器残余应力仪——基于cosα方法 1）单角度一次入射后，利用二维探测器获得完整德拜环。通过比较没有应力时的德拜环和有应力状态下的变形德拜环的差别来计算应力下晶面间距的变化以及对应的应力 2）施加应力后，分析单次入射前后德拜环的变化，即可获得全部残余应力信息 世界首款基于二维探测器和cosα分析方法的新一代X射线残余应力分析仪，将利用X射线研究残余应力的测量速度和精度推到了一个全新的高度，总体说来它比传统方法具有如下优点：1，圆形全二维面探测器残余应力仪优点： 更快： 二维探测器获取完整德拜环，单角度一次入射测量即可完成测量，全过程平均约90秒 更精确：一次测量最多可获得500个数据点，用于拟合计算应力。无应力铁粉残余应力测定的精度为±2MPa（欧美标准无应力铁粉残余应力测定的精度要求为正常±6.9MPa,最大±14MPa.） 更轻松：无需测角仪，单角度一次入射即可，复杂形状和狭窄空间的测量不再困难 更方便：测量精度高， 无需冷却水、野外工作无需外部供电 更强大：有区域应力分布测量成像（Mapping）功能，软件有晶粒大小、材料织构、残余奥氏体信息分析功能2，传统一维点，线探测器残余应力仪： 1，设备笨重，不适合检测比较大的工件或设备 2，需要测角仪，每次摄入，要多点d-sin2Ψ曝光模式，互相关法计算峰位移。增加仪器成本 3，需要水冷系统，冷却液温度过高或其它流动不畅通时机器不能工作，增加仪器使用成本。 4，操作复杂，必须专业长时间培训或有经验的人员才能操作。检测时间长，每次测量必须转角，人工误差大。 5，设备故障率高，不管是，测角仪，冷却系统或测角角度有一处故障，设备就不能正常工作。 6，价格昂贵，测角仪和冷却系统大大增加了设备成本，维修费用及高。[/color]

  • 紫外光谱仪的紫外探测器贵很多吗

    听说杭州聚光已经批量生产紫外的荧光光谱仪了。为什么国内那么多的光谱仪厂家，都只做可见光的荧光光谱仪呢？问题是出在什么地方？一般来说，只要探测器的响应范围可以达到紫外，其他光学部件响应范围一般不是问题，所以是价格上出了问题吗？紫外探测器的价格比普通可见光探测器的价格高很多吗？

  • X射线探测器和X射线光管求导购

    新手一枚，想做利用能散型X射线荧光光谱分析矿物中Al、Si含量大致范围，领导让买XRF探测器和X光管，让我选产品。看文献大家都用的是国外的，像Varian、COMET、牛津的光管，还有AmpTek、Moxtek的探测器。但是不知道实际价位和性能如何，实在不会选了。请问各位大神能不能给说明一下详细情况（价位、性价比）？我该怎么选？还有没有国内的比较好的品牌？另外多通道脉冲幅度分析器是不是都和XRF探测器集成在一起了？单买的话有什么合适的品牌？还有是不是探测器现在都是配有相应分析软件的啊？从来没接触过光学相关技术，实在头疼，小女子在此谢过各位了，拜托拜托~

  • 求红外光谱仪所用探测器

    欲买用于NDIR红外分析的探测器,推荐几款性价比好的 热释电探测器, 热电偶和热电堆也行, 碲镉汞探测器也行 发一份详细资料到信箱augustcool214@sina.com.cn,谢谢 最好有报价(大概)

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