强度调制光电流光电位测试仪

仪器简介：Autolab系列电化学工作站素以模块化设计、皮实稳定、软件一流著称。PGSTAT302N型电化学工作站是Autolab系列中一款通用型的高性能电化学综合测试仪，能满足用户的绝大多数测试需要。在这个基础之上，它还能够配置所有的可选模块和外部设备，以满足特殊的测试要求。可选扩展模块：FRA2频率响应分析模块/BOOSTER10A大电流扩展模块（10A）/BOOSTER20A大电流扩展模块（20A）/BA双恒电位仪模块/ECN电化学噪声模块/ECD小电流放大器模块/LOAD.INT动态负载接口/VOLT.MULT增压器模块/HIGH.VOLT.DIV分压器模块/MUX多通道序列测试模块/ADC10M超快速取样模块/SCAN250超快速线性扫描模块/FI20模块/pX模块可选附件：电解池和配件/RDE旋转圆盘电极/RRDE选装环盘电极/腐蚀电解池/平板电解池/金片涂布器/VA663极谱工作台/EQCM石英晶体微天平主要应用领域： 电分析 腐蚀 储能设备（燃料电池、电池、太阳能光伏电池、超级电容器等） 电镀、 电解、 电合成 生物传感器 微纳米器件 光谱电化学技术参数：最大输出电流：±2A最大输出电压：±30V施加电位范围：±10V循环伏安最大扫速：250V/s施加电位精度：设定±2mV之±0.2%电流范围：10nA-1A 九档，自动选择范围施加和测量电流精度：电流之±0.2%和电流范围之±0.2%施加电流分辨率：电流范围之0.03%测量电流分辨率：电流范围之0.0003%输入阻抗：1Tohm//8pF响应时间：250ns交流阻抗频率范围：10μHz-1MHz主要特点： 模块化设计，可扩展能力强； 仪器前面板自带高清LED背光液晶显示屏，可实时显示电流电位值； 2个外部信号输入/输出信道，可对RDE、RRDE、VA663、EQCM等进行自动控制； 取样频率高达50 kHz, 若配置ADC10M模块后，取样频率将增大到10MHz，即每100ns取一个点； 交流阻抗可以一次性进行全范围测量而不需要分段测试。同时，允许对每一个频率设置不同的波幅。可 提供多波形（5或15个波形）的测量模式，大大缩短低频部分的测试时间。支持流体动力学交流阻抗EHD方法、强度调制光电流谱IMPS方法和强度调制光电流IMVS方法。 多达六种阻抗测试模式：常规的单电位下的频率扫描阻抗测量方法；电位频率扫描；恒电位下的时间频率扫描；单电流下的频率扫描；电流频率扫描；时间频率扫描； 基于微软开发的NOVA软件，除了支持几乎所有的固化电化学测量方法外，还可以让用户自行设计各种测量条件，从而开发出特有的测量方法，随心所欲地将自己的想法和需要得到充分实现。一个程序中包括所有的直流和交流方法自动存储数据，从而不必担心突然断电支持USB模式：每单个测量80000个数据点支持所有的新仪器和新模块可记录任意多的附加外部信号任意选择2D或3D图形用户可自定义动态程序，而且可以附带数据分析过程的程序可以进行不限制数量的阶跃方法，并可以关闭或打开数据取样

主要功能及特点 Gamry IMPS/IMVS测试系统包括一个微型光学平台和用于扣除背景的dummy cell。Gamry 3D打印的电池夹具可以容纳各种大小的太阳能电池，灵活的配置可使您采用各种颜色LED。Gamry提供红光，蓝光，橙光，黄光以及白光，您也可以使用自己的光源。 了解电荷产生和复合过程采用任一光源——红光，白光，蓝光，橙光，黄光灵活的配置包含dummy cell频率达到1MHz电化学测试技术Cyclic VoltammetryPotentiostatic EISPotentiostaticI-V曲线IMPS/IMVS太阳能电池的效率

光电流、开路电压的瞬态特性、载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程等是表征新型太阳电池器件的重要参数。由于新型太阳电池器件存在面积小、光电流小等特性，非常难以准确测量出光电流随时间的变化，我们可以利用光焱科技TPC/TPV钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪，对有机太阳能电池OPV、钙钛矿太阳能电池PSC、量子点太阳能电池、染料敏化太阳能电池DSSC、无机太阳能电池等光电器件进行微观机理测试，进而全面分析光电器件中的载流子特性和瞬态过程。光焱科技-钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪（TPC/TPV）钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪原理钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪是研究半导体光生载流子动力学过程和反应历程的强有力手段之一，它可以获得半导体体内光生载流子产生、俘获、复合、分离过程的重要微观信息。钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪实现了对电荷抽取和电荷传输能力的表征，研究光生电子的传输行为，其光电压响应包括上升和衰退两部分，光电压上升部分在物理上对应于导电基底电子浓度增加，此过程由光生电子扩散到达基底引起，光电压下降部分主要对应于电子离开导电基底的复合过程，是光生载流子动力学及光生电子的传输行为的研究利器。钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪范围有机太阳能电池OPV无机半导体光电器件有机半导体光电器件染料敏化太阳能电池DSSC钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）钙钛矿太阳能电池瞬态光电流光电压测试仪测试数据TPVTPC

傅立叶变换光电流测试仪 (FTPS) / 高灵敏度外量子效率 (HS-EQE)产品介绍产品简介在半导体器件中，不完整的结晶度往往会导致禁带隙中的缺陷或陷阱态，这极大地影响了器件的整体光学和电学性能。由于带隙中的吸收系数极低，产生的光电流信号也极弱。因此，需要高度灵敏的检测系统。 光焱科技FTPS傅立叶变换光电流光谱仪是一种高灵敏度的光电流和外量子效率 (HS-EQE) 光谱系统。它利用傅里叶变换信号处理技术来增强和突破光电流信号检测极限。较低的 EQE 水平可以低至 10-5%（7 个量级）*。 FTPS可用于检测钙钛矿太阳能电池的尾态、有机太阳能电池的电荷转移状态，这是改善Voc损失机制的关键。另一个常见的应用是 Urbach 能量测量。特色*陷阱状态、缺陷状态或电荷转移状态的直接光谱学证据。*波长范围：1.1~2.07 eV (600nm~1100nm)；选项：0.7 eV~2 eV (600nm~1700nm)。*Turn-key解决方案；安装后产生可靠的光谱数据。节省时间和成本效益（至少1年和2万美元）。*完整的培训课程，包括操作和基本背景培训。*超过 50 篇 SCI 期刊论文证明。*不仅仅是数据采集，还包括能级拟合! 提供CTS和Urbach能级拟合软件。系統設計规格10-5%（7 个量级）* FTPS系统的检测动态可以达到7 个量级，但较低EQE水平由DUT的热噪声本身决定。实证光焱科技FTPS傅立叶变换光电流光谱仪实证如下： * Organic PV INFO 于 2021 年 2 月 18 日报道说，了解并大限度地减少性能损失对于实现更高的 OPV 效率至关重要。 PECT-600 的 FTPS 系统正在帮助研究人员了解 Voc 损失机制的细节。*~18% 有机太阳能电池：Enlitech 的 Voc 损耗分析工具用于开发有机光伏电池的新材料，效率达到了近 18%。*~17% 有机太阳能电池：Enlitech 的量子效率测量系统被用于Voc损耗计算，并开发了效率近17%的有机太阳能电池。*钙钛矿太阳能电池 (Voc=1.16V)：Enlitech 的Voc损失分析技术提供了用Lewis碱抑制非辐射重组损失的证明。过氧化物太阳能电池的Voc值从1.10 V提高到1.16 V。

瞬态光电流/光电压测试系统用于太阳能电池瞬态光电性能测量（载流子迁移率测量，瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS），对于光电器件微观机理研究提供了有力的测试工具；多功能一体化高性能瞬态测试平台，不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、调制光电流谱IMPS、瞬态光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用： * 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； * 有机太阳能电池OPV； * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED； * 无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）； * 染料敏化太阳能电池DSSC；主要测量功能 * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试 & I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） * 载流子密度，载流子动力学过程（瞬态光电流法 TPC） * 载流子寿命，载流子符合动力学过程（瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV） * 载流子迁移率（暗注入瞬态法 DIT，单载流子器件&OLED） * 串联电阻，几何电容，RC时间（电压脉冲法 Pulse Voltage） * 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV） * 载流子迁移率，载流子密度（光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV） * 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV） * 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV） * 几何电容，电容率（MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV） * 陷阱强弱度，等效电路（阻抗谱测试 IS） * 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（电容VS频率 C-f） * 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（电容VS电压 C-V） * 陷阱分析（深能级瞬态谱DLTS） * 载流子传输时间分析（强度调制光电流谱 IMPS）； * 载流子复合时间、收集效率等分析（强度调制光光电压谱IMVS）； * 点亮电压（电流电压照度特性 I-V-L） * 发光寿命，载流子迁移率（瞬态电致发光法 TEL） *载流子迁移率（TEL瞬态电致发光，Photo-CELIV线性增压抽取载流子） *OLED/钙钛矿LED发光特性测量（发光器件测量）；测量技术： 1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等； 2）瞬态光电流（TPC）：研究载流子动力学过程和载流子密度等； 3）瞬态光电压（TPV）：研究载流子寿命和复合过程； 4) 双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程； 5) 暗注入瞬态法（Dark Injection）：对于单载流子器件和OLED，研究其载流子迁移率； 6) 电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析； 7) 暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量； 8) 光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility，及载流子浓度分析等； 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：几何电容和相对介电常数分析； 12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：器件等效电路分析等； 13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量； 14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量； 15) 深能级瞬态谱（DLTS）：陷阱分析； 16）强度调制光电流谱（IMPS）：载流子传输时间分析； 17）强度调制光光电压谱（IMVS）：载流子复合时间、收集效率等分析； 18）瞬态电致发光测试（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的载流子，磷光寿命测量；另外，我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备： 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统； 2.太阳能电池测量系统（光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统，I-V曲线测量系统），太阳能电池测试仪； 3.太阳能电池I-V曲线测量系统； 4.I-V 数据采集系统； 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器； 6.太阳能电池分选机； 7.太阳能电池I-V测试仪； 8.分光辐射度计， 9.参考电池/标准电池， 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统； 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统； 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统； 13.太阳能电池少数载流子测量系统；

强度调制光电流谱和强度调制光电压谱（IMPS/IMVS）测试设备，用于太阳能电池瞬态光电性能测量（载流子迁移率测量，瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS），对于光电器件微观机理研究提供了测试工具；多功能一体化高性能瞬态测试平台，不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用： * 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； * 有机太阳能电池OPV； * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED； * 无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）； * 染料敏化太阳能电池DSSC；主要测量功能 * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试 & I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） * 载流子密度，载流子动力学过程（瞬态光电流法 TPC） * 载流子寿命，载流子符合动力学过程（瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV） * 载流子迁移率（暗注入瞬态法 DIT，单载流子器件&OLED） * 串联电阻，几何电容，RC时间（电压脉冲法 Pulse Voltage） * 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV） * 载流子迁移率，载流子密度（光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV） * 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV） * 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV） * 几何电容，电容率（MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV） * 陷阱强弱度，等效电路（阻抗谱测试 IS） * 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（电容VS频率 C-f） * 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（电容VS电压 C-V） * 陷阱分析（深能级瞬态谱DLTS） * 载流子传输时间分析（强度调制光电流谱 IMPS）； * 载流子复合时间、收集效率等分析（强度调制光光电压谱IMVS）； * 点亮电压（电流电压照度特性 I-V-L） * 发光寿命，载流子迁移率（瞬态电致发光法 TEL） *载流子迁移率（TEL瞬态电致发光，Photo-CELIV线性增压抽取载流子） *OLED/钙钛矿LED发光特性测量（发光器件测量）；测量技术： 1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等； 2）瞬态光电流（TPC）：研究载流子动力学过程和载流子密度等； 3）瞬态光电压（TPV）：研究载流子寿命和复合过程； 4) 双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程； 5) 暗注入瞬态法（Dark Injection）：对于单载流子器件和OLED，研究其载流子迁移率； 6) 电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析； 7) 暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量； 8) 光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility，及载流子浓度分析等； 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：几何电容和相对介电常数分析； 12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：器件等效电路分析等； 13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量； 14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量； 15) 深能级瞬态谱（DLTS）：陷阱分析； 16）强度调制光电流谱（IMPS）：载流子传输时间分析； 17）强度调制光光电压谱（IMVS）：载流子复合时间、收集效率等分析； 18）瞬态电致发光测试（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的载流子，磷光寿命测量；另外，我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备： 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统； 2.太阳能电池测量系统（光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统，I-V曲线测量系统），太阳能电池测试仪； 3.太阳能电池I-V曲线测量系统； 4.I-V 数据采集系统； 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器； 6.太阳能电池分选机； 7.太阳能电池I-V测试仪； 8.分光辐射度计， 9.参考电池/标准电池， 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统； 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统； 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统； 13.太阳能电池少数载流子测量系统；

瞬态光电流/瞬态光电压测量系统（TPC/TPV），用于太阳能电池瞬态光电性能测量（载流子迁移率测量，瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS），对于光电器件微观机理研究提供了有力的测试工具；多功能一体化高性能瞬态测试平台，不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用： * 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； * 有机太阳能电池OPV； * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED； * 无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）； * 染料敏化太阳能电池DSSC；主要测量功能： * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试 & I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） * 载流子密度，载流子动力学过程（瞬态光电流法 TPC） * 载流子寿命，载流子符合动力学过程（瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV） * 载流子迁移率（暗注入瞬态法 DIT，单载流子器件&OLED） * 串联电阻，几何电容，RC时间（电压脉冲法 Pulse Voltage） * 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV） * 载流子迁移率，载流子密度（光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV） * 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV） * 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV） * 几何电容，电容率（MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV） * 陷阱强弱度，等效电路（阻抗谱测试 IS） * 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（电容VS频率 C-f） * 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（电容VS电压 C-V） * 陷阱分析（深能级瞬态谱DLTS） * 载流子传输时间分析（强度调制光电流谱 IMPS）； * 载流子复合时间、收集效率等分析（强度调制光光电压谱IMVS）； * 点亮电压（电流电压照度特性 I-V-L） * 发光寿命，载流子迁移率（瞬态电致发光法 TEL） *载流子迁移率（TEL瞬态电致发光，Photo-CELIV线性增压抽取载流子） *OLED/钙钛矿LED发光特性测量（发光器件测量）；测量技术： 1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等； 2）瞬态光电流（TPC）：研究载流子动力学过程和载流子密度等； 3）瞬态光电压（TPV）：研究载流子寿命和复合过程； 4) 双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程； 5) 暗注入瞬态法（Dark Injection）：对于单载流子器件和OLED，研究其载流子迁移率； 6) 电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析； 7) 暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量； 8) 光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility，及载流子浓度分析等； 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：几何电容和相对介电常数分析； 12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：器件等效电路分析等； 13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量； 14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量； 15) 深能级瞬态谱（DLTS）：陷阱分析； 16）强度调制光电流谱（IMPS）：载流子传输时间分析； 17）强度调制光光电压谱（IMVS）：载流子复合时间、收集效率等分析； 18）瞬态电致发光测试（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的载流子，磷光寿命测量； 另外，我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备： 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统； 2.太阳能电池测量系统（光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统，I-V曲线测量系统），太阳能电池测试仪； 3.太阳能电池I-V曲线测量系统； 4.I-V 数据采集系统； 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器； 6.太阳能电池分选机； 7.太阳能电池I-V测试仪； 8.分光辐射度计， 9.参考电池/标准电池， 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统； 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统； 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统； 13.太阳能电池少数载流子测量系统；

可控强度调制光电化学谱仪 IMPS / IMVS系统可以完成 IMPS和IMVS等多种光电化学测试功能。可控强度调制光电化学谱仪 IMPS / IMVS 采用实时闭环快速控制技术来调节和调制光强, 从而保证了光源的绝对稳定性和可靠性。 在仪器匹配的光源内装有光强传感器, 工作时系统自动比较并计算测得的实际光强与设定值的偏差并加以快速校正,这样就消除了由于光源器件的非线性、老化、以及温度漂移产生的光强输出误差。仪器还可以直接输入单位为（W/cm2）的具体数值校正光源，非常方便。札纳CIMPS光电化学系列产品的型号：CIMPS-ProZennium Pro 电化学工作站 PP212 外置恒电位/恒电流仪，用于光源强度调制和驱动 EPC42控制模块 光具座，传感器，光感放大反馈系统 CIMPS及Thales软件CIMPS-X Zennium X 电化学工作站 PP212 外置恒电位/恒电流仪，用于光源强度调制和驱动 EPC42控制模块 光具座，传感器，光感放大反馈系统 CIMPS及Thales软件CIMPS可以配置以下各种配件选件：CIMPS-abs、CIMPS-QE/IPCE、CIMPS-dtr、CIMPS-emit、CIMPS-fit，光电化学池、365nm-1550nm 智能光源 可选光源：Zahner的光电化学系统使用独特的智能LED单色光源，每一个光源都有可溯源的NIST标准的标定数据。系统自动识别每一个光源的标识芯片，标识芯片中包含光源的所有信息。光源单元具有自动过载保护功能。 CIMPS应用方法：使用Zahner 的CIMPS系统测量光电输运函数与执行电化学阻抗或循环伏安法实验一样方便。Zahner公司的Thales软件已经内置了多种标准的光电测试技术。模拟与拟合软件SIM允许用户自定义各种不同的等效电路元件以及电子输运函数，极大的降低了光电输运函数中频率依赖性关系分析的难度。CIMPS软件能够实现以下光电化学实验：静态光电压曲线/静态光电流曲线IMPS/IMVS动态光致电压效率，动态光致电流效率 填充因子(FF)，开路电压（Voc)），短路电流(Isc)，功率(Pmax)，峰值转化效率(PCE)可编辑的时域谱测量，瞬态光强度下电压，电流时间谱斩光伏安法-CLV电荷抽取等方法-Charge extraction常规电化学测量（EIS，IV等）

光电流成像系统所属类别： ? 专用实验设备 ? 拉曼/PL/光电流 成像系统所属品牌：韩国Nanobase公司 激光共聚焦光电流成像系统，带低温探针台 XperRam CONFOCAL RAMAN-PHOTOCURRENT/ EL WITHPROBESTATION, CRYOSTATENVIRONMENT 超高性价比光电流成像系统，同时可用于拉曼光谱成像，荧光光谱成像。u 独特的激光扫描技术，具有优异的扫描分辨率和重复性 激光扫描分辨率 0.02 um & 重复性 0.1 μmu 体相全息光栅光谱仪 光透过率90%，比反射式光栅高30%，信号传输效率更高u 具有Raman/PL/光电流等多种测量模式u 结构紧凑，模块化设计u 扫描速度快，扫描范围大200μm x 200μm范围内高速成像 & 2D Mapping (x 40 objective) 探针台，拉曼光谱成像，PL，荧光光谱成像，光电流光谱成像，拉曼 mapping，PL mapping，photocurrent mapping，光电流mapping，荧光mapping 韩国Nanobase公司最新推出的激光共聚焦光电流成像系统（光电流mapping）结合了探针台和激光共聚焦成像系统，不仅可以用作探针台，还可以用于光电流成像，同事扩展支持拉曼光谱成像和荧光光谱成像，产品具有如下特点： ? 客制化，可升级设计? 200μm x 200μm 大面积快速扫描成像 & 2D Mapping (x 40 objective)? 采用VPHG体相全息光栅，光通过率高。? 易于使用和维护? 可升级至拉曼光谱成像和荧光光谱成像 光学参数：激发光源445，532，635，808，1530nm等显微镜（标配）X40，NA=0.75光谱范围30cm-1到6000cm-1激光扫描分辨率 0.02 um & 重复性 0.1 μmFOV：200μm x 200μm@40X物镜激光扫描光谱范围VIS：450-700nm NIR 1：650-1050nmNIR 2: 1050-1550nm 探针台参数：探针台6寸真空吸附卡盘，光谱范围30cm-1到6000cm-1XY方向移动范围150 x 150mm, 分辨率5um FOV：200μm x 200μm@40X物镜Z方向移动范围上/下10mm, 分辨率1um探针头金，钨高精度定位器PH-C15, 10fA leakage current 4SET 配备独特的激光扫描装置 应用实例： 应用领域：材料学，功能材料，纳米材料，二维材料（石墨烯，二硫化钼等），铁电陶瓷等生物医学，细胞成像，疾病检测，皮肤分析等半导体，太阳能电池和OLED等 相关产品惊爆价！50万RMB！高速大面积共聚焦拉曼成像系统 显微拉曼成像光谱仪 光致发光成像光谱仪

简介：瞬态光电流（TPC)/瞬态光电压（TPV）测量系统主要用于太阳能电池在稳态，瞬态以及交流条件下的光电性能测量（载流子迁移率测量Photo-CELIV，瞬态光电流测量TPC、瞬态光电性能测量TPV、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS以及阻抗IS,CV等量测）为光电器件微观机理研究提供了有力的测试平台；多功能一体化高性能瞬态测试平台，不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。可量测器件类型： * 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； * 有机太阳能电池OPV； * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED； * 无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）； * 染料敏化太阳能电池DSSC； 主要测量功能： * 最大功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试 & I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） * 载流子浓度，载流子动力学过程（瞬态光电流法 TPC） * 载流子寿命，载流子符合动力学过程（瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV） * 载流子迁移率（暗注入瞬态法 DIT，单载流子器件&OLED） * 串联电阻，几何电容，RC时间（电压脉冲法 Pulse Voltage） * 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV） * 载流子迁移率，载流子密度（光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV） * 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV） * 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV） * 几何电容，电容率（MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV） * 陷阱强弱度，等效电路（阻抗谱测试 IS） * 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（电容VS频率 C-f） * 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（电容VS电压 C-V） * 陷阱分析（深能级瞬态谱DLTS） * 载流子传输时间分析（强度调制光电流谱 IMPS）； * 载流子复合时间、收集效率等分析（强度调制光光电压谱IMVS）； * 点亮电压（电流电压照度特性 I-V-L） * 发光寿命，载流子迁移率（瞬态电致发光法 TEL） *载流子迁移率（TEL瞬态电致发光，Photo-CELIV线性增压抽取载流子） *OLED/钙钛矿LED发光特性测量（发光器件测量）；测量技术： 1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等； 2）瞬态光电流（TPC）：研究载流子动力学过程和载流子密度等； 3）瞬态光电压（TPV）：研究载流子寿命和复合过程； 4) 双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程； 5) 暗注入瞬态法（Dark Injection）：对于单载流子器件和OLED，研究其载流子迁移率； 6) 电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析； 7) 暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量； 8) 光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility，及载流子浓度分析等； 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和Langevin复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：载流子迁移率量测 12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：器件等效电路分析等； 13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量； 14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量； 15) 深能级瞬态谱（DLTS）：陷阱分析； 16）强度调制光电流谱（IMPS）：载流子传输时间分析； 17）强度调制光光电压谱（IMVS）：载流子复合时间、收集效率等分析； 18）瞬态电致发光测试（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的载流子，磷光寿命测量； 应用案例：1.第三代太阳能电池的表征2. Consistent Device Simulation Model Describing Perovskite Solar Cells in Steady-State, Transient and Frequency Domain

产品介绍随着二维材料研究的蓬勃发展，其材料性能及器件工作机制都与传统半导体材料和器件有很大差异，光电流成像显微系统成为研究材料性能和检测材料光电流强度分布的重要设备，既可以用于测量光电材料的光电响应信号，又可以表征材料的光电性质。托托科技致力于开发具有高性能、高稳定性和高灵活度的微区光电流成像显微系统，系统采用双层平台机构，空间大，提供更多组合可能性，可搭配激光合束模组、高精度XY运动台、电磁场系统、低温恒温系统、锁相放大器、光谱仪系统等。系统兼容磁场、电场、低温，实现对二维材料磁、光、电、温度的调制。我们提供完整的NI Labview控制程序以方便用户的使用。软件包将所有系统中的测试设备统一控制，可以实现四种变量任意组合的光电流测试，即可以一次性测量不同变量下的光电流信号。系统结构图增强版系统外观如下，各个产品应客户要求，略有区别。产品亮点1、超宽谱激光兼容2、高精度XY运动台3、光路准直共路4、可搭配源表/探针台5、可搭配光谱仪系统/探测器6、高稳定性，操作便捷扫描数据参考Bi2Se3薄膜的光电流扫描数据(Nat. Comm. 9, 2492 (2018)) WTe2薄膜的光电流映射数据 (Nano Lett. 19, 2647 (2019)) 系统升级选项 1、搭配低温恒温系统 (5k -500k) 2、时间分辨光电流 3、荧光测试功能 4、磁场整合关键技术指标(TTT-03-PC)成像系统显微镜Carl Zeiss 正置式显微镜照明光源LED照明光源物镜5X、20X、100X，可选配多种倍率、超长焦距物镜反射式物镜，覆盖全波段相机彩色CMOS相机 (1920*1080 像素)激光耦合输入常规波长范围400 ~ 2000 nm (典型可见光：405nm、473nm、532nm、671nm，近红外：808nm、1064nm、1342nm、1550nm、1950nm)可选波长中红外激光器：4um-12um，间隔1um其他选配光源可选配光纤接口，支持光纤导入准直激光装配类型单个激光器，或者激光合束模组(支持四个激光器准直共路)扫描平台位移台类型高负载、高精度XY运动台，直线驱动，闭环反馈扫描范围100mm*100mm扫描精度50nm双向可重复性±0.5um广泛测试环境Keithley 2400或用户需求可选配探针台或者PCB板连接源表，提供电压输入及探测可搭配电磁铁、低温恒温系统可选配锁相放大器、斩波器可搭配光谱仪系统、各种探测器等检测设备其他参数软件基于labview的全自动软件设备尺寸140 cm * 100cm * 170cm附属配件光学平台、电脑、无线鼠标备注:1、订购时指定激光类型。2、设备可配置多种电学仪表。安装要求温度20 – 40℃湿度RH 60 %电源220 V, 50 Hz应用实例系统的典型应用包括但不限于：1、表征自旋累积、自旋寿命2、表征光电流3、表征反射谱

该仪器采用闭环控制技术调节和调制光强和调制, 从而保证了光源的绝对稳定性. 在仪器匹配的光源内装有光强传感器, 工作时系统自动比较并计算测得的实际光强与设定值的偏差并加以校正,这样就消除了由于光源器件的非线性、老化、以及温度漂移产生的光强输出误差。 CIMPS可以配置以下各种配件选件：CIMPS-abs、CIMPS-QE/IPCE、CIMPS-dtr、CIMPS-emit、CIMPS-fit，光电化学池、365nm-1550nm 智能光源CIMPS软件：使用Zahner 的CIMPS系统测量光电输运函数与执行电化学阻抗或循环伏安法实验一样方便。Zahner公司的Thales软件已经内置了多种标准的光电测试技术。模拟与拟合软件SIM允许用户自定义各种不同的等效电路元件以及电子输运函数，极大的降低了光电输运函数中频率依赖性关系分析的难度。CIMPS软件能够实现以下实验：1、静态光电压曲线，静态光电流曲线2、动态光致电压效率，动态光致电流效率3、填充因子，最大功率，峰值转化效率4、时域谱测量，瞬态光强度下电压，电流对时间谱5、斩光伏安法6、电荷抽取等方法7、常规电化学测量（EIS，CV等）

半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 产品介绍：载流子表征的最佳工具本系统针对光电器件 (探测器或光伏器件) 进行光电转换过程的响应行为测量与分析。利用一单色 (单波长) 的光源，对其进行连续脉冲或是周期性的光强调制后，照射到光电器件产生光生电流或是光生电压讯号，并对此进行频域或时域的测量与分析，得到光电器件光电转换过程的重要参数。包含频率响应、爬升/下降时间、LDR线型动态范围、瞬态光电压 (TPV) 、瞬态光电流 (TPC) 等光电转换能力评价参数。用以了解光电器件内部结构与载流子动力学、内部材料组成、器件结构与载流子动力学之关系。作为光电器件特性评价与性能改进的参考。半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 特色：光强线性度测量与分析频率响应测量 0~40MHz可选雷射模块系统波长雷射光调变控制频率响应测量与分析截止频率 (Cut Frequency) 计算分析Rise/ Fall time 测量与分析TPC/TPV 测量与分析高动态光强变化光学调变模块，可自动调变强度 6 个数量级半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 规格TPC/TPV 量测功能雷射波长：半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 应用：有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证Cs2Pb(SCN)2Br2 单晶光电器件性能表征2021 年 Advanced Materials 期刊报导了第一种无机阳离子拟卤化物二维相钙钛矿单晶 Cs2Pb(SCN)2Br2。作者使用 PD-RS 系统对单晶光电器件进行多种的光电转换响应行为进行测量与分析。其中包含：变光强 IV 曲线测试。变光强光电流与响应度变化测试。定电压下光电转换爬升与下降时间测试。恒定光强脉冲光的时间相关光电流响应测试。TPC/TPV 瞬态光电流/光电压测试。 恒定光强脉冲光的光电流时间响应PD-RS 系统具备高速调制能力的激光器 (爬升/下降时间 5ns)，在恒定光强脉冲光条件下，可以对器件进行光电流时间响应测试，并且分析光电器件的爬升/下降时间的分析。以了解光电器件最快的时间响应极限特征。变光强光电流与响应度变化测试 (LDR) PD-RS 具备 120 dB 光强动态范围测试能力。在软件自动化的测试光电流的变化，绘制出待测器件的线性动态范围响应图 (LDR, Linearity Dynamic Range)。LDR 试评估光电器件特性的一项重要指标。由光电流与光强的测试可以得到响应度 (mA/W) 变化，是常用于表征光电器件优劣的参数。

仪器简介：供电测试和电子分析 Solartron FRA产品的成功可以归功于下列应用的开发：电子放大器设计，电压控制振荡器，集成电路设计，相闭合回路 和开关式电源，这些已经用于电信和卫星系统。Solartron FRA还用于开发高密度磁盘激光控制特征和机器人模拟技术 (主要是在日本)。电信 传递函数包括电对电－类似于电源测试，即在我们的FRA频 率范围如模拟开关中的开关单元。新的听筒技术的开发即音 频输出到电子输出－分析麦克风电路和可替代的电子输出到 音频输出。决定产品有效性的常规标准被用于电信工业来确 定产品用于传递函数分析的可行性。工业上使用的电源也要 进行测试。新用途 目前我们的市场包括火箭推进器控制系统、卫星系统设计、 新桥梁设计制造研究、伺服系统的参数和性能分析如用于迪 斯尼乐园&ldquo 星球之旅&rdquo 的模拟从而确保大小和相位裕度能够 保持在合适的范围之内；至于建筑结构研究，只是Solartron FRA单元用途的一小部分。最近的关于FRA的应用涉及边缘 科学研究的如下文所述：强调制光电流光谱(IMPS) IMPS的目的是测定出现在半导体/电解质结合处的光电流的 响应。当半导体被照射，激发内部电子通过禁能隙，使电子 跃迁到导带和价带空穴 。使用外电路，通过记录这一反应过程中的光电流竞争过程即可以测出这些光激发载体信号，包 括电荷转移与重组，二者均为一级反应。这就导致了光激发 与响应之间的特性滞后(即相移)。IMPS的主要任务是测定光 电流的频率响应，以便推导出动力学信息。半导体中的激发 态可以通过使用强调制光源如声光调幅器＋激光，或具有特 定发射波长的发光二极管(LED)来照射材料而获得。电压调制微波反射(PMMR) PMMR技术是当电位被调制时，用来监测半导体电极的微波 反射。材料的微波反射与其电导率成正比。因电导率依赖于 载荷子密度，该技术可以直接监测界面孔与电子密度的变 化。半导体系统中，当得到关于电荷的形成和衰变的基本信 息后，就可以获得关于反应动力学的直接信息。光电化学阻抗光谱(PEIS) 该技术非常类似于IMPS，只是不是调制光，而是电压变化 之后测试阻抗。技术参数：发生器波形：正弦波，方波，三角波频率：10uHz-65kHz幅度：10mV-10.23V分辨率：1/1023主要特点：1250 系列频率响应分析仪 1250系列频响分析仪FRA为增益及相位的测量提供了 一些精确的解决方法。待测设备由正弦波来激励并在系统中分析一、二点或 更多点处的响应。然后将这些响应与激励正弦波相关去确定相对于发生器的幅度及相位。由测得的两信号 的比值就可用于求得系统的传递函数。该过程抑制所有谐波并且通过增加积分时间将即使那 些被淹没在噪声中的信号也能被精确地测量出来。1250系列中300V的量程对燃料电池堆及各种机动车 和住宅电源用的高压电池组的测量特别有用。1250系列频响分析仪的主要特性包括 ● 交流幅度范围-10mV 到10V 用于电源测试● 分析量程- 300V 也即用于自动测试系统ATS 电站 振动测试● 噪声抑制能力● 同步器选项可使发生器及载波器的信号按照频率及 相位加以锁定● 有能力分析非线性系统● 多通道分析● 1254频响分析仪有4个平行通道● 面板或软件(Visual Basic)控制操作● 调制/解调卡与交流载波系统互联控制系统 频响分析仪的标准应用是产生一个信号并将该信号接 到转换器，去激发待测系统，然后将系统响应经传感器反馈到分析仪进行测试分析。用于空气动力学测试 这些转换器安置于待测系统上，并将响应信号经过传感器再反馈到频响分析仪使体系得以表征。其典型应 用包括：● 自动化测试系统● 电源测试

仪器简介：供电测试和电子分析 Solartron FRA产品的成功可以归功于下列应用的开发：电子放大器设计，电压控制振荡器，集成电路设计，相闭合回路 和开关式电源，这些已经用于电信和卫星系统。Solartron FRA还用于开发高密度磁盘激光控制特征和机器人模拟技术 (主要是在日本)。电信 传递函数包括电对电－类似于电源测试，即在我们的FRA频 率范围如模拟开关中的开关单元。新的听筒技术的开发即音 频输出到电子输出－分析麦克风电路和可替代的电子输出到 音频输出。决定产品有效性的常规标准被用于电信工业来确 定产品用于传递函数分析的可行性。工业上使用的电源也要 进行测试。新用途 目前我们的市场包括火箭推进器控制系统、卫星系统设计、 新桥梁设计制造研究、伺服系统的参数和性能分析如用于迪 斯尼乐园&ldquo 星球之旅&rdquo 的模拟从而确保大小和相位裕度能够 保持在合适的范围之内；至于建筑结构研究，只是Solartron FRA单元用途的一小部分。最近的关于FRA的应用涉及边缘 科学研究的如下文所述：强调制光电流光谱(IMPS) IMPS的目的是测定出现在半导体/电解质结合处的光电流的 响应。当半导体被照射，激发内部电子通过禁能隙，使电子 跃迁到导带和价带空穴 。使用外电路，通过记录这一反应过程中的光电流竞争过程即可以测出这些光激发载体信号，包 括电荷转移与重组，二者均为一级反应。这就导致了光激发 与响应之间的特性滞后(即相移)。IMPS的主要任务是测定光 电流的频率响应，以便推导出动力学信息。半导体中的激发 态可以通过使用强调制光源如声光调幅器＋激光，或具有特 定发射波长的发光二极管(LED)来照射材料而获得。电压调制微波反射(PMMR) PMMR技术是当电位被调制时，用来监测半导体电极的微波 反射。材料的微波反射与其电导率成正比。因电导率依赖于 载荷子密度，该技术可以直接监测界面孔与电子密度的变 化。半导体系统中，当得到关于电荷的形成和衰变的基本信 息后，就可以获得关于反应动力学的直接信息。光电化学阻抗光谱(PEIS) 该技术非常类似于IMPS，只是不是调制光，而是电压变化 之后测试阻抗。技术参数：发生器波形：正弦波，方波，三角波 频率：10uHz-65kHz 幅度：10mV-10.23V 分辨率：1/1023主要特点：1250 系列频率响应分析仪 1250系列频响分析仪FRA为增益及相位的测量提供了 一些精确的解决方法。待测设备由正弦波来激励并在系统中分析一、二点或 更多点处的响应。然后将这些响应与激励正弦波相关去确定相对于发生器的幅度及相位。由测得的两信号 的比值就可用于求得系统的传递函数。该过程抑制所有谐波并且通过增加积分时间将即使那 些被淹没在噪声中的信号也能被精确地测量出来。1250系列中300V的量程对燃料电池堆及各种机动车 和住宅电源用的高压电池组的测量特别有用。1250系列频响分析仪的主要特性包括 ● 交流幅度范围-10mV 到10V 用于电源测试● 分析量程- 300V 也即用于自动测试系统ATS 电站 振动测试● 噪声抑制能力● 同步器选项可使发生器及载波器的信号按照频率及 相位加以锁定● 有能力分析非线性系统● 多通道分析● 1254频响分析仪有4个平行通道● 面板或软件(Visual Basic)控制操作● 调制/解调卡与交流载波系统互联控制系统 频响分析仪的标准应用是产生一个信号并将该信号接 到转换器，去激发待测系统，然后将系统响应经传感器反馈到分析仪进行测试分析。用于空气动力学测试 这些转换器安置于待测系统上，并将响应信号经过传感器再反馈到频响分析仪使体系得以表征。其典型应 用包括：● 自动化测试系统● 电源测试

产品关键词：瞬态光电流、瞬态光电压、瞬态光电荷、TPV、TPC、TPQ、电荷抽取、开路电压上升衰减、载流子复合寿命、电池器件内部载流子、瞬态光电压谱、瞬态光电流谱、载流子动力学、Charge Extraction，CE、光电器件瞬态特性（时域/频域测试）、探测器瞬态上升、下降时间、TRTF、载流子浓度、电荷载流子寿命、电荷载流子迁移率、载流子寿命、电荷载流子密度瞬态光电流/光电压/光电荷测量系统瞬态光电压TPV、瞬态光电流TPC、瞬态光电荷TPQ测量平台，集成了TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等数种前沿的测量模式，包括最早于2020年帝国理工首次报道的瞬态光电荷TPQ测量功能。设备应用瞬态光电压TPV、瞬态光电流TPC、瞬态光电荷TPQ测试是揭示光伏、光催化、光电导等光电器件微观工作机理的关键手段。利用TPV、TPC、TPQ检测的数据进行分析，可以得到器件内部载流子的传输、积累、复合等动力学过程的相关信息。TPV、TPC、TPQ测试是直接基于最终的工况器件进行的，因而得到的参数可以直接反映工况条件下的光物理过程，这是一个相对于其它检测手段的很大的优势。TranPVC基于东谱科技的MagicBox主机研制而成，是专为光伏、光催化、光探测等研究领域开发的高性能TPV、TPC、TPQ测量平台，集成了数种最前沿的瞬态测量模式，为光电器件的机理研究提供了强有力的、便捷的测试工具。设备发展 2017年，开始向业内提供搭建式的TPV、TPC测试系统TranPVC 100；2019年，率先在业内推出全自动化、高度集成化的TPV、TPC测试系统TranPVC 300； 2020年，推出集成Charge Extraction（CE）和探测器时间响应功能的TranPVC升级版TranPVC 600，同时推出大功率稳瞬态白光光源HiFire；2021年，推出全球首款商业化瞬态光电荷TPQ测量仪，并将TPQ功能集成到TranPVC系列产品中，从而将TranPVC的产品名称扩展为“瞬态光电流/光电压/光电荷测量仪”，同时对全系列的产品进行了升级，得到了新一代在售的TranPVC产品TranPVC 900；2023年，在TranPVC 900产品矩阵中，新增J900和Y900系列，新发布on-off TPV/TPC功能，为客户提供更多高性价比的产品选项。主要功能TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等。主要应用□ 太阳能电池器件：硅基太阳能电池、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、铜铟镓硒太阳能电池、碲化镉太阳能电池等□ 光探测器：光电二极管、光电晶体管□ 光电导器件□ 光催化器件□ 其它光电转换器件产品特点□ 集成了TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等数种前沿的测量模式；□ 测试条件设置功能丰富，典型的如光强（偏置）、激发波长、脉冲频率、电压等，为构建丰富的测试场景提供条件，有利于综合评估器件性能；□ 具有自动化、高度集成化的特点，测试过程由软件控制，使用便捷，对操作人员的专业技能要求低；□ 软件自带拟合功能，方便对数据进行灵活分析；□ 样品台带位移功能，方便对同一基片上的不同子器件进行测试，多子器件测试切换由软件进行，测试效率高；□ 集成样品仓，方便更换样品和电学互联，样品仓可视化监测系统，实时观察测试光照射器件情况，便于调整样品的光斑照射位置；□ 样品夹具可实现惰性气体氛围测试，器件不封装的情况下，可从手套箱转移测试，满足多样化的测试需求；□ 所有光路均置于封闭暗箱内，无外界光源影响，光路进行了优化设置，一般不需要额外调整光路；□ 集成光阑，可调节激发光斑；□ 可灵活耦合不同类型激光器；□ 可集成偏置光，方便进行光偏压测量；□ 可集成其他定制功能。规格型号测试样例论文推荐太阳能电池领域采用TranPVC测试的相关论文典型用户：华南师范大学、华北电力大学、江西师范大学、华南理工大学、太原理工大学、华中科技大学、上海交通大学、深圳技术大学、兰州大学、陕西科技大学、南京邮电大学、哈尔滨工程大学...

产品关键词：瞬态光电流、瞬态光电压、瞬态光电荷、TPV、TPC、TPQ、电荷抽取、开路电压上升衰减、载流子复合寿命、电池器件内部载流子、瞬态光电压谱、瞬态光电流谱、载流子动力学、Charge Extraction，CE、光电器件瞬态特性（时域/频域测试）、探测器瞬态上升、下降时间、TRTF、载流子浓度、电荷载流子寿命、电荷载流子迁移率、载流子寿命、电荷载流子密度▌ 产品简介国际领先的瞬态光电压TPV、瞬态光电流TPC、瞬态光电荷TPQ测量平台，集成了TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等数种前沿的测量模式，包括最早于2020年帝国理工首次报道的瞬态光电荷TPQ测量功能（独家）。瞬态光电压TPV、瞬态光电流TPC、瞬态光电荷TPQ测试是揭示光伏、光催化、光电导等光电器件微观工作机理的关键手段。利用TPV、TPC、TPQ检测的数据进行分析，可以得到器件内部载流子的传输、积累、复合等动力学过程的相关信息。TPV、TPC、TPQ测试是直接基于最终的工况器件进行的，因而得到的参数可以直接反映工况条件下的光物理过程，这是一个相对于其它检测手段的很大的优势。TranPVC基于东谱科技的MagicBox主机研制而成，是专为光伏、光催化、光探测等研究领域开发的高性能TPV、TPC、TPQ测量平台，集成了数种最前沿的瞬态测量模式，为光电器件的机理研究提供了强有力的、便捷的测试工具。产品演进历程：2017年，开始向业内提供搭建式的TPV、TPC测试系统TranPVC 100；2019年，率先在业内推出首款全自动化、高度集成化的TPV、TPC测试系统TranPVC 300； 2020年，推出集成Charge Extraction（CE）和探测器时间响应功能的TranPVC升级版TranPVC 600，同时推出大功率稳瞬态白光光源HiFire；2021年，推出全球首款商业化瞬态光电荷TPQ测量仪，并将TPQ功能集成到TranPVC系列产品中，从而将TranPVC的产品名称扩展为“瞬态光电流/光电压/光电荷测量仪”，同时对全系列的产品进行了升级，得到了新一代在售的TranPVC产品TranPVC 900；2023年，在TranPVC 900产品矩阵中，新增J900和Y900系列，新发布on-off TPV/TPC功能，为客户提供更多高性价比的产品选项。▌ 产品特点□ 集成了TPV、TPC、TPQ、CE、Voc Rise and Decay、Photodetector Response、On-off TPV、On-off TPC等数种前沿的测量模式；□ 测试条件设置功能丰富，典型的如光强（偏置）、激发波长、脉冲频率、电压等，为构建丰富的测试场景提供条件，有利于综合评估器件性能；□ 具有自动化、高度集成化的特点，测试过程由软件控制，使用便捷，对操作人员的专业技能要求低；□ 软件自带拟合功能，方便对数据进行灵活分析；□ 样品台带位移功能，方便对同一基片上的不同子器件进行测试，多子器件测试切换由软件进行，测试效率高；□ 集成样品仓，方便更换样品和电学互联，样品仓可视化监测系统，实时观察测试光照射器件情况，便于调整样品的光斑照射位置；□ 样品夹具可实现惰性气体氛围测试，器件不封装的情况下，可从手套箱转移测试，满足多样化的测试需求；□ 所有光路均置于封闭暗箱内，无外界光源影响，光路进行了优化设置，一般不需要额外调整光路；□ 集成光阑，可调节激发光斑；□ 可灵活耦合不同类型激光器；□ 可集成偏置光，方便进行光偏压测量；□ 可集成其他定制功能。▌ 产品功能□ 瞬态光电压TPV□ 瞬态光电荷TPQ□ 开路电压上升与衰减Voc Rise and Decay□ On-off TPV□ 瞬态光电流TPC□ 电荷抽取Charge Extraction CE□ 探测器瞬态响应Photodetector Response□ On-off TPC▌ 产品应用□ 太阳能电池器件√ 硅基太阳能电池√ 有机太阳能电池√ 钙钛矿太阳能电池√ 铜铟镓硒太阳能电池√ 碲化镉太阳能电池等□ 光探测器√ 光电二极管√ 光电晶体管□ 光电导器件□ 光催化器件□ 其它光电转换器件▌ 规格型号规格配置E900S900W900N900J900Y900TPV√√√√√√TPC√√√√√√CE√√√×××Voc Rise and Decay×√√×××TPQ×√××××Photodetector Response×√××××On-off TPV可选配On-off TPC可选配* 可选配置/部件：□ Mic-微秒激光器；□ Tuna-可调脉宽激光器；□ 其它品牌激光器；□ 变温恒温器：√ TEC电子变温；√ 气体快速变温MagicK；√ 液氮低温恒温器；√ 液氦低温恒温器；□ 卤素灯白光偏置光源；□ on-off测试模块。▌ 测试案例

强度调制光电压谱和强度调制光电流谱（IMVS/IMPS）测试设备，用于太阳能电池瞬态光电性能测量（载流子迁移率测量，瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS），对于光电器件微观机理研究提供了有力的测试工具；多功能一体化高性能瞬态测试平台，不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用： * 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； * 有机太阳能电池OPV； * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED； * 无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）； * 染料敏化太阳能电池DSSC；主要测量功能 * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试 & I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） * 载流子密度，载流子动力学过程（瞬态光电流法 TPC） * 载流子寿命，载流子符合动力学过程（瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV） * 载流子迁移率（暗注入瞬态法 DIT，单载流子器件&OLED） * 串联电阻，几何电容，RC时间（电压脉冲法 Pulse Voltage） * 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV） * 载流子迁移率，载流子密度（光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV） * 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV） * 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV） * 几何电容，电容率（MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV） * 陷阱强弱度，等效电路（阻抗谱测试 IS） * 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（电容VS频率 C-f） * 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（电容VS电压 C-V） * 陷阱分析（深能级瞬态谱DLTS） * 载流子传输时间分析（强度调制光电流谱 IMPS）； * 载流子复合时间、收集效率等分析（强度调制光光电压谱IMVS）； * 点亮电压（电流电压照度特性 I-V-L） * 发光寿命，载流子迁移率（瞬态电致发光法 TEL） *载流子迁移率（TEL瞬态电致发光，Photo-CELIV线性增压抽取载流子） *OLED/钙钛矿LED发光特性测量（发光器件测量）；测量技术： 1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等； 2）瞬态光电流（TPC）：研究载流子动力学过程和载流子密度等； 3）瞬态光电压（TPV）：研究载流子寿命和复合过程； 4) 双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程； 5) 暗注入瞬态法（Dark Injection）：对于单载流子器件和OLED，研究其载流子迁移率； 6) 电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析； 7) 暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量； 8) 光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility，及载流子浓度分析等； 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：几何电容和相对介电常数分析； 12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：器件等效电路分析等； 13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量； 14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量； 15) 深能级瞬态谱（DLTS）：陷阱分析； 16）强度调制光电流谱（IMPS）：载流子传输时间分析； 17）强度调制光光电压谱（IMVS）：载流子复合时间、收集效率等分析； 18）瞬态电致发光测试（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的载流子，磷光寿命测量；另外，我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备： 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统； 2.太阳能电池测量系统（光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统，I-V曲线测量系统），太阳能电池测试仪； 3.太阳能电池I-V曲线测量系统； 4.I-V 数据采集系统； 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器； 6.太阳能电池分选机； 7.太阳能电池I-V测试仪； 8.分光辐射度计， 9.参考电池/标准电池， 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统； 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统； 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统； 13.太阳能电池少数载流子测量系统；

高频 高电位电压测试仪 产品特点l适用于《GJB681A--‐2002 射频同轴连接器通用规范》测试要求； l大屏幕触摸液晶彩屏显示,操作简单、数据显示直观 l可同时显示测试电压、试验频率、漏电电流、测试时间，电压曲线等；l参数可调。频率：5MHz--‐7.5MHz产品简介：可调；电压输出时间：10s--‐5min高频高电位测试仪可调：漏电流：1mA--‐10mA 可是我公司射频电源系列中按照 GJB681A调。－2002 研制开发的射频电缆耐压测试仪， l参数设置。可通过触摸屏幕或外能够输出电压 1.5KV 、频率 5MHz －接鼠标直接完成各种参数的设7.5MHz 的射频高压信号，满足军品射频置：起始频率、终止频率、起始电缆高频信号下耐压试验。电压、漏电电流、阶段升压和计高频高压测试仪由前级信号源、功率 时等参数；电压正弦波电压有效值 1500Vuu射频连接器生产厂家uu第三方检测机构产品特点： uu 军工整机生产厂家放大器、以及显示部分、控制部分等组成，产品运用：仪器在 5MHz~7.5MHz 频段内输出近似YT--‐RF--‐057515PS Specification 序号项目指标单位备注输入部分1输入电压AC220±10%V电性能部分1输出波形正弦波2输出电压1500V3频率范围5-7.5MHz4电压分辨率50V5电流分辨率1mA6≤5%@1000V-1500VV电压测量精度7≤10%@100-1000VV8频率调节分辨率≤100Hz10频率不稳定度≤0.05%Hz9漏电检测电流1-10mA11运 行 时 间5@额定容量min12噪 声≤50dB环境条件1工作温度-20～＋50°C2存储温度-40～＋85°C3工作相对湿度≤90%尺寸及重量1尺寸19”8U2重量≤10Kg 西安思嘉电子科技有限公司地址:西安市高新区前进大厦7层电话：86-029-68859788 传真：86-029-88764149 E-mail:

Autolab系列电化学工作站素以模块化设计、皮实稳定、软件一流著称。PGSTAT302N型电化学工作站是Autolab系列中一款通用型的高性能电化学综合测试仪，能满足用户的绝大多数测试需要。在这个基础之上，它还能够配置所有的可选模块和外部设备，以满足特殊的测试要求。可选扩展模块：FRA2频率响应分析模块/BOOSTER10A大电流扩展模块（10A）/BOOSTER20A大电流扩展模块（20A）/BA双恒电位仪模块/ECN电化学噪声模块/ECD小电流放大器模块/LOAD.INT动态负载接口/VOLT.MULT增压器模块/HIGH.VOLT.DIV分压器模块/MUX多通道序列测试模块/ADC10M超快速取样模块/SCAN250超快速线性扫描模块/FI20模块/pX模块可选附件：电解池和配件/RDE旋转圆盘电极/RRDE选装环盘电极/腐蚀电解池/平板电解池/金片涂布器/VA663极谱工作台/EQCM石英晶体微天平主要应用领域： 电分析； 腐蚀； 储能设备（燃料电池、电池、太阳能光伏电池、超级电容器等）； 电镀、 电解、 电合成； 生物传感器； 微纳米器件 光谱电化学技术参数：Ø 最大输出电流：±2AØ 最大输出电压：±30VØ 施加电位范围：±10VØ 循环伏安最大扫速：250V/sØ 施加电位精度：设定±2mV之±0.2%Ø 电流范围：10nA-1A 九档，自动选择范围Ø 施加和测量电流精度：电流之±0.2%和电流范围之±0.2%Ø 施加电流分辨率：电流范围之0.03%Ø 测量电流分辨率：电流范围之0.0003%Ø 输入阻抗：1Tohm//8pFØ 响应时间：250nsØ 交流阻抗频率范围：10μHz-1MHz主要特点： 模块化设计，可扩展能力强； 仪器前面板自带高清LED背光液晶显示屏，可实时显示电流电位值； 2个外部信号输入/输出信道，可对RDE、RRDE、VA663、EQCM等进行自动控制； 取样频率高达50 kHz, 若配置ADC10M模块后，取样频率将增大到10MHz，即每100ns取一个点； 交流阻抗可以一次性进行全范围测量而不需要分段测试。同时，允许对每一个频率设置不同的波幅。可 提供多波形（5或15个波形）的测量模式，大大缩短低频部分的测试时间。支持流体动力学交流阻抗EHD方法、强度调制光电流谱IMPS方法和强度调制光电流IMVS方法。 多达六种阻抗测试模式：常规的单电位下的频率扫描阻抗测量方法；电位频率扫描；恒电位下的时间频率扫描；单电流下的频率扫描；电流频率扫描；时间频率扫描； 基于Microsoft.NET开发的NOVA软件，除了支持几乎所有的固化电化学测量方法外，还可以让用户自行设计各种测量条件，从而开发出特有的测量方法，随心所欲地将自己的想法和需要得到充分实现。一个程序中包括所有的直流和交流方法自动存储数据，从而不必担心突然断电支持USB模式：每单个测量80000个数据点支持所有的新仪器和新模块可记录任意多的附加外部信号任意选择2D或3D图形用户可自定义动态程序，而且可以附带数据分析过程的程序可以进行不限制数量的阶跃方法，并可以关闭或打开数据取样

Modulab XM PhotoEchem光电测试系统 是一套可表征染料敏化电池的整体集成式光学测试系统。而且该体系可用于可见光谱-光电化学领域的研究，例如，氧化铁催化光解水等。Solartron Analytical作为超过二十年的行业领导者，认识到许多仪器使用者对仪器技术本身并不很熟悉，因此推出此产品的核心理念是对海量数据的分析实现“一键式”操作，研发并提供综合成套的技术解决方案。而对于有经验的使用者，ModuLab提供了功能强大的实验步骤设置软件，用户可自行建立和发展最适合的新的实验方案。该系统具有以下特点： 频域和时域的测试技术，包括：IMPS，IMVS，阻抗，光电压衰减，电量抽取和I-V曲线和IPCE测量 对有效扩散系数的计算和电子寿命的“自动”数据分析的“一键式”操作，适合于对频域测试技术比较陌生的使用者。 带有NIST(美国国家标准与技术研究院测试标准)可追溯校准文件的光源，并且日常可以对其进行校验检查 长期稳定的卓越热效管理的光源 提供一系列的高亮度单色LED光源 软件包含全套电化学测试技术，包括：循环伏安(C-V)，恒电压-电流测试，系列的阻抗测试方法以及交流伏安法 辅助分压功能可用于同时检测阳极和阴极的阻抗和电压 Solartron Analytical的频率响应分析（FRA）技术，包含单波，频率扫描和多波技术 完美兼容ModuLab 和 ModuLab XM全部功能不仅是一个光电化学测试体系Modulab XM PhotoEchem集合了功能强大的ModuLab频率响应分析（FRA）和恒电位仪技术。现有Modulab 系统通过配备选项卡和光学工作台即可升级为Modulab XM PhotoEchem。丰富的实验程序包： 为光电化学测试系统专门研发设计的专用软件套装，包括： 强度调制光电流谱（IMPS） 强度调制光电压谱（IMVS） 阻抗谱 I-V曲线 电量抽取 短路 暗室电量抽取 光电压衰减 光电转化效率（IPCE）控制光学平台进行以上测试技术可以使研究人员开发出更多光电研究的测试技术。 如需了解更多关于ModuLab XM恒电位仪及频率响应分析（FRA）技术，请参阅ModuLab样本。

瑞士万通电化学工作站AUTOLAB PGSTAT302N是经典的PGSTAT30的后继型号，是一款模块式、大电流的电化学综合测试仪；此型号能够配置所有的功能模块和外部设备，满足各种电化学研究需要，是AUTOLAB系列仪器中具有最优异性能的模块式电化学工作站。 主要功能和特点- 模块化设计，可扩展能力强；- 仪器前面板自带高清LED背光液晶显示屏，可实时显示电流电位值；- 2个外部信号输入/输出信道，可对RDE、RRDE、VA663、EQCM等进行自动控制；- 取样频率高达50 kHz, 若配置ADC10M模块后，取样频率将增大到10MHz，即每100ns取一个点；- 交流阻抗可以一次性进行全范围测量而不需要分段测试。同时，允许对每一个频率设置不同的波幅。可提供多波形（5或15个波形）的测量模式，大大缩短低频部分的测试时间。支持流体动力学交流阻抗；- EHD方法、强度调制光电流谱IMPS方法和强度调制光电流IMVS方法；- 多达六种阻抗测试模式：常规的单电位下的频率扫描阻抗测量方法；电位频率扫描；恒电位下的时间频率扫描；单电流下的频率扫描；电流频率扫描；时间频率扫描；- 基于Microsoft.NET开发的NOVA软件，除了支持几乎所有的固化电化学测量方法外，还可以让用户自行设计各种测量条件，从而开发出特有的测量方法，随心所欲地将自己的想法和需要得到充分实现；- 一个程序中包括所有的直流和交流方法；- 自动存储数据，从而不必担心突然断电；- 支持USB模式：每单个测量80000个数据点；- 支持所有的新仪器和新模块；- 可记录任意多的附加外部信号；- 任意选择2D或3D图形；- 用户可自定义动态程序，而且可以附带数据分析过程的程序；- 可以进行不限制数量的阶跃方法，并可以关闭或打开数据取样。 可选扩展模块FRA2频率响应分析模块/ BOOSTER10A大电流扩展模块（10A）/ BOOSTER20A大电流扩展模块（20A）/ BA双恒电位仪模块/ ECN电化学噪声模块/ ECD小电流放大器模块/ LOAD.INT动态负载接口/ VOLT.MULT增压器模块/ HIGH.VOLT.DIV分压器模块/ MUX多通道序列测试模块/ ADC10M超快速取样模块/ SCAN250超快速线性扫描模块/ FI20模块/ pX模块 可选附件电解池和配件/RDE旋转圆盘电极/RRDE选装环盘电极/腐蚀电解池/平板电解池/金片涂布器/VA663极谱工作台/EQCM石英晶体微天平 主要应用领域- 电分析；- 腐蚀；- 储能设备（燃料电池、电池、太阳能光伏电池、超级电容器等）；- 电镀、电解、电合成；- 生物传感器；- 微纳米器件；- 光谱电化学等。 主要技术参数支持的电极体系 2、3、4电极扫描电位范围 ±10V，可扩展至±30V最大输出电压 ±30V最大输出电流 ±2A（可扩展至10A/20A)电流范围 1A、100mA、10mA、1mA、100μA，10μA、1μA、100nA、10nA共9档，自动选择电流范围、可扩展至100pA （ECD）CV扫描速率 0.1μV-250V/s （可扩展至最大250KV/s，SCAN250模块）取样频率 50kHz（可扩展至10MHz，ADC10M模块）恒电位仪带宽 1MHz控制软件 GPES/FRA或NOVA电化学技术 直流技术、交流伏安、交流阻抗 （FRA模块）特别功能 可配置为动态iR补偿

我们提供最全面的商用强度调制器：Mach-Zehder调制器，从低频到40 Gbps/40 GHz，适用于宽范围的波长窗口，包括：800 nm、1060 nm、1300 nm、1550 nm和2微米。当它们与iXblue Photonics RF驱动器系列相匹配时，这些调制器适用于从实验室实验到苛刻的工业系统的所有应用。 优点从780nm到2500 nm低频到宽电光带宽高光输入功率处理低插入损耗高消光比高偏振消光比每个市场的专用调制器 应用数字调制最高可达44-NRZ，QPSK-56 Gb/s模拟调制高达40 GHz光脉冲生成 订购信息最大波长（nm）：780–2200产品型号规格近红外800nm波段NIR-MX800-LN-10-00-P-P-FA-FA800 nm波段，10 GHz强度调制器NIR-MX800-LN-20-00-P-P-FA-FA800 nm波段，20 GHz强度调制器近红外950nm波段 NIR-MX950-LN-20-00-P-P-FA-FA950 nm波段，20 GHz强度调制器近红外1000nm波段NIR-MX-LN-10-PD-P-P-FA-FA-30dB1000 nm波段，10 GHz强度调制器，30分贝NIR-MX-LN-20-PD-P-P-FA-FA-30dB1000 nm波段，20 GHz强度调制器，30分贝NIR-MX-LN-40-PD-P-P-FA-FA-30dB1000nm波段，40GHz强度调制器O波段MX1300-LN-10-PD-P-P-FA-FA1310 nm波段，10 GHz强度调制器MX1300-LN-20-PD-P-P-FA-FA1310 nm波段，20 GHz强度调制器MX1300-LN-40-PD-P-P-FA-FA1310 nm波段，40 GHz强度调制器MXAN1300-LN-20-00-P-P-FA-FA1310nm波段，20 GHz模拟强度调制器MXER1300-LN-10-PD-P-FA-FA-30dB1310 nm波段，10GHz高消光比强度调制器C+L波段MX-LN-0.1-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，400 Mb/s强度调制器MX-LN-05-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，8 Gb/s强度调制器MX-LN-10-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，10-12.5 Gb/s强度调制器MX-LN-20-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，20 Gb/s强度调制器MX-LN-40-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，40-44 Gb/s强度调制器MXAN-LN-10-PD-P-FA-FA1550 nm波段，10 GHz模拟强度调制器MXAN-LN-20-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，20 GHz模拟强度调制器MXAN-LN-40-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，40 GHz模拟强度调制器MXER-LN-10-PD-P-P-FA-FA-40dB1550nm波段和10GHz超高消光比铌酸锂强度调制器MXER-LN-20-PD-P-P-FA-FA-40dB1550nm波段和20GHz超高消光比铌酸锂强度调制器MXIQER-LN-30-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，30 GHz IQ调制器MXIQ-LN-30-PD-P-P-FA-FA1550 nm波段，30 GHz IQ调制器2000nmMX2000-LN-01-00-P-P-FA-FA2μm波段，1 GHz强度调制器MX2000-LN-10-00-P-P-FA-FA

CIMPS-QE/IPCE 光电转化效率测试仪使用可变波长的LED光源系统，并采用闭环控制技术。能够自动测量365nm-1020nm波长范围内的太阳能电池的光电流谱和光电转化效率等方法。选购紫外扩展功能，光谱范围可以达到：295nm-1020nm. 并且此技术已经申请了专利。 札纳Zahner公司的CIMPS-QE/IPCE大大的增加了输出的光强度。CIMPS-QE/IPCE 光源的光强度通过国际认可校准的传感器进行实时快速的闭环控制，全面保证光强度的稳定性和精确度。使用CIMPS-QE/IPCE的LED阵列光源还可以进行IMPS/IMVS的研究工作。应用软件：可以完成光电流 随波长变化（PCS）测量，光量子转化效率（QE），光电转化效率（IPCE）测量。

电光强度调制器选型表：强度调制器（Intensity Modulator）型号波长（nm）带宽插损(dB)DC消光比（dB）RF Vpi@50KHz(V)DC Vpi（V）类型光纤类型：单模光纤或者保偏光纤，接头类型： FC/PC、FC/APC、FC/UPCMX2000-LN-011900~22001~2GHz4.0225.511.5数字模拟MX2000-LN-101900~220010~12GHz4.0229.511.0MX-LN-101530~162510~12.5Gb/s3.5225.56.5数字脉冲2.7MX-LN-201530~162520Gb/s3.5225.06.5MX-LN-401530~162540~44Gb/s3.5225.06.5MXAN-LN-101530~162510GHz3.5225.56.5模拟脉冲2.7MXAN-LN-201530~162520GHz3.5255.06.5MXAN-LN-401530~162540GHz3.5255.06.5MXER-LN-101530~162510GHz4.030/35/405.56.5MXER-LN-201530~162520GHz4.030/35/405.56.5MX1300-LN-101270~133010GHz4.0224.05.5数字模拟脉冲MX1300-LN-201270~133020GHz4.0224.05.5MX1300-LN-401270~133040GHz4.0224.05.5NIR-MX-LN-10980~115010GHz4.020/25/304.54.5数字模拟脉冲NIR-MX-LN-20980~115020GHz4.020/25/306.05.0NIR-MX950-LN-20850~96020GHz5.5253.53.9NIR-MX800-LN-10780~85010GHz4.5223.53.5NIR-MX800-LN-20780~85020GHz4.5223.53.9MXDO-LN-201530~158020GHz4.0225.57.0DualoutputMZDD-LN-101530~158010GHz3.5-2.52.3DualDriverMXIQER-LN-301530~158030GHz5.0-6.0DC1/2:7DC3:7.5IQ注：以上产品都可选择是否内置PD（Photodiode）、部分产品支持高低温。 电光相位调制器选型表：相位调制器（Phase Modulator）型号波长（nm）带宽插损(dB)回损（dB）RF Vpi@50KHz(V)最大输入光功率最大输入RF功率光纤类型：单模光纤或者保偏光纤，接头类型： FC/PC、FC/APC、FC/UPCMPX2000-LN-0.11900~2200150MHz3.0-453.520dBm-20~20VMPZ2000-LN-101900~220010~12GHz3.0-456.520dBm28dBmMPX-LN-0.11530~1625150MHz2.7-453.520dBm-20~20VMPZ-LN-011530~16251.5GHz2.5-453.020dBm33dBmMPZ-LN-101530~162510GHz2.5-454.020dBm28dBmMPZ-LN-201530~162520 GHz2.5-456.020dBm28dBmMPZ-LN-401530~162540GHz2.5-456.020dBm28dBmNIR-MPX-LN-0.1980~1150150MHz3.0-452.020dBm-20~20VNIR-MPX-LN-02980~11502GHz3.0-453.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-05980~11505GHz3.0-454.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-10980~115010GHz3.0-455.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-20980~115020GHz3.0-455.020dBm28dBmNIR-MPX950-LN-0.1850~950150MHz3.5-452.214dBm-20~20VNIR-MPX950-LN-05850~9505GHz3.5-453.514dBm28dBmNIR-MPX950-LN-10850~95010GHz4.5-453.514dBm28dBmNIR-MPX800-LN-0.1780~890150MHz3.5-452.014dBm-20~20VNIR-MPX800-LN-05780~8905GHz3.5-453.014dBm28dBmNIR-MPX800-LN-10780~89010GHz3.5-454.014dBm28dBmNIR-MPX800-LN-20780~89020GHz3.5-454.014dBm28dBm 偏振开关、光纤移频器选型表:偏振开关（Polarization Switches）型号中心波长（nm）带宽开关电压@50KHz开关电压@150MHzPDL(dB)PER(dB)最大输入光功率PS-LN-0.11310/1550150MHz5.0V7.0V1.02020dBm光纤移频器（Frequency Shifter）型号中心频率中心频率带宽@3dB最大转换RF功率工作波长光纤类型接头类型FS-LN-170171MHz200KHz21dBm1550nm保偏光纤SMAFC/APC 调制器驱动选型表：数字驱动（Digital Drivers）型号截止频率(Hz)低频（@3dB）高频（@3dB）输出电压（Vpp）增益(dB)饱和输出功率上升/下降时间DR-DG-10-MO-NRZ50K~8G45~60KHz6~8GHz6~92122dBm12psDR-DG-12-MO50K~12G50KHz15GHz2~82823dBm14psDR-DG-10-HO50K~8G45~50KHz6~8GHz123026dBm24.5psDR-DG-20-MO50K~18G50KHz18~20GHz2~83023dBm14psDR-DG-20-HO80K~25G80KHz23~25GHz12.5~13.52926dBm12/16psDR-DG-28-MO50K~28G45~50KHz25~28GHz6~93023dBm12/14psDR-DG-40-MO50K~40G50KHz36~40GHz6.32620dBm9/12ps模拟驱动（Analog Drivers）型号截止频率(Hz)低频（@3dB）高频（@3dB）输出电压（Vpp）增益(dB)饱和输出功率噪声系数（dB）DR-AN-10-MO50K~11G50KHz11GHz0~93023Bm3~6DR-AN-10-HO80K~11G80KHz11GHz0~12.53026dBm3DR-AN-20-MO50K~20G50KHz18~20GHz0~93023dBm5~7DR-AN-20-HO80K~25G80KHz23~25GHz0~12.53026dBm5DR-AN-28-MO50K~28G45~50KHz25~28GHz6~93023dBm5~7DR-AN-40-MO50K~40G50KHz36~40GHz6.32620dBm3~5脉冲驱动（Pulse Drivers）型号截止频率(Hz)脉冲重复频率脉宽输出电压（Vpp）增益(dB)最大RF输入电压上升/下降时间DR-PL-0.1-MODC~200M--19.62010Vpp6~10nsDR-PL-10-MO45K~8G10Hz~1GHz100ps~100ns2.5~8.5210.5Vpp40psDR-PL-20-MO45K~18G10Hz~1GHz60ps~10ns5.2300.5Vpp20~35ps 偏型号工作波长(nm)输入光功率DC偏置电压自动设置模式锁定范围锁定精度消光比(dB)数字自动偏置控制器（MBC-DG）非内置耦合器MBC-DG-LAB-A0900~1600-20~-3dBm@1550nm-10~+10VMINMAXQUAD-QUAD+360 Degree90 ± 0.5Degree50-19~-2dBm@1310nm-18~-0.8dBm@1064nmMBC-DG-LAB-B0600~900-17~0.5dBm@850nm数字自动偏置控制器（MBC-DG）内置耦合器MBC-DG-LAB-A11550±2010~17dBm-10~+10VMINMAXQUAD-QUAD+360 Degree90 ± 0.5Degree50MBC-DG-LAB-A21310±200.5~18dBmMBC-DG-LAB-A31060±202.5~19dBmMBC-DG-LAB-A4900±202.5~19dBmMBC-DG-LAB-B1850±102.8~20dBmMBC-DG-LAB-B2780±202.8~20dBm尺寸 (W x H x D): 220 mm x 220 m x 52 mm；电源（后面板）：100-120 V / 220-240 V automatic switch, 50-60 Hz模拟自动偏置控制器（MBC-AN）型号工作波长(nm)输入电压稳定性(dB)模式DC偏置电压(V)锁定点插损(dB)输入光功率(dBm)MBC-AN-BT(MBC-AN-Board)1530~1580±0.1dB自动模式-12~+12QUAD-QUAD+20~18手动模式-11.5~+11.5MBC-AN-BT： 尺寸 (W x H x D): 240 mm x 85 mm x 160 mm； MBC-AN-Board:尺寸(W x H x D): 100mm x 70 mm x 27 mm电源（后面板）：100-120 V / 220-240 V automatic switch, 50-60 HzIQ自动偏置控制器（MBC-IQ）型号工作波长(nm)输入电压稳定性(dB)锁定范围偏置电压(V)锁定点消光比(dB)输入光功率(dBm)MBC-IQ-BT-PD780~1650±0.1dB360 DegreeDC1/2-10~+10MIN MAXQUAD+ QUAD-50-4DC3-18~+18 MODBOX参考发射机选型表： 通信用ModBox是光学调制单元和发射机，主要用作参考发射机来描述网络组件，如光学接收器。它们也被用于实验室开发下一代的通信设备。对于各种调制格式和波长，通信用ModBox在升降时间、抖动、眼图稳定性方面提供了终极性能，因此可以观察到网络及其组成部分造成的信号损伤。 型号描述ModBox-850nm-NRZNRZ、850nm、50Gb/s参考发射机ModBox-OBand-NRZNRZ、全O波段、50Gb/s参考发射机ModBox-CBand-NRZNRZ、全C波段、50Gb/s参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-NRZNRZ、1310nm /1550nm、50Gb/s参考发射机ModBox-OBand-28Gb/s-NRZ-SENRZ、O波段、28Gb/s应力眼图发射机ModBox-850nm-VNAVNA、850nm、30GHz参考发射机ModBox-OBand-VNAVNA、全O波段、65GHz参考发射机ModBox-CBand-VNAVNA、全C波段、65GHz参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-VNAVNA、1310nm /1550nm、40GHz参考发射机ModBox-CBand-12Gb/s-DPSKDPSK、C-Band、12 Gb/s参考发射机ModBox-CBand-28Gb/s-DPSKDPSK、C-Band、28 Gb/s参考发射机MODBOX-IQQPSK, QAM, OFDM 32Gbaud/64Gbaud参考发射机ModBox-850nm-28Gbaud-PAM4PAM-4、850nm、 28 Gbaud参考发射机ModBox-OBand-28Gbaud-PAM4PAM-4、全O波段、28 Gbaud参考发射机ModBox-OBand-56Gbaud-PAM4PAM-4、全O波段、56 Gbaud参考发射ModBox-CBand-28Gbaud-PAM4PAM-4、全C波段、28 Gbaud参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-PAM4PAM-4、1310nm /1550nm、28 Gbaud参考发射机 ModBOX前置脉冲整形器选型表： 脉冲应用使用的ModBox使用了含有短的升降时间高对比度高功率处理来产生、形成或选择高质量、高重复性的光脉冲的优点的iXblue光调制器。有多种波长可供选择，可根据具体应用进行定制。iXblue的ModBox脉冲和前端系统在世界各地的许多高强度激光设备中都很受欢迎。名称型号主要技术指标其他规格选配件前置脉冲发生器MODBOX-PULSE脉冲宽度≥25ps对比度≥40dB对比度≥55dB（双阶系列）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm内置激光器内置脉冲发生器内置可定制较短升级时间的光接收器脉冲整形器MODBOX PULSE SHAPER光脉冲瞬时成型脉冲宽度≥25ps对比度≥40dB对比度≥55dB（双阶系列）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm激光光源光放大器AWG前端机MODBOX-LASER-FRONT-END完整的前段激光系统，包括种子激光器、脉冲整形器、光纤放大器和光谱展宽单元1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、AWG延时发生器激光光源光放大器光谱展宽单元光谱展宽MODBOX SPECTRAL ROADENING多个边带产生的光谱展宽展宽可达2um（@1064nm）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm消光比测试仪MODBOX-DER动态消光比测量高达50dB的高消光比光脉冲1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、脉冲选择器MODBOX PULSE PICKER在输入脉冲序列中选择光脉冲重复频率：DC-10GHz790nm、850nm、1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、1310nm 、2μm脉冲发生器 光纤和光纤光栅 特种光纤： 光纤光栅：iXBlue为不同的应用提供了广泛的特种光纤: 用于光纤放大器和激光器的有源掺杂光纤 用于光纤陀螺仪的保偏光纤 用于光纤放大器和激光器的无源PM和SM光纤 用于光纤传感器和陀螺仪的偏振光纤 用于光纤电流传感器的光纤 用于光纤光栅刻字的光敏光纤 用于光纤陀螺仪或传感器的光纤线圈。iXBlue提供不同类型的FBG类产品: 光纤光栅激光反射镜；用于光纤放大器的增益平坦滤波器；光纤传感器用光纤光栅；光纤光栅阵列:高达100HR的光纤光栅可以镶嵌在同一条光纤中，无需任何拼接；用于单频DFB激光器的FBG组件。 电光强度调制器选型表：强度调制器（Intensity Modulator）型号波长（nm）带宽插损(dB)DC消光比（dB）RF Vpi@50KHz(V)DC Vpi（V）类型光纤类型：单模光纤或者保偏光纤，接头类型： FC/PC、FC/APC、FC/UPCMX2000-LN-011900~22001~2GHz4.0225.511.5数字模拟MX2000-LN-101900~220010~12GHz4.0229.511.0MX-LN-101530~162510~12.5Gb/s3.5225.56.5数字脉冲2.7MX-LN-201530~162520Gb/s3.5225.06.5MX-LN-401530~162540~44Gb/s3.5225.06.5MXAN-LN-101530~162510GHz3.5225.56.5模拟脉冲2.7MXAN-LN-201530~162520GHz3.5255.06.5MXAN-LN-401530~162540GHz3.5255.06.5MXER-LN-101530~162510GHz4.030/35/405.56.5MXER-LN-201530~162520GHz4.030/35/405.56.5MX1300-LN-101270~133010GHz4.0224.05.5数字模拟脉冲MX1300-LN-201270~133020GHz4.0224.05.5MX1300-LN-401270~133040GHz4.0224.05.5NIR-MX-LN-10980~115010GHz4.020/25/304.54.5数字模拟脉冲NIR-MX-LN-20980~115020GHz4.020/25/306.05.0NIR-MX950-LN-20850~96020GHz5.5253.53.9NIR-MX800-LN-10780~85010GHz4.5223.53.5NIR-MX800-LN-20780~85020GHz4.5223.53.9MXDO-LN-201530~158020GHz4.0225.57.0DualoutputMZDD-LN-101530~158010GHz3.5-2.52.3DualDriverMXIQER-LN-301530~158030GHz5.0-6.0DC1/2:7DC3:7.5IQ注：以上产品都可选择是否内置PD（Photodiode）、部分产品支持高低温。 电光相位调制器选型表：相位调制器（Phase Modulator）型号波长（nm）带宽插损(dB)回损（dB）RF Vpi@50KHz(V)最大输入光功率最大输入RF功率光纤类型：单模光纤或者保偏光纤，接头类型： FC/PC、FC/APC、FC/UPCMPX2000-LN-0.11900~2200150MHz3.0-453.520dBm-20~20VMPZ2000-LN-101900~220010~12GHz3.0-456.520dBm28dBmMPX-LN-0.11530~1625150MHz2.7-453.520dBm-20~20VMPZ-LN-011530~16251.5GHz2.5-453.020dBm33dBmMPZ-LN-101530~162510GHz2.5-454.020dBm28dBmMPZ-LN-201530~162520 GHz2.5-456.020dBm28dBmMPZ-LN-401530~162540GHz2.5-456.020dBm28dBmNIR-MPX-LN-0.1980~1150150MHz3.0-452.020dBm-20~20VNIR-MPX-LN-02980~11502GHz3.0-453.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-05980~11505GHz3.0-454.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-10980~115010GHz3.0-455.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-20980~115020GHz3.0-455.020dBm28dBmNIR-MPX950-LN-0.1850~950150MHz3.5-452.214dBm-20~20VNIR-MPX950-LN-05850~9505GHz3.5-453.514dBm28dBmNIR-MPX950-LN-10850~95010GHz4.5-453.514dBm28dBmNIR-MPX800-LN-0.1780~890150MHz3.5-452.014dBm-20~20VNIR-MPX800-LN-05780~8905GHz3.5-453.014dBm28dBmNIR-MPX800-LN-10780~89010GHz3.5-454.014dBm28dBmNIR-MPX800-LN-20780~89020GHz3.5-454.014dBm28dBm 偏振开关、光纤移频器选型表:偏振开关（Polarization Switches）型号中心波长（nm）带宽开关电压@50KHz开关电压@150MHzPDL(dB)PER(dB)最大输入光功率PS-LN-0.11310/1550150MHz5.0V7.0V1.02020dBm光纤移频器（Frequency Shifter）型号中心频率中心频率带宽@3dB最大转换RF功率工作波长光纤类型接头类型FS-LN-170171MHz200KHz21dBm1550nm保偏光纤SMAFC/APC 调制器驱动选型表：数字驱动（Digital Drivers）型号截止频率(Hz)低频（@3dB）高频（@3dB）输出电压（Vpp）增益(dB)饱和输出功率上升/下降时间DR-DG-10-MO-NRZ50K~8G45~60KHz6~8GHz6~92122dBm12psDR-DG-12-MO50K~12G50KHz15GHz2~82823dBm14psDR-DG-10-HO50K~8G45~50KHz6~8GHz123026dBm24.5psDR-DG-20-MO50K~18G50KHz18~20GHz2~83023dBm14psDR-DG-20-HO80K~25G80KHz23~25GHz12.5~13.52926dBm12/16psDR-DG-28-MO50K~28G45~50KHz25~28GHz6~93023dBm12/14psDR-DG-40-MO50K~40G50KHz36~40GHz6.32620dBm9/12ps模拟驱动（Analog Drivers）型号截止频率(Hz)低频（@3dB）高频（@3dB）输出电压（Vpp）增益(dB)饱和输出功率噪声系数（dB）DR-AN-10-MO50K~11G50KHz11GHz0~93023Bm3~6DR-AN-10-HO80K~11G80KHz11GHz0~12.53026dBm3DR-AN-20-MO50K~20G50KHz18~20GHz0~93023dBm5~7DR-AN-20-HO80K~25G80KHz23~25GHz0~12.53026dBm5DR-AN-28-MO50K~28G45~50KHz25~28GHz6~93023dBm5~7DR-AN-40-MO50K~40G50KHz36~40GHz6.32620dBm3~5脉冲驱动（Pulse Drivers）型号截止频率(Hz)脉冲重复频率脉宽输出电压（Vpp）增益(dB)最大RF输入电压上升/下降时间DR-PL-0.1-MODC~200M--19.62010Vpp6~10nsDR-PL-10-MO45K~8G10Hz~1GHz100ps~100ns2.5~8.5210.5Vpp40psDR-PL-20-MO45K~18G10Hz~1GHz60ps~10ns5.2300.5Vpp20~35ps 偏置控制器选型表：型号工作波长(nm)输入光功率DC偏置电压自动设置模式锁定范围锁定精度消光比(dB)数字自动偏置控制器（MBC-DG）非内置耦合器MBC-DG-LAB-A0900~1600-20~-3dBm@1550nm-10~+10VMINMAXQUAD-QUAD+360 Degree90 ± 0.5Degree50-19~-2dBm@1310nm-18~-0.8dBm@1064nmMBC-DG-LAB-B0600~900-17~0.5dBm@850nm数字自动偏置控制器（MBC-DG）内置耦合器MBC-DG-LAB-A11550±2010~17dBm-10~+10VMINMAXQUAD-QUAD+360 Degree90 ± 0.5Degree50MBC-DG-LAB-A21310±200.5~18dBmMBC-DG-LAB-A31060±202.5~19dBmMBC-DG-LAB-A4900±202.5~19dBmMBC-DG-LAB-B1850±102.8~20dBmMBC-DG-LAB-B2780±202.8~20dBm尺寸 (W x H x D): 220 mm x 220 m x 52 mm；电源（后面板）：100-120 V / 220-240 V automatic switch, 50-60 Hz模拟自动偏置控制器（MBC-AN）型号工作波长(nm)输入电压稳定性(dB)模式DC偏置电压(V)锁定点插损(dB)输入光功率(dBm)MBC-AN-BT(MBC-AN-Board)1530~1580±0.1dB自动模式-12~+12QUAD-QUAD+20~18手动模式-11.5~+11.5MBC-AN-BT： 尺寸 (W x H x D): 240 mm x 85 mm x 160 mm； MBC-AN-Board:尺寸(W x H x D): 100mm x 70 mm x 27 mm电源（后面板）：100-120 V / 220-240 V automatic switch, 50-60 HzIQ自动偏置控制器（MBC-IQ）型号工作波长(nm)输入电压稳定性(dB)锁定范围偏置电压(V)锁定点消光比(dB)输入光功率(dBm)MBC-IQ-BT-PD780~1650±0.1dB360 DegreeDC1/2-10~+10MIN MAXQUAD+ QUAD-50-4DC3-18~+18 MODBOX参考发射机选型表： 通信用ModBox是光学调制单元和发射机，主要用作参考发射机来描述网络组件，如光学接收器。它们也被用于实验室开发下一代的通信设备。对于各种调制格式和波长，通信用ModBox在升降时间、抖动、眼图稳定性方面提供了终极性能，因此可以观察到网络及其组成部分造成的信号损伤。 型号描述ModBox-850nm-NRZNRZ、850nm、50Gb/s参考发射机ModBox-OBand-NRZNRZ、全O波段、50Gb/s参考发射机ModBox-CBand-NRZNRZ、全C波段、50Gb/s参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-NRZNRZ、1310nm /1550nm、50Gb/s参考发射机ModBox-OBand-28Gb/s-NRZ-SENRZ、O波段、28Gb/s应力眼图发射机ModBox-850nm-VNAVNA、850nm、30GHz参考发射机ModBox-OBand-VNAVNA、全O波段、65GHz参考发射机ModBox-CBand-VNAVNA、全C波段、65GHz参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-VNAVNA、1310nm /1550nm、40GHz参考发射机ModBox-CBand-12Gb/s-DPSKDPSK、C-Band、12 Gb/s参考发射机ModBox-CBand-28Gb/s-DPSKDPSK、C-Band、28 Gb/s参考发射机MODBOX-IQQPSK, QAM, OFDM 32Gbaud/64Gbaud参考发射机ModBox-850nm-28Gbaud-PAM4PAM-4、850nm、 28 Gbaud参考发射机ModBox-OBand-28Gbaud-PAM4PAM-4、全O波段、28 Gbaud参考发射机ModBox-OBand-56Gbaud-PAM4PAM-4、全O波段、56 Gbaud参考发射ModBox-CBand-28Gbaud-PAM4PAM-4、全C波段、28 Gbaud参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-PAM4PAM-4、1310nm /1550nm、28 Gbaud参考发射机 ModBOX前置脉冲整形器选型表： 脉冲应用使用的ModBox使用了含有短的升降时间高对比度高功率处理来产生、形成或选择高质量、高重复性的光脉冲的优点的iXblue光调制器。有多种波长可供选择，可根据具体应用进行定制。iXblue的ModBox脉冲和前端系统在世界各地的许多高强度激光设备中都很受欢迎。名称型号主要技术指标其他规格选配件前置脉冲发生器MODBOX-PULSE脉冲宽度≥25ps对比度≥40dB对比度≥55dB（双阶系列）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm内置激光器内置脉冲发生器内置可定制较短升级时间的光接收器脉冲整形器MODBOX PULSE SHAPER光脉冲瞬时成型脉冲宽度≥25ps对比度≥40dB对比度≥55dB（双阶系列）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm激光光源光放大器AWG前端机MODBOX-LASER-FRONT-END完整的前段激光系统，包括种子激光器、脉冲整形器、光纤放大器和光谱展宽单元1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、AWG延时发生器激光光源光放大器光谱展宽单元光谱展宽MODBOX SPECTRAL ROADENING多个边带产生的光谱展宽展宽可达2um（@1064nm）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm消光比测试仪MODBOX-DER动态消光比测量高达50dB的高消光比光脉冲1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、脉冲选择器MODBOX PULSE PICKER在输入脉冲序列中选择光脉冲重复频率：DC-10GHz790nm、850nm、1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、1310nm 、2μm脉冲发生器 光纤和光纤光栅 特种光纤： 光纤光栅：iXBlue为不同的应用提供了广泛的特种光纤: 用于光纤放大器和激光器的有源掺杂光纤 用于光纤陀螺仪的保偏光纤 用于光纤放大器和激光器的无源PM和SM光纤 用于光纤传感器和陀螺仪的偏振光纤 用于光纤电流传感器的光纤 用于光纤光栅刻字的光敏光纤 用于光纤陀螺仪或传感器的光纤线圈。iXBlue提供不同类型的FBG类产品: 光纤光栅激光反射镜；用于光纤放大器的增益平坦滤波器；光纤传感器用光纤光栅；光纤光栅阵列:高达100HR的光纤光栅可以镶嵌在同一条光纤中，无需任何拼接；用于单频DFB激光器的FBG组件。

作为化石燃料的替代物，替代能源在发电工程中变得越来越重要。如燃料电池和可充电电池在能源储存于转换领域中发挥着重要的作用。它们的成功取决于性能的不断提高。LPI1010负载/电源供应接口（LPI）旨在帮助您实现这一改进。 电化学阻抗谱 (EIS) 是一种强大的电化学技术, 在燃料电池和可充电电池的研究中非常有用。EIS可以被用来筛选材料以及对材料的性能进行评估等。新方法的基础研究以及可充电电池与燃料电池性能的优化都可以通过EIS测试以及建模来获得有用的信息。 与传统实验室的EIS测试系统相比，Gamry推出的LPI1010 扩展了电压和电流范围。实验室EIS测试系统 也不能处理电池包或者燃料电池堆所产生的的大电压，有时它们所产生的电压可能达到一千伏安。LPI有三种不同的电压控制模，分别是10V，100V和1000V。 典型的系统包括一台Interface 1010E恒电位仪和一台LPI1010与双极电源以及电子负载配合联用(见系统信息)。下面显示了用于电池阻抗测量的系统示意图。也可以使用类似的布置来测量双极电源来提供和吸收电池电流。LPI1010的正弦激励信号输入到电源，该电源调制电池电流。来自电源的电流信号输出到LPI1010电流输入端口。电池的电压可以通过电池的某一极与LP1010的电压输入端口连接直接测试得到。系统可以通过这些信号计算出电池的阻抗，LPI1010可以在恒电流模式或Gamry独有的混合模式下测试EIS。 Gamry LPI1010专门为适合可充电电池和燃料电池的低阻抗而设计。它可以在10 μHz至100 kHz的频率范围内测量复阻抗（频率范围上限取决于电子负载或电源）。 恒电流模式阻抗--60.9V电池. 10kHz to 3 mHz. 0.5 A rms. 使用LPI 测试燃料电池的EISLPI1010也可以测试燃料电池的阻抗。它可以帮助确定限制燃料电池效率的问题，也可以帮助优化电池设计，还可以确定阳极和阴极的过程机理。EIS可用于膜的选择以及膜对性能的影响研究。参比电极在电池中的巧妙放置可以使分析人员分别测试电池的各个部分，例如阳极，阴极和电解质。 系统信息一个完整的LPI1010系统将由Interface 1010E，LPI1010（10，100或1000V型号）和电源或电阻负载组成。Gamry仪器公司可以提供完整的测试系统，包括电源。之前的Interface1010E需要在返厂进行升级后，才可以与LPI1010联用。客户使用自己的电子负载或电源可能需要自定义配置文件和校准电路板。请联系Gamry或当地的经销商以进一步获取系统的详细情况。通用规格***数值频率范围10 uHz – 100 kHz*重量1 kg测试模式Galvanostatic or Hybrid EIS电极线长度1 m信号输出到负载或电源10 V 全量程, BNC接口**信号输入到负载或电源10 V 全量程, BNC接口** *仅LPI1010。测量带宽取决于您的电源或电子负载。** LPI1010 100V NF为1V满量程*** 规格如有变更，恕不另行通知。型号PNLPI1010 Load/Power Supply Interface 10V992-00155LPI1010 Load/Power Supply Interface 100V 992-00156LPI1010 Load/Power Supply Interface 100V NF 992-00163LPI1010 Load/Power Supply Interface 1000V992-00157

一、售前服务：为您提供理化试验室电学性能测试室的规划设计方案：◎ 试验室设施和环境要求◎ 仪器、北京中航时代检测仪器设备的配置在您研制新材料时，专业工程师可为您提供材料测试服务，当收到您委托做试验的试样和试验要求后，结合试验标准要求和材料特性选择适合的设备为您完成测试，并将以电邮的方式将试验报告及图片发给您。多年材料电学解决方案的积累，结合您的实际需求，为您提供丰富的实际应用案例，您将会对试验标准的理解，试验设备的选型，试验附件的选购有更多的参照。二、售后服务：1、安装调试：协助试验机的安装，负责试验机的运输、调试。2、验收标准：试验机按订货技术附件进行验收。终验收在买方进行，对用户提供的试样进行试验，并提供测试报告。3、培训：安装调试同时，在仪器操作现场免费培训操作人员2-3名，该操作人员应是由需方选派的长期稳定的员工，培训后能够对设备基本原理、软件使用、操作、维护事项理解和应用，使人员能够独立操作设备对样品进行检测、分析，同时能进行基本的维护。4、软件升级：终生免费提供新版本控制软件。5、保修：5.1、北京中航时代检测仪器设备保修一年，长期服务，一年内非人为损坏的零部件免费更换，保修期内接到用户邀请后，迟响应时间为2小时内，在与用户确认故障后，我公司会在48小时内派工程师到达现场进行免费服务，尽快查清故障所在位置和故障原因，并向用户及时报告故障的原因和排除办法。5.2、保修期内人为损坏的零部件按采购（加工）价格收费更换。5.3、北京中航时代检测仪器保修期外继续为用户提供专业技术服务，在接到用户维修邀请后3天内派工程师到达用户现场进行维修。并享有优惠购买零配件的待遇。5.4、传感器过载及整机电路超压损坏不在保修范围内。三、选型说明：1、 介电强度和击穿电压的区别：介电强度：是一种材料作为绝缘体时的电强度的量度.它定义为试样被击穿时, 单位厚度承受的最大电压,单位是：KV/mm或MV/m,介电强度越大, 它作为绝缘体的质量越好.介电强度也可称为电气强度。击穿电压：是一种材料作为绝缘体时所能承受的最大电压值，也就是击穿破坏时的最大电压值，单位是：KV2、 北京中航时代检测仪器如何选择合适量程的电压击穿：在材料的标准要求里或者测试报告中，对材料的耐压等级通常用介电强度来表示，即KV/mm,击穿电压和介电强度的关系可以用如下公式表示：击穿电压值（KV）介电强度（KV/mm）=------------------------------------------试样厚度（mm）由如上公式可以得出结论,选择多大量程的测试仪器,取决于试样的厚度,即:击穿电压值(KV)=介电强度(KV/mm)* 试样厚度（mm） 由此公式所得出的击穿电压值是按照试样厚度测试时的有效电压值，所以得出击穿电压值后，在此电压值得基础上适当加宽些量程范围比较合理，建议计算出击穿电压值后增加10KV—20KV3、 同等电压量程不同功率的电压击穿试验仪的区别：A：在测试规程和测试标准中，测试数据是击穿电压值，而对仪器的输出电流没有要求时，可以不用考虑设备的容量值，只关注设备的量程即可，对测试数据没有影响B：在有些测试标准或测试要求中，必须要求仪器满足最大输出电流是多少，对此在选择仪器量程的同时，需要关注变压器的容量值（即功率KVA）C：输出电流、电压值及功率之间的关系用如下公式表示：变压器容量（KVA）输出电流（MA）=----------------------------------------------电压量程（KV）气体中的沿面放电电力系统中，电气设备的带电部分总要用固体绝缘材料来支撑或悬挂。绝大多数情况下，这些固体绝缘是处于空气之中。如输电线路的悬式绝缘子、隔离开关的支柱绝缘子等。当加在这些绝缘子的极间电压超过一定值时，常常在固体介质和空气的交界面上出现放电现象，这种沿着固体介质表面气体发生放电称为沿面放电。当沿面放电发展成贯穿性放电时，称为沿面闪络，简称闪络。沿面闪络电压通常比纯空气间隙的电压击穿低，而且受绝缘表面状态、污染程度、气候条件等因素影响很大。电力系统中的绝缘事故，如输电线路遭受雷击时绝缘子的闪络、污秽工业区的线路或变电所在雨雾天时绝缘子闪络引起跳闸等都是沿面放电造成的。一、界面电场分布的典型情况气体介质与固体介质的交界面称为界面，界面电场的分布情况对沿面放电的特性有很大的影响。界面电场的分布有以下三种典型的情况：(1)固体介质处于均匀电场中，且界面与电力线平行，如图1-24(a)所示，这种情况在实际工程中很少遇到，但实际结构中会遇到固体介质处于稍不均匀电场的情况，此时的放电现象与均匀电场中的放电有相似之处。(2)固体介质处于极不均匀电场中，且电力线垂直于界面的分量(以下简称垂直分量)比平行于界面的分量要大得多，如图1-24(b)所示。套管就属于这种情况。(3)固体介质处于极不均匀电场中，在界面大部分地方(除紧靠电极的很小区域外)，电场强度平行于界面的分量比垂直分量大，如图1-24(c)所示。支持绝缘子就属于此情况。这三种情况下的沿面放电现象有很大的差别，下面分别加以讨论。二、均匀电场中的沿面放电在平行板的均匀电场中放入一瓷柱，并使瓷柱的表面与电力线平行，瓷柱的存在并未影响电极间的电场分布。当两电极间的电压逐渐增加时，放电总是发生在沿瓷柱的表面，即在同样条件下，沿瓷柱表面的闪络电压比纯空气间隙的电压击穿要低得多，其关系曲线如图1-25所示，图中UF为沿面工频闪络电压(幅值)，S为间隙距离。这是因为：(1)固体介质与电极表面没有完全密合而存在微小气隙，或者介质表面有裂纹。由于纯空气的介电系数总比固体介质的低，这些气隙中的场强将比平均场强大得多，从而引起微小气隙的局部放电。放电产生的带电质点从气隙中逸出，带电质点到达介质表面后，畸变原有的电场，从而降低了沿面闪络电压，如图1-25曲线4所示。在实际绝缘结构中常将电极与介质接触面仔细研磨，使两者紧密接触以消除空气隙，或在介质端面上喷涂金属，将气隙短路，提高沿面闪络电压。(2)介质表面不可能绝对光滑，总有一定的粗糙性，使介质表面的微观电场有一定的不均匀，贴近介质表面薄层气体中的最大场强将比其他部分大，沿面闪络电压降低。(3)因体介质表面电阻不均匀，使其电场分布不均匀，造成沿面闪络电压的降低。(4)体介质表面常吸收水分，处在潮湿空气中的介质表面常吸收潮气形成一层很薄的水膜。水膜中的离子在电场作用下分别向两极移动，逐渐在两电极附近积聚电荷，使介质表面的电场分布不均匀，电极附近场强增加，因而降低了沿面闪络电压。介质表面吸附水分的能力越大，沿面闪络电压降低得越多。由图1-25可见，瓷的沿面闪络电压曲线比石蜡的低，这是由于瓷吸附水分的能力比石蜡大的缘故。瓷体经过仔细干燥后，沿面闪络电压可以提高。由于介质表面水膜的电阻较大，离子移动积聚电荷致表面电场畸变需要一定的时间，故沿面闪络电压与外加电压的变化速度有关。水膜对电压作用下的闪络电压影响较小，对工频和直流电压作用下的闪络电压影响较大，即在变化较慢的工频或直流电压作用下的沿面闪络电压比变化较快的电压作用下的沿面闪络电压要低。与气体间隙一样，增加气体压力也能提高沿面闪络电压。但气体必须干燥，否则压力增加，气体的相对湿度也增加，介质表面凝聚水滴，沿面电压分布更不均匀，甚至会出现高气压下，沿面闪络电压反而降低的异常现象。随着气压的升高，沿面闪络电压的增加不及纯空气间隙电压击穿的增加那样显著。压力越高，它们间的差别也越大。三、极不均匀电场中的沿面放电图1-24说明按电力线在界面上垂直分量的强弱，极不均匀电场中的沿面放电可分为以下两种类型。1.极不均匀电场具有强垂直分量时得沿面放电固体介质处于不均匀电场中，电力线与介质表面斜交时，电场强度可以分解为与介质表面平行的切线分量和与介质表面垂直的法线分量。具有强垂直分量的典型例子如图1-24(b)所示。工程上属于这类绝缘结构的很多，它的沿面闪络电压比较低，放电时对绝缘的危害也较大。现以最简单的套管为例进行讨论。图1-26表示在交流电压作用下套管的沿面放电发展过程和套管体积电容的等值图。由于在套管法兰盘附近的电场很强，故放电首先从此处开始。随着加在套管上的电压逐渐升高并达到一定值时，法兰边缘处的空气首先发生游离，出现电晕放电，如图1-26(a)听示：随着电压的升高，电晕放电火花向外延伸，放电区逐渐形成由许多平行的细线状火花，如图1-26(b)所示。电晕和线状火花放电同属于辉光放电，线状火花的长度随外施电压的提高增加，由于线状火花通道中的电阻值较高，故其中的电流密度较小，压降较大。线状火花中的带电质点被电场的法线分量紧压在介质表面上，在切线分量的作用下向另一电极运动，使介质表面局部发热，当电压增加而使放电电流加大时，在火花通道中个别地方的温度可能升得较高，当外施电压超过某一临界值后，温度可高到足以引起气体热游离的数值。热游离使通道中的带电质点急剧增加，介质电导猛烈增大，并使火花通道头部电场增强，导致火花通道迅速向前发展，形成浅蓝色的、光亮较强的、有分叉的树枝状火花，如图1-26(c)所示。这种树枝状火花并不固定在一个位置上，而是在不同的位置交替出现，此起彼伏不稳定，并有轻微的裂声，此时的放电称为滑闪放电，滑闪效电是以介质表面的放电通道中发生热游离为特征的。滑闪放电的火花长度随外施电压的增加而迅速增长，当外施电压升高到滑闪放电的树枝状火花到达另一电极时，就产生沿面闪络。此后依电源容量之大小，放电可转入火花放电或电弧。为近一步分析固体绝缘的介电性能和几何尺寸对沿面放电的影响，可将介质用电容和电阻等值表示，将套管的沿面放电问题就化为链形等值回路，如图1-27所示，当在套管上加上交流电压时，沿套管表面将有电流流过，由于R及C的存在，沿套管表面的电流是不相等的。越近法兰处(B)，电流越大、单位距离上的压降也越大，电场也越强，故B处的电场最强。固体介质的介电系数越大，固体介质的厚度越小，则体积电容越大，沿介质表面的电压分布就越不均匀，其沿面闪络电压也就越低；同理，固体介质的体积电阻越小，沿面闪络电压也就越低：若电压变化速度越快，频率越高，分流作用也就越大，电压分布越不均匀，沿面闪络电压也就越低；而固体介质的表面电阻(特别是靠近B处)的在一定范围内适当减小，可使沿面的最大电场强度降低，从而提面沿面闪络电压。沿面闪络电压不正比于沿面闪络的长度，前者的增大要比后者的增长慢得多。这是因为后者增长时，通过固体介质体积内的电容电流和泄漏电流将随之有很大得增长，使沿面电压分布的不均匀性增强的缘故。长期的滑闪放电会损坏介质表面，在工作电压下必须防止它的出现，为此必须采取措施提高套管的沿面闪络电压。其出发点是：①减小套管的体积电容，调整其表面的电位分布，如增大固体介质的厚度，特别是加大法兰处套管的外径，也可采用介电常数较小的介质；2减小绝缘的表面电阻，即减少介质的表面电阻率，如在套管近法兰处涂半导体漆或半导体釉，以减小该处的表面电阻，使电压分布变得均匀。由于滑闪放电现象与介质体积电容及电压变化的速度有关，故在工频交流和电压作用下，可以明显的看到滑闪放电现象，而在直流电压作用下，则不会出现明显的滑闪放电现象。但当直流电压的脉动系数较大时，或瞬时接通、断开直流电流时，仍有可能出现滑闪放电。在直流电压作用下，介质的体积电容对沿面放电的发展基本上没有影响，因而沿面闪络电压接近于纯空气间隙的电压击穿。2.极不均匀电场具有强切线分量时的沿面放电极不均匀电场具有强切线分量的情况如图1-24（c）所示，支持绝缘子即属此情况。在此情况下，电极本身的形状和布置已使电场很不均匀，其沿面闪络电压较低(与均匀电场相比)，因而介质表面积聚电荷使电压重新分布所造成的电场畸变，不会显著降低沿面闪络电压。此外，因电场的垂直分量较小，沿介质表面也不会有较大的电容电流流过，放电过程中不会出现热游离，故没有明显的滑闪放电，垂直于放电发展方向的介质厚度对沿面闪络电压实际上没有影响。因此为提高沿面闪络电压，一般从改进电极形状，以改善电极附近的电场着手。如采用内屏蔽或采用外屏蔽电极（如屏蔽罩和均压环等)。四、绝缘子串的电压分布我国35kV及以上的高压输电线路都使用由盘式绝缘子组成的绝缘子串作为线路绝缘。绝缘子串的机械强度仍与单个绝缘子相同，而其沿面闪络电压则随绝缘子片数的增多而提高，绝缘子串中绝缘子片数的多少决定了线路的绝缘水平，一般35kV线路用3片、110kV 用7片、220V用13片、330kV用19片，500kV用28片。用于耐张杆塔时考虑到绝缘子老化较快，通常增加1~2片。在机械负荷很大的场合，可用几串同样的绝缘子并联使用。悬式绝缘子串由于绝缘子的金属部分与接地铁塔或带电导线间有电容存在，使绝缘子串的电压分布不均匀，其等值电路如图1-28(c)所示。图中C为绝缘子本身的电容，CE为绝缘子金属部分对地(铁塔)的电容，CL为绝缘子金属部分对导线的电容，一般C为50～70pF、CE为4～5pF、CL为0.5~1pF。如果统缘子串的串联总电容C/n (n为绝缘子片数)远大于CE及CL，那么由CE及CL分流的电流就不会对绝缘子串上的电压分部产生显著影响、即沿绝缘子串上的电压分布基本上是均匀的。但实际上C/n一般与CE在同一数量级，当n很大时与CL接近，将导致绝缘子串上的电压分布不均匀。如果只考虑对地电容CE，则等值电路如图1-28(a)所示，当CE两端有电位差时，必然有一部分电流经CE流入接地铁塔，流过CE的电流都由绝缘子串分流出去的，由于各个CE分流的电流将使靠近导线端的绝缘子流过的电流最多，从而电压降也最大。如果又考虑对导线电容CL，则等值电路图1-28(b)听示。同样可知，由于各个CL分流的电流将使靠近铁塔端的绝缘子流过的电流最大，从而电压降也最大。实际上CE及CL同时存在，绝缘子串的电压分布应该用图28(c)所示的等值电路进行分析，由于CE＞CL，即CE的影响比CL大，故绝像子串中靠近导线端的绝缘子承受的电压降最大，离导线端远的绝缘子电压降逐渐减小。当靠近铁塔横担时，CL的作用显著，电压降又有些升高。从以上分析可知，随着导线输送电压的提高，串联的绝缘片数越多，绝缘子串的长度越长，沿笔缘子串的电压分布越不均匀；绝缘子本身的电容C越大，则对地电容CE和对导线电容CL分流作用的影响要小一些，绝缘子串的电压分布也就比较均匀：增大CL能在一定程度上补偿CE的影响，使电压分布的不均匀程度减小，如用大截面导线或分裂导线，都可使导线端的第一个绝缘子上的电压降减小。随着输电电压的提高，绝缘子片数越来越多，绝缘子串上的电压分布越来越不均匀，靠近导线端第一个绝缘子上的电压降最高，当其电压达到电晕起始电压时，常常会产生电晕，它将干扰通信线路，造成能量损耗，也会产生氮的氧化物和臭氧，腐蚀金属附件和污秽绝缘子表面，降低绝缘子的绝缘性能，故在工作电压下是不允许产生电晕的。为了改善绝缘子中的电压分布，可在绝缘子串导线端安装均压环。其作用是加大绝缘子对导线的电容CL，从而使电压分布得到改善。通常对333kV及以上电压等级的线路才考虑使用均压环。绝缘子的电气性能常用闪络电压来衡量，气象条件及污秽等原因，常会影响其闪络电压。根据工作条件的不同，闪络电压可分为干闪电压和湿闪电压两种。前者是指表面清洁面且干燥时绝缘子的闪络电压，它是户内绝缘子的主要性能。后者是指洁净的绝缘子在淋雨情况下的闪络电压，它是户外绝缘的主要性能。在淋雨情况下绝缘子串表面（主要是瓷盘上部表面）附着一层导电的水膜，在水膜中较大的泄漏电流引起湿表面发热，局部泄漏电流密度大的地方也使水膜发热烘干，使绝缘子串表面的压降加大引起局部放电，从而导致整个沿面闪络。由于这种热过程发展缓慢，故在电压作用下淋雨对缘子串的闪络电压无多大的影响。在工频电压作用下，当绝缘子串不长时，其湿闪电压显者低于干闪电压 (约低15%~20%)。由于在淋雨情况下沿绝缘子串的 电压分布（主要按电导分布）比较均匀，绝缘子串的湿闪电压也基本上按绝缘子串长度的增加而线性增加； 而干燥情况下的绝缘子串由于电压分布不均匀，绝缘子串的干闪络梯度将随绝缘子串长度的增加而下降。这样，随着绝缘子串长度的增加，其湿闪电压将会逐渐接近，以致超过干闪电压，两者的比较见图1-29。绝缘子表面被雨淋湿后，其沿面闪络电压大为降低。为了防止这种情况，户外的绝缘子总具有一些凸出的裙边。下雨时仅裙边的上表面被淋湿，水流到裙边的边缘上，使水膜不能贯通绝缘子的上下电极，以提高绝缘子的沿面闪络电压。而户内绝缘子裙边则较小。五、绝缘子表面污秽时的沿面放电户外绝缘子，特别是在工业区、海边或盐碱地区运行的绝缘子，常会受到工业污秽或自然界盐碱、飞尘等污秽的污染，在干燥情况下，这种污秽尘埃的电阻很大，沿绝缘子表面流过的泄漏电流很小，对绝缘子的安全运行没有什么危险。下大雨时，绝缘子表面的污秽容易被冲掉，当大气湿度较高，或在毛毛雨、雾、露、雪等不利的天气条件下，绝缘子表面的污秽尘埃被润湿，表面电导刷增，使绝缘子的泄漏电流剧增，其结果使绝缘子在工频和操作电压下的闪络电压(污闪电压)显著降低，甚至有可能使绝缘子在工作电压下发生闪络(通常称为污闪)。污闪将使设备跳闸，引起停电事故。据某工业地区统计，雾天的污闪事故占电力线路事故的21%，污闪事故往生造成大面积停电，检修恢复时间长，严重影响电力系统的安全运行。介质表面的污闪过程与清洁表面完全不同，故研究脏污表面的沿面放电，对污秽地区的绝缘设计和安全运行有重要的意义。在潮湿污秽的绝缘子表面出现闪络的机理大致如下：污秽绝缘子被润湿后，污秽中的高导电率溶质溶解，在绝缘子表面形成薄薄的一层导电液膜，在润湿饱和时，绝缘子表面电阻下降几个数量线。在电压作用下，流经绝缘子表面污秽层的泄漏电流显著增加，泄漏电流使润湿的污层加热、烘干。由于污层沿表面分布不均匀，也由于绝缘子的复杂结构造成各部分电流密度不同，污秽层的加热也是不平衡的。在电流密度最大且污层较薄的铁脚附近发热最甚，水分迅速蒸发，表面被逐渐烘干，使该区的电阻大增，沿面电压分布随之改变，大部分电压降落在这些干燥部分。将与这些干燥部分的空气间隙击穿形成火花放电通道，由于火花通道的电阻低于原干燥部分的表面电阻，使泄漏电流增大，形成局部电孤，使污层进一步干燥，使电弧伸长。总之，绝缘子全部表面的干燥将使泄漏电流减小，而局部电弧的伸长则使泄漏电流增大。如总的结果是泄漏电流减小，则局部电弧将熄灭；如总的结果是泄漏电流增大，则局部电弧将继续伸长，多个局部电弧的发展串接起来形成沿整个绝续表面的闪络。因为局部电弧的产生及其参数与污层的性质、分布以及润湿程度等因素有关，并有一定的随机性，故污闪也是一种随机过程，如果电压增高，则泄漏电流增大，有利于局部电弧的发展，可使闪络的概率增加；如果绝缘子的沿面泄漏距离或爬电距离增加，则泄漏电流减小，从而使闪络的概率降低。污闪过程是局部电弧的燃烧和发展过程，需要一定的时间。在短时的过电压作用下，上述过程来不及发展，因此闪络电压要比长时电压作用下要高，在电压作用下，绝缘子表而潮湿和污染实际上不会对闪络电压产生影响，即与表面干燥时的闪络电压一致。对于运行中的线路，为了防止绝缘子的污闪，保证电力系统的安全运行，可以采取以下措施：(1)对污秽绝缘子定期或不定期的进行清扫，或采用带电水冲洗。这是绝对可靠、效果很好的方法。根据大气污秽的程度、污秽的性质，在容易发生污闪的季节定期进行清扫。可有效地减少或防止污闪事故。清扫绝缘子的工作量很大，一般采用带电水冲洗法，效果较好。可以装设泄漏电流记录器，根据泄漏电流的幅值和脉冲数来监督污秽绝缘子的运行情况，发出预告信号，以便及时进行清扫。(2)在绝缘子表面涂一层憎水性的防尘材料，如有机硅脂，有机硅油、地蜡等，使绝缘子表面在潮湿天气下形成水滴，但不易形成连续的水膜，表面电阻大，从而减少了泄漏电流，使闪络电压不致降低太多。(3)加强绝缘和采用防污绝缘子。加强线路绝绝缘的最简单的方法是增加绝缘子串中绝缘子的片数，以增大爬电距离。但此方法只适用于污区范围不大的情况，否则很不经济，因增加串中绝缘子片数后必须相应地提高杆塔的高度。使用专用的防污绝缘子可以避免上述缺点，因为防污绝缘子在不增加结构高度的情况下使泄漏距离明显增大。(4)采用半导体绝缘子。这种绝缘了釉层的表面电阻为106～108Ω，在运行中利用半导体釉层流过均匀的泄漏电流加热表面，使介质表面干燥，同时使绝缘子表面的电压分布较均匀，从而能保持较高的闪络电压。近年来发展很快的合成绝缘子，防污性能比普通的瓷绝缘子要好得多，合成绝缘子是由承受外力负荷的芯棒(内绝缘)和保护芯棒免受大气环境侵袭的伞套(外绝缘)通过粘接层组成的复合结构绝缘子。玻璃钢芯棒是用玻璃纤维束浸渍树脂后通过引拔模加热固化而成，有极高的抗张强度。制造伞套的理想材料是硅橡胶，它有优良的耐气候性和高低温稳定性，经填料改性的硅橡胶还能耐受局部电弧的高温。由于硅橡胶是憎水性材料，因此在运行中不需清扫，其污闪电压比瓷绝缘子高得多。除优良的防污闪性能外，合成绝缘子的其他优点也很突出，如质量轻、体积小、抗拉强度高，制造工艺比瓷绝缘子简单等，但投资费用远大于瓷质绝缘子，目前合成绝缘子在我国已得到广泛的应用，也已有一定运行经验，且已作为一项有效的防污闪措施正在推广。

Modulab XM PhotoEchem光电测试系统 是一套可表征染料敏化电池的整体集成式光学测试系统。而且该体系可用于可见光谱-光电化学领域的研究，例如，氧化铁催化光解水等。 Solartron Analytical作为超过二十年的行业领导者，认识到许多仪器使用者对仪器技术本身并不很熟悉，因此推出此产品的核心理念是对海量数据的分析实现“一键式”操作，研发并提供综合成套的技术解决方案。而对于有经验的使用者，ModuLab提供了功能强大的实验步骤设置软件，用户可自行建立和发展最适合的新的实验方案。该系统具有以下特点：● 频域和时域的测试技术，包括：IMPS，IMVS，阻抗，光电压衰减，电量抽取和I-V曲线和IPCE测量；● 对有效扩散系数的计算和电子寿命的“自动”数据分析的“一键式”操作，适合于对频域测试技术比较陌生的使用者；● 带有NIST(美国国家标准与技术研究院测试标准)可追溯校准文件的光源，并且日常可以对其进行校验检查；● 长期稳定的卓越热效管理的光源，提供一系列的高亮度单色LED光源；● 软件包含全套电化学测试技术，包括：循环伏安(C-V)，恒电压-电流测试，系列的阻抗测试方法以及交流伏安法；● 辅助分压功能可用于同时检测阳极和阴极的阻抗和电压；● Solartron Analytical的频率响应分析（FRA）技术，包含单波，频率扫描和多波技术；完美兼容ModuLab 和 ModuLab XM全部功能不仅是一个光电化学测试体系 Modulab XM PhotoEchem集合了功能强大的ModuLab频率响应分析（FRA）和恒电位仪技术。现有Modulab 系统通过配备选项卡和光学工作台即可升级为Modulab XM PhotoEchem。丰富的实验程序包：为光电化学测试系统专门研发设计的专用软件套装，包括：● 强度调制光电流谱（IMPS）● 强度调制光电压谱（IMVS）● 阻抗谱● I-V曲线● 电量抽取 短路电量抽取 暗室电量抽取● 光电压衰减● 光电转化效率（IPCE） 控制光学平台进行以上测试技术可以使研究人员开发出更多光电研究的测试技术。 如需了解更多关于ModuLab XM恒电位仪及频率响应分析（FRA）技术，请参阅ModuLab样本。

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产品名称：介电强度测定仪产品型号：ZJC-50KV、ZJC-100KV产品品牌：航天纵横控制方式：计算机控制符合标准：GB/T1408、ASTM D149等适用材料：橡胶、塑料、薄膜、陶瓷、玻璃、漆膜、树脂、电线电缆、绝缘油等绝缘材料测试项目：击穿电压测试、介电强度测试、电气强度测试、耐电压击穿强度测试等试验电压：20KV、50KV、100KV、150KV等电压精度：≤1%适用材料：绝缘材料升压速率：10V/S-5KV/S试验方式：交流/直流、耐压、击穿、梯度升压控制系统：PLC控制升压核心部件：采用进口配件试验介质：绝缘油、空气显示方式：曲线显示、数据打印其它特点：无线蓝牙控制设备组成：主机、计算机、电极电极规格：25mm、75mm、6mm电器容量：5KVA、10KVA耐压时间：0-8H安全保护：九级安全保护质保日期：三年、终身维护。培训方式：工程师上门培训安装出据证书：514所、304所、科学研究院等单位均可主机尺寸：700*800*1300mm、1900*1300*1700mm主机重量：100KG、200KG产品类别：电性能检测仪器物流包装：德邦、木箱付款方式：全款发货产品货期：1-3个工作日一、用途：ZJC-100KV固体材料电压击穿测试仪/电压击穿强度测试仪/介电击穿强度测试仪/HG/T3330绝缘漆漆膜击穿强度测试仪/电气强度测试仪/电气介电强度测试仪//GB/T1408.1-2016固体绝缘材料电气强度测试仪/耐电压击穿强度测试仪/GB/T12656高电压击穿场强测试仪/介质击穿测试仪/耐压高电压测试仪/GB/T1695-2005工频击穿电压测试仪/耐电压介电强度测试仪/GB/T3333介电击穿测试仪/耐电压强度测试仪/交直流耐电压击穿测试仪/电气击穿测试仪/自动电压测试仪/耐电压测试仪/介电性能测试仪/电气绝缘强度测试仪/抗电压强度测试仪/电气测试设备/ASTM D149介电击穿电压和介电强度的试验仪可实时绘制试验曲线，显示试验数据，判断准确，并可保存，分析，打印试验数据。并且能够自动判别试样击穿并采集击穿电压数据及泄露电流，同时能够在击穿的瞬间电压迅速降低自动归零。软件系统操作方便，性能稳定，安全可靠。由电脑控制，数据采集方式通过光电隔离，有效解决试验过程中的抗干扰问题，软件操作使用方便，能够实时显示动态曲线，同时升压速率无级可调，可以根据自己的需要进行升压速率调节，调节范围在0.1KV-3KV/S，使升压速率真正做到匀速、准确，并能够准确测出漏电电流的数据。二、符合标准：1、GB1408.1-2006《绝缘材料电气强度试验方法》2、GB1408.2-2006《绝缘材料电气强度试验方法 第2部分：对应用直流电压试验的附加要求》3、GB/T1695-2005《硫化橡胶工频击穿电压强度和耐电压的测定方法》4、ASTM D149《固体电绝缘材料工业电源频率下的介电击穿电压和介电强度的试验方法》三、主要技术要求：1、设备输入电压：交流 100KV (普通试验室电源均可兼容)2、试验电压方式：交流 0--100 KV ；直流 0--100 KV；3、电器容量：10KVA 4、试验方法：0-100KV全量程可调 5、击穿及耐压试验升压速率：10V/S-5KV/S6、试验方式： 交/直流试验：1、匀速升压 2、阶梯升压 3、耐压试验7、过电流保护装置应有足够灵敏度以保证试样击穿时在0.1S内切断电源。8、漏电电流选择：1—100 mA可由计算机软件自由进行设定。9、本仪器采用先进的无触点原件匀速调压方式，淘汰同类产品中机械传动升压方式。10、支持短时间内短路试验要求。(其它同类产品无此功能)11、一次试验可以同时做5个试样。(同类产品一次试验只能做一个试样)12、电压测量误差：≤ 2％13、试验电压连续可调：0-100 KV14、耐压时间设定： 0-6小时(可通过软件连续设定)15、九级安全防护措施： (1) 超压保护(2)试验过流保护 (3)试验短路保护(4)安全门开启保护(5)软件误操作保护(6)零电压复位保护(7)试验结束放电保护(8)独立保护接地(9)试验完成后电磁放电四、试验方式：1、绝缘试样空气中击穿或耐压试验2、绝缘试样浸油中击穿或耐压试验3、绝缘试样空气中阶梯击穿或耐压试验4、绝缘试样浸油中阶梯击穿或耐压试验五、试验软件：1、在试验过程中可对升压击穿过程绘制实时曲线，每次试验的升压曲线都由不同颜色构成，试验结束后可叠加对比材料的试验数据重复性。2、可以随时调取当前及历史试验数据进行查看，编辑及修改参数。3、试验过程中可以随时修改试验条件及存储路径及自动存储试验结果。4、试验过程中，可随时通过软件决定本次试验是否有效，方便筛选试验结果。5、可设置操作口令，做到专机专人操作，避免无关人员误操作。六、安全保护功能：1、试验在试验箱中进行，试验箱门打开时电源加不到高压变压器输入端，即高压侧无电压。100KV测试设备高压电极距离试验箱壁的0近距离大于270mm，50KV测试设备高压电极距离试验箱壁的0近距离大于250mm，试验时即使人接触箱壁也不会有危险。2、设备要安装单独的保护地线。接保护地线，主要是减少试样击穿时对周围产生的较强的电磁干扰。也可避免控制计算机失控。3、该试验设备的电路设有多项保护措施，主要有：过流保护、过压保护、漏电保护、短路保护、直流试验放电报警，电磁放电等。4、直流试验放电报警功能:在设备做完直流试验时,当开启试验门时设备会自动报警,直至使用设备上的放电装置放电后报警会自动取消.(注：因为直流试验后不放电会危险到人安全,不能直接拿取电极,起到提醒使用人员放电以免造成伤害)。5、试验放电装置，电磁铁自动放电放置。七、配置清单：序号名称单价（万元）数量/单位厂家1主机3.81台航天纵横 包含变压器1台武高所调压器1台华通传感器2个德国图尔克步进电机1台松下PLC控制模块1套德国西门子放电系统1套航天纵横电流模块1套日本松野电压模块1套日本松野无线接收器1个航天纵横2数据处理系统0.31套 包含计算机1台联想启天打印机1台惠普试验软件1套 航天纵横无线接收器1个A/D转换器1个3配件0.21套 包含电极支架1套25mm电极2只75mm电极1只油槽1只绝缘手套1双绝缘胶垫2*1米随机文件1套4 选购配件 选购计量证书绝缘油6mm电极球形电极板材电极漆包线电极线材电极管材电极其它电极相关产品：ZJC-50KV型电压击穿强度试验仪ZJC-100KV型电压击穿强度试验仪ZST-121型体积表面电阻测试仪ATI-212型体积表面电阻率测试仪ATI-991型导体和防静电材料电阻率测试仪ZJD-B型介电常数及介质损耗测试仪ZJD-C型介电常数及介质损耗测试仪QS-37工频介电常数介质损耗测试仪LDQ-2漏电起痕试验仪ZLD-6KV高压漏电起痕试验仪ZDH-20KV耐电弧试验仪XRW-300系类热变形维卡温度测定仪XNR-400系类熔体流动速率测定仪M-200橡胶塑料滑动摩擦磨损试验机QYH-96球压痕硬度计JF-3型数显氧指数测定仪CZF-5水平垂直燃烧试验机DJC-1单根电线电缆燃烧试验机ZLQ-500落球回弹仪ZYX-2000海绵压陷硬度测试仪WZY-240型万能制样机WDW系类电子万能试验机MDJ系类电子密度计典型用户：贵州省建材产品质量监督检验院艾仕得涂料系统（上海）有限公司清华大学 北车唐山机车车辆有限公司重庆工商大学宿迁市新腾鞋业有限公司依工聚合工业（吴江）有限公司育群高精密橡胶制品（深圳）有限公司安丘市大德通塑业有限公司杭州金州高分子科技有限公司方圆（天津）汽车零部件有限公司景德镇陶瓷学院鹰潭市康大塑胶有限公司广东四方威凯新材料有限公司成都电子科技大学青岛海源通塑料厂大连理工大学广州华南理工大学上海空间电源研究所上海金由氟材料有限公司江苏合成新材料有限公司江西宏特绝缘材料有限公司中国科学院北京纳米能源与系统研究所中国建材检验认证集团有限公司中国第一汽车股份有限公司技术中心中国航天科技集团烽火机械厂沈阳化工股份有限公司山西省医疗器械检测中心广东计量测试技术服务中心北京博华信智科技股份有限公司德昌电机（深圳）有限公司康龙化成（北京）新药技术有限公司中电科微波通信（上海）股份有限公司大庆市坤田化工科技有限公司河北华夏实业有限公司湘潭电机股份有限公司中国人民解放军军事医学科学院试验仪器厂重庆中科力泰高分子材料股份有限公司杭州包尔得有机硅有限公司江西腾徳实业有限公司青岛黑猫炭黑科技有限公司新丰杰力电工有限公司四川大学青岛德安新碳复合材料有限公司贵州省建材产品质量监督研究院东莞市天桉硅胶科技有限公司河北绿农食品检测服务有限公司售后服务承诺：1、质量保证：北京航天纵横仪器设备有限公司作为设备供应商，我公司对所提供的产品均为厂家原厂原包装，符合国家标准，并提供产品技术资料(包含安装说明书，产品装箱目录、产品中文使用说明书、合格证及保修凭证等)。 2、产品交货期：尽量按用户要求，若有特殊要求，需提前完工的，我公司可特别组织生产、安装，力争满足用户需求。 3、保修承诺：航天纵横所有产品质保三年，我司对本次协议供货有效期内所提供的所有产品保质期 ，有效期内所提供的产品，提供正常工作日全天侯服务，终身技术服务支持。 4、响应时间：保修期内，产品若发生故障，在接到贵公司报修后，24小时内帮客户解决问题。 5、服务体系：作为设备供应商本公司对本次招标所提供的产品提供保障体系： 当设备出现故障，必要时将派指定的专业技术员在规定时间内上门维修或寄修，产生的运费由本公司承担。 6、上门调试：在货物到达客户指定地点后，需要安装调试的我单位会派一名专业技术人员到现场进行免费安装培训。二、产品价格承诺 1、在同等竞争条件下，我公司在不以降低产品技术性能、更改产品部件为代价的基础上，真诚以0优惠的价格提供给贵方。 2、在保修期内供方将免费维修和更换属质量原因造成的零部件损坏，保修期外零部件的损坏，提供的配件只收成本费，由需方人为因素造成的设备损坏，供方维修或提供的配件均按成本价计。 三、售后服务保证 公司实力保障：本公司有完善的售后服务体系 四、投诉体系及联系方式1、 如果您对我们的服务有意见，请向技术部调度员或维修部经理投诉。 2、 对用户所投诉的问题，核实是我们责任的，将对管理人员及经办人员进行不同程度的惩处。如不是我司的责任，相关人员也将向用户公司简介：北京航天纵横仪器设备有限公司（以下简称智德仪器，ZDYQ）成立于2007年，注册资金6000万，是集研发、设计、生产、销售、服务、管理于一体的高科技企业。拥有一支专业从事研发、制造、安装、调试及售后服务的团队，联合北京清华大学、北京工业大学、北京大学，北京航天航空大学精密仪器专家作为公司的技术顾问，另外我们还拥有一批素质高、热情高、服务优的销售及售后服务团队，这就解除了您的后顾之忧。北京航天纵横仪器设备有限公司位于美丽繁华的政治经济文化交流中心北京市，物华天宝，人杰地灵。公司在发展过程中，主要致力于绝缘材料、橡胶塑料、薄膜塑料、陶瓷玻璃、树脂、电线电缆料等固体材料的电压击穿试验仪、介电强度测试仪、电气强度测试仪、击穿强度测试仪、体积电阻率测试仪、表面电阻率测试仪、介电常数测试仪、介质损耗测试仪、漏电起痕试验仪、耐电弧试验仪、氧指数测定仪、水平垂直燃烧试验机、热变形维卡温度测定仪，熔体流动速率测定仪、电子万能试验机、制样机等仪器设备的研发与制造，积极采用先进的设计理念，依据国家标准、国际标准、德国标准、日本标准、美国标准，研发出更加精密、精准的仪器。公司自创建以来，一直保持着健康稳定的发展态势，并以超过30%的年均增长速度快速持续发展，完善的客户服务体系，确保了智德创新产品的设计先进，质量稳定，供货及时和服务周到。 展望未来，航天纵横仪器正在以打造基业长青百年企业的发展目标为指导，全面提升内部管控，按照专业化、规模化、品牌化、资本化的发展策略，持续领先。以“开拓创新、精益求精、服务真诚、客户至上”为理念，致力于与国内外知名企业集团强强合作，以共创中国精密仪器行业的美好明天而不断努力。