霍尔效应测试探针台气氛控制

产品简介 HCP621G-PMH专为变温霍尔效应测试测试。探针台的台体全部由非磁性材料制作。其可在 -190℃ ~ 600℃ 范围内控温，同时允许探针电测试、光学观察和样品气体环境控制。探针台上盖与底壳构成一个气密腔，可往内充入氮气等保护气体，来防止样品在负温下结霜，或高温下氧化。功能特点 非磁性材料制作的探针台，专为变温霍尔效应测试设计-190℃~600℃ 可编程控温（负温需配液氮制冷系统）28 mm x 30 mm加热区可充入保护气体的气密腔BNC接口四探针，手动点针 *可选三同轴接口，用于pA级测试可选增设腔内接线柱（样品接电引线）可从温控器或电脑软件控制，可提供软件SDK*可做定制或改动，详询上海恒商温控参数 温度范围-190℃ ~ 600℃（负温需配液氮制冷系统）传感器/温控方式100Ω铂RTD / PID控制（含LVDC降噪电源）加热/制冷速度+80℃/min （100℃时）-50℃/min （100℃时）加热/制冷速度±0.01℃/min温度分辨率0.01℃温度稳定性±0.05℃（25℃），±0.1℃（25℃）软件功能可设温控速率，可设温控程序，可记录温控曲线电学参数 探针默认为铼钨材质的弯针探针 *可选其他种类探针探针座杠杆式探针支架，点针力度更大，电接触性更好点针手动点针，每个探针座都可点到样品区上任意位置探针接口默认为BNC接头，可选三同轴接口*可增设腔内接线柱（样品接电引线）样品台面电位默认为电接地，可选电悬空（作背电极），可选三同轴接口霍尔测试台体为非磁性材料制作，可用于变温霍尔效应测试光学参数 适用光路反射光路 *另有透射光路型号窗片可拆卸与更替的窗片最小物镜工作距离8.5 mm *截面图中WD上盖窗片观察窗片范围φ38mm，大视角±60.7° *截面图中θ1负温下窗片除霜吹气除霜管路

一、产品概述：霍尔效应测试仪是一种用于测量材料霍尔效应的仪器，主要用于评估半导体和导体的电学特性。该设备能够准确测量材料在外部磁场下的电导率、霍尔电压和载流子浓度等参数，广泛应用于材料科学和电子工程领域。二、设备用途/原理：设备用途霍尔效应测试仪主要用于半导体材料的研究与开发、电气元件的性能测试以及材料的电学特性评估。它帮助研究人员了解材料的载流子类型、浓度及迁移率，为新材料的设计和应用提供重要数据支持。工作原理霍尔效应测试仪的工作原理基于霍尔效应现象。当电流通过材料时，施加垂直于电流方向的磁场会在材料中产生霍尔电压。通过测量霍尔电压和已知的电流及磁场强度，仪器能够计算出材料的霍尔系数、载流子浓度和迁移率等电学参数。这一过程通常涉及精密的电流和磁场控制，以确保测量的准确性和重复性。三、主要技术指标：1. 系统功能：用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念，允许轻松升，该系统适用于各种材料，包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等2. 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能，具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器，可扩展该系统温度范围从90K到500K3. 方块电阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq4. 载流子浓度量程：106 ~ 1021 cm-35. 载流子迁移率量程：1 ~ 107 cm6. 四个微调探针座，探针直接形成ohm接触，无需焊线或制作PCB板7. 大样品测量直径：25mm

RHC020-气氛控制扫描开尔文探针开尔文探针是一种非接触、非破坏性振动电容装置用于导电材料的功函或半导体或绝缘体材料表面的表面电势，表面功函由材料表面最顶部的1-3层原子或分子决定，因而开尔文探针是一种非常灵敏的表面分析技术，KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV业界最高分辨率的测试系统 RHC020 是控制气氛检测样品的理想解决方案，50x50mm样品加热器可将样品温度升至100℃，采用先进的电子和硬件系统即时监测温度和湿度变化，附加表面光伏SPV020及表面光电压谱SPS030模块，可对光敏感样品进行强度或波长可变的激发。 技术参数： ● 2mm和50μm探针 ● 功函分辨率1-3meV（2mm探针），5-10meV（50μm探针，光学防震台） ● 50mmX50mm最大扫描面积 ● 318纳米定位分辨率 ● 跟踪系统自动控制样品和探针距离● 附加手动高度控制（25.4mm KP 平移） ● 过零信号检测系统抑制寄生电容 ● 50mmX50mm样品加热器 ● 自动相对湿度控制至1%（10-100%RH）选件 ● 直插型探针支架：2mm-50μm ● 自动温度控制 ● 表面光伏模块SPV020和SPS030

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则 　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm 　　仪器重量：6kg

HSPM-07RT室温永磁铁霍尔测试系统由高精度霍尔测试仪、室温永磁铁夹具平台、测试电脑及软件组成，可在固定磁场下实现霍尔效应的测量，系统结构桌面式结构设计、体积小，测试效率高，是实验室快速检测和工厂质检的不二选择。系统有77K液氮单点选件，提供样品在77K低温下完成霍尔效应测量。 系统采用科学合理的共地设计，内部电学信号线全部采用三同轴线缆，保障了高阻半导体材料的测量，可以准确测量出样品的的载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。室温永磁铁夹具平台，可以轻松移动和翻转磁场，能同时满足快速霍尔和直流霍尔测试，采用PCB插拔样品卡设计，兼顾范德堡和霍尔巴样品。系统特点：&bull 磁场优于 0.7T（室温测量）；磁场优于0.5T（液氮单点选件）&bull 永磁铁通过滑轨移动，可以轻松翻转，同时兼顾快速霍尔和直流霍尔测试&bull 简单的插拔样品卡设计，可实现快速方便的样品处理，兼顾霍尔巴和范德堡样品的霍尔测试&bull 样品卡包含弹簧铍铜探针四探针样品卡、折弯钨探针四探针样品卡和焊接样品卡，满足不同样品测试需求&bull 科学合理的共地和三同轴结构设计，保障了系统高阻测试性能，电阻可至100GΩ&bull 测试腔有气路阀门，可通入氮气、氩气进行保护，也可抽取真空&bull 可增添77K低温选件，测试液氮单点温度下的霍尔参数测试材料：&bull 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池：A硅（单晶硅、非晶硅）、CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等&bull 有机材料：OFET、OLED等&bull 透明导电金属氧化物TCO：ITO、AZO、ZnO、IGZO（铟镓锌氧化物）等&bull 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等参数和指标：主机型号HSPM-07RT标准电阻范围10mΩ-100GΩ迁移率 10-2 -106 cm2/VS载流子浓度 8x102 -8x1023/cm3霍尔电压分辨率为1μV电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品测试四探针样品卡样品尺寸：25mm*25mm焊接样品卡样品尺寸：10mm*10mm可选样品尺寸：50mm*50mm样品接触方式手动探针扎针或焊接样品温度室温，可选77K单点样品环境气氛（氮气或氩气）或真空磁场0.7T（室温）0.5T（液氮单点）永磁铁运动方式手动水平移动及翻转运动磁铁间隙20mm（室温）30mm（77K单点选件）磁场均匀区10mm*10mm*10mm优于5%

产品介绍TLRH系列精密型基础测试探针台是我司根据高校科研及产业研发需要，而特定设计的一款高精密高稳定探针台，其较高的位移调节精度及优异的漏电精度控制，已成为包括场效应管在内的多端器件IV测试的理想之选。技术优势.模块化设计，可以搭配不同构件完成不同测试；. 最大可用于12寸以内样品测试 .探针台整体位移精度高达3um，样品台精密四维调节；. 兼容多种光学显微镜，可外引光路实现光电mapping测试；. 满足1um以上电极/PAD使用 . 漏电精度可达10pA/100fA（屏蔽箱内） . 探针座采用进口交叉滚珠导轨，线性移动，无回程差设计 . 加宽探针放置架，可放置6个DC探针座/4个RF探针座；. 配显微镜二维精密调节功能，且可选配多种行程及驱动方式。精密型基础测试探针台图片详细模块配置及参数说明选型表相关配件多种精度，多种夹具类型探针座同轴线缆，三同轴线缆各种类型探针真空泵电磁屏蔽箱应用领域半导体材料光电检测、功率器件测试、MEMS测试、PCB测试、液晶面板测试、测量表面电阻率测试、精密仪器生产检测、航空航天实验等。

HL9900 霍尔效应测试仪应用程序通过霍尔效应测量，可以确定以下特性:电阻率/电导率流动性散装/单张载体浓度掺杂类型霍尔系数磁阻垂直/水平阻力比特性Van der Pauw, Hall Bar和Bridge测量符合ASTM F-76标准简单的探针系统，方便，快速的样品吞吐量紧凑的工作台设计宽电流范围，包括自动电流装置，以尽量减少样品加热用户自定义电场限制，以避免低温下的冲击电离效应可选的高阻抗缓冲放大器/电流源扩展片电阻率测量到1011 Ω/平方HL9950 -可变温度单元Van der Pauw, Hall Bar和Bridge测量符合ASTM F-76标准简单的探针系统，方便，快速的样品吞吐量紧凑的工作台设计宽电流范围，包括自动电流装置，以尽量减少样品加热用户自定义电场限制，以避免低温下的冲击电离效应可选的高阻抗缓冲放大器/电流源扩展片电阻率测量到1011 Ω/平方

仪器简介：该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 VDP6800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。 目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。技术参数：磁场强度：0.65T/1T 常温和液氮温度(77K)下测量 输出电流：2nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-6 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品夹具： VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm 仪器重量：6kg主要特点：1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。7、可与四点探针公用系统

MMR Hall Effect Measurement System controlled continuously variable temperature MMR可控连续变温霍尔效应测试系统1. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数2. 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。3. 磁场强度： 0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择4. 温度区域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K5. 电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm6. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms7. 载流子浓度：102~1022cm-38. 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec 仪器优点：1. 采用van der Pauw法测试 2. 最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 个 3. 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出 4. 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统 5. 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优 6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试7.允许在一定气体环境下测试8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率

产品介绍TLRH系列精密型基础测试探针台是我司根据高校科研及产业研发需要，而特定设计的一款高精密高稳定探针台，其较高的位移调节精度及优异的漏电精度控制，已成为包括场效应管在内的多端器件IV测试的理想之选。技术优势.模块化设计，可以搭配不同构件完成不同测试；. 最大可用于12寸以内样品测试 .探针台整体位移精度高达3um，样品台精密四维调节；. 兼容多种光学显微镜，可外引光路实现光电mapping测试；. 满足1um以上电极/PAD使用 . 漏电精度可达10pA/100fA（屏蔽箱内） . 探针座采用进口交叉滚珠导轨，线性移动，无回程差设计 . 加宽探针放置架，可放置6个DC探针座/4个RF探针座；. 配显微镜二维精密调节功能，且可选配多种行程及驱动方式。精密型基础测试探针台图片详细模块配置及参数说明选型表相关配件多种精度，多种夹具类型探针座同轴线缆，三同轴线缆各种类型探针真空泵电磁屏蔽箱应用领域半导体材料光电检测、功率器件测试、MEMS测试、PCB测试、液晶面板测试、测量表面电阻率测试、精密仪器生产检测、航空航天实验等。

美国MMR公司，与斯坦福大学合作开发了专利的致冷器，其具有世界上最小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。其主要客户有Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院等。霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。主要参数：1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）3. 磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）4. 温度稳定度：=0.1K5. 温度响应：1K/sec 6. 致冷片：10X14 mm7. 电阻率：10-4~1013 Ohm*cm8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec9. 载流子浓度：103~1019cm-310. 电流范围：1 pA~100mA11. 电压范围：+/-2.4V，最小可测到6X10-6 V12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G OhmsTel: 86 21 62083715

霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可测量)，广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越 -自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确 -样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数，可以确定电流携带者的类型，是正电荷的空穴还是负电荷的电子，从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率，即电荷载流子在材料中移动的能力，从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息，可以更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考

韩国Ecopia霍尔效应测量系统HMS3000，HMS5000 韩国Ecopia霍尔效应测量系统主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型 主要参数：样品固定方式：弹簧探针或引线治具温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）温度稳定度：=0.05K温度响应：1K/sec致冷片：10X14 mm电阻率：10-6~1013 Ohm*cm 载流子迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec载流子浓度：102~1022cm-3电流范围：0.1 pA~10mA电压范围：+/-2.5V，最小可测到6X10-6 V电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms常用型号：HMS3000， HMS5000

产品详情 美国MMR 霍尔效应测量系统 H5000 美国 MMR 公司，与斯坦福大学合作开发了专利的致冷器，其具有世界上最小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。 霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。 主要参数： 1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）3. 磁场：5000Gauss 永磁铁，5000Gauss 电磁场， 1.4T 电磁场（可选）4. 温度稳定度：=0.1K5. 温度响应：1K/sec6. 致冷片：10X14 mm7. 电阻率：10-4~1013 Ohm*cm8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec9. 载流子浓度：103~1019cm-310. 电流范围：1 pA~100mA11. 电压范围：+/-2.4V，最小可测到 6X10-6 V12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms 参考客户： Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院，深圳大学，华南理工大学，上海光机所，上海微系统所，四川大学，上海交通大学，常州大学，东北大学，厦门大学，新疆理化研究所，北京物理所等。

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)] 产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。 清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所、华南理工、天合光能...

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

KP 超高真空开尔文探针系统开尔文探针(Kelvin Probe)是一种非接触无损震荡电容装置，用于测量导体材料的功函数(Work Function)或半导体、绝缘表面的表面势(Surface Potential)。材料表面的功函数通常由最上层的1-3层原子或分子决定，所以开尔文探针是一种最灵敏的表面分析技术。 我们的开尔文探针系统包括：□ 单点开尔文探针(大气环境及气氛控制环境)；□ 扫描开尔文探针(大气环境及气氛控制环境)； □ 超高真空(UHV)开尔文探针；□ 湿度控制的腐蚀开尔文探针； 扫描开尔文探针系统 (ASKP) ASKP系统是一款可以被大多数客户所接收的高端扫描开尔文探针系统，它是在SKP基础之上包括了彩色相机/TFT显示器、2毫米和50微米探针、外部数字示波镜等配置，其规格如下：□ 2毫米，50微米探针；□ 功函数分辨率 1-3 meV(2毫米针尖)，5-10 meV(50微米针尖)；□ 针尖到样品表面高度可以达到400纳米以内；□ 表面势和样品形貌3维地图；□ 探针扫描或样品扫描选配；□ 彩色相机、调焦镜头、TFT显示器和专业的光学固定装置；□ 参考样品(带相应的扫描开尔文探针系统的形貌)； □ 备用的针尖放大器；□ 24个月超长质保期； 仪器的特色□ 全球第一台商用的完全意义上的开尔文探针系统；□ 最高分辨率的功函数和表面势，最好的稳定性和数据重现性；□ 非零专利技术(Off-null,ON) ——ON信号探测系统在高信号水平下工作，与基于零信号原理(null-based,LIA)的系统相比，不会收到噪声的影响拥有高灵敏度；□ 高度调节专利技术 ——我们的仪器在测量和扫描时可以控制针尖的高度。因为功函数受　　　　　　　　　　　　　　　样品形貌的影响，针尖与样品表面距离的调节意味着数据的高重现性且不会漂移；□ 该领域内，拥有最好的信噪比；□ 快速响应时间 ——测量速度在0.1-10秒间，远快于其他公司产品；□ 功能强的驱动器 ——选用Voice-coil(VC)驱动器，与通常的压电驱动器相比，VC驱动器频率要稳定得多、控制的针尖振幅大得多、支持平行多探针操作、支持不同直径探针操作；□ 所有开尔文探针参数的全数字控制；ON 非零探测 Off Null detection HR 高度调节模式 Height Regulation mode SM 实际开尔文探针信号监控 Monitoring of the actual Kelvin probe signal UC 用户通道，同时测量外部参数 User Channels, simultaneous measurement of external parameters DC 电流探测系统去除漂移效应 Current Detection system rejects stray capacity effects PP 平行板震动模式 Ideal, Parallel Plate Oscillation Mode SA 信号平均 Signal Averaging (often termed Box-Car Detection) WA 功函数平均 Work Function Averaging, Difference and Absolute reporting DC 所有探针及探测参数的数字控制 Digital Control of all Probe and Detection Parameters QT 针尖快速改变 Quick-change Tip, variable spatial resolution DE 数据输出 Data Export to Excel, Origin, or 3rd party software OC 输出通道 Output Channel: TTL switching of external circuit FC 法拉第笼(电磁干扰防护罩) Faraday Cage (EMI Shield) RS 金-铝参考样品 Gold-Aluminium Reference Sample 额外选配项 SPV 表面光伏电压软硬件包 Surface Photovoltage Software and Hardware Package RH 相对湿度腔 Relative Humidity Chamber AC 控制气体进口的环境单元 Ambient Cell for controlled Gas Inlet EDS 外部数据示波镜 External Digital Oscilloscope OPT 彩色相机 Color Camera, TFT Screen and Optical Mounts ST 针尖置换 Replacement Tips GCT 镀金的针尖替换 Gold Coated Replacement Tips XYZ 25.4毫米手动3维控制台 3-axis 25.4 mm Manual Stage 应用领域 吸附，电池系统，生物学和生物技术，催化作用，电荷分析，涂层，腐蚀，沉积，偶极层形成，显示技术，教育，光/热散发，费米级扫描，燃料电池，离子化，MEMs，金属，微电子，纳米技术，Oleds，相转变，感光染色，光伏谱学，高分子半导体，焦热电，半导体，传感器，皮肤，太阳能电池，表面污染，表面化学，表面光伏，表面势，表面物理，薄膜，真空研究，功函数工程学；

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件

产品简介TLRB系列标准型基础测试探针台是我司根据高校科研及产业研发需要，而开发设计的一款高性价比探针台系统，其功能齐全，满足常规IV电学测试需要，广泛应用于芯片、半导体材料/器件等光电相关领域。产品优势结构紧凑，功能实用，高性价比 最大可用于12英寸以内样品测试 满足1μm以上电极/PAD使用 兼容高倍率电子显微镜/体视显微镜，可360°旋转及微调升降 漏电精度可达10pA/100fA（屏蔽箱内） 精密丝杆/燕尾传动机构，线性移动，无回程差设计 模块化设计，可据应用需要增减相应模块，性价比高。 模块介绍通用参数常规选型相关配件多种精度，多种夹具类型探针座同轴线缆，三同轴线缆各种类型探针真空泵电学测试夹具 电磁屏蔽箱应用领域半导体材料光电检测，功率器件测试，MEMS测试，PCB测试，液晶面板测试，测量表面电阻率测试，精密仪器生产检测，航空航天实验等。

Lake Shore 8400系列霍尔效应测量系统结合了先进的交流和直流磁场霍尔效应测量方法，应用领域十分广泛。交流磁场测量选件非常适合测量传统直流场霍尔方法难以测量的新兴材料（迁移率低于1 cm2/Vs，包括半导体和电子材料，如光伏（太阳能电池）和热电材料、新的显示材料和有机电子材料等。8400系列霍尔效应测量系统提供了一个强大的测试平台，可以根据用户具体需求进行配置，包括变温选件、高电阻和低电阻选件以及光学通道等，极大程度上满足用户的测量需求，并大大简化实验过程。主要特征 ☛ 标准直流磁场测试迁移率范围：1 ~ 106 cm2/Vs☛ 可选交流磁场选件测试迁移率低至0.001 cm2/Vs☛ 可选变温范围15 K ~ 1273 K☛ 磁场最达2.2 T☛ 标准电阻范围：0.5 mΩ~10 mΩ，可选200 GΩ☛ 低阻选件电阻低至~0.5 μΩ可测量参数直接测量参数间接测量参数♢ 直流/交流磁场♢ 霍尔系数♢ 霍尔电压♢ 霍尔迁移率♢ 电阻率♢ 磁阻♢ 欧姆检查♢ 载流子类型♢ 四线法电阻♢ 载流子浓度♢ I-V曲线设备参数84048407DCACDCAC测量参数迁移率1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs载流子浓度8 × 102 ~ 8 × 1023 cm-38 × 102 ~ 8 × 1023 cm-3电阻率1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm电学测试参数*标准电阻测试范围读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法 0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS高阻选件配置读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS低阻选件配置电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电流±1 pA ~ ±100 mA±1 pA ~ ±100 mA恒流输出电压100 V100 V环境（磁场和温度）室温下磁场大小**(25 mm [1 in] 极头间隙)1.67 T使用标准50 mm直径极头1.35 T选用100 mm直径极头1.18 T使用标准50 mm直径极头0.95 T选用100 mm直径极头2.08 T 使用标准100 mm直径极头2.23 T 选用 50 mm直径极头1.19 T使用标准100 mm直径极头1.30 T选用 50 mm直径极头变温下磁场大小**(50 mm [2 in] 极头间隙)0.89 T使用标准50 mm直径极头0.88 T选用100 mm直径极头0.63 T使用标准50 mm直径极头0.62 T选用100 mm直径极头1.44 T使用标准100 mm直径极头 0.68 T使用标准100 mm直径极头运行交流磁场频率NA0.05 和 0.1 HzNA0.05 和 0.1 Hz样品尺寸标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm系统标配温度 室温室温单点液氮模块温度77 K77 K闭循环恒温器模块温度标准闭循环恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 400 K 光学型闭循环低温恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 350 K高温炉模块温度室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 磁体极柱直径4 英寸7 英寸极头直径标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)极头间隙（室温工作时）25 mm (1 英寸)25 mm (1 英寸)极头间隙（变温工作时）50 mm (2 英寸)50 mm (2 英寸)磁场均匀性25 mm 极头间隙, 50 mm 直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm极头间隙, 100 mm直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm325 mm极头间隙, 50 mm直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm3冷却（电磁铁和电源）标准7.6 L/min , 闭循环制冷机选件10.3 L/min标准19 L/min , 闭循环制冷机选件 23 L/min三相双极性电磁铁电源最大输出±35 V ±70 A (2.5 kW)±75 V ±135 A (9.1 kW)其他附件冷却水总功耗标准4.25 kW 加闭循环制冷机时7.45 kW标准13.4 kW 加闭循环制冷机时16.6 kW

Instec来自液晶先驱院校美国科罗拉多大学的精密温控装置与液晶检测设备" _ue_custom_node_="true" 功能特点 可编程精密控温。可独立控制，也可从上位机软件控制软件可拓展性强，可提供LabView等语言的SDK#温度# 可选100℃ /200℃ / 400℃ / 600℃#温度# 可选 -190℃ / -40℃ / 常温 / 其他#腔体密封性# 可选 气密腔室 / 真空腔室#样品观察# 可选 透射光观察 / 反射光观察 / 无#样品区# 可选22x22mm / 35x35mm / 其他#台面电位# 可选 电接地 / 电悬空#电测试接口# 可选 BNC/电悬空BNC/Triaxial三同轴#探针类型# 可选 弯针探针 / 直针探针#探针支架# 可选 杠杆式 / 磁吸式#探针移动性# 可选 探针外部移动 / 探针开盖移动#霍尔效应测试# 可用非磁性材料制作，用于霍尔测试可做改动或定制，详询上海恒商另有可升至1000℃以上的超高温探针台，详询上海恒商 " _ue_custom_node_="true" 技术参数 通用性能温度分辨率0.001℃温度稳定性±0.05℃(at 100℃) 可提升稳定性控温速度±0.1℃/小时温度传感器100Ω铂质RTD温控方式开关式PID 可升级为LVDC式PID结构尺寸物镜距离8 mm样品腔高度2.5 mm 具体由探针决定样品观察范围26.5 mm 反光孔径腔室接口快速接头 (气密型号)KF16 (真空型号)*其他技术参数请参考 具体型号的彩页介绍 " _ue_custom_node_="true" 配置列表 标准温控探针台√mK2000温度控制器 软件免费，控制线有多种接口供选√选配件液氮制冷系统 包含液氮泵与液氮罐，使样品降至负温外壳水冷配件 用常温水或冰水循环防止外壳过热安装支架 把台体固定在使用平台上，防止滑动温控联动显微镜相机 温度-图像联动工作，附软件线性可变直流电源(LVDC) 装在温控器里，抑制电噪音 真空系统(真空腔型号适用) 真空泵、真空计、真空管路*注：产品有多种配置变化，详询上海恒商 " _ue_custom_node_="true" 杠杆式探针支架.vs.磁吸式探针座 杠杆式探针支架，对样品点针更准确，点针力度更大，电接触性更好。磁铁吸式探针座则通过底部的磁铁吸附于探针台外壳底座上，探针移操作方便。 欲咨询产品请访问本公司官网联系我们 本公司为美国Instec中国区总代理、瑞典FLCE(FLC Electronics)中国区代理，不经过中间商直接与原厂接触，能提供优惠的价格。

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点： 1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。 产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一] [HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格： 1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)； 测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户： HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所...

TLRB系列标准型基础测试探针台产品简介TLRB系列标准型基础测试探针台是我司根据高校科研及产业研发需要，而开发设计的一款高性价比探针台系统，其功能齐全，满足常规IV电学测试需要，广泛应用于芯片、半导体材料/器件等光电相关领域。TLRB系列标准型基础测试探针台产品优势结构紧凑，功能实用，高性价比 最大可用于12英寸以内样品测试 满足1μm以上电极/PAD使用 兼容高倍率电子显微镜/体视显微镜，可360°旋转及微调升降 漏电精度可达10pA/100fA（屏蔽箱内） 精密丝杆/燕尾传动机构，线性移动，无回程差设计 模块化设计，可据应用需要增减相应模块，性价比高。TLRB系列标准型基础测试探针台模块介绍图 TLRB系列标准型基础测试探针台通用参数常规选型相关配件多种精度，多种夹具类型探针座同轴线缆，三同轴线缆各种类型探针真空泵电学测试夹具电磁屏蔽箱 应用领域半导体材料光电检测，功率器件测试，MEMS测试，PCB测试，液晶面板测试，测量表面电阻率测试，精密仪器生产检测，航空航天实验等。

产品简介INSTEC HP1000V-PM 超高温探针台可单独使用，也可搭配显微镜/光谱仪使用。其可在 30℃ ~ 1000℃ 范围内控温，同时允许探针电测试、光学观察和样品气体环境控制。探针台上盖与底壳构成一个真空腔，可往内充入氮气等保护气体，来防止样品高温下氧化，也可通入不同气氛进行气敏性测试。功能特点INSTEC HP1000V-PM 超高温探针台可独立使用，可用于显微镜/光谱仪下，30℃~1000℃ 可编程控温25 mm x 25 mm加热区，可充入保护气体的气密腔，BNC接口四探针，手动点针 *可选三同轴接口，用于pA级测试，可选增设腔内接线柱（样品接电引线），可从温控器或电脑软件控制，可提供软件SDK。温控参数&bull 温度范围：30℃ ~ 1000℃&bull 传感器/温控方式：K型热电偶 / PID控制&bull 最大加热：+200℃/min （＜850℃时）&bull 最小加热：±0.5℃/min&bull 温度分辨率：0.1℃&bull 温度稳定性：±0.1℃&bull 软件功能：可设温控速率，可设温控程序，可记录温控曲线电学参数&bull 探针：默认为铼钨材质的弯针探针&bull 探针座：杠杆式探针支架，点针力度更大，电接触性更好&bull 点针：手动点针，每个探针座都可点到样品区上任意位置&bull 探针接口：默认为BNC接头，可选三同轴接口 *可增设腔内接线柱（样品接电引线）&bull 样品台面电位：默认为电接地，可选电悬空（作背电极），可选三同轴接口&bull 非磁性改造：台体可改用非磁性材质制造，用于变温霍尔效应探针测试光学参数适用光路：反射光路 *另有透射光路型号最小物镜工作距离：8.8 mm上盖窗片观察：窗片范围φ38mm，最大视角±60°底部窗片观察：最大视角±11.3°结构参数&bull 加热区/样品区：25 mm x 25 mm&bull 样品腔高：7.6 mm *样品最大厚度由探针决定&bull 放样：打开上盖后置入样品再点针，关上盖后无法移动探针&bull 气氛控制：气密腔，可充入保护气体&bull 外壳冷却：通循环水，以维持外壳温度在常温附近&bull 窗片与物镜冷却：吹气降温管路&bull 安装方式：水平安装 或 垂直安装

产品简介INSTEC HP1000V-PM 超高温探针台可单独使用，也可搭配显微镜/光谱仪使用。其可在 30℃ ~ 1000℃ 范围内控温，同时允许探针电测试、光学观察和样品气体环境控制。探针台上盖与底壳构成一个真空腔，可往内充入氮气等保护气体，来防止样品高温下氧化，也可通入不同气氛进行气敏性测试。功能特点INSTEC HP1000V-PM 超高温探针台可独立使用，可用于显微镜/光谱仪下，30℃~1000℃ 可编程控温25 mm x 25 mm加热区，可充入保护气体的气密腔，BNC接口四探针，手动点针 *可选三同轴接口，用于pA级测试，可选增设腔内接线柱（样品接电引线），可从温控器或电脑软件控制，可提供软件SDK。温控参数&bull 温度范围：30℃ ~ 1000℃&bull 传感器/温控方式：K型热电偶 / PID控制&bull 最大加热：+200℃/min （＜850℃时）&bull 最小加热：±0.5℃/min&bull 温度分辨率：0.1℃&bull 温度稳定性：±0.1℃&bull 软件功能：可设温控速率，可设温控程序，可记录温控曲线电学参数&bull 探针：默认为铼钨材质的弯针探针&bull 探针座：杠杆式探针支架，点针力度更大，电接触性更好&bull 点针：手动点针，每个探针座都可点到样品区上任意位置&bull 探针接口：默认为BNC接头，可选三同轴接口 *可增设腔内接线柱（样品接电引线）&bull 样品台面电位：默认为电接地，可选电悬空（作背电极），可选三同轴接口&bull 非磁性改造：台体可改用非磁性材质制造，用于变温霍尔效应探针测试光学参数适用光路：反射光路 *另有透射光路型号最小物镜工作距离：8.8 mm上盖窗片观察：窗片范围φ38mm，最大视角±60°底部窗片观察：最大视角±11.3°结构参数&bull 加热区/样品区：25 mm x 25 mm&bull 样品腔高：7.6 mm *样品最大厚度由探针决定&bull 放样：打开上盖后置入样品再点针，关上盖后无法移动探针&bull 气氛控制：气密腔，可充入保护气体&bull 外壳冷却：通循环水，以维持外壳温度在常温附近&bull 窗片与物镜冷却：吹气降温管路&bull 安装方式：水平安装 或 垂直安装

表面综合分析测试探针台产品简介整体集成度高，且测试方便简单，底座行程大，弥补了基础型的缺陷，可以满足多种测试应用，且可以升级射频探针台；优点：高性价比，应用面广，稳定性高；应用：一般用在高校/研究所科研实验是居多，以及科研型单位研发部；表面综合分析测试探针台产品优势两边半圆形探针架，可以放置最多6个探针座，且方便放置探针卡集成4路吸附开关，方便吸附；可用于12寸以内样品测试XY行程115mmX115mm，Z轴调节10mm，360°旋转粗调+士5°精调；1微米以上电极/PAD使用；可用于硅封装的内部观测和光谱特性分析，需要红外光源和红外摄像机； 有效像素2000万，有效像素1600 (H)*1200 (V) 可以拍照录像，也可以连接电脑；HDMI输出支持: 1280*1024 (默认)、1680X1050、1440*900；选用2X，5X，10X,20X，50X四种物镜,工作距离分别是: 34.6mm，45mm，34mm 30.8mm，20.5mm，鼻轮支架带五孔鼻轮集成高精度高稳定性手动位移台,XYZ行程50mm，精度1um；整体交叉滚珠导轨，超高精度，超高稳定性；最大电压 1400V，阻抗 50 欧姆XYZ 轴行程分别是 13mm行程；位移放置:XYZR四轴调节XY行程115X115mm，Z轴调节10mm，360°旋转粗调+士5°精调；整体位移精度1um； 表面综合分析测试探针台模块介绍表面综合分析测试探针台通用参数样品台尺寸8英寸样品台行程XY行程115X115mm，Z轴调节10mm，360°旋转粗调+士5°精调 整体位移精度1μm（可定制）光学放大倍数270倍高清（体式显微镜）漏电精度 100fA针座精度3μm（可升级1μm/0.5μm）接口形式BNC/三同轴接口背电极可引出背电极针座数量标配2个（可升级到6个）产品应用多被用于晶圆测试、LED测试、功率器件测试、MEMS测试、PCB测试、液晶面板测试、太阳能电池片测试、材料表面电阻率测试等产品示意图谱量光电可根据客户实际应用需求，定制配套探针台系统，以达更好的测试效果及更高的性价比，具体信息可联系详询。