高真空超高真空热蒸发镀膜仪

德国韦氏纳米系统专门为大学，研究机构提供了一系列高真空/超高真空桌面型热蒸发镀膜工艺平台。特征：All in One 桌面型紧凑设计模块化易于操作灵活性高满足不同的要求的薄膜工艺VapourStation 高真空型-高真空 可切换换源夹紧系统NanoSphere扩展型--超高真空PicoSphere加强型-近超高真空 我公司专业销售高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品，并提供产品的售前售后服务，如您对高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品感兴趣，欢迎前来咨询！

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

小型高真空不锈钢腔体热蒸发镀膜仪CY-EVP180G-HV本仪器是一款高真空紧凑型热蒸发镀膜仪，蒸发温度从200℃到1700℃，采用钨丝篮作为蒸发源，蒸发源外套高纯氧化铝坩埚。上盖装有可旋转的样品台，能够有效提高成膜的均匀度。仪器拥有高精度的温度控制系统，采用循环加热方式，能够稳定蒸发金属及有机物。采用不锈钢高真空腔体设计，配高精度分子泵，能够达到高真空要求，较高的真空度能够有效提升蒸发镀膜的效率及质量小型高真空热蒸发镀膜仪用途： 本仪器适用于蒸发涂覆大多数金属和某些有机材料薄膜。

1.设备概述EC400高真空蒸发镀膜设备是一台高精度的蒸发镀膜设备，主要用于在物体表面形成一层均匀的薄膜，以改变物体的性质和外观。该设备利用高真空环境下的物理过程，将金属材料蒸发成气体，并在物体表面沉积形成薄膜。2.主要组成部分真空室：用于提供高真空环境，确保蒸发源和物体表面之间没有气体分子的干扰。蒸发源：内置金属材料（如铜、铝、银、金等），通过加热使其蒸发成气体。膜厚监测仪：用于实时监测薄膜的厚度，确保薄膜质量符合要求。样品台：用于放置待处理的物体，确保其在镀膜过程中的稳定性和位置准确性。真空获得系统：包括真空泵等组件，用于将真空室抽成高真空状态。真空测量系统：用于测量真空室内的气体压力等参数，确保设备的安全运行。气路系统：用于向真空室内通入工艺气体，如氮气等，以调节镀膜环境。PLC+触摸屏自动控制系统：实现设备的自动化控制和操作，提高工作效率和镀膜质量。3.技术特点高真空环境：确保蒸发源和物体表面之间没有气体分子的干扰，提高镀膜质量。高精度控制：通过PLC+触摸屏自动控制系统，实现蒸发源加热温度、沉积时间等参数的精确控制。多功能性：可制备多种类型的薄膜，如金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜等。结构紧凑：设备主机与控制一体化设计，操控方便；结构紧凑，占地面积小。4.应用域EC400高真空蒸发镀膜设备在多个域具有广泛的应用，包括但不限于：纳米薄膜制备：用于开发纳米单层、多层及复合膜层等。材料科学：制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜及介质膜等，如银、铝、铜、C60、BCP等材料的薄膜。高校与科研院所：用于教学、科研实验及新产品开发等。工业生产：在钙钛矿太阳能电池、OLED、OPV太阳能电池等行业中，用于制备高质量的薄膜材料。

仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

产品型号：ei-501 本设备是用于在半导体或特种材料基板上进行金属、ITO等材料蒸镀的批处理式高真空蒸发镀膜设备。可通过触摸屏进行集中操作控制，自动完成从真空排气至镀膜的所有过程。适用于半导体、LED、电力电子等行业芯片的科研及小批量生产。 ※产品优点 ※产品用途◆占地面积小 ◆Power device ◆易操作&易管理 ◆LED，LD行业◆高生产量 ◆研究开发◆设备构造简洁，便于安装维护 ◆电力电子行业 ※产品特征 ◆可以搭载多种蒸发源(EB，RH、EB+RH等) ◆可以搭载多种夹具，对应不同工艺(lift-off, planetary,satellite 等). ◆可以搭载多种基板 基板尺寸从2寸到6寸，基板材料为硅，玻璃 ◆等可以通过LCD 触摸屏进行操作 ◆PC控制系统以及各种功能(工艺参数，记录数据，维护保养) ※内部结构 ※产品配置

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机） 工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动

高真空电子束蒸发镀膜机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-^5Pa～7×10^-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 可根据用户要求选配 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。该系统可与手套箱对接。2.设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:400×400×450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:3个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:4寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

●“近距红外蒸发真空镀膜机”正式推向市场，探索薄膜太阳能电池，如CdTe、硫化物和钙钛矿结构太阳能电池的重要手段，也用于有机柔性薄膜制备，为公司专利产品“一种近距红外热蒸发真空镀膜机”，专利号：CN201920208976.6，接受桌面式和一体式定制。●真空腔体：根据客户需求定制。●真空漏率：1X10-6Pa.L/S；极限真空优于5X10-5Pa，标准配置分子泵系统。●加热功率：小于12KW。●温控仪表：配置触摸屏温控仪和专用温控仪表，自主编程的温控系统，配置功率控制器，带有方便的温度分配和功率分配接线端。●腔体：功能材料透明腔体，直径不低于240mm，耐高温不低于1000℃，短期工作可达到1200℃。●温度隔离罩：配置专用温度隔离罩，降低环境温度对系统的影响，同时具有安全隔离功能。●配置2套坩埚，并设有陶瓷封结的温度传感器，精度为：±1℃，过冲不超过2℃。●配置2套基片温度平衡系统，配置进口精密耐高温专用传感器，精度为：±1℃，响应速度极快，特别适合超精密温度控制。●配置能量反射屏一套，配置有专用沉积环境仓，沉积反应仓可扩展至水冷系统。●配置移动小车一套，并配置不锈钢安装板和推手，配置福马轮4套，可根据客户实际需求设计为一体机和桌面式。●配置有SUS304柔性真空管路和相关标准件。●配置三路复合真空计一套，带RS485控制端口，配置有不锈钢毛细管路泄压阀，可以沉积柔性薄膜材料。●可选配洁净无油高真空真空系统。

●形式：箱式一体机，立式前开门，蒸发室和抽气室为整体焊接式，沉积腔采用SUS304真空氩弧焊成型不，一体机系统，可连接单排双工位手套箱，中间用DN150超高真空插板阀隔断。●真空系统：极限真空5X10-4Pa，主泵为复合分子泵，抽速600L/S,前级泵配置直联泵，主阀匹配。●真空测量：配数字复合真空计，均采用防爆金属测量规。●工件架系统：客户需求定制，可放入4英寸掩模版，转速3～30rpm变频可调。●烘烤系统：匹配数字功率控制器和PID控制模块，*高烘烤温度300℃。●电阻蒸发源：水冷电极引入，2套电阻蒸发源，蒸发功率5KW，配置8KWE型电子枪1套，膜厚测试系统。匹配石英膜厚仪，可与挡板联动。●控制系统：成熟可靠的真空镀膜控制系统，工业级10英寸触摸屏和西门子PLC，能够实现抽真空、工转烘烤、自动冷却放气等镀膜生产流程；支持半自动和手动等镀膜操作方式。水、电、气路有故障自动报警和保护系统，采用声光报警。●辅助系统：配置冷水机1台，空压机1台。●说明：本系统含单排双工位手套箱1台，单边4个手套，有效长度1.8米。

高真空热蒸发镀碳仪全自主支持产权，效率更高、颗粒更细，膜厚更均匀。适用于EDS样品制备；EBSD样品制备；MLA系统样品制备；其它需要制备碳膜的领域。全自主支持产权效率更高、颗粒更细，膜厚更均匀应用领域：1、EDS样品制备2、EBSD样品制备3、MLA系统样品制备4、其它需要制备碳膜的领域技术参数：人机界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏蒸发源高纯碳纤维（选配碳棒）蒸发源数量1-4根（更多请咨询厂家）工作模式连续、脉冲操作方式全自动一键操作真空系统涡轮分子泵+旋片泵极限真空≤5E-3Pa工作真空＜0.1Pa抽气节拍＜3分钟真空室~φ170×130mm其它样品台旋转、样品温度检测、蒸发除气等

徕卡高真空镀膜仪在电子显微镜领域，往往需要对样品进行表面镀膜从而使样品表面成像或图像质量得到改善。在样品表面覆盖一层导电的金属薄膜可以消除荷电效应，降低电子束对样品的热损伤，并可以提高SEM对样品进行形貌观察时所需的二次电子信号量。精细的碳膜具有电子束透明且导电的特性，因而常应用于X射线微区元素分析，制备网格支持膜，以及制备适宜于TEM观查的复型。需要怎样的镀膜技术取决于分辨率和应用需求。Leica EM ACE镀膜仪家族提供在各应用领域所需的键膜解决方案。Leica EM ACE600 是一款多功能型高真空镀膜系统，用于制备超薄，细颗粒的导电金属膜和碳膜，以适用于FE-SEM和TEM超高分辨率分析所需的镀膜要求。这一款全自动台式镀膜仪，包含内置式无油真空系统、石英膜厚监控系统和马达驱动样品台（旋转为标配，倾斜和高度马达驱动为选配）。徕卡高真空镀膜仪可以配置如下镀膜方式:★★★ 金属溅射镀膜★★★ 碳丝蒸发镀膜★★★ 碳棒蒸发镀膜（带有热阻蒸发镀膜选配件）★★★ 电子束蒸发镀膜★★★ 辉光放电★★★ 连接VCT样品交换仓： 与徕卡EM VCT配套实现冷冻镀膜，冷冻断裂，双复型，冷冻干燥和真空冷冻传输

SD-800C型热蒸发镀膜仪把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为热蒸发镀膜，热蒸发镀膜技术是历史最悠久的镀膜技术之一。SD-800C型热蒸发镀膜机一般主要用于蒸发碳。使用超纯的碳纤维绳为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。因为碳原子能够直接沉积在样品表面而不发生横向移动，所以碳能够形成小于1nm的颗粒。参数： 仪器尺寸 ： 340mm×390mm×300mm（W×D×H） 真空样品室： 硼硅酸盐玻璃 170mm×130mm（D×H） 蒸发材料: 碳纤维双丝可A\B分别选择 操作真空： 4×10-2mbar 工作电压： 0-30V /AC 蒸碳电流： 0-100A 蒸碳时间： 0-1s 真空泵： 2升两级机械旋转泵(国产飞越VRD-8)特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、真空保护可避免真空过低造成设备短路。3、碳纤维绳更加细腻均匀、快速，更有利于分析材料结构。

热蒸发镀膜机 - 极高性价比！型号：EasyDEP产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：热蒸发舟；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；扩散泵，215L/Sec；5/ 薄膜厚度监控：石英振荡传感器实时厚度控制；6/ 厚度精度：0.5%；7/ 热蒸发源：4英寸热蒸发舟，交流电源；

产品简介： GSL-1800X-ZF2蒸发镀膜仪主要应用于大专院校、科研机构、企业实验室及进行微小产品真空镀膜工艺研究、样板试制、操作培训和生产的单位。镀膜仪在蒸发镀膜过程中样品台可以进行旋转，使蒸发的薄膜材料在样品表面均匀分布。配有两组蒸发单元，一个钨舟，一个钨丝篮；钨舟中可以放粉末状的薄膜材料，钨丝篮中可以放条状或块状薄膜材料。控制屏采用7英寸TFT显示屏显示操作界面，TFT式显示器具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，触屏操作，实现全图形化界面，易用易懂。镀膜仪使高真空的蒸发镀膜设备，真空度可达3.0×10-4torr。 产品型号 GSL-1800X-ZF2蒸发镀膜仪安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地2、工作台：落地式，占地面积2m2以上3、通风装置：需要主要特点 1、采用桌面小型一体化结构，将真空腔体、镀膜电源及控制系统进行整合设计，体积与一台A3打印机相仿。 2、采用电阻式双蒸发源结构，可快速实现蒸发源的转换。蒸发单元中装有两组蒸发电极可安装不同的蒸发源，适应相应的镀膜材料。 3、配有0.1%精度蒸发电源，并具有恒流输出功能，对蒸发舟能起到很好的保护作用。 4、可选配石英晶体膜厚控制仪，在镀膜过程中对镀膜速率和膜层厚度进行控制。 5、可将采集到的镀膜数据保存到U盘，便于用户分析控制（选配）。 6、本机将所有功能设计成标准化模块，根据用户不同的需求对相应模块进行组合，以达到优化的镀膜环境，并便于用户维修与维护。 7、操作控制采用7英寸TFT显示屏显示操作界面，触屏操作，实现全图形化界面，易用易懂。技术参数 1、电源：AC220V 1500W 2、蒸发电源功率：1000W 5V 200A 3、蒸发电极有效距离：44mm 4、样品台：?120mm（可旋转） 5、膜厚测量精度：0.1?或0.01?（可选配高精度型） 6、外接真空机组：扩散泵机组（可选配国产110机组或进口机组）（不建议使用扩散泵） 7、极限真空度：3.0×10-3torr（扩散泵）、3.0×10-4torr（分子泵）（不建议使用扩散泵） 8、工作真空度：5.0×10-3torr 9、真空接口：KF40 10、使用环境：温度35℃，湿度75%（相对湿度）不结露，海拔1500m产品规格　尺寸：440mm×240mm×260mm（不包括真空机组）；重量：约47kg（不包括真空泵）

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

产品简介： GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪是一款高真空的镀膜仪，特别适合蒸镀对氧较敏感的金属膜（如Ti、Al 、Au等）和小分子的有机物。本机设有4个蒸镀加热舟，每个加热舟都可独立进行蒸镀，加热舟上方有一个可旋转挡板，当其中一个加热舟进行蒸镀时挡板将其它三个钨舟遮住，以防蒸镀材料之间相互污染。若更改部分配置也可实现对有机材料的蒸发镀膜，可满足发光器件及有机太阳能电池方面的研究要求，是一款镀膜效果理想且性价比较高的实验设备。GSL-1800X-ZF4镀膜仪腔底部配有5个水冷电极，在工作过程中可有效保护电极温度不会因温度过高而熔化，进而损坏电极。该机采用金属腔室，具有极高的真空度，真空度可达到5.0×10-7torr，样品台可对样品进行加热，加热温度为室温-500℃，是进行高真空蒸发镀膜的设备。产品名称GSL-1800X-ZF4蒸发镀膜仪产品型号GSL-1800X-ZF4安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、工作台：落地式，占地面积2m2以上。4、通风装置：需要主要特点1、真空控制单元全部集合在一个控制盒内。2、采用独立的蒸镀电流控制器，操作方便快捷。3、真空腔体设有1个KF40旁抽阀（直接与前级机械泵相连，提高效率）、1个CF150闸板阀（直接与分子泵相连）、1个KF16法兰（安装电阻规）、6个CF35法兰（1个安装电离规，1个安装2芯电极，1个安装膜厚仪）3个备用。4、在腔体底部配有5个水冷电极，可支持4个蒸镀加热舟。5、样品台安装在腔体的顶部。6、腔内可装高分辨率的薄膜测厚仪，膜厚测量分辨率（铝）为0.1?。7、可使用循环水冷机。技术参数1、输入：单相AC220V，50Hz/60Hz，功率2.16KW（不含真空泵）2、蒸发输出：电压AC 0-8V连续可调，极限蒸发电流200A，极限蒸发功率1.6KW3、真空腔：?300mm（内径）×400mm，不锈钢，内壁经电抛光处理4、观察窗：?100mm，采用密封圈密封5、真空泵：高抽速涡轮分子泵，抽速600L/s6、真空度：8.0x10-4Pa7、极限真空8.0x10-5Pa8、漏率：6.7×10-8PaL/S9、样品台：φ12010、蒸发舟与样品台间距：150-210mm11、冷却水需量：15L/min产品规格尺寸：900mm×1100mm×1800mm；重量：230kg

ETD-80AF型热蒸发镀膜仪把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。 配有高位定性的飞跃真空泵 ETD-80AF type thermal evaporation coating instrumentA process in which the substrate or workpiece is placed in a vacuum chamber to vaporized and vaporized by heating the coating material and deposited on the surface of the substrate or the workpiece to form a film or coating. Vacuum pump equipped with high quality 配套泵蒸发靶材蒸发电流操作真空样品仓尺寸样品台尺寸工作电压两升飞跃泵碳棒最大电流100A,工作电流0-80A2*10-2mbar直径 170，高120mm样品台尺寸直径150mm220V，50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统 QBT-J 约瑟夫森结超高压系统 全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统专专业制备约瑟夫森结制备，可精确生长所需的金属层和氧化绝缘层，确保高性能制备及高成品率；此镀膜仪有进样室、氩离子清洗室、电子束蒸 发室以及氧化室，共计四个高真空腔室，腔室间使用传样杆进行高真空传样，传递模组须采用抓取式设计；设备所有工艺均支持4英寸及以内的晶圆或不规则样品。设备整个工艺过程，可以完全按照用户设置的参数自动化运行，工艺流程包括并不限于：抽真空，监测气压，离子清洗，样品位置调节、传样，加热，电子束蒸发特 定厚度设置，自动调整气压等。技术参数QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角约瑟夫森结制备）超高真空腔体 UHV Chamber4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure1E-9Torr基板加热 Wafer HeatingRT-900℃离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性3%电子束蒸发 Ebeam EvaporationUHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply氧化 OxidationFlow and Static Mode Oxidation基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

1. 产品简介热蒸发镀膜机Thermal Evaporation热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等2. 设备组成有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成3. 设备参数最大样品尺寸：8inch沉积源/真空度：根据用户定制 控制系统：手动、全自动 4. 企业简介 深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

瑞士Safematic CCU-010 HV高真空镀膜仪(电镜附件及外设)(喷金喷碳一体机)紧凑型、模块化和智能化CCU-010 HV为一款结构紧凑、全自动型的高真空离子溅射和蒸发镀碳一体化镀膜仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射、蒸发镀碳和可选的等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用溅射和蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 HV系列高真空镀膜仪涵盖了最高级的SEM、TEM和薄膜应用。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。LC-006金属大腔室可选的LC-006是当前玻璃腔室的扩大版，为铝制结构。这个金属腔室可容纳6"晶圆样品或其它大尺寸样品，而且消除了对内爆防护的需求。在CCU-010 HV上选配LC-006, 无需任何修改就可实现更大样品和晶圆的镀膜。SP-010 & SP-011溅射模块两种溅射模块一旦插入CCU-010 HV镀膜主体单元，均可立即使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM、FIB和各种薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具，也适合于极细颗粒尺寸镀膜。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。SP-011溅射头与CCU-010 HV高真空镀膜仪(电镜附件及外设)之主体单元相结合，可满足诸如DLC，ITO或铁磁溅射材料镀膜等具有挑战性的应用。（二选一作为标配）CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 HV高真空镀膜仪(电镜附件及外设)之主体单元后，即可立即使用，适合SEM、TEM和任何需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可以进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，该系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄膜到在FIB应用中厚膜层的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的膜层厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。HS-010真空储存箱可选的HS-010真空储存箱可在真空条件下存放备用镀膜头、备用行星台或旋转台、所有溅射靶材和碳附件，使它们处于清洁状态。通过集成的真空管路与镀膜主体单元连接，利用CCU-010抽真空系统对储物箱抽真空。可选地，用户也可用外接真空泵替代。舒适的手动锁定装置和放气阀允许对储物箱进行独立的抽真空和放气控制。额外的标准真空腔室可有效地避免蒸碳和溅射金属之间的交叉污染。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可选该单元对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。Coating-LAB软件使用可选的基于PC的Coating-LAB软件，可查看包括图表信息在内的处理数据。数据包括压力、电流、电压、镀膜速率和膜厚，镀膜速率为实时曲线。便捷的软件升级和参数设置让此智能工具更为完美。RC-010手套箱应用的远程控制软件（可选）◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径80mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪及其版本CCU-010 HV 系列高真空镀膜系统专为满足电镜样品制备领域及材料科学薄膜应用的最高要求而设计。CCU-010 HV 高真空溅射和镀碳仪采用优质组件和智能设计，可在超高分辨率应用中提供出色的结果。该设备是全自动抽真空和全自动操作，采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复。CCU-010 HV 标配抽真空系统完全无油，含高性能涡轮泵和前级隔膜泵，均位于内部，外部没有笨重的旋转泵和真空管路。这是一款尺寸合理的桌上型高真空镀膜仪。使用无油抽真空系统可将镀层中的污染或缺陷降至最低。关闭时，该设备可以保持在真空下，这有效地保护了系统免受灰尘和湿气的影响，并为高质量的镀层创造了快速抽真空和有利的真空条件。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪版本：CCU-010 HV高真空磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 HV高真空热蒸发镀碳仪；CCU-010 HV高真空溅射喷碳镀膜仪(高真空喷金喷碳一体机)；CCU-010 HV高真空手套箱专用镀膜仪。CCU-010 HV 系列高真空镀膜仪的主要亮点在于实现了两大技术性突破：一是独家采用自动碳纤维供给系统，在不破真空更换碳源的情况下可进行数十次的镀碳运行，比市场上常见的单次、双次或四次碳纤维镀膜方式节省大量的人工操作，既适用于大多数常规镀碳应用，也适用于超薄或超厚碳膜以及温度敏感样品的应用。二是将“镀膜前对样品表面进行等离子清洁（增加附着力）+镀膜+镀膜后对膜层表面进行改性（比如：亲水化）或刻蚀”全流程集于同一台仪器同一次真空下完成，大大提高了镀膜质量，拓宽了应用范围。另外，瑞士制造，是“精密”和“高品质”的代名词；瑞士原厂货源，覃思本地服务，客户买得放心、用得省心！

ETD-100AF型高真空热蒸发镀膜仪采用电阻式蒸发原理，利用大电流加热钼舟或钨丝蓝或固定支架上的镀膜材料，使其在高真空下蒸发，沉积在被镀样品上以获得最佳镀膜效果。 适用范围： 电子显微镜样品制备和清洁光栏，以及科研、教学和企业中的实验活动、工艺试验。使用了大抽速、高压缩比、自然风冷却复合分子泵，确保喷镀时能够迅速抽掉蒸发源和样品放出的气体；正常情况下喷镀室内极少有油蒸气回流，非常清洁。 配有高位定性的飞跃真空泵，涡轮分子泵ETD-100AF is a high vacuum thermal evaporation type small film coating machine. By using the principle of resistance evaporation, the coating material on the molybdenum boat or tungsten blue or fixed bracket is heated by high current, so that it is evaporated under high vacuum and deposited on the plated sample to obtain the best coating effect.Scope of application:Sample preparation and cleaning of optical microscope, as well as scientific research, teaching and experimental activities and process tests in enterprises.A compound molecular pump with large pumping speed, high compression ratio and natural wind cooling is used to ensure that the evaporation source and the gas from the sample can be removed quickly when the spray plating is sprayed. 机械泵靶材蒸发电流加热功率样品仓尺寸工作真空极限真空前级为飞跃真空泵，后级为复合分子泵碳、金等最大电流100A,最大电压10V1000W直径230mm，高280mm2*10Pa2*10Pa 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

仪器简介： 英国Q150GB涡轮泵高真空、模块化镀膜系统，自动程序控制，傻瓜相机式的简单操作。其镀膜单元可置于各种手套箱内，外置触摸屏用户界面、电源单元和前级机械泵。可监测手套箱压力。该系统不同的配置可以实现离子溅射镀膜、碳蒸发/金属蒸发镀膜或溅射蒸发二者兼有之功能，可用于SEM、TEM及薄膜样品镀膜，也常用于锂电池科研等需要在手套箱内镀膜的样品。 技术参数： 技术规格 仪器尺寸:267mm W x 490mm D x 494mm H 总重量:40公斤 工作腔室:硼硅酸盐玻璃152mmDia (内部) x 214mm H 安全钟罩:整体PET 样品台：直径为50mm的旋转样品台。转速8-20 rpm 真空范围: 10-5 mbar量级 溅射可选靶材：Au金、Au/Pd金钯合金、Pt铂、Pt/Pd铂钯合金、Ag银、Al铝、C碳、Cr铬等 蒸发源：可选用碳棒进行热蒸发镀碳，也可使用钨丝篮或钨舟/钼舟进行热蒸发镀各种金属膜。 主要特点： &bull 可安装在手套箱内的模块化系统 &bull 整体手套箱压力监测 &bull 金属溅射、碳蒸发 – 或二者兼有 &bull 触摸屏控制模块置于手套箱外部操作 &bull 镀膜颗粒精细 &bull 高真空涡轮分子泵抽真空 &bull 可选通过膜厚监控仪实现厚度控制

瑞士Safematic CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机紧凑型、模块化和智能化CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，可选通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010系列镀膜仪标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能热蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 LV_CT-010精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM/EDS等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可在一次真空下进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄碳膜到在中厚碳膜层应用时的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的碳膜厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了CCU-010 LV热蒸发镀碳仪之外，还可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV系列镀膜仪均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，可防止系统被前级泵油污染。

产品简介： GSL-1700X-SPC-2小型程序控温蒸发镀膜仪可对程序进行设定，并准确控制温度在200oC-1500oC（或者1200oC-~1700oC）的范围内进行变化，可蒸镀直径长达2"的薄膜样品，在对样品进行蒸发镀膜的过程中，样品台可进行旋转旋转，以获得更均匀的薄膜。控温蒸发镀膜仪应用范围广，可制备各种金属薄膜和有机物薄膜，因此被广泛用于电极的制备和有机物发光LED的制备。控温蒸发镀膜仪体积小巧，可有效节约实验室空间；操作简单，对不同材料的适应性强，因此被广泛应用于各大高校和科研院所的实验室当中。 产品型号GSL-1700X-SPC-2小型程序控温蒸发镀膜仪主要特点1、已通过CE认证。2、采用石英腔体，易于清洁和样品的放入。3、样品台可旋转，能够使所制薄膜达到更好的均匀性。4、采用钨丝作为发热源，温度可达到1700℃，并配有的氧化铝舟装载样品（仅1600oC以下使用，若蒸发温度大于1600oC，样品应直接放在钨丝篮中）。　　5、热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制。6、可将设备转换到手动调节状态，内部不安装热电偶，直接采用手动调节输出电流大小，发热源温度可达2000oC，可达到对样品镀碳等实验要求。7、可向真空腔体中通入惰性气体，对腔体进行清洗，也可通入反应气体，进行反应蒸发镀膜。8、进气口配有针阀，用于调节进气流量。技术参数1、电压：AC 208V-220V 50Hz/60Hz 单相2、功率：500W，电流顶峰为30A3、真空腔体：石英腔体，直径?6"4、样品台：直径?50mm；可旋转，转速5rpm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm5、温度：1700oC6、热电偶：S型热偶，工作温度200oC-1500oC（可选用B型热偶，工作温度1200oC-1700oC）7、控温精度：±1oC，数显温度控制器，可设置30段升降温程序8、钨丝篮：2个9、真空接口：KF4010、真空计：数显防腐真空计PCG554，测量范围3.8×10-5-1125torr11、进气接口：1/4NPS产品规格尺寸：440mm×330mm×630mm可选配件1、机械泵（带油污过滤器）（真空度10-2torr，可以蒸发贵金属，如Au、Ag）2、分子泵（可获得高真空，真空度10-5torr，蒸发易氧化材料，如Al、Mg、Li等）3、低真空系统4、高真空系统5、等离子清洗机（镀膜前对基片进行清洗，可获得更好的薄膜强度）

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。2.产品应用：在实际应用中，这种系统常用于半导体、光电子、有机电子等域，用于制备各种有机薄膜、金属薄膜或复合薄膜，以满足不同器件和材料的研究与开发需求。3.真空室:沈阳科学仪器的高真空有机及热阻蒸发薄膜沉积系统 DZ350的详细介绍可能因具体型号和配置而有所不同真空室结构:U形开门真空室尺寸:φ350×400mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:2个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:50mmx50mm，1片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发温度、沉积时间等。手动：样品台：拥有可旋转或可移动的样品台，以便均匀沉积薄膜。工艺:不含工艺

高真空镀膜机 Leica EM ACE600 您选择了用于TEM和FE-SEM分析的最高分辨率。Leica EM ACE600是完美的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于最高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统，是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。高真空镀膜仪 – 配置您的镀膜体系 – 我们铸造您真正需要的镀膜仪Leica EM ACE600 可以配置如下镀膜方式: 金属溅射镀膜 碳丝蒸发镀膜 碳棒蒸发镀膜（带有热阻蒸发镀膜选配件） 电子束蒸发镀膜 辉光放电 连接VCT样品交换仓，与徕卡EM VCT配套实现冷冻镀膜，冷冻断裂，双复型，冷冻干燥和真空冷冻传输Leica EM ACE 镀膜仪 为您开启最优越的镀膜体验 全新一代ACE系列镀膜仪是徕卡与前沿科学家合作研发的结晶，它涵盖了您在样品制备过程中所需的所有镀膜需求，从常温镀膜到冷冻断裂/冷冻镀膜。让我们开启大门来体验全新镀膜设备的先进技术。我们的理念只有一个，即“力求简约，简便，快速并可靠地实现样品表面镀膜，使您的样品在EM中获得最好的图像”。