多元化紧凑型分子束外延设备

欢迎来到元素分析的新时代极光Revontium紧凑型X射线荧光光谱仪极光兼具落地式XRF和ICP仪器的性能与台式仪器的诸多优势。极光占用的空间和造成的环境影响更少，减少了对耗材、大量样品制备和维护的需求，使用成本可以降低25%以上。在结果方面，其可提供可靠的元素数据，助力行业的可持续发展。极光特色功能一览具有正压功能的盖子可防止样品污染灰尘静音风冷消除了可能存在的管路溢水风险X射线管的Chi-blue涂层可增强防污染保护可测量多达32个直径为52mm的样品 使用的便利性：全新的全谱解析算法，可实现多材料宽元素范围图谱的全自动解析而无需人工干预，有效提升无标定量和复杂应用的分析结果可靠性；维护的可靠性：无漂移设计，内置多元素自动监控程序，可实现常见应用方法的自动漂移补偿；更高的分析精度：得益于先进的高压发生器、探测器通量、阳极距离补偿和热管理设计，Revontium可实现媲美高功率落地式光谱仪的精密度。

美国SVT小型MBESVT 公司生产的SMART NanoFab MBE 具有体积小容量大的优点。可以多种生长模式集成于一个腔室。桌面大小的超高真空腔室包含了一系列沉积源以及工艺监控仪器的端口。装载室可以盛放多个样品，便于在超干净环境下操作样品。集成电子控制柜以及烘烤系统使操作系统非常简便。可容纳4或8个源。应用III-V，II-VI，II-Oxides，III-Nitrides以及其他材料；想使用MBE并需要其他薄膜生长模式生长的材料 沉积源和检测仪器蒸发源单坩埚以及多坩埚电子束蒸发源RF等离子体源激光器烧蚀源溅射源气体入射源RHEED以及RHEED分析软件AccuFlux 原位工艺监控仪QCM石英晶体速率监控仪线性束流监控仪

美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI 或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物，SiGe4’’SM-6Si，Ge，金属4’’或6’’S-8Si，Ge，介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。可配普通束流源，裂解源，RF源，电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4' ' 衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。

1. 产品概述分子束外延薄膜沉积系统MBE 是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在高温的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。2. 设备特点分子束外延，是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。12个源炉：镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等；衬底：大4inch ；高温度：1000°C 温度均匀性：≤±3°C（4inch）；超高真空下全自动样品转移；用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能；一个集群上多7个超高真空功能单元：装载、储存、翻转、处理、排气、生长，外部腔室；可连接其他分析设备或其他：ALD、PLD、PVD、金属化、STM。

该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10^-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10^-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 极限真空 离子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。

激光分子束外延(Laser MBE)是上个世纪90年代发展起来的一种新型高精密制膜技术，它集PLD的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子等，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。日本Pascal公司一直致力于PLD和Laser MBE系统的研发工作，已经向世界上知名的高校或研究所提供了高性能、高稳定的设备。在Laser MBE中，使用脉冲激光源，而且与通过石英窗口和超高真空系统隔离。高能量密度的脉冲激光将靶材局部气化而产生激光焰，被剥蚀的粒子获得很高的动能，达到可以加热的衬底表面形成薄膜。薄膜的生长过程可由反射式高能电子衍射(RHEED)系统监控。RHEED的衍射条纹提供薄膜生长的晶体结构和表面形貌，强度振荡判断薄膜生长的机理。其强度振荡可由弹性散射模型进行解释。Pascal生产的Laser MBE系统具有如下的优势：1. 靶源易蒸发。即使是高熔点的材料，如氧化物，也很容易蒸发。2. 化学计量比准确。沉积的薄膜和靶材的化学组分几乎完全一样。3. 污染少。4. 激光脉冲的重复频率可进行薄膜厚度/生长速率的数字式或非连续性控制。5. 差分抽气结构，可在非常宽的气压范围内工作。6. 靶材的交换简单快捷，有利于实现异质外延和多层结构的生长。7. 结构紧凑，含有许多独特的技术，如衬底加热和样品或靶材的进样-自锁交换装置等。用于材料科学的组合(Combinatorial)技术一次合成一个样品，该样品描写了不同合成条件的组合结果，然后进行筛选产品，这整个过程是一种“组合化学”(Combinatorial Chemistry)。目前，这种技术在医学或药学的发展将显得非常必要。而且，由此产生的研究结果正在呈指数上升。为什么不在薄膜研究中引进该方案呢？从方案的初始阶段，我们就一直与学术界共同研发“组合式PLD系统”。我们丰富的经验将有助于薄膜的研究和开发。应用1.蓝光ZnO 和 GaN 新材料研发2.氧化物微奈米薄膜、STO 压电薄膜3.奈米磁性薄膜4.超导体材料5.高能材料6.新尖端组合材料 (Combinatorial Materials)新型薄膜和器件方面的应用我们设计的生长系统可用于多种薄膜的生长，包括GaN、有机薄膜以及结型器件的制备，如金刚石、富勒烯球碳和含有氧化物的Si结型器件等。

分子束外延系统MBE 可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。 分子束外延系统MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 项目 参数 极限真空 离子泵 8.0×10-9Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

1. 产品概述屡获殊荣的新型 GENxcel&trade 系统是在 GENxplor 的基础上进行的扩展，GENxplor&trade 是自 2013 年 8 月推出以来畅销的 MBE 系统，与 GENxplor 系统的 3“ 功能相比，在单个 4 英寸衬底上具有高质量的外延生长。GENxcel 系统具有易于使用的手动传输系统、12 个源端口和完全集成到单框架设计中的现代电子设备，可实现大的实验室占地面积效率。在直径达 4 英寸的衬底上实现高质量外延层独特的单帧架构提高了易用性，提供了便捷的源访问和增强的可服务性高效的一体化设计将手动系统与机载电子设备相结合，与其他 MBE 系统相比，可节省 40% 的实验室空间非常适合对各种材料进行沿研究，包括砷化镓、氮化物和氧化物Molly® 软件集成了简单的配方编写、自动生长控制和始终在线的数据记录可选的 Nova&trade 超高温基板加热器，可在 1850° 下提供经过验证的性能可直接扩展到 GEN20&trade 、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统

1. 产品概述Veeco 的 GEN200® MBE 系统是当市场上具成本效益和高容量的多 4 英寸生产 MBE 系统。该系统在用于泵浦激光器、VCSEL 和 HBT 等设备的生长中提供卓越的吞吐量、长时间的加工周期和出色的晶圆质量。 提供成本低的 4 x 4“ 外延片生长与同类 MBE 系统相比，模块化架构的占用空间要小得多允许多两个生长模块，从而提高产量或允许处理不相容的材料可选的隔板安装优化了洁净室空间集成了业界具创新性、可靠的系统硬件、源和组件

1. 产品概述：GENxplor® R&D MBE系统获得了化合物半导体制造的CSindustry奖，采用Veeco成熟的3英寸生长室设计，并具有工艺灵活性，非常适合UV LED、高效太阳能电池和高温超导体等新兴技术的材料研究。其高效的单框架设计将所有真空硬件与机载电子设备相结合，使其比其他 MBE 系统小 40%，从而节省宝贵的实验室空间。由于手动系统集成在一个框架上，因此减少了安装时间。GENxplor的开放式架构设计还提高了易用性，提供了对积液池的便捷访问，并且与其他MBE系统相比，更容易进行维护。直径达 3 英寸的衬底上的高质量外延层电子束温度加热器（1850°C）单帧架构提高了易用性，提供了便捷的源访问和增强的可服务性高效的一体化设计将手动系统与机载电子设备相结合，与其他 MBE 系统相比，可节省 40% 的实验室空间非常适合对各种材料进行前沿研究，包括砷化镓、氮化物和氧化物Molly® 软件集成了简单的配方编写、自动生长控制和始终在线的数据记录可选的 Nova&trade 超高温基板加热器，可在 1850° 下提供经过验证的性能可直接扩展到 GEN20&trade 、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统

1 产品概述: RIBER分子束外延4 英寸中试生产系统是一款专为半导体制造领域设计的先进设备，旨在满足中试生产阶段对高质量、高精度晶体沉积的需求。该系统集成了高精度沉积技术、多源端口设计、先进的真空系统以及可定制化等特性，为半导体材料的生长和器件的制造提供了强有力的支持。2 设备用途：工艺验证与优化：该系统主要用于验证和优化在实验室小试阶段确定的工艺路线和技术参数。通过中试生产，可以进一步考察工艺的稳定性、设备的可靠性以及产品的质量，为后续的大规模工业化生产提供数据支持和技术依据。材料生长：RIBER分子束外延4 英寸中试生产系统能够在衬底上精确沉积各种材料，如GaAs、InP、GaN等，实现原子层级的控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这些材料是制造微电子器件、光电器件等的关键材料。复杂结构生长：该系统配备的多源端口设计使其能够满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构，如量子点、量子阱等，为新型半导体器件的研发提供可能。3 设备特点 高精度沉积：RIBER分子束外延4 英寸中试生产系统能够实现原子层级的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力对于提高器件性能和可靠性至关重要。 多源端口设计：该系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求。这种设计灵活性使得系统能够生长多种材料组合和复杂结构，为半导体器件的多样化提供了可能。 先进的真空系统：提供高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。高真空环境是分子束外延技术实现高质量沉积的关键因素之一。

产品详情脉冲激光沉积/激光分子束外延系统 产品描述：荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。荷兰Twente Solid State Technology BV（TSST）公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统（PLD），以及相关薄膜制备解决方案，公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作，开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。 脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。 激光分子束外延系统（LMBE），是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。在高氧气压力环境下实现RHEED原位监控，曾是RHEED分析的一个重要难题，TSST第一个提出差分抽气的方式实现高压环境下RHEED原位监控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的发明人，在系统制造和RHEED的使用，以及结果分析方面，有丰富的经验。 选件 脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金属薄膜，磁性材料等。 应用领域： 单晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）压电薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）铁电薄膜（BaTiO3，KH2PO4）热电薄膜（SrTiO3）金属和化合物薄膜电极（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）半导体薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）高K介质薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）超导薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）光波导，光学薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）超疏水薄膜（PTFE）红外探测薄膜（V2O5，PZT）

美国SVT Laser MBE Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性，可对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT有18年的MBE设备制造经验，我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括：温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息，请联系我们。 应用： 可用于研究氧化物半导体， 高温超导材料，光学晶体，电光学薄膜，铁电以及铁磁材料等。 标准性能：超高真空（本底压强1E-10 Torr）；多种生长模式的源集成，包括：RF等离子体蒸发源电子束蒸发臭氧传送系统先进的原位监控仪（可选）原子吸收束流监控仪RHEED温度以及厚度监控仪6个可旋转PLD靶高功率准分子激光器提供合适的泵抽组合多种腔室配置以满足您的需求培训以及服务支持

1 产品概述：分子束外延薄膜沉积系统（Molecular Beam Epitaxy, MBE）是一种先进的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学和半导体制造领域。该系统在超高真空环境中工作，通过精确控制分子束的喷射和沉积过程，在单晶基片上生长出高质量、均匀性好的外延薄膜。MBE系统通常由多个源炉、基片加热台、真空腔室、样品传递机构以及精密的控制系统组成。 2 设备用途：半导体材料研究：MBE系统可用于制备高质量的半导体外延层，如硅、锗及其化合物半导体等，对于研究半导体材料的物理性质、电子结构以及开发新型半导体器件具有重要意义。光电子器件制造：在光电子器件（如激光器、光电探测器等）的制造过程中，MBE系统可用于生长具有特定光学和电学性质的外延层，提高器件的性能和稳定性。微纳电子学：MBE技术还可用于制备纳米结构材料，如量子点、量子阱等，为微纳电子学的发展提供重要的材料基础。材料科学研究：MBE系统可用于研究材料生长过程中的动力学、热力学以及界面反应等机制，推动材料科学领域的发展。3. 设备特点1、超高真空环境：MBE系统工作在超高真空环境中，通常要求基础真空度达到1.0×10^(-10) Torr或更低，以确保分子束的纯净度和外延薄膜的质量。 2、精确控制：MBE系统能够精确控制分子束的喷射速率、沉积温度、沉积时间等参数，从而实现对外延薄膜厚度、成分和结构的精确控制。 3、高质量外延薄膜：由于MBE系统的工作环境和控制精度，其生长的外延薄膜具有极高的质量、均匀性和低的缺陷密度，适用于制备高性能的电子和光电子器件。4、综上所述，半自动双轴减薄机以其高精度、双轴研削单元、自动厚度测量和补偿系统、定制化工作台、操作灵活以及良好的兼容性等特点，在半导体制造、硅片加工、光学材料处理及薄膜材料制备等领域发挥着重要作用。4 设备参数： 缺陷密度≤ 50 /cm² 厚度均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%成分均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%厚度均匀性 （AlAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%Si掺杂标准差均匀性 3%谐振器的FP-Dip均匀性3纳米背景载流子密度7×1014厘米-3HEMT 电子迁移率6000 平方厘米伏-1 平方@RT 120 000 平方厘米伏-1 平方尺@77K分子束外延薄膜沉积系统MBE 8000厚度均匀性 InGaAs/GaAs 在 8×6＇＇ 压板上超晶格厚度298&angst +/- 2&angst 谐振器晶圆在 8×6 英寸压板上的 Fabry-Perot 浸渍均匀性波长变化3nm电子迁移率 – 标准基氮化镓 HEMT电子迁移率 @ 77K178 000 cm² V-1 s-1

1 产品概述: Riber分子束外延（MBE）系统是一款在半导体及光电子领域广泛应用的先进设备，以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和速度，实现原子层级的材料沉积，从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该领域的领先者，其MBE系统涵盖了多种型号，如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等，以满足不同规模和需求的生产场景。2 设备用途： 半导体制造：Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料，如GaAs、InP、GaN等，这些材料是制造晶体管、二极管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术，可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构，从而优化器件的性能。 光电子器件：在光电子领域，Riber MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构，可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。 量子点研究：MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有独特光电特性的纳米材料，通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分，从而制备出性能优异的量子点材料。3 设备特点 高精度沉积：Riber MBE系统能够实现原子层级的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有独特优势。 高真空环境：系统配备先进的真空系统，提供超高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 低温生长：MBE技术采用低温生长方式，有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成，从而生长出高质量的薄膜材料。 多源端口设计：部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。

1 产品概述: Riber分子束外延（MBE）系统是一款在半导体及光电子领域广泛应用的先进设备，以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和速度，实现原子层级的材料沉积，从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该领域的领先者，其MBE系统涵盖了多种型号，如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等，以满足不同规模和需求的生产场景。2 设备用途：半导体制造：Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料，如GaAs、InP、GaN等，这些材料是制造晶体管、二极管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术，可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构，从而优化器件的性能。光电子器件：在光电子领域，Riber MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构，可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。量子点研究：MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有独特光电特性的纳米材料，通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分，从而制备出性能优异的量子点材料。超导金属：Riber MBE系统还可用于生长超导金属材料。超导金属具有超精确的尺寸控制和电子在其中不受干扰地流动的特性，是制造超导器件和量子计算等前沿技术的重要材料。3 设备特点 高精度沉积：Riber MBE系统能够实现原子层级的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有独特优势。 高真空环境：系统配备先进的真空系统，提供超高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 低温生长：MBE技术采用低温生长方式，有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成，从而生长出高质量的薄膜材料。 多源端口设计：部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。 4 技术参数和特点：衬底尺寸：3 英寸、4 英寸、6 英寸、200 毫米外延生长：可实现原子的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积，以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 温度控制：生长温度低，有效避免界面原子的互扩散。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

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1 产品概述: Riber分子束外延（MBE）系统是一款在半导体及光电子域广泛应用的先进设备，以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和速度，实现原子层的材料沉积，从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该域的先者，其MBE系统涵盖了多种型号，如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等，以满足不同规模和需求的生产场景。2 设备用途：半导体制造：Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料，如GaAs、InP、GaN等，这些材料是制造晶体管、二管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术，可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构，从而优化器件的性能。光电子器件：在光电子域，Riber MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构，可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。量子点研究：MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有独特光电特性的纳米材料，通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分，从而制备出性能优异的量子点材料。超导金属：Riber MBE系统还可用于生长超导金属材料。超导金属具有超精确的尺寸控制和电子在其中不受干扰地流动的特性，是制造超导器件和量子计算等沿技术的重要材料。3 设备特点 高精度沉积：Riber MBE系统能够实现原子层的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有独特优势。 高真空环境：系统配备先进的真空系统，提供超高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 低温生长：MBE技术采用低温生长方式，有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成，从而生长出高质量的薄膜材料。 多源端口设计：部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。4 技术参数和特点：衬底尺寸：5×3英寸、4×4英寸、150毫米、200毫米外延生长：可实现原子的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积，以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。温度控制：生长温度低，有效避免界面原子的互扩散。 MBE 49生产系统的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：半导体器件：如晶体管、二管、激光器等。光电子器件：如太阳能电池、LED、光电探测器等。量子点：使用“量子点”，这是使用MBE创建和控制的中等体积的纯半导体合金。超导金属：超导金属可以具有超精确的尺寸（原子尺度），电子在其中不受干扰地流动。

Laser MBE具备PLD和传统MBE的特点，对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。设备特点是在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料。SVT有20年的MBE设备制造经验，我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。所采用的在线监控仪器包括：温度测量仪、厚度测量仪、RHEED、束流监控仪等。如果您想了解更多这方面的信息，请联系我们。 应用 氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等 标准性能● 超高真空（本底压强1E-10 Torr）● 集成多种类型源，包括：- RF等离子体源- 热蒸发源- 电子束蒸发源- 臭氧传送系统● 先进的在线监控仪（可选）- 原子吸收束流监控仪- RHEED- 温度以及厚度测量仪● 6个可旋转PLD靶● 高功率准分子激光器● 提供合适的泵抽组合● 多种腔室配置以满足您的需求● 培训以及服务支持

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延 超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

Lampo紧凑型DPSS皮秒激光器 意大利BrightSolutions公司成立于1998年，拥有26年固体激光器生产研发经验。公司拥有一群在半导体泵浦固体激光器(DPSS)研发领域经验丰富的激光科学家和工业专家，研发实力雄厚。致力于开发和制造纳秒激光器, 亚纳秒激光器以及皮秒激光器，适用于工业，航空航天，医疗，军事和科学应用。其激光器产品在工业应用应用广泛，已累计销售数千套激光器。目前，BrightSolutions新推出的Lampo系列-紧凑型DPSS皮秒激光器，是一种新的超快激光器，小于70ps激光脉冲宽度，重复频率可选择50 kHz到40 MHz。 图1：Lampo紧凑型DPSS皮秒激光器，包括驱动设备和空气制冷风扇。 Lampo紧凑型DPSS皮秒激光器发射的脉冲持续时间为几十皮秒，峰值功率为兆瓦级，波长从红外（1064 nm）到深紫外（266 nm）。和大多数BrightSolutions产品一样，此款型号更多集成了一体化设计，广泛应用于工业和科研领域，Lampo紧凑型DPSS皮秒激光器也集成了一个坚固的风冷单元，另外包括单独的光学部分以及功率信号电子单元。 图2： Lampo紧凑型DPSS皮秒激光器自相关信号，显示了典型的激光脉冲宽度。 BrightSolutions推出了Lampo紧凑型DPSS皮秒激光器作为新的有价值的工具，在几个领域，从科学到工业，从国防到医疗，从生物到激光雷达都有广泛的应用。 因其几十年的DPSS激光器的制造经验，形成了高紧凑性，高效率性，高光束质量和高峰值功率的产品特性。BrightSolutions开发Lampo作为一个独特的稳定性，灵活性和负担得起的激光工具，易于运行和集成在复杂的激光系统以及相关的实验室应用程序。其自由可控的脉冲序列，超宽的脉冲重复频率范围，高峰值功率和紫外红外波长选择使这些皮秒激光能够处理更加广泛的理想材料，如金属、半导体、聚合物、玻璃 、蓝宝石和其他光学透明衬底。Lampo紧凑型DPSS皮秒激光器还可以集成到远程和高精度的激光雷达系统中：短脉冲持续时间和高峰值功率，加上方便的窄带宽和宽范围的重复频率，能进一步确保仪器分辨率和数据采集速度的具体提高。 紧凑型DPSS皮秒激光器产品特点：1、皮秒级脉宽，小于70ps2、峰值功率高可达4.5MW3、脉冲重频可调，50KHZ-40MHZ4、窄线宽，优于0.4nm5、波长从紫外红红外，倍频设计6、紧凑型设计，一体化集成 紧凑型DPSS皮秒激光器产品参数：紧凑型DPSS皮秒激光器应用领域：半导体加工，微加工，非线性光学，拉曼光学，光谱学，全息投影，激光雷达，遥感，生物光学，光刻。 关于这种新的激光器以及其他有关BrightSolutions的标准和定制的产品范围，我们的团队很期待您的咨询和沟通。 更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

用于工业集成和便携式开发的紧凑型光纤光谱仪高分辨紧凑型光纤光谱仪产品简介 ARIS 光谱仪是嵌入式光谱学未来的下一步，实验室级仪器，还满足便携式和工业应用的尺寸、jiage和可靠性要求。凭借其高通量光学设计，ARIS的灵敏度比同价位其他光谱仪高 2 至 4 倍。 杂散光抑制可以测量geng大的吸光度值。 ARIS 提供了ji高的灵活性，可以使光谱仪适应特定应用的要求。 高分辨紧凑型光纤光谱仪有五个标准波长范围，可以使用多种可用的衍射光栅进行定制。 默认的 20 μm 入口狭缝可由用户更换，并且可以轻松更换以获得geng好的灵敏度。 高分辨紧凑型光纤光谱仪标准配置包括两个图像传感器之一，并可根据要求提供更多选择。 功能强大的微控制器执行板载自动曝光、平均、缓冲和频谱处理。 此外，它还可以实施特定于应用的频谱评估。 高分辨紧凑型光纤光谱仪凭借其在恶劣条件下经过验证的可靠性和紧凑的尺寸，ARIS弥补了实验室和现场光谱仪之间的差距。高分辨紧凑型光纤光谱仪产品特点显著的高灵敏度卓越的杂散光性能gao分辨率小尺寸di成本高分辨紧凑型光纤光谱仪波长范围和分辨率： 配置 波长范围 光学分辨率FWMH 典型值 MAX Wide185 &minus 970 nm1.101.40 nmUV/VIS185 &minus 550 nm0.400.60 nmUV185 &minus 420 nm0.330.40 nmVIS350 &minus 840 nm0.650.80 nmVIS/NIR510 &minus 1020 nm0.801.00 nm高分辨紧凑型光纤光谱仪探测器参数：Toshiba TCD1304DGHamamatsu S11639-01像元数36482048积分时间3 μs &minus 35 min54 μs &minus 35 min信噪比*350600动态范围1900 : 15000 : 1像素读出速度1 MHz2 MHz紫外灵敏优良好 适应快速变化的信号能力普通非常好触发抖动≤1次曝光时间10 μs高分辨紧凑型光纤光谱仪主要应用：检测食品和饮料成分和生产年份检测假冒产品寻找爆炸物或du品等危险物质监控生产工厂的化学过程测量环境污染关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

仪器简介：HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成，并能在分子束外延环境中长期使用。 主要特点：钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命 抗污染离子源护罩 双法拉第/ channelplate电子倍增器 技术规格：质量数范围： 1～300 amu 扫描速度： 100amu/s 最小扫描步阶：0.01amu 灵敏度： 0.1 ppm～1ppm 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 最小检测分压：2 x 10-13 mbar 最大工作压力：1 x 10-4 mbar Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

Avantgarde紧凑型室温手动探针台的主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，外接不同的测量仪器，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测，用于室温下超小芯片晶圆和器件的非破坏性测试。SPSM系列紧凑型室温手动探针台是一款经济实惠、入门级的探针台，能够对2寸、4寸晶圆片进行大量非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备，可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量。紧凑的桌面设计是学术和实验研究的最佳选择。特点&bull 样品座可以放置最大4英寸的晶圆样品&bull 样品座下方位移座可实现样品座三维精细位移调节使得样品测试和换样更加便捷。&bull 最多可安装6个探针臂&bull 探针臂采用磁铁吸附，可任意移动，并且可以三维微调，操作方便，扎针精准，四个探针臂的探针可以扎到样品的任意位置。&bull 探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头，漏电流小，在100fA以内&bull CCD最大放大倍数为180倍，最大工作距离为100mm型号分类：型号样品座尺寸SPSM-22英寸SPSM-44英寸参数和指标：样品座卡盘尺寸：2/4英寸，可定制材质：无氧铜镀金样品固定方式：多孔分区吸附有外圈、内圈和中间三个单独控制的气体吸附通道位移行程：X-±6.5mm，Y-±6.5mm，Z-±5mm读数精度：10μm探针臂固定方式：磁铁吸附XYZ微调移动行程：XYZ-13mm读数精度：10μm探针臂数量：可安装6个探针臂（左右各3个）电学线缆：三同轴线缆漏电流：100fA探针类型：直流探针光学系统显微镜放大倍数：50-1000倍显微镜工作距离：90-100mm显微镜分辨率：最小可识别3μm可加选件光学平台/直流探针/微波探针/样品座/屏蔽箱/光纤

美国SVT生产型MBE SVT 拥有20年MBE设备制造与革新的经验。 MBE是半导体材料和器件生长的主要研究制造技术。 SVT 的MBE设备提供超高真空环境，可以精确制备各种薄膜结构，包括超高k电解质，光电子器件，高能通讯器件，以及其他应用器件。 SVT正不断提高MBE系统的性能，并为客户开放新材料提供更大便利。 35V14 MBE是生产型的MBE系统，并可以加工超大尺寸样品。 此系统可以加工最大14' ' 的样品， 并配有大容量的源以及RF6.0生产型Plasma源。 可用于指标氧化物、氮化物、As化物等。

紧凑型氘钨灯光源 YLS-8301-04 描述YLS-8301-04是一款紧凑型的氘卤灯复合光源，其光谱范围为200-2500nm，并具有TTL控制的电子快门，非常作为透过率、反射率和吸光度测量的参考光源。特点紧凑型结构设计，便于集成200-1100nm宽光谱工作范围氘灯与钨灯可独立开/关内置快门及TTL控制应用透过率、吸光度和反射率的测量的参考光源技术参数典型输出光谱使用200-900nm光谱仪测量更多精彩内容，请关注下方！

Ismatec 紧凑型多通道泵78016-00简述：ü 流量一致且泵管磨损较小，可改善泵送结果ü 紧凑型设计，提高生产力—多达4个通道，同时泵送更多流体ü 无需维护—轧辊可自润滑ü 轻松更换通道—Click’n’goTM迷你卡盘ü 利用12辊泵获得更平稳的流速ü 规格：可达22PSI迷你卡盘带咬合调节功能的可选迷你卡盘，可手动调节各通道上的压力值 。ZD-07624-64带咬合调节功能的可选迷你卡盘ZD-78016-98备用CLICK’N’GOTM迷你卡盘参数： A、标准变速泵可以以1%的单位增量调整速度（0-99%），远程控制速度，通过触点闭合启动/停止泵送或变改变泵送方向；通过频率输出监测泵送速度。 通道数 辊轴数 泵管标准变速泵每通道流速范围（mL/min） 转速115VAC,60Hz230VAC,50Hz货号货号 26 三卡式0.009~59 3.2~160rpm78016-0078016-0280.008~5078016-1078016-12120.007~3478017-2578017-27 46 三卡式0.006~37 2.0~100rpm78017-3078017-3280.005~3178016-3078016-32120.005~2178017-3578017-37 B、可编程变速数字泵通过四种模式持续进行泵送或分配------流速、时间、批次或无滴液，泵具有模拟输入和输出控制功能，同时配有可供计算控制的RS-232接口，可远程控制。 通道数 辊轴数 泵管 可编程变速数字泵每通道流速范围（mL/min） 转速230VAC,50Hz货号 26 三卡式0.005~59 1.6~160rpm78016-4280.004~5078017-02120.004~3478016-47 46 三卡式0.003~37 1.0~100rpm78017-4280.003~3178017-12120.003~2178017-27 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - 上海拜普实业发展有限公司秉承“服务科学、服务人类”的经营理念，始终把客户满意度作为工作的核心，为客户提供了优良的产品和服务以及唯实求真的原则，多年来为众多机构引荐了大量的高品质仪器及设备，更重要的是提升围绕产品的各种服务，让客户有了较高的体验度和满意度，这是我们一直孜孜以求的目标。- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - 更多产品详情请关注上海拜普的

紧凑型位敏探测系统 新势力光电供应紧凑型位敏探测系统，光谱范围350-1100nm 、位置精度± 0.1um或者光束尺寸± 0.025%。该系列紧凑型位敏探测系统将电子技术集成于探测器中，体积非常小，是一款SpotOn位敏探测系统的OEM版本，非常适合于系统集成。ModelDescriptionsSPOTCOM-LLateral effect PnP 9mm× 9mm, no glass coverSPOTCOM-QFour quadrant PnP 10mm× 10mm, with 30um gap, no glass coverSPOTCOM-L04Lateral effect PnP 4mm× 4mm, no glass coverOptional accessoriesNG4ND filter in housing (3/4"-32 thread)NG9ND filter in housing (3/4"-32 thread)NG10ND filter in housing (3/4"-32 thread)Hood55mm long, for ambient light suppression 相关商品位敏探测器(PSD) BeamOn光束质量分析仪 SpotOn位敏探测系统 SpotOn Analog位敏探测系统

JULABO低温紧凑型恒温器CF系列产品描述：CF 系列提供极其紧凑的制冷循环恒温器。小尺寸允许设备安装在醉小的空间或技术设备内。所有型号均提供 2 kW 的加热功率和符合 DIN12876-1 的 III 级保护。醉大允许环境温度为+40°C以及通风空气冷却允许安装在靠近其他设备或直接安装在测试设备的通风橱中。此外，所有型号均具有用于外部温度控制应用的泵连接，以及用于直接在恒温浴槽中对较小物体进行温度控制的浴槽开口。所有与浴槽介质接触的部件均由不锈钢或优质塑料制成。这些设备配备了现代、可靠的微处理器电子设备，具有醉高的温度稳定性以及警告和安全功能。1.经济型紧凑型低温恒温器产品描述：CF 系列紧凑型号低温恒温器是极其紧凑的制冷循环恒温器。这些设备提供 2 kW 的加热功率以及符合 DIN 12876-1 的 III 级保护等级。它们具有用于外部温度控制应用的泵连接以及用于对较小物体进行温度控制的浴槽开口。特征：l 特别紧凑的尺寸，满足小空间要求l 防溅薄膜键盘l 大而明亮的 LED 温度显示屏l 精确的PID温度控制l 用于 PC 连接的 RS232 接口l 根据 DIN12876-1 分类 3l 用于外部温度控制任务的泵连接l 浴槽开口，用于直接在恒温浴槽中控制小物体的温度l 正面排水口技术参数：型号CF30CF40工作温度范围（°C）-30 - +150-40 - +150温度稳定性（°C）±0.03±0.03冷却能力（KW）0.320.47加热能力（KW）22泵容量 流量（升/分钟）1515泵容量 输送压力（bar）0.350.35尺寸（宽× T × H）24 x 46 x 40cm28 x 46 x 46cm灌装量2 -3.5L4 -5.5L重量35kg44kg泵连接螺纹M16x1 外螺纹M16x1 外螺纹软管橄榄内径8/12mm8/12mm允许的环境温度+40 °C+40 °C功耗10 A12 A2.高科技低温紧凑型号恒温器产品描述：CF 系列紧凑型号低温恒温器是极其紧凑的制冷循环恒温器。这些设备提供 2 kW 的加热功率以及符合 DIN 12876-1 的 III 级保护等级。它们具有用于外部温度控制应用的泵连接以及用于对较小物体进行温度控制的浴槽开口。特征：l 特别紧凑的尺寸，满足小空间要求l 防溅薄膜键盘l 明亮的 VFD 显示屏和带操作员指导的 LCD 显示屏l 高精度ICC级联温度控制l RS232/RS485 接口，用于 PC 连接l 智能泵电子可调泵功率水平l Pt100 外部探头连接，用于在外部系统中进行测量和控制l 集成编程器，用于 6 x 60 程序步骤l ATC3 三点校准l 用于控制动态的 TCF 温度控制功能l 可调节过热保护，可通过显示屏调节l 根据 DIN12876-1 分类 3l 用于外部温度控制任务的泵连接l 浴槽开口，用于直接在恒温浴槽中控制小物体的温度l 正面排水口技术参数：型号CF31CF41工作温度范围（°C）-30 - +200-40 - +200温度稳定性（°C）±0.02±0.02冷却能力（KW）0.320.47加热能力（KW）22泵容量 流量（升/分钟）22 -2622 -26泵容量 输送压力（bar）0.4 -0.70.4 -0.7尺寸（宽× T × H）24 x 46 x 40cm28 x 46 x 46cm灌装量2 -3.5L4 -5.5L重量35kg44kg泵连接螺纹M16x1 外螺纹M16x1 外螺纹软管橄榄内径8/12mm8/12mm允许的环境温度+40 °C+40 °C功耗11 A13A