等离子体增强原子层沉积系统

等离子体增强原子层沉积系统（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System，PEALD)产地：美国埃米 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 1%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

产品详情德国Sentech等离子体增强原子层沉积机PE-ALD 原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。 下图是ALD与PEALD的沉积结果对比

产品详情德国Sentech等离子体增强原子层沉积机PE-ALD 原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。

Picosun等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统 PICOPLASMA Picosun公司新型PICOPLASMA™ 等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统是基于先进的自由离子远程等离子源设计的，其性能已经得到世界范围内的诸多ding 级研究团队的肯定。多种激发源（如氧、氢和氮等）配置能够zui大化拓展ALD的工艺范围，尤其是低温沉积金属和金属氮化物薄膜。由于远程等离子源所产生的等离子体束流中离子的含量低，因此即使是zui敏感的衬底，也不会出现等离子损伤，而等离子束流中含有高浓度的活性粒子，保证很快的生长速度。PICOPLASMA™ 源系统既可以安装在现有的PICOSUNTM ALD反应器上，也可以将整个PEALD组装为yi个整体。它具有占地面积小、易维护和低运行成本等优点。通过预真空系统，PICOPLASMA™ 集成在PICOPLATFORM™ 集群系统中后可实现自动化操作。 PICOPLASMA™ 远程等离子体系统技术参数 对衬底无等离子损伤 导电材料不会产生短路现象 无前驱源背扩散→ 等离子发生器无薄膜形成 等离子体点火期间无压力振荡→ 无颗粒形成 等离子体源与衬底之间无闸门阀→ 无颗粒形成 等离子体源材料无刻蚀→ 金属和氧化物薄膜低杂质 简单和快速服务并通过维护舱口改变腔室 无硬件修改使热ALD和等离子ALD工艺在同yi沉积腔室中进行成为可能 应用领域部分PEALD材料的薄膜均匀性的例子，采用PICOSUN™ 设备沉积。晶圆尺寸150/200 mm(6/8”)材料非均匀性(1σ)AI2O3 0.50%AlN0.62%In2O30.87%SiO2 (low-T)1.10%SiN (low-T)1.58%TiN2.16%ZnO2.64%TiAlN2.87%

原子层沉积（ALD）是在3D结构上逐层沉积超薄薄膜的工艺方法。薄膜厚度和特性的精确控制通过在工艺循环过程中在真空腔室分步加入前置物实现。等离子增强原子层沉积（PEALD）是用等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能的先进方法。 SENTECH基于多年研发制造PECVD和ICPECVD的经验，包括专有的PTSA技术，推出第一台PEALD设备。新的ALD设备应用SENTECH椭偏仪，使热辅助和等离子辅助的操作和沉积过程都能得到监控。 SENTECH使用激光椭偏仪和宽量程分光椭偏仪的前沿技术——超快在线椭偏仪来监控逐层膜生长。 第一台PEALD设备已经在布伦瑞克科技大学（TU Braunschweig）投入使用，用于生长超高均匀性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。 在Al2O3沉积过程中，三甲基铝（TMA）等离子产生的氧原子反应，衬底温度为80到200℃。PEALD薄膜厚度均匀性高、折射率变化小的特点。

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃ 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 等 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

1. 用于高研究的先进能力我们的 Fiji® 系列是一种先进的模块化、高真空热原子层沉积（ALD）系统，专为满足当今快速发展的技术需求而设计。该系列系统以其灵活的架构著称，能够支持多种驱体和等离子体气体配置，使用户能根据具体的沉积要求进行精确调整。这种适应性使得 Fiji® 系列在各种薄膜材料的沉积应用中表现出色，特别适合于半导体、太阳能电池、光电器件以及纳米技术等领域。作为该系列的最新产品，Fiji G2 是一款下一代 ALD 系统，以其卓越的性能和创新的技术再次提升了原子层沉积的标准。Fiji G2 不仅能够执行热成像沉积，还支持等离子体增强沉积（PEALD），为用户提供更广泛的沉积模式选择。这一特性使得该系统在处理对膜质量和厚度要求极高的应用时，具有更大的灵活性和优势。Fiji® 系列的直观用户界面使得操作和监控过程变得简单方便，用户可以随时轻松地监控系统状态，并根据需要实时调整配方和处理流程。这种直观性不仅降低了操作复杂度，还大大提高了生产效率，帮助用户快速响应市场需求变化。2. FIJI的高功能包括：有的腔室涡轮增压泵系统改进的等离子体设计符合人体工程学的操作界面原位椭圆偏振仪原位石英晶体微天平综合臭氧手套箱接口Fiji® 提供多达 6 条驱体管线，可容纳固体、液体或气体驱体，以及 6 条等离子气体管线，在紧凑且经济的占地面积中提供了显着的实验灵活性。

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。主要技术参数QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）腔体双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出等离子体 Plasma最大3kW RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制）高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的，与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术，因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品，于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有：标准型PICOSUN™ R-200 Standard，只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced，有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好，同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜，如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们！

台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点：■ 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶，200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号：GEMStar -4 XT：■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT：■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P：■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，高运行功率达300W。■ 标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE：* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积丰富配件：多样品托盘：* 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。* 多基片夹具，多同时容纳9片基片。 温控热托盘：* 可加热样品托盘，高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘： 臭氧发生器： 真空进样器（Load Lock） 晶振测厚仪 前驱体瓶： 前驱体加热套：

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T 原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 等离子体增强原子层沉积 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。主要技术参数QBT-A 技术参数 Technical Specifications （超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备)高真空HV腔体2个腔室，包括进样室和ALD，LoadLock极限真空 Ultimate Pressure9E-6Torr工艺腔极限真空 Ultimate Pressure5E-7Torr等离子体 Plasma最大600W RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ200mm，氧化铝均匀性1%高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-500±1oC前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h传输高真空自动化传输人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果展示

1.产品概述：Beneq Transform在其多功能性和适应性方面建立了全新的ALD集群工具产品，以满足广泛的应用和细分市场的需求。Beneq Transform 配置多个 ALD 工艺模块，以满足特定的晶圆容量要求，或者在以后进行升，以响应不断增长的数量或新的 ALD 应用。2.产品优势：一个平台，多种配置：Beneq Transform在其多功能性和适应性方面建立了全新的ALD集群工具产品，以满足广泛的应用和细分市场的需求。Beneq Transform 配置多个 ALD 工艺模块，以满足特定的晶圆容量要求，或者在以后进行升，以响应不断增长的数量或新的 ALD 应用。热原子层沉积和等离子体原子层沉积合二为一。单晶圆或批量处理：泛的高性能氧化物和氮化物。大限度地增加灵活的批量生产选择。凭借其灵活的自动化平台和将热批量和等离子体增强的原子层沉积工艺模块结合在一个集成系统中的功能，Beneq Transform 在如何实现处理序列以满足的薄膜沉积要求方面提供了灵活性。为晶圆厂设计：行业标准的水平晶圆装载提供即插即用的集成。预热模块消除了等待时间，并将吞吐量提升到一个全新的水平。SEMI认证：符合 SEMI S2/S8 和 SECS/GEM 标准。定制支持可确保在生产中顺利过渡到原子层沉积。

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。这将气体混合物转化成反应性自由基、离子、中性原子和分子，以及其他高活性物质。在PE-CVD中，气相和表面反应受到等离子体性质的强烈控制。代替热活化，气体混合物的电子碰撞电离驱动气相反应，能够在比常规CVD工艺低得多的温度下进行沉积。 对于PE-CVD，沉积速率通常不是基片温度的强函数，表面活化能通常很小。然而，薄膜性质，例如，组成、应力和形态，通常是基片温度的强函数。等离子体增强CVD的优点PE-CVD镀膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低针孔密度、良好的保形性，以及平面和三维表面上的均匀性。 PE-CVD的实用性和灵活性在于，其能够在从硅片到汽车部件的各种基材上沉积高质量的镀膜。此外，等离子体增强CVD系统比常规CVD提供更低的拥有成本。丹顿真空公司专门从事等离子增强CVD (PE-CVD)，沉积类金刚石(DLC)镀膜。DLC镀膜是一类无定形碳膜，表现出与金刚石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高导热性。此外，DLC镀膜由于其生物相容性、红外透明性和电绝缘性能，在商业方面极具价值。丹顿公司已经开发专有的能力，扩展DLC的特性范围，包括抗指纹和疏水性。我们的 Voyager PE-CVD解决方案提供低温溅射，具有高度均匀性

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：美国Angstrom；型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... - 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：美国Angstrom；型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：瑞士真空型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； 硬件基板尺寸&bull 4英寸晶片&bull 6英寸晶片&bull 不同的衬底支架可用衬底温度&bull 高达400°C(均质)&bull 梯度为30°C至450°C温度梯度阶段(TGS)ALD前体系&bull 多达12个前体与单独的入口&bull 标准瓶和起泡器磁控管&bull 多达4个磁控管与2英寸。目标或8个磁控管1英寸。目标&bull 自定义角度&bull HiPIMS兼容附加组件&bull 微波等离子体源(PE - ALD)&bull 硅片原位应力测量&bull 定制端口和法兰ALD-PVD材料&bull Al2O3， TiO2, TiN, ZnO, Y2O3、氧化锆、HfO2, Cu, Al, Ti, Mg, Nb等等。ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS,CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…

1.产品概述：TFS 200 是一款适用于科学研究和企业研发的灵活的 ALD 平台。 TFS 200 是为多用户研究环境中将可能发生的交叉污染降至低而特别设计的。TFS 200 不仅可以在晶圆，平面物体上镀膜，还适用于粉末，颗粒，多孔的基底材料，或是有高深径比的3D物体内沉积高保形薄膜。 直接和远程等离子体沉积 (PEALD) 可作为 TFS 200 的标准选项。等离子体是电容性耦合(CCP)，这是当的工业标准。等离子体选件可为直径200毫米的基板（面朝上或面朝下）提供直接和远程等离子体增强沉积 (PEALD)2.设备用途/原理：设备用途原子层沉积（ALD）设备主要用于半导体制造、光电子、纳米技术和材料科学等领域。它广泛应用于制造高性能电子器件、光电材料、薄膜电池、传感器和催化剂等，能够在复杂结构上沉积均匀且高质量的薄膜。工作原理ALD 设备通过交替引入两种或多种气相前驱体和反应气体，以原子层的方式在基材表面沉积薄膜。每个前驱体分子在基材表面吸附并反应，形成一层薄膜，然后多余的前驱体和反应产物被清除，接着引入下一种气体。这个过程持续进行，直到达到所需的薄膜厚度。由于每一层的沉积都受到严格控制，ALD 技术能实现极薄膜层的精确沉积，通常在纳米级别，确保薄膜的均匀性和致密性。3.主要技术指标：循环周期小于2。在特定的条件下可以小于1。高深径比(HAR)选项适用于通孔和多孔的基底材料。可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔。安装在真空反应腔的辅助接口可实现等离子体和在线诊断等。加载锁可用于快速更换基底材料并与其他设备集成。

Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LX&trade 是一种原子层沉积 （ALD） 系统，专为高级研发 （R&D） 应用而设计。创新的ALD150LX设计功能，如我们的前驱体聚焦技术&trade ，以及我们超高纯度 （UHP） 工艺能力等进步技术，提供了灵活性和性能。该ALD150LX强调在研发层面启用和支持创新的技术，不仅作为一个独立的平台，而且在集群工具配置中提供与其他过程和分析模块的连接。® ® ALD150LX集群工具的连接性消除了关键过程和分析步骤之间不必要的大气暴露，从而保护敏感的表面、层及其界面。这种连接性包括集成额外的原子层沉积和分析模块，以及其他 KJLC 薄膜沉积技术，以实现业内多技术工艺和分析能力和支持。结合质量、灵活性和性能，以及多种技术处理和分析能力，使ALD150LX成为创新的设计。LD150LX工艺室可以配置为纯热或等离子体增强 ALD。金属和差速泵弹性体密封件的组合可防止大气成分（即 N2、O型2和 H2O）从进入底物所在的反应区，从而促进了UHP工艺环境。特别是，UHP条件降低了背景氧杂质的水平，从而限制了高质量非氧化物基材料及其界面在薄膜生长之前、期间和之后的暴露。在氧化膜生长过程中，氧杂质也是寄生性CVD的来源。我们垂直流设计可实现分离、均匀的前驱体输送，并促进前驱体利用率的提高以及服务间隔之间的平均时间延长。为避免不必要的材料在输送通道内积聚和颗粒形成，四个独立的腔室入口（不包括等离子体）可用于前驱体分离。例如，可以使用单独的入口来分离金属有机前体和共反应物，以防止在输送管线和阀门中沉积。等离子体增强原子层沉积 （PEALD） 配置可选金属和差速泵弹性体密封件的组合，可实现 UHP 工艺条件全层流和惰性气体扫除死区可保持反应器清洁，减少释气和虚拟泄漏用于原位椭圆偏振仪的分析端口（70° 入射角）（椭偏仪可选）四条独立的独立加热入口管路，用于前驱体输送，防止输送通道中不必要的积聚独立的基板加热器平台和外腔壳体，可实现出色的温度控制和均匀性304L不锈钢结构可访问、低维护的设计我们获得前驱体聚焦技术&trade （PFT&trade ） 将非活性帘式气体屏障与集中式前驱体输送和泵送相结合，以最大限度地减少与工艺室侧壁的相互作用，并将前驱体排除在腔室端口之外，从而提高前驱体利用率并延长维护间隔。用于椭圆仪集成的分析端口是ALD150LX的标准功能（椭偏仪可选）。基材（直径达 150 mm）通过水平装载口引入。一旦进入内部，垂直销升机构就用于通过拾取基板并将其直接放置在基板加热器级的表面上来完成转移。

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：美国Angstrom；型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep II； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... - 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…

日本SAMCO PD-4800等离子体增强的化学气相沉积系统PD-4800是一种等离子体增强的化学气相沉积系统，能够沉积二氧化硅，氮化硅，和 非晶硅

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

设备规格工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃机架Cabinet&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统 &bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障

原子层沉积技术原子层沉积系统：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。原子层沉积系统应用：高介电薄膜疏水涂层钝化层 深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜微流控台阶涂层用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池ALD-4000原子层沉积系统特点：独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能 安全互锁设计，强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖最多7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀ALD-4000原子层沉积系统选配项：NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)臭氧发生器 等等客户定制选项 案例：6”晶圆片上的均匀性数据

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Systematic increase of electrocatalytic turnover over nanoporous Pt surfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b2、 Xiangyi Luo et al. Pd nanoparticles on ZnO-passivated porous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/1640033、 HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pd core– shell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 59– 68. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.0194、 Sean W. Smith, et al. Improved oxidation resistance of organic/inorganic composite atomic layer deposition coated cellulose nanocrystal aerogels. J. Vac. Sci. Technol. A (2014) 4, 32 DOI: 10.1116/1.48822395、 Fatemeh Sadat MinayeHashemi et al. A New Resist for Area Selective Atomic and Molecular Layer Deposition on Metal− Dielectric Patterns. J. Phys. Chem. C (2014), 118, 10957− 10962. DOI: 10.1021/jp502669f6、 Jeffrey B. Chou, et.al Enabling Ideal Selective Solar Absorption with 2D Metallic Dielectric Photonic Crystals. Adv. Mater. (2014), DOI: 10.1002/adma.201403302.7、 Jin Xie, et al. Site-Selective Deposition of Twinned Platinum Nanoparticles on TiSi2 Nanonets by Atomic Layer Deposition and Their Oxygen Reduction Activities. ACS Nano (2013), 7, 6337– 6345. DOI: 10.1021/nn402385f8、 Pengcheng Dai, et al. Solar Hydrogen Generation by Silicon Nanowires Modified with Platinum Nanoparticle Catalysts by Atomic Layer Deposition. Angew. Chem. Int. Ed. (2013), 52, 1 – 6. DOI: 10.1002/anie.2013038139、 Joseph Larkin et al. Slow DNA Transport through Nanoporesin Hafnium Oxide Membranes. ACS Nano (2013), 11, 10121– 10128. DOI: 10.1021/nn404326f10、 Thomas M et al. Extended lifetime MCP-PMTs: Characterization and lifetime measurements of ALD coated microchannel plates, in a sealed photomultiplier tube Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2013) 732, 388– 391. DOI: 10.1016/j.nima.2013.07.02311、 Kevin J. Maloney et al. Microlattices as architected thin films: Analysis of mechanical properties and high strain elastic recovery. APL Mater. 1, 022106 (2013) DOI: 10.1063/1.481816812、 Sean W. Smith et al. Improved Temperature Stability of Atomic Layer Deposition Coated Cellulose Nanocrystal Aerogels. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2012) DOI: 10.1557/opl.2012.

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃预留模块：预留等离子体系统接口，无需更换腔体即可直接升级至等离子体系统（PEALD），实现Thermal-ALD与PEALD的双模式切换 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜； 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

原子层沉积技术NLD-4000（M）原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-4000（M）原子层沉积系统特点：NLD-4000是一款独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-4000系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-4000（M）原子层沉积系统选配：NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。NLD-4000（M）原子层沉积系统应用：Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料

OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积（ALD）设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD，这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子层沉积（ALD）设备，带有等离子选项适用于小尺寸至200mm的晶圆片蒸汽吸取或鼓泡四种液体或固体前驱体实时检测选项，包括与ALD控制软件相联的光谱椭偏仪ALD产品家族涵盖的系列设备可以满足学术界、企业研发和小规模生产的多种需求实时监测选项，包括与ALD控制软件相联的光谱椭偏仪OpAL系统可通过清晰而易行的途径升级为等离子体，这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD牛津仪器有大量的工艺储备，并且还在不断开发新的工艺。我们为所有的ALD设备提供终身免费的、延续不断的工艺支持，我们还将为您提供关于开发新材料的建议，同时继续与您共享包括新工艺配方在内的新的ALD工艺进展。特征可配备带有样品传送入口的氮气吹扫手套箱 - 适用于干燥环境易于拆卸的内腔室 - 减少腔室清洗时间机柜可安装在抽气管路上并附带氮气吹扫 - 以确保健康和安全的承诺气动起重装置 - 用于安全打开腔室可配备抽气罩或氮气吹扫手套箱 - 以确保健康和安全的承诺应用纳米电子高K栅氧化物存储电容电介质用于Cu互连的高深宽比扩散隔层用于OLED和聚合物的无针孔钝化层用于晶体硅太阳能电池的钝化用于微流体和MEM的高保形涂层纳米多孔结构的涂层生物MEMS燃料电池