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光刻机
仪器信息网光刻机专题为您提供2024年最新光刻机价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括光刻机参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的光刻机您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合光刻机相关的耗材配件、试剂标物,还有光刻机相关的最新资讯、资料,以及光刻机相关的解决方案。
光刻机相关的方案
氦质谱检漏仪光刻机检漏
上海伯东客户日本某生产半导体用光刻机公司, 光刻机真空度需要达到 1x10-11 pa 的超高真空, 因为设备整体较大, 需要对构成光刻机的真空相关部件进行检漏且要求清洁无油, 满足无尘室使用要求, 为了方便进行快速检漏, 采购伯东 Pfeiffer 便携式氦质谱检漏仪 ASM 310.
氦质谱检漏仪电子束光刻机检漏
上海伯东客户某光刻机生产商, 生产的电子束光刻机 Electron Beam Lithography System 最大能容纳 300mmφ 的晶圆片和 6英寸的掩模版, 适合纳米压印, 光子器件, 通信设备等多个领域的研发及生产. 经过伯东推荐采购氦质谱检漏仪 ASM 310 用于电子束光刻机腔体检漏.
小型台式无掩膜光刻机助力开发新型晶体管实现新冠肺炎快速筛选
在新冠疫情大流行的背景下,从大量人群中快速筛查出受感染个体对于流行病学研究有着十分重要的意义。目前,新冠病毒诊断方法包括血清学和病毒核酸测试,主要是以分析逆转录聚合酶链反应作为金标准,此方法在检测中核酸提取和扩增程序耗时较长,很难满足对广泛人群进行筛查的要求,因此,亟需发展一种快速的监测方法应对新冠疫情。近期,复旦大学魏大程教授课题组利用MicroWriter ML3小型台式无掩膜光刻机制备出基于石墨烯场效应晶体管(g-FET)的生物传感器。该传感器上拥有Y形DNA双探针(Y-双探针),可灵敏且快速的实现新冠病毒的核酸检测分析。该传感器中的双探针设计,可以同时靶向新冠病毒核酸的两个目标基因区域:ORF1ab和N基因,从而实现更高的识别率和更低的检出限(0.03份μ L− 1)。这一检出限比现有的核酸分析低1-2个数量,可避免混检过程中样本病毒载量较低而产生漏网之鱼,实现的混合测试。该传感器也具有快的检测速度,快的核酸检测速度约为1分钟。由于快速、超灵敏、易于操作等特点以及混合检测的能力,这一传感器在大规模范围内筛查新冠病毒和其他流行病感染者方面具有巨大的应用前景。
MicroWriter ML3无掩膜激光直写光刻机制备分子微纳机电芯片,助力新冠病毒快速检测
由于许多疾病相关生物标志物的浓度超低,所产生的信号往往会被其他高浓度分子所产生的信号所干扰,因此从生物流体中进行超低浓度样品(每100 μ L中有1到10份)的检测一直是医学/生物分析领域的一个难题。近日,复旦大学魏大程教授课题组使用小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备了基于石墨烯场效应管的分子微纳机电芯片解决了这一难题。所制备的芯片实现了对低浓度离子,生物分子和新冠病毒(每100 μ L中有1到2份)的快速检测。使用该芯片对新冠病毒进行检测时,仅需鼻咽样本即可,无需RNA提取和核酸扩增,四分钟内就可得到检测结果。相关研究论文已在国际知名期刊《Nature Biomedical Engineering》(IF=25.7)上发表。
红外光谱法分析光刻胶的主成分
光刻胶是微电子制造的核心材料之一,具有极高的技术壁垒,其成分配方工艺对光刻产品的性能具有重大影响。本文探索建立红外光谱定性分析光刻胶主要成分的方法,通过测试烘干光刻胶溶剂前后的红外光谱图,结合标准谱库和官能团分析等手段,可获得光刻胶中主要成分信息。该法具有分析速度快、操作简单、成本低和结果可靠等优势,可作为分析光刻胶成分的手段之一。
纳米粒子光刻需要高度有序的粒子沉积
考虑使用纳米微球光刻技术的人都会很快注意到制备胶体掩膜的一些问题。乍一看,似乎在固体基底上获得纳米颗粒只是将固体浸入到纳米粒子溶液中。对于某些应用来说,这种做法可能是正确的,但对于纳米微球的光刻技术来说,这几乎是不可能成功的。如果要想形成均匀的单层纳米颗粒,则需要一个可控性更好的制备技术。LB膜沉积技术则是首选的方法。
液体颗粒计数器在光刻胶颗粒管控中的应用
为了减少光刻胶中的颗粒数量,我们可以采取以下措施:1. 选择质量优良的光刻胶,并在使用前进行严格的的质量检测,确保光刻胶的颗粒数量在允许范围内。2. 确保操作环境清洁,定期进行环境清洁和检测,使用无尘手套等工具,减少环境中的颗粒对光刻胶的污染。3. 采取正确的操作流程,如使用前对光刻胶进行充分搅拌、储存和运输,确保光刻胶的质量稳定。4. 使用滤网、滤芯等过滤设备,对光刻胶进行过滤,进一步减少光刻胶中的颗粒数量。光刻胶中的液体颗粒管控方案,对于提高芯片的质量和性能有着重要的作用。通过选择优质的光刻胶、保持操作环境的清洁、采取正确的操作流程,以及使用过滤设备等措施,可以有效减少光刻胶中的颗粒数量,提高产品的质量和性能。希望这个短视频能帮助大家更好地了解光刻胶中的液体颗粒管控方案。
液体颗粒计数器在光刻胶检测中的应用
检测仪器:电子级光刻胶的级别判定有线宽、金属杂质、颗粒数和大小,4个指标。其中颗粒检测用的是液体颗粒计数器。采用光散射法的原理来对光刻胶里的粒子大小和多少进行检测。通常会检测0.1um、0.2um、0.3um、0.5um这4个粒径值。普洛帝测控PMT-2 光刻胶液体颗粒计数器,可以测高粘度和低粘度的光刻胶。在光刻胶行业里有一定的应用。
利用MProbe Vis系统进行光刻胶厚度测量
使用MProbe-Vis系统可以轻松测量光刻胶厚度。实际上,任何光刻胶都可以快速可靠地测量:烧结或部分烧结,薄的或厚的。尽管如此,第一次测量可能会令人困惑——光致抗蚀剂的类型和处理条件多种多样。本应用说明试图通过烧结和两个部分烧结的光致抗蚀剂样品来阐明测量过程。使用500nm-1000nm波长范围进行光致抗蚀剂测量,以最小化吸收的影响。
液体颗粒计数器在光刻胶纯度判定中的应用
在半导体制造这一科技前沿领域,光刻胶作为连接设计与制造的桥梁,其纯度的微小波动都可能对最终芯片的性能产生深远影响。因此,采用先进的液体颗粒计数器进行检测,成为了确保光刻胶质量不可或缺的一环。
MC方案:实时监控由于环境光暴露引起的光刻胶膜的光谱灵敏度
通常,普通光刻胶的光谱灵敏度范围从DUV到光谱的短波VIS部分。 如果没有合适的黄色/橙色滤光片,人造光和日光都会在几秒钟内使涂有光刻胶层的基材曝光,从而使可重复的光刻工艺变得不可能。 在我们的研究中,研究了在显微镜玻璃上涂覆的?3μ m厚的AZ5214光致抗蚀剂上的标准室内曝光量。
使用 Agilent 7500cs ICP-MS 直接分析光刻胶及相关溶剂
本文介绍了一种使用反应池电感耦合等离子体质谱分析光刻胶的简单方法。利用配备高灵敏度八极杆反应池系统 (ORS) 的 Agilent 7500cs ICP-MS 分析光刻胶中的所有元素。ORS 消除了 B、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Fe 和 Zn 等元素测量时的所有等离子体和基质多原子离子干扰,否则这些干扰物质将限制标准四极杆ICP-MS 在本应用中的操作。在样品前处理过程中,只需用合适的溶剂将光刻胶样品(30% 树脂)稀释10 倍,然后即可利用 7500cs 直接进行分析
LCMS-QTOF用于光刻胶中感光树脂轮廓分析
树脂是光刻胶的主要成分之一,本文采用岛津高效液相色谱—四极杆飞行时间质谱联用系统,建立了光刻胶中酚醛树脂的轮廓分析方法。光刻胶原液经四氢呋喃稀释,C18色谱柱分离,LCMS-QTOF正负离子模式同时采集,LabSolutions Insight Explore软件解析。结果显示,该树脂正离子模式以[M+NH4]+、[M+Na]+为主,负离子为[M-H]-峰,是一种以甲酚或二甲酚为起始,二甲酚或三甲酚为延长单元的聚合物,端聚合度(DP)2-10。该方法灵敏度高,分离度好,适用于光刻胶树脂成分分析。
共聚焦显微镜+光刻胶+形状
共聚焦显微镜和干涉仪是常用的表面形状测量仪器,具有无损,高精度等特点。然而对于基板上的透明薄膜的凹凸形状,对于较薄的膜(1um上下),测量是受到基板反射光的影响,会导致测量失败。如,在测量Si晶圆上的光刻胶的形状时。为解决上述问题,我们推荐反射分光法,测量光刻胶的膜厚,从而得到表面形状信息。
MC方案:光刻胶溶解的实时监测
为了优化半导体和光子器件的图形制作工艺,对光刻胶溶解过程的表征进行了不断的研究。溶出度的实时监测可为此类表征提供必要的信息。在本应用中,通过使用FR-Pro VIS/NIR和FR液体附件,对标准显影剂(AZ726MIF)中的抗蚀剂(AR-N7520.18)薄膜的溶解过程进行实时监控。
液体颗粒计数器解决高粘度光刻胶检测方案深度剖析
在微纳米制造领域,高粘度光刻胶作为精密图形的关键转移媒介,其纯净度直接关系到最终产品的性能与良率。针对这一挑战,我们精心设计了基于先进液体颗粒计数器的检测方案,旨在精准捕捉并量化光刻胶中的微小颗粒,确保生产过程的无瑕衔接。
QCM-D研究光刻蚀分解
光响应高分子(光刻胶)材料被广泛的应用于工业处理,如电子器件和刻蚀。他们对光敏感,并且大量使用在表面上。本文主要采用QCM-D技术对光响应高分子的性能进行了研究。
瑞典百欧林:光刻胶薄膜的溶涨性能研究
采用具有耗散功能的石英晶体微天平(QCM-D)和红外光谱技术研究了不同类型光刻胶薄膜的溶涨性能及其影响因素。
应用MALDI-8030检测光刻胶中酚醛树脂的分子量
本文应用基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪(MALDI-TOF)对光刻胶样品进行分析,采用反-2-[3-(4-叔丁基苯基)-2-甲基-2-亚丙烯基]丙二腈(DCTB)基质,在正离子模式下进行数据采集,结果显示,在m/z 1-3600范围内,检测到一系列不同聚合度的质谱峰,相邻质谱峰平均相差约120 Da,与酚醛树脂单体-(C8H8O)n-分子量相符,聚合物质谱分布模式与酚醛树脂理论结构式相符。结果表明MALDI-TOF适用于光刻胶中酚醛树脂的分子量表征和合成情况确认,分析过程具有无需复杂前处理、分析速度快、分析成本低的特点。
如何在光刻胶产线用液体颗粒计数器检测固态粒子粒径方案
摘要:在光刻胶产线中,液体颗粒计数器的应用对于监控和控制固态粒子的粒径至关重要。以下是使用液体颗粒计数器检测固态粒子粒径的详细步骤。光刻胶检测一般采用实验室离线监测的方式。
ATAGO爱拓多波长阿贝折光仪 DR-M4 应用于半导体光刻胶折射率检测
在微电子制造中,光刻胶是一种重要的材料,用于制作芯片上的微笑结构,光刻胶的折射率对于芯片制造过程中的图案精度和成像效果有着重要的影响 。 因此,在实际应用中,需要选择适合类型与参数的光刻胶,以获得最佳的成像效果。
液体颗粒计数器对光刻胶的颗粒管控
SJ/T 11638 电子化学品中颗粒的测试方法ISO 21501.2-2007 DETERMINATION OF PARTICLE SIZE DISTRIBUTION SINGLE PARTICLE LIGHT INTERACTION METHODS PART 2 LIGHT SCATTERING LIQUID-BORNE PARTICLE COUNTER本标准规定了用激光粒子计数法测定液体电子化学品中颗粒的方法。本标准适用于液体电子化学品中颗粒的连续式或单次检测计数,测定的粒径有0.1μ m-1.0μ m可选。测定的电子化学品的颗粒浓度为(0-10000)每毫升/个,其他粒径的可参考执行。
上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍
在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
采用热扫描探针光刻和激光直写相结合的方法快速制备点接触量子点硅基晶体管
1、高分辨和高直写精度 (XY: 高可达10nm, Z: 1nm)以及高直写速度(20mm/s 与EBL媲美);2、实时形貌探测的闭环刻写技术;3、无需标记拼接与套刻;4、避免对基底材料的损害;5、使用和维护成本低,易操作.
液体颗粒计数器检测低粘度光刻胶颗粒的方法
检测步骤:从样本准备到仪器校准,再到自动检测与数据分析,每一步都遵循严格的操作规程。样本需经过特定的预处理,以去除干扰因素,随后注入计数室,在特定光路下,颗粒的散射光信号被捕捉并转化为电信号,经过软件算法处理,形成直观的颗粒分布图谱。
甲流疫苗中的铝佐剂粒度控制
奥法美嘉平台提供整套的光刻胶用色浆均一性与稳定性解决方案,可用于快速评估、优化光刻胶色浆的配方和工艺:砂(珠)磨机对色浆进行研磨分散处理,高压微射流均质机对色浆浆料进行分散均质处理、Nicomp粒度分析仪分析平均粒径、AccuSizer颗粒计数器分析大粒子浓度,Lum稳定性分析仪快速分析色浆稳定性,Entegris-ANOW滤芯过滤杂质及大颗粒。
通过激光直写技术制造光子设备:SEM如何作出贡献
光子设备被广泛应用于自然科学中,用于制造,操作和探测光。在未来,制造先进的光子设备将是一种挑战,并需要灵活性和可调谐性。因为它们需要先进的三维光刻技术, 制造这些设备并非易事。激光直写技术(DLW)是一种有趣的方式,它的目标是运用液态晶体光刻胶作为感光材料。
等离子清洗机的八大应用
等离子清洗机在半导体、电子材料干式清洗中的应用越来越广泛,如硅胶片的光刻胶剥离、除去有机膜、界面活性化、微细研磨、除去碳化膜等领域,等离子产品都发挥了积极的作用。 从研究开发到工艺生产使用,从表面微细加工到表面处理改质,等离子设备有着很广的社会应用需求。在多个领域也都有普遍应用。
单颗粒ICP-MS测定 化学-机械整平中使用的 元素氧化物纳米颗粒 悬浮物的特性
本研究概述了定量和表征纳米元素氧化物纳米颗粒(氧单颗粒ICP-MS测定化学-机械整平中使用的元素氧化物纳米颗粒悬浮物的特性ICP - Mass Spectrometry应用文章化铝和氧化铈),这些常用于纳米电子学和半导体制造行业中化学-机械 (CMP)半导体表面的平整。CMP是一个结合了化学和机械外力平滑平面的过程,此步骤为光刻作准备。
液体颗粒计数器检测超纯水步骤
超纯水,又称UP水,电阻率达到18MΩ*cm(25℃)的水。常用于集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。此外,其他固态电子器件、厚膜和薄膜电路、印刷电路、真空管等的制作也都要使用超纯水。
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