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无级变速调压高精度研磨抛光机

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无级变速调压高精度研磨抛光机相关的论坛

  • 【讨论】预磨机、磨抛机、抛光机区别

    如题,厂家总会死出一系列选择让你选,可是这里我想问问,预磨机、磨抛机、抛光机到底有什么区别。据我所知磨抛机换抛光布或砂纸即可抛光又可磨样,可是看看预磨机也没什么区别呀,是不是也可以这样用呢?大家有什么想法或实践请给小妹指点一二,谢谢啦!

  • 无线抛光机

    抛光机是什么呢?其实我也不怎么懂的。抛光机是不是把地面抛的光光的机器啊。还是让我们就来读读这篇文章看看到低是怎么一回事吧。抛光机操作安全:一、使用高速抛光机前:应对环境做以下检查;操作者的手、脚要远离旋转的抛光头;操作者不得踩住电源线或将电源线缠入抛光头内;操作者必须安全着装;抛光区域不得超过电源线的长度;操作者不得擅自将操作手柄脱手,停机时必须在高速抛光机完全停止旋转后,方可松开手柄;不能使用粘有灰尘、污垢的抛光垫抛光;积垢太多的抛光垫无法清洗干净时,用及时更换;更换、安装抛光垫时,必须切断电源。  二、高速抛光机的存放:切断电源;向后倾斜,后轮着地存放;不得在室外存放,并应存放在干燥处。三、发现以下情况,不得使用高速抛光机操作者未受过专业培训,操作者未学习过“安全操作”,高速抛光机运转不正常

  • 金相抛光机|预磨机|镶嵌机切割机专业供应用户

    一、 用途该机是将试样预磨和抛光操作结合为一体的经济机型,转盘通过带轮的转速比获得不同的转速,从而实现磨抛功能,是中小企业试样制作的理想设备。二、结构特征概述  该机左盘为预磨盘,右盘为抛光盘。预磨时,通过回转水咀将冷却水不断注入旋转的磨盘中,砂纸在大气压的作用下可以紧贴在磨盘上,从而不须将砂纸粘结或夹紧。抛光时,可将抛光织物平铺在抛光盘上,然后用扣圈扣紧织物,再进行抛光,织物和抛光盘都可及时方便的更换。三、技术参数1、磨盘直径: 230mm;抛盘直径: 200mm 2、磨盘/抛盘转速:450r/min、600r/min3、电动机:550W 380V 50Hz4、外型尺寸:690×715×310mm5、净重:55Kg四、主要附件1、磨抛主机 1台2、排水管 1根,3、进水管 1根,4、抛光织物 1片5、金相砂纸 2张 P-2G型金相试样抛光机  在金相试样制备过程中,试样的抛光是一道主要工序,经过磨光的试样,在抛光机上抛光后,可获得光亮如镜的表面,P-2G型金相试样抛光机是采集多方面使用人员的意见和要求设计而成的,它具有传动平稳,噪音小,操作维修方便等优点,能适合更多种材料的抛光要求。该机适用于厂矿企业、大专院校、科研单位的金相试验室,是试样抛光的极佳设备。P-2G型金相试样抛光机主要技术指标1.抛盘直径:∮230mm2.转速:1400r/min,900r/min(订制)3.电源:380v、50Hz,220v、50Hz (订制)4.外形尺寸:810×470×980mm5.净重:74Kg 一、 产品介绍:QG-4A型多能切割机,主要是用来切割圆柱体和多角形及有凸凹等不规则型材的试样,该机是采用全封闭结构,可保证在绝对安全的状态下进行切取试样,为避免在切割中试样因过热而烧伤材料组织,该机除配有强冷却系统外,可避免试样在切落时表面的微烧伤,可增大切割截面,提高切割砂轮的利用率,具有操作使用维护保养方便等优点,是切割不规则型材的极佳设备。二、主要参数: 最大切割截面: Φ65mm 砂轮片规格: 250×2×32mm 转  速: 2800r/min 电 动 机: Y1.5kW-2, 380V,50Hz 外形尺寸: 680×650×540mm 净  重: 100Kg三、产品特点:1、全封闭双罩结构,并配有透明有机玻璃观察窗。保证操作者的安全。2、采用快速加紧装置。可以切割圆柱体、多角形及有凹凸等不规则型的金属试样。3、配有强冷却系统。4、柜式结构,省去用户自己准备工作台的麻烦。5、采用低噪音防水电机,人性化设计,外观美观,噪音低,操作方便。6、冷却液配件1、新型快速夹具。全自动金相镶嵌机ZXQ-2S一、用途   试样镶嵌机是为了使那些形状或尺寸不适合的试样通过镶嵌以便满足随后的制样步骤,获得要求的检测平面;或是为了保护边缘或预防制备过程造成的表面缺陷。在现代金相实验室中,广泛使用的半自动或自动研磨/抛光机对试样尺寸有规格要求,为了适应这种要求,必须对试样进行镶嵌,因此镶嵌机已成为金相实验室中必备的设备之一。  本机属于全自动金相试样镶嵌机,具有进出水冷却的功能,适用于所有材料(热固性和热塑性)的热镶嵌,设定好加热温度、保温时间、作用力等镶嵌参数后,放入试样和镶嵌料,盖上压盖,按下工作按钮,可自动完成镶嵌工作,无需操作人员在机器旁值守。可根据不同要求的试样任意选择置换4种规格的模具,亦可同时压制二个试样,制备能力翻了一番。二、主要技术指标1.模具规格:φ22mmφ30mmφ45mm2.电源:220V 50HZ3.最大耗电量:1800W4.系统压强设定范围:0~2MPa(相对应制样压强范围:0~72MPa)5.温度设定范围:0~300℃6.保温时间设定范围:0~99分99秒7.外形尺寸:400×380×450mm8.重量:100KG9.冷却方式:水冷

  • 做金相如何选择抛光剂和抛光布?

    我们实验室抛光剂就是氧化铝,抛光布一种红色的,一种黑色的,请问这有什么区别哦,问了只是说黑的适合磨铝合金,红的适合磨其他硬的金属,还有这个腐蚀剂应该怎么选,比如 NiV AlCu AlCr AlNd 这些合金应该用什么抛光布抛光剂,腐蚀剂,砂纸用是不是必须#01到#10,中间跳过几号会不会影响效果?

  • 电气比例阀采用外置传感器和PID控制器实现化学机械抛光超高精度压力控制的解决方案

    电气比例阀采用外置传感器和PID控制器实现化学机械抛光超高精度压力控制的解决方案

    [color=#990000]摘要:为大幅度提高现有CMP工艺设备中压力控制的稳定性,在现有电气比例阀这种单回路PID压力调节技术的基础上,本文提出了升级改造方案,即采用串级控制法(双回路PID控制,也称级联控制),通过在现有电气比例阀回路中增加更高精度的压力传感器和PID控制器,可以将研磨抛光压力的稳定性提高一个数量级,从1~2%的稳定性提升到0.1~0.2%。[/color][align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align] [size=18px][color=#990000][b]一、问题的提出[/b][/color][/size]在半导体制造过程中,化学机械抛光(CMP)是在半导体晶片上产生光滑、平坦表面的关键工艺。CMP工艺中的压力控制是决定最终产品质量的关键因素。如果压力过高,会损坏半导体材料;如果压力太低,会导致表面不平整。CMP系统中需要配置专用的压力调节装置,以确保压力保持在安全范围内。通过将压力保持在安全范围内,压力调节装置有助于确保半导体晶片在CMP过程中不被损坏。目前的CMP系统中普遍采用电气比例阀作为压力调节器,其典型结构如图1所示。在CMP中采用比例阀来控制抛光过程中施加在晶圆上的压力。由于比例阀是电子控制和压力值的模拟信号输出,因此可以通过控制系统(如PLC)对其进行动态编程和压力监控,这意味可以根据被抛光的特定晶片准确改变施加的压力。此外,由于电气比例阀作为压力调节器是一个闭环控制,即使在下游压力发生变化期间,施加在抛光垫上的压力也会保持不变,由此实现压力的自动调节。[align=center][img=常规研磨机电气比例阀压力控制系统结构,600,280]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/09/202209150917534790_1434_3221506_3.png!w690x322.jpg[/img][/align][align=center]图1 常规CMP系统中电气比例阀压力控制装置结构示意图[/align]在一些CMP工艺的实际应用中,要求抛光压力具有很高的稳定性,图1所示的常规压力调节装置则无法满足使用要求,这主要体现在以下几方面的不足:(1)电气比例阀的整体控制精度明显不足,其整体精度(包含线性度、迟滞和重复性)往往在1~2%范围内。这种精度水平主要受集成在比例阀内的压力传感器、高速电磁阀和PID控制器性能和体积等因素制约,而且进一步提高的空间非常有限。(2)电气比例阀安装位置与气缸有一定的距离,由此造成比例阀所检测到的压力值并不是气缸的真实压力,而且比例阀处压力与气缸压力之间有一定的时间滞后。为解决上述存在的问题,进一步提高现有CMP工艺设备中压力控制的稳定性,在现有电气比例阀这种单回路PID压力调节技术的基础上,本文将提出升级改造方案,即采用串级控制法(双回路PID控制,也称级联控制),通过在电气比例阀回路中增加更高精度的压力传感器和PID控制器,可以将研磨抛光压力的稳定性提高一个数量级,从1~2%的稳定性提升到0.1~0.2%。[size=18px][color=#990000][b]二、CMP设备压力控制的串级PID控制方案[/b][/color][/size]在传统的CMP设备压力调节过程中,采用电气比例阀进行压力调节的稳定性完全受集成在比例阀内的压力传感器、高速电磁阀和PID控制器性能和体积等因素制约。为了提高压力控制的稳定性,并充分发挥电气比例阀的自身优势,我们采用了一种串级控制技术,即在作为第一回路的电气比例阀中增加第二控制回路,其中第二控制回路由更高精度的压力传感器和PID控制器构成。串级PID控制方案的整体结构如图2所示。[align=center][img=03.超高精密研磨机电气比例阀压力串级控制系统结构,600,333]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/09/202209150918245058_1534_3221506_3.png!w690x384.jpg[/img][/align][align=center]图2 串级控制法CMP系统压力控制装置结构示意图[/align]在图2所示的串级控制法压力调节装置中,安装了一个外置压力传感器用于直接监测气缸内的气压,压力传感器检测到的气缸压力信号传输给外置的PID控制器,外置PID控制器根据设定值或设定程序将控制信号传送给电气比例阀,比例阀根据此控制信号再经其内部PID控制器来调节高速电磁阀的动作,使得电气比例阀输出到气缸的气体气压与设定值始终保持一致。从上述串级控制过程可以看出,串级控制是一个双控制回路,是两个独立的PID控制回路,电气比例阀起到的是一个执行器的作用。串级控制法(也称级联控制法)是一种有效提升控制精度的传统方法,但在具体实施过程中,需要满足的条件是:[color=#990000]第二回路的传感器和PID控制器(这里是外置压力传感器和PID控制器)精度一般要比第一回路的传感器(这里是电气比例阀内置的压力传感器和PID控制器)要高。[/color]为了实现更高稳定性的CMP系统压力控制,我们推荐的实施方案是采用0.05%精度的外置压力传感器和超高精度PID控制器(技术指标为24位ADC、16位DAC和双浮点运算的0.01%最小输出百分比)。此实施方案我们已经进行过大量考核试验,压力稳定性可以轻松达到0.1%。[align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align]

  • 想要个好的抛光机

    有没有又便宜又好的抛光机和镶嵌机啊大概3万以下一台的最好是傻瓜型的装上去不用管的呵呵大家推荐下啊

  • TEM制样预设型抛光机

    MultiPrep™ 配套研磨设备http://www.zxbairui.com/UploadFile/2007131172846698.jpgMultiPrep™ 系统适用于高精微(光镜,SEM,TEM,AFM,etc)样品的半自动准备加工。主要性能包括平行抛光,精确角抛光,定址抛光或几种方式结合抛光。它保证良好的重现性,可以解决多用户使用的矛盾。 MultiPrep 无须手持样品,保证只有样品面与研磨剂接触。 TechPrep™ 为MultiPrep™ 的定位装置提供电源。人性化的控制面板设计控制MultiPrep™所有功能。研磨盘转速范围(顺/逆时针)为5到350PRM。除触摸开关控制所有功能外,还有数字触摸键盘用于设置研磨盘速度、计时器、摆动与旋转设置。此系统用水符合冷却标准;自动滴液给料系统适用研磨悬浮液和润滑剂。特点:测微计控制样品的设置精确轴设计保证样品垂直于研磨盘,使之同时旋转。数字千分表显示样品行程,增量1微米。(实时)双轴测微计控制样品角坐标设置(斜度和摆度),10°幅度, 0.02° 增量。6倍速样品自动摆动。8倍速样品自动旋转。样品调整范围:0-600克(100克增量)数字记时器与转速计凸轮锁紧钳无需其他辅助工具,方便用户重新设置工作夹具。

  • 高精度一乎面加工与检浏

    高精度平面主要包括平晶、平行平晶、标准平面和分划板等。高精度平面的平面度一般γ/20,平行度<2′′。 1高箱度平面的加工方法 a古典抛光法 在一般抛光机上采用柏油模、分离器抛光.这种方法与操作者的技能有较大关系, b.蟹钳式分离器加工法 它在很人程度上减小了倒翻力矩的挤压作用,同时也采用新型抛光模(如混合模、聚四氟乙烯抛光模等),明显提高了加效率利和精度。 c.环形抛光模加工法 它用校正板和夹持器代替分离器.不仅能保持分离器的功能,又使抛光速度趋于均匀。采用了膨胀系教很小的玻璃作为基底,其上涂以聚四氟乙烯塑料为抛光膜层,加上校正板的连续自动修正作用,所以可在连续加工中保持抛光模的面形稳定.能获得γ/10~γ/200的面形精度和平行度为1"~0.1"的平行平晶.也可加工棱镜、多面体等。 d.离子抛光法 一般是将氢等惰性气体原子在真空中用高频放电方法使之离子化,由高压场使离子加速,轰击光学玻璃表面。通常能以原子为单位去除表面材料,形成所需要的抛光面。这种方法可获得高精度的光学表面,井能通过控制程序进行自动加工。 e.电子计算机控制撇光法 用计算机控制光学磨具在零件表面上的运动轨迹、进给速度和压力等工艺因素达到修磨零件表面的目的。这种方法的优点是工具位置、停留时间、运动轨迹及操作参数等均可实现最优化、加工精度可达γ/80,适合于高精度大型光学零件的最后修磨加工。2.高精度平面的检测 测试方法有液面法、等倾干涉法、多光束干涉法、阴影法和三面法等。

  • 抛光剂哪家比较好用?

    请教大家,做钢铁试样时大家的磨抛程序一般有哪几步(包括各部的砂纸号或粒度)?另外,金刚石喷雾抛光剂大家觉得哪家的比较好用?互相交流。我一般是两道砂纸600-1000,抛光-粗抛(帆布+绸子)7或5微米-细抛(呢子)2.5微米。感觉效果总是不太好

  • 抛光和研磨

    复合材料里有紫铜和铁粉,要想抛光看金相,应该使用多少目的砂纸和研磨膏[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/12/202112160955500364_8889_5489251_3.png[/img]

  • 金相抛光方法

    目的为去除金相磨面上因细磨而留下的磨痕,使之成为光滑、无痕的镜面。金相试样的抛光可分为机械抛光、电解抛光、化学抛光三类。机械抛光简便易行,应用较广。   (1)机械抛光   机械抛光是在专用的抛光机上进行的,抛光机主要是由电动机和抛光圆盘(Ф200~300mm)组成,抛光盘转速为200~600r/min以上。抛光盘上铺以细帆布、呢绒、丝绸等。抛光时在抛光盘上不断滴注抛光液。抛光液通常采用Al2O3、MgO或Cr2O3等细粉末(粒度约为0.3~1μm)在水中的悬浮液。机械抛光就是靠极细的抛光粉末与磨面间产生相对磨削和液压作用来消除磨痕的。 操作时将试样磨面均匀地压在旋转的抛光盘上,并沿盘的边缘到中心不断作径向往复运动。抛光时间一般为3~5min。抛光后的试样,其磨面应光亮无痕,且石墨或夹杂物等不应抛掉或有曳尾现象。这时,试样先用清水冲诜 ,再用无水酒精清洗磨面,最后用吹风机吹干。   (2)电解抛光   电解抛光是利用阳极腐蚀法使试样表面变得平滑光高的一种方法。将试样浸入电解液中作阳极,用铝片或不锈钢片作阴极,使试样与阴极之间保持一定距离(20~30mm),接通直流电源。当电流密度足够时,试样磨面即由于电化学作用而发生选择性溶解,从而获得光滑平整的表面。这种方法的优点是速度快,只产生纯化学的溶解作用而无机械力的影响,因此,可避免在机械抛光时可能引起的表层金属的塑性变形,从而能更确切地显示真实的金相组织。但电解抛光操作时工艺规程不易控制。   (3)化学抛光   化学抛光的实质与电解抛光相类似,也是一个表层溶解过程。它是一种将化学试剂涂在试样表面上约几秒至几分钟,依靠化学腐蚀作用使表面发生选择性溶解,从而得到光滑平整的表面的方法。

  • [分享]机械抛光的特点&.机理

    1.机械抛光是一种古老而又最具实用价值的抛光方法,可分为粗抛、中抛和精抛3类: 粗抛是用硬轮对制品表面进行磨削、磨光或研磨,因此粗抛也称为研磨或磨光。它主要用来除去零件表面的毛刺、划痕、锈痕、氧化皮、砂眼、气泡、焊瘤、焊渣和各种宏观的缺陷,以提高表面平整度和降低表面粗糙度。粗抛后的制品表面只能达到平整到平滑的程度,并不能得到光亮的表面,其表面粗糙度在数微米至数百微米之间。 中抛是用较硬的抛光轮对经过粗抛的表面进一步的加工,除去粗抛时留下的划痕,产生平滑至中等光亮的表面。其表面粗糙度在零点几微米到数微米之间。 精抛是抛光的最后一道工序,它是用涂有抛光膏的软轮对零件表面进行加工的方法。由于它是在已经比较平整的表面上进行的,它可以进一步降低表面粗糙度,已达到微观整平的目的,因而可以获得十分光亮的表面,而且抛光时对基材没有明显的磨耗,其表面粗糙度可达到0.01μm左右,可以真正达到镜面效果。2.机械抛光的机理: 机械抛光时,抛光机上的抛光轮在作高速旋转,操作者将被抛光的制件表面以适当压力按压在抛光轮上,这时因摩擦作用而产生高温,使被抛光表面容易发生变形而形成一层“加工变质层”。在旋转着的摩擦力的作用下,一方面表面的某些凸出部分被削去,同时金属制件表面也会产生塑性变形,凸起部分被压入,或移动一段距离后填入凹陷部位。这种削凸填凹的整平过程,以高速度大规模地反复进行,加上抛光膏地光亮化作用,结果就使原来较粗糙地制件表面,变得平滑而光亮。

  • 氩离子抛光制样

    氩离子抛光制样

    氩离子切割技术是一种利用宽离子束(〜1mm)来切割样品,以获得宽阔而精确的电子显微分析区域的样品表面制备技术。一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域,有效的遮蔽了下半部分的离子束,创造出一个侧切割平面,去除样品表面的一层薄膜。氩离子抛光技术是对样品表面进行抛光,去除损伤层,从而得到高质量样品,用于在 SEM,光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。氩离子抛光技术是扫描电镜、电子探针、俄歇电镜、EBSD分析等应用领域性创新发明。机械研磨抛光技术与氩离子束抛光技术的比较: 机械研磨抛光 vs 离子束抛光 ×有限的硬,固体样品 P适合各类样品 o硬度较大金属材料 o软硬金属材料皆可 o硅和玻璃 o同一样品含软硬不同材料 o半导体(铝/宽/高k电介质 o多孔材料 o矿物质(干) o湿或油性样品:油页岩 o有机物data:image/png;base64,iVBORw0KGgoAAAANSUhEUgAAAAEAAAABCAYAAAAfFcSJAAAAAXNSR0IArs4c6QAAAARnQU1BAACxjwv8YQUAAAAJcEhZcwAADsQAAA7EAZUrDhsAAAANSURBVBhXYzh8+PB/AAffA0nNPuCLAAAAAElFTkSuQmCChttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/01/201701191701_669442_3156028_3.png氩离子抛光/切割的优点http://www.gmatg.com/vr/zbjy888/Resources/userfiles/images/20140215_220137.jpg机械抛光的缺点相比较下氩离子抛光的优点:(1)对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。(2)比FIB方法的抛光面积更大(~1mm以上)。氩离子切割抛光制样具体应用领域有: EBSD样品 光伏、半导体 金属(氧化物,合金) 陶瓷 地质样品、油页岩 高分子、聚合物 CLEBSD制样最有效的方法------氩离子截面抛光仪随着电子背散射技术(EBSD)的日益广泛应用,EBSD样品制备的新技术、新设备也相继出现。样品制备技术也由传统的机械-化学综合抛光,电解抛光丰富到FIB,以及目前广泛应用的氩离子截面抛光仪。传统的机械抛光不能有效去除样品表面的变形层,即使经过反复的研磨,也会出现再次变形的可能,即伴随着消除严重变形层又有形成新的变形层的可能,而且机械抛光的同时还会造成对样品的表面划痕与损伤,大大影响了EBSD试样的效果。电解抛光是靠电化学的作用使试样磨面平整、光洁,一般处理大批量的EBSD试样首选电解抛光。电解抛光可以非常有效的去除表面的氧化层和应力层。不同材质电解抛光工艺不同,需要摸索合适的抛光剂,原始的抛光剂可以在文献和一些工具书中找到,然后需要进行大量的试验,

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