团簇式星型多腔体真空沉积系统

p 　　很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道，选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷，详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说，选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应，即由于ALD的化学反应特性，薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说，在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如，等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟，但对于选择性ALD来说，成核延迟现象却被放大了。 /p p style=" text-align: center" img style=" width: 450px height: 234px " src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/bcc86ec1-e447-400c-8d88-439d8b625aec.jpg" title=" 02.jpg" height=" 234" hspace=" 0" border=" 0" vspace=" 0" width=" 450" / /p p 　　有意思的是，虽然等离子体ALD一般没有成核延迟现象，但它仍然可被用于选择性ALD。我在埃因霍温的大学同事已登载了相关发现(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。它的要点是在等离子体曝光之后再次重复应用抑制剂，这个过程可用视频中所示的三步ABC ALD方法操作。 /p p 　　 strong 以下视频中解释了选择性等离子体ALD技术的全新概念： /strong /p script src=" https://p.bokecc.com/player?vid=65C25DD24223E8749C33DC5901307461& siteid=D9180EE599D5BD46& autoStart=false& width=600& height=490& playerid=2BE2CA2D6C183770& playertype=1" type=" text/javascript" /script p 　　那么问题来了，人们会选择哪种ALD设备来研究选择性ALD呢。 strong 我相信我们系统中的一些功能会很有用，例如： /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 可应用多种化学前驱物。气箱可容纳多路气体并由MFC进行流量控制 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 可应用抑制剂分子(如在前驱物注入过程中通入NH3或CO) /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 将氢基作为抑制剂：在前驱物注入前使用氢等离子体(或其他等离子体)来抑制特定表面的生长 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆& nbsp 氟化物等离子体：将CFX或F作为抑制剂，在前驱物注入前使用此等离子体，或进行选择性ALD生长时，即每隔几个生长周期就在同一个腔体内进行一次刻蚀的步骤(注意O2等离子体可刻蚀Ru，H2等离子体可刻蚀ZnO)。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 用于抑制生长的自组装单分子膜(SAMS)注入 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 多腔体集成系统，比如与感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)腔室(生长非晶硅)、溅射(sputter)腔室或原子层刻蚀(ALE)腔室结合使用 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 用于原表面改性或刻蚀的基底偏压 /p p 　　 strong 牛津仪器的设备可实现优异的控制效果，包括： /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 通过MFC，快速ALD阀门和快速自动压力控制，可获得精准可调的前驱物/气体注入，以实现一面成核另一面不成核的现象。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 使用预真空室和涡轮增压分子泵保持系统的的高真空度，以使抑制现象长时间不受影响。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 使用等离子体可清洁腔体和恢复腔体氛围。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 带实时诊断功能的生长监控设备：椭圆偏正光谱测量、质谱分析法及发射光谱法 /p p 　　基于选择性ALD提出的与刻蚀相结合的方法再次让我想到原子尺度工艺处理的问题，我在之前发表的一篇博文中对此进行了讨论。可以想象，通过结合选择性ALD及其他工艺，可以生长出新的超材料(特异材料)和独特结构。例如，通过在选择性曝光的铜中生长石墨烯，或通过周期性刻蚀同一平面的沉积(例如局部选择性ALD)，可有效地仅在结构侧边生长材料。因此不论是在普通等离子刻蚀机或带基底偏压特性的FlexAL，结合带导向的离子曝光法也许会是个优势。总得来说，我很期待能有令人惊喜的新发现，新结构和新材料能在可控的方式下诞生。 /p

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-06-17 招标文件: 附件1 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 项目概况 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年07月08日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0164 项目名称：北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 预算金额：1000.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：1000.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 8英寸多腔原子层沉积系统 1套 1000万元 是 注：1.交货时间：合同签订后240日内交货并安装完毕。 2.交货地点：北京大学用户指定地点。 3.简要技术需求及用途：栅叠层结构是影响碳CMOS器件性能的重要因素，为提高碳基器件的性能，通过多腔体互连实现连续真空环境下栅介质与栅金属材料的沉积，从而改善碳基CMOS的性能与可靠性，因此采购8英寸多腔原子层沉积系统是项目完成所必须。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章；单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年06月17日 至 2022年06月24日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：只接受电汇或网银购买 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第二会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为“购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称”。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午16:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0164 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） √否 汇款/转账凭证 （汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言“项目编号+用途”，例如：ZC22-0164标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版：报名成功后电子版招标文件将于每工作日下午16:30以后以邮件形式发送至报名登记邮箱； （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045； 2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告“项目联系方式”中项目联系人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 其他详见附件下载 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座六层16室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话： 010-8237 0045、15801412428、15910847865 （定稿）ZC22-0164北京大学8英寸多腔原子层沉积系统项目招标公告.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：原子层沉积 开标时间：2022-07-08 09:00 预算金额：1000.00万元 采购单位：北京大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：北京明德致信咨询有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-06-17 招标文件: 附件1 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 项目概况 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年07月08日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0164 项目名称：北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 预算金额：1000.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：1000.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 8英寸多腔原子层沉积系统 1套 1000万元 是 注：1.交货时间：合同签订后240日内交货并安装完毕。 2.交货地点：北京大学用户指定地点。 3.简要技术需求及用途：栅叠层结构是影响碳CMOS器件性能的重要因素，为提高碳基器件的性能，通过多腔体互连实现连续真空环境下栅介质与栅金属材料的沉积，从而改善碳基CMOS的性能与可靠性，因此采购8英寸多腔原子层沉积系统是项目完成所必须。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章；单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年06月17日 至 2022年06月24日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：只接受电汇或网银购买 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第二会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为“购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称”。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午16:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0164 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） √否 汇款/转账凭证（汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言“项目编号+用途”，例如：ZC22-0164标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版：报名成功后电子版招标文件将于每工作日下午16:30以后以邮件形式发送至报名登记邮箱； （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045；2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告“项目联系方式”中项目联系人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 其他详见附件下载 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座六层16室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话： 010-8237 0045、15801412428、15910847865 （定稿）ZC22-0164北京大学8英寸多腔原子层沉积系统项目招标公告.docx

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

由于在氢氧化（hydrogen oxidation）和氧还原（oxygen reduction）反应中的高效催化特性，铂基催化剂被广泛地应用于质子交换膜燃料电池当中的关键组成部分，比如阴和阳。然而，当质子交换膜燃料电池在较为严苛的环境下（比如低pH环境(＜1)、高的氧浓度、高湿度等）运行时，商用的铂/碳催化剂会展现出耐用性低的问题。由于Ostwald熟化效应、铂纳米颗粒的脱离、铂纳米颗粒的团聚等问题，铂/碳催化剂的活性会显著下降。因此，开发有效方案来稳固铂基催化剂从而防止其活性在燃料电池运行时的损耗，是非常重要的。 针对上述问题，加拿大西安大略大学的孙学良教授课题组，开创性地利用退火MLD（Molecular Layer Deposition，MLD，分子层沉积）夹层结构来固定铂纳米颗粒，从而实现了铂基催化剂性能的提升，相关结果刊载于Nano Energy（https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2019.03.033）。在孙教授团队的工作中，MLD衍生层是通过三基铝和丙三醇合成在掺氮碳纳米管（nitrogen-doped carbon nanotubes，NCNT）上的，此后通过煅烧获得多孔结构。后，通过ALD工艺，铂纳米颗粒被沉积在MLD-NCNT载体之上。多孔结构有益于稳固铂纳米颗粒、避免团聚以及从载体上脱离。相较于沉积在掺氮碳纳米管（NCNT）上的铂催化剂来说，沉积在MLD-NCNT载体上的Pt催化剂展示出了显著提升的氧化还原反应活性以及耐用性。文中利用X射线吸收光谱等手段，详细揭示了增强的机制。 图1 NCNT-MLD-Pt的制备流程示意图以及出色特性（图片来源：Nano Energy:Rational design of porous structures via molecular layer deposition as an effective stabilizer for enhancing Pt ORR performance） 相较于ALD（Atomic layer deposition，ALD，原子层沉积）来说，MLD技术还比较新。MLD技术可以视为ALD技术的亚类，具有与ALD相似的气相沉积工艺，基于序列及自限制反应，在分子尺度上生长材料，目前比较多涉及的是有机聚合物或者无机-有机杂化材料。由于本质上属于ALD技术的衍生技术，因此MLD技术具备了ALD技术的主要优点：优异的三维共形性、大面积均匀性、良好的工艺重复性、膜厚或组成的控制、分子结构或官能团的裁剪，以及较低的沉积工艺温度。然而，由于MLD工艺中采用有机分子作为前驱体，有机分子前驱体的蒸汽压低、热稳定性差，因而反应活性较低。此外，MLD工艺中的有机分子前驱体存在同质官能团引起的双反应现象，会使得沉积速率变慢，甚至是发生非线性的反应生长速率。所以，利用MLD工艺沉积新材料，对于设备和工艺掌控都提出了较高的要求。 在本文当中，孙教授团队利用MLD沉积铝氧烷所用的设备是美国Arradiance公司生产的型号为Gemstar-8 的台式ALD沉积系统，此套系统直接与手套箱相联，手套箱中为氩气气氛。在本工作之前，孙教授所在课题组已经利用MLD技术合成了铝氧烷，并且将铝氧烷涂层应用于提高碳/硫阴或碱金属阳的电化学特性。制备当中，他们采用三基铝和丙三醇作为前驱体，在150 ℃的条件下将，将前驱体依次通入腔体当中。 另一方面，目前大多数无机-有机杂化物质对于空气中的湿度非常敏感，不稳定。由于Arradiance公司生产的台式ALD系列产品，非常小巧，并且非常友善周到地为用户们预留了可以与各类市场主流手套箱集成的接口，从而使得无机-有机杂化物质在制备完成后可以在惰性环境中转移至其他实验环境或是进行其他实验。 图2 Arradiance台式原子层沉积系统，设计紧凑，功能齐全，堪称“麻雀虽小五脏俱全” 图3 紧凑而友善的设计理念，使得Arradiance ALD系统可以方便地与手套箱集成，满足用户的特殊实验需求

文章名称：Experimental study platform for electrocatalysis of atomic-level controlled high-entropy alloy surfaces期刊和影响因子：Nature Communications IF=17.7DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-023-40246-5研究背景： 高熵合金由于出色的热动力学和化学性能，使其在电催化领域受到了学术界的广泛关注。制备原子级可控合金对于提高表面催化性能和设计新型催化剂至关重要。尽管已有的研究对合金组分，元素构成和原子分布等问题对催化性能的影响做了相关的研究，然而对于Pt基合金在催化前和催化后合金表面原子结构变化的原子级透射电镜表征相关工作尚显不足。对于合金表面原子的排布和在空位处合金成分的表征尚属空白。 2023年7月，日本东北大学课题组利用Advance Riko公司的电弧等离子体沉积系统-APD制备了原子级可控的高熵合金，研究了电催化对合金表面原子的影响。得益于APD系统可多靶位同时进行精准等离子溅射的功能，课题组实现了同一种高熵合金不同晶向结构的制备，对多组分合金表面微观结构与其催化性能之间的详细关系进行了深入研究。同时，APD系统的真空传输配件避免了制备样品在传递过程中受到空气的影响。相关研究结果以《Experimental study platform for electrocatalysis of atomic-level controlled high-entropy alloy surfaces 》为题，在SCI期刊Nature Communications上发表。 文中使用的电弧等离子体沉积系统-APD可以在 1.5 nm 到 6 nm 范围内精确控制纳米颗粒的直径，具有活性好，产量高等优势。只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管等形成新的纳米颗粒催化剂。电弧等离子体沉积系统-APD图文导读： 图1. 利用Advance Riko公司的APD系统为电催化研究所准备的不同高熵合金示意图。为了实现制备不同高熵合金成分的需求，APD系统可以溅射合金靶材或者同时溅射多个靶材来实现。通过XPS的研究表明，通过APD系统所制备的高熵合金表面成分高度可控。图2. 通过上述方法制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金不同晶向的表征结果。(a, c, e)为样品横截面的通过STEM获得的HAADF表征结果。(b, d, f)为对应样品的EDS Mapping结果。图3. APD系统所制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金的循环伏安曲线(CV)和氧化还原反应(ORR)在电位循环中的变化。(a, c, e)为在0.05V-1.0V 的范围内CV曲线随可逆氢电极电位的变化关系。(b, d, f)为Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt的ORR随着电位循环的变化，循环电压为0.6V-1V。图4. APD系统所制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金在电位循环后的退化情况。(a, d, g)分别为合金样品的(111)，(110)和(100)方向的低倍HAADF表征结果。(b, e, h)分别为(a, d, g)中所对应的黄色方框区域的高分辨HAADF图像。(c, f, i)分别为在电位循环前和经过5000次循环后所对应的(b, e, h)区域的EDS结果的对比图。文章结论： 日本东北大学课题组使用APD系统制备了原子级可控的Pt高熵合金，通过高分辨透射电镜表征，从原子级的尺度上研究了电催化对合金表面的影响。通过与Pt-Co二元表面相比，高熵合金表面的氧还原反应性能优于 Pt-Co 二元表面，证明了该平台的有用性。该研究填补了高熵合金用于电催化领域原子级机理上的空白，为该领域的研究提供了理论基础！

天眼查显示，新美光（苏州）半导体科技有限公司“衬底加热体组件及化学气相沉积设备”专利公布，申请公布日为2024年7月23日，申请公布号为CN118374794A。背景技术以常见的碳化硅部件-等离子刻蚀环为例，目前较为普遍的等离子刻蚀环生长、加工工艺为：将环状石墨衬底以多片层叠方式安装在化学气相沉积炉内，采用石墨电极进行电阻加热将炉内加热至碳化硅材料生长温度，持续向炉内通入前驱体和载气，前驱体在高温下热解反应出碳/硅原子并在石墨衬底上反应沉积得到碳化硅材料，最终通过微纳加工获得满足使用要求的等离子体刻蚀环。整个工艺过程中，因衬底表面为直接发生碳/硅原子反应沉积的位置，最终决定材料的均一性和碳化硅晶体品质，衬底沉积表面流场均匀性及温度均匀性比较关键。但在上述工艺中存在以下客观缺点：1、石墨衬底置于碳化硅生长炉内加热时，因衬底径向外侧在空间上更加接近石墨加热器，故客观的会接收更多的热辐射而导致衬底径向外侧的温度高于内侧；同样的，石墨衬底的外侧因离进气口比较近，前驱体热解出的碳/硅原子基团会持续优先在衬底外侧的表面沉积，最终会影响碳化硅材料在石墨衬底径向上生长的均匀性；石墨衬底的外侧表面因为较内侧有更高的温度和更高浓度的碳/硅原子基团，石墨衬底的外侧碳化硅沉积材料一般厚度较大且表面平整性差，对于碳化硅零部件后续的加工也造成了时间的浪费和成本的提高。2、石墨衬底常用的固定方式为采用石墨顶针在衬底底面进行支撑，该方案因石墨顶针会直接接触到衬底表面，故被石墨顶针接触到的衬底表面区域碳化硅材料生长过程必然会受到影响，相应区域的沉积材料无法加工成产品使用，故在加工过程中一般采取将受影响区域进行切割废弃的措施，增加了加工时间和成本。3、层叠多片式的碳化硅部件材料生长设备，腔体内部的流场无法实现完全的均匀性，主要表现在离进气口近、排气口远的材料生长速率高，反之生长速率低，最终导致同一批次的材料厚度均一性差。发明内容本发明涉及一种衬底加热体组件及化学气相沉积设备，其中提供了一种衬底加热体组件，包括衬底和加热体，衬底包括第一表面、第二表面和中空区，第一表面和第二表面均用于供反应气体沉积，中空区位于第一表面和第二表面之间；加热体位于中空区内，用于产生热量以至少加热第一表面和第二表面。本发明的衬底设计为内部中空的结构，第一表面及第二表面均为衬底靠近中空区部分的外表面，位于中空区的加热体对衬底的第一表面和第二表面沿径向的各个位置的加热效果相对较为平均，不容易产生沉积的产品厚度差异过大的问题，一定程度上提高了衬底上沉积材料的厚度均一性及组织性能均匀性。

薄膜沉积（Thin Film Deposition）是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法，因为它有如下的这些特点：1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程：i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时，SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散，并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散，因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层，形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右，栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD，LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD，)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体） 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜， 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，升华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染，耗材少。成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法：◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating

table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" width=" 600" tbody tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 526" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 原子层沉积系统 /p /td /tr tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 526" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 中科院物理研究所 /p /td /tr tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 175" p style=" line-height: 1.75em " 郇庆 /p /td td width=" 159" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 192" p style=" line-height: 1.75em " qhuan_uci@yahoo.com /p /td /tr tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 526" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " □正在研发 √已有样机 & nbsp □通过小试 & nbsp □通过中试 □可以量产 /p /td /tr tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 526" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " √技术转让 & nbsp √技术入股 & nbsp □合作开发& nbsp √其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介： /strong br/ & nbsp & nbsp /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/1d453046-e68e-4e65-ab38-25f533935dee.jpg" title=" ALD.jpg" width=" 350" height=" 261" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 350px height: 261px " / /p p style=" line-height: 1.75em " & nbsp br/ /p p style=" line-height: 1.75em " & nbsp & nbsp 原子层沉积（ALD）技术，由于采取自限性的生长模式，因此可以在原子尺度上调控沉积薄膜的厚度，从而形成具有优异的台阶覆盖性和平整性，并可用于制备高深宽比材料和对多孔纳米材料进行修饰。我们自行研制的ALD系统与市场上现有商业化产品相比，具有如下特点：1）复杂完善的管路气路，在自制控制器和软件的配合下，可高度自动化完成生长过程；2）全金属密封，适于各种类型反应；3）圆筒型反应腔体，最高烘烤温度达到350℃，前驱体及载气利用率高；4）特殊设计的样品台，适用于包括粉末样品在内的各类基底；5）可选配四极质谱和石英膜厚检测仪，对反应过程实时监控。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp ALD是一项简单和实用的技术，在微电子、太阳能电池、光子晶体以及催化等许多领域都有广泛的应用前景。我们目前研发的系统主要针对科研应用，国内每年需求量在数十台至上百台。 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p

化学气相沉积是使几种气体在高温下发生热化学反应而生成固体的方法，等离子体化学气相沉积是通过能量激励将工作物质激发到等离子体态从而引发化学反应生成固体方法。因为等离子体具有高能量密度、高活性离子浓度、故而可以引发在常规化学反应中不能或难以实现的物理变化和化学变化，且具有沉积温度低、能耗低、无污染等优点，因此等离子体化学气相沉积法得到了广泛的应用。微波等离子体也具有等离子体洁净、杂质浓度低的优点，因而微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）成为制备高质量金刚石的优先方法，也是目前有发展前景的高质量金刚石（单晶及多晶）沉积方法之一。MPCVD设备反应腔示意图金刚石具有优异的力学、电学、光学、热学、声学性能，在众多领域具有广泛的用途。而这些用途的实现在很大程度上依赖于高取向和单晶金刚石以及大面积透明金刚石膜。由于金刚石生长过程中普遍存在缺陷以及难以获取大面积范围内均匀温度场等参数，导致金刚石的取向发生改变，使高取向和单晶金刚石以及大面积透明金刚石膜的获得十分困难。因此，目前金刚石研究面临的大挑战和困难是如何制备优质单晶、多晶金刚石样品。 德国iplas公司基于 CYRANNUS® 多天线耦合技术，解决了传统的单天线等离子技术的局限。CYRANNUS® 技术采用腔外多天线设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，减少杂质来源，提高晶体纯度（制备的金刚石单晶纯度可达VVS别以上）。MPCVD系统可合成饰钻石 同时稳定的微波发生器也易于控制，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石及薄膜提供了有力保证。 MPCVD系统可合成优质大尺寸金刚石薄膜 MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。相关产品链接 微波等离子化学气相沉积系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C184528.htm

地下水是水文循环的重要组成部分，广泛用于饮用水、工农业活动以及战略储备。然而，人类活动的加剧（如水利工程建设、地下水过度开采、农药和生活污水排放）以及天然劣质地下水在大型流域中的广泛分布，导致地下水环境恶化。因此，水资源的合理管理和水环境的有效保护至关重要，基于地下水流系统（GFS）理论，全面理解地下水流模式（即更新速率、流径及演化趋势）有助于准确评估水文通量和预测污染物分布。汉江平原是长江流经三峡后第一个接收沉积物的大型河湖盆地。复杂的沉积环境、地下水-地表水强烈相互作用以及人为改造自然环境的共同作用，形成了汉江平原独特的GFS格局。了解汉江平原地下水循环演化及其控制机制，对于促进GFS的实际应用和该地区地下水资源保护具有高度紧迫性和挑战性。基于此，在本研究中，来自中国地质大学（武汉）的研究团队在汉江平原腹地和过渡区进行了相关研究，旨在：（1）基于沉积物粒度特征、粘土孔隙水稳定同位素和古气候指标重建汉江平原第四纪含水层系统的沉积环境；（2）深入理解末次盛冰期（LGM）以来沉积环境驱动的GFS演化模式。作者于2015年和2017年在汉江平原腹地和过渡区钻了两个钻孔G01和G05，深度分别为200 m和185 m。从钻孔中收集沉积物样品，分析其粒度分布，地球化学和矿物成分。并从钻孔G01和G05中分别采集了19个和17个粘土样品，利用全自动真空冷凝抽提系统（LI-2100，北京理加联合科技有限公司）提取粘土孔隙水，并进一步分析其δ18O。江汉平原第四纪沉积相、河系和主要钻孔分布。【结果】G01（a）和G05（b）钻孔孔隙水δ18O、沉积物OSL年龄、粘土矿物和地球化学指标的垂向分布以及第四纪古气候演化阶段。古气候阶段G01和G05钻孔孔隙水δ18O值、 粘土矿物和沉积物地球化学指标。【结论】基于水文地质条件、粒度分布特征、沉积物年代学、古气候指标和现存地下水年龄等综合分析，阐明了江汉平原沉积环境驱动的GFS演化模式。该研究的主要发现总结如下：在江汉平原第四纪含水层沉积环境的演化历史中，沉积相主要为河流相、湖泊相和河湖相，由中深层含水层的粗粒相过渡到浅层含水层的细粒相。这意味着水动力条件逐渐减弱并趋于稳定。此外，湖泊相沉积层厚度向平原腹地方向增加。自LGM以来，江汉平原气候演化和沉积相之间具有一定的耦合关系。沉积环境从LGM期间深下切侵蚀环境转变为末次冰消期（LDP）快速冲填粗粒沉积物的河流相环境，然后转变为全新世暖期（HWP）具有细粒沉积物的稳定湖泊相环境。这些变化与长江水位的波动密切相关。基于江汉平原现存地下水年龄的分布，自LGM以来，GFS的演化模式可分为三个阶段。阶段I（22-13 ka B.P.），长江水位急剧下降造成的强水势差增加了地下水的驱动力，极大促进了该阶段区域GFS充分发展，其环流深度达到第四纪底部。随着阶段II地下水驱动力的快速削弱（13-9 ka B.P.），区域GFS再循环深度下降至深层含水层上部，而阶段I的区域GFS逐渐深埋于盆地中。作为阶段III（9 ka B.P.至今）稳定在低水位地下水驱动力，阶段I和阶段II的区域GFS保存在盆地深处，被认为是一个停滞系统（地下水年龄在10 -20 ka之间）。此外，区域GFS（地下水年龄为4-10 ka）和中间GFS（地下水年龄为1-6 ka）共同被认为是稳定体系。随着微地形的充分发育，垂直于河流方向的浅层地下水流形成了活跃的局部GFS（地下水年龄 100 a）。

一、纳米颗粒膜制备日前，由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成，可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜，很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入，不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向，需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下，纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸，颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下，Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布（厂家测试数据）不同颗粒密度样品（厂家测试数据）纳米颗粒制备技术特点：▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调；▪ 多可达3重金属，可共沉积，可制备纯/合金颗粒；▪ 材料范围广泛，包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性（类似于反应溅射）▪ 的纳米颗粒层厚度控制，从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向：▪ 生命科学和纳米医学： 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向：电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究：光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化：燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器：生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而，人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物，想要消除铅对环境的影响，而迄今为止，这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的，如果将它们结合起来，就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期，牛津大学的光电与光伏器件研究组的HenrySnaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙，可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合，使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比，无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题，由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长，因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统，通过真空蒸发三种不同的前驱体，研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性，使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后，XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后，表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统，可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点：▪ 蒸发设备：热蒸发（金属）、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射：直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性：可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备：二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制：触屏编程式全自动控制

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些CVD技术。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。【市场分析】上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）HDP-CVD 是一种利用电感耦合等离子体 （ICP） 源的化学气相沉积设备，是一种越来越受欢迎的等离子体沉积设备。HDP-CVD（也称为ICP-CVD）能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD 提供几乎独立的离子通量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力。但是，HDP-CVD 配置的另一个显著优势是，它可以转换为用于等离子体刻蚀的 ICP-RIE。 在预算或系统占用空间受限时，优势明显。听起来可能很奇怪。但是这两种类型的工艺确实可以在同一个系统中运行。虽然存在一些内部差异，例如额外的气体入口，但两种设备的核心结构几乎完全相同。在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，PECVD工艺一步填充具有高的深宽比的间隔时会在间隔中部产生夹断和空洞。在探索如何同时满足高深宽比间隙的填充和控制成本的过程中诞生了HDP CVD工艺，它的突破创新之处在于，在同一个反应腔中同步地进行沉积和刻蚀工艺。微波等离子化学气相沉积（MPCVD）微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。该方法利用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出。微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-MPCVD）在MPCVD中为了进一步提高等离子体密度，又出现了电子回旋共振MPCVD（Electron Cyclotron Resonance CVD，简称ECR-MPCVD）。由于微波CVD在制备金刚石膜中的独有优势，使得研究人员普遍使用该方法制备金刚石膜，通过大量的研究，不仅在MPCVD制备金刚石膜的机理上取得了显著的成果，而且用CVD法制备的金刚石膜也广泛的用于工具、热沉、光学、高温电子等领域的工业研究与应用。超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术。超高真空化学气相沉积技术发展于20世纪80年代末，是指在低于10-6 Pa (10-8 Torr) 的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程，特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。石墨烯就是可以通过UHV/CVD生产的材料之一。与传统的气相外延不同，UHV/CVD技术采用低压和低温生长，能够有效地减少掺杂源的固态扩散，抑制外延薄膜的三维生长。UHV/CVD系统反应器的超高真空避免了Si衬底表面的氧化,并有效地减少了反应气体所产生的杂质掺入到生长的薄膜中。在超高真空条件下，反应气分子能够直接传输到衬底表面，不存在反应气体的扩散及分子间的复杂相互作用，沉积过程主要取决于气-固界面的反应。传统的气相外延中，气相前驱物通过边界层向衬底表面的扩散决定了外延薄膜的生长速率。超高真空使得气相前驱物分子直接冲击衬底表面，薄膜的生长主要由表面的化学反应控制。因此，在支撑座上的所有基片(衬底)表面的气相前驱物硅烷或锗烷分子流量都是相同的，这使得同时在多基片上实现外延生长成为可能。低压化学气相沉积（LPCVD）低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。LPCVD压强下降到约133Pa以下，与此相应，分子的自由程与气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，即使平行垂直放置片子片子的片距减小到5~10mm，质量传输限制同片子表面化学反应速率相比仍可不予考虑，这就为直立密排装片创造了条件，大大提高了每批装片量。以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量。再者LPCVD并不需要载子气体，因此大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，用以作薄膜的沉积。LPCVD广泛用于二氧化硅（LTO TEOS）、氮化硅（低应力）（Si3N4）、多晶硅（LP-POLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜。热化学气相沉积(TCVD)热化学气相沉积(TCVD)是指利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。广泛应用的TCVD技术如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于热化学气相沉积的范围。热化学气相沉积按其化学反应形式可分成几大类：（1）化学输运法：构成薄膜物质在源区与另一种固体或液体物质反应生成气体.然后输运到一定温度下的生长区，通过相反的热反应生成所需材料，正反应为输运过程的热反应，逆反应为晶体生长过程的热反应。（2）热解法：将含有构成薄膜元素的某种易挥发物质，输运到生长区，通过热分解反应生成所需物质，它的生长温度为1000-1050摄氏度。（3）合成反应法：几种气体物质在生长区内反应生成所生长物质的过程，上述三种方法中，化学输运法一般用于块状晶体生长，分解反应法通常用于薄膜材料生长，合成反应法则两种情况都用。热化学气相沉积应用于半导体材料，如Si，GaAs，InP等各种氧化物和其它材料。高温化学气相沉积（HTCVD）高温化学气相沉积是碳化硅晶体生长的重要方法。HTCVD生长碳化硅晶体是在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应温度（2000℃~2300℃）。高温化学气相沉积是在衬底材料表面上产生的组合反应，是一种化学反应。它涉及热力学、气体输送及膜层生长等方面的问题，根据反应气体、排出气体分析和光谱分析，其过程一般分为以下几步：混合反应气体到达衬底材料表面；反应气体在高温分解并在衬底材料表面上产生化学反应生成固态晶体膜；固体生成物在衬底表面脱离移开，不断地通入反应气体，晶体膜层材料不断生长。中温化学气相沉积（MTCVD）MTCVD硬质涂层工艺技术，在20世纪80年代中期就已问世，但在当时并没有引起人们的重视，直到20世纪90年代中期，世界上主要硬质合金工具生产公司，利用HTCVD和MTCVD技术相结合，研究开发出新型的超级硬质合金涂层材料，有效地解决了在高速、高效切削、合金钢重切削、干切削等机械加工领域中，刀具使用寿命低的难高强度题才引起广泛的重视。目前，已在涂层硬质合金刀具行业投入生产应用，效果十分显著。MTCVD技术沉积工艺如下。沉积温度：700~ 900℃；沉积反应压力：2X103~2X104Pa；主要反应气体配比： CH3CN：TiCl4：H2=0.01：0.02：1；沉积时间：1一4h。金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，非常适合于生长各种异质结构材料，还可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡，生长易于控制，可以生长纯度很高的材料，外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产。激光诱导化学气相沉积（LCVD）LCVD是利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。根据激光在化学气相沉积过程中所起的作用不同可以将LCVD分为光LCVD和热LCVD，它们的反应机理也不尽相同。光LCVD是利用反应气体分子或催化分子对特定波长的激光共振吸收，反应分子气体收到激光加热被诱导发生离解的化学反应，在合适的制备工艺参数如激光功率、反应室压力与气氛的比例、气体流量以及反应区温度等条件下形成薄膜。光LCVD原理与常规CVD主要不同在于激光参与了源分子的化学分解反应，反应区附近极陡的温度梯度可精确控制，能够制备组分可控、粒度可控的超微粒子。热LCVD主要利用基体吸收激光的能量后在表面形成一定的温度场，反应气体流经基体表面发生化学反应，从而在基体表面形成薄膜。热LCVD过程是一种急热急冷的成膜过程，基材发生固态相变时，快速加热会造成大量形核，激光辐照后，成膜区快速冷却，过冷度急剧增大，形核密度增大。同时，快速冷却使晶界的迁移率降低，反应时间缩短，可以形成细小的纳米晶粒。除以上提到的薄膜沉积方法外，还有常压化学气相沉积（APCVD）等分类技术。

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。如今，化学气相沉积被大量应用于半导体领域中。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关化学气相沉积设备的进口情况，可以从一个侧面反映出中国化学气相沉积设备市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。海关统计中，根据化学气相沉积设备的应用领域将其分为制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置 (84862021)和制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）（84863021）。 为了解2021年化学气相沉积设备的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-11月，化学气相沉积设备（商品编码84862021、84863021）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前化学气相沉积设备市场做一个参考。2021年1-11月化学气相沉积设备进口额变化（人民币/万元）2021年1-11月化学气相沉积设备进口数据商品名称进口额/元数量/台均价制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置25,588,916,599181914067574制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）6,182,288,9799664398844总计31,771,205,57819152021年1-11月，中国进口化学气相沉积设备总额约318亿元，总台数达1915台，其中绝大部分用于制造半导体器件和集成电路，此类设备多达1819台，总额达256亿元，占比高达81%。可以看出，目前影响CVD设备进口的主要取决于半导体器件与集成电路制造。从此前统计的【进口数量同比增长68%：2021上半年CVD设备海关进口数据盘点】可以看出，2020年1-12月，我国共进口化学气相沉积设备1150台，进口额约为186亿元，而今年仅前十一个月就已远超去年全年的进口额。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-11月进口化学气相沉积设备贸易伙伴变化（人民币/万元）从进口CVD设备的贸易伙伴分布可以看出，主要进口的贸易伙伴为新加坡、中国台湾和韩国。新加坡处在马六甲海峡，扼太平洋及印度洋之间的航运要道，是全球海运的几大必经路线之一，战略地位十分重要——早在新加坡建国之前，“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港，存放几天或几十天（其中20%的堆存时间仅为1天），然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港，通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口CVD可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的高端装备进口限制。而从台湾进口的CVD主要用于制造平板显示器，从图中可以看出，中国台湾在平板显示器用CVD进口占比高达95%，而在集成电路或半导体器件制造中，仅占2%。用于半导体器件和集成电路制造的CVD中，主要来源为新加坡、韩国、美国和日本。 2021年1-11月化学气相沉积设备各注册地进口数据变化（单位/万元）那么这些化学气相沉积设备主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，陕西省、上海市、湖北省、江苏省和安徽省进口额最多，分列前五名。这些地区的化学气相沉积主要用于集成电路或半导体器件生产中，这表明这些地区在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对半导体设备的需求也在激增。实际上，我国在1-11月从韩国进口的化学气相沉积设备主要的注册地就是陕西省，这可能和三星等韩国企业在西安的半导体生产线有关。而在平板显示器用CVD的注册地分布中可以看出，重庆市独占鳌头，这可能和京东方在重庆的生产线有关，京东方是我国面板产业的龙头企业，其对进口额影响较大。而福建省进口平板显示器用CVD仅次于重庆，这可能与位于厦门的天马微电子有关。重点商品化学气相沉积有哪些重点商品呢？对此，笔者查阅了海关总署，发现重点商品主要有4款，都属于84862021编号。商品1:K465i金属有机物化学气相淀积设备该商品由手套箱系统、反应腔、气体系统、电源及控制系统、真空系统、冷却水和气动系统、安全控制系统等组成。功能是在衬底表面生长一层或多层半导体薄膜。工作原理是通过控制通入反应腔气体的种类、流量和反应腔内的温度、压力，从而在衬底表面生长出不同工艺要求的半导体薄膜。进口后用于LED制造的外延片加工工序。该产品是由Veeco推出的TurboDisc.K465i，是一款用于生产高亮度LED（HB LED）的氮化镓（GaN） 金属有机化学气相沉淀（MOCVD）设备，2016年经过LED产业内的Veeco 用户试用后， K465i很快获得量产认可。商品2：|Oerlikon Solar|KAI MT 化学气相沉积装置该化学气相沉积装置主要用于太阳能电池组件导电层的镀膜。工作原理：该装置内部的传输机械手将玻璃基板传送到薄膜沉积模块中，在一定的温度、压强下，等离子体发生器在反应室内产生射频电压，将工艺气体电离成原子、分子、原子团形式的带电荷粒子混合状态，经过离子碰撞后使之发生化学反应，沉积成一层非晶硅或者微晶硅薄膜在玻璃基板表面。商品3：|CENTROTHERM|E2000-HT 410-4等离子化学气相沉积装置该产品是太阳能电池生产线用|在半导体表层沉积氮化硅膜。商品4：铂阳|无型号|PECVD化学气相沉积设备PECVD化学气相沉积设备：离解化学气体,在玻璃基板上产生化学反应,生长薄膜/ 250MW硅基薄膜太阳能自动化生产线。

环境保护部《土壤和沉积物有机物的提取超声波萃取法》于2018年4月1日正式实施。 本标准规定了提取土壤和沉积物中有机物的超声波萃取法。 本标准适用于土壤和沉积物中多环芳烃、酚类、邻苯二甲酸酯类和有机氯农药等半挥发性有机物的提取。 本标准不适用于在超声波萃取条件下不稳定的有机物(如有机磷农药等)的提取。标准推荐仪器 Scientz-IID 超声波粉碎机性能特点 √ 采用PWM控制电源，工作时间、功率连续可调，适用范围更广；√ 采用7寸TFT高分辨率触摸屏显示；√ 采用精度更高更智能的中央微机集中控制；√ 样品温度自动检测显示功能、功率显示微机跟踪、故障自动报警；√ 隔音装置采用钣金、喷塑、ABS材质，模具化设计，带门锁功能； 应用领域 √ 土壤岩石样品的均质、分散和提取；√ 细胞、病毒、孢子的裂解和破碎√ 纳米材料的分散、裂解 技术参数Scientz-10T 超声波提取机 技术参数 Scientz-N 系列钟罩式冷冻干燥机性能特点 √ 本机采用国际知名品牌思科普（原丹佛斯）压缩机，制冷迅速，冷阱温度低；√ ARM9核心控制电路设计，32M内存128M FLASH；√ 控制系统自动保存冻干数据，并能以实时曲线和历史曲线的形式查看；√ 干燥室采用无色透明一次注塑成型聚碳干燥室，耐腐蚀、不易碎、无粘接、透明度高、密闭性强、样品清楚直观，可观察冻干的全过程；√ 真空泵与主机连接采用国际标准KF快速接头，简洁可靠；√ 可设定冷阱温度，低于温度设定值时开启真空泵，保护真空泵使用寿命。 应用领域 √ 土壤样品的冷冻干燥处理√ 血液、细菌和各类器官的冷冻保存√ 食品的脱水保鲜处理√ 中西药药品的脱水保存√ 出土文物、档案书籍的脱水保护 技术参数

9月底，洛克泰克车间门口热闹非常，大卡车，叉车，吊车轰隆隆的忙不停。原来是洛克泰克公司生产的一个重达10吨的1000吨大腔体压机，今天要出发去见它的主人啦~ 那这个设备，为啥要举这么高呢？ 跟车间负责人沟通后得知，由于仪器本身太重，输运的大卡车车身较高，同时要保护好厂区地面，所以用吊车是最好的办法，可以一次就把设备放到大卡车承重最好的位置。 原来重量级仪器发货有这么多讲究啊！ 负责人还告知，这个仪器是专车专送，专门找的用户当地的公司，一路从车间门口由专业的搬家机构直接送到用户的实验室，客户只需要在实验室指挥放置位置即可 看车牌就知道用户来自于咱们的大北京啦！洛克泰克真是想的周到~那么大家想知道这到底是个什么仪器，怎么这么重呢？现在隆重的介绍它啦：Kawai型大腔体压机 产品介绍：大压机采用Kawai型6-8式二级加压高温高压装置，开放式结构多引线测量更方便。利用碳化钨压砧，可在样品上产生 20Gpa高压， 2000°C高温。 技术优势：带自动控制系统对压力进行监测、控制，通过网络与上位机进行通讯。实际压力值由数字压力传感器测量，传输到控制系统 控制系统分段控制程序，每段分别对压力、时间进行设定，产生用户需要的压力曲线，同时将实际压力和设备状态信息传输到计算机。PLC调节伺服电机，调节实际压力，使其趋近设定压力 在自动控制下，只有伺服电机对压力进行调节，高温高压设备噪声极小，非常适合科研实验室使用，设备稳定性高，维护成本极低湖北洛克泰克是中国领先的高温高压全方案提供商，可以提供从设备到附件，及耗材的完整产品线，且提供全系列的定制解决方案。数年来洛克泰克公司专业研发生产活塞圆筒压机、大腔体压机设备，及其相应耗材，积累了深厚的技术经验，填补了国内市场高温高压设备制造的空白，满足了国内相关科研工作者的需求，也打破了国外设备的垄断局面。高温高压（GPa级）设备，广泛应用于地质、物理、材料、化学等学科研究。

引言 异质催化剂的合成通常借助于传统的湿法化学法，包括浸渍法、离子交换和沉积-沉淀法等。然而，这些方法合成的催化材料往往具有非常复杂的结构和活性位点分布不均匀等问题，这些问题会显著降低催化剂的催化性能，特别是在选择性上，阻碍了科学家们在原子水平上理解催化剂的结构-活性关系。此外，在苛刻的反应条件下通过烧结或浸出造成的活性组分的损失会导致催化剂的大面积失活。因此，亟待发展一种简便的方法来调控催化剂的活性位结构和其在原子水平上的局部化学环境，从而促进对反应机理的理解和高稳定性催化剂的合理设计。 原子层沉积(ALD, Atomic layer deposition)是一种用于薄膜生长的气相催化剂合成技术，目前已成为一种异质催化剂合成的替代方法。和化学气相沉积(CVD, Chemical vapor deposition)一样，其原理是基于两种前驱体蒸汽交替进样，并在载体表面上发生分子层面上的“自限制”反应，实现目标材料在载体表面上的沉积。通过改变沉积周期数、次序和种类等方法可以实现对催化剂活性位结构的原子精细控制，进而为研究者提供了一种 “自下而上”可控合成催化剂的新策略。 美国Arradiance公司的GEMStar系列台式原子层沉积系统(如图1所示)，在小巧的机身（78 * 56 * 28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅可在8英寸基体上实现厚度均匀的膜沉积（其厚度均匀性高于99%），而且适合对具有超高长径比孔径的3D结构进行均匀薄膜覆盖，在高达1500：1长径比微纳深孔内部也可均匀沉积。图1. 美国Arradiance公司生产的GEMStar系列台式三维原子层沉积系统 在本篇文章中，我们将介绍利用ALD方法在负载型单金属 和双金属催化剂精细设计方面的进展和ALD方法在设计高效催化剂方面的特点与优势。同时，我们也整理了利用ALD技术制备单原子和双原子结构金属催化剂的方法与策略以及利用氧化物可控沉积调控金属催化活性中心周围的微环境，从而实现提升催化剂活性、选择性和稳定性的方法。后我们也将展望ALD技术在催化剂制备领 域中应用的潜力。ALD合成负载型催化剂 近年来，研究者对各种氧化物和碳基材料基底上的金属ALD催化剂进行了广泛研究。由于高温下ALD生长的金属原子在氧化物和碳基基底上的高迁移率，沉积物通常以金属纳米粒子形式存在，而不是二维金属薄膜。如图2a所示，金属纳米颗粒的尺寸大小和负载量可以通过调整ALD循环次数和沉积温度变化来进行调控，且金属颗粒的尺寸分布通常非常狭窄。近期，中国科学技术大学的路军岭课题组使用ALD技术发展了一种双金属纳米粒子的合成新策略，即使用较低的沉积温度和合适的反应物，在负载的单金属纳米粒子表面增加二金属组分，获得原子可控的双金属纳米粒子（如图2b, PtPd双金属纳米粒子）。研究发现，在较低的温度下，金属基底会促进金属前驱体在其上的成核和ALD生长，而金属氧化物通常是惰性的，因此不能在低温下与金属前驱体反应和开始成核。图2. ALD合成（a）单金属Pt纳米粒子，（b） 双金属PtPd纳米粒子，（c）Pt 单原子催化剂在N掺杂的石墨烯上，（d）Pd单原子催化剂在g-C3N4上，（e）二聚的Pt2/石墨烯催化剂。 原子分散的金属催化剂，由于其特的催化性能和大的原子利用效率，越来越受人们的关注。使用ALD技术从气相中获得单原子催化剂具有很大的挑战性，因为ALD生长通常在高温下进行，金属的聚集会显著加剧，但考虑到ALD的自限特性，仍是有可能的。加拿大西安大略大学孙学良教授团队从事了先驱性的工作，在250℃下，对N掺杂的石墨烯表面进行五十次Pt ALD循环合成了Pt单原子催化剂（如图2c）。DFT计算表面，Pt单原子与N原子成键，其HER活性相对于商业Pt/C显著增强(~37倍)。类似的，路军岭团队通过调控石墨烯上的含氧官能团种类和数量，在150℃下对石墨烯表面进行一次Pd ALD循环（Pd(hfac)2-HCHO），合成了原子分散的Pd单原子催化剂（如图2d），没有观察到Pd团簇和纳米粒子的形成。除此之外，使用ALD技术还可以合成原子的超细金属团簇，如二聚物等。如图2d所示，路军岭团队报道了Pt2二聚体可以通过ALD技术在石墨烯载体上创建适当的成核位点 “自下而上”制备获得，即Pt1单原子沉积，并在起始位点上进行Pt原子的选择性二次组装。氧化物包覆实现金属催化剂的纳米尺度编辑 对于负载型金属催化剂来讲，其载体不仅仅是作为基底，也会通过电子转移或金属—氧化物相互作用，显著的调制金属纳米颗粒的电子性质。当氧化物层包覆在金属纳米颗粒上时，会形成新的金属-氧化物界面(如图3a)，可以进一步改变金属纳米颗粒的电子性能和形貌，有望进一步提升其催化性能（如图3b）。金属纳米颗粒通常含有低配位位点（lcs）和高配位的台阶(HCSs)，通过氧化物ALD沉积的选择性阻挡某些活性位点，局部改变其几何形态，影响催化过程中的化学键断裂和生成，导致不同的反应途径（如图3c）。另外，物理氧化包覆层还可以提高纳米颗粒的稳定性，在恶劣的反应条件下防止金属组分的烧结和浸出(如图3d)。在原子层面上控制氧化膜厚度，从而在高比表面材料上实现高的均匀性，使得ALD成为在纳米尺度上提高纳米金属催化剂催化性能的理想工具，且不会产生质量迁移的问题。图3. （a）ALD氧化物包覆负载型纳米离子生成新的金属——氧化物界面ALD合成,（b）ZnO包覆Pt纳米粒子催化剂显著提高催化活性，（c）ALD氧化铝包覆Pd/Al2O3显著提高催化选择性，（d）TiO2包覆层显著提高Co@TiO2催化剂催化稳定性。 总结和展望 催化剂的原子合成，是阐明催化作用的关键机制和设计先进高性能催化剂的关键。ALD特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料。这些ALD催化剂具有较高的均匀性，使其相对于传统方法制备的催化剂，拥有更好的或可观的催化性能，并可作为模型催化剂有助于阐明催化剂的结构-性能关系。 参考文献：[1] Lu J. et.al, Acta Phys. -Chim. Sin. 2018, 34 (12), 1334–1357.[2] F. H. et al. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 9758.[3] Elam, J. W. Nat. Commun. 2014, 5, 3264.[4] Liu, L. M. et al. Nat. Commun. 2016, 7, 13638.[5] You, R. et al. Nano Res. 2017, 10, 1302.[6] Huang, X. H. et al. Nat. Commun. 2017,8, 1070.[7] Elam, J. W. ACS Catal. 2016, 6, 3457.[8] Lu, J. ACS Catal. 2015,5, 2735.[9] Huber, G. W. Energy Environ. Sci. 2014, 7, 1657.

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术， 物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关物理气相沉积设备的进口情况，可以从一个侧面反映出中国物理气相沉积设备市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。海关统计中，根据物理气相沉积设备的应用领域将其分为制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置 (84862022)和制造平板显示器用的物理气相沉积设备（PVD）（84863022）。 为了解2021年物理气相沉积设备的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-11月，物理气相沉积设备（商品编码84862022、84863022）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前物理气相沉积设备市场做一个参考。2021年1-11月物理气相沉积设备进口额变化（人民币/万元）2021年1-11月物理气相沉积设备进口数据商品名称进口额（元）数量（台）均价（元/台）制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置6,273,882,9507098848918制造平板显示器用的物理气相沉积设备（PVD）4,290,243,27328015322297总计10,564,126,2239892021年1-11月，中国进口物理气相沉积设备总额约106亿元，总台数达989台，其中绝大部分用于制造半导体器件和集成电路，此类设备多达709台，总额约63亿元，占比高达59%。海关数据显示，去年全年的用于半导体器件和IC制造的PVD进口额约35.5亿元。可以看出今年用于集成电路和半导体器件的进口PVD设备总额明显增加。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-11月进口物理气相沉积设备贸易伙伴变化（人民币/万元）从进口PVD设备的贸易伙伴分布可以看出，主要进口的贸易伙伴为新加坡和美国，其中新加坡进口额最多且全部用于半导体器件和IC制造。新加坡处在马六甲海峡，扼太平洋及印度洋之间的航运要道，是全球海运的几大必经路线之一，战略地位十分重要——早在新加坡建国之前，“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港，存放几天或几十天（其中20%的堆存时间仅为1天），然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港，通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口用于半导体器件和IC制造的PVD可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的高端装备进口限制。进一步分析用于平板显示器制造的PVD数据发现，中国台湾、韩国和日本是此类PVD的主要贸易伙伴，且占比接近。而从用于半导体器件和集成电路制造的PVD主要贸易伙伴是新加坡、美国和瑞士。2021年1-11月物理气相沉积设备各注册地进口数据变化（单位/万元）那么这些物理气相沉积设备主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，上海市的PVD设备进口额最高约22亿元，占比约21%。其次福建和重庆市分列第二、第三。上海市的物理气相沉积主要用于集成电路或半导体器件生产中，这表明上海在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对半导体设备的需求也在激增。而重庆市则正好相反，其进口PVD主要用于平板显示器生产中，在平板显示器用PVD注册地中排名首位，这可能和京东方在重庆的生产线有关，京东方是我国面板产业的龙头企业，其对进口额影响较大。近几年，重庆市也出台了一系列政策之前平板显示制造行业发展。而在平板显示器用PVD的注册地分布中可以看出，除了重庆市独占鳌头，福建省进口平板显示器用PVD仅次于重庆，这可能与位于厦门的天马微电子有关。重点商品物理气相沉积有哪些重点商品呢？对此，笔者查阅了海关总署，发现重点商品主要有2款。商品1：PVD磁控溅射镀膜线（商品编码：84862022）PVD磁控溅射镀膜线：形成导电膜,用于将产生的电流收集导出。商品1：镀膜机/制造平板显示器专用（商品编码：84863022）型号：Applied Materials牌/NAR 1400L(4Mo+5 Al)型。原理：本设备将工作腔抽成真空后灌入氩气,高温高压条件下氩气形成离子层,氩离子在电场作用下,高速冲击靶材(氧化铟锡),使靶材分离出的金属离子在电场作用下附在玻璃基板表面形成薄膜,玻璃基板即可导电。

随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器，MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，这些仪器设备大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计，共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台，涉及23省（直辖市/自治区），73家单位。其中，北京市共享设备数量最多达64台，占比35%，涉及14所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出，MBE在科研领域中的占比较大，高达73%，MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好，但生产效率低，因此在工业领域中，MOCVD占据主流。不过近年来，众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化，信息显示，北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称，深圳地区有人做相关产业化，一次性买入几十台MBE，做2寸的晶圆，做出来多少，就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为36%和32%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢？整体来看，化合物半导体薄膜沉积与外延设备中，沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高，其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及，Aixtron则聚焦MOCVD设备，Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成，发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主，占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan，本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司，专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备。2016年10月，中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron，但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构)，不但均匀性较好，也减少了边缘效应。不过就现阶段而言，大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统，使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，此类产品以德国品牌居多，占比达32%，其次为国产品牌，可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。

什么是原子层沉积技术原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代，前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术（与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关）进行了研究。后来，芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术（1974年，由 Tuomo Suntola 教授申请专利）。在俄罗斯，它过去和现在都被称为分子层沉积，而在芬兰，它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”，而术语“原子层外延”现在保留用于（高温）外延 ALD。 Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤： 1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层沉积（ ALD ）原理图示 涂层的层数（厚度）可以简单地通过设置连续脉冲的数量来确定。蒸气不会在表面上凝结，因为多余的蒸气在前驱体脉冲之间使用氮气吹扫被排出。这意味着每次脉冲后的涂层会自我限制为一个单层，并且允许其以原子精度涂覆复杂的形状。如果是多孔材料，内部的涂层厚度将与其表面相同！因此，ALD 有着越来越广泛的应用。 Part 02. 原子层沉积技术案例展示 原子层沉积通常涉及 4 个步骤的循环，根据需要重复多次以达到所需的涂层厚度。在生长过程中，表面交替暴露于两种互补的化学前驱体。在这种情况下，将每种前驱体单独送入反应器中。 下文以包覆 Al2O3 为例，使用第一前驱体 Al(CH3)3（三甲基铝，TMA）和第二前驱体 H2O 或氧等离子体进行原子层沉积，详细过程如下：反应过程图示 在每个周期中，执行以下步骤： 01 第一前驱体 TMA 的流动，其吸附在表面上的 OH 基团上并与其反应。通过正确选择前驱体和参数，该反应是自限性的。 Al(CH3)3 + OH = O-Al-(CH3)2 + CH4 02使用 N2 吹扫去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4 03第二前驱体（水或氧气）的流动。H2O（热 ALD）或氧等离子体自由基（等离子体 ALD）的反应会氧化表面并去除表面配体。这种反应也是自限性的。 O-Al-(CH3)2 + H2O = O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4 04使用 N2 吹扫去除剩余的 H2O 和 CH4，继续步骤 1。 由于每个曝光步骤，表面位点饱和为一个单层。一旦表面饱和，由于前驱体化学和工艺条件，就不会发生进一步的反应。 为了防止前驱体在表面以外的任何地方发生反应，从而导致化学气相沉积（CVD），必须通过氮气吹扫将各个步骤分开。 Part 03. 原子层沉积技术的优点 由于原子层沉积技术，与表面形成共价键，有时甚至渗透（聚合物），因此具有出色的附着力，具有低缺陷密度，增强了安全性，易于操作且可扩展，无需超高真空等特点，具有以下优点： 厚度可控且均匀通过控制沉积循环次数，可以实现亚纳米级精度的薄膜厚度控制，具有优异的重复性。大面积厚度均匀，甚至超过米尺寸。 涂层表面光滑完美的 3D共形性和 100% 阶梯覆盖：在平坦、内部多孔和颗粒周围样品上形成均匀光滑的涂层，涂层的粗糙度非常低，并且完全遵循基材的曲率。该涂层甚至可以生长在基材上的灰尘颗粒下方，从而防止出现针孔。 ALD 涂层的完美台阶覆盖性 适用多类型材料所有类型的物体都可以进行涂层：晶圆、3D 零件、薄膜卷、多孔材料，甚至是从纳米到米尺寸的粉末。且适用于敏感基材的温和沉积工艺，通常不需要等离子体。 可定制材料特性适用于氧化物、氮化物、金属、半导体等的标准且易于复制的配方，可以通过三明治、异质结构、纳米层压材料、混合氧化物、梯度层和掺杂的数字控制来定制材料特性。 宽工艺窗口，且可批量生产对温度或前驱体剂量变化不敏感，易于批量扩展，可以一次性堆叠和涂覆许多基材，并具有完美的涂层厚度均匀性。

p 　　5月24日，中国科学院条件保障与财务局组织专家对中国科学院宁波材料技术与工程研究所承担的“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”和“微细球状非晶粉末制备装置”两个院科研装备项目进行了技术验收和综合验收。 /p p 　　两个项目的技术验收会于5月24日上午举行，条件保障与财务局科技条件处高级工程师张红松首先介绍了现场测试的具体要求，并宣布了专家组名单。技术测试专家组由6位专家组成，中科院半导体所谢亮研究员和中科院沈阳金属所张海峰研究员分别担任两个项目技术验收专家组组长。项目的技术测试大纲经专家组审议通过后，专家组分别在设备现场按照测试大纲逐项进行测试，将测试结果与项目任务书比对后，专家组一致认为两套研制设备的技术指标均达到或优于实施方案的要求，同意提交综合验收专家组验收。 /p p 　　项目的总体验收于 5月24日下午举行，张红松介绍了总体验收要求并宣布了专家组名单。专家组由8位专家组成，包括1位装备研制项目专家、6位技术专家，1位财务专家，组长由中科院微电子所夏洋研究员担任。专家组分别听取了两个项目工作汇报、使用报告、测试报告和财务报告。 /p p 　　“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”项目研制了一套中压等离子体化学气相沉积系统，实现了硅材料的超高速、低温外延生长 并且通过在线发射光谱和激光吸收光谱的实时检测分析系统，实现了对中压等离子体沉积过程的有效控制。利用该系统，项目组研究了气体组分、沉积压力、氢气浓度等工艺参数与沉积薄膜性能之间的影响规律，为碳化硅、石墨烯等薄膜材料的低温、快速生长提供了一个研究开发平台。 /p p 　　“微细球状非晶粉末制备装置”项目研制出了一套微细球状非晶粉末制备装置，研究了熔体温度、喷嘴直径、回转圆盘转速等工艺条件对粉末粒径、非晶度和氧含量的影响规律，开发了一套新型微细金属粉末制备的新技术，实现了平均粒径在10μm左右的高质量非晶粉末的制备。基于此装备，项目组开展了微细非晶合金粉末的吸波性能研究，为采用新型非晶软磁合金材料、设计和开发具有宽频带、强屏蔽效能的轻薄型磁屏蔽和吸波材料奠定了实验基础。 /p p 　　专家组现场查看了研制仪器设备的运行情况，审查了相关文件档案和项目经费使用情况，经讨论，专家组一致认为，两个项目均完成了实施方案中规定的研究内容，各项技术指标达到要求，项目文件档案齐全，经费使用基本合理，同意项目通过验收。 /p p 　　张红松对宁波材料所两个项目顺利通过验收表示祝贺，并在最后的总结中提出希望，希望项目组能够充分发挥研制装备的价值，进一步研究开发及成果转化，发挥好中科院科研装备研制项目的效能。 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854310154.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center " 　　技术验收会现场 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854432504.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center " 　　现场查看研制仪器设备的运行情况 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854493166.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center " 　　现场查看研制仪器设备的运行情况 /p

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河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目-公开招标公告 河南省-郑州市-金水区 状态：公告 更新时间： 2024-08-21 项目概况 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目招标项目的潜在投标人应在河南省公共资源交易中心网站获取招标文件，并于2024年09月12日09时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1、项目编号：豫财招标采购-2024-902 2、项目名称：河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目 3、采购方式：公开招标 4、预算金额：27,000,000.00元 最高限价：27000000元 序号 包号 包名称 包预算（元） 包最高限价（元） 1豫政采(2)20241346-1 包1 12470000 12470000 2 豫政采(2)20241346-2 包2 14530000 14530000 5、采购需求（包括但不限于标的的名称、数量、简要技术需求或服务要求等） 5.1采购货物名称及数量： 包1：双面对准紫外光刻系统1套、感应耦合等离子体深硅刻蚀机1套、离子束刻蚀机1套。 包2：反应离子刻蚀机1套、等离子体增强化学气相沉积系统1套、高真空电子束共沉积系统1套、半自动匀胶显影系统1套、湿法清洗系统1套、晶圆检查显微镜系统2套、晶圆划切系统1套、探针式轮廓仪1套。 5.2标包划分：本项目共划分2个标包； 5.3采购货物技术性能指标：具体参数详见招标文件第五章“采购需求” 5.4核心产品： 包1：双面对准紫外光刻系统 包2：等离子体增强化学气相沉积系统 5.5采购范围：采购货物的供货、运输、保险、装卸、安装、检测、调试、试运行、验收交付、培训、技术支持、售后保修及相关伴随服务； 5.6资金来源：财政资金，已落实； 5.7交货期： 包1：合同生效后15个月内完成供货、安装、调试完毕 包2：合同生效后12个月内完成供货、安装、调试完毕 5.8交货地点：采购人指定地点； 5.9质量要求：符合国家现行验收规范和标准，满足采购人的相关要求； 6、合同履行期限：自合同签订至质保期结束 7、本项目是否接受联合体投标：否 8、是否接受进口产品：是 9、是否专门面向中小企业：否 二、申请人资格要求： 1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2、落实政府采购政策满足的资格要求： 无 3、本项目的特定资格要求 无 三、获取招标文件 1.时间：2024年08月22日 至 2024年08月28日，每天上午00:00至12:00，下午12:00至23:59（北京时间，法定节假日除外。） 2.地点：河南省公共资源交易中心网站 3.方式：登录《河南省公共资源交易中心-市场主体》凭CA数字证书下载投标项目所含全部资料 4.售价：0元 四、投标截止时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：通过《河南省公共资源交易中心-市场主体》电子交易平台上传 五、开标时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：河南省公共资源交易中心远程开标室(二)-6 六、发布公告的媒介及招标公告期限 本次招标公告在《河南省政府采购网》、《中国政府采购网》、《河南省公共资源交易中心网》上发布， 招标公告期限为五个工作日 。 七、其他补充事宜 1.根据《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》(财库[2016]125号) 和豫财购【2016】15号的规定，采购人或采购代理机构应当在供应商递交投标文件或响应文件时查询供应商信用记录。查询时将查询网页、内容进行截图或拍照，以作证据留存，截图或拍照内容要完整清晰。对列入失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商，采购人、采购代理机构应当拒绝其参加政府采购活动。查询渠道：失信被执行人（查询网站“全国法院失信被执行人名单信息公布与查询”）重大税收违法失信主体（查询网站“信用中国”）、政府采购严重违法失信行为记录名单（查询网址“中国政府采购网”）。 2.本项目执行促进中小型企业发展政策（监狱企业、残疾人福利性企业视同小微企业）、强制采购节能产品、优先采购节能环保产品等政府采购政策。 3.招标代理费：按照计价格[2002]1980号、发改价格[2003]857号和发改价格[2011]534号文件的取费标准的60%由中标人以现金或转账的形式向采购代理机构缴纳。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1. 采购人信息 名称：河南省科学院 地址：郑州市郑东新区崇实里228号 联系人：何小波 联系方式：0371-65753601 2.采购代理机构信息（如有） 名称：信人建设管理有限公司 地址：河南省郑州市金水区文化路9号永和国际1702室 联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 3.项目联系方式 项目联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：轮廓仪,物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2024-09-12 09:00 预算金额：2700.00万元 采购单位：河南省科学院 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：信人建设管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目-公开招标公告 河南省-郑州市-金水区 状态：公告 更新时间： 2024-08-21 项目概况 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目招标项目的潜在投标人应在河南省公共资源交易中心网站获取招标文件，并于2024年09月12日09时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1、项目编号：豫财招标采购-2024-902 2、项目名称：河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目 3、采购方式：公开招标 4、预算金额：27,000,000.00元 最高限价：27000000元 序号 包号 包名称 包预算（元） 包最高限价（元） 1 豫政采(2)20241346-1 包1 12470000 12470000 2 豫政采(2)20241346-2 包2 14530000 14530000 5、采购需求（包括但不限于标的的名称、数量、简要技术需求或服务要求等） 5.1采购货物名称及数量： 包1：双面对准紫外光刻系统1套、感应耦合等离子体深硅刻蚀机1套、离子束刻蚀机1套。 包2：反应离子刻蚀机1套、等离子体增强化学气相沉积系统1套、高真空电子束共沉积系统1套、半自动匀胶显影系统1套、湿法清洗系统1套、晶圆检查显微镜系统2套、晶圆划切系统1套、探针式轮廓仪1套。 5.2标包划分：本项目共划分2个标包； 5.3采购货物技术性能指标：具体参数详见招标文件第五章“采购需求” 5.4核心产品： 包1：双面对准紫外光刻系统 包2：等离子体增强化学气相沉积系统 5.5采购范围：采购货物的供货、运输、保险、装卸、安装、检测、调试、试运行、验收交付、培训、技术支持、售后保修及相关伴随服务； 5.6资金来源：财政资金，已落实； 5.7交货期： 包1：合同生效后15个月内完成供货、安装、调试完毕 包2：合同生效后12个月内完成供货、安装、调试完毕 5.8交货地点：采购人指定地点； 5.9质量要求：符合国家现行验收规范和标准，满足采购人的相关要求； 6、合同履行期限：自合同签订至质保期结束 7、本项目是否接受联合体投标：否 8、是否接受进口产品：是 9、是否专门面向中小企业：否 二、申请人资格要求： 1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2、落实政府采购政策满足的资格要求： 无 3、本项目的特定资格要求 无 三、获取招标文件 1.时间：2024年08月22日 至 2024年08月28日，每天上午00:00至12:00，下午12:00至23:59（北京时间，法定节假日除外。） 2.地点：河南省公共资源交易中心网站 3.方式：登录《河南省公共资源交易中心-市场主体》凭CA数字证书下载投标项目所含全部资料 4.售价：0元 四、投标截止时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：通过《河南省公共资源交易中心-市场主体》电子交易平台上传 五、开标时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：河南省公共资源交易中心远程开标室(二)-6 六、发布公告的媒介及招标公告期限 本次招标公告在《河南省政府采购网》、《中国政府采购网》、《河南省公共资源交易中心网》上发布， 招标公告期限为五个工作日 。 七、其他补充事宜 1.根据《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》(财库[2016]125号) 和豫财购【2016】15号的规定，采购人或采购代理机构应当在供应商递交投标文件或响应文件时查询供应商信用记录。查询时将查询网页、内容进行截图或拍照，以作证据留存，截图或拍照内容要完整清晰。对列入失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商，采购人、采购代理机构应当拒绝其参加政府采购活动。查询渠道：失信被执行人（查询网站“全国法院失信被执行人名单信息公布与查询”）重大税收违法失信主体（查询网站“信用中国”）、政府采购严重违法失信行为记录名单（查询网址“中国政府采购网”）。 2.本项目执行促进中小型企业发展政策（监狱企业、残疾人福利性企业视同小微企业）、强制采购节能产品、优先采购节能环保产品等政府采购政策。 3.招标代理费：按照计价格[2002]1980号、发改价格[2003]857号和发改价格[2011]534号文件的取费标准的60%由中标人以现金或转账的形式向采购代理机构缴纳。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1. 采购人信息 名称：河南省科学院 地址：郑州市郑东新区崇实里228号 联系人：何小波 联系方式：0371-65753601 2.采购代理机构信息（如有） 名称：信人建设管理有限公司 地址：河南省郑州市金水区文化路9号永和国际1702室 联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 3.项目联系方式 项目联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043

项目编号：0773-2240SHHW0019项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目预算金额：663.0789000 万元（人民币）最高限价（如有）：663.0789000 万元（人民币）采购需求：项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目包件1：反应离子束刻蚀系统；数量及单位：1台；简要技术参数：3、等离子体源3.1、射频发生器：最大功率300瓦，13.56MHz，带自动匹配单元；★3.2、ICP源发生器：最大功率3000瓦，2.0MHz，带自动匹配单元；包件2：感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统；数量及单位：1台；简要技术参数：★1、SiO2的标准沉积速率：≥40 nm/min；高速沉积速率：≥500 nm/min2、SiO2薄膜沉积厚度：≥6um。其余详见本项目招标文件。合同履行期限：自合同签订之日起250天内；本项目( 不接受 )联合体投标。

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河南省-郑州市 状态：公告 更新时间： 2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 发布时间：2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 一、项目基本情况 1.采购项目编号：豫教招标采购-2022- 167 2.采购项目名称：哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 3.采购方式：公开招标 4.预算金额：2415万元 最高限价：2415万元 序号 包名称 包预算 （万元） 包最高限价 （万元） 1 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 2415 2415 5.采购需求 （1）项目概况：根据哈工大郑州研究院需要，需对液相外延炉等仪器设备进行采购，项目已具备采购条件，现对该批次仪器设备进行公开招标。 （2）采购内容包括：DLP金刚石金属复合材料增材制造设备1套、高功率光纤激光焊接系统1套、高功率激光柔性复合加工系统1套、超高精度纳米材料沉积系统1套、液相外延炉1套、化学气相沉积镀膜机1套、示波器及探头1套、PEM电解槽1套、总线运动控制系统1套、无人机1套、红外热成像仪1套、功率与阻抗分析仪1套、立式真空热压烧结炉1套、高速摄像机1套。 （3）资金情况：资金已落实。 （4）包段划分：不分包。 （5）交货期：合同签订后6个月内。 （6）交货地点：采购人指定地点。 （7）质量标准：符合国家或行业规定的合格标准，满足采购人提出的技术标准及要求。 （8）验收标准：满足采购人的验收标准及要求。（9）质保服务要求：国产设备三年，进口设备一年(自验收合格之日起)。 6.合同履行期限：合同签订至质保期满。 7.本项目是否接受联合体投标：否 8.是否接受进口产品：是 二、申请人资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定： （1）投标人须具有法人或者其他组织的营业执照等证明文件； （2）投标人须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，企业财务状况良好，没有财务被接管、破产或其他关、停、并、转情况的，须提供2021年度经审计的财务报告或其基本开户银行出具的资信证明； （3）投标人须具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录，提供本年度任意一个月的企业完税凭证和企业社会保险缴纳证明材料； （4）投标人须具有履行合同所必需的设备和专业技术能力(自拟格式，自行承诺)； （5）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明(自拟格式，自行承诺)； （5）其他要求：对参与投标竞争的单位，需承诺近三年来投标人、法定代表人、项目负责人无行贿犯罪记录（由投标人出具承诺，格式自拟）； （7）根据财政部《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）和豫财购〔2016〕15号的规定，对列入“失信被执行人”、“重大税收违法失信主体”和“政府采购严重违法失信行为记录名单”的潜在供应商，将拒绝其参加本项目招标采购活动； （8）单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加本项目的投标【提供在“国家企业信用信息公示系统”中查询打印的相关材料并加盖公章（需包含公司基本信息、股东信息及股权变更信息）】 2.落实政府采购政策满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求： 若供应商所投设备为进口设备，须具备进出口经营资格并提供《对外贸易经营者备案登记证书》。 三、获取招标文件： 1.时间：2022年11月11日至2022年11月20日（北京时间）。每天上午00：00至 12：00，下午 12：00至 23：59（北京时间，法定节假日除外。） 2.方式：供应商报名时需要将法人授权委托书、授权人身份证、被授权人身份证、营业执照副本扫描并发送至项目负责人邮箱1830331803@qq.com，对报名合格的供应商在缴费完成后，通过邮箱发送招标文件电子版。 3.售价：300元人民币 开户名称：河南省教育招标服务有限公司 账 号：371903102310201 开户行：招商银行股份有限公司郑州分行农业路支行 联系电话：扶会计18736086547。 四、投标截止时间（投标文件递交截止时间）及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 五、开标时间及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 六、发布公告的媒介及公示期限 本公告在河南省教育厅网站、河南省教育招标网、哈工大郑州研究院官网、中国招标投标公共服务平台发布。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策： （1）执行《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库﹝2021﹞46号）； （2）执行《财政部、司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库﹝2014﹞68号）； （3）执行《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库﹝2017﹞141号）； （4）执行《财政部、国家发展改革委关于印发〈节能产品政府采购实施意见〉的通知》（财库﹝2004﹞185号）、《财政部环保总局关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库﹝2006﹞90号）；和《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）。 （5）与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或个人，不得参加投标。单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标段投标或者未划分标段的同一招标项目投标。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1.采购人信息 名称：哈工大郑州研究院 地址：河南省郑州市郑东新区龙源东七街26号 联系人：薛老师 联系方式：18860369839 2.采购代理机构信息 名称：河南省教育招标服务有限公司 地址：郑州市花园路116号河南省农科院院内西南角原农信楼 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 3.项目联系方式 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：红外热成像仪,物理气相沉积,镀膜机,原子层沉积 开标时间：2022-12-01 09:00 预算金额：2415.00万元 采购单位：哈工大郑州研究院 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：河南省教育招标服务有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 河南省-郑州市 状态：公告 更新时间： 2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 发布时间：2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 一、项目基本情况 1.采购项目编号：豫教招标采购-2022- 167 2.采购项目名称：哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 3.采购方式：公开招标 4.预算金额：2415万元 最高限价：2415万元 序号 包名称 包预算 （万元） 包最高限价 （万元） 1 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 2415 2415 5.采购需求 （1）项目概况：根据哈工大郑州研究院需要，需对液相外延炉等仪器设备进行采购，项目已具备采购条件，现对该批次仪器设备进行公开招标。 （2）采购内容包括：DLP金刚石金属复合材料增材制造设备1套、高功率光纤激光焊接系统1套、高功率激光柔性复合加工系统1套、超高精度纳米材料沉积系统1套、液相外延炉1套、化学气相沉积镀膜机1套、示波器及探头1套、PEM电解槽1套、总线运动控制系统1套、无人机1套、红外热成像仪1套、功率与阻抗分析仪1套、立式真空热压烧结炉1套、高速摄像机1套。 （3）资金情况：资金已落实。 （4）包段划分：不分包。 （5）交货期：合同签订后6个月内。 （6）交货地点：采购人指定地点。 （7）质量标准：符合国家或行业规定的合格标准，满足采购人提出的技术标准及要求。 （8）验收标准：满足采购人的验收标准及要求。 （9）质保服务要求：国产设备三年，进口设备一年(自验收合格之日起)。 6.合同履行期限：合同签订至质保期满。 7.本项目是否接受联合体投标：否 8.是否接受进口产品：是 二、申请人资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定： （1）投标人须具有法人或者其他组织的营业执照等证明文件； （2）投标人须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，企业财务状况良好，没有财务被接管、破产或其他关、停、并、转情况的，须提供2021年度经审计的财务报告或其基本开户银行出具的资信证明； （3）投标人须具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录，提供本年度任意一个月的企业完税凭证和企业社会保险缴纳证明材料； （4）投标人须具有履行合同所必需的设备和专业技术能力(自拟格式，自行承诺)； （5）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明(自拟格式，自行承诺)； （5）其他要求：对参与投标竞争的单位，需承诺近三年来投标人、法定代表人、项目负责人无行贿犯罪记录（由投标人出具承诺，格式自拟）； （7）根据财政部《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）和豫财购〔2016〕15号的规定，对列入“失信被执行人”、“重大税收违法失信主体”和“政府采购严重违法失信行为记录名单”的潜在供应商，将拒绝其参加本项目招标采购活动； （8）单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加本项目的投标【提供在“国家企业信用信息公示系统”中查询打印的相关材料并加盖公章（需包含公司基本信息、股东信息及股权变更信息）】 2.落实政府采购政策满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求： 若供应商所投设备为进口设备，须具备进出口经营资格并提供《对外贸易经营者备案登记证书》。 三、获取招标文件： 1.时间：2022年11月11日至2022年11月20日（北京时间）。每天上午00：00至 12：00，下午 12：00至 23：59（北京时间，法定节假日除外。） 2.方式：供应商报名时需要将法人授权委托书、授权人身份证、被授权人身份证、营业执照副本扫描并发送至项目负责人邮箱1830331803@qq.com，对报名合格的供应商在缴费完成后，通过邮箱发送招标文件电子版。 3.售价：300元人民币 开户名称：河南省教育招标服务有限公司 账 号：371903102310201 开户行：招商银行股份有限公司郑州分行农业路支行 联系电话：扶会计18736086547。 四、投标截止时间（投标文件递交截止时间）及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 五、开标时间及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 六、发布公告的媒介及公示期限 本公告在河南省教育厅网站、河南省教育招标网、哈工大郑州研究院官网、中国招标投标公共服务平台发布。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策： （1）执行《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库﹝2021﹞46号）； （2）执行《财政部、司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库﹝2014﹞68号）； （3）执行《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库﹝2017﹞141号）； （4）执行《财政部、国家发展改革委关于印发〈节能产品政府采购实施意见〉的通知》（财库﹝2004﹞185号）、《财政部环保总局关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库﹝2006﹞90号）；和《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）。 （5）与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或个人，不得参加投标。单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标段投标或者未划分标段的同一招标项目投标。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1.采购人信息 名称：哈工大郑州研究院 地址：河南省郑州市郑东新区龙源东七街26号 联系人：薛老师 联系方式：18860369839 2.采购代理机构信息 名称：河南省教育招标服务有限公司 地址：郑州市花园路116号河南省农科院院内西南角原农信楼 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 3.项目联系方式 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516

太赫兹波是指频率在0.1THz~10THz内的电磁波，它的波长介于30~3000μm，在频谱中的位置处于微波和可见光之间，长波段部分与毫米波重合，短波段部分与红外线重合，在电磁波频谱中占据非常特殊的位置，具有很多特殊的性质：宽带性、互补性、瞬态性、相干性、低能性、投射性。相对于毫米波而言，太赫兹波的频率更高、波长更短，因此具有更高的分辨率、更强的方向性和更大的信息容量，同时器件可以更小；相对于光波而言，太赫兹波具有更强的穿透性，适合于云雾、硝烟等极端恶劣环境。太赫兹频率源是太赫兹技术发展的关键，其性能指标影响着整个太赫兹系统的性能，所以太赫兹频率源的获得至关重要。通过倍频的方式获得的信号源具有高频稳定性好、设备的主振动频率低、工作频段宽的优点，是目前获取太赫兹频率源广泛采取的方案。基于GaAs肖特基二极管的太赫兹倍频器因其高效率、低能量消耗和室温下可适用性，已广泛用于外差接收器中局部振荡器(LO)的可靠信号源。太赫兹倍频器具有广泛的实际应用，包括大气遥感、医学成像甚至高速通信。目前，用于封装太赫兹倍频器的波导腔体通常采用计算机数控(CNC)加工制造，该工艺成熟，可实现高精确度、高精密度和良好表面光洁度，能满足电子元件与波导腔体间严格的尺寸公差要求。近年来，3D打印凭借其小批量快速加工的能力，逐渐被用于加工被动微波器件。但是，兼具大的打印幅面以及高公差控制的打印设备较少，因此鲜少有3D打印制备超过100GHz频段的器件报道。3D打印的倍频器更是未见报道。图1. 125GHz倍频器的剖面图:(a)波导腔体的布局 (b)MMIC的特写图2. 微纳3D打印的波导腔体(左)和放置MMIC的波导通道(右)近日，英国伯明翰大学的Talal Skaik和Yi Wang等首次采用面投影微立体光刻(PμSL)3D打印工艺制备太赫兹倍频器的波导腔体。研究团队使用摩方精密科技有限公司(BMF)的nanoArch S140系统3D打印了波导腔体，打印材料为耐高温树脂(HTL)，如图2所示，外形尺寸为30.4 mm×25.5 mm×19.1 mm，打印层厚为20μm以及光学精度为10μm。打印后在异丙醇中清洗，并进行30分钟的紫外线固化，最后在60°C下进行30分钟的热固化。制备的波导腔体通过光学系统检测并未发现缺陷，与MMIC（单片微波集成电路）配合的波导通道测量值为609μm，优于设计的630μm；同时超高光学精度打印保证了严格的尺寸公差，确保波导腔体的两部分能精确配合，避免MMIC电路的损坏。图3. 电镀后波导腔体的表面光洁度图4. 装配后的太赫兹倍频器为促进信号的传递以及减小外界干扰，在波导腔体表面镀上4μm厚的铜和0.1μm厚的金，平均表面光洁度约为1.4μm，如图3和图4所示，电磁仿真结果表明该粗糙度对变频损耗的影响可以忽略不计。图5. 3D打印与传统CNC加工的太赫兹倍频器的性能参数对比实验测试发现，3D打印制备的太赫兹倍频器与传统CNC制备的倍频器性能非常接近，相关性能参数如图5所示。3D打印的太赫兹倍频器在输出频率为126GHz下达到33mW的最大输出功率，在80mW~110mW的输入功率下转换效率约为32%，与传统CNC加工的倍频器具有相近的最大输出功率和转换功率。此研究成果以题为“125 GHz Frequency Doubler using a Waveguide Cavity Produced by Stereolithography”发表在会议期刊《IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology 》上。

按照青海省标准化协会团体标准工作程序，标准起草单位已完成《土壤和沉积物 9种酯类化合物的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》、《水质 9种酯类化合物的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》、《土壤和沉积物 吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定 高效液相色谱法》、《水质 吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定 高效液相色谱法》、《水质 22种挥发性有机物(VOCs)的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》、《土壤和沉积物 13种挥发性有机物(VOCs)的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》等6项团体标准征求意见稿的编制工作，现公开征求意见。《土壤和沉积物 9种酯类化合物的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》本标准规定了测定土壤和沉积物中9种酯类化合物的吹扫捕集/气相色谱-质谱法。方法原理：试样经前处理后有电感耦合等离子体全谱直读光谱仪测定。将待测溶液引入高温等离子炬中，待测元素被激发成离子及原子，在特定的波长处测量各元素离子及原子的发射光谱强度，特征光谱的强度与试样中待测元素的浓度在一定范围内呈线性关系而进行定量关系。仪器和设备：1.样品瓶：具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的60mL棕色广口玻璃瓶(或大于60mL其他规格的玻璃瓶)、40mL棕色玻璃瓶和无色玻璃瓶。2.采样器：一次性聚四氟注射器或不锈钢专用采样器。3.气相色谱仪：具分流/不分流进样口，能对载气进行电子压力控制，可程序升温。4.质谱仪：电子轰击(EI)电离源，1s内能从35u扫描至270u；具NIST质谱图库、手动/自动调谐、数据采集、定量分析及谱库检索等功能。5.吹扫捕集装置：吹扫装置能够加热样品至40℃，捕集管使用1/3Tenax、1/3硅胶、1/3活性炭混合吸附剂或其他等效吸附剂。若使用无自动进样器的吹扫捕集装置，其配备的吹扫管应至少能够盛放5g样品和10mL的水。6.毛细管柱：30m×0.25mm，1.4μm膜厚(6%腈丙苯基、94%二甲基聚硅氧烷固定液)；或使用其他等效性能的毛细管柱。7.天平：精度为0.01g。8.气密性注射器：5mL。9.微量注射器：10μL、25μL、100μL、250μL和500μL。10.棕色玻璃瓶：2mL，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫和实芯螺旋盖。11.其他：一次性巴斯德玻璃吸液管、铁铲、药勺(聚四氟乙烯或不锈钢材质)及一般实验室常用仪器和设备。本标准适用于土壤和沉积物中9种酯类化合物(乙酸乙酯、丙烯酸甲酯、乙酸异丙烯酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基异丁基酮、乙酸丁酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯)的测定。若通过验证本标准也可适用于其他挥发性有机物的测定。当样品量为5g，用标准四极杆质谱进行全扫描分析时，目标物的方法检出限为1.2 μg/kg-1.5μg/kg，测定下限为4.8μg/kg -6μg/kg ，见附录A。《水质 9种酯类化合物的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》本标准规定了测定水质样品中9种酯类化合物的吹扫捕集/气相色谱-质谱法。方法原理：样品中的挥发性有机物经高纯氦气(或氮气)吹扫富集于捕集管中，将捕集管加热并以高纯氦气反吹，被热脱附出来的组分进入气相色谱并分离后，用质谱仪进行检测。通过与待测目标化合物保留时间和标准质谱图或特征离子相比较进行定性，内标法定量。仪器和设备：1.样品瓶：40 ml 棕色玻璃瓶，具硅橡胶-聚四氟乙烯衬垫螺旋盖。2.气相色谱仪：具分流/不分流进样口，能对载气进行电子压力控制，可程序升温。3.质谱仪：具70eV的电子轰击(EI)电离源，每个色谱峰至少有6次扫描，推荐为7-10次扫描；产生的4-溴氟苯的质谱图必须满足表 1 的要求。具NIST质谱图库、手动/自动调谐、数据采集、定量分析及谱库检索等功能。4.吹扫捕集装置：吹扫装置能直接连接到色谱部分，并能自动启动色谱，应带有5ml的吹扫管。捕集管使用1/3Tenax、1/3硅胶、1/3活性炭混合吸附剂或其他等效吸附剂，但必须满足相关的质量控制要求。5.毛细管柱：30m×0.25mm，1.4μm膜厚(6%腈丙苯基、94%二甲基聚硅氧烷固定液)；或使用其他等效性能的毛细管柱。6.气密性注射器：5mL。7.微量注射器：10μL、25μL、100μL、250μL和500μL。8.棕色玻璃瓶：2mL，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫和实芯螺旋盖。9.其它：一般实验室常用仪器和设备。本标准适用于地下水、地表水、生活污水和工业废水中9种酯类化合物(乙酸乙酯、丙烯酸甲酯、乙酸异丙烯酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基异丁基酮、乙酸丁酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯)的测定。若通过验证本标准也可适用于其他挥发性有机物的测定。当样品量为5ml，用标准四极杆质谱进行全扫描分析时，目标物的方法检出限为1.2g/L -1.5g/L，测定下限为4.8g/L -6.0g/L ，见附录A。《土壤和沉积物 吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定 高效液相色谱法》本标准规定了测定土壤和沉积物中吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的高效液相色谱法。方法原理：土壤和沉积物样品用20mL甲醇(1:1甲醇和水溶液)振荡提取，经离心提取上清液后，用高效液相色谱分离，紫外DAD检测器检测，根据保留时间定性，外标法定量。仪器和设备：1.高效液相色谱仪：具紫外检测器或二极管阵列检测器。2.色谱柱：十八烷基硅烷键合硅胶柱(C18)，填料粒径5.0μm，柱长250 mm，内径4.6mm，或其他等效色谱柱。3.样品瓶：不小于 60 ml 具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的棕色广口玻璃瓶。4.振荡器：水平振荡器或翻转振荡器。5.恒温振荡器：温度精度为±2℃。6.天平：感量为 0.01 g。7.提取瓶：不小于40ml，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的棕色广口玻璃瓶。8.平底烧瓶：1000 ml，具塞平底玻璃烧瓶。9.离心机：转速≥3500r/min。本标准适用于土壤和沉积物中吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定。若通过验证本文件也可适用于其他吡啶、酰胺类物质的测定。当样品量为10g，定容体积为20mL时，目标物的方法检出限为、测定下限见附录A。《水质 吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定 高效液相色谱法》本标准规定了测定饮用水、地下水、地表水、工业废水及生活污水中吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的高效液相色谱法。方法原理：土壤和沉积物样品用20mL空白试剂水振荡提取，经离心提取上清液后，用高效液相色谱分离，紫外DAD检测器检测，根据保留时间定性，外标法定量。仪器和设备：1.高效液相色谱仪：具紫外检测器或二极管阵列检测器。2.色谱柱：十八烷基硅烷键合硅胶柱(C18)，填料粒径5.0μm，柱长250 mm，内径4.6mm，或其他等效色谱柱。3.样品瓶：500mL具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的棕色广口玻璃瓶。4.天平：精度为0.01g。5.平底烧瓶：1000 mL，具塞平底玻璃烧瓶。本标准适用于饮用水、地下水、地表水、工业废水及生活污水中吡啶、2-氯吡啶、丙烯酰胺、N,N二甲基甲酰胺的测定。若通过验证本文件也可适用于其他吡啶、酰胺类物质的测定。直接进样法，目标物的方法检出限为0.01mg/L，测定下限为0.04mg/L，见附录A 。《水质 22种挥发性有机物(VOCs)的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》本标准规定了测定土壤和沉积物中水质中22种挥发性有机物的吹扫捕集/气相色谱-质谱法。方法原理：样品中的挥发性有机物经高纯氦气(或氮气)吹扫富集于捕集管中，将捕集管加热并以高纯氦气反吹，被热脱附出来的组分进入气相色谱并分离后，用质谱仪进行检测。通过与待测目标化合物保留时间和标准质谱图或特征离子相比较进行定性，内标法定量。仪器和设备：1.样品瓶：40 mL棕色玻璃瓶，具硅橡胶-聚四氟乙烯衬垫螺旋盖。2.气相色谱仪：具分流/不分流进样口，能对载气进行电子压力控制，可程序升温。3.质谱仪：具70eV的电子轰击(EI)电离源，每个色谱峰至少有6次扫描，推荐为7-10次扫描；产生的4-溴氟苯的质谱图必须满足表 1 的要求。具NIST质谱图库、手动/自动调谐、数据采集、定量分析及谱库检索等功能。4.吹扫捕集装置：吹扫装置能直接连接到色谱部分，并能自动启动色谱，应带有5mL的吹扫管。捕集管使用1/3Tenax、1/3硅胶、1/3活性炭混合吸附剂或其他等效吸附剂，但必须满足相关的质量控制要求。5.毛细管柱：30m×0.25mm，1.4μm膜厚(6%腈丙苯基、94%二甲基聚硅氧烷固定液)；或使用其他等效性能的毛细管柱。6.气密性注射器：5mL。7.微量注射器：10μL、25μL、100μL、250μL和500μL。8.棕色玻璃瓶：2mL，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫和实芯螺旋盖。9.其它：一般实验室常用仪器和设备。本标准适用于地下水、地表水、生活污水和工业废水中22种挥发性有机物(二氯二氟甲烷、氯甲烷、氯乙烯、溴甲烷、氯乙烷、三氯氟甲烷、碘甲烷、二硫化碳、乙酸甲酯、甲基叔丁基醚、乙酸乙烯酯、2-丁酮、四氢呋喃、环己烷、乙酸异丙酯、乙酸丙酯、甲基异丁基酮、乙酸异丁酯、2-己酮、1,1,2-三氯丙烷、甲基丙烯酸丁酯、乙酸戊酯)的测定。若通过验证本标准也可适用于其他挥发性有机物的测定。当样品量为5mL，用标准四极杆质谱进行全扫描分析时，目标物的方法检出限为1.5-5.0g/L，测定下限为6.0g/L -20.0g/L，见附录A。《土壤和沉积物 13种挥发性有机物(VOCs)的测定 吹扫捕集/气相色谱-质谱法》本标准规定了测定土壤和沉积物中13种挥发性有机物的吹扫捕集/气相色谱-质谱法。方法原理：样品中的挥发性有机物经高纯氦气(或氮气)吹扫富集于捕集管中，将捕集管加热并以高纯氦气反吹，被热脱附出来的组分进入气相色谱并分离后，用质谱仪进行检测。通过与待测目标物标准质谱图相比较和保留时间进行定性，内标法定量。仪器和设备：1.样品瓶：具聚四氟乙烯-硅胶衬垫螺旋盖的60mL棕色广口玻璃瓶(或大于60mL其他规格的玻璃瓶)、40mL棕色玻璃瓶和无色玻璃瓶。2.采样器：一次性聚四氟注射器或不锈钢专用采样器。3.气相色谱仪：具分流/不分流进样口，能对载气进行电子压力控制，可程序升温。4.质谱仪：电子轰击(EI)电离源，1s内能从35u扫描至270u；具NIST质谱图库、手动/自动调谐、数据采集、定量分析及谱库检索等功能。5.吹扫捕集装置：吹扫装置能够加热样品至40℃，捕集管使用1/3Tenax、1/3硅胶、1/3活性炭混合吸附剂或其他等效吸附剂。若使用无自动进样器的吹扫捕集装置，其配备的吹扫管应至少能够盛放5g样品和10mL的水。6.毛细管柱：30m×0.25mm，1.4μm膜厚(6%腈丙苯基、94%二甲基聚硅氧烷固定液)；或使用其他等效性能的毛细管柱。7.天平：精度为0.01g。8.气密性注射器：5mL。9.微量注射器：10、25、100、250和500μL。10.棕色玻璃瓶：2mL，具聚四氟乙烯-硅胶衬垫和实芯螺旋盖。11.其他：一次性巴斯德玻璃吸液管、铁铲、药勺(聚四氟乙烯或不锈钢材质)及一般实验室常用仪器和设备。本标准适用于土壤和沉积物中13种挥发性有机物(乙酸甲酯、甲基叔丁基醚、乙酸乙烯酯、氯丁二烯、四氢呋喃、环己烷、乙酸异丙酯、乙酸丙酯、顺-1,3-二氯丙烯、乙酸异丁酯、反-1,3-二氯丙烯、乙酸戊酯、甲基丙烯酸丁酯)的测定。若通过验证本标准也可适用于其他挥发性有机物的测定。当样品量为5g，用标准四极杆质谱进行全扫描分析时，目标物的方法检出限为1.6 μg/kg -2.2μg/kg，测定下限为6.4 μg/kg -8.8μg/kg,见附录A。

扩散泵的一个主要特点是皮实耐用，如果使用保养得当，可以正常工作很多年。在安捷伦举办的“寻找最长寿安捷伦扩散泵”活动中，我们发现了好多装机20年以上还在正常工作的的安捷伦（原Varian）扩散泵。结合安捷伦技术支持团队众多工程师的多年经验， 本文总结了安捷伦扩散泵使用时的一些比较容易忽略的注意事项，使用其它品牌扩散泵的用户也可以参考。一定要使用原厂泵油安捷伦扩散泵的喷塔、加热功率等是针对特种油品设计的，其抽速、极限真空等性能参数也都是在使用安捷伦官方油品时测试的，使用非安捷伦官方油品会影响我们对扩散泵的质量保证，也不利于安捷伦工程师进行故障排查，因为不同品牌或批次的第三方泵油组分可能会有较大的差异，可能会带来抽速/极限真空不够、结晶、焦化、返油等问题，严重时甚至会在不当操作时引发爆炸等危险。注意观察油位和油的颜色冷态/热态的时候分别应该接近但不要超过Cold Full/Hot Full的标线；油的颜色应该是无色或透明度很高的红棕色，当油的颜色变深、发黑时，要及时更换。如果工艺中会产生大量的粉尘，特别是放出的泵油中能观察到大量颗粒物时，扩散泵的油池内很可能会有大量的沉积物，这些沉积物将会对泵的正常工作产生严重影响，请在每次换油时清除这些沉积物并对扩散泵进行彻底的清洗。温度保护开关一定要接入控制系统安捷伦大部分型号的扩散泵都在泵体上设置了温度保护开关，当由于冷却不足、油位不够等原因造成扩散泵温度异常时，可以及时的给出信号。在设计控制系统时，一定要把温度保护开关（常闭的干接点）接入系统，并与扩散泵加热器的供电进行互锁，以保护扩散泵。加热器不要频繁通断电扩散泵是靠泵油持续大量的汽化所产生的油蒸气来工作的，泵油的汽化量和喷射动能，跟加热器功率成正比。扩散泵正常工作时的油温是油自身的物理特性（沸点）决定的， 泵应该持续工作在沸点温度下，若停止泵油的加热意味着扩散泵将很快失去气载能力，造成抽速下降和返油量增大；因此，切勿通过加热器频繁通断电来控制油温。另外，频繁通断电将使加热器忽冷忽热，会严重影响其寿命。注意监控加热器的状态当有某根加热器烧坏时，可能会出现抽速、真空度下降，返油等问题，需要注意监控扩散泵加热器的工作状态（电流/功率），以便及时发现异常。更换加热器时，务必使用安捷伦原厂相同功率和额定电压的加热器。安装加热器时，加热器与泵底板必须紧密贴合，如果两者之间产生间隙，会造成加热器导热不良，局部温度过高，严重影响加热器的寿命。有些型号的扩散泵加热器设计了一次性的弹性压板（Crush plate），它在压紧时会产生永久变形并与加热器紧密贴合，使加热器的温度更均匀寿命更久，这些型号的扩散泵在更换加热器时，压板也要同时更换。冷却水，流量比压力更重要大型扩散泵的泵壁一般采用冷却水来进行冷却，许多客户会监控冷却水的进水压力，然而，当冷却盘管发生堵塞或部分堵塞时，即使进水压力不发生变化，冷却效果也会受到影响，而只要保证冷却水的流量，冷却水压力的变化对冷却效果的影响不大；因此，监测冷却水的流量比监测其压力更重要。另外，冷却水的连接方式，与某些设备的下进上出不同，扩散泵的冷却水是进气口处进，排气口处出，一定要按照说明书上的图示来接。减少返油，以下几点也很关键使用安捷伦扩散泵 扩散泵工作的压力越高，返油越严重。安捷伦扩散泵在刚刚开启高阀时（几帕到零点零几帕）的抽速较大，会大幅减少该压力段的抽气时间，从而减少总返油量。（请参考文章:90%的订单来自用户指定，安捷伦扩散泵口碑为什么这么好）切勿让扩散泵处理超过其最大排气量的气载 每个扩散泵都有一个最大气载的参数，扩散泵工作时处理的总气载不可以超过该数值，否则将出现严重的返油。高阀开启压力有讲究 在高阀开启的瞬间，原来由粗抽泵处理的气载将会切换至扩散泵处理，假设高阀在系统气载等于扩散泵最大气载时开启，通过公式Q=P*S就可以计算出开启压力；可以看出，使用的粗抽泵抽速越大，越需要在更低的压力开启扩散泵。排气阀门间歇关闭要不得 当前级泵切换至腔体粗抽，或者系统处于待机状态时，不要直接关闭扩散泵排气口的阀门，最好使用维持泵持续对扩散泵排气口进行抽气，保持其压力低于扩散泵可承受的最大排气压力（一般为几十帕）。增配加强型的冷帽 当需要更低的返油率时，可以增配加强型的冷帽。安捷伦提供可内置于扩散泵的加强型冷帽，可以使返油率减少90%以上，并且不增加泵的高度。原厂上门保养服务安捷伦真空提供各型号安捷伦扩散泵的上门保养服务，可以在客户现场进行扩散泵的故障排查、拆解、清洗、重新安装、换油等操作，并可以根据不同客户的具体要求订制年度保养协议，最大化的减少客户因为扩散泵故障造成的停机损失。想要了解更多，欢迎关注”安捷伦真空“公众号在线留言或者拨打下面电话联系我们。安捷伦科技中国 真空产品热线：800 820 6778 （固定电话拨打）/ 400 820 6778 （手机拨打）

据徐州发布消息，6月16日，铜山区、徐州高新区2021年度精准招商重点项目签约活动举行。此次集中签约7个项目，总投资约60亿元，涵盖数字经济、集成电路与ICT、生物医药与大健康等战略性新兴产业领域。签约项目中包括广东先导稀材股份有限公司半导体沉积及镀膜设备生产基地项目。据介绍，2019年，先导集团以4500万欧元全资收购了德国FHR公司（全球领先的薄膜真空设备制造的供应商），拟建设半导体沉积及镀膜设备的国产化生产基地。项目产品包括：化合物半导体薄膜设备、MEMS薄膜设备、MDS薄膜生产线、精密光学薄膜设备、TCO镀膜设备、HIT玻璃镀膜设备、平板显示阵列镀膜设备等。项目全部达产后将形成年约600台（套）设备生产能力，年产值约72亿元。

项目编号：HBT-13210048-225732项目名称：武汉大学原子层薄膜沉积仪、三维激光扫描测振仪、原位光电热催化真空红外分析平台采购项目预算金额：1950.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：1950.0000000 万元（人民币）采购需求：本项目为3个项目包，接受同一供应商多包投标与中标。具体内容见下表。主要技术及服务要求等详见第三章货物需求及采购要求。包号序号货物名称是否接受进口产品单位数量是否为核心产品项目包预算（万元）011原子层薄膜沉积仪是台1是350021三维激光扫描测振仪是台1是500031原位光电热催化真空红外分析平台是台1是1100 合同履行期限：交货期：01包合同签订后 270 日内；02包合同签订后 180 日内；03包合同签订后 240 日内。本项目( 不接受 )联合体投标。

9月18日，普立泰科公司特邀请美国DANI(原Spectra Analysis)公司顶级法医刑侦专家Stephanie Fisher进行气红联用技术的专业指导与培训。培训期间，StephanieFisher具体讲解了气红联用仪的基本原理和仪器的操作流程步骤，并对DiscovIR气红检测器的产品特点及优势做了详细的阐述，该款仪器具备独特的低温冷凝技术，能够将气相分离后的物质冷凝沉积，实时检测，并与ATR等固体红外谱库兼容。通过这次专业的培训，各工程师对该仪器的构造、性能等有了更深入、透彻、全面的认识，使大家受益匪浅。　　色谱技术经过近一个世纪的发展，已经成为一种广泛使用的分析方法。众所周知，气相色谱是物质分离和定量分析的有效手段，但在定性方面始终存在困难，仅靠保留指数定性未知物或未知组分是非常不可靠的。质谱在定性同分异构体方面存在一定的局限性，而红外光谱法能提供丰富的分子结构信息，是非常理想的定性鉴定工具。然而红外光谱法原则上只适用于纯化合物，对于混合物的定性分析常常无能为力。将这两种技术取其所长，即将气相色谱的高效分离及定量检测能力与红外光谱独特的结构鉴定能力结合在一起，就是气相色谱- 红外光谱联用技术的设计思路。　　气红联用仪接口以前采用的是光管技术，它是一个管状气体池，为一定内径和长度、内壁镀金的硬质玻璃管，管两端装有KBr窗片。红外光线经镀金内壁的多次反射，光程增加，根据Beer定律，吸收值相应增加，以此来提高仪器的检测灵敏度。但是细内径有光晕损失，使光管透射率降低 为防止相邻色谱峰在光管中重合，在GC管出口光管的入口旁接尾吹，导致红外测量信号降低、噪音增大 为保持气态，需使光管保持色谱柱温度。低温污染光管，而高温光能量损失越大。　　目前，最新的气红联用仪联用技术采用的是低温冷凝沉积技术，气相馏分低温冷凝在移动的透明ZeSe红外窗片上，进行红外光谱检测，没有基质气体干扰。所以当馏分冷凝后可以直接采集到红外图谱，即可以实时记录，还可以多次扫描获得高信噪比的红外图谱。低温冷凝沉积技术的优点是采集的红外谱图谱峰尖锐，强度高，而且可以多次扫描获得高信噪比的红外图谱。这种方法得到的红外图谱与标准的KBr图谱是一样的，其图谱库要远远大于基气相红外图谱。　　DiscovIR的固相沉积型气红联用仪是对色谱联用技术的领域的拓展与扩充，准确定性同分异构体的功能对常规质谱检测是一有力的辅助手段。相比常规红外，DiscovIR较高的灵敏度可以满足物质的微量分析检测。因此，固相沉积型气红联用仪DiscovIR除了可以进行常规物质分析，也广泛应用在法庭科学、毒物分析鉴定、天然产物香精香料分析、石油化工、日用化工、合成领域等。　　此次普立泰科将全国第一台固相沉积型气红联用仪落户在了中国人民解放军的最高医学研机构——军事医学科学院，欢迎各位专家莅临参观指导。

从中国科学院海洋研究所了解到，该所研究人员自主研发的“中科海开拓”系列3500米级深水可视化可控沉积物柱状取样系统，在南海获取单柱、连续、低扰动沉积物柱状样品15.83米，顺利通过海试验收，并入列“海洋地质九号”地球物理勘探船。　　科研人员介绍，传统的海底沉积物取样主要依靠重力活塞取样器，它是完全依靠重力获取沉积物样品，取样前科研人员对能取到多少样品、海底底质等都不清楚，是“盲采样”。　　中国科学院海洋研究所正高级工程师栾振东说，这套完全国产化的沉积物柱状取样系统实现了可视化，科研人员能清楚看到要取样的海底底质如何。此外，它具有声学通讯控制等功能，可调整插入的姿态和方位，以偏东40度或者垂直90度插入海底沉积物获取样品，取样长度可在插入沉积物后继续调整。　　此外，这套沉积物柱状取样系统降低了对作业海况的等级要求，可搭载多类水下传感器，在不显著增加自身重量前提下，能完成连续且低扰动的柱状沉积物定点采样、沉积物多层温度探测、打桩基和布设小型海底空间站等工作。　　中国科学院海洋研究所表示，这套自主研发沉积物柱状取样系统的海试成功和成果转化，将为我国海洋科学研究提供更加有力的数据和样品支撑。